JP5662340B2 - 複合型ウエハ領域圧力制御およびプラズマ閉じ込めアセンブリ、プラズマ処理システムとその製造方法 - Google Patents
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Description
適用例1:基板のプラズマ処理中にプラズマ処理チャンバ内でプラズマを閉じ込めつつ圧力を少なくとも部分的に調整するよう構成された複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリであって、複数の孔を有し、配備された時に前記プラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ閉じ込め構造と、前記可動プラズマ閉じ込め構造の外側に配置された可動圧力制御構造と、を備え、
前記可動プラズマ閉じ込め構造は、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動圧力制御構造との間に配置され、前記可動圧力制御構造は、前記基板の取り扱いを容易にするために、前記可動プラズマ閉じ込め構造と共に配置および待避可能であり、前記可動圧力制御構造は、前記複数の孔の少なくとも一部を遮ることによって前記圧力を調整するために、前記可動プラズマ閉じ込め構造に対して独立して移動可能である、複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリ。
適用例2:適用例1に記載の複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、全体的に円筒形の構造であり、前記複数の孔は、前記円筒形の構造の軸に沿って配置された複数のスロットである、複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリ。
適用例3:適用例1に記載の複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造は、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造の移動を容易にするために、1組の共通プランジャを共有する、複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリ。
適用例4:適用例1に記載の複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、前記プラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ対向構造と、前記可動プラズマ対向構造の外側に配置され、前記基板の取り扱いを容易にするために前記可動プラズマ対向構造と共に単一のユニットとして配置および待避されるよう構成され、前記プラズマ処理中に高周波(RF)接地される可動導電構造と、を備え、
前記可動プラズマ対向構造は、前記プラズマからのRF電流が前記プラズマ処理中に前記可動プラズマ対向構造を通して前記可動導電構造に流れるように、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動導電構造との間に配置される、複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリ。
適用例5:適用例4に記載の複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ対向構造は、円筒形の構造であり、前記プラズマによるエッチングに耐性を持つ材料で形成される、複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリ。
適用例6:適用例4に記載の複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ対向構造は石英で形成される、複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリ。
適用例7:適用例4に記載の複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ対向構造はドープSiCで形成される、複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリ。
適用例8:適用例4に記載の複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ対向構造は、前記プラズマ処理中に前記プラズマに対する暴露から前記可動導電構造を保護するよう構成される、複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリ。
適用例9:適用例4に記載の複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリであって、さらに、遮断可能なRF接点を備え、前記遮断可能なRF接点は、前記可動導電構造が配備された時に、接地への経路が前記遮断可能なRF接点を通して形成されるように配置される、複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリ。
適用例10:プラズマ処理チャンバを備えたプラズマ処理システムであって、複数の孔を有し、配置された時に、前記プラズマ処理チャンバ内で基板のプラズマ処理中に生成されたプラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ閉じ込め構造と、前記可動プラズマ閉じ込め構造の外側に配置された可動圧力制御構造であって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動圧力制御構造との間に配置され、前記可動圧力制御構造は、前記基板の取り扱いを容易にするために、前記可動プラズマ閉じ込め構造と共に配置および待避可能であり、前記可動圧力制御構造は、前記複数の孔の少なくとも一部を遮ることによって前記プラズマ処理中に前記プラズマ処理チャンバ内の圧力を少なくとも部分的に調整するために、前記可動プラズマ閉じ込め構造に対して独立して移動可能であり、前記可動導電構造に接続され、前記可動導電構造が配置および待避される時に前記可動導電構造の動きに対応しつつ、接地への低インピーダンス経路を前記RF電流に提供する1組の導電ストラップと、を備える、プラズマ処理システム。
適用例11:適用例10に記載のプラズマ処理システムであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、全体的に円筒形の構造であり、前記複数の孔は、前記円筒形の構造の軸に沿って配置された複数のスロットである、プラズマ処理システム。
