JP5705565B2 - Mounting structure - Google Patents

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Description

本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器およびその周辺機器）等に使用される配線基板およびその実装構造体に関するものである。   The present invention relates to a wiring board used for electronic devices (for example, various audiovisual devices, home appliances, communication devices, computer devices and peripheral devices thereof), and a mounting structure thereof.

従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, as a mounting structure in an electronic device, an electronic component mounted on a wiring board is used.

特許文献１には、半導体チップの電極パッド上に金属バンプを形成する工程と、該金属バンプと配線基板の金属パッドとの位置を対応させつつ、半導体チップを配線基板上に搭載する工程と、半導体チップの金属バンプをリフローすることにより、金属バンプを溶融させて電極パッドと金属パッドとを接続する工程と、を備えた実装方法が記載されている。   Patent Document 1 includes a step of forming a metal bump on an electrode pad of a semiconductor chip, a step of mounting the semiconductor chip on the wiring substrate while corresponding the positions of the metal bump and the metal pad of the wiring substrate, There is described a mounting method including a step of reflowing metal bumps of a semiconductor chip to melt the metal bumps and connect the electrode pads and the metal pads.

ところで、金属バンプをリフローさせる際に、溶融した金属バンプが位置ずれして隣接する金属バンプに接触し、金属バンプ同士が短絡することがある。その結果、実装構造体の電気的信頼性が低下しやすくなる。   By the way, when reflowing the metal bumps, the molten metal bumps may be misaligned and come into contact with adjacent metal bumps, and the metal bumps may be short-circuited. As a result, the electrical reliability of the mounting structure tends to decrease.

特開２００９−６４８１２号公報JP 2009-64812 A

本発明は、電気的接続信頼性を向上させる要求に応える実装構造体を提供するものである。
The present invention is to provide a implementation structure Ru response to a request to improve the electrical connection reliability.

本発明の一形態にかかる実装構造体は、交互に積層された複数の絶縁層および導電層を備え、前記複数の絶縁層は、最外層に位置する第１絶縁層と、該第１絶縁層に接している第２絶縁層とを有し、前記導電層は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に配された接続パッドを有し、前記第１絶縁層は、厚み方向に貫通して前記接続パッドを露出する貫通孔を具備し、前記接続パッドは、前記貫通孔の開口部に向かって突出した突起部を具備する配線基板と、該配線基板の前記貫通孔内に配された導電部材と、該導電部材を介して前記接続パッドに接続された電極パッドを有する電子部品とを備え、前記突起部は、前記電極パッドに当接していることを特徴とする。
A mounting structure according to an embodiment of the present invention includes a plurality of insulating layers and conductive layers that are alternately stacked, and the plurality of insulating layers includes a first insulating layer located at an outermost layer, and the first insulating layer. A second insulating layer in contact with the conductive layer, the conductive layer has a connection pad disposed between the first insulating layer and the second insulating layer, and the first insulating layer has a thickness A through-hole that penetrates in a direction to expose the connection pad, the connection pad having a protrusion protruding toward the opening of the through-hole, and the inside of the through-hole of the wiring board And an electronic component having an electrode pad connected to the connection pad via the conductive member, and the protrusion is in contact with the electrode pad .

本発明の一形態にかかる実装構造体によれば、電子部品を実装する際に、第１絶縁層を貫通する貫通孔内に導電部材が充填され、隣接する導電部材同士の短絡を低減することができるとともに、突起部によって接続パッドと導電部材との接続強度を高めることができる。さらに、突起部の先端部が電極パッドと当接しているため、接続パッドと電極パッドとの接続強度を高めることができるとともに、接続パッドと電極パッドとの距離を容易に調節することができ、導電部材の過不足を低減することができるため、電子部品と配線基板との電気的接続信頼性に優れた実装構造体を得ることができる。
According to the mounting structure according to an aspect of the present invention, when mounting an electronic component, the through hole penetrating the first insulating layer is filled with the conductive member, and the short circuit between the adjacent conductive members is reduced. In addition, the connection strength between the connection pad and the conductive member can be increased by the protrusion . Furthermore, since the tip of the protrusion is in contact with the electrode pad, the connection strength between the connection pad and the electrode pad can be increased, and the distance between the connection pad and the electrode pad can be easily adjusted. Since the excess and deficiency of the conductive member can be reduced, a mounting structure having excellent electrical connection reliability between the electronic component and the wiring board can be obtained.

図１（ａ）は、本発明の一実施形態にかかる実装構造体を厚み方向に切断した断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＲ部分を拡大して示す断面図である。Fig.1 (a) is sectional drawing which cut | disconnected the mounting structure concerning one Embodiment of this invention in the thickness direction, FIG.1 (b) is a cross section which expands and shows the R part of Fig.1 (a). FIG. 図２は、図１（ａ）に示す実装構造体の配線基板の上面図である。FIG. 2 is a top view of the wiring board of the mounting structure shown in FIG. 図３（ａ）ないし（ｃ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。3A to 3C are cross-sectional views cut in the thickness direction for explaining the manufacturing process of the mounting structure shown in FIG. 図４（ａ）および（ｃ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。4 (a) and 4 (c) are cross-sectional views cut in the thickness direction for explaining the manufacturing process of the mounting structure shown in FIG. 1 (a). 図５（ａ）および（ｂ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。5 (a) and 5 (b) are cross-sectional views cut in the thickness direction for explaining the manufacturing process of the mounting structure shown in FIG. 1 (a). 図６は、本発明の他の実施形態にかかる実装構造体を厚み方向に切断した断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a mounting structure according to another embodiment of the present invention cut in the thickness direction.

以下に、本発明の一実施形態に係る実装構造体を例に、図面に基づいて詳細に説明する。
Hereinafter, an example engagement Ru implementation structure to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

（実装構造体）
図１（ａ）に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置またはその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２と、該電子部品２がフリップチップ実装された配線基板３と、電子部品２および配線基板３を電気的および機械的に接続する導電部材４と、電子部品２および配線基板３を機械的に接続する絶縁部材５と、を含んでいる。 (Mounting structure)
The mounting structure 1 shown in FIG. 1A is used for electronic devices such as various audiovisual devices, home appliances, communication devices, computer devices or peripheral devices thereof. The mounting structure 1 includes an electronic component 2, a wiring board 3 on which the electronic component 2 is flip-chip mounted, a conductive member 4 that electrically and mechanically connects the electronic component 2 and the wiring board 3, and an electronic component. 2 and an insulating member 5 for mechanically connecting the wiring board 3.

（電子部品）
電子部品２は、半導体基板６と、該半導体基板６上に形成された電極パッド７と、を含んでいる。 (Electronic parts)
The electronic component 2 includes a semiconductor substrate 6 and electrode pads 7 formed on the semiconductor substrate 6.

半導体基板６は、例えばＩＣまたはＬＳＩ等の半導体素子であり、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウムまたは炭化珪素等の半導体材料により形成することができる。この半導体基板６は、厚みが例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定されており、平面方向および厚み方向への熱膨張率が例えば３ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下に設定されている。   The semiconductor substrate 6 is a semiconductor element such as IC or LSI, and can be formed of a semiconductor material such as silicon, germanium, gallium arsenide, gallium arsenide phosphorus, gallium nitride, or silicon carbide. The semiconductor substrate 6 has a thickness set to, for example, 0.1 mm to 1 mm, and a coefficient of thermal expansion in the plane direction and the thickness direction is set to, for example, 3 ppm / ° C. to 5 ppm / ° C.

ここで、半導体基板６の熱膨張率は、市販のＴＭＡ装置を用いてＪＩＳＫ７１９７‐１９９１に準じた測定方法により測定される。以下、各部材の熱膨張率は、半導体基板６と同様に測定される。   Here, the thermal expansion coefficient of the semiconductor substrate 6 is measured by a measuring method according to JISK7197-1991 using a commercially available TMA apparatus. Hereinafter, the coefficient of thermal expansion of each member is measured in the same manner as the semiconductor substrate 6.

電極パッド７は、導電部材４を介して電子部品２を配線基板３に電気的に接続するための端子として機能するものであり、例えば銅、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロムの導電材料により形成することができ、なかでも、導電性の観点から、銅を用いることが望ましい。この電極パッド７は、例えば平板状かつ円柱状であり、幅（厚み方向に沿った断面の幅）が例えば２５μｍ以上１００μｍ以下に設定され、厚みが例えば０．１μｍ以上５０μｍ以下に設定されている。   The electrode pad 7 functions as a terminal for electrically connecting the electronic component 2 to the wiring board 3 through the conductive member 4 and is formed of a conductive material such as copper, gold, aluminum, nickel, or chromium. Among them, it is desirable to use copper from the viewpoint of conductivity. The electrode pad 7 has, for example, a flat plate shape and a cylindrical shape, the width (the width of the cross section along the thickness direction) is set to, for example, 25 μm to 100 μm, and the thickness is set to, for example, 0.1 μm to 50 μm. .

（配線基板）
配線基板３は、コア基板８と、該コア基板８の上下に形成された一対の配線層９と、を含んでいる。この配線基板３は、一主面にて電子部品２が実装され、他主面にてマザーボードに実装されて外部回路に接続される。 (Wiring board)
The wiring substrate 3 includes a core substrate 8 and a pair of wiring layers 9 formed above and below the core substrate 8. The wiring board 3 is mounted with an electronic component 2 on one main surface and mounted on a motherboard on the other main surface and connected to an external circuit.

（コア基板）
コア基板８は、配線基板３の強度を高めるものであり、基体１０と、該基体１０を厚み方向に貫通する筒状のスルーホール導体１１と、該スルーホール導体１１の内部に配された柱状の絶縁体１２と、を含んでいる。 (Core substrate)
The core substrate 8 increases the strength of the wiring substrate 3, and includes a base body 10, a cylindrical through-hole conductor 11 that penetrates the base body 10 in the thickness direction, and a columnar shape disposed inside the through-hole conductor 11. And the insulator 12.

