JP5643667B2 - 超音波トランスデューサ、超音波プローブおよび超音波トランスデューサの製造方法 - Google Patents
超音波トランスデューサ、超音波プローブおよび超音波トランスデューサの製造方法 Download PDFInfo
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Description
(超音波トランスデューサの概略構成)
図1〜図8を参照して第1実施形態における超音波トランスデューサ100の概要について説明する。図1は、第1実施形態にかかる超音波トランスデューサ100の概要を示す概略斜視図である。以下、本実施形態にかかる超音波トランスデューサ100の概略構成について説明する。なお、図1において示される超音波トランスデューサ100の圧電体114の配列数は概念上示されるものである。また図示された配列全体がなす形状、例えば2次元配列における行数や列数についても一例に過ぎず、その他の構成を適用することも可能である。
圧電体114は、背面電極116および前面電極112に印加された電圧を超音波パルスに変換する。この超音波パルスは超音波診断装置による検査対象としての被検体へ送波される。また、圧電体114は、被検体からの反射波を受け、電圧に変換する。圧電体114の材料としては、一般にPZT(チタン酸ジルコン酸鉛/Pb(Zr,Ti)O3)、チタン酸バリウム(BaTiO3 )、PZNT(Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−PbTiO3)単結晶、PMNT(Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−PbTiO3)単結晶等を用いることが可能である。圧電体114の音響インピーダンスは、例えば30Mrayl程度とされる。なお、図1における圧電体114は単一層によって構成されているが、複数層の圧電体114として構成することも可能である。
バッキング材118は、超音波パルスの送波の際に超音波の照射方向と反対側(後方)に放射される超音波パルスを吸収し、各圧電体114の余分な振動を抑える。バッキング材118により、振動時における各圧電体114背面からの反射を抑制し、超音波パルスの送受信に悪影響を及ぼすことを回避することが可能である。なお、バッキング材118としては、音響減衰、音響インピーダンス等の観点から、PZT粉末やタングステン粉末等を含むエポキシ樹脂、ポリ塩化ビニールやフェライト粉末を充填したゴムあるいは多孔質のセラミックにエポキシ等の樹脂を含漬したもの等、任意の材料を用いることができる。
前面基板122および背面基板120は、例えばフレキシブルプリント基板(FPC/Flexible Printed Circuits)であり、それぞれ送受信回路等の後段回路まで至る長さを有している。また前面基板122および背面基板120それぞれの前面側および背面側の一方または双方には、後段回路と接続される配線パターン等の接続リード(不図示)が設けられている。前面基板122および背面基板120は、例えばベース材料としてポリイミドが用いられる。ポリイミドの音響インピーダンスは3Mrayl程度である。
次に図2および図3を参照して本実施形態の非導電性音響整合層110および導電性音響整合層111について説明する。図2は、第1実施形態にかかる音響整合層(111、110)および圧電体114の積層体を示した概略斜視図である。図3(A)は、第1実施形態にかかる非導電性音響整合層110および導電性音響整合層111の積層体の溝110aを示した概略斜視図である。図3(B)は、図3(A)の溝110aに樹脂110cを充填した状態を示す概略斜視図である。
音響レンズ102(図1参照)は、送受信される超音波を収束してビーム状に整形するものである。音響レンズ102の素材としては、音響インピーダンスが生体に近いシリコーンなどが使用される。
次に図4〜図8を参照し、第1実施形態にかかる超音波トランスデューサ100の製造方法、特に非導電性音響整合層110および導電性音響整合層111に溝110aを設ける工程を主として説明する。図4〜図8は、第1実施形態にかかる超音波トランスデューサ100の製造工程を示した概略斜視図である。
図1〜図3に例示されるように本実施形態の超音波トランスデューサ100における音響整合層は、非導電性音響整合層110および導電性音響整合層111を積層して構成されている。この音響整合層を形成するにあたり、図4に示すように、非導電性音響整合層110に必要な材料で構成された非導電性材料ブロック1101を用いる。同様に導電性音響整合層111に必要な材料で構成された導電性材料ブロック1111を用いる。
