JP5642194B2 - 均一な温度分布を有する有機発光装置 - Google Patents
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- 238000009826 distribution Methods 0.000 title description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 150
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 29
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
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- H—ELECTRICITY
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
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- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
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- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
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Description
有機発光装置の種々の実施形態は、電磁ビームを形成するための活性層と、エレクトロルミネセンス過程の間に生じる熱を導出するための熱伝導層とを有している。熱伝導層は、200W/mK、殊に500W/mKを上回る熱伝導率を有している。
図2は、切断軸A−Aに沿った、第1の実施例の横断面を示している。有機発光装置100は基板200を有しており、この基板上に層列が被着されている。典型的には、基板200は透明な担体、例えばガラスまたはフィルムであり、例えば撓むプラスチックフィルムである。基板200上には、アノード層202が被着されている。アノード層202は、透明である。さらに、アノード層202は適切な透明な導電性材料を含んでいる。これは、例えば透明導電性酸化物、例えば酸化インジウムスズである。アノード層202上には、有機機能層204が被着されている。有機機能層202上にカソード層102が被着されている。通常は、図示の層列は、カプセル封入部によって覆われている。このカプセル封入部は分かりやすく示すために、全ての説明に対して考慮されておらず、省かれている。
図5は、切断軸A−Aに沿った第2の実施例の断面を示している。この第2の実施例は、第1の実施例と、熱伝導層206がアノード層202と有機機能層204との間に配置されておらず、熱伝導層206が有機機能層204から離れて対向している側でカソード層102を覆っている、という点において異なる。これは特に、カソード層102を介してビームが出力されない場合に可能である。なぜならこれによって、熱伝導層206内へのビームの吸収が結果的に意味を有さないからである。この場合には、カソード層102は、有利には反射性の材料、例えば金またはアルミニウムを有している。熱伝導層206は理想的には、第1の実施例におけるように、炭素を有している。熱伝導率はカソード層102の材料の熱伝導率よりも高いべきである。不透明なカソード層の場合には、反射係数が高いため、しばしばアルミニウムが使用される。従って熱伝導層206は、200W/mKを超える熱伝導係数を有しているべきである。これは熱伝導フィルム、例えば、薄いグラファイトフィルムから成り得る。これは、カソード層102上に被着される。これがCNT等の材料を有していてもよい。CNTは、優れた熱伝導体を形成する。従って、カソード層102を介して、特に良好なヒートシンクが形成される。
図6は、切断軸A−Aに沿った、第3の実施例の断面を示している。この第3の実施例は、第1および第2の実施例とは、熱伝導層206が、複数の部分領域の形状で、アノード層202内に入れられているという点において異なる。熱伝導層206のこれらの部分領域はここで中間層を形成し、これは交互にアノード層材料間に入れられている。熱伝導層206の厚さはここで、次のように選択される。すなわち、これがアノード層202の光学的な特性に、できるだけ影響を与えないように選択される。ここでも、CNTの使用が特に適している。なぜなら、この材料は、ナノチューブの構造が適切に選択されると、良好な電気的な導体になるからである。
図7は、切断軸A−Aに沿った、第4の実施例の断面を示している。この第4の実施例は、他の実施例と、熱伝導層206が中間層の形で、有機機能層204内に入れられているという点において異なる。この中間層は、個々の機能的な部分層、例えばHTL、活性層またはETLを分断する、またはこれらの機能的な部分層内に埋設される。ここでも、光学的および電気的な特性のために、殊にCNT等の材料が使用される。
有機発光装置を、基になる考えを具体化するために、幾つかの実施例に基づいて説明した。これらの実施例はここで、特定の特徴組み合わせに限定されない。幾つかの特徴および構成が、特別な実施例との関連においてのみまたは個々の実施例との関連においてのみ記載されていても、これはそれぞれ、別の実施例からの別の特徴と組み合わせ可能である。同様に、一般的な技術的な教示が実現されるならば、実施例において個別に示された特徴または特別な構成を省くまたは付加することが可能である。
Claims (7)
- 有機発光装置(100)であって、
・エレクトロルミネセンスビームを形成し、かつ当該エレクトロルミネセンスビームを出力するための活性層と、
・前記エレクトロルミネセンスビームの出力経路内に配置された、エレクトロルミネセンスプロセス中に生じた熱を導出するための熱伝導層(206)と、
・アノード層(202)とを有しており、
前記熱伝導層(206)は、200W/mKを越える熱伝導率を有しており、
前記熱伝導層(206)は導電性のカーボンナノチューブを熱伝導材料として有しており、
前記熱伝導層(206)は中間層として前記アノード層(202)内に設けられている、
ことを特徴とする有機発光装置(100)。 - 前記熱伝導層(206)は、500W/mKを越える熱伝導率を有している、請求項1記載の有機発光装置(100)。
- 前記熱伝導層(206)は、前記エレクトロルミネセンスビームのビーム出力経路内に配置されている、請求項1または2記載の有機発光装置(100)。
- 前記熱伝導層(206)は分離した複数の部分領域を有している、請求項1から3までのいずれか1項記載の有機発光装置(100)。
- 前記熱伝導層(206)は、複数の中間層として、前記アノード層(202)内に設けられている、請求項1記載の有機発光装置(100)。
- ・活性層を備えた有機機能層(204)を有しており、
別の熱伝導層(206)が中間層として当該有機機能層(204)内に設けられている、請求項1から5までのいずれか1項記載の有機発光装置(100)。 - 前記別の熱伝導層(206)は複数の中間層として前記有機機能層(204)内に設けられている、請求項6記載の有機発光装置(100)。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009054742.8 | 2009-12-16 | ||
DE102009054742A DE102009054742A1 (de) | 2009-12-16 | 2009-12-16 | Organische lichtemittierende Vorrichtung mit homogener Temperaturverteilung |
PCT/EP2010/069245 WO2011073077A1 (de) | 2009-12-16 | 2010-12-09 | Organische lichtemittierende vorrichtung mit homogener temperaturverteilung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013514612A JP2013514612A (ja) | 2013-04-25 |