基体１０は、コア基板８の主要部をなして剛性を高めるものであり、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料と、例えばガラスクロス等の基材と、例えば酸化ケイ素等からなる無機絶縁フィラーと、を含んでいる。この基体１０は、厚みが例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定され、平面方向への熱膨張率が例えば３ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下に設定され、厚み方向への熱膨張率が例えば１２ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定され、ヤング率が１０ＧＰａ以上３０ＧＰａ以下に設定されている。   The base 10 forms a main part of the core substrate 8 and increases rigidity. For example, a resin material such as an epoxy resin, a base material such as a glass cloth, and an inorganic insulating filler made of silicon oxide or the like, for example. Contains. The substrate 10 has a thickness set to, for example, 0.1 mm to 1 mm, a thermal expansion coefficient in the plane direction set to, for example, 3 ppm / ° C. to 30 ppm / ° C., and a thermal expansion coefficient in the thickness direction, eg, 12 ppm / The Young's modulus is set to 10 GPa or more and 30 GPa or less.

ここで、基体１０のヤング率は、ＭＴＳシステムズ社製Ｎａｎｏ Ｉｎｄｅｎｔｏｒ ＸＰ／ＤＣＭを用いて測定される。以下、各部材のヤング率は、基体１０と同様に測定される。   Here, the Young's modulus of the substrate 10 is measured using Nano Indentor XP / DCM manufactured by MTS Systems. Hereinafter, the Young's modulus of each member is measured in the same manner as the base 10.

スルーホール導体１１は、コア基板８の上下の配線層９を電気的に接続するものであり、例えば銅、銀、金、ニッケルまたはクロム等の導電材料により形成することができ、なかでも、導電性の観点から、銅を用いることが望ましい。   The through-hole conductor 11 is for electrically connecting the upper and lower wiring layers 9 of the core substrate 8 and can be formed of a conductive material such as copper, silver, gold, nickel, or chrome. From the viewpoint of safety, it is desirable to use copper.

絶縁体１２は、後述するビア導体１５の支持面を形成するものであり、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料により形成することができる。   The insulator 12 forms a support surface of a via conductor 15 described later, and can be formed of a resin material such as an epoxy resin, for example.

（配線層）
配線層９は、基体１０上に積層された複数の絶縁層１３と、基体１０上または絶縁層１３上に部分的に形成されて厚み方向に互いに離間した複数の導電層１４と、絶縁層１３を貫通して導電層１４に接続したビア導体１５と、を含んでおり、絶縁層１３および導電層１４は、基体１０上で交互に積層されている。 (Wiring layer)
The wiring layer 9 includes a plurality of insulating layers 13 stacked on the base 10, a plurality of conductive layers 14 partially formed on the base 10 or on the insulating layer 13 and spaced apart from each other in the thickness direction, and the insulating layer 13. And via conductors 15 connected to the conductive layer 14. The insulating layers 13 and the conductive layers 14 are alternately stacked on the substrate 10.

絶縁層１３は、導電層１４を支持する支持部材として機能するだけでなく、導電層１４同士の短絡を防ぐ絶縁部材として機能するものであり、フィルム層１６と、該フィルム層１６よりもコア基板８側に配された接着層１７と、を有する。この絶縁層１３は、厚みが例えば５μｍ以上４０μｍ以下に設定されている。   The insulating layer 13 not only functions as a support member that supports the conductive layer 14 but also functions as an insulating member that prevents a short circuit between the conductive layers 14. The film layer 16 and the core substrate more than the film layer 16 And an adhesive layer 17 disposed on the 8 side. The insulating layer 13 has a thickness set to, for example, 5 μm or more and 40 μm or less.

フィルム層１６は、絶縁層１３の剛性を高めるとともに平面方向の熱膨張率を低減するものであり、樹脂材料と該樹脂材料に被覆された無機絶縁フィラーとを含んでいる。また、フィルム層１６は、平板状に形成されており、コア基板８側の主面にて、同じ絶縁層１３に含まれる接着層１７に当接し、コア基板８と反対側の他主面にて、導電層１４および他の絶縁層１３に含まれる接着層１７に当接する。このフィルム層１６は、厚みが例えば２μｍ上２０μｍ以下に設定され、平面方向への熱膨張率が例えば−１０ｐｐｍ／℃以上１６ｐｐｍ／℃以下に設定され、厚み方向への熱膨張率が例えば１００ｐｐｍ／℃以上２００ｐｐｍ／℃以下に設定され、ヤング率が例えば２．５ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下に設定されている。   The film layer 16 increases the rigidity of the insulating layer 13 and reduces the coefficient of thermal expansion in the planar direction, and includes a resin material and an inorganic insulating filler coated with the resin material. The film layer 16 is formed in a flat plate shape, abuts against the adhesive layer 17 included in the same insulating layer 13 on the main surface on the core substrate 8 side, and on the other main surface opposite to the core substrate 8. Then, it contacts the adhesive layer 17 included in the conductive layer 14 and the other insulating layer 13. The film layer 16 is set to have a thickness of, for example, 2 μm to 20 μm or less, a thermal expansion coefficient in the plane direction of, for example, −10 ppm / ° C. to 16 ppm / ° C., and a thermal expansion coefficient of 100 ppm / ° C. in the thickness direction. The Young's modulus is set to 2.5 GPa or more and 15 GPa or less, for example.

フィルム層１６の樹脂材料は、各樹脂分子鎖の長手方向がフィルム層１６の平面方向に沿って配列されたフィルム状のものであり、例えばポリイミド樹脂または液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂により形成することができる。このようなフィルム状の熱可塑性樹脂を用いることにより、フィルム層１６を高剛性にするとともに、フィルム層１６の平面方向の熱膨張率を低減することができる。   The resin material of the film layer 16 is a film-like material in which the longitudinal direction of each resin molecular chain is arranged along the plane direction of the film layer 16 and is formed of a thermoplastic resin such as a polyimide resin or a liquid crystal polymer. Can do. By using such a film-like thermoplastic resin, it is possible to make the film layer 16 highly rigid and reduce the thermal expansion coefficient of the film layer 16 in the planar direction.

フィルム層１６の無機絶縁フィラーは、フィルム層１６を高剛性かつ低熱膨張にするものであり、例えば酸化ケイ素を含む無機絶縁材料により形成することができる。この無機絶縁フィラーは、各方向への熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下に設定され、ヤング率が例えば２０ＧＰａ以上３０ＧＰａ以下に設定され、フィルム層１６における含有量が例えば０．０１体積％以上１体積％以下に設定されている。なお、フィルム層１６は、無機絶縁フィラーを含まなくても構わない。   The inorganic insulating filler of the film layer 16 makes the film layer 16 highly rigid and has low thermal expansion, and can be formed of, for example, an inorganic insulating material containing silicon oxide. The inorganic insulating filler has a coefficient of thermal expansion in each direction set to, for example, 0 ppm / ° C. or more and 10 ppm / ° C. or less, a Young's modulus set to, for example, 20 GPa or more and 30 GPa or less, and the content in the film layer 16 is, for example, 0.01 The volume is set to 1% by volume or more. In addition, the film layer 16 does not need to contain an inorganic insulating filler.

ここで、フィルム層１６における無機絶縁フィラーの含有量(体積％)は、フィルム層１６の断面において無機絶縁フィラーの占める面積比率（面積％）を含有量（体積％）とみなすことにより測定される。後述する接着層１７における無機絶縁フィラーの含有量は、フィルム層１６と同様に測定される。   Here, the content (volume%) of the inorganic insulating filler in the film layer 16 is measured by regarding the area ratio (area%) occupied by the inorganic insulating filler in the cross section of the film layer 16 as the content (volume%). . The content of the inorganic insulating filler in the adhesive layer 17 described later is measured in the same manner as the film layer 16.

接着層１７は、厚み方向に隣接したフィルム層１６同士またはフィルム層１６と基体１０とを接着するものであり、樹脂材料と該樹脂材料内に被覆された無機絶縁フィラーとを含んでいる。この接着層１７は、厚みが例えば２μｍ以上２０μｍ以下に設定され、平面方向および厚み方向への熱膨張率が例えば１００ｐｐｍ／℃以上２００ｐｐｍ／℃以下に設定され、ヤング率が例えば０．０５ＧＰａ以上０．５ＧＰａ以下に設定され、ヤング率がフィルム層１６の例えば０．０００５倍以上０．２倍以下に設定されている。このように、接着層１７のヤング率は、フィルム層１６のヤング率よりも小さく設定されているため、絶縁層１３の平面方向への熱膨張率に対する接着層１７の影響を低減し、平面方向に低熱膨張のフィルム層１６によって絶縁層１３の平面方向への熱膨張率を低減することができる。   The adhesive layer 17 adheres the film layers 16 adjacent to each other in the thickness direction or the film layer 16 and the base body 10, and includes a resin material and an inorganic insulating filler coated in the resin material. The adhesive layer 17 is set to have a thickness of, for example, 2 μm or more and 20 μm or less, a thermal expansion coefficient in a plane direction or a thickness direction is set to, for example, 100 ppm / ° C. or more and 200 ppm / ° C. or less, and a Young's modulus is, for example, 0.05 GPa or more and 0 The Young's modulus is set to be, for example, 0.0005 times or more and 0.2 times or less of the film layer 16. Thus, since the Young's modulus of the adhesive layer 17 is set to be smaller than the Young's modulus of the film layer 16, the influence of the adhesive layer 17 on the thermal expansion coefficient in the plane direction of the insulating layer 13 is reduced, and the plane direction Further, the thermal expansion coefficient in the plane direction of the insulating layer 13 can be reduced by the low thermal expansion film layer 16.

接着層１７の樹脂材料は、各樹脂分子鎖の長手方向が様々な方向に配されて互いに架橋されたものであり、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、またはアミド樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。   The resin material of the adhesive layer 17 is one in which the longitudinal direction of each resin molecular chain is arranged in various directions and cross-linked with each other. For example, thermosetting such as epoxy resin, bismaleimide triazine resin, cyanate resin, or amide resin Can be used.

