JP5683698B2 - 加熱された基板および冷却された電解質を用いるシリコン貫通ビア(tsv)における銅のチップトゥチップ、チップトゥウェハおよびウェハトゥウェハの相互接続物の電着のための方法 - Google Patents
加熱された基板および冷却された電解質を用いるシリコン貫通ビア(tsv)における銅のチップトゥチップ、チップトゥウェハおよびウェハトゥウェハの相互接続物の電着のための方法 Download PDFInfo
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Description
シリコン基板中のビア内に金属を電着してシリコン貫通ビア(TSV)を形成する方法であって、
少なくとも1つのビアを含むシリコン基板を提供する工程であって、該ビアが、約1ミクロンから約30ミクロンまでの範囲内およびより大きい内幅寸法、約5ミクロンから約450ミクロンまでの深さ、および少なくとも3:1の深さ:幅アスペクト比を有する内表面を含み、そして該ビアが、該金属の後続の電着に十分な導電性を得るのに十分な卑金属の厚さで該内表面を被覆する卑金属層をさらに含む、工程;
該卑金属層がカソードとして接続された電解金属めっきシステムにおいて、電解浴を提供する工程であって、
該システムが、
該シリコン基板を保持し、そして該シリコン基板を第一の温度まで均一に加熱するように適合されたチャック、
該電解浴の温度を第二の温度に維持する温度制御デバイス、
不溶性(不活性)寸法安定アノードおよび該金属の金属供給源をさらに含み、
ここで該電解浴が、酸、該金属のイオンの供給源、第一鉄および/または第二鉄イオンの供給源、および堆積された金属の物理的機械的特性を制御するための少なくとも1つの添加剤を含む、工程;および
該不溶性寸法安定アノードと該卑金属層との間に電圧を印加し、該卑金属層上に該金属を電着してTSVを形成するのに十分な時間にわたって該浴を通じてそれらの間に電流が流れるようにする工程
を含み、
ここでFe+2/Fe+3酸化還元系が該浴中に確立され、該金属供給源から該金属イオンのイオンを溶解することにより、電着される該金属のさらなるイオンを提供し、そしてここで該第一の温度が、約30℃から約60℃までの範囲内で維持され、そして該第二の温度が、(a)該第一の温度よりも少なくとも5℃低く、かつ(b)約15℃から約35℃までの範囲内である温度に維持される、方法。1つの実施形態では、第二の温度は、20℃±2℃である。1つの実施形態では、第一の温度は、約35℃から約55℃である。1つの実施形態では、第二の温度が20℃±2℃であり、第一の温度が約35℃から約55℃である。
本発明は、公知の方法の欠点を回避し、そしてより詳細には、TSVを高純度の銅のような金属で充填する金属の電着率を最大にし、同時に本発明は、応力を最小限にし、混入および空隙のような欠陥ならびに先行技術のTSVで見られた他の欠陥を回避し、そして有機浴成分の過度の分解率を回避する。したがって、本発明は、TSV充填のための金属の電着速度を向上し、同時に浴添加剤として用いられる有機化合物の熱安定性を損なわないという課題に取り組み、そしてそれに対する解決策を提供する。上昇した温度は、銅イオンの移動度を増強して堆積速度を増大させ、同時に等価またはより良好な質の堆積銅およびこの堆積銅の等価またはより良好な性能を得、そしてより低い温度で電解浴を維持することが有機添加剤の熱分解の増大を防止し、これは堆積物の質を向上させ、それ以外の場合に、浴の生じた上昇した温度によってその分解が起こる。
本明細書中で使用されるように、本発明に従う電着された銅に関して、用語「高純度の銅」は、標準的な化学/機器分析法によって決定されるように、少なくとも99%の純度を有する銅をいう。1つの実施形態では、ICP−MS(誘導結合プラズマ質量分析)が、銅原料の分析に用いられる。理解されるように、銅堆積物の純度は、本明細書中に開示された方法およびシステムに加えて、銅原料の純度によって主に決定される。
シリコン基板内に平滑な側壁を有するビアの形成は、TSVを用いる3Dデバイスの製作における重要な工程である。本発明によれば、ビアを形成する任意の公知の方法が用いられ得、そしてビアは、製作過程の間の任意の適切な時点で形成され得る。形成に用いる方法、およびビアの大きさは本発明において限定されない。
高純度の銅のような金属での完全な無空隙かつ無混入物のTSV充填は、TSVを内蔵するデバイスの製造において非常に重要な工程である。TSV内の不完全な金属充填(例えば、空隙または混入物を含む充填)は、短絡または低導電に至り得、そしてデバイス全体の電気性能に影響を与え得る。堆積された銅の粒度は、粒子の粗さが、電気特性(例えば、電気抵抗、エレクトロマイグレーション抵抗、およびTSVにおける内部応力)に直接影響を与え得るため、非常に重要である。本明細書中で示されるように、TSV内の内部応力は、TSVが設置されるウェハまたはシリコン基板の反りまたは変形を引き起こす場合、重度の問題を生じ得る。応力は、例えば、粗い粒または他の欠陥から生じ得、そして生じた変形または反りは、デバイス全体の機械的故障を引き起こし得る。したがって、高アスペクト比のTSV内に平滑で無空隙、無混入物の微細粒の金属堆積を得ることが必須である。本発明は、このような高純度の銅の堆積物を提供する。
(1)少なくとも1つのビアを含むシリコン基板を提供する工程であって、該ビアが、約1ミクロンから約30ミクロンまでの範囲内およびより大きい内幅寸法、約5ミクロンから約450ミクロンまでの深さ、および少なくとも3:1の深さ:幅アスペクト比を有する内表面を含み、そして該ビアが、該金属の後続電着に十分な導電性を得るのに十分な卑金属の厚さで該内表面を被覆する卑金属層をさらに含む;
(2)必要に応じて、該ビアの該内表面上に誘電体層を形成する工程;
(3)必要に応じて、存在する場合は該誘電体層の上に、または該ビアの該内表面の上に、障壁層を形成する工程であって、該障壁層が、該シリコン基板への銅の拡散を阻害する材料であるかまたは材料を含み、必要であれば、引き続き形成される卑金属層との適合性を増強するために前述の層の上にライナー層を形成する工程を含む;
(4)前述の層の上方の該TSVの該内表面上に卑金属層を形成する工程;
(5)該卑金属層がカソードとして接続された電解金属めっきシステム中に電解浴を提供する工程であって、
該システムが、
該シリコン基板を保持しかつ該シリコン基板を第一の温度まで均一に加熱するように適合されたチャック、
該電解浴の温度を第二の温度に維持する温度制御デバイス、
不溶性寸法安定アノードおよび該金属の金属供給源
をさらに含み、
ここで該電解浴が、酸、該金属のイオンの供給源、第一鉄および/または第二鉄イオンの供給源、および堆積された金属の物理的機械的特性を制御するための少なくとも1つの添加剤を含む;および
(6)該不溶性寸法安定アノードと該卑金属層との間に電圧を印加し、該卑金属層上に該金属を電着してTSVを形成するのに十分な時間にわたって該浴を通じてそれらの間に電流が流れるようにする工程を含み、
ここでFe+2/Fe+3酸化還元系(時にメディエーターと呼ばれる)が該浴中に確立され、該金属供給源から該金属イオンのイオンを溶解することにより、電着される該金属のさらなるイオンを提供し、そしてここで該第一の温度が、約30℃から約60℃までの範囲内で維持され、そして該第二の温度が、(a)該第一の温度よりも少なくとも5℃低く、かつ(b)約15℃から約35℃までの範囲内である温度に維持される。1つの実施形態では、第二の温度は、20℃±2℃である。1つの実施形態では、第一の温度は、約35℃から約55℃である。1つの実施形態では、第一の温度が約35℃から約55℃である場合、第二の温度は20℃±2℃である。1つの実施形態では、第一の温度が約40℃から約45℃である場合、第二の温度は20℃±2℃である。この方法が実施される場合(特に金属として銅を用いて)、非常に良好な特徴を有するTSVが得られ、そしてこの方法は効率的に作用し、添加剤の損失を最小限とする。
少なくとも1つの銅イオン供給源、好ましくは無機または有機アニオンとの銅塩(例えば硫酸銅、メタンスルホン酸銅、ピロリン酸銅、フルオロホウ酸銅、またはスルファミン酸銅)を含有する以外に、銅堆積に用いる電解浴は、浴の導電性を増加させるための少なくとも1つの物質(例えば、硫酸、メタンスルホン酸、ピロリン酸、フルオロホウ酸またはアミド硫酸)をさらに含有する。
酸は、濃硫酸であり、約50から約350g/L、または約180g/Lから約280g/L、または約100g/Lから約250g/L、または約50g/Lから約90g/Lの範囲内の浴濃度であり、
金属イオン供給源は、硫酸銅五水和物(CuSO4・5H2O)であり、約20g/Lから約250g/L、または約80g/Lから約140g/L、または約180g/Lから約220g/Lの範囲内の供給源化合物の浴濃度であり、
第一鉄および/または第二鉄イオンの供給源は、硫酸第一鉄七水和物および/または硫酸第二鉄九水和物であり、約1から約120g/L、または約1g/Lから約20g/Lの範囲内の供給源化合物の浴濃度であり、そして
少なくとも1つの添加剤が、ポリマー酸素含有化合物、有機硫黄化合物、チオ尿素化合物、またはポリマーフェナゾニウム化合物の1つ以上を含む。
カルボキシメチルセルロース
ノニルフェノール−ポリグリコールエーテル
オクタンジオール−ビス−(ポリアルキレングリコールエーテル)
オクタノールポリアルキレングリコールエーテル
オレイン酸ポリグリコールエステル
ポリエチレン−プロピレングリコールコポリマー
ポリエチレングリコール(PEG)
ポリエチレングリコール−ジメチルエーテル
ポリオキシプロピレングリコール
ポリプロピレングリコール
ポリビニルアルコール
ステアリン酸ポリグリコールエステル
ステアリルアルコールポリグリコールエーテル
β−ナフトールポリグリコールエーテル。
ポリマー酸素含有化合物の添加剤化合物は、約0.005g/Lから約20g/L、そして1つの実施形態では約0.01g/Lから約5g/Lの範囲内の濃度で、電解浴中に含有され得る。
3−(ベンゾチアゾリル−2−チオ)−プロピルスルホン酸、ナトリウム塩
3−メルカプトプロパン−1−スルホン酸、ナトリウム塩
エチレンジチオジプロピルスルホン酸、ナトリウム塩
ビス−(ρ−スルホフェニル)−ジスルフィド、二ナトリウム塩
ビス−(ω−スルホブチル)−ジスルフィド、二ナトリウム塩
ビス−(ω−スルホヒドロキシプロピル)−ジスルフィド、二ナトリウム塩
ビス−(ω−スルホプロピル)−ジスルフィド、二ナトリウム塩(SPS)
ビス−(ω−スルホプロピル)−スルフィド、二ナトリウム塩
メチル−(ω−スルホプロピル)−ジスルフィド、二ナトリウム塩
メチル−(ω−スルホプロピル)−トリスルフィド、二ナトリウム塩
О−エチル−ジチオカルボン酸−S−(ω−スルホプロピル)−エステル、カリウム塩
チオグリコール酸
チオリン酸−О−エチル−ビス−(ω−スルホプロピル)−エステル、二カリウム塩
チオリン酸−トリス−(ω−スルホプロピル)−エステル、三ナトリウム塩。
前述の水溶性硫黄含有化合物に加えて、米国特許第7,220,347号に開示されるような硫黄含有化合物が用いられ得る。US7220347の開示は、さらなる関連情報のために閲覧され得、そしてUS7220347の開示は、本明細書中に参照によって参考として援用され得る。水溶性有機硫黄添加剤化合物は、約0.0005g/Lから約0.4g/L、そして1つの実施形態では約0.001g/Lから約0.15g/Lの範囲内の濃度で、電解浴中に含有され得る。
チオ尿素
N−アセチルチオ尿素
N−トリフルオロアセチルチオ尿素
N−エチルチオ尿素
N−シアノアセチルチオ尿素
N−アリルチオ尿素
o−トリルチオ尿素
N,N’−ブチレンチオ尿素
チアゾリジンチオール
4−チアゾリンチオール
イミダゾリジンチオール(N,N’−エチレンチオ尿素)
4−メチル−2−ピリミジンチオール
2−チオウラシル。
ポリ(6−メチル−7−ジメチルアミノ−5−フェニルフェナゾニウムスルフェート)
ポリ(2−メチル−7−ジエチルアミノ−5−フェニルフェナゾニウムクロライド)
ポリ(2−メチル−7−ジメチルアミノ−5−フェニルフェナゾニウムスルフェート)
ポリ(5−メチル−7−ジメチルアミノフェナゾニウムアセテート)
ポリ(2−メチル−7−アニリノ−5−フェニルフェナゾニウムスルフェート)
ポリ(2−メチル−7−ジメチルアミノフェナゾニウムスルフェート)
ポリ(7−メチルアミノ−5−フェニルフェナゾニウムアセテート)
ポリ(7−エチルアミノ−2,5−ジフェニルフェナゾニウムクロライド)
ポリ(2,8−ジメチル−7−ジエチルアミノ−5−ρ−トリル−フェナゾニウムクロライド)
ポリ(2,5,8−トリフェニル−7−ジメチルアミノフェナゾニウムスルフェート)
ポリ(2,8−ジメチル−7−アミノ−5−フェニルフェナゾニウムスルフェート)
ポリ(7−ジメチルアミノ−5−フェニルフェナゾニウムクロライド)。
ポリエチレンイミン
ポリエチレンイミド
ポリアクリル酸アミド
ポリプロピレンイミン
ポリブチレンイミン
N−メチルポリエチレンイミン
N−アセチルポリエチレンイミン
N−ブチルポリエチレンイミン
ポリ(ジアルキルアミノエチルアクリレート)
ポリ(ジアリルジメチルアンモニウム)
ポリビニルピリジン
ポリビニルアミジン
ポリアリルアミン
ポリアミンスルホン酸。
アノードにて:
Fe2+ → Fe3+ + e−
銅供給源にて:
Cu0 + 2Fe3+ → Cu2+ + 2Fe2+
カソードにて(例えば、半導体基板にて):
Cu2+ + 2e− → Cu0(主反応)
Fe3+ + e− → Fe2+(副反応)
したがって、このシステムは、第一鉄イオンの供給源または第二鉄イオンの供給源のいずれかまたは両方で開始され得る。なぜなら、この酸化還元反応は、方法が進行するにつれてこれらのイオンを相互変換するためである。1つの実施形態では、このシステムは、第一鉄イオンの供給源および第二鉄イオンの供給源の両方で開始される。この方法の結果として、堆積溶液中の銅イオンの濃度は非常に容易に一定に保持され得、銅堆積物の均一性を維持することを助ける。
