JP5696952B1 - 中継装置、光強度制御方法、及び光アクセスシステム - Google Patents

Abstract

【課題】ＯＬＴと中継装置との間の伝送損失に応じて上り光信号の強度を調整し、ＯＬＴの光受信器の損傷を防止できる中継装置、光強度制御方法、及び光アクセスシステムを提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る中継装置は、ＯＬＴから一定の光強度で出力される下り光信号を受信する際の光強度を確認し、上り光信号の光強度を決定して出力する。このため、本中継装置は、ＯＬＴから中継装置までの中継区間の光ファイバの伝送損失に応じた光強度の上り光信号を出力できるため、光強度が強すぎてＯＬＴの光受信器を損傷することを防止できる。【選択図】図３

Description

本発明は、双方向に光信号を伝送する光伝送路に配置される中継装置、前記中継装置での光強度制御方法、及び前記中継装置を備える光アクセスシステムに関する。

光アクセスシステムの代表的な網構成として、図１に示すようなポイント・トゥ・マルチポイント型構成の受動光ネットワーク（Ｐａｓｓｉｖｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｎｅｔｗｏｒｋ：ＰＯＮ）方式がある。ＰＯＮにおいては、複数の光ネットワーク終端装置（Ｏｐｔｉｃａｌ ｎｅｔｗｏｒｋ ｕｎｉｔ：ＯＮＵ）２００と光加入者線収容装置（Ｏｐｔｉｃａｌ ｌｉｎｅ ｔｅｒｍｉｎａｌ：ＯＬＴ）１００とがパッシブな光分岐素子（スプリッタ１５０）を介して接続される。ＰＯＮ方式においては複数のＯＮＵが１つのＯＬＴや光ファイバ設備を共有するために経済性に優れるという理由から、多くの光アクセスシステムではＰＯＮ方式が採用されている。ギガビットクラスのＰＯＮの代表的な規格として、ＩＥＥＥ Ｓｔｄ ８０２．３タスクフォースにおいて標準化されたＥＰＯＮ（ＩＥＥＥ Ｓｔｄ ８０２．３−２００８）、ＩＥＥＥ ８０２．３ａｖタスクフォースにおいて標準化された、１０ギガビットクラスのＰＯＮシステムである１０Ｇ−ＥＰＯＮ （ＩＥＥＥ Ｓｔｄ ８０２．３ａｖ−２００９）とがある。

一般にＰＯＮ方式においては、分岐数が多く、かつ、長距離伝送が可能であることが好ましい。なぜなら、多くの加入者、すなわち多くのＯＮＵを１つのＰＯＮシステムに収容できると、光アクセスシステムの運用コストいう観点で、ユーザあたりのコストを下げることが可能になるからである。

そのような背景もあり、従来のＥＰＯＮや１０Ｇ−ＥＰＯＮにおいては、最大２０ｋｍ、３２分岐をサポートするが、最大６４分岐をサポートできる仕様が現在ＩＥＥＥ Ｐ８０２．３ｂｋタスクフォースにおいて議論されている。

一方、長延化技術に関しても数多くの報告がなされている。例えば、非特許文献３においては、光ファイバ増幅器をＯＬＴとＯＮＵとの間に設置する際に、バーストモードの上り信号が原因の光サージによりＯＬＴ光受信器が損傷しないような技術が報告されている。また、非特許文献４においては、半導体光増幅器をＯＮＵとＯＬＴとの間に設置することにより、１０Ｇ−ＥＰＯＮシステムの１００ｋｍ伝送が報告されている。

ＩＥＥＥ Ｓｔｄ ８０２．３−２００８ ＩＥＥＥ Ｓｔｄ ８０２．３ａｖ−２００９ Ｋ．−Ｉ．Ｓｕｚｕｋｉ， Ｙ．Ｆｕｋａｄａ， Ｄ．Ｎｅｓｓｅｔ， ａｎｄ Ｒ．Ｄａｖｅｙ， "Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ ｇｉｇａｂｉｔ ＰＯＮ ｓｙｓｔｅｍｓ" ， ＯＳＡ Ｊ．Ｏｐｔ．Ｎｅｔｗ．， ｖｏｌ．６， ｎｏ．５， ｐｐ．４２２−４３３， ２００７． Ｍ．Ｆｕｊｉｗａｒａ， Ｔ．Ｉｍａｉ， Ｋ．Ｔａｇｕｃｈｉ， Ｋ．−Ｉ．Ｓｕｚｕｋｉ， Ｈ．Ｉｓｈｉｉ， ａｎｄ Ｎ．Ｙｏｓｈｉｍｏｔｏ， "Ｆｉｅｌｄ ｔｒｉａｌ ｏｆ １００−ｋｍ ｒｅａｃｈ ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ−ｒａｔｅ １０Ｇ−ＥＰＯＮ ｓｙｓｔｅｍ ｕｓｉｎｇ ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｌｅｖｅｌ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ｂｕｒｓｔ−ｍｏｄｅ ＳＯＡｓ" ， ＩＥＥＥ Ｊ．Ｌｉｇｈｔｗ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．， ｖｏｌ．３１， ｎｏ．４， ｐｐ．６３４−６４０， ２０１３．

ところで、光ファイバ増幅器などの中継装置を用いてＰＯＮの長延化を図る際は、送信光出力強度が大きすぎると、光受信器を損傷してしまって通信が不可能になってしまう可能性がある。

特に、図２に示すような、中継装置２５０を受動光スプリッタ１５０よりＯＬＴ１００側に設置する際は、設置先ＰＯＮシステムの中継ファイバ区間の距離、すなわち伝送損失によっては、上り光信号強度が大きすぎるという状況が発生しうる。このため、中継区間の光ファイバ損失がシステム毎に異なる場合は上り光送信強度が高すぎることによって局側光受信器を損傷する可能性があった。

そこで、前記課題を解決するために、本発明は、ＯＬＴと中継装置との間の伝送損失に応じて上り光信号の強度を調整し、ＯＬＴの光受信器の損傷を防止できる中継装置、光強度制御方法、及び光アクセスシステムを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、中継装置が中継する下り光信号の強度からＯＬＴから中継装置までの中継区間の光ファイバの伝送損失を見積もり、中継装置が中継する上り光信号の光強度を制御することとした。

具体的には、本発明に係る中継装置は、双方向に光信号を伝送する光伝送路に配置される中継装置であって、一方向の光信号の光強度に基づいて他方向の光信号の光強度を決定する光強度制御器を備えることを特徴とする。

