JP5641157B2 - 磁気測定装置 - Google Patents
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Description
本発明は、磁性体試料の磁気特性、特に保磁力を漏洩磁束の測定を介して測定するための磁場測定装置に関する。
近年、省エネルギーの観点から、ハイブリッド電気自動車(HEV)や家電製品に使用される各種モータに用いられる永久磁石には、高性能なものが要求されるようになってきている。特に、高温における使用環境に対応するため、耐熱性に優れ、高い保磁力を有することが要求されている。高い保磁力を有した高性能永久磁石としては、Nd−Fe−B系磁石にDyやTbを添加したものが知られているが、DyやTbの使用は省資源の観点から好ましくはない。
そこで、上記DyやTbの使用量を極力抑えるために、大きな減磁界が作用する部分のみの保磁力を向上させた、いわゆる保磁力が磁性体内で分布する構成の磁石が提案されている(特許文献1)。
このように、保磁力が磁性体内で分布する試料を評価するには、サブミリメートル以下の微小領域における保磁力の測定が可能な測定装置が求められる。
従来、磁性体試料の磁気特性測定にはB−Hカーブトレーサーや試料振動型磁力計(VSM:Vibrating Sample Magnetometer)が用いられてきた。しかしながら、これらの測定装置では、測定対象となる磁性体の平均的な磁気特性が測定されるに過ぎず、保磁力の分布、すなわち微小領域の保磁力を測定することはできない。
測定対象となる磁性体を切断加工などによって分割し、VSMなどで測定することによって、微小な領域の保磁力を測定する方法も考えられる。しかしながら、加工による磁性体表面層へのダメージにより、磁性体試料の本質的な保磁力を測定できないことが懸念される。
磁性体試料の微小領域における保磁力を、磁性体試料の加工を伴わずに測定するためには、磁性体からなる測定子にて試料表面を走査する磁気力顕微鏡(MFM:Magnetic Force Microscopy)が用いられている。
MFMを用いて試料の微小領域における保磁力を測定するためには、磁場中にて磁性体試料を測定する必要がある。しかしながら、高磁場中では測定子が磁場の影響を受けてしまうために測定ができず、前記DyやTbを添加して得られるような高保磁力試料の保磁力を評価することは困難である。
特許文献2には磁気力顕微鏡を利用した垂直磁気記録媒体中の保磁力分布解析方法並びにその解析装置が開示されており、試料に略垂直に磁界(磁場)が印加された状態にて試料表面の磁区から発生される漏れ磁束に応じた磁束を検出するとしている。しかしながら、試料およびその表面を走査する測定子に強い磁界が印加された場合に、測定子の磁化状態が変化してしまうという問題のために高磁界中(強磁場中)における測定が困難であり、高保磁力の試料の保磁力を評価することはできない。
本発明はこうした状況を認識してなされたものであり、磁性体試料の漏洩磁束を測定する測定部に磁場を印加することなく、高保磁力の試料の保磁力を評価することのできる磁場測定装置を提供することを目的とする。
本発明は、磁性体試料の保磁力を測定する磁場測定装置であって、 前記磁性体試料に第1の方向の外部磁場を印加して略飽和磁化する第1の磁場発生部と、前記磁性体試料に前記第1の方向とは逆方向の磁場を印加して減磁する第2の磁場発生部と、 前記第2の磁場発生部によって減磁された後の前記磁性体試料の漏洩磁束を測定する測定部と、前記第1及び第2の磁場発生部および前記測定部の動作を制御して、前記逆方向の磁場の大きさを順に変更したときの前記漏洩磁束を得、当該漏洩磁束が最大となったときの前記磁場の大きさを前記磁性体試料の保磁力として出力する保磁力判定部とを備える磁場測定装置である。本発明はこのような構造を有することにより、減磁後の磁性体試料を測定するので、測定中に磁場を印加する場合のように、印加される磁場の影響を測定部が受けることはない。また前記磁性体試料の漏洩磁束が最大となるときの第2の磁場発生部の磁場の大きさを基に磁性体試料の保磁力として出力しているので、反磁場の影響を受けずに磁性体試料の残留磁化を正確に測定することができる。
また、本発明においては、前記第1の磁場発生部は、前記第2の磁場発生部の機能を兼ねてもよい。
また、本発明のおいては、前記第2の磁場発生部は、前記磁性体試料に対して一様な磁場を印加してもよい。