接着層１７の無機絶縁フィラーは、上述した基体１０に含まれたものと同様のものを用いることができ、接着層１７の樹脂材料内における含有量が例えば０．０１体積％以上１０体積％以下に設定されている。なお、接着層１７は、無機絶縁フィラーを含まなくても構わない。この場合、接着層１７のヤング率を低減することによって、接着層１７による絶縁層１３の熱膨張率への影響を低減しつつ、接着層１７とフィルム層１６との接着強度を高めることができる。   The inorganic insulating filler of the adhesive layer 17 can be the same as that contained in the substrate 10 described above, and the content of the adhesive layer 17 in the resin material is, for example, 0.01 volume% or more and 10 volume% or less. Is set to Note that the adhesive layer 17 may not include an inorganic insulating filler. In this case, by reducing the Young's modulus of the adhesive layer 17, the adhesive strength between the adhesive layer 17 and the film layer 16 can be increased while reducing the influence of the adhesive layer 17 on the thermal expansion coefficient of the insulating layer 13. .

ここで、便宜上、絶縁層１３の内、電子部品２が実装される主面側の最外層に配された絶縁層１３を第１絶縁層１３ａとし、第１絶縁層１３ａよりも内側（コア基板８側）に配され第１絶縁層１３ａに接した絶縁層１３を第２絶縁層１３ｂとする。また、第１絶縁層１３ａのフィルム層１６を第１フィルム層１６ａとし、第１絶縁層１３ａの接着層１７を第１接着層１７ａとし、第２絶縁層１３ｂのフィルム層１６を第２フィルム層１６ｂとし、第２絶縁層１３ｂの接着層１７を第２接着層１７ｂとする。   Here, for convenience, the insulating layer 13 disposed on the outermost layer on the main surface side on which the electronic component 2 is mounted among the insulating layers 13 is defined as a first insulating layer 13a, and the inner side of the first insulating layer 13a (core substrate) The insulating layer 13 arranged on the (8 side) and in contact with the first insulating layer 13a is referred to as a second insulating layer 13b. The film layer 16 of the first insulating layer 13a is the first film layer 16a, the adhesive layer 17 of the first insulating layer 13a is the first adhesive layer 17a, and the film layer 16 of the second insulating layer 13b is the second film layer. 16b, and the adhesive layer 17 of the second insulating layer 13b is the second adhesive layer 17b.

また、第１絶縁層１３ａには、厚み方向に貫通した貫通孔Ｐが形成されている。該貫通孔Ｐは、例えば、コア基板８に向って幅狭となる柱状であるとともに底面が円形状である。この貫通孔Ｐの開口部の幅は、貫通孔Ｐの底部（接続パッド１８の露出部）の幅よりも大きく、電極パッド７の幅よりも小さい。また、貫通孔Ｐの開口部の幅は、例えば２５μｍ以上８０μｍ以下に設定され、電極パッド７の幅の例えば０．８倍以上０．９５倍以下に設定されている。また、貫通孔Ｐの底部の幅は、例えば２０μｍ以上７０μｍ以下に設定され、貫通孔Ｐの開口部の幅の例えば０．８倍以上０．９倍以下に設定されている。   The first insulating layer 13a has a through hole P that penetrates in the thickness direction. The through-hole P is, for example, a columnar shape that becomes narrower toward the core substrate 8 and has a circular bottom surface. The width of the opening portion of the through hole P is larger than the width of the bottom portion of the through hole P (exposed portion of the connection pad 18) and smaller than the width of the electrode pad 7. The width of the opening of the through hole P is set to, for example, 25 μm or more and 80 μm or less, and is set to, for example, 0.8 times or more and 0.95 times or less of the width of the electrode pad 7. Further, the width of the bottom of the through hole P is set to, for example, 20 μm or more and 70 μm or less, and is set to, for example, 0.8 times or more and 0.9 times or less of the width of the opening of the through hole P.

一方、導電層１４は、接地用配線、電力供給用配線または信号用配線として機能するも
のであり、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロム等の導電材料により形成することができ、なかでも、導電性の観点から、銅を用いることが望ましい。この導電層１４は、例えば平板状であり、厚みが例えば３μｍ以上２０μｍ以下に設定されている。 On the other hand, the conductive layer 14 functions as a ground wiring, a power supply wiring, or a signal wiring, and can be formed of a conductive material such as copper, silver, gold, aluminum, nickel, or chromium, for example. However, it is desirable to use copper from the viewpoint of conductivity. The conductive layer 14 has a flat plate shape, for example, and has a thickness set to, for example, 3 μm or more and 20 μm or less.

この導電層１４の内、第２絶縁層１３ｂの第１絶縁層１３ａ側主面に配された導電層１４は、貫通孔Ｐ内に少なくとも一部が露出した接続パッド１８を有しており、該接続パッド１８は、第１絶縁層１３ａと第２絶縁層１３ｂとの間に配されている。   Of the conductive layer 14, the conductive layer 14 disposed on the main surface of the second insulating layer 13b on the first insulating layer 13a side has a connection pad 18 that is at least partially exposed in the through hole P. The connection pad 18 is disposed between the first insulating layer 13a and the second insulating layer 13b.

接続パッド１８は、導電部材４を介して電子部品２の電極パッド７に電気的に接続される端子として機能するものであり、第１絶縁層１３ａと第２絶縁層１３ｂとの間に配された平板状のパッド部１９と、該パッド部１９から貫通孔Ｐの開口部に向かって突出した突起部２０と、を含んでいる。   The connection pad 18 functions as a terminal that is electrically connected to the electrode pad 7 of the electronic component 2 through the conductive member 4 and is disposed between the first insulating layer 13a and the second insulating layer 13b. And a flat pad portion 19 and a protrusion 20 protruding from the pad portion 19 toward the opening of the through hole P.

パッド部１９は、図１（ｂ）に示すように、第２絶縁層１３ｂに接続したパッド部本体２１と、パッド部１９の第１接着層１７ａに当接した表面に配され、パッド部本体２１に接続した黒化膜２２と、貫通孔Ｐ内に露出して導電部材４と接続する表面に配され、パッド部本体２１に接続した被覆膜２３と、を含んでいる。このパッド部１９は、例えば円柱状に形成されており、底面の幅が例えば２５μｍ以上１００μｍ以下に設定され、底面の幅が貫通孔Ｐの底部の幅の例えば１．２倍以上２倍以下に設定されている。   As shown in FIG. 1B, the pad portion 19 is disposed on the surface of the pad portion main body 21 connected to the second insulating layer 13b and the surface of the pad portion 19 in contact with the first adhesive layer 17a. And a coating film 23 disposed on the surface exposed in the through hole P and connected to the conductive member 4 and connected to the pad portion main body 21. The pad portion 19 is formed, for example, in a columnar shape, and the width of the bottom surface is set to, for example, 25 μm to 100 μm, and the width of the bottom surface is, for example, 1.2 times to 2 times the width of the bottom portion of the through hole P. Is set.

パッド部１９のパッド部本体２１は、パッド部１９の導電部材および支持部材として機能するものであり、例えば銅、銀、金、ニッケルまたはクロム等の導電材料により形成することができ、なかでも、導電性の観点から、銅を用いることが望ましい。このパッド部本体２１は、厚みが例えば３μｍ以上２０μｍ以下に設定されている。   The pad portion main body 21 of the pad portion 19 functions as a conductive member and a support member of the pad portion 19 and can be formed of a conductive material such as copper, silver, gold, nickel, or chromium, for example. From the viewpoint of conductivity, it is desirable to use copper. The pad body 21 is set to have a thickness of, for example, 3 μm or more and 20 μm or less.

パッド部１９の黒化膜２２は、パッド部１９と第１接着層１７ａとの接着強度を高めるものであり、パッド部本体２１の表面が酸化されてなる。この黒化膜２２は、厚みが例えば１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下に設定されており、厚みがパッド部本体２１および被覆膜２３よりも小さい。   The blackened film 22 of the pad portion 19 increases the adhesive strength between the pad portion 19 and the first adhesive layer 17a, and the surface of the pad portion main body 21 is oxidized. The blackening film 22 has a thickness set to, for example, 10 nm or more and 50 nm or less, and is smaller than the pad portion main body 21 and the coating film 23.

パッド部１９の被覆膜２３は、導電部材４と接続する表面の酸化を低減するものであり、例えばニッケルを含む導電材料によって形成することができ、該ニッケルは、導電部材４の低融点金属材料と金属間化合物を形成している。この被覆膜２３は、厚みが例えば２μｍ以上７μｍ以下に設定されており、厚みがパッド部本体２１よりも小さい。   The covering film 23 of the pad portion 19 reduces oxidation of the surface connected to the conductive member 4 and can be formed of, for example, a conductive material containing nickel. The nickel is a low melting point metal of the conductive member 4. Forms an intermetallic compound with the material. The coating film 23 is set to have a thickness of, for example, 2 μm or more and 7 μm or less, and the thickness is smaller than the pad portion main body 21.

突起部２０は、パッド部１９に接続した突起部本体２４と、導電部材４と接続する露出した表面に配され、突起部本体２４に接続した被覆膜２３と、を含んでいる。この突起部２０は、例えば円錐状に形成されており、高さが例えば１５μｍ以上５０μｍ以下に設定され、底面の幅が例えば１５μｍ以上６０μｍ以下に設定され、底面の幅がパッド部１９の例えば０．７倍以上０．９倍以下に設定されている。   The protruding portion 20 includes a protruding portion main body 24 connected to the pad portion 19, and a coating film 23 disposed on the exposed surface connected to the conductive member 4 and connected to the protruding portion main body 24. The protrusion 20 is formed in, for example, a conical shape, the height is set to, for example, 15 μm to 50 μm, the bottom width is set to, for example, 15 μm to 60 μm, and the bottom width is set to, for example, 0 of the pad portion 19. .7 times or more and 0.9 times or less are set.

突起部２０の突起部本体２４は、突起部２４の導電部材および支持部材として機能するものであり、例えば金または銅等の導電材料により形成することができ、なかでも、加工性の観点から、金を用いることが望ましい。   The protrusion main body 24 of the protrusion 20 functions as a conductive member and a support member of the protrusion 24, and can be formed of, for example, a conductive material such as gold or copper. Especially, from the viewpoint of workability, It is desirable to use gold.

突起部２０の被覆膜２３は、パッド部１９の被覆膜２３と同様の機能および構成を有している。   The covering film 23 of the protrusion 20 has the same function and configuration as the covering film 23 of the pad part 19.