本中継装置は、ＯＬＴから一定の光強度で出力される下り光信号を受信する際の光強度を確認し、上り光信号の光強度を決定して出力する。このため、本中継装置は、ＯＬＴから中継装置までの中継区間の光ファイバの伝送損失に応じた光強度の上り光信号を出力できるため、光強度が強すぎてＯＬＴの光受信器を損傷することを防止できる。従って、本発明は、ＯＬＴと中継装置との間の伝送損失に応じて上り光信号の強度を調整し、ＯＬＴの光受信器の損傷を防止できる中継装置を提供することができる。

例えば、下り光信号の光強度を、中継装置の光増幅器に入力する前でモニタするとしてもよい。すなわち、本発明に係る中継装置は、前記一方向の光信号の一部をタップするモニタ素子を有し、前記モニタ素子がタップした光信号の光強度に基づいて前記一方向の光信号の増幅度を決定する光増幅器をさらに備えており、前記光強度制御器は、前記モニタ素子がタップした光信号で前記一方向の光信号の光強度を認知することを特徴とする。

また、光増幅器が半導体光増幅器であるならば、下り光信号の光強度を、半導体光増幅器に注入される注入電流でモニタするとしてもよい。すなわち、本発明に係る中継装置は、前記一方向の光信号を所定の光強度へ増幅する半導体光増幅器をさらに備えており、前記光強度制御器は、前記一方向の光信号を増幅するため前記半導体光増幅器に注入される注入電流で前記一方向の光信号の光強度を認知することを特徴とする。

例えば、上り光信号の光強度を、認知した下り光信号の光強度から所定の数式で算出してもよい。すなわち、本発明に係る中継装置は、前記光強度制御器は、前記一方向の光信号を送信する送信元送信装置の出力信号光強度が予め与えられ、前記出力信号光強度と前記一方向の光信号の光強度との差分を前記送信元光送信装置からの損失とし、前記損失に応じて前記他方向の光信号の光強度を計算する計算式が予め与えられる記憶部を有することを特徴とする。

また、下り光信号の光強度に対する上り光信号の光強度を記載したテーブルを備え、上り光信号の光強度を、認知した下り光信号の光強度からテーブルを参照して決定してもよい。すなわち、本発明に係る中継装置は、前記光強度制御器は、前記一方向の光信号の光強度に対する前記他方向の光信号の光強度を記載したテーブルを有することを特徴とする。

また、上記数式と上記テーブルの双方を組み合わせて上り光信号の光強度を決定してもよい。すなわち、本発明に係る中継装置は、前記光強度制御器は、前記計算式の一部を計算値毎に参照する参照値を記載した参照テーブルをさらに有することを特徴とする。

例えば、上り光信号の光強度をレーザダイオードの駆動条件で制御してもよい。すなわち、本発明に係る中継装置は、前記他方向の光信号を出力する光送信器をさらに備え、前記光強度制御器は、決定した前記他方向の光信号の光強度を前記光送信器のレーザダイオード駆動条件として前記光送信器に与えることを特徴とする。

また、上り光信号の光強度を光減衰器で制御してもよい。すなわち、本発明に係る中継装置は、前記他方向の光信号を出力する光送信器と、前記光送信器が出力する光信号を減衰する光減衰器と、をさらに備え、前記光強度制御器は、決定した前記他方向の光信号の光強度を前記光減衰器の減衰量として前記光減衰器に与えることを特徴とする。

また、上り光信号の光強度に上限値を設けてもよい。すなわち、本発明に係る中継装置の前記光強度制御器は、前記他方向の光信号の光強度に上限光強度を設定しており、前記一方向の光信号の光強度に基づく前記他方向の光信号の光強度が前記上限光強度を超える場合、前記上限光強度を前記他方向の光信号の光強度に決定することを特徴とする。

本発明に係る光強度制御方法は、双方向に光信号を伝送する光伝送路に配置される中継装置において、一方向の光信号の光強度に基づいて他方向の光信号の光強度を決定する。

本発明に係る光アクセスシステムは、前記中継装置を備える。

本発明は、ＯＬＴと中継装置との間の伝送損失に応じて上り光信号の強度を調整し、ＯＬＴの光受信器の損傷を防止できる中継装置、光強度制御方法、及び光アクセスシステムを提供することができる。

ＰＯＮを説明する図である。 中継装置が配置されたＰＯＮを説明する図である。 本発明に係る中継装置を説明する図である。 本発明に係る中継装置を説明する図である。 （ａ）ＳＯＡへの入力光パワーと注入電流の関係を説明する図である。（ｂ）ＳＯＡへの入力光パワーと光ファイバの損失特性の関係を説明する図である。（ｃ）光ファイバの損失特性を説明する図である。 中継区間光ファイバ損失Ｌ_Ｕと、中継装置の光送信器に許容できる平均光信号強度の関係を説明する図である。 上限が設定された中継装置の光送信器が出力する光信号の光強度を説明する図である。 本発明に係る中継装置を説明する図である。 本発明に係る中継装置が備えるテーブルを説明する図である。 本発明に係る中継装置が備えるテーブルを説明する図である。 本発明に係る中継装置が備えるテーブルを説明する図である。 本発明に係る中継装置を説明する図である。 ＶＯＡの構成を説明する図である。 ＳＯＡへの入力光パワーと注入電流変化量の関係を説明する図である。

添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下に説明する実施形態は本発明の実施形態であり、本発明は、以下の実施形態に制限されるものではない。なお、本明細書及び図面において符号が同じ構成要素は、相互に同一のものを示すものとする。

（実施形態１）
本実施形態の上り光送信強度制御をＰＯＮシステムに適用する際の動作を説明する。本実施形態において想定する光アクセスネットワーク構成は下り通信が時分割多重（Ｔｉｍｅ ｄｉｖｉｓｉｏｎ ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ：ＴＤＭ）、上り通信が時分割多元接続（Ｔｉｍｅ ｄｉｖｉｓｉｏｎ ｍｕｌｔｉｐｌｅ ａｃｃｅｓｓ：ＴＤＭＡ）の１Ｇ−ＥＰＯＮであるとする。１Ｇ−ＥＰＯＮにおいては下り通信に１．４９μｍ帯、上り通信に１．３１μｍ帯の波長が用いられる。ネットワーク構成は図２と同様である。局側装置（ＯＬＴ１００）と中継装置２５０が中継用光ファイバ（中継ファイバ１６０）で接続され、中継装置２５０とＯＮＵ２００とが、受動光スプリッタ１５０と分岐用光ファイバ（分岐ファイバ）を介して接続される。受動光スプリッタを介してＯＮＵがＰＯＮネットワークに接続される。