適用例12:適用例10に記載のプラズマ処理システムであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造は、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造の移動を容易にするために、1組の共通プランジャを共有する、プラズマ処理システム。
適用例13:適用例10に記載のプラズマ処理システムであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、前記プラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ対向構造と、前記可動プラズマ対向構造の外側に配置され、前記基板の取り扱いを容易にするために前記可動プラズマ対向構造と共に単一のユニットとして配置および待避されるよう構成され、前記プラズマ処理中に高周波(RF)接地される可動導電構造と、を備え、
前記可動プラズマ対向構造は、前記プラズマからのRF電流が前記プラズマ処理中に前記可動プラズマ対向構造を通して前記可動導電構造に流れるように、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動導電構造との間に配置される、プラズマ処理システム。
適用例14:適用例13に記載のプラズマ処理システムであって、さらに、切断可能なRF接点を備え、前記切断可能なRF接点は、前記可動導電構造が配備された時に、前記接地への前記低インピーダンス経路が前記切断可能なRF接点を通して形成されるように配置される、プラズマ処理システム。
適用例15:適用例10に記載のプラズマ処理システムであって、前記プラズマ処理チャンバは、拡大されたプラズマ周辺領域を備え、前記拡大されたプラズマ周辺領域は、前記可動プラズマ閉じ込め構造の内側に形成され、上側電極と下側電極との間のギャップ寸法よりも大きい垂直寸法を有し、前記拡大されたプラズマ周辺領域は、前記可動圧力制御構造が、前記プラズマ処理チャンバからの前記圧力の解放を、より大きい範囲で調整することを可能にする、プラズマ処理システム。
適用例16: プラズマ処理チャンバを備えたプラズマ処理システムを製造するための方法であって、複数の孔を有し、配備された時に、前記プラズマ処理チャンバ内で基板のプラズマ処理中に生成されたプラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ閉じ込め構造を準備しと、前記可動プラズマ閉じ込め構造の外側に可動圧力制御構造を配置し、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動圧力制御構造との間に配置され、前記可動圧力制御構造は、前記基板の取り扱いを容易にするために、前記可動プラズマ閉じ込め構造と共に配置および待避可能であり、前記可動圧力制御構造は、前記複数の孔の少なくとも一部を遮ることによって前記プラズマ処理中に前記プラズマ処理チャンバ内の圧力を少なくとも部分的に調整するために、前記可動プラズマ閉じ込め構造に対して独立的に移動可能であり、前記可動導電構造に1組の導電ストラップを接続し、前記1組の導電ストラップは、前記可動導電構造が配置および待避される時に前記可動導電構造の動きに対応しつつ、接地への低インピーダンス経路を前記RF電流に提供する、ことを備える、方法。
適用例17:適用例16に記載の方法であって、さらに、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造によって共有される1組の共通プランジャを準備することを備え、前記1組の共通プランジャは、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造の移動を容易にするよう構成される、方法。
適用例18:適用例16に記載の方法であって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、前記プラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ対向構造と、前記可動プラズマ対向構造の外側に配置され、前記基板の取り扱いを容易にするために前記可動プラズマ対向構造と共に単一のユニットとして配置および待避されるよう構成され、前記プラズマ処理中に高周波(RF)接地される可動導電構造と、を備え、
前記可動プラズマ対向構造は、前記プラズマからのRF電流が前記プラズマ処理中に前記可動プラズマ対向構造を通して前記可動導電構造に流れるように、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動導電構造との間に配置される、方法。
適用例19:適用例18に記載の方法であって、さらに、前記可動導電構造と前記接地との間に切断可能なRF接点を配置することにより、前記可動導電構造が配置された時に、前記切断可能なRF接点を通して前記接地への前記低インピーダンス経路を形成することを備える、方法。
適用例20:適用例16に記載の方法であって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、全体的に円筒形の構造であり、前記複数の孔は、前記円筒形の構造の軸に沿って配置された複数のスロットである、方法。
Claims (20)
- 基板のプラズマ処理中にプラズマ処理チャンバ内でプラズマを閉じ込めつつ圧力を少なくとも部分的に調整するよう構成された複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリであって、
複数の孔を有し、配備された時に前記プラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ閉じ込め構造であって、前記プラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ対向構造と、前記可動プラズマ対向構造の外側に配置され、前記プラズマ処理中に高周波(RF)接地される可動導電構造とを備える可動プラズマ閉じ込め構造と、
前記可動プラズマ閉じ込め構造の外側に配置された可動圧力制御構造と、
を備え、
前記可動プラズマ閉じ込め構造は、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動圧力制御構造との間に配置され、前記可動圧力制御構造は、前記基板の取り扱いを容易にするために、前記可動プラズマ閉じ込め構造と共に配置および待避可能であり、前記可動圧力制御構造は、前記複数の孔の少なくとも一部を遮ることによって前記圧力を調整するために、前記可動プラズマ閉じ込め構造に対して独立して移動可能である、複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリ。 - 請求項1に記載の複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、全体的に円筒形の構造であり、前記複数の孔は、前記円筒形の構造の軸に沿って配置された複数のスロットである、複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリ。