JP5642194B2 true JP5642194B2 (ja) | 2014-12-17 |
Family
ID=43500140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012543614A Expired - Fee Related JP5642194B2 (ja) | 2009-12-16 | 2010-12-09 | 均一な温度分布を有する有機発光装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8629603B2 (ja) |
EP (1) | EP2486609A1 (ja) |
JP (1) | JP5642194B2 (ja) |
KR (1) | KR101805150B1 (ja) |
CN (1) | CN102687303B (ja) |
DE (1) | DE102009054742A1 (ja) |
WO (1) | WO2011073077A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140026647A (ko) | 2011-06-30 | 2014-03-05 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 광전자 부품을 위한 캡슐화 구조물 및 광전자 부품을 캡슐화하는 방법 |
DE102011079160B4 (de) * | 2011-07-14 | 2023-05-17 | Osram Oled Gmbh | Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches bauelement und verfahren zum verkapseln eines optoelektronischen bauelements |
DE102012200485A1 (de) * | 2012-01-13 | 2013-07-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organische lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zum Prozessieren einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung |
DE102014115121B4 (de) * | 2014-10-17 | 2023-03-02 | Pictiva Displays International Limited | Optoelektronische Baugruppe und Verfahren zum Herstellen und Betreiben einer optoelektronischen Baugruppe |
US20160211431A1 (en) * | 2015-01-21 | 2016-07-21 | Korea Institute Of Science And Technology | Heat radiation sheet, light emitting device, and heat radiation back sheet for photovoltaic module, each including boron nitride heat dissipation layer |
DE102015116055B4 (de) * | 2015-09-23 | 2023-07-20 | Pictiva Displays International Limited | Flächiges lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines flächigen lichtemittierenden Bauelements |
CN105633293A (zh) * | 2016-03-25 | 2016-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件及显示装置 |
KR102238565B1 (ko) * | 2018-08-16 | 2021-04-09 | 주식회사 엘지화학 | 봉지 필름 |
CN109148721B (zh) | 2018-08-28 | 2021-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法和显示装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2009
- 2009-12-16 DE DE102009054742A patent/DE102009054742A1/de not_active Ceased
-
2010
- 2010-12-09 JP JP2012543614A patent/JP5642194B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-09 CN CN201080057759.3A patent/CN102687303B/zh active Active
- 2010-12-09 WO PCT/EP2010/069245 patent/WO2011073077A1/de active Application Filing
- 2010-12-09 US US13/517,015 patent/US8629603B2/en active Active
- 2010-12-09 EP EP10790641A patent/EP2486609A1/de not_active Withdrawn
- 2010-12-09 KR KR1020127018620A patent/KR101805150B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011073077A1 (de) | 2011-06-23 |
JP2013514612A (ja) | 2013-04-25 |
CN102687303A (zh) | 2012-09-19 |
US8629603B2 (en) | 2014-01-14 |
CN102687303B (zh) | 2015-11-25 |
KR101805150B1 (ko) | 2017-12-05 |
KR20120105521A (ko) | 2012-09-25 |
EP2486609A1 (de) | 2012-08-15 |
US20120256528A1 (en) | 2012-10-11 |
DE102009054742A1 (de) | 2011-06-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130822 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131007 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131219 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140106 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140205 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140305 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140929 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |