JP5653238B2 - 半導体光源点灯回路 - Google Patents
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Description
LEDの明るさはLEDに流す電流の大きさに依存するので、LEDを光源として利用する場合にはLEDに流れる電流を調節するための点灯回路が必要である。そのような点灯回路は通常エラーアンプを有し、LEDに流れる電流を一定となるように制御する。
ただし、比較電圧を温度によって変更する場合にも工夫が必要である。以下に本発明者の独自の検討によって得られた比較例に係る半導体光源点灯回路900を説明する。図1は、比較例に係る半導体光源点灯回路900およびそれに接続されるLED902の構成を示す回路図である。半導体光源点灯回路900は、DC/DCコンバータ904と、制御部906と、比較電圧生成部908と、電流検出抵抗910と、入力電圧端子PINと、第1LED接続端子PLED1と、第2LED接続端子PLED2と、を備える。入力電圧端子PINには外部、例えば車載用のバッテリからバッテリ電圧Vbatが入力電圧として印加される。
PWM信号生成部922は、エラーアンプ924によって出力される誤差電圧Verrに応じたパルス幅を有するPWM信号SPWMをゲート端子PGを介して第1スイッチング素子916のゲートに出力する。特にPWM信号生成部922は、誤差電圧Verrの大きさを小さくするようにPWM信号SPWMのパルス幅を変調する。
基準設定部928は、第1基準電圧源938と、第1抵抗940と、を有する。第1基準電圧源938は、第1抵抗940の一端に第1基準電圧Vref1を印加する。第1抵抗940の他端は調整端子PCTRLと接続され、その他端には比較電圧VCOMPが印加される。
図3は、図1の半導体光源点灯回路900における、LED温度TLEDに対する各パラメータの変化を示す説明図である。ジャンクション温度TjはLED902の各LEDのジャンクション部の温度である。定格ジャンクション温度Tj,MAXはジャンクション温度Tjの定格値または許容しうる最大値である。
図5は、図4の半導体光源点灯回路100における、LED温度TLEDに対する各パラメータの変化を示す説明図である。ICTL,MAXは調整電流ICTLの最大値を示す。
また、第5抵抗114の抵抗値R114によってもLED電流ILEDの温度特性を調整できる。
このように、電流供給部には種々のバリエーションが可能である。
このように、使用される温度センサには種々のバリエーションが可能である。
第3基準電圧源120は、第6抵抗122の一端および第6バイポーラトランジスタ416のコレクタに第3基準電圧Vref3を印加する。第6バイポーラトランジスタ416のベースには温度検出部110からサーミスタ分圧電圧Vdが印加される。第6バイポーラトランジスタ416のエミッタは第9抵抗418の一端および第7バイポーラトランジスタ410のベースと接続される。第9抵抗418の他端は接地される。第6抵抗122の他端は第7バイポーラトランジスタ410のエミッタと接続される。第7バイポーラトランジスタ410のコレクタは第5バイポーラトランジスタ414のコレクタと接続されると共に、第4バイポーラトランジスタ412、第5バイポーラトランジスタ414のベースと共通接続される。
このように、電流軽減部の構成には種々のバリエーションが可能である。
Claims (4)
- 半導体光源に電流を供給する電流供給部と、
前記半導体光源に流れる電流に応じた電圧を生成する電流検出部と、
前記電流検出部によって生成される電圧と比較電圧V COMP との差を小さくするように前記電流供給部を制御する制御部と、
前記比較電圧V COMP を生成する比較電圧生成部と、を備え、
前記比較電圧生成部は、
前記半導体光源に供給すべき電流量を規定する所定の第1基準電圧V ref1 が一端に印加される第1抵抗R1と、
前記半導体光源を含むその周囲の温度に応じた電圧を生成する温度検出部と、
第2抵抗を含み、前記温度検出部によって生成された電圧を前記第2抵抗の抵抗値によって定まる係数で電流に変換する電圧電流変換部と、
前記第1抵抗R1の他端と接続され、前記電圧電流変換部によって変換された電流に対応する電流I CTL であって、前記温度が上昇するほど増加する電流I CTL を前記第1抵抗R1に流す電流適用部と、を含み、前記第1抵抗R1の他端に生ずる電圧V ref1 −R1×I CTL を、前記比較電圧V COMP として出力することを特徴とする半導体光源点灯回路。 - 前記温度検出部は、第3抵抗と前記半導体光源を含むその周囲の温度に応じて抵抗値が変化する温度センサとで所定の第2基準電圧を分圧し、分圧された電圧を前記半導体光源を含むその周囲の温度に応じた電圧として生成することを特徴とする請求項1に記載の半導体光源点灯回路。
- 前記電流適用部は、前記電圧電流変換部によって変換された電流に対応する電流の経路上に設けられた第4抵抗を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体光源点灯回路。
- 前記比較電圧生成部は、前記半導体光源を含むその周囲の温度がしきい値温度よりも低い場合は前記比較電圧の変動を制限するよう構成された変動制限部をさらに含むことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体光源点灯回路。
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