JP5673924B2 - 分子線エピタキシー装置 - Google Patents
分子線エピタキシー装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5673924B2 JP5673924B2 JP2010190966A JP2010190966A JP5673924B2 JP 5673924 B2 JP5673924 B2 JP 5673924B2 JP 2010190966 A JP2010190966 A JP 2010190966A JP 2010190966 A JP2010190966 A JP 2010190966A JP 5673924 B2 JP5673924 B2 JP 5673924B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molecular beam
- plasma
- tube
- radical source
- beam epitaxy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 title claims description 35
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims description 72
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 19
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 150000002831 nitrogen free-radicals Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen(.) Chemical compound [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910000938 samarium–cobalt magnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000828 alnico Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 hydrogen radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 238000001072 vacuum ultraviolet spectrophotometry Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
- C30B23/066—Heating of the material to be evaporated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3178—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for applying thin layers on objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
- H05H1/2443—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes the plasma fluid flowing through a dielectric tube
- H05H1/2465—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes the plasma fluid flowing through a dielectric tube the plasma being activated by inductive coupling, e.g. using coiled electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/30—Plasma torches using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/006—Details of gas supplies, e.g. in an ion source, to a beam line, to a specimen or to a workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/083—Beam forming
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/327—Arrangements for generating the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
本発明は、ラジカル源と分子線セルとを有した分子線エピタキシー（ＭＢＥ）装置に関する。特に、ラジカル源によって生成されるラジカル密度が高く、成膜速度が向上されたＭＢＥ装置に関する。
近年、ＬＥＤやパワーデバイスの半導体材料として、III 族窒化物半導体の重要性が増大している。III 族窒化物半導体の結晶成長には、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）が知られており、現在主としてＭＯＣＶＤ法が用いられている。
しかしＭＯＣＶＤ法は、アンモニアを大量に必要とすることによるコスト高や、多色発光のＬＥＤを作成するためのIII 族窒化物半導体への希土類金属元素の添加に対して、有効な有機金属材料がないこと、などの多くの課題を有している。
一方、ＭＢＥ法は、低不純物濃度のIII 族窒化物半導体を容易に形成可能であり、希土類金属元素の添加も容易であるという利点がある。ＭＢＥ法によってIII 族窒化物半導体を結晶成長させる場合、材料源としてIII 族元素、窒素の原子蒸気の生成が必要になる。III 族元素は固体金属なので、通常、ＰＢＮ（熱分解窒化ホウ素）製のるつぼに金属を入れて加熱して原子蒸気を発生させている。これに対して窒素は気体であるため、通常、窒素分子ガスを分解する方法や、アンモニアガスを分解する方法などの方法によって原子蒸気を発生させている。この窒素分子ガスを分解して窒素の原子蒸気を生成する方法として、コイル状の電極に高周波電力を印加して生成する誘導結合プラズマを用いた窒素ラジカル源が使われる（たとえば特許文献１）。窒素ラジカル源を使用してIII 族窒化物半導体の結晶成長速度を向上させるためには、ラジカルのフラックス密度を高める必要がある。
高密度のラジカルを生成することができるラジカル源として、特許文献２に記載のラジカル源がある。特許文献２のラジカル源は、窒素ガスを供給する供給管、ＣＣＰ（容量結合プラズマ）を生成するＣＣＰ部、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）を生成するＩＣＰ部とをこの順に直列に接続した構造である。この構造によると、ＩＣＰ部でプラズマ化される前に、あらかじめＣＣＰ部でプラズマ化され、ＣＣＰがＩＣＰに導入されるため、高い窒素ラジカル密度が得られる。
しかし、従来のＭＢＥ装置では、ラジカル源により生成させる窒素ラジカルの密度が低く、その結果、III 族窒化物半導体の成膜速度が遅いという問題があった。また、生成される窒素ラジカルの密度が向上された特許文献２に記載のラジカル源を、ＭＢＥ装置に適用することも考えられる。しかし、特許文献２に記載のラジカル源をもってしてもIII 族窒化物半導体の成膜速度を向上させるのには窒素ラジカル密度が十分でない。
そこで本発明の目的は、ラジカル源を有したＭＢＥ装置において、ラジカル源の生成するラジカル密度が高く、結晶の成膜速度が向上されたＭＢＥ装置を提供することである。
第１の発明は、ラジカルを生成するラジカル源と、分子線あるいは原子線を生成する分子線セルと、内部に基板を保持する真空容器とを有し、真空中においてラジカルと分子線あるいは原子線を基板に照射することによって、ラジカルの元素と分子線あるいは原子線の元素とで構成される化合物を基板上に結晶成長させる分子線エピタキシー装置において、ラジカル源は、気体を供給する導体から成る供給管と、供給管の下流側において供給管と接続する誘電体からなるプラズマ生成管と、プラズマ生成管の外壁に位置し、プラズマ生成管の内部に誘導結合プラズマを発生させるコイルと、プラズマ生成管の外壁であって、コイルよりも供給管に近い側に位置し、プラズマ生成管の内部に容量結合プラズマを発生させて誘導結合プラズマ中に容量結合プラズマを導入する電極と、誘電体からなり、供給管の開口であって供給管とプラズマ生成管との接続側に挿入され、供給管の内壁を覆う寄生プラズマ防止管と、を有する、ことを特徴とする分子線エピタキシー装置である。
上記のラジカル源は複数設けられていてもよく、結晶成長させる化合物の構成元素以外の元素のラジカルを供給するラジカル源を設けてもよい。たとえば、III 族窒化物半導体の成膜材料となる窒素ラジカルを供給するラジカル源と、基板のクリーニングなどに用いる水素ラジカルを供給するラジカル源とを、それぞれ設けるようにしてもよい。
ラジカル源における寄生プラズマ防止管は、電極と供給管内壁との間で寄生プラズマが生じてラジカル密度の低下を引き起こしてしまうのを防止するものである。寄生プラズマ防止管の材料は、ＢＮ、ＰＢＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 などのセラミックを用いることができる。
第２の発明は、第１の発明において、ラジカル源は、容量結合プラズマの発生する領域のプラズマ生成管外周に沿って配置され、プラズマ生成管の中心部に容量結合プラズマを偏在させる複数の永久磁石をさらに有することを特徴とする分子線エピタキシー装置である。
永久磁石は、消磁防止の観点からキュリー温度の高いものが望ましく、たとえばＳｍＣｏ磁石、ＡｌＮｉＣｏ磁石などを用いる。
第３の発明は、第２の発明において、ラジカル源の電極は、その内部で水を還流させる中空部を有し、永久磁石は、電極の内部であって、中空部に露出するよう配置されている、ことを特徴とする分子線エピタキシー装置である。
第４の発明は、第１の発明から第３の発明において、電極は、円筒形状であることを特徴とする分子線エピタキシー装置である。
第５の発明は、第１の発明から第４の発明において、ラジカル源は、供給管により窒素が供給され、窒素ラジカルを生成する窒素ラジカル源であり、結晶成長させる化合物は窒化物である、ことを特徴とする分子線エピタキシー装置である。