次に、中継装置２５０の構成を図３に示す。中継装置２５０は、双方向に光信号を伝送する光伝送路に配置される中継装置であって、一方向の光信号の光強度に基づいて他方向の光信号の光強度を決定する光強度制御器６０を備える。

中継装置２５０は、波長合分波フィルタＡ１０、波長合分波フィルタＢ２０、光増幅器３０、３Ｒ受信器４０、光送信器５０、光強度制御器６０を有する。波長合分波フィルタＡ１０は、図２記載の受動光スプリッタ１５０を介してＯＮＵ２００と接続される。波長合分波フィルタＡ１０は、中継装置２５０が内蔵する光増幅器３０から送信されてくる下り方向の１．４９μｍ帯の信号をＯＮＵ２００方向に送る一方、ＯＮＵ２００から送られてくる上り方向の１．３１μｍ帯の信号光を３Ｒ受信器４０に送信する受動部品である。波長合分波フィルタＢ２０は、ＯＬＴ１００から送信される下り方向の１．４９μｍ帯の信号を光増幅器３０に送る一方、光送信器５０から送られてくる上り方向の１．３１μｍ帯の信号光をＯＬＴ１００に送信する受動部品である。光増幅器３０は、波長合分波フィルタＢ２０を介してＯＬＴ１００から送信されてくる下り光信号の光強度を増幅して、波長合分波フィルタＡ１０を介してＯＮＵ２００に再生送信する機能を有する。光増幅器３０は、例えば、半導体光増幅器（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｏｐｔｉｃａｌ ａｍｐｌｉｆｉｅｒ：ＳＯＡ）である。

次に、図４を用いて、中継装置２５０が内蔵する３Ｒ受信器４０、光送信器５０、光強度制御器６０、光増幅器３０の詳細な構成および機能を説明する。

３Ｒ受信器４０は、受光素子であるフォトダイオード（Ｐｈｏｔｏ ｄｉｏｄｅ：ＰＤ）、インピーダンス変換増幅器（Ｔｒａｎｓｉｍｐｅｄａｎｃｅ ａｍｐｌｉｆｉｅｒ：ＴＩＡ）、振幅制限増幅器（Ｌｉｍｉｔｉｎｇ ａｍｐｌｉｆｉｅｒ：ＬＩＡ）、クロックデータ再生器（Ｃｌｏｃｋ ａｎｄ ｄａｔａ ｒｅｃｏｖｅｒｙ：ＣＤＲ）を有し、光送信器５０と接続される。光ファイバ中に信号光を長距離に渡って伝搬させると波形歪、雑音、及びジッタによって信号が劣化するが、３Ｒ受信器４０は、これを補償して光信号を再生する。再生機能には、波形整形（Ｒｅｓｈａｐｉｎｇ）、クロック信号の抽出と信号のタイミング決定（Ｒｅｔｉｍｉｎｇ）、増幅（Ｒｅａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ）の３つの機能があり、これを３Ｒ機能と呼ぶ。

３Ｒ受信器４０は、ＯＮＵ２００から受動光スプリッタを介して送られてくる、光信号強度が微弱な上り信号を３Ｒ再生する機能を有する。ＰＯＮにおける上り信号を３Ｒ再生する際は、上り信号がＯＮＵ２００毎に異なる強度および位相を有しているため、そのようなバースト信号に対する瞬時応答性能が要求される。すなわち、ＰＤは光信号を電流信号に変換するが、信号強度が大きい光信号の電流に対しても微弱な光信号の電流に対しても、ＴＩＡは瞬時にインピーダンス変換利得を最適化して歪みのない電圧信号として出力する。ＬＩＡは、ＴＩＡが出力する電圧信号を歪み無く増幅し、一定振幅にしてＣＤＲに出力する。後段のＣＤＲは、互いに位相の異なる光信号から瞬時にクロック抽出を行い、その再生クロックを用いてＬＩＡが振幅制限した信号を識別再生する。

光送信器５０は、レーザダイオード駆動器（Ｌａｅｒ ｄｉｏｄｅ ｄｒｉｖｅｒ：ＬＤＤ）、レーザダイオード（Ｌａｓｅｒ ｄｉｏｄｅ：ＬＤ）を有する。

光強度制御器６０は、光増幅器３０の動作状況をモニタすることによって中継ファイバ区間の光ファイバ損失を見積もる。その見積もり結果に基づき、ＯＬＴ１００の光受信器が損傷しないように光送信器５０が出力する光信号強度を制御する。光強度制御器６０の詳細動作については後で別途詳細に説明する。

光増幅器３０は、下り方向の光信号の一部をタップするモニタ素子を有し、前記モニタ素子がタップした光信号の光強度に基づいて下り方向の光信号の増幅度を決定する。まず、光増幅器３０であるＳＯＡの一般的な動作について概要を説明する。

ＳＯＡは電流注入により励起状態をつくり出し、入力される光信号強度を増幅する素子である。一般的に光増幅器には自動利得制御機能（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｇａｉｎ ｃｏｎｔｒｏｌ：ＡＧＣ）を有しており、入力光信号強度に応じて利得を変化させることにより、出力光信号強度が一定になるように制御する。別の言い方では、自動出力レベル制御（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｌｅｖｅｌ ｃｏｎｔｒｏｌ：ＡＬＣ）とも呼ばれる。両者の意図するところは概ね同じであるので、本実施形態ではＡＬＣのみを説明に用いる。図５（ａ）は、ＡＬＣの動作を説明する図である。ＡＬＣ機能の実現にあたっては、ＳＯＡは入力光信号の一部を、モニタＰＤを用いてタップし、ＳＯＡへの入力光信号強度を検出する。そして、入力光信号強度に応じた利得制御を行う。すなわち入力光信号強度が大きい場合は利得を下げるためにＳＯＡへの注入電流量を減らし、入力光信号強度が小さい場合は利得を上げるためにＳＯＡへの注入電流量を増やすような制御を行うのがＡＬＣ動作の概要である。