ここで、接続パッド１８は、図２に示すように、平面視において格子状に配列されてお
り、便宜上、該格子状の最外周に配された接続パッド１８を第１接続パッド１８ａとし、該格子状の内側に配された接続パッド１８を第２接続パッド１８ｂとする。また、第１接続パッド１８ａのパッド部１９を第１パッド部１９ａとし、第１接続パッド１８ａの突起部２０を第１突起部２０ａとし、第２接続パッド１８ｂのパッド部１９を第２パッド部１９ｂとし、第２接続パッド１８ｂの突起部２０を第２突起部２０ｂとする。なお、格子状に配列された接続パッド１８は、縦横に配された格子の各交点に配されている。 Here, as shown in FIG. 2, the connection pads 18 are arranged in a lattice shape in a plan view. For convenience, the connection pads 18 arranged on the outermost periphery of the lattice shape are referred to as first connection pads 18a. The connection pads 18 arranged on the inner side of the grid are referred to as second connection pads 18b. The pad portion 19 of the first connection pad 18a is the first pad portion 19a, the protrusion 20 of the first connection pad 18a is the first protrusion 20a, and the pad portion 19 of the second connection pad 18b is the second pad portion. 19b, and the protrusion 20 of the second connection pad 18b is the second protrusion 20b. Note that the connection pads 18 arranged in a grid are arranged at each intersection of the grids arranged vertically and horizontally.

一方、ビア導体１５は、絶縁層１３を厚み方向に貫通したビア孔Ｖ内に配されており、厚み方向に互いに離間した導電層１４同士を相互に接続するものであり、例えば銅、銀、金、ニッケルまたはクロム等の導電材料により形成することができ、なかでも、導電性の観点から、銅を用いることが望ましい。このビア導体１５は、例えば、コア基板８に向って幅狭となる柱状であるとともに底面が円形状であり、貫通方向に沿った断面の最大幅が例えば２５μｍ以上８０μｍ以下に設定され、貫通方向に沿った断面の最小幅が例えば２０μｍ以上７０μｍ以下に設定され、貫通方向に沿った断面の最大幅が貫通方向に沿った断面の最小幅の例えば０．８倍以上０．９倍以下に設定されている。   On the other hand, the via conductor 15 is disposed in the via hole V penetrating the insulating layer 13 in the thickness direction, and connects the conductive layers 14 separated from each other in the thickness direction. For example, copper, silver, It can be formed of a conductive material such as gold, nickel, or chromium, and among them, it is desirable to use copper from the viewpoint of conductivity. The via conductor 15 has, for example, a columnar shape that is narrower toward the core substrate 8 and has a circular bottom surface. The maximum width of a cross section along the penetration direction is set to, for example, 25 μm or more and 80 μm or less. The minimum width of the cross section along the through direction is set to, for example, 20 μm to 70 μm, and the maximum width of the cross section along the penetration direction is set to, for example, 0.8 times to 0.9 times the minimum width of the cross section along the penetration direction. Has been.

（導電部材）
導電部材４は、貫通孔Ｐ内に充填されるとともに接続パッド１８および電極パッド７に接続されており、電子部品２と配線基板３との間で導電性接着部材として機能するものである。この導電部材４は、接着機能を担保するため、接続パッド１８および電極パッド７よりも低融点の金属材料により形成することができ、この低融点金属材料としては、例えばスズ、インジウムまたはビスマスを含むはんだを用いることができ、なかでも、柔軟性の観点から、インジウムを用いることが望ましい。また、導電部材４は、接続パッド１８との接続強度の観点から、接続パッド１８の露出した表面、すなわち、パッド１９および突起部２０の露出した表面を被覆していることが望ましい。 (Conductive member)
The conductive member 4 is filled in the through hole P and connected to the connection pad 18 and the electrode pad 7, and functions as a conductive adhesive member between the electronic component 2 and the wiring substrate 3. The conductive member 4 can be formed of a metal material having a melting point lower than that of the connection pad 18 and the electrode pad 7 in order to secure the bonding function. Examples of the low melting point metal material include tin, indium, and bismuth. Solder can be used, and in particular, indium is desirable from the viewpoint of flexibility. Further, from the viewpoint of connection strength with the connection pad 18, the conductive member 4 desirably covers the exposed surface of the connection pad 18, that is, the exposed surface of the pad 19 and the protrusion 20.

（絶縁部材）
絶縁部材５は、電子部品２と配線基板３との間に充填され、電子部品２の電極パッド７同士の間の絶縁性を高めつつ電子部品２および配線基板３に機械的に接続しており、絶縁性接着部材（アンダーフィル）として機能するものである。この絶縁部材５は、例えばエポキシ樹脂又はアクリル樹脂等の樹脂材料により形成することができ、酸化ケイ素等からなる無機絶縁フィラーを含んでいても構わない。 (Insulating material)
The insulating member 5 is filled between the electronic component 2 and the wiring board 3 and mechanically connected to the electronic component 2 and the wiring board 3 while enhancing the insulation between the electrode pads 7 of the electronic component 2. It functions as an insulating adhesive member (underfill). The insulating member 5 can be formed of, for example, a resin material such as an epoxy resin or an acrylic resin, and may include an inorganic insulating filler made of silicon oxide or the like.

（実装構造）
次に、本実施形態における配線基板３への電子部品２の実装構造について詳細に説明する。 (Mounting structure)
Next, the mounting structure of the electronic component 2 on the wiring board 3 in this embodiment will be described in detail.

本実施形態の実装構造体１においては、第１絶縁層１３ａの貫通孔Ｐ内に露出した接続パッド１８が突起部２０を有しており、該貫通孔Ｐ内に配された導電部材４を介して接続パッド１８に電極パッド７が接続されている。その結果、第１絶縁層１３ａを貫通する貫通孔Ｐ内に導電部材４が配されているため、隣接する導電部材４同士の短絡を低減することができるとともに、突起部２０によって接続パッド１８と導電部材４との接続強度を高めることができる。したがって、電子部品２と配線基板３との電気的接続信頼性に優れた実装構造体１を提供することができる。   In the mounting structure 1 of the present embodiment, the connection pad 18 exposed in the through hole P of the first insulating layer 13a has the protruding portion 20, and the conductive member 4 disposed in the through hole P is provided. The electrode pad 7 is connected to the connection pad 18 via the via. As a result, since the conductive member 4 is disposed in the through hole P penetrating the first insulating layer 13a, it is possible to reduce the short circuit between the adjacent conductive members 4 and to connect the connection pad 18 with the protrusion 20. The connection strength with the conductive member 4 can be increased. Therefore, it is possible to provide the mounting structure 1 having excellent electrical connection reliability between the electronic component 2 and the wiring board 3.

また、接続パッド１８と電極パッド７との距離に合わせて突起部２０の高さを調節することによって、導電部材４の過不足を低減することができるため、導電部材４の余りを低減して導電部材４同士の短絡を低減しつつ、導電部材４を十分量配して接続パッド１８と電極パッド７との接続強度を高めることができる。   Further, by adjusting the height of the protrusion 20 according to the distance between the connection pad 18 and the electrode pad 7, the excess or deficiency of the conductive member 4 can be reduced, so that the remainder of the conductive member 4 is reduced. It is possible to increase the connection strength between the connection pad 18 and the electrode pad 7 by arranging a sufficient amount of the conductive member 4 while reducing the short circuit between the conductive members 4.

一方、本実施形態において、突起部２０の先端部は、貫通孔Ｐ外に配されている。その結果、接続パッド１８と導電部材４との接続強度を高めることができる。なお、突起部２０の貫通孔Ｐ外に配された部位の高さは、突起部２０全体の高さの例えば１０％以上７０％以下に設定されている。なお、少なくとも一つの突起部２０の先端部が貫通孔Ｐ外に配されていればよいが、全ての突起部２０の先端部が貫通孔Ｐ外に配されていることが望ましい。   On the other hand, in the present embodiment, the tip of the protrusion 20 is arranged outside the through hole P. As a result, the connection strength between the connection pad 18 and the conductive member 4 can be increased. In addition, the height of the site | part distribute | arranged outside the through-hole P of the projection part 20 is set to 10 to 70% of the height of the whole projection part 20, for example. It should be noted that at least one of the protrusions 20 may be disposed outside the through hole P, but it is desirable that all the protrusions 20 be disposed outside the through hole P.

さらに、突起部２０の先端部は、電極パッド７と当接している。その結果、接続パッド１８と電極パッド７との接続強度を高めることができるとともに、接続パッド１８と電極パッド７との距離を容易に調節することができ、導電部材４の過不足を低減することができる。なお、少なくとも一つの突起部２０の先端部が、電極パッド７に当接していればよい。   Furthermore, the tip of the protrusion 20 is in contact with the electrode pad 7. As a result, the connection strength between the connection pad 18 and the electrode pad 7 can be increased, the distance between the connection pad 18 and the electrode pad 7 can be easily adjusted, and the excess or deficiency of the conductive member 4 can be reduced. Can do. It should be noted that the tip of at least one protrusion 20 may be in contact with the electrode pad 7.

また、図１（ａ）および図２に示すように、平面視において格子状の最外周に配された第１接続パッド１８ａにおける第１突起部２０ａの高さは、第２接続パッド１８ｂにおける第２突起部２０ｂの高さよりも大きい。その結果、電子部品２と配線基板３との熱膨張率の違いや導電層１４の分布等に起因して配線基板３の中央部が電子部品２側にせりだすように配線基板３が反った場合でも、第１接続パッド１８ａの第１突起部２０ａと電極パッド７とを接続させることができるため、第１接続パッド１８ａと電極パッド７との接続強度を高めることができる。なお、第１突起部２０ａの高さは、第２突起部２０ｂの高さの例えば１．１倍以上２．５倍以下に設定されている。   Further, as shown in FIGS. 1A and 2, the height of the first protrusion 20a in the first connection pad 18a arranged on the outermost periphery of the lattice shape in plan view is the second height in the second connection pad 18b. 2 It is larger than the height of the protrusion 20b. As a result, due to the difference in thermal expansion coefficient between the electronic component 2 and the wiring substrate 3, the distribution of the conductive layer 14, etc., the wiring substrate 3 warps so that the central portion of the wiring substrate 3 protrudes toward the electronic component 2 side. Even in this case, since the first protrusion 20a of the first connection pad 18a and the electrode pad 7 can be connected, the connection strength between the first connection pad 18a and the electrode pad 7 can be increased. In addition, the height of the 1st projection part 20a is set to 1.1 times or more and 2.5 times or less of the height of the 2nd projection part 20b.

一方、本実施形態において、貫通孔Ｐは、開口部の幅が底部（接続パッド１８の露出部）の幅よりも大きい。その結果、導電部材４を容易に貫通孔Ｐ内に充填することができ、該導電部材４と接続パッド１８との密着性を高めて接着強度を高めることができる。   On the other hand, in the present embodiment, the through hole P has an opening whose width is larger than the width of the bottom (exposed portion of the connection pad 18). As a result, the conductive member 4 can be easily filled into the through-hole P, and the adhesion between the conductive member 4 and the connection pad 18 can be increased to increase the adhesive strength.

さらに、貫通孔Ｐは、接続パッド１８に向かって幅が狭くなっている。その結果、導電部材４の充填性をさらに高めることができる。   Further, the width of the through hole P is narrowed toward the connection pad 18. As a result, the filling property of the conductive member 4 can be further improved.

一方、本実施形態において、貫通孔Ｐは、第１絶縁層１３ａに形成されており、絶縁部材５は、第１絶縁層１３ａに接着されている。その結果、配線基板上にソルダーレジスト層を形成して導電部材を取り囲んだ場合と比較して、電子部品２と配線基板３との距離を近接させることができるため、導電部材４同士のピッチを低減することができ、ひいては実装構造体１を小型化することができる。   On the other hand, in this embodiment, the through hole P is formed in the first insulating layer 13a, and the insulating member 5 is bonded to the first insulating layer 13a. As a result, the distance between the electronic component 2 and the wiring board 3 can be made closer compared to the case where the solder resist layer is formed on the wiring board and the conductive member is surrounded. Therefore, the mounting structure 1 can be reduced in size.

さらに、第１絶縁層１３ａと第２絶縁層１３ｂとを同一の樹脂材料で形成することによって、第１絶縁層１３ａと第２絶縁層１３ｂとの材料特性を同一のものとし、第１絶縁層１３ａと第２絶縁層１３ｂとの剥離を低減することができ、該剥離に起因した接続パッド１８の損傷を低減することができる。なお、本実施形態においては、第１フィルム層１６ａと第２フィルム層１６ｂとが同一の樹脂材料で形成され、第１接着層１７ａと第２接着層１７ｂとが同一の樹脂材料で形成されている。   Further, by forming the first insulating layer 13a and the second insulating layer 13b with the same resin material, the first insulating layer 13a and the second insulating layer 13b have the same material characteristics, and the first insulating layer Peeling between 13a and the second insulating layer 13b can be reduced, and damage to the connection pad 18 due to the peeling can be reduced. In the present embodiment, the first film layer 16a and the second film layer 16b are formed of the same resin material, and the first adhesive layer 17a and the second adhesive layer 17b are formed of the same resin material. Yes.

その上、第１フィルム層１６ａに絶縁部材５を接着させることによって、ソルダーレジスト層と比較して、第１フィルム層１６ａはクラックが生じにくいことから、第１絶縁層１３ａと絶縁部材５との材料特性の違いによって印加される応力に起因した第１絶縁層１３ａのクラックを低減することができ、該クラックに起因した接続パッド１８の損傷を低減することができる。   In addition, by bonding the insulating member 5 to the first film layer 16a, the first film layer 16a is less susceptible to cracking than the solder resist layer, so the first insulating layer 13a and the insulating member 5 Cracks in the first insulating layer 13a due to applied stress due to differences in material characteristics can be reduced, and damage to the connection pads 18 due to the cracks can be reduced.

一方、本実施形態において、パッド部１９は、平面視における外周部が第１絶縁層１３ａに当接しており、さらには、パッド部１９は、平面視における外周部が第１接着層１７
ａに当接している。その結果、第１接着層１７ａと接続パッド１８とを接着させることによって、接続パッド１８と第２絶縁層１３ｂとの接着強度を高めることができる。なお、パッド部１９は、平面視における内側の領域の一部が突起部２０に接続され、平面視における内側の領域の残部が導電部材４に接続されている。 On the other hand, in the present embodiment, the pad portion 19 has an outer peripheral portion in a plan view that is in contact with the first insulating layer 13a.
a. As a result, the adhesive strength between the connection pad 18 and the second insulating layer 13b can be increased by bonding the first adhesive layer 17a and the connection pad 18 together. The pad portion 19 has a part of the inner region in plan view connected to the protrusion 20 and the remaining portion of the inner region in plan view connected to the conductive member 4.

さらに、図１（ｂ）に示すように、パッド部１９の第１接着層１７ａに当接した外周部は、酸化して微小な凹凸が形成された黒化膜２２を表面に有しており、該凹凸の凹部内に第１接着層１７ａの一部が充填されている。その結果、アンカー効果によって、パッド部１９と第１接着層１７ａとの接着強度を高めることができる。   Further, as shown in FIG. 1 (b), the outer peripheral portion of the pad portion 19 that is in contact with the first adhesive layer 17a has a blackened film 22 on the surface that is oxidized to form minute irregularities. A part of the first adhesive layer 17a is filled in the concave and convex portions. As a result, the adhesive strength between the pad portion 19 and the first adhesive layer 17a can be increased by the anchor effect.

その上、パッド部１９の平面視における内側の領域は、表面に黒化膜２２を有しておらず酸化していない。その結果、パッド部１９と突起部２０および導電部材４との接続強度を高めるとともに、パッド部１９と突起部２０および導電部材４との間の導電性を高めることができる。   In addition, the inner region of the pad portion 19 in plan view does not have the blackened film 22 on the surface and is not oxidized. As a result, the connection strength between the pad portion 19 and the protruding portion 20 and the conductive member 4 can be increased, and the conductivity between the pad portion 19 and the protruding portion 20 and the conductive member 4 can be increased.

一方、本実施形態において、図１（ｂ）に示すように、パッド部１９は、導電部材４と接続する表面に被覆膜２３を有している。その結果、パッド部１９の貫通孔Ｐ内に露出した表面の酸化を低減し、パッド部１９と導電部材４との接着強度を高めることができる。特に、パッド部本体２１が銅を含む場合、パッド部本体２１の酸化を良好に低減することができる。   On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 1B, the pad portion 19 has a coating film 23 on the surface connected to the conductive member 4. As a result, the oxidation of the surface exposed in the through hole P of the pad portion 19 can be reduced, and the adhesive strength between the pad portion 19 and the conductive member 4 can be increased. In particular, when the pad part main body 21 contains copper, the oxidation of the pad part main body 21 can be reduced satisfactorily.

さらに、被覆膜２３は、パッド部１９と突起部２０との間には形成されておらず、パッド部本体２１と突起部本体２４とが直接接続している。その結果、パッド部１９と突起部２０との接続強度を高めることができる。   Further, the coating film 23 is not formed between the pad portion 19 and the protruding portion 20, and the pad portion main body 21 and the protruding portion main body 24 are directly connected. As a result, the connection strength between the pad portion 19 and the protrusion 20 can be increased.

その上、突起部２０は、導電部材４と接続する表面に被覆膜２３を有している。その結果、突起部２０の露出した表面の酸化を抑制し、突起部２０と導電部材４との接着強度を高めることができる。この被覆膜２３は、パッド部１９と同様のものを用いることができる。特に、突起部２０が銅を含む場合には、被覆膜２３によって突起部２０の表面の酸化を良好に低減することができる。   In addition, the protrusion 20 has a coating film 23 on the surface connected to the conductive member 4. As a result, oxidation of the exposed surface of the protrusion 20 can be suppressed, and the adhesive strength between the protrusion 20 and the conductive member 4 can be increased. The coating film 23 can be the same as the pad portion 19. In particular, when the protrusion 20 includes copper, the coating film 23 can satisfactorily reduce the oxidation of the surface of the protrusion 20.

かくして、上述した実装構造体１は、配線基板３を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品２を駆動若しくは制御することにより、所望の機能を発揮する。   Thus, the mounting structure 1 described above exhibits a desired function by driving or controlling the electronic component 2 based on the power and signals supplied via the wiring board 3.

（実装構造体の製造方法）
次に、上述した実装構造体１の製造方法を、図３から図５に基づいて説明する。 (Manufacturing method of mounting structure)
Next, the manufacturing method of the mounting structure 1 mentioned above is demonstrated based on FIGS.

（電子部品の作製）
（１）図３（ａ）に示すように、電子部品２を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。 (Production of electronic parts)
(1) As shown in FIG. 3A, the electronic component 2 is produced. Specifically, for example, it is performed as follows.

まず、電気めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法等によって、半導体基板６上に電極パッド７を形成する。次に、電気めっき法によって、導電部材４を電極パッド７上に形成した後、導電部材４を融点以上に加熱（リフロー）して溶融させる。この導電部材４は、電極パッド７の一主面を被覆しており、電極パッド７の幅が後述する貫通孔Ｐの開口部の幅よりも大きいことから、この導電部材４の幅は後述する貫通孔Ｐの開口部の幅よりも大きい。また、導電部材４を溶融させることによって、導電部材４の形状を、外周部よりも中央部の高さが大きい曲面を有する半球状とすることができる。
First, electric plating, vapor deposition, a CVD method or a sputtering method, or the like, to form the electrode pads 7 on the semiconductor substrate 6. Next, after the conductive member 4 is formed on the electrode pad 7 by electroplating, the conductive member 4 is heated (reflowed) to a melting point or higher to be melted. Since the conductive member 4 covers one main surface of the electrode pad 7 and the width of the electrode pad 7 is larger than the width of the opening of the through hole P described later, the width of the conductive member 4 will be described later. It is larger than the width of the opening of the through hole P. Further, by melting the conductive member 4, the shape of the conductive member 4 can be a hemispherical shape having a curved surface whose central portion is higher than the outer peripheral portion.

以上のようにして、電子部品２を作製することができる。   The electronic component 2 can be manufactured as described above.

（配線基板の作製）
（２）図３（ｂ）に示すように、コア基板８を準備する。具体的には、例えば以下のように行う。 (Production of wiring board)
(2) As shown in FIG. 3B, the core substrate 8 is prepared. Specifically, for example, it is performed as follows.

