JP5682324B2 - サーモクロミック体及びサーモクロミック体の製造方法 - Google Patents
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Description
1.サーモクロミック体
2.サーモクロミック体の製造方法
3.サーモクロミック体の適用例
4.実施例
<1−1.2層積層膜構造>
図1は、2層積層膜構造からなるサーモクロミック体1の構成例を示す断面図である。本発明に係るサーモクロミック体1は、図1に示すように、基体10上に、酸化マグネシウム薄膜又は酸化マグネシウムに亜鉛を添加した酸化物薄膜からなる下地膜11と、下地膜11上に形成された二酸化バナジウム系薄膜12とを備える。
図2は、3層積層膜構造からなるサーモクロミック体2の構成例を示す断面図である。以下のサーモクロミック体2の説明では、上述した図1に示すサーモクロミック体1と同一の構成については同一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。
本実施の形態に係るサーモクロミック体1は、基体10上に、酸化マグネシウム薄膜又は酸化マグネシウムに亜鉛を添加した酸化物薄膜を下地膜11として形成し、下地膜11上に二酸化バナジウム系薄膜12を形成することにより得られる。
上述した本実施の形態に係るサーモクロミック体は、例えば、熱線遮蔽ガラスや、熱線遮蔽フィルムに好適に適用することができる。熱線遮蔽ガラスや熱線遮蔽フィルムは、例えば、基体10としてガラスやフィルムを用い、この基体10上に下地膜11を形成し、下地膜11上に二酸化バナジウム系薄膜12を形成することにより得られる。基体10であるガラスやフィルム上に形成された下地膜11上に、二酸化バナジウム系薄膜12を形成することにより、基体10の材質が制限されず、例えば、非耐熱性のフィルム等に対しても、室温近傍で結晶性の良好なVO2相からなる二酸化バナジウム系薄膜12を形成することができる。
下記の実施例及び比較例において得られた各層の薄膜の組成は、ICP発光分光法によって調べた。各層の薄膜の膜厚は表面粗さ計(テンコール社製Alpha−Step IQ)で測定した。成膜速度は、膜厚と成膜時間から算出した。
実施例1〜6では、下地膜である酸化マグネシウム薄膜上に、二酸化バナジウム薄膜を形成した2層積層膜構造のサーモクロミック体を形成した。
実施例7〜12では、下地膜として、酸化マグネシウムの代わりに、マグネシウムの含有量がMg/(Mg+Zn)で表される原子数比で0.30である酸化マグネシウムと、亜鉛の含有量がZn/(Mg+Zn)で表される原子数比で0.70である亜鉛とを含む酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたことを除いて、実施例1〜6と同様のスパッタリング装置及び基板を用いてサーモクロミック体を作製した。基板温度は、室温(実施例7)、100℃(実施例8)、200℃(実施例9)、300℃(実施例10)、400℃(実施例11)、500℃(実施例12)とした。
実施例13〜18では、下地膜として、酸化マグネシウムの代わりに、マグネシウムの含有量がMg/(Mg+Zn+Al)で表される原子数比で0.18、亜鉛の含有量がZn/(Mg+Zn+Al)で表される原子数比で0.77、アルミニウムの含有量がAl/(Mg+Zn+Al)で表される原子数比で0.05である、マグネシウム、亜鉛及びアルミニウムを含む酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたことを除いては、基板温度を室温(実施例13)、100℃(実施例14)、200℃(実施例15)、300℃(実施例16)、400℃(実施例17)、500℃(実施例18)として、実施例1〜6と同様のスパッタリング装置及び基板を用いてサーモクロミック体を作製した。
実施例19〜24では、下地膜として、酸化マグネシウムの代わりに、マグネシウムの含有量がMg/(Mg+Zn+Ga)で表される原子数比で0.105、亜鉛の含有量がZn/(Mg+Zn+Ga)で表される原子数比で0.845、ガリウムの含有量がGa/(Mg+Zn+Ga)で表される原子数比で0.05である、マグネシウム、亜鉛及びガリウムを含む酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたことを除いて、実施例1〜6と同様のスパッタリング装置及び基板を用いてサーモクロミック体を作製した。基板温度は、室温(実施例19)、100℃(実施例20)、200℃(実施例21)、300℃(実施例22)、400℃(実施例23)、500℃(実施例24)とした。
実施例25〜30では、下地膜として、酸化マグネシウムの代わりに、マグネシウムの含有量がMg/(Mg+Zn+Ga+Al)で表される原子数比で0.01、亜鉛の含有量がZn/(Mg+Zn+Ga+Al)で表される原子数比で0.94、アルミニウムの含有量がAl/(Mg+Zn+Ga+Al)で表される原子数比で0.025、並びにガリウムの含有量がGa/(Mg+Zn+Ga+Al)で表される原子数比で0.025である、マグネシウム、亜鉛、アルミニウム及びガリウムを含む酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたことを除いて、実施例1〜6と同様のスパッタリング装置及び基板を用いてサーモクロミック体を作製した。基板温度は、室温(実施例25)、100℃(実施例26)、200℃(実施例27)、300℃(実施例28)、400℃(実施例29)、500℃(実施例30)とした。
実施例31では、ガラス基板の代わりに、厚み100μmのPETフィルムを基板に用いたことを除いては、基板温度が室温の実施例7と同様のスパッタリング装置を用いてサーモクロミック体を作製した。
実施例32では、酸化マグネシウムに亜鉛及びガリウムを添加した酸化物薄膜からなる下地膜(第1層)と、下地膜上に形成された二酸化バナジウム系薄膜(第2層)と、二酸化バナジウム系薄膜に形成された酸化ケイ素薄膜(第3層)とを備えるサーモクロミック体を形成した。このサーモクロミック体は、波長λ0=300nmとして、下地膜及び酸化ケイ素薄膜の光学膜厚がλ0/4、二酸化バナジウム系薄膜の光学膜厚がλ0/2となるように、物理的な膜厚を調整した。
実施例33では、酸化ケイ素薄膜(第3層)の光学膜厚をλ3/4とした場合に、波長λ3をλ3=300nmからλ3=500nm相当に厚くしたこと以外は、実施例32と同様にサーモクロミック体を形成した。なお、第3層の物理的な膜厚は85nmであり、実施例32とは異なることが確認された。
実施例34では、酸化マグネシウムに亜鉛及びガリウムを添加した酸化物薄膜からなる下地膜(第1層)の光学膜厚をλ1/4とした場合に、波長λ1をλ1=300nmからλ1=500nm相当に厚くしたこと以外は、実施例32と同様にサーモクロミック体を形成した。なお、第1層の物理的な膜厚は65nmであり、実施例32と異なることが確認された。
実施例35では、酸化マグネシウムに亜鉛及びガリウムを添加した酸化物薄膜からなる下地膜(第1層)、及び酸化ケイ素薄膜(第3層)の光学膜厚をλ1/4及びλ3/4とした場合に、波長λ1をλ1=500nm及び波長λ3をλ3=500nm相当に厚くしたこと以外は、実施例32と同様にサーモクロミック体を形成した。なお、第1層ならびに第3層の物理的な膜厚は、それぞれ65nm及び85nmであり、実施例32と異なることが確認された。
比較例1〜6では、下地膜として、酸化マグネシウムの代わりに、酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたこと以外は、実施例1〜6と同様のスパッタリング装置及び基板を用いて2層積層膜構造のサーモクロミック体を作製した。基板温度は、室温(比較例1)、100℃(比較例2)、200℃(比較例3)、300℃(比較例4)、400℃(比較例5)、500℃(比較例6)とした。
比較例7では、コーニング7059の基板上に、二酸化バナジウム薄膜のみの形成を実施した。具体的には、酸素流量比を0.7%とした以外は実施例1〜6と同様のプロセスによって、実施例32と同じ膜厚、すなわち光学膜厚λ0/4(λ0=300nm)相当の膜厚となるように、二酸化バナジウム薄膜を基板温度400℃にて形成した。しかしながら、得られた薄膜にはVO2相が形成されず非晶質であったため、酸素流量比を0.5%として同様の薄膜を形成した。
表1及び図3に示す結果から明らかなように、下地膜として酸化マグネシウム薄膜を用いた場合(実施例1〜実施例6)、下地膜としてマグネシウムと亜鉛を含む酸化物薄膜を用いた場合(実施例7〜実施例12)、下地膜としてマグネシウムと亜鉛、並びにガリウム及び/又はアルミニウムを含む酸化物薄膜を用いた場合(実施例13〜実施例30)には、室温〜500℃の基板温度において、空間群P21/cの単斜晶系の結晶構造からなるVO2相を生成できることが分かった。
次に、図4によって、実施例32〜35の下地膜が酸化マグネシウムに亜鉛及びガリウムを添加した酸化物薄膜と、下地膜上に形成された二酸化バナジウム系薄膜と、二酸化バナジウム系薄膜上に形成された酸化ケイ素薄膜とからなる3層積層膜構造のサーモクロミック体と、比較例7のコーニング7059ガラス基板上に直接成膜された二酸化バナジウム薄膜の透過率とを比較する。
Claims (12)
- 基体上に形成された酸化マグネシウム薄膜又は酸化マグネシウムに亜鉛を添加した酸化
物薄膜からなる下地膜と、
前記下地膜上に形成された二酸化バナジウム系薄膜と
を備えることを特徴とするサーモクロミック体。 - 前記下地膜のマグネシウム添加量が、Mg/(Mg+Zn)で表されるマグネシウム原子数比で0.01〜1.0であることを特徴とする請求項1に記載のサーモクロミック体。
- 前記下地膜は、酸化マグネシウムに亜鉛を添加した酸化物薄膜からなり、
前記下地膜のマグネシウム添加量が、Mg/(Mg+Zn)で表されるマグネシウム原子数比で0.01〜0.18であることを特徴とする請求項1又は2に記載のサーモクロミック体。 - 前記下地膜は、酸化マグネシウムに亜鉛を添加した酸化物薄膜に、さらにアルミニウム及び/又はガリウムが添加されてなり、
マグネシウム添加量が、Mg/(Mg+Zn+Al+Ga)で表されるマグネシウム原子数比で0.01〜0.18であり、かつ、(Al+Ga)/(Mg+Zn+Al+Ga)で表されるアルミニウム及び/又はガリウム原子数比で0.05以下であることを特徴とする請求項1に記載のサーモクロミック体。 - 前記二酸化バナジウム系薄膜上に、さらに酸化ケイ素薄膜を備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のサーモクロミック体。
- 波長λ0において、前記下地膜の光学膜厚をλ0/4、前記二酸化バナジウム系薄膜の光学膜厚をλ0/2、前記酸化ケイ素薄膜の光学膜厚をλ0/4とすることを特徴とする請求項5に記載のサーモクロミック体。
- 波長λ0が200〜400nmであり、波長λ3が該λ0を超えて700nm以下の範囲である場合に、
前記下地膜の光学膜厚をλ0/4、前記二酸化バナジウム系薄膜の光学膜厚をλ0/2、前記酸化ケイ素薄膜の光学膜厚をλ3/4とすることを特徴とする請求項5に記載のサーモクロミック体。 - 波長λ0が200〜400nmであり、波長λ1が該λ0を超えて700nm以下の範囲である場合に、
前記下地膜の光学膜厚をλ1/4、前記二酸化バナジウム系薄膜の光学膜厚をλ0/2、前記酸化ケイ素薄膜の光学膜厚をλ0/4とすることを特徴とする請求項5に記載のサーモクロミック体。 - 波長λ0が200〜400nmであり、波長λ1及びλ3が該λ0を超えて700nm以下の範囲である場合に、
前記下地膜の光学膜厚をλ1/4、前記二酸化バナジウム系薄膜の光学膜厚をλ0/2、前記酸化ケイ素薄膜の光学膜厚をλ3/4とすることを特徴とする請求項5に記載のサーモクロミック体。 - 請求項1乃至9のいずれか1項に記載のサーモクロミック体を有する熱線遮蔽ガラス。
- 請求項1乃至9のいずれか1項に記載のサーモクロミック体を有する熱線遮蔽フィルム。
- 基体上に、酸化マグネシウム薄膜又は酸化マグネシウムに亜鉛を添加した酸化物薄膜を下地膜として形成し、該下地膜上に、二酸化バナジウム系薄膜を形成することを特徴とするサーモクロミック体の製造方法。
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