第５の発明は、第１の発明から第４の発明において、ラジカル源は、供給管により窒素が供給され、窒素ラジカルを生成する窒素ラジカル源であり、結晶成長させる化合物は窒化物である、ことを特徴とする分子線エピタキシー装置である。
第６の発明は、第５の発明において、分子線セルは、III 族金属の分子線を生成するものであり、結晶成長させる化合物は、III 族窒化物半導体であることを特徴とする分子線エピタキシー装置である。
本発明におけるラジカル源は、寄生プラズマ防止管によって、供給管の内壁と容量結合プラズマ電極との間での放電により、供給管内部に寄生プラズマが発生してしまうのを防止することができる。これにより、容量結合プラズマはプラズマ生成管内部にのみ生成され、プラズマ密度が向上する。その結果、容量結合プラズマ形成によるラジカル生成能力を向上させることができ、より高密度のラジカルを生成することができる。したがって、本発明の分子線エピタキシー装置は、ラジカル源によって高密度なラジカルを供給することができるので、成膜速度の向上を図ることができる。
また、第２の発明におけるラジカル源は、プラズマ生成管の中心部に容量結合プラズマを収縮して偏在させた状態で、容量結合プラズマを誘導結合プラズマに導入することができ、ラジカルのフラックス密度を高めるために高いガス圧とした場合において、プラズマ生成管の中心部における誘導結合プラズマの密度が減少してしまうのを補償することができる。そのため、より高密度のラジカルを生成することができる。また、容量結合プラズマにはエネルギーの高い電子が多く存在しており、これが誘導結合プラズマに注入されるため、ガス分子の原子への分解能を向上させることができるとともに、原子状ラジカルに高い内部エネルギーを付与することができる。このような内部エネルギーの高い原子状ラジカルは、結晶表面における表面マイグレーション機能を高めること（すなわち、到達した元素が基板表面において十分に動き、成長サイトに到達しやすくなること）ができ、結晶性の向上を図ることができる。したがって、本発明の分子線エピタキシー装置は、ラジカル源によって高密度かつ内部エネルギーの高い原子状ラジカルを供給することができるので、結晶性の向上を図ることができる。また、成膜の際に成長温度の低減などを図ることもできる。
また、第３の発明におけるプラズマ源は、容量結合プラズマ電極の中空部に水を還流させることで、容量結合プラズマ電極の温度上昇を抑制することができる。また、磁石を直接水に浸して冷却することができる。そのため、磁石の消磁を抑制することができ、高密度なラジカルの生成を長時間持続することができる。したがって、本発明によれば、成膜の安定性を向上させることができる。
また、第５の発明のように、本発明の分子線エピタキシー装置は、窒化物の成膜に利用することができ、また、第６の発明のように、III 族窒化物半導体の成膜に利用することができる。
以下、本発明の具体的な実施例について図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
図１は、実施例１のＭＢＥ装置の構成を示した図である。実施例１のＭＢＥ装置は、図１のように、内部が１０-8Ｐａ程度の超真空に保持される真空容器１と、真空容器１の内部に設けられ、基板３を保持し、基板３の回転、加熱が可能な基板ステージ２と、基板３表面に分子線（原子線）を照射する分子線セル４Ａ〜Ｃと、基板３表面に窒素ラジカルを供給するラジカル源５と、を備えている。実施例１のＭＢＥ装置は、超真空中に加熱して保持された基板３表面に、分子線セル４Ａ〜ＣによってIII 族金属の原子線を、ラジカル源によって窒素ラジカルを照射することで、基板３表面にIII 族窒化物半導体を結晶成長させる装置である。
分子線セル４Ａ〜Ｃは、III 族金属材料を保持する坩堝、坩堝を加熱するヒータ、シャッターを有し、坩堝を加熱してIII 族金属の蒸気を発生させて原子線を形成し、原子線をシャッターによって開閉することで原子線量を制御可能としている。分子線セル４Ａ〜Ｃは、たとえば分子線セル４ＡがＧａ、分子線セル４ＢがＩｎ、分子線セル４ＣがＡｌの原子線を生成する。他に、ｎ型不純物（たとえばＳｉ）や、ｐ型不純物（たとえばＭｇ）の分子線を基板３に照射する分子線セル４を設けてもよい。
図２は、ラジカル源５の詳細な構成を示した図である。また、図３は、図２でのＡ−Ａにおける断面図である。
図２、３のように、ラジカル源５は、ＳＵＳからなり、窒素ガスが供給される供給管１０と、供給管１０に接続する熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）からなる円筒状のプラズマ生成管１１を有している。プラズマ生成管１１の内径は２４ｍｍであり、長さは９０ｍｍである。プラズマ生成管１１の供給管１０接続側とは反対側の開口には、直径５ｍｍの孔が開けられたオリフィス板１９が配置されている。
プラズマ生成管１１の外側であって、供給管１０とプラズマ生成管１１との接続部近傍には、円筒形のＣＣＰ電極１３が配置されている。ＣＣＰ電極１３は、その内部に中空部１３ａを有している。また、ＣＣＰ電極１３には給水管１６および排水管１７が接続されており、ＣＣＰ電極１３の中空部１３ａと給水管１６および排水管１７の管内とが連続している。給水管１６からＣＣＰ電極１３の中空部１３ａへと冷却水を導入し、排水管１７より冷却水を排出することが可能な構造となっており、冷却水を還流させてＣＣＰ電極１３を冷却可能となっている。