非導電性材料ブロック1101と導電性材料ブロック1111を接続したら、この音響整合層ブロックに対し、(2次元配列分割後(図8)における)行方向または列方向(図1におけるx方向またはy方向)に所定のピッチで溝110aを設ける。すなわち図6に示すように、非導電性材料ブロック1101における接続面と反対側の面から、非導電性材料ブロック1101を貫通し、導電性材料ブロック1111の中途まで至る溝110aを設ける。なお、「接続面」とは導電性材料ブロック1111との接続面を示す。
非導電性材料ブロック1101および導電性材料ブロック1111の積層体としての音響整合層ブロックに溝110aを設けたら、溝110aに導電性膜110bを設ける。導電性膜110bは例えばメッキやスパッタなどにより、溝110aの内面の全面にわたって設ける。これにより、溝110aの一端から他端までが電気的に導通される。さらに、非導電性音響整合層110に隣接した前面電極112は、導電性膜110bおよび導電性音響整合層111を介して前面基板122の配線パターンと導通される。
音響整合層ブロックの溝110aに導電性膜110bを形成したら、溝110aにおける導電性膜110bのさらに内側に、樹脂110cを充填する。樹脂110cにはエポキシ接着剤などを用いることが可能である。ただし、素子(積層体)の形状や超音波トランスデューサ100の振動モードによっては、溝110aによる音響的な影響が少ない場合があり、その場合は樹脂110cを設けなくてもよい。また、溝110aを不要振動抑制のためのサブダイスとして使用する場合は、サブダイスに対応する溝110aは空隙のままにしてもよく、若しくは所望の媒質を充填するようにしてもよい。
非導電性材料ブロック1101および導電性材料ブロック1111の積層体としての音響整合層ブロックに溝110aを設け、導電性膜110b、樹脂110cを設けたら、その音響整合層ブロックと圧電体材料ブロック1141とを接続する。つまり、図7に示すように非導電性材料ブロック1101における導電性材料ブロック1111との接続面と反対側の面に対し、圧電体材料ブロック1141を接続する。なお、圧電体材料ブロック1141の前面にはあらかじめ前面電極112となる層が設けられているものとする。同じく圧電体材料ブロック1141の背面にはあらかじめ背面電極116となる層が形成されているものとする。また圧電体材料ブロック1141には、後の工程で行列方向に分割溝が形成され、超音波トランスデューサ100として所望の圧電体114の素子数となるように分割される(図1参照)。
溝110aが設けられた音響整合層ブロックと圧電体材料ブロック1141とを接続したら、その積層体に対し行列方向に分割溝を設ける。つまり、図8に示すように音響整合層ブロックおよび圧電体材料ブロック1141の積層方向に沿って行方向に所定のピッチで分割溝を形成し、複数行のブロックに分割する。さらに音響整合層ブロックおよび圧電体材料ブロック1141の積層方向に沿って列方向に所定のピッチで分割溝を設ける。その結果、図8のような圧電体114、非導電性音響整合層110、導電性音響整合層111の積層体を2次元配列してなる素子群が形成される。なお、図8は、図4〜図7と天地逆に示されている。
図8に示すように2次元アレイの素子群を形成したら、導電性音響整合層111それぞれの前面に前面基板122を接続し、同様に圧電体114における背面電極116の背面に背面基板120を接続する。これによって、前面基板122の配線パターンと各導電性音響整合層111とが電気的に接続される。また背面基板120の配線パターンと背面電極116とが電気的に接続される。
2次元アレイの素子群の前面および背面に基板を接続したら、背面基板120の背面にバッキング材118を接続する。なお、圧電体114、背面基板120およびバッキング材118の間の構成としては、図1に示されるものに限られず、必要に応じて信号処理を行う電子回路や背面整合層などの構造物を介在させることが可能である。
2次元アレイの素子群の前面および背面に基板を接続したら、バッキング材118の接続と同時または前後して、前面基板122の前面に音響レンズ102を接続する。なお、上述のように音響整合層を3層以上で構成する場合は、音響レンズ102の前面に音響整合層を配置しても良い。また、前面基板122と音響レンズ102を隣接させず、前面基板122の前面に音響整合層を配置し、その音響整合層の更に前面に音響レンズ102を配置することも可能である。
次に、第1実施形態の超音波トランスデューサ100を有する超音波プローブと、超音波診断装置本体との接続構成の一例について説明する。なお、以下の説明においては図示を省略する。超音波プローブは、内部に超音波トランスデューサ100が設けられ、超音波診断装置本体と超音波プローブとを電気的に接続するためのインターフェース(ケーブル等)を有している。また超音波トランスデューサ100は、前面基板122の配線パターンおよび背面基板120の配線パターンと、超音波プローブのインターフェースとを通じて、超音波診断装置本体と電気的に接続されており、超音波の送受信にかかる信号を相互に伝達している。