エッチング法のためのリソグラフィーおよびマスキング、
TSVの作出のためのDRIEまたはレーザーエッチング、
必要に応じて、酸化による誘電体分離層の形成、
ビアの内表面上または存在する場合は誘電体層上の物理蒸着、熱および/またはCVDによる障壁層の形成、
適切な方法(例えば、銅無電解法またはスパッタリング)による卑金属またはシード層の形成、
本明細書中に詳細に記載したようなTSVの銅堆積充填、
充填TSVの形成を完了するための適切な処理(例えばCMPおよびクリーニング)。
高純度の銅沈着物で充填されたTSVを生成するために、ウェハに、約10ミクロンの直径および約50ミクロンの深さを有するビアを備える。ビアの内側壁を、スパッタリングによって付与された窒化タンタルから形成された拡散障壁層で被覆する。窒化タンタル層を、スパッタリングによって付与されたタンタルのライナー層で被覆する。次に、ライナー層を、スパッタリングによって銅卑金属層で被覆し、銅卑金属層は、約0.1ミクロンの厚さを有する。次いで、ウェハを以下に記載の銅堆積浴に浸漬する。この浴では、ウェハをカソードとして接続し、約40℃に加熱し、本装置に不溶性アノードを入れ、そして浴を室温に維持する。以下の成分を有する浴からの電着によって高純度の銅でビアを充填し、本発明に従うTSVを形成する:
H2SO4,98重量% 130g/L
CuSO4・5H2O 70g/L
FeSO4・7H2O 15g/Lおよび
ポリエチレングリコール 8g/L
水中。
カソード電流密度 4A/dm2
浴の循環 5L/分
浴は、室温(20℃±2℃)に留まるよう冷却
基材(ウェハ)を40℃(設定温度、実際のウェハの温度はやや低いものであり得る)に加熱。
実施例1の浴を用いて異なるめっき法によって堆積したTSV内の銅応力:本発明に従い、ウェハ基材を加熱する工程および浴をより低い温度に維持する工程を含む;第1の比較例では、同様の浴および可溶性銅アノードを用いるが、添加されたFe2+/Fe3+イオンがなく、そしてウェハ基板の加熱もない;そして第2の比較例では、上記全ての成分を含む同様の浴を用いるが、ウェハ基板の加熱がない。パルス電流を、以下の表に示すパラメーターで印加する。
以下の実施例は、本発明のいくつかの実施形態に従う、電極(室温にて維持)に対して上昇した温度にて基板を保持する影響を示す。一般に、図4〜8における分極曲線は、いくつかの例外はあるものの、めっき速度が温度の上昇に伴い増強されることを示している。理論に縛られないが、観測値の複雑さは有機添加剤の温度への依存(例えば、吸着および脱着が温度で変化する)間の作用の差異に関連していると暫定的に解釈する。
試験は、好都合には、マイクロ流体電気化学セルにおいて実施され得る。市販品のフィードバックコントローラを基板の温度制御のために用い、実験加熱パッドから熱を付与する。実際の基板温度は、報告されたコントローラの値(図4〜8に示す値)よりもおよそ3℃低い。マイクロ流体チャネル内部の電解質の滞留時間は非常に少ないので、電解質の大部分が加熱されないままである(加熱された基板に隣接した小さな拡散層内は除く)。印加電位は、100mVから−275mVまでおよび逆に10mV/秒にて掃引される。明確さのために、図4〜8には、後退掃引のみを示す。
50g/L Cu、
100g/L H2SO4、
50ppm 塩化物イオン、
2ppm SPS、および
300ppm PEG.
Fe+2/Fe+3(メディエーター)、存在する場合、Feとして、12g/L。
図4(「メディエーターなし」の表示)は、堆積速度が温度と共に増加することを示し、但し曲線が交わり、全ての印加電位にて増加が見られるわけではないことを示唆する。
1)温度が高いほどトランジエントが早い
2)最終電流密度がより高くなる(図7のy軸にて電流密度がより負の値である)。
これは、温度が高いほど吸着された添加剤の量が少なくなり、そして温度が高いほど電解質の導電性が高くなるためである。図7には、40℃の試料にて見かけ上例外がある。
Claims (16)
- シリコン基板中のビア内に金属を電着してシリコン貫通ビア(TSV)を形成する方法であって、
少なくとも1つのビアを含むシリコン基板を提供する工程であって、該ビアが、1ミクロンから30ミクロンまでの範囲内の内幅寸法、5ミクロンから450ミクロンまでの深さ、および少なくとも3:1の深さ:幅アスペクト比を有する内表面を含み、そして該ビアが、該金属の後続の電着に十分な導電性を得る卑金属の厚さで該内表面を被覆する卑金属層をさらに含む、工程;
該卑金属層がカソードとして接続された電解金属めっきシステム内に、電解浴を提供する工程であって、
該システムが、
該シリコン基板を保持し、そして該シリコン基板を第一の温度まで均一に加熱するように適合されたチャック、
冷却ユニットを備える、該電解浴の温度を第二の温度に維持する温度制御デバイス、
不溶性寸法安定アノードおよび該金属の金属供給源をさらに含み、
ここで該電解浴が、酸、該金属のイオンの供給源、第一鉄および/または第二鉄イオンの供給源、および堆積された金属の物理的機械的特性を制御するための少なくとも1つの添加剤を含む、工程;および
該不溶性寸法安定アノードと該卑金属層との間に電圧を印加し、該卑金属層上に該金属を電着してTSVを形成するのに十分な時間にわたって該浴を通じてそれらの間に電流が流れるようにする工程
を含み、
ここでFe+2/Fe+3酸化還元系が該浴中に確立され、該金属供給源から該金属イオンのイオンを溶解することにより、電着される該金属のさらなるイオンを提供し、そしてここで該第一の温度が、30℃から60℃までの範囲内で維持され、そして該第二の温度が、該冷却ユニットによって、(a)該第一の温度よりも少なくとも5℃低く、かつ(b)15℃から35℃までの範囲内である温度に維持される、方法。 - 前記金属が銅である、請求項1に記載の方法。
- 前記内表面が誘電材料の層で被覆され、そして前記卑金属層が該誘電材料の層を被覆する、請求項1または2のいずれかに記載の方法。
- 前記内表面が誘電材料の層で被覆され、該誘電材料の層が障壁層により被覆され、そして前記卑金属層が該障壁層を被覆する、請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- 前記誘電体層が、二酸化ケイ素を含む、請求項3または4に記載の方法。
- 前記卑金属層が、無電解めっき法、物理蒸着法、化学蒸着法、またはプラズマ増強化学蒸着法の1つ以上によって、前記障壁層の上に形成される、請求項4に記載の方法。
- 前記障壁層が、窒化タンタルを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記障壁層が、タンタルを含むライナー層によって被覆される、請求項7に記載の方法。
- 前記印加工程が、前記金属を電着して、前記ビア内に、TSVとして機能し得るのに十分な厚さの金属ライニングを形成するのに有効である、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
- 前記堆積された金属が、内部応力を実質的に含まないか、または後続の加工処理に際し前記シリコン基板の反りを生じないレベルの内部応力を含むかのいずれかである、請求項1から9のいずれかに記載の方法。
- 前記卑金属層が、0.02μmから0.5μmまでの範囲内の厚さを有する、請求項1から10のいずれかに記載の方法。
- 前記卑金属層が、銅を含む、請求項1から11のいずれかに記載の方法。
- 前記電解浴中において、
前記酸が、50から350g/Lの範囲内の濃度の硫酸であり、
前記金属のイオンの供給源が、20から250g/Lの範囲内の濃度の硫酸銅五水和物であり、
前記第一鉄および/または第二鉄イオンの供給源が、1から120g/Lの範囲内の濃度の硫酸第一鉄七水和物および/または硫酸第二鉄九水和物であり、そして
前記少なくとも1つの添加剤が、ポリマー酸素含有化合物、有機硫黄化合物、チオ尿素化合物、およびポリマーフェナゾニウム化合物の1つ以上を含む、
請求項1から12のいずれかに記載の方法。 - 前記電圧が、パルス電流またはパルス電圧で印加される、請求項1から13のいずれかに記載の方法。
- 前記電圧が、両極性パルスを有する逆パルス形式で印加される、請求項14に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの添加剤の1つ以上が、前記第一の温度にて前記電解浴中で実質的な分解を受けるが、前記第二の温度にて実質的に分解しない、請求項1から15のいずれかに記載の方法。
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