ＣＣＰ電極１３の内部には、プラズマ生成管１１の外周に沿って等間隔に６個の永久磁石１４が配置されている。永久磁石１４はＳｍＣｏからなる。また、これらの永久磁石１４は、ＣＣＰ電極１３の中空部１３ａに露出している。そのため、ＣＣＰ電極１３の中空部１３ａに冷却水を還流させてＣＣＰ電極１３を冷却する際、永久磁石１４は冷却水と直接接触する。これにより、ＣＣＰ電極１３の加熱によって上昇する永久磁石１４の温度を効率的に抑えることができる。
プラズマ生成管１１の外側であって、ＣＣＰ電極１３よりも下流側（供給管１０側とは反対側）には、プラズマ生成管１１の外周に沿って巻かれたコイル１２を有している。コイル１２は中空のステンレス管を３回半巻いたものであり、そのステンレス管内部に冷却水を通して冷却できる構造となっている。
ＣＣＰ電極１３とコイル１２には高周波電源（図示しない）が接続されており、供給管１０は接地されている。高周波電源によって高周波電力をＣＣＰ電極１３、コイル１２にそれぞれ印加することで、プラズマ生成管１１内部であって外周にコイル１２が配置された領域に誘導結合プラズマを、プラズマ生成管１１内部であって外周にＣＣＰ電極１３が配置された領域に容量結合プラズマを、それぞれ形成することができる。
供給管１０とプラズマ生成管１１との接続部における供給管１０の開口には、供給管１０側に向かって、セラミックからなる寄生プラズマ防止管１５が挿入されている。寄生プラズマ防止管１５の内径は１ｍｍ、外径は供給管１０の内径にほぼ等しい。この寄生プラズマ防止管１５の挿入により、供給管１０の内壁は寄生プラズマ防止管１５に覆われ、ＣＣＰ電極１３と供給管１０の内壁との間で寄生プラズマが発生してしまうのが防止される。
寄生プラズマを効果的に防止するためには、寄生プラズマ防止管１５の挿入長は、供給管１０の内径の１０倍以上とすることが望ましい。より望ましくは、供給管１０の内径の２０〜５０倍である。
これらのプラズマ生成管１１、コイル１２、ＣＣＰ電極１３は、円筒状の筐体１８に納められている。筐体１８は、ラジカル照射側が開口している。その開口近傍には、イオンを除去するための電極、あるいは磁石（いずれも図示しない）を配置してもよい。
ラジカル源５は、プラズマ生成管１１内部に供給管１０から窒素ガスを供給し、コイル１２およびＣＣＰ電極１３への高周波電力の印加によって、プラズマ生成管１１内部に誘導結合プラズマと容量結合プラズマとをそれぞれ生成し、容量結合プラズマを誘導結合プラズマに注入することによって高密度の窒素ラジカルを生成する構成である。
ここで、ラジカル源５では、供給管１０に寄生プラズマ防止管１５が挿入されており、ＣＣＰ電極１３と供給管１０の内壁との間での放電により供給管１０内部に寄生プラズマが生じてしまうのを防止している。この寄生プラズマ防止管１５を挿入したことにより、容量結合プラズマがプラズマ生成管１１内部にのみ生成され、容量結合プラズマのプラズマ密度が向上する。そのため、生成される窒素ラジカル密度も向上する。
また、容量結合プラズマは、６個の永久磁石１４によるカプス磁場によって、プラズマ生成管１１の中心部に収縮して偏在する。窒素分子の分解能を高めるために高いガス圧力とする場合、誘導結合プラズマは通常はハイブライトモードではなく、ローブライトモードとなる。ハイブライトモードとは、プラズマ生成管１１の中心部にプラズマが形成された状態であり、ラジカル密度が高い状態である。一方、ローブライトモードとは、プラズマ形状がプラズマ生成管１１の内壁に沿って形成され、中心部のプラズマ密度が低い状態であり、ラジカル密度が低い状態である。しかし、中心部に偏在した容量結合プラズマを誘導結合プラズマに注入することで、ローブライトモードのプラズマ形状が変動し、中心部でのプラズマ密度の低下が補償される。その結果、高いガス圧力の場合であっても、中心部のプラズマ密度が向上し、誘導結合プラズマのみを生成する場合に比べて非常に高いラジカル密度を実現することができる。また、容量結合プラズマ中に多く存在する高エネルギーな電子により、窒素ガスの分子から原子への分解能が高まるとともに、その生成された原子状ラジカルの内部エネルギーが向上する。
また、永久磁石１４は、ＣＣＰ電極１３の中空部１３ａに冷却水を還流させることで直接冷却することができ、永久磁石１４の温度上昇を抑制して永久磁石１４の消磁を効果的に防止することができる。そのため、プラズマ生成管１１の中心部にＣＣＰプラズマが偏在する状態を長時間維持することができ、その結果、長時間にわたって高密度なラジカルの生成を維持することができる。
実施例１のＭＢＥ装置では、上記のように生成される窒素ラジカルの密度が高いラジカル源５を備えているため、III 族窒化物半導体の成膜速度が従来のＭＢＥ装置に比べて向上している。また、内部エネルギーの高い窒素ラジカルを照射することができるので、結晶表面における窒素の表面マイグレーション機能を高めることができる。すなわち、窒素元素が結晶表面で十分に動き、成長サイトに到達する確率が向上し、結晶性の向上や、層間界面の急峻性の向上を図ることができる。また、基板６の温度を低減することができ、これによりさらなる結晶性の向上を図ることができる。また、ラジカル源５は長時間にわたって窒素ラジカルを生成できるため、III 族窒化物半導体の成膜も長時間安定して行うことができる。
図４は、実施例１のラジカル源によって発生させた窒素ラジカルの密度を、真空紫外吸光分光法によって測定し、窒素ラジカルの密度と窒素ガスの流速との関係を調べた結果である。従来の誘導結合プラズマによって発生させるラジカル源では、窒素ラジカルの密度はおよそ１×１０11ｃｍ-3であるのに対し、実施例１のラジカル源を用いると、窒素ガス流速が５〜３５ｓｃｃｍの範囲において１×１０11ｃｍ-3よりも高い密度であることがわかる。特に窒素ガス流速が１５〜２５ｓｃｃｍの範囲では、１×１０12ｃｍ-3以上の密度であり、従来のラジカル源に比べて１０倍以上の密度の窒素ラジカルが生成されていることがわかる。
図５は、基板３の温度を８４０℃、圧力を１×１０-4Ｔｏｒｒ、窒素ガス流速を１５ｓｃｃｍとし、Ｇａフラックスを変化させた場合のＧａＮの成膜速度を測定した結果を示したグラフである。ＧａＮの成膜速度は、Ｇａフラックスを２×１０-6ｔｏｒｒとした場合には７００ｎｍ／ｈ、４×１０-6ｔｏｒｒとした場合には１４００ｎｍ／ｈであった。従来のＭＢＥ装置では、ＧａＮの成膜速度は５００ｎｍ／ｈ程度であったが、実施例１のＭＢＥ装置では、ラジカル源５の生成する窒素ラジカルの密度が高いため、従来のＭＢＥ装置に比べて約３倍の成膜速度を実現することができた。
本発明のＭＢＥ装置は、III 族窒化物半導体の成膜装置として有用である。
１：真空容器
２：基板ステージ
３：基板
４Ａ〜Ｃ：分子線セル
５：ラジカル源
１０：供給管
１１：プラズマ生成管
１２：コイル
１３：ＣＣＰ電極
１４：永久磁石
１５：寄生プラズマ防止管
１６：給水管
１７：排水管
１８：筐体
２：基板ステージ
３：基板
４Ａ〜Ｃ：分子線セル
５：ラジカル源
１０：供給管
１１：プラズマ生成管
１２：コイル
１３：ＣＣＰ電極
１４：永久磁石
１５：寄生プラズマ防止管
１６：給水管
１７：排水管
１８：筐体
Claims (6)
- ラジカルを生成するラジカル源と、分子線あるいは原子線を生成する分子線セルと、内部に基板を保持する真空容器とを有し、真空中において前記ラジカルと前記分子線あるいは原子線を基板に照射することによって、前記ラジカルの元素と前記分子線あるいは原子線の元素とで構成される化合物を前記基板上に結晶成長させる分子線エピタキシー装置において、
前記ラジカル源は、
気体を供給する導体から成る供給管と、
前記供給管の下流側において前記供給管と接続する誘電体からなるプラズマ生成管と、
前記プラズマ生成管の外壁に位置し、前記プラズマ生成管の内部に誘導結合プラズマを発生させるコイルと、
前記プラズマ生成管の外壁であって、前記コイルよりも前記供給管に近い側に位置し、前記プラズマ生成管の内部に容量結合プラズマを発生させて誘導結合プラズマ中に容量結合プラズマを導入する電極と、
誘電体からなり、前記供給管の開口であって前記供給管と前記プラズマ生成管との接続側に挿入され、前記供給管の内壁を覆う寄生プラズマ防止管と、
を有する、
ことを特徴とする分子線エピタキシー装置。 - 前記ラジカル源は、前記容量結合プラズマの発生する領域の前記プラズマ生成管外周に沿って配置され、前記プラズマ生成管の中心部に前記容量結合プラズマを偏在させる複数の永久磁石をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の分子線エピタキシー装置。
- 前記電極は、その内部で水を還流させる中空部を有し、
前記永久磁石は、前記電極の内部であって、前記中空部に露出するよう配置されている、ことを特徴とする請求項２に記載の分子線エピタキシー装置。 - 前記電極は、円筒形状であることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の分子線エピタキシー装置。
- 前記ラジカル源は、前記供給管により窒素が供給され、窒素ラジカルを生成する窒素ラジカル源であり、結晶成長させる前記化合物は窒化物である、ことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の分子線エピタキシー装置。
- 前記分子線セルは、III 族金属の分子線を生成するものであり、結晶成長させる前記化合物は、III 族窒化物半導体であることを特徴とする請求項５に記載の分子線エピタキシー装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010190966A JP5673924B2 (ja) | 2010-08-27 | 2010-08-27 | 分子線エピタキシー装置 |
| EP11819589.0A EP2610895B1 (en) | 2010-08-27 | 2011-08-24 | Radical source and molecular beam epitaxy apparatus |
| PCT/JP2011/004684 WO2012026113A1 (ja) | 2010-08-27 | 2011-08-24 | ラジカル源及び分子線エピタキシー装置 |
| US13/819,284 US9447518B2 (en) | 2010-08-27 | 2011-08-24 | Radical generator and molecular beam epitaxy apparatus |
| US15/242,263 US10577719B2 (en) | 2010-08-27 | 2016-08-19 | Radical generator and molecular beam epitaxy apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010190697A JP2012047625A (ja) | 2010-08-27 | 2010-08-27 | ナノインデンテーション試験用圧子及びその製造方法 |