本発明によれば、高い保磁力を有する磁性体試料(例えばNd−Fe−B系磁石にDyやTbを添加したもの)に対して、測定部が外部磁場によって磁化されるという問題なく、微小領域の保磁力の測定が可能となる。
以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態を詳述する。なお、各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理等には同一の符号を付し、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は発明を限定するものではなく例示であり、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
図1は本発明に係る磁場測定装置の全体構成を示す概略斜視図である。図1において、Xt軸方向(図示のXYZ直交3軸のうちのX軸に平行)に摺動自在なXテーブル11と、Xテーブル11上に配されてYt軸(XYZ直交3軸のうちのY軸に平行)方向に摺動自在なYテーブル12と、Yテーブル12上に配されてZt軸(XYZ直交3軸のうちのZ軸に平行)方向に摺動自在なZテーブル13とを有するXYZテーブル10が基台1上に設置されており、Zテーブル13上に薄板状の形態を有する磁性体試料5が位置決め固定されている。また、本発明に係る磁場測定装置は、測定装置の各部を制御し、測定された漏洩磁束を基に判定をおこない、保磁力とその分布を算出するする制御部40を含む。
本発明の測定対象となる磁性体試料とは、R−T−B系、R−T系のような希土類系磁石、Baフェライト、Srフェライトのような酸化物系磁石、さらに、磁石のような高い保磁力を有さない軟磁性体を含む。また、磁性体試料の磁化方向が、薄板状の試料の形状に対して面直方向である場合には、本発明は容易な機構にて実現可能であるが、磁化方向が面内である場合についても、本発明は有効に機能する。
XYZテーブル10の駆動方式はモータで駆動するものでもよく、ピエゾアクチュエータで駆動するものでも良い。XYZテーブル10のXY方向における移動ストロークは試料の測定領域をカバーするよう設定すれば良い。これにより、試料の測定領域全体を測定することが可能となる。XYZテーブル10のXY方向における移動ストロークは例えば10×10mmである。XYZテーブル10のZ方向における移動ストロークは試料の厚さよりも十分に大きく設定すれば良い。これにより、測定部2、磁場発生部6に対して磁性体試料5を容易に接近させることが可能となる。本実施形態においては、磁場発生部6は、1つの磁極7によって、第1の方向の磁場を印加して略飽和磁化をし、前記第1の方向とは逆方向の磁場を印加して減磁を行う。従って、本実施形態においては、磁場発生部6は、第1の磁場発生部と第2の磁場発生部を兼ねているが、第1の磁場発生部と第2の磁場発生部を別に設けてもよい。XYZテーブル10のXY方向における位置決め分解能は磁性体試料5の磁区の大きさより十分に小さく設定すればよい。これにより、微小領域の漏洩磁束分布測定が可能となる。XY方向における位置決め分解能は例えば10nmである。XYZテーブル10のZ方向における位置決め分解能は磁性体試料5の表面粗さより十分に小さく設定すればよい。これにより、表面形態の影響を受けずに試料の保磁力の測定が可能となる。
基台1にはZs軸方向(XYZ直交3軸のうちのZ軸に平行)に摺動自在なZアーム23が立設固定されており、Zアーム23の前面にXs軸方向(XYZ直交3軸のうちのX軸に平行)に摺動自在なXアーム21と、Xアーム21の前面にYs軸方向(XYZ直交3軸のうちのY軸に平行)に摺動自在なYアーム22が設置されており、Yアーム22の底面にホルダアーム4と、ホルダアーム4の先端底面に測定部2が設置されている。
XYZアーム20の駆動方式はモータで駆動するものでもよく、ピエゾアクチュエータで駆動するものでも良い。XYZアーム20のXY方向における移動ストロークは試料の測定領域をカバーするよう設定すれば良い。これにより、試料の測定領域全体を測定することが可能となる。XYZアーム20のXY方向における移動ストロークは例えば100×100mmである。XYZアーム20のZ方向における移動ストロークは試料の厚さよりも十分に大きく設定すれば良い。これにより、測定部2に対して磁性体試料5を容易に接近させることが可能となる。XYZアーム20のXY方向における位置決め分解能は磁性体試料5の磁区の大きさより十分に小さく設定すればよい。これにより、微小領域の漏洩磁束分布測定が可能となる。XY方向における位置決め分解能は例えば10nmである。XYZアーム20のZ方向における位置決め分解能は磁性体試料5の表面粗さより十分に小さく設定すればよい。これにより、表面形態の影響を受けない保磁力の測定が可能となる。