次に光強度制御器６０の動作を詳細に説明する。光強度制御器６０は、前記モニタ素子がタップした光信号で下り方向の光信号の光強度を認知する。例えば、ネットワーク構成や装置構成が全く同じだが、伝送線路の距離は少なくとも異なる２つのＥＰＯＮシステム１およびＥＰＯＮシステム２を考える。それぞれ中継ファイバ区間の伝送距離がＬ_１およびＬ_２であるとする。光強度制御器６０はＳＯＡのＡＬＣ機能が有する入力光パワーのタップ機能を利用し、ＳＯＡへ入力する下り光信号強度を検出する。

次に、中継区間光ファイバの損失値を求める方法を説明する。光強度制御器６０は、下り方向の光信号を送信するＯＬＴ１００の出力信号光強度が予め与えられ、前記出力信号光強度と下り方向の光信号の光強度との差分をＯＬＴ１００からの損失（中継区間光ファイバ損失）とし、前記損失に応じて上り方向の光信号の光強度を計算する計算式が予め与えられる記憶部を有する。

下り信号波長帯における中継区間光ファイバ損失Ｌ_Ｄは、ＯＬＴ１００の光送信器からの出力信号光強度Ｐ_{ｏｕｔ＿ＯＬＴ}と、ＳＯＡへの入力光信号強度Ｐ_{ｉｎ＿ＳＯＡ}を用いて式（１）で算出することができる。

図５（ｂ）は、ＳＯＡへの入力光信号強度と、下り信号の波長帯である１．４９μｍ帯における中継区間光ファイバ損失との関係を示す。当該関係は、中継区間の損失が大きいほど、ＳＯＡへの入力光信号強度は小さくなるため、図５（ｂ）に示す直線のような特性を示す。

例えばＥＰＯＮシステム１において、ＳＯＡの入力光信号強度が−６ｄＢｍである一方、ＥＰＯＮシステム２においてはＳＯＡへの入力光信号強度が−２３ｄＢｍであったとする。ＥＰＯＮ標準（ＩＥＥＥ Ｓｔｄ ８０２．３−２００８）の１０００ＢＡＳＥ−ＰＸ１０−Ｄにおいては、ＯＬＴ１００側送信器の最小送信光出力強度は−３ｄＢｍと定められている。そこで、本実施形態のＯＬＴ１００は１０００ＢＡＳＥ−ＰＸ１０−Ｄに準拠していると仮定すると、ＯＬＴ１００からは最低でも−３ｄＢｍの光信号強度が出力されているとみなすことができる。下り通信波長帯である１．４９μｍでの中継区間光ファイバ損失をそれぞれＬ_Ｄ１、Ｌ_Ｄ２とすると、それらはそれぞれＬ_Ｄ１＝３ｄＢ、Ｌ_Ｄ２＝２０ｄＢとなる。

ところで、一般に、単位距離あたりの伝送損失が異なる２つの波長帯における光ファイバの伝送損失は以下の式（２）で表現することができる。

上式でＬ_Ｄ、Ｌ_Ｕはそれぞれ下り通信波長帯および上り通信波長帯の光ファイバ損失を表す。Ｃ_Ｕ、Ｃ_Ｄはそれぞれ下り通信波長帯および上り通信波長帯の単位距離あたりの光ファイバ損失を示す。

光ファイバの損失を１．３１μｍ帯、１．４９μｍ帯においてそれぞれ０．３ｄＢ／ｋｍ、０．２ｄＢ／ｋｍとすると、１．３１μｍ帯の光ファイバ損失は以下のように表せる。

次に、図５（ｃ）は式（３）に基づく中継区間光ファイバの損失特性である。図５（ｃ）において縦軸はＥＰＯＮシステムの上り波長帯である１．３１μｍ帯、横軸はＥＰＯＮシステムの下り波長帯である１．４９μｍ帯の損失特性を示す。図５（ｃ）から分かるようにＥＰＯＮシステム１およびＥＰＯＮシステム２の、上り波長帯における中継区間光ファイバ損失Ｌ_Ｕ１、Ｌ_Ｕ２はそれぞれ４．５ｄＢ、３０ｄＢと見積もることができる。

図６は、１．４９μｍ帯の中継区間光ファイバ損失Ｌ_Ｕと、中継装置２５０が有する光送信器５０に出力可能とする平均光信号強度Ｐ_{Ｕ＿ｉｄｅａｌ}の関係である。横軸の値（Ｐ_{Ｕ＿ｉｄｅａｌ}）は、ＰＯＮシステムのＯＬＴ１００光受信器が損傷しない最大の入力光強度Ｐ_{ｉｎ＿ｄａｍａｇｅ}と、中継区間光ファイバ損失Ｌ_Ｕから求めることができ、以下の式（４）のように表すことができる。

例えば、ＩＥＥＥ Ｓｔｄ ８０２．３ａｈ−２００４において、１０００ＢＡＳＥ−ＰＸ１０−Ｄにおいては、Ｄａｍａｇｅ ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ（ｍａｘ）として４ｄＢｍの値が規定されている。従って、本実施形態においては、ＯＬＴ１００の受信器を損傷しない、最大の送信光出力強度は、ＥＰＯＮシステム１およびＥＰＯＮシステム２においてはそれぞれ式（４）より、Ｐ_{Ｕ１＿ｉｄｅａｌ}＝８．５ｄＢｍおよびＰ_{Ｕ２＿ｉｄｅａｌ}＝３４ｄＢｍとなる。

この結果ＥＰＯＮシステム２においては最大で３４ｄＢｍの光信号を出力できることにはなるが、光送信器がデバイスとしてそこまでの高出力な値は現実的でない場合もある。そこで、光強度制御器６０は、上り方向の光信号の光強度に上限光強度を設定しており、下り方向の光信号の光強度に基づく上り方向の光信号の光強度が前記上限光強度を超える場合、前記上限光強度を上り方向の光信号の光強度に決定する。

具体的には、光送信器５０から出力する上り光信号の光強度は、計算値が大きくなった場合、図７に示すように、一定の値（Ｐ_{Ｕ＿ｌｔｄ}）以上にしない。例えば、Ｐ_{Ｕ＿ｌｔｄ}の値としては１０ｄＢｍ〜１５ｄＢｍ程度の値になる。

以上の説明の式（１）、（２）、（４）をまとめると、中継装置内蔵の光送信器の光出力値Ｐ_{Ｕ＿ａｃｔｕａｌ}は、以下式（５）のように表すことができる。

ただし、Ｐ_{Ｕ＿ａｃｔｕａｌ}は最大でもＰ_{Ｕ＿ｌｔｄ}を超えることはない。

光強度制御器６０は、光送信器５０が有するＬＤＤが解釈できる形式で、ＬＤＤの送信光強度制御端子に対して、光送信出力値（Ｐ_{Ｕ＿ａｃｔｕａｌ}）を指示する制御信号を与える。

例えば本実施形態のＥＰＯＮシステム１での適用を考える。ＥＰＯＮシステム１の中継装置が内蔵する光送信器のＬＤが最大で１０ｄＢｍ（１０ｍＷ）の光信号を出力可能で、その際必要な電流が１００ｍＡとする。但し、送信光強度とＬＤＤに必要な電流値は線形近似可能とする。また、ＬＤＤの送信光強度制御端子に対しては、０〜２Ｖの範囲の直流電圧信号の形で送信光強度を線形近似で指示できるとする。その際、ＬＤＤに与える電圧信号は以下の式（６）で表すことができる。

ここで、Ｖ_{Ｃｏｎｔ＿ＬＤ}、Ｖ_{Ｃｏｎｔ＿ＬＤ＿Ｍａｘ}、Ｖ_{Ｃｏｎｔ＿ＬＤ＿Ｍｉｎ}はそれぞれ送信光強度制御端子に与える実際の電圧値、送信光強度制御端子に与えられる電圧の最大値、送信光強度制御端子に与えられる電圧の最小値である。Ｐ_{Ｕ＿ａｃｔｕａｌ}、Ｐ_{ｏｕｔ＿ＬＤ＿Ｍａｘ}、Ｐ_{ｏｕｔ＿ＬＤ＿Ｍｉｎ}はそれぞれ、中継装置内蔵の光送信器が有するＬＤの実際の出力光強度、最大出力光強度、最小出力光強度である。Ｉ_{ＬＤ＿ａｃｔｕａｌ}、Ｉ_{ＬＤ＿Ｍａｘ}、Ｉ_{ＬＤ＿Ｍｉｎ}はそれぞれ、中継装置内蔵の光送信器が有するＬＤに流す実際の電流値、最大値、最小値である。

例えば、前述の計算結果により、Ｐ_{Ｕ＿ａｃｔｕａｌ}＝８．５ｄＢｍ（７．１ｍＷ）の場合、ＬＤに必要な電流は７１ｍＡとなる。そこで、光強度制御器６０は、ＬＤＤに対して１．４２Ｖの値を出力することで所望の上り光信号の光強度（８．５ｄＢｍ）を指示することができる。

中継装置２５０の設置時に、光強度制御器６０に対して、光アクセスシステムに応じたＰ_{ｉｎ＿ｄａｍａｇｅ}、Ｃ_Ｕ、Ｃ_Ｄ、Ｐ _{Ｏｕｔ＿ＯＬＴ１００}、Ｖ_{ｃｏｎｔ＿ＬＤ＿Ｍａｘ}、Ｖ_{ｃｏｎｔ＿ＬＤ＿Ｍｉｎ、}Ｐ_{ｏｕｔ＿ＬＤ＿Ｍａｘ}、Ｐ_{ｏｕｔ＿ＬＤ＿Ｍｉｎ}、Ｉ_{ＬＤ＿Ｍａｘ}、Ｉ_{ＬＤ＿Ｍｉｎ}の値を何らかの手段、例えばコマンドラインインターフェイス（Ｃｏｍｍａｎｄ ｌｉｎｅ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ：ＣＬＩ）によって入力する。光強度制御器６０は、例えば式（４）、（５）に記載の計算式を用いてＬＤＤの送信光強度制御端子に対して与える制御電圧値を計算する手段を不揮発性記憶媒体などにプログラムとして有する。

このように、中継ファイバ区間の損失を見積もった上で中継装置内蔵の光送信器による光信号強度を制御することにより、ＯＬＴ１００の光受信器を損傷することなくＰＯＮシステムの広域化を実現することができる。

図４では、光強度制御器６０からＬＤＤの送信光強度制御端子に直接制御電圧を与えていたが、図８に示すように、光送信器５０内にＬＤ駆動条件制御器がある形態でも良い。この場合は、光強度制御器６０からＬＤ駆動条件制御器に対して、実際の送信光強度Ｐ_{Ｕ＿ａｃｔｕａｌ}値を与え、ＬＤ駆動条件制御器で、ＬＤＤの送信光強度制御端子に与える制御電圧値を出力する構成となる。その場合は、光強度制御器６０に対して、Ｐ_{ｉｎ＿ｄａｍａｇｅ}、Ｃ_Ｕ、Ｃ_Ｄの値をＣＬＩによって入力及び設定する。

また、光強度制御器６０は、例えば式（４）に記載の計算式を用いてＬＤ駆動条件制御器に出力する送信光強度値を計算する手段を不揮発性記憶媒体などにプログラムとして有する。

光送信器５０内のＬＤ駆動条件制御器に対しては、予めＰ_{Ｏｕｔ＿ＯＬＴ１００}、Ｖ_{ｃｏｎｔ＿ＬＤ＿Ｍａｘ}、Ｖ_{ｃｏｎｔ＿ＬＤ＿Ｍｉｎ}、Ｐ_{ｏｕｔ＿ＬＤ＿Ｍａｘ}、Ｐ_{ｏｕｔ＿ＬＤ＿Ｍｉｎ}、Ｉ_{ＬＤ＿Ｍａｘ}、Ｉ_{ＬＤ＿Ｍｉｎ}の値を何らかの不揮発性記憶媒体などに記憶させる、あるいは設定しておく。

ＬＤ駆動条件制御器は、例えば式（６）に記載の計算式を用いてＬＤＤの送信光強度制御端子に対して与える制御電圧値を計算する手段を不揮発性記憶媒体などにプログラムとして有する。

本実施形態を述べるにあたり、幾つかのパラメータについて具体的な値を記載したが、本発明はこれに制限されるものではない。例えば光ファイバの損失特性を、１．４９μｍ帯および１．３１μｍ帯においてそれぞれ０．２ｄＢ／ｋｍ、０．３ｄＢ／ｋｍとしたが、本発明はそれらに制限されるものではなく、実際に使用する波長帯に応じて異なる損失係数をＣＬＩから設定すれば良い。

また、本実施形態はＰＯＮシステムについて説明したが本発明はこれに制限されるものではなく、ポイント・トゥ・ポイントシステムにも適用可能である。

（実施形態２）
実施形態１では、光強度制御器６０が計算式でＬＤＤに与える信号値を計算したが、本実施形態では、光強度制御器６０がテーブルを参照してＬＤＤに与える信号値を決定する。すなわち、光強度制御器６０は、下り方向の光信号の光強度に対する上り方向の光信号の光強度を記載したテーブルを有する。