| JP2010190966A JP5673924B2 (ja) | 2010-08-27 | 2010-08-27 | 分子線エピタキシー装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014252892A Division JP5938809B2 (ja) | 2014-12-15 | 2014-12-15 | 分子線エピタキシー装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012049375A JP2012049375A (ja) | 2012-03-08 |
| JP2012049375A5 JP2012049375A5 (ja) | 2013-12-05 |
| JP5673924B2 true JP5673924B2 (ja) | 2015-02-18 |
Family
ID=49001463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010190966A Active JP5673924B2 (ja) | 2010-08-27 | 2010-08-27 | 分子線エピタキシー装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9447518B2 (ja) |
| JP (1) | JP5673924B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5669084B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2015-02-12 | 国立大学法人名古屋大学 | ラジカル源 |
| TWI651429B (zh) * | 2014-01-15 | 2019-02-21 | 澳洲商葛利文企業有限公司 | 用於減少薄膜中不純物之裝置及方法 |
| US10312054B2 (en) | 2014-02-24 | 2019-06-04 | National University Corporation Nagoya University | Radical generator and molecular beam epitaxy apparatus |
| JP5896384B2 (ja) * | 2014-12-05 | 2016-03-30 | 国立大学法人名古屋大学 | ラジカル源 |
| US20180130639A1 (en) * | 2015-05-04 | 2018-05-10 | Michael Nicholas Vranich | External plasma system |
| JP7332614B2 (ja) * | 2018-03-23 | 2023-08-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 分離した裏側ヘリウム供給システム |
| JP7165335B2 (ja) * | 2018-04-26 | 2022-11-04 | 国立大学法人東海国立大学機構 | 原子線発生装置、接合装置、表面改質方法及び接合方法 |
| DE102022131435A1 (de) * | 2022-11-28 | 2024-05-29 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Vorrichtung zur Erzeugung einer Plasmaflamme, Plasmaerzeugungseinrichtung, Hochtemperaturprozessanlage und entsprechendes Betriebsverfahren |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2603331B2 (ja) * | 1989-02-21 | 1997-04-23 | 日本電信電話株式会社 | パルスガスノズル装置およびパルスガスノズル反応装置 |
| KR100483886B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2005-04-20 | (주)엔피씨 | 나노분말 양산용 고주파 유도 플라즈마 반응로 |
| JP4590225B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2010-12-01 | 学校法人同志社 | 分子線エピタキシャル成長装置およびそれを用いたシリコン基板上へのｉｉｉ族窒化物単結晶膜の製造方法 |
| JP4572100B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2010-10-27 | 日本エー・エス・エム株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP4825630B2 (ja) | 2006-09-19 | 2011-11-30 | 学校法人同志社 | 金属窒素化合物の分子線エピタキシー成膜方法及び装置 |
| JP5024667B2 (ja) * | 2007-06-20 | 2012-09-12 | 国立大学法人名古屋大学 | ラジカル発生装置 |
| JP5317162B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2013-10-16 | 学校法人中部大学 | プラズマ装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP5021556B2 (ja) * | 2008-04-30 | 2012-09-12 | 株式会社ニッシン | 放電装置 |
-
2010
- 2010-08-27 JP JP2010190966A patent/JP5673924B2/ja active Active
-
2011
- 2011-08-24 US US13/819,284 patent/US9447518B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20130220223A1 (en) | 2013-08-29 |
| US9447518B2 (en) | 2016-09-20 |
| JP2012049375A (ja) | 2012-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5673924B2 (ja) | 分子線エピタキシー装置 | |
| JP2012049375A5 (ja) | ||
| US9385219B2 (en) | Method and apparatus for selective deposition | |
| JP5214251B2 (ja) | 高密度低エネルギープラズマ気相エピタキシーの装置 | |
| AU2010212553B2 (en) | Migration and plasma enhanced chemical vapor deposition | |
| JP2015225856A (ja) | ガス分配装置およびこれを備える基板処理装置 | |
| US20210025058A1 (en) | Flowable film curing using h2 plasma | |
| US10577719B2 (en) | Radical generator and molecular beam epitaxy apparatus | |
| US20190112708A1 (en) | Electrostatic control of metal wetting layers during deposition | |
| KR101234706B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 | |
| JP5669084B2 (ja) | ラジカル源 | |
| JP6519027B2 (ja) | ラジカル源及び分子線エピタキシー装置 | |
| JP2010532919A5 (ja) | ||
| JP2012049028A5 (ja) | ||
| JP2000068227A (ja) | 表面処理方法および装置 | |
| JP5938809B2 (ja) | 分子線エピタキシー装置 | |
| JP5652771B2 (ja) | 分子イオンを生成する方法および装置 | |
| SG174008A1 (en) | Plasma cvd apparatus and manufacturing method of magnetic recording media | |
| JP5896384B2 (ja) | ラジカル源 | |
| JP5563502B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| KR101823678B1 (ko) | 증착 장치 및 증착 방법 | |
| JP2006012962A (ja) | 斜め貫通孔付真空紫外光遮光板を用いたマイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法 | |
| JP2012222175A (ja) | プラズマｃｖｄ装置及びアモルファス膜の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130808 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130808 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131017 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140909 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141106 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141125 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141216 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5673924 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |