JP5666711B2 - タッチ認識方法と、タッチキー構造と、タッチデバイス - Google Patents
タッチ認識方法と、タッチキー構造と、タッチデバイス Download PDFInfo
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Description
本出願は、2010年9月30日に出願され、「タッチ認識方法と、タッチキー構造と、タッチデバイス」という名称を有する中国特許出願第201010515098.6号に対して優先権を主張している。中国特許出願第201010515098.6号の全開示は、参照によってここに組込まれている。
タッチキー構造がタッチされている又はもう少しでタッチされるときに、各キーに対応する複数の電荷蓄積領域における電荷量が安定に達するまで、タッチキー構造における各キー対応する複数の電荷蓄積領域に複数の電荷を補足するステップと、
各キーに対応する複数の電荷蓄積領域における電荷補足量に従って、タッチキー構造がタッチされているときの、各電荷蓄積領域における電荷の変化を計算し、各電荷蓄積領域における電荷平衡量に対する電荷の変化の比率を計算するステップと、
最大の電荷の変化と、電荷平衡量に対する電荷の変化の最大の比率とを有する、電荷蓄積領域に対応するキーを、タッチされたキーとして認識するステップと、
を含み得る。
複数のキーを有する、絶縁タッチパネルと、
複数のキーの各々に対応する複数の電極を有し、絶縁タッチパネルから絶縁し、離されている、検出プレートと、
を含み得る。
複数のキーを有する、絶縁タッチパネルと、
複数のキーの各々に対応する複数の電極を有し、絶縁タッチパネルから絶縁し、離されている、検出プレートと、
を含み得る。
タッチキー構造がタッチされている又はもう少しでタッチされるときに、各キーに対応する複数の電荷蓄積領域における電荷量が安定に達するまで、タッチキー構造における各キーに対応する複数の電荷蓄積領域に複数の電荷を補足することと、
各キーに対応する複数の電荷蓄積領域における電荷補足量に従って、タッチキー構造がタッチされているときの、各電荷蓄積領域における電荷の変化を計算し、各電荷蓄積領域における電荷平衡量に対する電荷の変化の比率を計算することと、
最大の電荷の変化と、電荷平衡量に対する電荷の変化の最大の比率とを有する、電荷蓄積領域に対応するキーを、タッチされたキーとして認識することと、
を含み得る。
複数のキー1乃至6を有する、絶縁タッチパネル100と、
複数のキー1乃至6に対応する複数の電極A乃至Fを有し、絶縁タッチパネル100から絶縁し、離されている、検出プレートと、
を含み得る。
タッチキー構造がタッチされている又はもう少しでタッチされるときに、各キーに対応する電荷蓄積領域における電荷量が安定に達するまで、タッチキー構造における各キーに対応する電荷蓄積領域に電荷を補足することと、
各キーに対応する電荷蓄積領域における電荷補足量に従って、タッチキー構造がタッチされているときの、各電荷蓄積領域における電荷の変化を計算し、各電荷蓄積領域における電荷平衡量に対する電荷の変化の比率を計算することと、
最大の電荷の変化と、電荷平衡量に対する電荷の変化の最大の比率とを有する、電荷蓄積領域に対応するキーを、タッチされたキーとして認識することと、
を含み得る。
ステップS21では、第1の電荷補足動作の電荷補足量を、第1の電荷補足動作の電荷の変化として使用する。
以下に、本願出願時の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1]タッチ認識方法であって、
前記タッチ認識方法は、
タッチキー構造がタッチされている又はもう少しでタッチされるときに、各キーに対応する複数の電荷蓄積領域における電荷量が安定に達するまで、前記タッチキー構造における各キー対応する複数の電荷蓄積領域に複数の電荷を補足することと、
各キーに対応する前記複数の電荷蓄積領域における電荷補足量に従って、前記タッチキー構造がタッチされているときの、各電荷蓄積領域における電荷の変化を計算し、各電荷蓄積領域における電荷平衡量に対する電荷の変化の比率を計算することと、
最大の電荷の変化と、電荷平衡量に対する電荷の変化の最大の比率とを有する、電荷蓄積領域に対応するキーを、タッチされたキーとして認識することと、
を含み、
前記タッチキー構造は、
複数のキーを有する、絶縁タッチパネルと、
前記複数のキーの各々に対応する複数の電極を有し、前記絶縁タッチパネルから絶縁し、離されている、検出プレートと、
を具備し、
前記複数の電極が帯電させられた後に、複数のソース電場がそれぞれ生成され、前記複数の電荷蓄積領域が複数の電極の表面上に形成され、
前記複数のソース電場の各々は、前記複数のキーの各々に対応する前記絶縁タッチパネルの一部分を通って、極性をもつ複数の電場を生成し、
前記極性をもつ複数の電場は、前記複数のキーの各々の表面から広がっており、
前記複数の電極の各々に対応する前記複数の電荷蓄積領域は、充電されるように蓄積される、タッチ認識方法。
[2]前記タッチキー構造における各キー対応する複数の電荷蓄積領域に複数の電荷を補足することは、
複数の標準ユニットコンデンサを複数回充電及び放電することと、
前記複数の標準ユニットコンデンサの放電を通じて、複数の銅箔に対応する複数の電荷蓄積領域に複数の電荷を放出することと、
を含み、
ここで、前記電荷補足量は、前記複数の標準ユニットコンデンサによって前記複数の電荷蓄積領域に放出された電荷量である、前記[1]に記載のタッチ認識方法。
[3]前記複数の標準ユニットコンデンサのうちの1つの標準ユニットコンデンサは、アナログ−ディジタル変換器のサンプルアンドホールド回路におけるホールドコンデンサであり、
複数の標準ユニットコンデンサを充電及び放電することは、複数のサンプルパルスを使用して、前記複数の標準ユニットコンデンサへの充電及び放電を制御することを含む、前記[2]に記載のタッチ認識方法。
[4]前記タッチキー構造における各キー対応する複数の電荷蓄積領域に電荷の補足を行うことは、前記タッチキー構造における各キーに対応する複数の電荷蓄積領域への電荷の補足を一定時間毎に行うことを含み、
前記電荷の補足後に、各電荷蓄積領域における複数の電荷は、毎回安定に達している、前記[2]に記載のタッチ認識方法。
[5]前記タッチキー構造における各キー対応する複数の電荷蓄積領域に電荷の補足を行うことは、前記タッチキー構造における各キーに対応する複数の電荷蓄積領域への電荷の補足を一定時間毎に行うことを含み、
前記電荷の補足後に、各電荷蓄積領域における電荷は、毎回安定に達している、前記[3]に記載のタッチ認識方法。
[6]前記ホールドコンデンサの充電及び放電を制御するために使用される複数のサンプリングパルスは、各電荷補足動作において同じ周波数を用いる、前記[5]に記載のタッチ認識方法。
[7]前記ホールドコンデンサの充電及び放電を制御するために使用される複数のサンプリングパルスは、各電荷補足動作において異なる周波数を用いる、前記[5]に記載のタッチ認識方法。
[8]複数のサンプリングパルスが各電荷補足動作において異なる周波数を用いることは、複数のサンプリングパルスが、現在の電荷補足動作において、前の電荷補足動作における周波数よりも大きい周波数を用いること、を含む、前記[7]に記載のタッチ認識方法。
[9]前記一定時間は、5μsであり、
前記複数のサンプリングパルスの周波数は、80kHZ乃至120kHZの範囲にわたる、前記[8]に記載のタッチ認識方法。
[10]複数のサンプリングパルスが各電荷補足動作において異なる周波数を用いることは、
前記複数のサンプリングパルスの周波数範囲を設定することと、
第1の電荷補足動作を除いて、現在の電荷補足動作において、前の電荷補足動作における周波数よりも大きい周波数を用いるサンプリングパルスを適用することと、
ある電荷補足動作における複数のサンプリングパルスの周波数が、前記周波数範囲の上限値に達した後で、現在の電荷補足動作において、前の電荷補足動作における周波数よりも小さい周波数を用いるサンプリングパルスを適用することと、
を含む、前記[7]に記載のタッチ認識方法。
[11]前記一定時間は、5μsであり、
前記複数のサンプリングパルスの周波数は、80kHZ乃至120kHZの範囲にわたる、前記[10]に記載のタッチ認識方法。
[12]各キーに対応する複数の電荷蓄積領域における電荷補足量に従って、前記タッチキー構造がタッチされているときの、各電荷蓄積領域における電荷の変化を計算することは、
第1の電荷補足動作の電荷補足量を、第1の電荷補足の電荷の変化として使用することと、
第2の電荷補足動作以降、前の電荷補足動作の電荷の変化と、現在の電荷補足動作の電荷補足量との加重和を生成し、前記加重和を、現在の電荷補足動作の電荷の変化と見なすことと、
全ての電荷補足動作の電荷の変化を平均し、平均値を取得し、前記平均値を、タッチされたタッチキー構造の電荷の変化と見なすことと、
を含む、前記[4]又は[5]に記載のタッチ認識方法。
[13]前記加重和は、次の式、即ち、
C=C 1 ×N 1 +C 2 ×N 2
に基づいて計算され、
ここで、Cは、前記現在の電荷補足動作の電荷の変化であり、
C 1 は、前記前の電荷補足動作の電荷の変化であり、
N 1 は、前記前の電荷補足動作の重みであり、
C 2 は、前記現在の電荷補足動作の電荷補足量であり、
N 2 は、前記現在の電荷補足動作の重みである、
前記[12]に記載のタッチ認識方法。
[14]タッチキー構造であって、
前記タッチキー構造は、
複数のキーを有する、絶縁タッチパネルと、
複数のキーの各々に対応する複数の電極を有し、前記絶縁タッチパネルから絶縁し、離されている、検出プレートと、
を具備し、
複数の電極が帯電させられた後に、複数のソース電場がそれぞれ生成され、複数の電荷蓄積領域が前記複数の電極の表面上に形成され、
前記複数のソース電場の各々は、前記複数のキーの各々に対応する前記絶縁タッチパネルの一部分を通って、極性をもつ複数の電場を生成し、
前記極性をもつ複数の電場は、前記複数のキーの各々の表面から広がっており、
前記複数の電極の各々に対応する前記複数の電荷蓄積領域は、電荷の平衡が保たれるように蓄積される、タッチキー構造。
[15]前記絶縁タッチパネルはガラスで作られている、前記[14]に記載のタッチキー構造。
[16]前記複数の電極は、銅箔で作られている、前記[14]に記載のタッチキー構造。
[17]前記[14]乃至[16]の何れか1つに記載のタッチキー構造を具備する、タッチデバイスであって、
前記タッチデバイスは、制御装置を更に具備し、
前記制御装置は、
前記検出プレート上の複数の電極に接続されており、
前記複数の電極を帯電させ、
前記複数の電極の各々の電荷の変化を検出することによってタッチ動作を認識し、認識結果を取得し、
前記認識結果に従って、認識制御信号を生成して出力する、
ように構成されており、
前記複数の電極の各々の電荷の変化を検出することによってタッチ動作を認識することは、
タッチキー構造がタッチされている又はもう少しでタッチされるときに、各キーに対応する複数の電荷蓄積領域における電荷量が安定に達するまで、前記タッチキー構造における各キーに対応する複数の電荷蓄積領域に複数の電荷を補足することと、
各キーに対応する複数の電荷蓄積領域における電荷補足量に従って、前記タッチキー構造がタッチされているときの、各電荷蓄積領域における電荷の変化を計算し、各電荷蓄積領域における電荷平衡量に対する電荷の変化の比率を計算することと、
最大の電荷の変化と、電荷平衡量に対する電荷の変化の最大の比率とを有する、電荷蓄積領域に対応するキーを、タッチされたキーとして認識することと、
を含む、タッチデバイス。
[18]前記制御装置は、複数の充電ユニットと、メモリユニットと、トリガユニットと、認識及び分析ユニットと、出力ユニットと、を具備し、
前記複数の充電ユニットは、
前記タッチキー構造における前記複数の電極に、それぞれ対応して接続されており、
前記複数の電極を帯電させ、
前記電荷蓄積領域における電荷量が変わったときに、電極に対応する電荷蓄積領域に複数の電荷を補足する、
ように構成されており、
前記メモリユニットは、前記複数の電極の複数の電荷蓄積領域の電荷平衡量を記憶するように構成されており、
前記トリガユニットは、前記複数の充電ユニットの稼働状態を検出するように構成されており、
前記充電ユニットが複数の電荷を補足する動作中であることが検出されると、前記トリガユニットは、前記認識及び分析ユニットをトリガして稼働させ、前記複数の充電ユニットの電荷補足情報を、前記認識及び分析ユニットを送り、
前記認識及び分析ユニットは、
各キーに対応する複数の電荷蓄積領域における電荷補足量に基づいて、前記タッチキー構造がタッチされたときの、各電荷蓄積領域における電荷の変化を計算し、
各電荷蓄積領域における電荷平衡量に対する電荷の変化の比率を計算し、
最大の電荷の変化と、電荷平衡量に対する電荷の変化の最大の比率とを有する、電荷蓄積領域に対応するキーを、タッチされたキーとして認識し、
認識情報を前記出力ユニットに送る、
ように構成されおり、
前記出力ユニットは、前記認識情報に基づいて、認識制御信号を生成して出力するように構成されている、前記[17]に記載のタッチデバイス。
[19]前記複数の充電ユニットのうちの1つの充電ユニットは、クロック発生回路と、充電回路と、を具備し、
前記クロック発生回路は、複数のサンプリングパルスを発生して、前記充電回路の動作を制御するように構成されており、
前記充電回路は、
アナログ電子スイッチと、
前記アナログ電子スイッチによって制御される充電コンデンサと、
を具備し、
前記充電コンデンサは、対応する電極に接続され、
前記アナログ電子スイッチは、前記複数のサンプリングパルスによって制御される、前記[16]に記載の発光ダイオード。
Claims (18)
- タッチ認識方法であって、
前記タッチ認識方法は、
タッチキー構造がタッチされている又はもう少しでタッチされるときに、各キーに対応する複数の電荷蓄積領域における電荷量が安定に達するまで、前記タッチキー構造における各キーに対応する複数の電荷蓄積領域に複数の電荷を補足することと、
各キーに対応する前記複数の電荷蓄積領域における電荷補足量に従って、前記タッチキー構造がタッチされているときの、各電荷蓄積領域における電荷の変化を計算し、各電荷蓄積領域における電荷平衡量に対する電荷の変化の比率を計算することと、
最大の電荷の変化と、電荷平衡量に対する電荷の変化の最大の比率とを有する、電荷蓄積領域に対応するキーを、タッチされたキーとして認識することと、
を含み、
前記タッチキー構造は、
複数のキーを有する、絶縁タッチパネルと、
前記複数のキーの各々に対応する複数の電極を有し、前記絶縁タッチパネルから絶縁し、離されている、検出プレートと、
を具備し、
前記複数の電極が帯電させられた後に、複数のソース電場がそれぞれ生成され、前記複数の電荷蓄積領域が複数の電極の表面上に形成され、
前記複数のソース電場の各々は、前記複数のキーの各々に対応する前記絶縁タッチパネルの一部分を通って、極性をもつ複数の電場を生成し、
前記極性をもつ複数の電場は、前記複数のキーの各々の表面から広がっており、
前記複数の電極の各々に対応する前記複数の電荷蓄積領域は、充電されるように蓄積される、タッチ認識方法。 - 前記タッチキー構造における各キーに対応する複数の電荷蓄積領域に複数の電荷を補足することは、
複数の標準ユニットコンデンサを複数回充電及び放電することと、
前記複数の標準ユニットコンデンサの放電を通じて、複数の銅箔に対応する複数の電荷蓄積領域に複数の電荷を放出することと、
を含み、
ここで、前記電荷補足量は、前記複数の標準ユニットコンデンサによって前記複数の電荷蓄積領域に放出された電荷量である、請求項1に記載のタッチ認識方法。 - 前記複数の標準ユニットコンデンサのうちの1つの標準ユニットコンデンサは、アナログ−ディジタル変換器のサンプルアンドホールド回路におけるホールドコンデンサであり、
複数の標準ユニットコンデンサを充電及び放電することは、複数のサンプルパルスを使用して、前記複数の標準ユニットコンデンサへの充電及び放電を制御することを含む、請求項2に記載のタッチ認識方法。 - 前記タッチキー構造における各キーに対応する複数の電荷蓄積領域に電荷を補足することは、前記タッチキー構造における各キーに対応する複数の電荷蓄積領域への電荷の補足を一定時間毎に行うことを含み、
前記電荷の補足後に、各電荷蓄積領域における電荷は、毎回安定に達している、請求項2に記載のタッチ認識方法。 - 前記タッチキー構造における各キーに対応する複数の電荷蓄積領域に電荷を補足することは、前記タッチキー構造における各キーに対応する複数の電荷蓄積領域への電荷の補足を一定時間毎に行うことを含み、
前記電荷の補足後に、各電荷蓄積領域における電荷は、毎回安定に達している、請求項3に記載のタッチ認識方法。 - 前記ホールドコンデンサの充電及び放電を制御するために使用される複数のサンプリングパルスは、各電荷補足動作において同じ周波数を用いる、請求項5に記載のタッチ認識方法。
- 前記ホールドコンデンサの充電及び放電を制御するために使用される複数のサンプリングパルスは、各電荷補足動作において異なる周波数を用いる、請求項5に記載のタッチ認識方法。
- 複数のサンプリングパルスが各電荷補足動作において異なる周波数を用いることは、複数のサンプリングパルスが、現在の電荷補足動作において、前の電荷補足動作における周波数よりも大きい周波数を用いること、を含む、請求項7に記載のタッチ認識方法。
- 前記一定時間は、5μsであり、
前記複数のサンプリングパルスの周波数は、80kHZ乃至120kHZの範囲にわたる、請求項8に記載のタッチ認識方法。 - 複数のサンプリングパルスが各電荷補足動作において異なる周波数を用いることは、
前記複数のサンプリングパルスの周波数範囲を設定することと、
第1の電荷補足動作を除いて、現在の電荷補足動作において、前の電荷補足動作における周波数よりも大きい周波数を用いるサンプリングパルスを適用することと、
ある電荷補足動作における複数のサンプリングパルスの周波数が、前記周波数範囲の上限値に達した後で、現在の電荷補足動作において、前の電荷補足動作における周波数よりも小さい周波数を用いるサンプリングパルスを適用することと、
を含む、請求項7に記載のタッチ認識方法。 - 前記一定時間は、5μsであり、
前記複数のサンプリングパルスの周波数は、80kHZ乃至120kHZの範囲にわたる、請求項10に記載のタッチ認識方法。 - 各キーに対応する複数の電荷蓄積領域における電荷補足量に従って、前記タッチキー構造がタッチされているときの、各電荷蓄積領域における電荷の変化を計算することは、
第1の電荷補足動作の電荷補足量を、第1の電荷補足の電荷の変化として使用することと、
第2の電荷補足動作以降、前の電荷補足動作の電荷の変化と、現在の電荷補足動作の電荷補足量との加重和を生成し、前記加重和を、現在の電荷補足動作の電荷の変化と見なすことと、
全ての電荷補足動作の電荷の変化を平均し、平均値を取得し、前記平均値を、タッチされたタッチキー構造の電荷の変化と見なすことと、
を含む、請求項4又は5に記載のタッチ認識方法。 - 前記加重和は、次の式、即ち、
C=C1×N1+C2×N2
に基づいて計算され、
ここで、Cは、前記現在の電荷補足動作の電荷の変化であり、
C1は、前記前の電荷補足動作の電荷の変化であり、
N1は、前記前の電荷補足動作の重みであり、
C2は、前記現在の電荷補足動作の電荷補足量であり、
N2は、前記現在の電荷補足動作の重みである、
請求項12に記載のタッチ認識方法。 - 複数のキーを有する、絶縁タッチパネルと、
複数のキーの各々に対応する複数の電極を有し、前記絶縁タッチパネルから絶縁し、離されている、検出プレートと、
制御装置と、
を具備する、タッチデバイスであって、
前記制御装置は、
前記検出プレート上の複数の電極に接続されており、
前記複数の電極を帯電させ、
前記複数の電極のうちの電極の電荷の変化を検出することによってタッチ動作を認識し、認識結果を取得し、
前記認識結果に従って、認識制御信号を生成して出力する、
ように構成されており、
複数の電極が帯電させられた後に、複数のソース電場がそれぞれ生成され、複数の電荷蓄積領域が前記複数の電極の表面上に形成され、
前記複数のソース電場の各々は、前記複数のキーの各々に対応する前記絶縁タッチパネルの一部分を通って、極性をもつ複数の電場を生成し、
前記極性をもつ複数の電場は、前記複数のキーの各々の表面から広がっており、
前記複数の電極の各々に対応する前記複数の電荷蓄積領域は、電荷の平衡が保たれるように蓄積され、
前記複数の電極のうちの各電極の電荷の変化を検出することによってタッチ動作を認識することは、
タッチキー構造がタッチされている又はもう少しでタッチされるときに、各キーに対応する複数の電荷蓄積領域における電荷量が安定に達するまで、前記タッチキー構造における各キーに対応する複数の電荷蓄積領域に複数の電荷を補足することと、
各キーに対応する複数の電荷蓄積領域における電荷補足量に従って、前記タッチキー構造がタッチされているときの、各電荷蓄積領域における電荷の変化を計算し、各電荷蓄積領域における電荷平衡量に対する電荷の変化の比率を計算することと、
最大の電荷の変化と、電荷平衡量に対する電荷の変化の最大の比率とを有する、電荷蓄積領域に対応するキーを、タッチされたキーとして認識することと、
を含む、タッチデバイス。 - 前記制御装置は、複数の充電ユニットと、メモリユニットと、トリガユニットと、認識及び分析ユニットと、出力ユニットと、を具備し、
前記複数の充電ユニットは、
前記タッチキー構造における前記複数の電極に、それぞれ対応して接続されており、
前記複数の電極を帯電させ、
前記電荷蓄積領域における電荷量が変わったときに、電極に対応する電荷蓄積領域に複数の電荷を補足する、
ように構成されており、
前記メモリユニットは、前記複数の電極の複数の電荷蓄積領域の電荷平衡量を記憶するように構成されており、
前記トリガユニットは、前記複数の充電ユニットの稼働状態を検出するように構成されており、
前記充電ユニットが複数の電荷を補足する動作中であることが検出されると、前記トリガユニットは、前記認識及び分析ユニットをトリガして稼働させ、前記複数の充電ユニットの電荷補足情報を、前記認識及び分析ユニットを送り、
前記認識及び分析ユニットは、
各キーに対応する複数の電荷蓄積領域における電荷補足量に基づいて、前記タッチキー構造がタッチされたときの、各電荷蓄積領域における電荷の変化を計算し、
各電荷蓄積領域における電荷平衡量に対する電荷の変化の比率を計算し、
最大の電荷の変化と、電荷平衡量に対する電荷の変化の最大の比率とを有する、電荷蓄積領域に対応するキーを、タッチされたキーとして認識し、
認識情報を前記出力ユニットに送る、
ように構成されおり、
前記出力ユニットは、前記認識情報に基づいて、認識制御信号を生成して出力するように構成されている、請求項14に記載のタッチデバイス。 - 前記複数の充電ユニットのうちの1つの充電ユニットは、クロック発生回路と、充電回路と、を具備し、
前記クロック発生回路は、複数のサンプリングパルスを発生して、前記充電回路の動作を制御するように構成されており、
前記充電回路は、
アナログ電子スイッチと、
前記アナログ電子スイッチによって制御される充電コンデンサと、
を具備し、
前記充電コンデンサは、対応する電極に接続され、
前記アナログ電子スイッチは、前記複数のサンプリングパルスによって制御される、請求項15に記載のタッチデバイス。 - 前記絶縁タッチパネルはガラスで作られている、請求項14に記載のタッチデバイス。
- 前記複数の電極は、銅箔で作られている、請求項14に記載のタッチデバイス。
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