第２の実施形態を説明する。実施形態１とは、中継装置が内蔵する光送信器の出力光信号強度、光送信器内蔵のＬＤに対する印加電流、光送信器内蔵のＬＤＤが有する光出力強度制御端子に与える電圧の取得方法が異なる。

本実施形態においては、ネットワーク構成は実施形態１と同様だが、中継装置２５０の構成は図４に基づくものとする。光強度制御器６０には、ＣＬＩなどの手段で、内部に図９のようなテーブルを何らかの不揮発記憶媒体などに保存しておく。

実施形態１に記述した方法と同様の方法で、光強度制御器６０はＳＯＡへの入力光信号強度を検出し、その値を用いて、光送信器内のＬＤＤが有する送信光強度制御端子に与える電圧値を読み出す。例えばＳＯＡへの入力光信号強度が−６ｄＢｍだった場合は、光送信器内のＬＤＤが有する送信光強度制御端子に対しては１．６Ｖの値を出力する。

中継装置２５０の設置時に、光強度制御器６０に対して、光アクセスシステムに応じたＰ_{ｉｎ＿ｄａｍａｇｅ}、Ｃ_Ｕ、Ｃ_Ｄ、Ｐ _{Ｏｕｔ＿ＯＬＴ１００}、Ｖ_{ｃｏｎｔ＿ＬＤ＿Ｍａｘ}、Ｖ_{ｃｏｎｔ＿ＬＤ＿Ｍｉｎ、}Ｐ_{ｏｕｔ＿ＬＤ＿Ｍａｘ}、Ｐ_{ｏｕｔ＿ＬＤ＿Ｍｉｎ}、Ｉ_{ＬＤ＿Ｍａｘ}、Ｉ_{ＬＤ＿Ｍｉｎ}の値を何らかの手段、例えばＣＬＩによって入力する。さらに、光強度制御器６０には、光アクセスシステムに応じたテーブルを記憶させておき、使用波長帯やＬＤ、ＬＤＤの種類に応じたテーブルを必ず参照させる。

本実施形態では、光強度制御器６０からＬＤＤの送信光強度制御端子に直接制御電圧を与えていたが、図８に示すように、光送信器内にＬＤ駆動条件制御器がある形態でも良い。その場合は、光強度制御器６０が図１０に記載のテーブルを持ち、ＬＤ駆動条件制御器が図１１に記載のテーブルを持つ。

光強度制御器６０は、検出したＳＯＡへの入力光信号強度に応じた光送信器の出力強度を図１０のテーブルから読み出し、ＬＤ駆動条件制御器に出力する。

ＬＤ駆動条件制御器は、図１１のテーブルを参照し、光強度制御器６０から入力される光送信器の出力強度に応じたＬＤＤの送信光強度制御端子に与える制御電圧値を読み出し、設定する。

この場合は、光強度制御器６０に対して、Ｐ_{ｉｎ＿ｄａｍａｇｅ}、Ｃ_Ｕ、Ｃ_Ｄの値をＣＬＩによって入力及び設定する。

光送信器内のＬＤ駆動条件制御器に対しては、予めＰ_{Ｏｕｔ＿ＯＬＴ１００}、Ｖ_{ｃｏｎｔ＿ＬＤ＿Ｍａｘ}、Ｖ_{ｃｏｎｔ＿ＬＤ＿Ｍｉｎ}、Ｐ_{ｏｕｔ＿ＬＤ＿Ｍａｘ}、Ｐ_{ｏｕｔ＿ＬＤ＿Ｍｉｎ}、Ｉ_{ＬＤ＿Ｍａｘ}、Ｉ_{ＬＤ＿Ｍｉｎ}の値を何らかの不揮発性記憶媒体などに記憶させる、あるいは設定しておく。

（実施形態３）
本実施形態は実施形態１と実施形態２とを組み合わせた形態である。
中継装置の詳細構成が図８に基づくものとする。なお、以下２つの組み合わせ以外の形態もあり得る。

（形態Ａ）
光強度制御器６０側では、光送信器の送信光強度を、例えば式（４）記載の計算式を用いて算出する。ＬＤ駆動条件制御器は、ＬＤＤの光出力強度制御端子に対して与える制御電圧値を、図１１に記載のテーブルを参照することによって取得し、ＬＤＤに対して設定する。
（形態Ｂ）
こちらは上記形態Ａとは逆のケースで、光強度制御器６０は、光送信器の送信光強度を、例えば図１０記載のテーブルを参照することによって取得する。ＬＤ駆動条件制御器は、ＬＤＤの光出力強度制御端子に対して与える制御電圧値を、例えば式（６）に記載の計算式により算出し、ＬＤＤに対して設定する。

（実施形態４）
本実施形態の中継装置は、所定の光強度である上り方向の光信号を出力する光送信器と、前記光送信器が出力する光信号を減衰する光減衰器と、をさらに備え、前記光強度制御器は、決定した前記他方向の光信号の光強度を前記光減衰器の減衰量として前記光減衰器に与えることを特徴とする。

本実施形態と実施形態１〜３とは、中継装置が内蔵する光送信器の出力光信号強度の制御の点で異なる。具体的には図１２に示すように、中継装置２５０は、可変光強度減衰器（Ｖａｒｉａｂｌｅ ｏｐｔｉｃａｌ ａｔｔｅｎｕａｔｏｒ：ＶＯＡ）７０を有し、ＶＯＡ７０で、光送信器５０からの出力光信号強度を光アクセスシステムの中継ファイバ区間損失に応じて減衰させる。

図１３は、ＶＯＡ７０の構成を説明する図である。ＶＯＡ７０は、ＶＯＡ素子とＶＯＡ制御器を有する。ＶＯＡ制御器は光強度制御器６０と接続されている。

本実施形態の光送信器５０は出力光強度を変えたりはせず、一定の光強度で上り光信号を出力するだけである。ＶＯＡ制御器は、ＶＯＡ素子からの出力光の一部をタップすることによってＶＯＡ出力光強度（上り光信号の光強度）を検出する。そして、ＶＯＡ制御器は、光強度制御器６０によって与えられる光強度値の上り光信号がＶＯＡから出力されるように、ＶＯＡ素子における減衰量をフィードバック制御する。なお、ＶＯＡ出力光強度が強すぎるとＯＬＴ１００の光受信器を損傷する可能性を排除するために、ＶＯＡ制御器は、最大の減衰量を初期値としておくことが好ましい。