XYZステージ10とXYZアーム20の二つの機構は磁性体試料5と測定部2の間における相対的な位置関係において同一の動作をするものであるが、それぞれの機構の異なる駆動方式を選択することにより、微小領域の測定から大面積試料の測定までが一台の装置で可能となる。例えばXYZステージ10の駆動方式をモータによる粗動動作とし、XYZアーム20の駆動方式をピエゾアクチュエータによる微動動作とすると良い。これにより、粗動動作によって試料中の任意の箇所への高速に移動し、微動動作によって微小領域の漏洩磁束分布を詳細に測定することが可能となる。
基台1にはZm軸方向(XYZ直交3軸のうちのZ軸に平行)に摺動自在なZm軸駆動系30が立設固定されており、Zm軸駆動系30の前面に磁場発生部6が設置されている。磁場発生部6によって磁性体試料5を着磁するためには、磁場発生装置6から磁場を外部に放射する磁極7と磁性体試料5の表面が対向する着磁位置(図1の仮想線位置)にXYZテーブル10を移動し、Zm軸駆動系30によって磁極7を磁性体試料5の表面に十分に近接させる。これにより、磁性体試料5を一様に若しくは磁場発生部6の磁極7が有するパターンの通りに着磁することが可能となる。
図2は磁性体試料5の保磁力分布測定動作を示すフローチャートである。まず、XYZテーブルおよびZm軸駆動系により磁性体試料5を着磁位置(図1の仮想線位置)へ移動させる(step1)。次いで、磁場発生装置6にて磁極7から磁場を放射し、磁性体試料5を正方向(例えば、磁性体試料上面がN極となる方向)に着磁する(step2)。この時、磁極7より放射される磁場は磁性体試料5を飽和着磁させるのに十分な強度(例えば、6400kA/m)を有し、空間的な分布を持たない一様な磁場である。
step3では磁性体試料5をstep2における着磁方向と逆向きに着磁する。この時、磁極7より放射される磁場は空間的な分布を持たない一様な磁場である。また、磁場の強度は以降の工程において磁性体試料5の保磁力まで漸増させながら着磁・測定を繰り返すため、予想される保磁力よりも小さい値(例えば、160kA/m)とすればよい。次いで、XYZテーブルおよびZm軸駆動系により磁性体試料5を測定位置へ移動させる(step4)。
XYZテーブル10を移動させ、磁性体試料5と測定部2の相対位置を変化させ(step5)、測定部2にて磁性体試料5の磁場を測定する(step6)。なお、磁性体試料5と測定部2の相対位置はXYZアーム20にて変化させてもよい。このXYZテーブル10(XYZアーム20)による移動と測定部2による測定を、測定領域の全域を測定終了するまで繰り返す(step7)。
測定領域の全域を測定終了したら、制御部40により、測定された漏洩磁束分布図を解析し、薄板状の磁性体試料に保磁力相当の磁場が印加されることにより出現するパターンを示す領域を判別し、その領域の保磁力をstep3にて印加した磁場の強度とする(step8)。この保磁力判別パターンの詳細は後述する。
step9にて測定領域全体の保磁力分布を測定終了と判断されなければ、XYZテーブルおよびZm軸駆動系により磁性体試料5を着磁位置(図1の仮想線位置)へ移動させ(step10)、着磁(磁場発生)出力を増加させた(step11)後に、再び着磁、測定、解析(step3〜8)を繰り返す。なお、着磁出力の増分は磁性体試料5の磁気特性から決定すればよく、角型性が高く減磁曲線が保磁力近傍にて急峻に変化するような試料の場合には小さい値(例えば、160kA/m)とすればよい。
図3は前記保磁力分布測定動作に用いた磁性体試料5の磁化−磁界曲線の例示である。磁性体試料5はスパッタリング法にて作製された、大きさが6mm×6mm、厚さが100nmのNd2Fe14B薄膜である。磁化−磁界曲線の測定はVSMにておこない、磁場は薄膜試料の表面に対して垂直に印加した。
磁性体試料5の保磁力は1120kA/mであることが磁化−磁界曲線から読み取ることができる。すなわち、磁性体試料5の中の半分の磁化が外部磁場1120kA/mにて反転すると考えられる。
図4は前記図2のフローチャートにて示された保磁力分布測定動作にて得られた磁性体試料5の漏洩磁束分布図の例示である。磁性体試料5は最初に6400kA/mの磁場を正方向に印加した(6400kA/m)後に試料表面の漏洩磁束分布を測定し、次いで160kA/mの磁場を負方向に印加した(160kA/m)後に表面の漏洩磁束分布を測定した。さらに、負方向に印加する磁場を1600kA/mまで160kA/mずつ増加させながら測定を繰り返した。さらに、大きい磁場(2400kA/m、6400kA/m)を負方向に印加して試料表面の漏洩磁束分布に変化が無いことを確認した。最後に6400kA/mの磁場を正方向に印加した試料を測定し、最初の状態と同一の測定領域が測定されていることを確かめた(6400kA/m)。
表1は前記図2のフローチャートにて示された保磁力分布測定動作にて得られた磁性体試料5の漏洩磁束の平均値と印加磁場の関係である。ここで、漏洩磁束の平均値とは前記図4に例示した漏洩磁束分布図に示された各点(XY:0.1μmピッチ)より得られた磁束密度の絶対値について図中のすべての点の平均を示す。
磁性体試料5は6400kA/mの磁場を正方向に印加した状態(6400kA/m)にて飽和着磁されているにも関わらず、検出された漏洩磁束の平均値は小さい。これは一様に着磁された薄板状の形態を有する磁性体試料5から反磁場Hdの影響により磁束が漏洩しないことに起因すると考えられる。
次いで、160kA/mの磁場を負方向に印加した状態(160kA/m)でも磁性体試料5の漏洩磁束の平均値に大きな変化は見られない。さらに、負方向に印加する磁場を増加させていき、磁性体試料5に負方向の磁場を1120kA/m印加した状態(1120kA/m)にて、漏洩磁束の平均値が急峻に増大し最大となった。これは磁性体試料5の保磁力に相当する磁場を印加したことにより、磁性体試料5の中の略半量の磁化が反転し、反磁場係数Hdが最小となったことにより、磁性体試料5から外部に漏洩する磁束が最大となったことに起因すると考えられる。
磁性体試料5の保磁力を超えて、さらに負方向に印加する磁場を増加させていくと、測定領域の中の漏洩磁束の平均値は減少する。これは磁性体試料5の中の磁化反転している領域が拡大し、反磁場係数が大きくなることにより、磁性体試料5から外部に漏洩する磁場が小さくなっていくことに起因すると考えられる。
以上に示した、負方向に印加する磁場を漸増させながら繰り返した測定において、最大の漏洩磁場が観測された印加磁場である1120kA/mを基に、試料の形状に起因する反磁場係数、磁性体試料5のリコイル透磁率などを加味した値が磁性体試料5の保磁力であると示すことができる。この結果は図3において示した磁性体試料5をVSMにて測定して得られた磁化−磁界曲線から求めた保磁力と一致している。
1 基台
2 測定部
4 ホルダアーム
5 磁性体試料
6 磁場発生装置
7 磁極
10 XYZテーブル
11 Xテーブル
12 Yテーブル
13 Zテーブル
20 XYZアーム
21 Xアーム
22 Yアーム
23 Zアーム
30 Zm軸駆動系
40 制御部
2 測定部
4 ホルダアーム
5 磁性体試料
6 磁場発生装置
7 磁極
10 XYZテーブル
11 Xテーブル
12 Yテーブル
13 Zテーブル
20 XYZアーム
21 Xアーム
22 Yアーム
23 Zアーム
30 Zm軸駆動系
40 制御部
Claims (3)
- 磁性体試料の保磁力を測定する磁場測定装置であって、
前記磁性体試料に第1の方向の磁場を印加して略飽和磁化する第1の磁場発生部と、
前記磁性体試料に前記第1の方向とは逆方向の磁場を印加して減磁する第2の磁場発生部と、
前記第2の磁場発生部によって減磁された後の前記磁性体試料の残留磁化に起因する漏洩磁束を測定する測定部と、
前記第1及び第2の磁場発生部および前記測定部の動作を制御して、前記逆方向の磁場の大きさを順に変更したときの前記漏洩磁束を得、当該漏洩磁束が最大となったときの前記磁場の大きさを基に前記磁性体試料の保磁力として出力する保磁力判定部と
を備えることを特徴とする磁場測定装置。 - 前記第1の磁場発生部は、前記第2の磁場発生部の機能を兼ねる
ことを特徴とする請求項1に記載の磁場測定装置。 - 前記第2の磁場発生部は、前記磁性体試料に対して一様な磁場を印加する
ことを特徴とする請求項1に記載の磁場測定装置。
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