JP5638366B2 - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
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Description
請求項1に記載の発明は、光を受ける受光面を有した半導体基板を備えるとともに、前記受光面に対向する裏面が第一導電型の第一不純物領域を有してパッシベーション膜で覆われる光電変換装置の製造方法であって、前記受光面の一部と前記裏面とに前記パッシベーション膜を形成する工程と、前記パッシベーション膜上から前記裏面に向けて前記第一導電型の不純物元素のイオンビームを照射して前記裏面に前記第一不純物領域を形成する工程と、前記パッシベーション膜上から前記裏面に向けて前記第一導電型とは異なる第二導電型の不純物元素のイオンビームを照射して前記裏面に第二不純物領域を形成する工程と、を備え、前記パッシベーション膜は、前記裏面にて相対的に薄いことを要旨とする。
パッシベーション膜の膜厚は、通常、半導体基板の外表面を保護するために、所定の膜厚以上が必要とされている。一方、このようなパッシベーション膜の膜厚が大きくなるほど、該パッシベーション膜を通した不純物元素の注入には、大きな加速電圧が必要とされる。そして、半導体基板の表面に不純物元素を到達させるための加速電圧が大きくなり過ぎると、半導体基板の表面において結晶欠陥等のダメージが発生しやすくなる。
この点、請求項1に記載の発明によれば、少なくとも半導体基板の裏面と受光面の一部にパッシベーション膜が形成される一方、不純物元素が注入される裏面では、そのパッシベーション膜の膜厚が相対的に薄くなる。その結果、不純物元素の注入に必要とされる不純物元素の加速電圧が、他の部位と比較して低いものになるとともに、半導体基板の表面においては、裏面よりも相対的に厚いパッシベーション膜による半導体基板の保護機能が
確実なものとなる。そして、パッシベーション膜に孔を形成するためには、該孔以外の領域が薄くなることを抑えるためのマスクの形成工程やパッシベーション膜に孔を形成する工程のように、少なくとも二つ以上の工程が必要になる。この点、半導体基板の裏面におけるパッシベーション膜を相対的に薄くする方法では、半導体基板の全体にパッシベーション膜を形成した後、半導体基板の受光面にさらにパッシベーション膜を積層する方法であれ、半導体基板の裏面にパッシベーション膜を形成した後、該パッシベーション膜の厚さを減少させる方法であれ、新たな工程が単に一つだけ増えるのみである。そのため、パッシベーション膜に孔を形成する方法と比較して、光電変換装置の製造に必要な工程数を少なくすることは可能である。
まず、図1及び図2を参照して、本実施形態の太陽電池の製造方法によって製造される太陽電池の構造を説明する。なお、図1においては、太陽電池の全体構造を説明する便宜上、太陽電池の外表面に形成されている凹凸形状のテクスチャー、及び太陽電池の受光面とこれに対向する裏面以外の側面を覆う膜を割愛している。図1に示されるように、太陽電池10は、半導体基板としての矩形板状のシリコン基板11における裏面11bに、外部に接続される電極12が接続された、いわゆるバックコンタクト型の太陽電池である。
(1)N型の不純物元素とP型の不純物元素とをシリコン酸化膜13とシリコン窒化膜14とを通してシリコン基板11の裏面11bに注入するようにした。それゆえに、不純物元素をシリコン基板11に拡散させるための貫通孔を別途シリコン酸化膜13やシリコン窒化膜14に形成する必要がない。そのため、シリコン酸化膜13及びシリコン窒化膜14に貫通孔を形成する方法と比較して、太陽電池10を製造するための工程数を少なくすることが可能である。
・上記裏面11b側のパッシベーション膜の厚さ、つまり、シリコン酸化膜13の厚さとシリコン窒化膜14の厚さとの和を、30nmとした。これに限らず、裏面11b側のパッシベーション膜の厚さは、5nm以上50nm以下とすることが好ましい。また、裏面11bにおけるパッシベーション膜の厚さは、5nm以上20nm以下とすることが特に好ましい。裏面11bにおけるパッシベーション膜の厚さがこうした範囲にあれば、裏面11bに対して機械的及び化学的な最低限の保護、つまり太陽電池10としての十分な変換効率が維持されるだけ裏面11bを保護することができる。加えて、イオンビーム23a,24aによりイオン注入を受けるパッシベーション膜の厚さを好ましい膜厚範囲の中で相対的に薄くできるため、シリコン基板11へのイオン注入量を相対的に多くすることができる。これにより、より短いイオン注入処理の時間で、十分なイオン注入量を確保できることから、太陽電池10の製造に要するタクトタイムを短縮することができる。そして、パッシベーション膜の厚さを、20nmを超える厚さとすれば、裏面11bを機械的及び化学的により確実に保護することができる。加えて、パッシベーション膜の厚さを50nm以下とすれば、イオンビーム23a,24aの照射によるシリコン基板11へのダメージが、太陽電池10の変換効率に影響を及ぼす程度に大きくなることをより確実に抑制できる。
・上記シリコン基板11に代えて、ガリウムヒ素(GaAs)基板、硫化カドミウム(CdS)基板、カドミウムテルル(CdTe)基板、セレン化銅インジウム(CuInSe)基板等の化合物半導体基板や、有機半導体基板を用いるようにしてもよい。
Claims (8)
- 光を受ける受光面を有した半導体基板を備えるとともに、前記受光面に対向する裏面が第一導電型の第一不純物領域を有してパッシベーション膜で覆われる光電変換装置の製造方法であって、
前記受光面の一部と前記裏面とに前記パッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜上から前記裏面に向けて前記第一導電型の不純物元素のイオンビームを照射して前記裏面に前記第一不純物領域を形成する工程と、
前記パッシベーション膜上から前記裏面に向けて前記第一導電型とは異なる第二導電型の不純物元素のイオンビームを照射して前記裏面に第二不純物領域を形成する工程と、
を備え、
前記パッシベーション膜は、前記裏面にて相対的に薄い光電変換装置の製造方法。 - 前記パッシベーション膜を形成する工程では、前記パッシベーション膜を構成する第一パッシベーション膜を形成した後に前記パッシベーション膜を構成する第二パッシベーション膜を前記半導体基板に形成する
請求項1に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記パッシベーション膜が、前記半導体基板の全体に形成される膜である
請求項1又は2に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記第一不純物領域を形成する前に、前記半導体基板の全体に前記第一パッシベーション膜を形成して前記第二パッシベーション膜を前記受光面側のみに積層する
請求項2に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記第一不純物領域を形成する前に、前記半導体基板の全体に前記パッシベーション膜を形成して該パッシベーション膜の前記裏面側の厚さを減少させる
請求項1から4のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記裏面における前記パッシベーション膜の膜厚が5nm以上50nm以下である
請求項1〜5のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記半導体基板が、シリコン基板であり、
前記パッシベーション膜を構成する前記第一パッシベーション膜と前記第二パッシベーション膜とのうち、少なくとも前記第一パッシベーション膜がシリコン酸化膜である
請求項2に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記半導体基板が、シリコン基板であり、
前記パッシベーション膜を構成する前記第一パッシベーション膜と前記第二パッシベーション膜とのうち、少なくとも前記第二パッシベーション膜がシリコン窒化膜である
請求項2に記載の光電変換装置の製造方法。
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