ＶＯＡ素子としては様々な形態が考えられる。例えば、ＳＯＡゲート機能を用い、所望の減衰量に応じた電流をＳＯＡに注入する形態でも良い。マッハツェンダ干渉計タイプの方向性結合器を用い、ＯＬＴ１００に出力するアームに所望の量の光信号強度が出力されるように、結合部の屈折率を熱光学効果や電気光学効果を用いて制御する形態でも良い。

本実施形態も、送信光強度値の算出方法は、例えば式（４）の計算式を用いて計算する方法でも良いし、図７のように、ＳＯＡへの下り入力信号強度をもとに、テーブルを参照して適切な送信光強度値を読み出す方法でも良い。

（実施形態５）
本実施形態の中継装置の光強度制御器は、前記一方向の光信号を増幅するため前記半導体光増幅器に注入される注入電流で前記一方向の光信号の光強度を認知することを特徴とする。

本実施形態と実施形態１〜４とは、ＳＯＡへの下り光信号の光強度の検出の点で異なる。ＳＯＡは、ＰＤ同様、光半導体素子であり、入力光信号強度に応じて注入電流量が変化する性質がある。図１４は、ある一定の条件でＳＯＡを駆動させていた際、ＳＯＡへの入力光信号強度を変化させた時のＳＯＡ注入電流の変化量依存性である。例えば、ＳＯＡを注入電流Ｉ_０で駆動させ、かつ、入力光信号が存在していない状態で、光信号強度がＰ_１あるいはＰ_２の信号が入力された場合は、ＳＯＡ注入電流量の過渡的な変化量はそれぞれＩ_１およびＩ_２となる。

図１４のような特性を有するＳＯＡを、伝送線路の距離は少なくとも異なる２つのＥＰＯＮシステム１およびＥＰＯＮシステム２に適用する場合を考える。すると、例えばＥＰＯＮシステム１においてはＳＯＡの注入電流変化量がＩ_１＝２００ｍＡである一方、ＥＰＯＮシステム２においてはＳＯＡの注入電流変化量がＩ_２＝５０ｍＡであったとする。ＳＯＡの特性上、それらのＳＯＡの注入電流変化量に対応する入力光信号強度（下り光信号の光強度）はそれぞれＰ_１＝−６ｄＢｍおよびＰ_２＝−２３ｄＢｍである。

上記のようにして取得した下り光信号の光強度を用いてＥＰＯＮシステム１およびＥＰＯＮシステム２それぞれの、上り通信波長帯（１．３１μｍ）中継区間光ファイバ損失の算出方法および中継装置内蔵の光送信器からの光出力強度の制御方法は、実施形態１〜４の説明と同じである。

［付記］
以下は、本発明に係る中継装置及びその制御方法について記載したものである。
（課題）
中継区間の光ファイバ損失がシステム毎に異なる場合は上り光送信パワーが高すぎることによって局側光受信器を損傷する可能性があった。
（解題を解決する手段）
下り用中継光増幅器の入力光信号強度から中継区間の光ファイバ損失を見積もり、中継部の上り光送信光強度を制御する機能を持たせる。
（１）：
光加入者収容装置、伝送光ファイバ、光加入者終端装置からなる光加入者システムにおいて、光加入者収容装置の下り光信号および光加入者終端装置の上り光信号を再生中継する、前記加入者収容装置と光加入者終端装置との間に配置される中継装置であって、下り用中継光増幅器への入力光信号強度を参照することにより、中継部の上り光送信強度を決定する機能を有することを特徴とする中継装置。
（２）：
光加入者収容装置、伝送光ファイバ、光加入者終端装置からなる光加入者システムにおいて、光加入者収容装置の下り光信号および光加入者終端装置の上り光信号を再生中継する、前記加入者収容装置と光加入者終端装置との間に配置される中継装置において、下り用中継光増幅器への入力光信号強度を参照することにより、中継部の上り光送信強度を制御する方法。
（３）：
上記（１）に記載の中継装置であって、上り信号の中継構成が３Ｒ中継であることを特徴とする中継装置。
（４）：
上記（２）に記載の上り光送信強度の制御方法であって、上り信号の中継構成が３Ｒ中継であることを特徴とする上り光送信強度の制御方法。
（５）：
上記（１）あるいは（３）に記載の中継装置であって、下りの光増幅器が半導体光増幅器であることを特徴とする中継装置。
（６）：
上記（１）に記載の中継装置であって、光増幅器の状況から中継ファイバの損失を算出する方法として、光増幅器の自動出力制御機能が有する入力光パワーのタップ機能により光増幅器への入力光強度の値から中継ファイバの損失を算出する方法であることを特徴とする中継装置。
（７）：
上記（５）に記載の中継装置であって、光増幅器の状況から中継ファイバの損失を算出する方法として、半導体光増幅器の注入電流の変化より半導体光増幅器への入力光強度を算出し、該光入力光強度と光加入者収容装置光出力強度の差から中継ファイバの損失を算出する方法であることを特徴とする中継装置。
（８）：
上記（１）あるいは（５）に記載の中継装置であって、光増幅器の状況から中継ファイバの損失を算出する方法として、光増幅器が有する入力光信号強度モニタ機能をもとに光増幅器への入力光強度を算出し、該光入力光強度とあらかじめ定めた参照値との差から中継ファイバの損失を算出する方法であることを特徴とする中継装置。
（９）：
上記（１）あるいは（５）に記載の中継装置であって、光増幅器の状況から中継ファイバの損失を算出する方法として、光増幅器が有する入力光信号強度モニタ機能をもとに光増幅器への入力光強度を算出し、該光入力光強度と光加入者収容装置光出力強度の差から中継ファイバの損失を算出する方法であることを特徴とする中継装置。
（１０）：
上記（６）、（７）、（８）、あるいは（９）に記載の中継装置であって、下り光信号と上り光信号の波長が異なる場合、下り光信号波長における中継光ファイバ損失に、上り信号波長における中継ファイバ損失係数を乗じて下り信号波長における中継ファイバ損失係数を除することによって上り中継ファイバ損失を算定することを特徴とする中継装置。
（１１）：
上記（２）あるいは（４）に記載の光送信強度の制御方法であって、下りの光増幅器が半導体光増幅器であることを特徴とする光送信強度の制御方法。
（１２）：
上記（１１）に記載の光送信強度の制御方法であって、光増幅器の状況から中継ファイバの損失を算出する方法として、半導体光増幅器の注入電流の変化より半導体光増幅器への入力光強度を算出し、該光入力光強度とあらかじめ定めた参照値との差から中継ファイバの損失を算出する方法であることを特徴とする光送信強度の制御方法。
（１３）：
上記（１１）に記載の光送信強度の制御方法であって、光増幅器の状況から中継ファイバの損失を算出する方法として、半導体光増幅器の注入電流の変化より半導体光増幅器への入力光強度を算出し、該光入力光強度と光加入者収容装置光出力強度の差から中継ファイバの損失を算出する方法であることを特徴とする光送信強度の制御方法。
（１４）：
上記（２）、（４）、あるいは（１１）に記載の光送信強度の制御方法であって、光増幅器の状況から中継ファイバの損失を算出する方法として、光増幅器が有する入力光信号強度モニタ機能をもとに光増幅器への入力光強度を算出し、該光入力光強度とあらかじめ定めた参照値との差から中継ファイバの損失を算出する方法であることを特徴とする光送信強度の制御方法。
（１５）：
上記（２）、（４）、あるいは（１１）に記載の光送信強度の制御方法であって、光増幅器の状況から中継ファイバの損失を算出する方法として、光増幅器が有する入力光信号強度モニタ機能をもとに光増幅器への入力光強度を算出し、該光入力光強度と光加入者収容装置光出力強度の差から中継ファイバの損失を算出する方法であることを特徴とする光送信強度の制御方法。
（１６）：
上記（１２）、（１３）、（１４）、あるいは（１５）のいずれかに記載の光送信強度の制御方法であって、下り光信号と上り光信号の波長が異なる場合、上り中継ファイバ損失を算定する際に、下り光信号波長における中継光ファイバ損失に、上り信号波長における中継ファイバ損失係数を乗じて下り信号波長における中継ファイバ損失係数を除することを特徴とする上り中継ファイバ損失の算出方法。
（１７）：
上記（１）、（３）、（５）から（９）のいずれかに記載の中継装置を有することを特徴とする光アクセスシステム。
（１８）：
上記（１７）に記載の光アクセスシステムであって、ポイント・トゥ・マルチポイントネットワーク構成であることを特徴とする光アクセスシステム。
（効果）
局側光受信器を損傷することなく光アクセスシステムの長延化を実現することができる。

１０、２０：波長フィルタ
３０：光増幅器
４０：３Ｒ受信器
５０：光送信器
６０：光強度制御器
７０：ＶＯＡ
１００：ＯＬＴ
１５０：スプリッタ
１６０：中継ファイバ
２００：ＯＮＵ
２５０：中継装置

Claims (11)

1. 双方向に光信号を伝送する光伝送路に配置される中継装置であって、
   一方向の光信号の光強度に基づいて他方向の光信号の光強度を決定する光強度制御器と、
   前記一方向の光信号の一部をタップするモニタ素子を有し、前記モニタ素子がタップした光信号の光強度に基づいて前記一方向の光信号の増幅度を決定する光増幅器と、
   を備えており、
   前記光強度制御器は、前記モニタ素子が前記光増幅器の入力信号の一部をタップした光信号で前記一方向の光信号の光強度を認知することを特徴とする中継装置。
2. 双方向に光信号を伝送する光伝送路に配置される中継装置であって、
   一方向の光信号の光強度に基づいて他方向の光信号の光強度を決定する光強度制御器と、
   前記一方向の光信号を所定の光強度へ増幅する半導体光増幅器と、
   を備えており、
   前記光強度制御器は、前記一方向の光信号を増幅するため前記半導体光増幅器に注入される注入電流で前記一方向の光信号の光強度を認知することを特徴とする中継装置。
3. 前記光強度制御器は、前記一方向の光信号を送信する送信元送信装置の出力信号光強度が予め与えられ、前記出力信号光強度と前記一方向の光信号の光強度との差分を前記送信元光送信装置からの損失とし、前記損失に応じて前記他方向の光信号の光強度を計算する計算式が予め与えられる記憶部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の中継装置。
4. 前記光強度制御器は、前記一方向の光信号の光強度に対する前記他方向の光信号の光強度を記載したテーブルを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の中継装置。
5. 前記光強度制御器は、前記計算式の一部を計算値毎に参照する参照値を記載した参照テーブルをさらに有することを特徴とする請求項３に記載の中継装置。
6. 前記他方向の光信号を出力する光送信器をさらに備え、
   前記光強度制御器は、決定した前記他方向の光信号の光強度を前記光送信器のレーザダイオード駆動条件として前記光送信器に与えることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の中継装置。
7. 前記他方向の光信号を出力する光送信器と、
   前記光送信器が出力する光信号を減衰する光減衰器と、
   をさらに備え、
   前記光強度制御器は、決定した前記他方向の光信号の光強度を前記光減衰器の減衰量として前記光減衰器に与えることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の中継装置。
8. 前記光強度制御器は、前記他方向の光信号の光強度に上限光強度を設定しており、前記一方向の光信号の光強度に基づく前記他方向の光信号の光強度が前記上限光強度を超える場合、前記上限光強度を前記他方向の光信号の光強度に決定することを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の中継装置。
9. 双方向に光信号を伝送する光伝送路に配置される中継装置において、
   一方向の光信号の光強度に基づいて他方向の光信号の光強度を決定する光強度制御手順と、
   前記一方向の光信号の一部をモニタ素子でタップし、前記モニタ素子がタップした光信号の光強度に基づいて前記一方向の光信号の増幅度を決定する光増幅手順と、
   を備えており、
   前記光強度制御手順では、前記モニタ素子が前記光増幅器の入力信号の一部をタップした光信号で前記一方向の光信号の光強度を認知することを特徴とする光強度制御方法。
10. 双方向に光信号を伝送する光伝送路に配置される中継装置において、一方向の光信号の光強度に基づいて他方向の光信号の光強度を決定する光強度制御手順と、
    半導体光増幅器で前記一方向の光信号を所定の光強度へ増幅する光増幅手順と、
    を備えており、
    前記光強度制御手順では、前記一方向の光信号を増幅するため前記半導体光増幅器に注入される注入電流で前記一方向の光信号の光強度を認知することを特徴とする光強度制御方法。
11. 請求項１から８のいずれかの中継装置を備える光アクセスシステム。

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