まず、例えば未硬化の樹脂シートを複数積層するとともに最外層に銅箔を積層し、該積層体を加熱加圧して硬化させることにより、基体１０を作製する。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ‐ステージまたはＢ‐ステージの状態である。次に、例えばドリル加工やレーザー加工等により、基体１０を厚み方向に貫通したスルーホールを形成する。次に、例えば無電解めっき法、電気めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法等により、スルーホールの内壁に導電材料を被着させて、スルーホール導体１１を形成する。次に、スルーホール導体１１の内部に、樹脂材料等を充填し、絶縁体１２を形成する。次に、導電材料を絶縁体１２の露出部に被着させた後、従来周知のフォトリソグラフィー技術、エッチング等により、銅箔をパターニングして導電層１４を形成する。   First, for example, a plurality of uncured resin sheets are stacked, a copper foil is stacked on the outermost layer, and the stacked body is heated and pressurized to be cured, thereby producing the substrate 10. The uncured state is an A-stage or B-stage according to ISO 472: 1999. Next, a through hole penetrating the base body 10 in the thickness direction is formed by, for example, drilling or laser processing. Next, the through-hole conductor 11 is formed by depositing a conductive material on the inner wall of the through-hole by, for example, electroless plating, electroplating, vapor deposition, CVD, or sputtering. Next, the inside of the through-hole conductor 11 is filled with a resin material or the like to form the insulator 12. Next, after a conductive material is deposited on the exposed portion of the insulator 12, the conductive layer 14 is formed by patterning the copper foil by a conventionally known photolithography technique, etching, or the like.

以上のようにして、コア基板８を作製することができる。   The core substrate 8 can be manufactured as described above.

（３）図３（ｃ）に示すように、コア基板１０上に第２絶縁層１３ｂを形成し、該第２絶縁層１３ｂを貫通するビア導体１５を形成するとともに、該第２絶縁層１３ｂ上にパッド部１９を形成する。具体的には、例えば以下のように行う。   (3) As shown in FIG. 3C, the second insulating layer 13b is formed on the core substrate 10, the via conductor 15 penetrating the second insulating layer 13b is formed, and the second insulating layer 13b is formed. The pad portion 19 is formed on the top. Specifically, for example, it is performed as follows.

まず、未硬化樹脂を含む接着層前駆体を介して、フィルム層１６をコア基板８上に配置した後、コア基板８、接着層前駆体およびフィルム層１６を加熱加圧し、接着層前駆体を硬化させて接着層１７とすることにより、コア基板８上下に絶縁層１３を形成する。なお、電子部品２が実装される主面側の絶縁層１３を第２絶縁層１３ｂとする。次に、例えばＹＡＧレーザー装置または炭酸ガスレーザー装置を用いて、絶縁層１３にビア孔Ｖを形成し、該ビア孔Ｖ内に導電層１４の少なくとも一部を露出させる。次に、例えばセミアディティブ法、サブトラクティブ法またはフルアディティブ法等を用いて、ビア孔Ｖにビア導体１５を形成するとともに絶縁層１３上に導電層１４を形成する。   First, the film layer 16 is disposed on the core substrate 8 via the adhesive layer precursor containing an uncured resin, and then the core substrate 8, the adhesive layer precursor, and the film layer 16 are heated and pressurized to obtain the adhesive layer precursor. By curing to form the adhesive layer 17, the insulating layers 13 are formed above and below the core substrate 8. In addition, let the insulating layer 13 of the main surface side in which the electronic component 2 is mounted be the 2nd insulating layer 13b. Next, a via hole V is formed in the insulating layer 13 using, for example, a YAG laser device or a carbon dioxide gas laser device, and at least a part of the conductive layer 14 is exposed in the via hole V. Next, the via conductor 15 is formed in the via hole V and the conductive layer 14 is formed on the insulating layer 13 by using, for example, a semi-additive method, a subtractive method, or a full additive method.

ここで、第２絶縁層１３ｂ上に導電層１４を形成する際に、パターニングによって接続パッド１８のパッド部１９を形成する。また、パターニングによってパッド部１９を形成した後、黒化処理を用いて、該パッド部１９の表面を酸化することによって、該表面に黒化膜２２を形成する。   Here, when the conductive layer 14 is formed on the second insulating layer 13b, the pad portion 19 of the connection pad 18 is formed by patterning. Further, after the pad portion 19 is formed by patterning, the blackened film 22 is formed on the surface by oxidizing the surface of the pad portion 19 using a blackening process.

（４）図４（ａ）ないし（ｃ）に示すように、第２絶縁層１３ｂ上に第１絶縁層１３ａを形成し、該第１絶縁層１３ａを貫通してパッド部１９を露出する貫通孔Ｐを形成した後、貫通孔Ｐ内に露出したパッド部１９上に突起部２０を形成する。具体的には、例えば以下のように行う。   (4) As shown in FIGS. 4A to 4C, a first insulating layer 13a is formed on the second insulating layer 13b, and the pad portion 19 is exposed through the first insulating layer 13a. After forming the hole P, the protrusion 20 is formed on the pad 19 exposed in the through hole P. Specifically, for example, it is performed as follows.

まず、図４（ａ）に示すように、（３）の工程と同様に、コア基板８上下に絶縁層１３を形成する。なお、第２絶縁層１３ｂ上に形成した絶縁層１３を第１絶縁層１３ａとする。次に、例えばＹＡＧレーザー装置または炭酸ガスレーザー装置を用いて、第１絶縁層１３ａに貫通孔Ｐを形成し、該貫通孔Ｐ内にパッド部１９の少なくとも一部を露出させる。また、（３）の工程と同様に、コア基板８を介して第１絶縁層１３ａと反対側の絶縁層１３にビア孔Ｖを形成する。次に、図４（ｂ）に示すように、第１絶縁層１３ａにマスクをした上で、（３）の工程と同様に、コア基板８を介して第１絶縁層１３ａと反対側の絶縁層１３のビア孔Ｖにビア導体１５を形成するとともに該絶縁層１３上に導電層１４を形成した後、第１絶縁層１３のマスクを除去する。次に、図４（ｃ）に示すように、ワイヤーボンディング法等を用いて、貫通孔Ｐ内に露出したパッド部１９上に突起部２０を形成す
る。その結果、パッド部１９および突起部２０を有する接続パッド１８を形成することができる。
First, as shown in FIG. 4A, the insulating layers 13 are formed on and under the core substrate 8 in the same manner as in the step (3). The insulating layer 13 formed on the second insulating layer 13b is referred to as a first insulating layer 13a. Next, a through hole P is formed in the first insulating layer 13a using, for example, a YAG laser device or a carbon dioxide gas laser device, and at least a part of the pad portion 19 is exposed in the through hole P. Similarly to the step (3), the via hole V is formed in the insulating layer 13 opposite to the first insulating layer 13a via the core substrate 8. Next, as shown in FIG. 4B, after masking the first insulating layer 13a, the insulation on the opposite side to the first insulating layer 13a is interposed via the core substrate 8 in the same manner as in the step (3). After the via conductor 15 is formed in the via hole V of the layer 13 and the conductive layer 14 is formed on the insulating layer 13, the mask of the first insulating layer 13 is removed. Next, as illustrated in FIG. 4C, the protruding portion 20 is formed on the pad portion 19 exposed in the through hole P using a wire bonding method or the like. As a result, the connection pad 18 having the pad portion 19 and the protruding portion 20 can be formed.

ここで、（３）の工程にて、パッド部１９の表面に黒化膜２２を形成することによって、本工程にて、第２絶縁層１３ｂ上に第１絶縁層１３ａを形成した際に、パッド部１９と第１接着層１７ａとの接着強度を高めることができる。   Here, when the first insulating layer 13a is formed on the second insulating layer 13b in this step by forming the blackening film 22 on the surface of the pad portion 19 in the step (3), The adhesive strength between the pad portion 19 and the first adhesive layer 17a can be increased.

また、貫通孔Ｐを形成する際に、レーザー加工によって黒化膜２２を除去することによって、パッド部１９の第１接着層１７ａに被覆された領域においては黒化膜２２を残存させつつ、パッド部１９の貫通孔Ｐに露出した領域においては黒化膜２２を除去することができる。その結果、パッド部１９の第１接着層１７ａに被覆された領域において黒化膜２２を残存させることによってパッド部１９と第１接着層１７ａとの接着強度を高めつつ、パッド部１９の貫通孔Ｐに露出した領域において黒化膜２２を除去することによってパッド部１９と突起部２０および導電部材４との接着強度を高めることができる。   Further, when the through hole P is formed, the blackened film 22 is removed by laser processing, so that the blackened film 22 remains in the region covered with the first adhesive layer 17a of the pad portion 19 and the pad is left. The blackening film 22 can be removed in the region exposed in the through hole P of the portion 19. As a result, the blackening film 22 is left in the region covered with the first adhesive layer 17a of the pad portion 19 to increase the adhesive strength between the pad portion 19 and the first adhesive layer 17a, and the through-hole of the pad portion 19 By removing the blackening film 22 in the region exposed to P, the adhesive strength between the pad portion 19, the protrusion 20, and the conductive member 4 can be increased.

また、レーザー加工によって貫通孔Ｐを形成した後、デスミア処理またプラズマ処理によって、パッド部１９上の樹脂の残渣を除去することが望ましい。その結果、パッド部１０と突起部２０および導電部材４との接着強度を高めることができる。さらに、パッド部１９の貫通孔Ｐに露出した領域で黒化膜２２を良好に除去することができる。   In addition, after forming the through hole P by laser processing, it is desirable to remove the resin residue on the pad portion 19 by desmear processing or plasma processing. As a result, the adhesive strength between the pad portion 10 and the protruding portion 20 and the conductive member 4 can be increased. Furthermore, the blackened film 22 can be removed well in the region exposed to the through hole P of the pad portion 19.

また、パッド部１９上に突起部２０を形成した後、例えばニッケル金めっき処理を行うことによって、パッド部１９および突起部２０の露出した表面に被覆膜２３を形成することができる。本工程にて、被覆膜２３はニッケルおよび金を含むが、後述する（５）の工程にて、導電部材４を接続パッド１８に接続させる際に、被覆膜２３の金は導電部材４内に拡散する。
Further, after forming the projections 20 on the pad portion 19, for example, by performing a nickel-gold plating, it is possible to form a coating film 23 on the exposed surface of the pad portion 19 and the protrusion 20. In this step, the coating film 23 contains nickel and gold. When the conductive member 4 is connected to the connection pad 18 in the step (5) described later, the gold of the coating film 23 is the conductive member 4. Diffuses in.

また、第１突起部２０ａおよび第２突起部２０ｂの高さは、ワイヤーボンディングの際にタンピング等によって、容易に調節することができる。   Further, the height of the first protrusion 20a and the second protrusion 20b can be easily adjusted by tamping or the like during wire bonding.

以上のようにして、コア基板８上に配線層９を形成し、配線基板３を作製することができる。   As described above, the wiring layer 9 can be formed on the core substrate 8 to manufacture the wiring substrate 3.

（電子部品の配線基板への実装）
（５）図５（ａ）および（ｂ）に示すように、電子部品２の電極パッド７上に形成された半球状の導電部材４の一部を第１絶縁層１３ａの貫通孔Ｐに挿入し、突起部２０を導電部材４に埋入させた後、導電部材４を加熱溶融（リフロー）させて貫通孔Ｐ内に充填するとともに接続パッド１８に接続させる。具体的には、例えば以下のように行う。 (Mounting electronic components on the wiring board)
(5) As shown in FIGS. 5A and 5B, a part of the hemispherical conductive member 4 formed on the electrode pad 7 of the electronic component 2 is inserted into the through hole P of the first insulating layer 13a. Then, after the protruding portion 20 is embedded in the conductive member 4, the conductive member 4 is heated and melted (reflowed) to fill the through hole P and to be connected to the connection pad 18. Specifically, for example, it is performed as follows.

まず、図５（ａ）に示すように、電子部品２の電極パッド７上に形成された導電部材４の一部を貫通孔Ｐに挿入する。これにより、貫通孔Ｐ内の突起部２０が導電部材４に埋入するとともに、導電部材４の幅が貫通孔Ｐの開口部の幅よりも大きいことから、導電部材４の外周部が第１絶縁層１３ａに当接して導電部材４が貫通孔Ｐ上に載置される。   First, as shown in FIG. 5A, a part of the conductive member 4 formed on the electrode pad 7 of the electronic component 2 is inserted into the through hole P. Accordingly, the protrusion 20 in the through hole P is embedded in the conductive member 4 and the width of the conductive member 4 is larger than the width of the opening of the through hole P, so that the outer peripheral portion of the conductive member 4 is the first. The conductive member 4 is placed on the through hole P in contact with the insulating layer 13a.

次に、図５（ｂ）に示すように、導電部材４を融点以上に加熱して溶融させることによって、突起部２０を伝って導電部材４を貫通孔Ｐ内に充填し、該導電部材４をパッド部１９および突起部２０に接続させる。この際、導電部材４は、一部が貫通孔Ｐ内に充填され、他の一部が電極パッド７と第１フィルム層１６ａとの間に配される。   Next, as shown in FIG. 5 (b), the conductive member 4 is heated to a melting point or higher to be melted, so that the conductive member 4 is filled into the through-hole P through the protruding portion 20, and the conductive member 4. Are connected to the pad portion 19 and the protruding portion 20. At this time, a part of the conductive member 4 is filled in the through hole P, and the other part is disposed between the electrode pad 7 and the first film layer 16a.

このように、本実施形態においては、電極パッド７上に形成された導電部材４の一部を貫通孔Ｐに挿入し、突起部２０を導電部材４に埋入させているため、導電部材４の位置を固定させることができ、導電部材４を加熱溶融させる際に、導電部材４の位置ずれを低減することができる。さらに、導電部材４を加熱溶融させる際に、導電部材４を貫通孔Ｐ内に充填しているため、導電部材４が隣接する導電部材４に向かって移動することを低減することができる。したがって、導電部材４を加熱溶融させる際に、導電部材４の位置ずれおよび導電部材４の移動を低減することができるため、導電部材４同士の短絡を低減しつつ導電部材４を接続パッド１８に強固に接続させることができる。
Thus, in this embodiment, since a part of the conductive member 4 formed on the electrode pad 7 is inserted into the through hole P and the protruding portion 20 is embedded in the conductive member 4, the conductive member 4 The position of the conductive member 4 can be reduced when the conductive member 4 is heated and melted. Furthermore, since the conductive member 4 is filled in the through hole P when the conductive member 4 is heated and melted, the movement of the conductive member 4 toward the adjacent conductive member 4 can be reduced. Accordingly, when the conductive member 4 is heated and melted, the displacement of the conductive member 4 and the movement of the conductive member 4 can be reduced. Therefore, the conductive member 4 can be connected to the connection pad 18 while reducing the short circuit between the conductive members 4. It can be firmly connected.

また、突起部２０を導電部材４表面の酸化膜を突き破って導電部材４内に埋入させた後、導電部材４を溶融させることによって、突起部２０を伝って導電部材４を貫通孔Ｐ内に充填して接続パッド１８に接続させているため、フラックスを用いることなく、導電部材４と接続パッド１８とを強固に接続させることができる。   Further, after the protruding portion 20 penetrates the oxide film on the surface of the conductive member 4 and is embedded in the conductive member 4, the conductive member 4 is melted so that the conductive member 4 passes through the protruding portion 20 and passes through the through hole P. The conductive member 4 and the connection pad 18 can be firmly connected to each other without using a flux.

ここで、突起部２０を電極パッド７上に当接させると、接続パッド１８と電極パッド７との距離を突起部２０の高さによって容易に調節することができるため、導電部材４の量の過不足を低減することができる。   Here, when the protrusion 20 is brought into contact with the electrode pad 7, the distance between the connection pad 18 and the electrode pad 7 can be easily adjusted by the height of the protrusion 20. Excess and deficiency can be reduced.

また、突起部２０の先端部が貫通孔Ｐ外に配されていると、突起部２０を容易に導電部材４に埋入させることができる。また、第１突起部２０ａの高さを第２突起部２０ａの高さよりも大きくしていると、配線基板３に反りが生じていても、第１突起部２０ａおよび第２突起部２０ａを容易に導電部材４に埋入させることができる。その結果、導電部材４の位置を固定させることができるとともに、突起部２０を伝って導電部材４を貫通孔Ｐ内に容易に充填させることができる。   Further, when the tip of the protrusion 20 is disposed outside the through hole P, the protrusion 20 can be easily embedded in the conductive member 4. Further, if the height of the first protrusion 20a is larger than the height of the second protrusion 20a, the first protrusion 20a and the second protrusion 20a can be easily formed even if the wiring board 3 is warped. Can be embedded in the conductive member 4. As a result, the position of the conductive member 4 can be fixed, and the conductive member 4 can be easily filled into the through hole P along the protrusion 20.

また、貫通孔Ｐの幅が接続パッド１８に向かって狭くなっていると、導電部材４を貫通孔Ｐ内に容易に充填することができる。   Further, when the width of the through hole P is narrowed toward the connection pad 18, the conductive member 4 can be easily filled into the through hole P.

また、導電部材４がインジウムを含んでいると、導電部材４の柔軟性を増加させることができるため、突起部２０を導電部材４表面の酸化膜を突き破って導電部材４内に埋入させやすくなる。
Further, when the conductive member 4 contains indium, the flexibility of the conductive member 4 can be increased. Therefore, the protrusion 20 can easily be embedded in the conductive member 4 by breaking through the oxide film on the surface of the conductive member 4. Become.

（６）電子部品２と配線基板３との間に未硬化樹脂を含む絶縁部材前駆体を注入し、該絶縁部材前駆体を加熱して硬化させることによって、絶縁部材５を形成する。   (6) Insulating member 5 is formed by injecting an insulating member precursor containing an uncured resin between electronic component 2 and wiring substrate 3 and heating and curing the insulating member precursor.

以上のようにして、配線基板３に電子部品２を実装し、図１（ａ）に示した実装構造体１を作製することができる。   As described above, the mounting structure 1 shown in FIG. 1A can be produced by mounting the electronic component 2 on the wiring board 3.

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications, improvements, combinations, and the like can be made without departing from the spirit of the present invention.

例えば、上述した実施形態において、２層の絶縁層により配線層を形成した構成を例に説明したが、絶縁層は３層以上であっても構わない。   For example, in the embodiment described above, the configuration in which the wiring layer is formed by two insulating layers has been described as an example, but the insulating layer may be three or more layers.

また、上述した実施形態において、絶縁層がフィルム層および接着層を有する構成を例に説明したが、絶縁層として熱硬化性樹脂からなる樹脂層を用いても構わないし、絶縁層としてセラミック層を用いても構わない。   In the embodiment described above, the configuration in which the insulating layer has the film layer and the adhesive layer has been described as an example. However, a resin layer made of a thermosetting resin may be used as the insulating layer, and a ceramic layer may be used as the insulating layer. You may use.

また、上述した実施形態において、基体として樹脂製のものを用いた構成を例に説明したが、基体としては、例えばセラミック製のものや金属板を樹脂で被覆したものを用いても構わない。   In the above-described embodiment, the configuration using a resin substrate as an example has been described. However, for example, a ceramic substrate or a metal plate coated with a resin may be used as the substrate.

また、上述した実施形態において、突起部の先端部が貫通孔外に配された構成を例に説明したが、突起部の先端部が貫通孔内に配されていても構わない。   In the above-described embodiment, the configuration in which the tip end portion of the projection portion is disposed outside the through hole has been described as an example. However, the tip end portion of the projection portion may be disposed in the through hole.

また、上述した実施形態において、第１突起部の高さが第２突起部の高さよりも大きい構成を例に説明したが、全ての突起部の高さが同一であっても構わないし、第１突起部の高さが第２突起部の高さよりも小さくても構わない。   In the above-described embodiment, the configuration in which the height of the first protrusion is larger than the height of the second protrusion has been described as an example. However, all the protrusions may have the same height. The height of one protrusion may be smaller than the height of the second protrusion.

また、上述した実施形態において、導電部材が貫通孔内に充填され、導電部材の一部がフィルム層と電極パッドとの間に配された構成を例に説明したが、導電部材は、少なくとも一部が貫通孔内に配されていれば良く、例えば、図６に示すように、導電部材４Ｘが括れ部を有する鼓状に形成されており、該導電部材４Ｘと貫通孔ＰＸの内壁との間に隙間が形成されていても構わない。この場合、該隙間には、絶縁部材５Ｘが充填されていることが望ましい。このような鼓状の導電部材４Ｘは、貫通孔ＰＸの幅、突起部２０Ｘの高さ、または導電部材４Ｘの量等を調節することによって、形成することができる。   In the above-described embodiment, the conductive member is filled in the through hole, and a part of the conductive member is disposed between the film layer and the electrode pad. However, the conductive member is at least one member. For example, as shown in FIG. 6, the conductive member 4X is formed in a drum shape having a constricted portion, and the conductive member 4X and the inner wall of the through hole PX A gap may be formed between them. In this case, it is desirable that the gap is filled with the insulating member 5X. Such a drum-shaped conductive member 4X can be formed by adjusting the width of the through hole PX, the height of the protrusion 20X, the amount of the conductive member 4X, or the like.

また、上述した実施形態において、電極パッドの幅が貫通孔の開口部の幅よりも大きい構成を例に説明したが、電極パッドの幅が貫通孔の開口部の幅よりも小さくても構わない。この場合、上述した（５）の工程にて導電部材の全体を貫通孔内に挿入しても構わないし、電極パッドを貫通孔内に挿入しても構わない。 Further, in the embodiment described above, the width of the electrode pad has been described as an example a large configuration than the width of the opening of the through hole, the width of the electrode pad may be smaller than the width of the opening of the through hole . In this case, the entire conductive member may be inserted into the through hole in the step (5) described above, or the electrode pad may be inserted into the through hole.

また、上述した実施形態において、貫通孔が接続パッドに向かって幅狭な構成を例に説明したが、貫通孔は接続パッドに向かって幅狭でなくてもよく、例えば、貫通孔は幅が一定な円柱状であっても構わないし、図６に示すように、貫通孔ＰＸは、第１絶縁層１３ａＸの第１フィルム層１６ａＸと第１接着層１７ａＸとの境界に括れ部を有する鼓状であっても構わない。貫通孔ＰＸが鼓状である場合、鼓状の導電部材４Ｘと貫通孔ＰＸの内壁との距離のばらつきを低減できる。この鼓状の貫通孔ＰＸにおいて、開口部の幅が底部（接続パッド１８Ｘの露出部）の幅よりも大きいと、導電部材４Ｘを容易に貫通孔ＰＸ内に形成して突起部２０Ｘおよびパッド部１９Ｘに接続させることができる。貫通孔のこれらの形状は、貫通孔を形成する際のレーザー加工の条件またはデスミア処理の条件を調節することによって、形成することができる。   Moreover, in the above-described embodiment, the configuration in which the through hole is narrow toward the connection pad has been described as an example. However, the through hole does not have to be narrow toward the connection pad. As shown in FIG. 6, the through hole PX has a drum shape having a constricted portion at the boundary between the first film layer 16aX of the first insulating layer 13aX and the first adhesive layer 17aX. It does not matter. When the through hole PX has a drum shape, variation in the distance between the drum-shaped conductive member 4X and the inner wall of the through hole PX can be reduced. In the drum-shaped through hole PX, when the width of the opening is larger than the width of the bottom (exposed portion of the connection pad 18X), the conductive member 4X is easily formed in the through hole PX, and the protrusion 20X and the pad portion. 19X can be connected. These shapes of the through holes can be formed by adjusting the laser processing conditions or the desmear treatment conditions when forming the through holes.

また、上述した実施形態において、パッド部が黒化膜を有する構成を例に説明したが、パッド部は黒化膜を有していなくても構わない。   In the above-described embodiment, the configuration in which the pad portion has the blackened film has been described as an example. However, the pad portion may not have the blackened film.

また、上述した実施形態において、パッド部および突起部が被覆膜を有する構成を例に説明したが、パッド部および突起部は被覆膜を有していなくても構わないし、どちらか一方のみ被覆膜を有していても構わない。特に、突起部が金を含む場合、突起部の表面が酸化する可能性が低いため、突起部には被覆膜が形成されていないことが望ましい。   Further, in the above-described embodiment, the configuration in which the pad portion and the projection portion have the coating film has been described as an example. However, the pad portion and the projection portion may not have the coating film, and only one of them may be provided. You may have a coating film. In particular, when the protrusion includes gold, the surface of the protrusion is unlikely to oxidize, and thus it is desirable that no coating film be formed on the protrusion.

１ 実装構造体
２ 電子部品
３ 配線基板
４ 導電部材
５ 絶縁部材
６ 半導体基板
７ 電極パッド
８ コア基板
９ 配線層
１０ 基体
１１ スルーホール導体
１２ 絶縁体
１３ 絶縁層
１４ 導電層
１５ ビア導体
１６ フィルム層
１７ 接着層
１８ 接続パッド
１９ パッド部
２０ 突起部
２１ パッド部本体
２２ 黒化膜
２３ 被覆膜
２４ 突起部本体
Ｐ 貫通孔
Ｖ ビア孔 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mounting structure 2 Electronic component 3 Wiring board 4 Conductive member 5 Insulating member 6 Semiconductor substrate 7 Electrode pad 8 Core board 9 Wiring layer 10 Base | substrate 11 Through-hole conductor 12 Insulator 13 Insulating layer 14 Conductive layer 15 Via conductor 16 Film layer 17 Adhesive layer 18 Connection pad 19 Pad part 20 Protrusion part 21 Pad part main body 22 Blackening film 23 Coating film 24 Protrusion part main body P Through hole V Via hole

Claims (9)

交互に積層された複数の絶縁層および導電層を備え、前記複数の絶縁層は、最外層に位置する第１絶縁層と、該第１絶縁層に接している第２絶縁層とを有し、前記導電層は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に配された接続パッドを有し、前記第１絶縁層は、厚み方向に貫通して前記接続パッドを露出する貫通孔を具備し、前記接続パッドは、前記貫通孔の開口部に向かって突出した突起部を具備する配線基板と、
該配線基板の前記貫通孔内に配された導電部材と、
該導電部材を介して前記接続パッドに接続された電極パッドを有する電子部品とを備え、前記突起部は、前記電極パッドに当接していることを特徴とする実装構造体。 Comprising a plurality of insulating layers and conductive layers are alternately laminated, before Symbol plurality of insulating layers, organic and first insulating layer located on the outermost layer, a second insulating layer in contact with the first insulating layer and, before Kishirubedenso has a connection pad disposed between the second insulating layer and the first insulating layer, before Symbol first insulating layer, the connection pads through the thickness direction comprising a through hole for exposing, prior SL connection pad, a wiring board you includes a protrusion that protrudes toward the opening of the through hole,
A conductive member disposed in the through hole of the wiring board;
And an electronic component having an electrode pad connected to the connection pad through the conductive member, and the protrusion is in contact with the electrode pad . 請求項１に記載の実装構造体において、
前記突起部の先端部は、前記貫通孔外に配されていることを特徴とする実装構造体。 The mounting structure according to claim 1,
The mounting structure according to claim 1, wherein a tip portion of the protrusion is disposed outside the through hole. 請求項１に記載の実装構造体において、
前記接続パッドは、前記第２絶縁層の前記第１絶縁層側で格子状に配列されているとともに、該格子状の最外周に配された第１接続パッドと、該格子状の内側に配された第２接続パッドとを含んでおり、
前記第１接続パッドにおける前記突起部の高さは、前記第２接続パッドにおける前記突起部の高さよりも大きいことを特徴とする実装構造体。 The mounting structure according to claim 1,
The connection pads are arranged in a grid pattern on the first insulating layer side of the second insulating layer, and are arranged on the outermost periphery of the grid pattern and on the inner side of the grid pattern. A second connection pad formed,
The mounting structure according to claim 1, wherein a height of the protrusion in the first connection pad is larger than a height of the protrusion in the second connection pad. 請求項１に記載の実装構造体において、
前記貫通孔は、前記開口部の幅が前記接続パッドの露出部の幅よりも大きいことを特徴とする実装構造体。 The mounting structure according to claim 1,
The mounting structure according to claim 1, wherein the through hole has a width of the opening larger than a width of the exposed portion of the connection pad. 請求項１に記載の実装構造体において、
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とは、同一の樹脂材料からなることを特徴とする実装構造体。 The mounting structure according to claim 1,
The mounting structure according to claim 1, wherein the first insulating layer and the second insulating layer are made of the same resin material. 請求項１に記載の実装構造体において、
前記第１絶縁層は、熱可塑性樹脂を含有するフィルム層と、該フィルム層と前記第２絶縁層との間に介された、熱硬化性樹脂を含有する接着層とを含むことを特徴とする実装構造体。 The mounting structure according to claim 1,
The first insulating layer includes a film layer containing a thermoplastic resin, and an adhesive layer containing a thermosetting resin interposed between the film layer and the second insulating layer. Implementation structure to be 請求項１に記載の実装構造体において、
前記接続パッドは、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に配され、前記突起部が接続した平板状のパッド部をさらに具備し、
前記パッド部は、外周部が前記第１絶縁層に当接していることを特徴とする実装構造体。 The mounting structure according to claim 1,
The connection pad further includes a flat pad portion disposed between the first insulating layer and the second insulating layer and connected to the protrusion.
The mounting structure according to claim 1, wherein an outer peripheral portion of the pad portion is in contact with the first insulating layer. 請求項７に記載の実装構造体において、
前記パッド部は、前記外周部の表面に黒化膜を有することを特徴とする実装構造体。 The mounting structure according to claim 7,
The pad portion, mounting structure and having a blackened film on the surface of the outer peripheral portion. 請求項７に記載の実装構造体において、
前記パッド部は、前記貫通孔内に露出した表面にニッケルを含む被覆膜を有することを特徴とする実装構造体。 The mounting structure according to claim 7,
The pad portion, mounting structure and having a coating film containing nickel on the surface exposed in the through-hole.
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