以上説明した第1実施形態にかかる超音波トランスデューサ100および超音波プローブの作用および効果について説明する。
次に、第2実施形態にかかる超音波トランスデューサ200および超音波トランスデューサ200が設けられた超音波プローブについて図9〜図16を参照して説明する。図9は、第2実施形態にかかる超音波トランスデューサ200の概要を示す概略斜視図である。なお、第2実施形態については、第1実施形態と異なる部分を主として説明し、その他重複する部分については説明を割愛する場合がある。また、図9において示される超音波トランスデューサ200の素子数は概念上示されるものである。また行数や列数についても一例に過ぎず、その他の構成を適用することも可能である。
図9に示すように、第2実施形態にかかる超音波トランスデューサ200においても、圧電体214がxy面上において2次元的に配列されている。この圧電体214の前面側に前面電極212が設けられ、背面側に背面電極216が設けられる。また各圧電体214の前面それぞれに対応して非導電性音響整合層210が設けられている。さらに非導電性音響整合層210における前面側に導電性音響整合層211が設けられる。また、圧電体214における背面側にはバッキング材218が設けられ、かつバッキング材218と圧電体214との間には、背面基板220が設けられている。また、図9に示すように導電性音響整合層211の前面側には前面基板222が設けられている。また前面基板222のさらに前面側には音響レンズ202が設けられている。なお、図1と同様に、図9においても、前面基板222および背面基板220は部分的に図示が省略されている。
次に、図10、図11(A)および図11(B)を参照して、第2実施形態の超音波トランスデューサ200における非導電性音響整合層210、圧電体214について説明する。図10は、第2実施形態にかかる音響整合層(211、210)および圧電体214の積層体を示した概略斜視図である。図11(A)は、第2実施形態にかかる非導電性音響整合層210および圧電体214からなる積層体の溝210aを示した概略斜視図である。図11(B)は、図11(A)の溝210aに樹脂210cを充填した状態を示す概略斜視図である。
次に図12〜図16を参照し、第2実施形態にかかる超音波トランスデューサ100の製造方法、特に非導電性音響整合層210および圧電体214の溝210aを設ける工程を主として説明する。図12〜図16は、第2実施形態にかかる超音波トランスデューサ200の製造工程を示した概略斜視図である。
図9〜図11(A)・図11(B)に例示されるように、第2実施形態の超音波トランスデューサ200における音響整合層は、非導電性音響整合層210および導電性音響整合層211を積層して構成されている。ただし、第2実施形態においては、この積層された音響整合層を形成する前に、図12に示すように、非導電性材料ブロック2101と、圧電体材料ブロック2141を積層する。なお、圧電体材料ブロック2141の前面にはあらかじめ前面電極212となる層が形成されているものとする。同じく圧電体材料ブロック2141の背面にはあらかじめ背面電極216となる層が形成されているものとする。
非導電性材料ブロック2101と圧電体材料ブロック2141を接続したら、これらの積層体に溝210aを設ける。すなわち図14に示すように、非導電性材料ブロック2101における接続面と反対側の面(非導電性材料ブロック2101前面)から、非導電性材料ブロック2101を貫通し、圧電体材料ブロック2141の中途まで至る溝210aを設ける。なお、「接続面」とは圧電体材料ブロック2141との接続面を示す。
非導電性材料ブロック2101および圧電体材料ブロック2141の積層体における溝210aを形成したら、その音響整合層ブロックと圧電体材料ブロック2141とを接続する。つまり、図15に示すように非導電性材料ブロック2101における圧電体材料ブロック2141との接続面と反対側の面(非導電性材料ブロック2101前面)に対し、導電性材料ブロック2111を接続する。
非導電性材料ブロック2101および圧電体材料ブロック2141の積層体と、導電性材料ブロック2111とを接続したら、さらにその積層体に対し行列方向に分割溝を設ける。その結果、図16のような圧電体214、非導電性音響整合層210、導電性音響整合層211の積層体を2次元配列してなる素子群が形成される。