- 請求項1に記載の複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造は、1組の共通プランジャを共有する、複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリ。
- 請求項1に記載の複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリであって、
前記可動導電構造は、前記基板の取り扱いを容易にするために前記可動プラズマ対向構造と共に単一のユニットとして配置および待避されるよう構成され、
前記可動プラズマ対向構造は、前記プラズマからのRF電流が前記プラズマ処理中に前記可動プラズマ対向構造を通して前記可動導電構造に流れるように、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動導電構造との間に配置される、複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリ。 - 請求項4に記載の複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ対向構造は、円筒形の構造であり、前記プラズマによるエッチングに耐性を持つ材料で形成される、複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリ。
- 請求項4に記載の複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ対向構造は石英で形成される、複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリ。
- 請求項4に記載の複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ対向構造はドープSiCで形成される、複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリ。
- 請求項4に記載の複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリであって、前記可動プラズマ対向構造は、前記プラズマ処理中に前記プラズマに対する暴露から前記可動導電構造を保護するよう構成される、複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリ。
- 請求項4に記載の複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリであって、さらに、遮断可能なRF接点を備え、前記遮断可能なRF接点は、前記可動導電構造が配備された時に、接地への経路が前記遮断可能なRF接点を通して形成されるように配置される、複合型圧力制御/プラズマ閉じ込めアセンブリ。
- プラズマ処理チャンバを備えたプラズマ処理システムであって、
複数の孔を有し、配置された時に、前記プラズマ処理チャンバ内で基板のプラズマ処理中に生成されたプラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ閉じ込め構造であって、前記プラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ対向構造と、前記可動プラズマ対向構造の外側に配置され、前記プラズマ処理中に高周波(RF)接地される可動導電構造とを備える可動プラズマ閉じ込め構造と、
前記可動プラズマ閉じ込め構造の外側に配置された可動圧力制御構造であって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動圧力制御構造との間に配置され、前記可動圧力制御構造は、前記基板の取り扱いを容易にするために、前記可動プラズマ閉じ込め構造と共に配置および待避可能であり、前記可動圧力制御構造は、前記複数の孔の少なくとも一部を遮ることによって前記プラズマ処理中に前記プラズマ処理チャンバ内の圧力を少なくとも部分的に調整するために、前記可動プラズマ閉じ込め構造に対して独立して移動可能であり、
前記可動導電構造に接続され、前記可動導電構造が配置および待避される時に前記可動導電構造の動きに対応しつつ、接地への経路を前記RF電流に提供する1組の導電ストラップと、
を備える、プラズマ処理システム。 - 請求項10に記載のプラズマ処理システムであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、全体的に円筒形の構造であり、前記複数の孔は、前記円筒形の構造の軸に沿って配置された複数のスロットである、プラズマ処理システム。
- 請求項10に記載のプラズマ処理システムであって、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造は、1組の共通プランジャを共有する、プラズマ処理システム。
- 請求項10に記載のプラズマ処理システムであって、
前記可動導電構造は、前記基板の取り扱いを容易にするために前記可動プラズマ対向構造と共に単一のユニットとして配置および待避されるよう構成され、
前記可動プラズマ対向構造は、前記プラズマからのRF電流が前記プラズマ処理中に前記可動プラズマ対向構造を通して前記可動導電構造に流れるように、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動導電構造との間に配置される、プラズマ処理システム。 - 請求項13に記載のプラズマ処理システムであって、さらに、切断可能なRF接点を備え、前記切断可能なRF接点は、前記可動導電構造が配備された時に、前記接地への経路が前記切断可能なRF接点を通して形成されるように配置される、プラズマ処理システム。
- 請求項10に記載のプラズマ処理システムであって、前記プラズマ処理チャンバは、拡大されたプラズマ周辺領域を備え、前記拡大されたプラズマ周辺領域は、前記可動プラズマ閉じ込め構造の内側に形成され、上側電極と下側電極との間のギャップ寸法よりも大きい垂直寸法を有し、前記拡大されたプラズマ周辺領域は、前記可動圧力制御構造が、前記プラズマ処理チャンバからの前記圧力の解放を、より大きい範囲で調整することを可能にする、プラズマ処理システム。
- プラズマ処理チャンバを備えたプラズマ処理システムを製造するための方法であって、
複数の孔を有し、配備された時に、前記プラズマ処理チャンバ内で基板のプラズマ処理中に生成されたプラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ閉じ込め構造であって、前記プラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ対向構造と、前記可動プラズマ対向構造の外側に配置され、前記プラズマ処理中に高周波(RF)接地される可動導電構造とを備える可動プラズマ閉じ込め構造を準備し、
前記可動プラズマ閉じ込め構造の外側に可動圧力制御構造を配置し、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動圧力制御構造との間に配置され、前記可動圧力制御構造は、前記基板の取り扱いを容易にするために、前記可動プラズマ閉じ込め構造と共に配置および待避可能であり、前記可動圧力制御構造は、前記複数の孔の少なくとも一部を遮ることによって前記プラズマ処理中に前記プラズマ処理チャンバ内の圧力を少なくとも部分的に調整するために、前記可動プラズマ閉じ込め構造に対して独立的に移動可能であり、
前記可動導電構造に1組の導電ストラップを接続し、前記1組の導電ストラップは、前記可動導電構造が配置および待避される時に前記可動導電構造の動きに対応しつつ、接地への経路を前記RF電流に提供する、
ことを備える、方法。 - 請求項16に記載の方法であって、さらに、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造によって共有される1組の共通プランジャを準備することを備え、前記1組の共通プランジャは、前記可動プラズマ閉じ込め構造および前記可動圧力制御構造の移動を容易にするよう構成される、方法。
- 請求項16に記載の方法であって、
前記可動導電構造は、前記基板の取り扱いを容易にするために前記可動プラズマ対向構造と共に単一のユニットとして配置および待避されるよう構成され、
前記可動プラズマ対向構造は、前記プラズマからのRF電流が前記プラズマ処理中に前記可動プラズマ対向構造を通して前記可動導電構造に流れるように、前記プラズマ処理中に前記プラズマと前記可動導電構造との間に配置される、方法。 - 請求項18に記載の方法であって、さらに、前記可動導電構造と前記接地との間に切断可能なRF接点を配置することにより、前記可動導電構造が配置された時に、前記切断可能なRF接点を通して前記接地への経路を形成することを備える、方法。
- 請求項16に記載の方法であって、前記可動プラズマ閉じ込め構造は、全体的に円筒形の構造であり、前記複数の孔は、前記円筒形の構造の軸に沿って配置された複数のスロットである、方法。
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Families Citing this family (15)
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US8485128B2 (en) * | 2010-06-30 | 2013-07-16 | Lam Research Corporation | Movable ground ring for a plasma processing chamber |
TWI762170B (zh) * | 2011-10-05 | 2022-04-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 包括對稱電漿處理腔室的電漿處理設備與用於此設備的蓋組件 |
US8847495B2 (en) * | 2011-11-29 | 2014-09-30 | Lam Research Corporation | Movable grounding arrangements in a plasma processing chamber and methods therefor |
US9230779B2 (en) * | 2012-03-19 | 2016-01-05 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for correcting for non-uniformity in a plasma processing system |
DE112013006645B4 (de) | 2013-03-30 | 2020-12-03 | Intel Corporation | Planare vorrichtung auf finnen-basierter transistorarchitektur |
US9184029B2 (en) * | 2013-09-03 | 2015-11-10 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for coordinating pressure pulses and RF modulation in a small volume confined process reactor |
JP6438320B2 (ja) | 2014-06-19 | 2018-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US9963782B2 (en) * | 2015-02-12 | 2018-05-08 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor manufacturing apparatus |
JP6523714B2 (ja) * | 2015-03-05 | 2019-06-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR101682155B1 (ko) * | 2015-04-20 | 2016-12-02 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리 장치 |
US20200411342A1 (en) * | 2019-06-27 | 2020-12-31 | Applied Materials, Inc. | Beamline architecture with integrated plasma processing |
WO2023154115A1 (en) * | 2022-02-09 | 2023-08-17 | Lam Research Corporation | Etch uniformity improvement in radical etch using confinement ring |
JP2023152365A (ja) | 2022-04-04 | 2023-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59129872U (ja) * | 1983-02-19 | 1984-08-31 | 日本真空技術株式会社 | プラズマエツチング装置 |
JPH0722149B2 (ja) * | 1983-11-28 | 1995-03-08 | 株式会社日立製作所 | 平行平板形ドライエッチング装置 |
DE3835153A1 (de) * | 1988-10-15 | 1990-04-26 | Leybold Ag | Vorrichtung zum aetzen von substraten durch eine glimmentladung |
US6165311A (en) * | 1991-06-27 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
JPH0536808A (ja) | 1991-07-18 | 1993-02-12 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
JP2638443B2 (ja) * | 1993-08-31 | 1997-08-06 | 日本電気株式会社 | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 |
TW323387B (ja) * | 1995-06-07 | 1997-12-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
JP2000030896A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Anelva Corp | プラズマ閉込め装置 |
JP3972970B2 (ja) * | 1998-08-06 | 2007-09-05 | 株式会社エフオーアイ | プラズマリアクタ |
EP1073091A3 (en) | 1999-07-27 | 2004-10-06 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Electrode for plasma generation, plasma treatment apparatus using the electrode, and plasma treatment with the apparatus |
US6553932B2 (en) * | 2000-05-12 | 2003-04-29 | Applied Materials, Inc. | Reduction of plasma edge effect on plasma enhanced CVD processes |
US6433484B1 (en) * | 2000-08-11 | 2002-08-13 | Lam Research Corporation | Wafer area pressure control |
US6872281B1 (en) * | 2000-09-28 | 2005-03-29 | Lam Research Corporation | Chamber configuration for confining a plasma |
US6492774B1 (en) * | 2000-10-04 | 2002-12-10 | Lam Research Corporation | Wafer area pressure control for plasma confinement |
KR100846550B1 (ko) * | 2000-12-12 | 2008-07-15 | 코니카 미놀타 홀딩스 가부시키가이샤 | 박막 형성 방법, 박막을 갖는 물품, 광학 필름, 유전체피복 전극 및 플라즈마 방전 처리 장치 |
KR100465877B1 (ko) * | 2002-08-23 | 2005-01-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 식각 장치 |
US7405521B2 (en) * | 2003-08-22 | 2008-07-29 | Lam Research Corporation | Multiple frequency plasma processor method and apparatus |
US7169256B2 (en) * | 2004-05-28 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Plasma processor with electrode responsive to multiple RF frequencies |
US7534301B2 (en) * | 2004-09-21 | 2009-05-19 | Applied Materials, Inc. | RF grounding of cathode in process chamber |
KR100743840B1 (ko) | 2004-11-03 | 2007-07-30 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 마그네틱 코어가 내장된 플라즈마 반응 챔버 |
US7909960B2 (en) * | 2005-09-27 | 2011-03-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods to remove films on bevel edge and backside of wafer |
US7578258B2 (en) * | 2006-03-03 | 2009-08-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for selective pre-coating of a plasma processing chamber |
US7758718B1 (en) * | 2006-12-29 | 2010-07-20 | Lam Research Corporation | Reduced electric field arrangement for managing plasma confinement |
KR101577474B1 (ko) * | 2008-02-08 | 2015-12-14 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 장치용 rf 리턴 스트랩 |
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