以上説明した第2実施形態にかかる超音波トランスデューサ200を含む超音波プローブの作用及び効果について説明する。
次に、第3実施形態にかかる超音波トランスデューサ300および超音波トランスデューサ300が設けられた超音波プローブについて図17〜図24を参照して説明する。図17は、第3実施形態にかかる超音波トランスデューサ300の概要を示す概略斜視図である。なお、第3実施形態については、第1実施形態および第2実施形態と異なる部分を主として説明し、その他重複する部分については説明を割愛する場合がある。また、図17において示される超音波トランスデューサ300の素子数は概念上示されるものである。また行数や列数についても一例に過ぎず、その他の構成を適用することも可能である。
図17に示すように、第3実施形態にかかる超音波トランスデューサ300においても、圧電体314がxy面上において2次元的に配列され、前面電極312および背面電極316が設けられる。また各圧電体314の前面それぞれに対応して、前方へ向かって順に、非導電性音響整合層310、導電性音響整合層311、前面基板322、音響レンズ302が設けられる。また、圧電体314における背面側にはバッキング材318が設けられ、かつバッキング材318と圧電体314との間には、背面基板320が設けられている。なお、図1と同様に図17においても、前面基板322および背面基板320は部分的に図示が省略されている。
第3実施形態における前面電極312は、第1実施形態および第2実施形態における前面電極112、前面電極212と比較して厚く形成されている。例えば、第1実施形態の前面電極112および第2実施形態における前面電極212の厚さを約1μm程度としたときに、この前面電極312の厚さは、約20μm程度である。このように前面電極312を厚く形成するのは、次に述べるように、この実施形態において前面電極312の中途まで溝310aを設けるためである。
次に、図18、図19(A)および図19(B)を参照して、第3実施形態の超音波トランスデューサ300における非導電性音響整合層310、圧電体314について説明する。図18は、第3実施形態にかかる音響整合層(311、310)、前面電極312および圧電体314の積層体を示した概略斜視図である。図19(A)は、第3実施形態にかかる非導電性音響整合層310、前面電極312および圧電体314の積層体の溝310aを示した概略斜視図である。図19(B)は、図19(A)の溝310aに樹脂を充填した状態を示す概略斜視図である。
次に図20〜図24を参照し、第3実施形態にかかる超音波トランスデューサ300の製造方法、特に非導電性音響整合層310および前面電極312の溝310aを設ける工程を主として説明する。図20〜図24は、第3実施形態にかかる超音波トランスデューサ300の製造工程を示した概略斜視図である。
図17〜図19(A)・図19(B)に例示されるように、第3実施形態の超音波トランスデューサ300における音響整合層は、非導電性音響整合層310および導電性音響整合層311を積層して構成されている。ただし第3実施形態においても、図20に示すように、この積層された音響整合層を形成する前に、非導電性材料ブロック3101、前面電極板3121および圧電体材料ブロック3141を積層する。この前面電極板3121の厚さは例えば約20μm程度である。なお、圧電体材料ブロック3141の背面にはあらかじめ背面電極316となる層が形成されているものとする。
非導電性材料ブロック3101と前面電極板3121が設けられた圧電体材料ブロック3141とを接続したら、これらの積層体に溝310aを設ける。すなわち図22に示すように、非導電性材料ブロック3101における接続面と反対側の面(非導電性材料ブロック3101前面)に対し、非導電性材料ブロック3101を貫通し、前面電極板3121の中途まで至る溝310aを設ける。なお、「接続面」とは圧電体材料ブロック3141との接続面を示す。
以上説明した第3実施形態にかかる超音波トランスデューサ300を含む超音波プローブの作用及び効果について説明する。
次に、上述した第1実施形態〜第3実施形態の超音波トランスデューサの変形例について、説明する。
図1、図9、図17に示すように上述の超音波トランスデューサにおいては、非導電性音響整合層(110、210または310)の前方または後方に配置された構造物の中途に至る溝(110a、210aまたは310a)が設けられて、導通路が形成された。しかしながらこの構成に限られず、例えば、導電性音響整合層の前面から導電性音響整合層および非導電性音響整合層を貫通して、圧電体の中途(または厚みのある前面電極の中途)まで至る溝を設けることも可能である。
図1、図9、図17に示すように上述の超音波トランスデューサにおいては、非導電性音響整合層(110、210または310)の前面側に導電性音響整合層(111、211または311)を配置し、さらに導電性音響整合層の前面側に前面基板(122、222または322)を配置する構成であり、非導電性音響整合層と前面基板とは、導電性音響整合層を介して電気的接続をとっている。しかしながら、このような構成に限らず、導電性音響整合層を含まず非導電性音響整合層の前面側に前面基板を設ける構成であってもよい。
この変形例を超音波トランスデューサ100へ適用する場合、まず、非導電性材料ブロック1101の前面に前面基板122を接続する。次に、非導電性材料ブロック1101における接続面と反対側の面(非導電性材料ブロック1101の背面)から、非導電性材料ブロック1101を貫通し、前面基板122の中途まで至る溝110aを設ける。次に、溝110aそれぞれに対し、導電性膜110bを設け、樹脂110cを充填する。次に、非導電性材料ブロック1101と圧電体材料ブロック1141とを接続する。次に、非導電性材料ブロック1101と圧電体材料ブロック1141との積層体に対し行列方向に分割溝を設ける。この分割溝の形成工程では、前面基板122を含めて分割する場合と、前面基板122を分割しない場合とに分かれる。
この変形例を第2実施形態の超音波トランスデューサ200へ適用する場合、まず、非導電性材料ブロック2101と、あらかじめ前面電極212となる層および背面電極216となる層が形成された圧電体材料ブロック2141を積層する。次に、非導電性材料ブロック2101における接続面と反対側の面(非導電性材料ブロック2101前面)から、非導電性材料ブロック2101を貫通し、圧電体材料ブロック2141の中途まで至る溝210aを設ける。次に、溝210aそれぞれに対し、導電性膜210bを設け、樹脂210cを充填する。次に、非導電性材料ブロック2101および圧電体材料ブロック2141の積層体に対し行列方向に分割溝を設ける。次に、2次元配列に分割された非導電性音響整合層210の前面に対し、前面基板222を接続し、同様に圧電体214における背面電極216の背面に背面基板220を接続する。
この変形例を第3実施形態の超音波トランスデューサ300へ適用する場合、まず、非導電性材料ブロック3101と、あらかじめ前面電極板3121および背面電極316となる層が形成された圧電体材料ブロック3141を積層する。次に、非導電性材料ブロック3101における接続面と反対側の面(非導電性材料ブロック3101前面)から、非導電性材料ブロック3101を貫通し、前面電極板3121の中途まで至る溝310aを設ける。次に、溝310aそれぞれに対し、導電性膜310bを設け、樹脂310cを充填する。次に、非導電性材料ブロック3101および圧電体材料ブロック3141の積層体に対し行列方向に分割溝を設ける。次に、2次元配列に分割された非導電性音響整合層310の前面に対し、前面基板322を接続し、同様に圧電体314における背面電極316の背面に背面基板320を接続する。
102、202、302 音響レンズ
110、210、310 非導電性音響整合層
110a、210a、310a 溝
110b、210b、310b 導電性膜
110c、210c、310a 樹脂
111、211、311 導電性音響整合層
112、212、312 前面電極
114、214、314 圧電体
116、216、316 背面電極
118、218、318 バッキング材
120、220、320 背面基板
122、222、322 前面基板
1101、2101、3101 非導電性材料ブロック
1111、2111、3111 導電性材料ブロック
1141、2141、3141 圧電体材料ブロック
3121 前面電極板
Claims (20)
- 2次元配置された複数の圧電体と、
前記複数の圧電体それぞれの前面に設けられた前面電極と、
前記複数の圧電体それぞれの前記前面の反対側である背面に設けられた背面電極と、
前記圧電体に対して前記前面電極側に配置され、前記前面電極側の第1の面および該第1の面の反対側である第2の面を有し、前記圧電体の配置に応じて2次元配置された非導電性音響整合層と、
前記非導電性音響整合層に対し前記第2の面側に配置された導電性音響整合層と、
前記導電性音響整合層に対して前記非導電性音響整合層と反対側に配置された配線基板と、を備え、
前記第1の面と前記第2の面との間において前記非導電性音響整合層を貫通し、該第1の面側の前記圧電体の中途、または該第2の面側の前記導電性音響整合層の中途まで至る複数の溝が形成され、
前記前面電極と前記配線基板とは、前記溝を介して導通されていること、
を特徴とする超音波トランスデューサ。 - 2次元配置された複数の圧電体と、
前記複数の圧電体それぞれの前面に設けられた前面電極と、
前記複数の圧電体それぞれの前記前面の反対側である背面に設けられた背面電極と、
前記圧電体に対して前記前面電極側に配置され、前記前面電極側の第1の面および該第1の面の反対側である第2の面を有し、前記圧電体の配置に応じて2次元配置された非導電性音響整合層と、
前記非導電性音響整合層に対し前記第2の面側に配置された配線基板と、を備え、
前記第1の面と前記第2の面との間において前記非導電性音響整合層を貫通し、該第1の面側の前記圧電体の中途、または該第2の面側の前記配線基板の中途まで至る複数の溝が形成され、
前記前面電極と前記配線基板とは、前記溝を介して導通されていること、
を特徴とする超音波トランスデューサ。 - 前記複数の溝は、前記非導電性音響整合層を貫通し、前記第2の面に接する前記導電性音響整合層の中途まで至るように形成されていること、
を特徴とする請求項1に記載の超音波トランスデューサ。 - 前記複数の溝は、前記非導電性音響整合層を貫通し、前記第2の面に接する前記配線基板の中途まで至るように形成されていること、
を特徴とする請求項2に記載の超音波トランスデューサ。 - 前記複数の溝は、前記非導電性音響整合層および前記前面電極を貫通し、前記第1の面に接する前記圧電体の中途まで至るように形成されていること、
を特徴とする請求項1または2に記載の超音波トランスデューサ。 - 2次元配置された複数の圧電体と、
前記複数の圧電体それぞれの前面に設けられた前面電極と、
前記複数の圧電体それぞれの前記前面の反対側である背面に設けられた背面電極と、
前記圧電体に対して前記前面電極側に配置され、前記前面電極側の第1の面および該第1の面の反対側である第2の面を有し、前記圧電体の配置に応じて2次元配置された非導電性音響整合層と、
前記非導電性音響整合層に対し前記第2の面側に配置された配線基板と、を備え、
前記第1の面と前記第2の面との間において前記非導電性音響整合層を貫通し、該第1の面側の前記前面電極の中途まで至る複数の溝が形成され、
前記前面電極と前記配線基板とは、前記溝を介して導通されていること、
を特徴とする超音波トランスデューサ。 - 前記複数の溝は、前記非導電性音響整合層を貫通し、前記第1の面に接する前記前面電極の中途まで至るように形成されていること、
を特徴とする請求項6に記載の超音波トランスデューサ。 - 前記複数の溝の内面には、前記第1の面から前記第2の面に至るように導電性材料が設けられていること、
を特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の超音波トランスデューサ。 - 前記複数の溝は、前記2次元配置された前記非導電性音響整合層の直交する2つの方向の一方、または両方に形成され、かつ該非導電性音響整合層の複数に亘って貫通して設けられていること、
を特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の超音波トランスデューサ。 - 前面電極が設けられた圧電体、配線基板、または導電性音響整合層を、非導電性音響整合層に積層することにより、前記圧電体の前記前面電極、前記配線基板の一面、または前記導電性音響整合層の一面と前記非導電性音響整合層の一面とが対向するように積層された積層体を形成する工程と、
前記積層体における積層面と反対側の面から前記非導電性音響整合層を貫通し、積層された前記圧電体の中途、前記配線基板の中途、または前記導電性音響整合層の中途まで至る溝を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする超音波トランスデューサの製造方法。 - 前記積層体は、前記非導電性音響整合層および前記導電性音響整合層からなり、
前記積層体の前記非導電性音響整合層における前記反対側の面に前記圧電体を積層する工程と、
積層された前記積層体および前記圧電体を、直交する2つの方向に分割する工程と、をさらに備えたこと、
を特徴とする請求項10に記載の超音波トランスデューサの製造方法。 - 前記積層体は、前記非導電性音響整合層および前記配線基板からなり、
前記積層体の前記非導電性音響整合層における前記反対側の面に前記圧電体を積層する工程と、
積層された前記積層体および前記圧電体のうち、少なくとも前記非導電性音響整合層および該圧電体を、直交する2つの方向に分割する工程と、をさらに備えたこと、
を特徴とする請求項10に記載の超音波トランスデューサの製造方法。 - 前記積層体は、前記非導電性音響整合層および前記圧電体からなり、
前記積層体の前記非導電性音響整合層における前記反対側の面に前記導電性音響整合層を積層する工程と、
積層された前記積層体および前記導電性音響整合層を、直交する2つの方向に分割する工程と、をさらに備えたこと、
を特徴とする請求項10に記載の超音波トランスデューサの製造方法。 - 前記積層体は、前記非導電性音響整合層および前記圧電体からなり、
積層された前記積層体を、直交する2つの方向に分割する工程と、
前記積層体の前記非導電性音響整合層における前記反対側の面に前記配線基板を積層する工程と、をさらに備えたこと、
を特徴とする請求項10に記載の超音波トランスデューサの製造方法。 - 非導電性音響整合層に対し、前面電極が設けられた圧電体を積層することにより、前記圧電体の前記前面電極と前記非導電性音響整合層の一面とが対向するように積層された積層体を形成する工程と、
前記積層体における積層面と反対側の面から前記非導電性音響整合層を貫通し、積層された前記圧電体における前記前面電極の中途まで至る溝を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする超音波トランスデューサの製造方法。 - 前記積層体の前記非導電性音響整合層における前記反対側の面に導電性音響整合層を積層する工程と、
積層された前記積層体および前記導電性音響整合層を、直交する2つの方向に分割する工程と、をさらに備えたこと、
を特徴とする請求項15に記載の超音波トランスデューサの製造方法。 - 前記積層体は、前記非導電性音響整合層、前記前面電極および前記圧電体からなり、
積層された前記積層体を、直交する2つの方向に分割する工程と、
前記積層体の前記非導電性音響整合層における前記反対側の面に配線基板を積層する工程と、をさらに備えたこと、
を特徴とする請求項15に記載の超音波トランスデューサの製造方法。 - 超音波トランスデューサと、
前記超音波トランスデューサと外部装置との間のインターフェースと、を備え、
前記超音波トランスデューサは、
2次元配置された複数の圧電体と、
前記複数の圧電体それぞれの前面に設けられた前面電極と、
前記複数の圧電体それぞれの前記前面の反対側である背面に設けられた背面電極と、
前記圧電体に対して前記前面電極側に配置され、前記前面電極側の第1の面および該第1の面の反対側である第2の面を有し、前記圧電体の配置に応じて2次元配置された非導電性音響整合層と、
前記非導電性音響整合層に対し前記第2の面側に配置された導電性音響整合層と、
前記導電性音響整合層に対して前記非導電性音響整合層と反対側に配置された配線基板と、を有し、
さらに前記超音波トランスデューサは、前記第1の面と前記第2の面との間において前記非導電性音響整合層を貫通し、該第1の面側前記圧電体の中途、または該第2の面側の前記導電性音響整合層の中途まで至る複数の溝が形成され、かつ前記前面電極と前記配線基板とは、該溝それぞれを介して導通されていること、
を特徴とする超音波プローブ。 - 超音波トランスデューサと、
前記超音波トランスデューサと外部装置との間のインターフェースと、を備え、
前記超音波トランスデューサは、
2次元配置された複数の圧電体と、
前記複数の圧電体それぞれの前面に設けられた前面電極と、
前記複数の圧電体それぞれの前記前面の反対側である背面に設けられた背面電極と、
前記圧電体に対して前記前面電極側に配置され、前記前面電極側の第1の面および該第1の面の反対側である第2の面を有し、前記圧電体の配置に応じて2次元配置された非導電性音響整合層と、
前記非導電性音響整合層に対し前記第2の面側に配置された配線基板と、を有し、
さらに前記超音波トランスデューサは、前記第1の面と前記第2の面との間において前記非導電性音響整合層を貫通し、該第1の面側の前記圧電体の中途、または該第2の面側の前記配線基板の中途まで至る複数の溝が形成され、かつ前記前面電極と前記配線基板とは、該溝それぞれを介して導通されていること、
を特徴とする超音波プローブ。 - 超音波トランスデューサと、
前記超音波トランスデューサと外部装置との間のインターフェースと、を備え、
前記超音波トランスデューサは、
2次元配置された複数の圧電体と、
前記複数の圧電体それぞれの前面に設けられた前面電極と、
前記複数の圧電体それぞれの前記前面の反対側である背面に設けられた背面電極と、
前記圧電体に対して前記前面電極側に配置され、前記前面電極側の第1の面および該第1の面の反対側である第2の面を有し、前記圧電体に応じて2次元配置された非導電性音響整合層と、
前記非導電性音響整合層に対し前記第2の面側に配置された配線基板と、を有し、
さらに前記超音波トランスデューサは、前記第1の面と前記第2の面との間において前記非導電性音響整合層を貫通し、該第1の面側の前記前面電極の中途まで至る複数の溝が形成され、かつ前記前面電極と前記配線基板とは、該溝それぞれを介して導通されていること、
を特徴とする超音波プローブ。
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