JP5638065B2 - 高分子固体電解質、及びそれを用いた高分子トランスデューサ - Google Patents
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Description
請求項7に記載された高分子トランスデューサの製造方法は、請求項6に記載されたものであって、前記第二の工程が、前記電極を形成する工程であって、前記酸解離定数がトルエンスルホン酸の酸解離定数であり、前記塩を作用させることによって、前記オニウムカチオンに変換する操作を含むことを特徴とする。
請求項8に記載された高分子トランスデューサの製造方法は、請求項6に記載されたものであって、前記第二の工程が、前記電極及び前記室温で固体性状の高分子固体電解質を形成する工程であって、前記塩を含む溶液に、前記積層体を浸漬する操作を含むことを特徴とする。
下記化学式(1)
で示される繰り返し単位を含む重合体が高分子固体電解質に含まれていることが好ましい。
ここで、これらの有していてもよい置換基とは、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、tert−ブトキシ基、メチルエトキシ基、エチルエトキシ基などのアルコキシ基等が挙げられる。
下記化学式(2)
で示される繰り返し単位を含む重合体ブロック(A)と、実質的にイオン基を有しておらず、25℃においてゴム状である重合体ブロック(B)とを含むブロック共重合体が高分子固体電解質に含まれていることが好ましい。尚、化学式(2)中のn,mは整数であってもよい。
(1)テトラヒドロフラン溶媒中でジアニオン型重合開始剤を用いて共役アルカジエン化合物を重合した後に、−78℃の温度条件下においてα−メチルスチレンを重合させトリブロック共重合体を得る方法[マクロモレキュールズ(Macromolecules)1969年, 第2巻第5号,p.453−458]。
(2)α−メチルスチレンをアニオン重合開始剤を用いてバルク重合を行った後に、共役アルカジエン化合物を重合させ、その後テトラクロロシラン等のカップリング剤によりカップリング反応を行いスター型ブロック共重合体を得る方法[カウチェ.グミ,クンスタスト.(Kautsch. Gummi, Kunstst.,) 1984年, 第37巻第5号,p.377−399;ポリマー ブレティン(Polymer Bulletin), 1984年, 第12巻, p.71−77]。
(3)非極性溶媒中、有機リチウム化合物を開始剤として用い、0.1〜10質量%の濃度の極性化合物の存在下、−30〜30℃の温度にて、5〜50質量%の濃度のα−メチルスチレンを重合させ、得られるリビングポリマーに共役アルカジエン化合物を重合させた後、カップリング剤を添加してトリブロック共重合体を得る方法。
これらのうちでも、工業的経済性の観点から、特に(3)の方法が好ましい方法として採用される。尚、これらの方法において、反応させる成分を変えたり、追加したりすることによって、高分子固体電解質の前駆体として、他の重合体ブロックを有するブロック共重合体を得ることも出来る。
下記化学式(3)〜(5)
に示す構造の塩を形成する。
本実施例及び比較例で使用した材料について以下に示す。
(2)ポリスチレン−b−ポリイソプレン−b−ポリスチレンの水素添加物(SEPS):株式会社クラレ製「セプトン2002」をトルエンに溶解させた後、水により3回洗浄し、次いで大過剰のアセトンに再沈殿させて精製したものを用いた。
(3)ポリα−メチルスチレン−b−ポリ(1,3−ブタジエン)−ポリα−メチルスチレンの水素添加物(mSEBmS):公知の方法(国際公開第02/40611号)と同様の方法で、ポリα−メチルスチレン−b−ポリ(1,3−ブタジエン)−b−ポリα−メチルスチレン型トリブロック共重合体を合成した。得られたトリブロック共重合体の数平均分子量[ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)測定、ポリスチレン換算]は76,000であり、1H−NMR(核磁気共鳴)から求められた1,3−ブタジエンに由来する1,4−結合量は55%、α−メチルスチレン単位の含有量は30質量%であった。合成したトリブロック共重合体のシクロヘキサン溶液を調製し、十分に窒素置換を行った耐圧容器に仕込んだ後、Ni/Al系のチーグラー型水素添加触媒を用いて、水素雰囲気下80℃で5時間の水素添加反応を行いmSEBmSを得た。得られたmSEBmSの水素添加率は1H−NMRより99.6mol%であった。
(4)濃硫酸:和光純薬工業株式会社より購入してそのまま用いた。
(5)ジクロロメタン:キシダ化学株式会社より購入し、モレキュラーシーブ(4A)に接触させたものを用いた。
(6)3−エチル−1−メチルイミダゾリウムアセテート:アルドリッチ社より購入し、そのまま用いた。
(7)3−エチル−1,2−ジメチルイミダゾリウムブロマイド:関東化学株式会社より購入し、そのまま用いた。
(8)3−エチル−1−イミダゾリウムブロマイド:アルドリッチ社より購入し、そのまま用いた。
(9)3−エチル−1−イミダゾリウムテトラフルオロボレート:アルドリッチ社より購入し、そのまま用いた。
(10)アニオン交換樹脂:オルガノ株式会社より購入した「アンバーライト IRA400 OH AG」を、水で湿潤させて用いた。
(11)テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(10w/v%):東京化成工業株式会社より購入し、そのまま用いた。
(13)テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド水溶液(10w/v%):東京化成工業株式会社より購入し、そのまま用いた。
(14)テトラn−ブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(10w/v%):東京化成工業株式会社より購入し、そのまま用いた。
(15)トリn−ブチルメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(20w/v%):アルドリッチ社より購入し、そのまま用いた。
(16)アンモニア水(10%):和光純薬工業株式会社より購入し、そのまま用いた。
(17)イミダゾール水溶液(10%):和光純薬工業株式会社より購入したイミダゾールを、蒸留水に濃度が10%(w/v)となるように溶解させて水溶液として用いた。
(18)導電性カーボンブラック:ライオン株式会社より購入した「ケッチェンブラックEC600JD」を、150℃で12時間、真空乾燥したものを用いた。
(19)0.01規定 水酸化ナトリウム標準水溶液:和光純薬工業株式会社より購入し、そのまま用いた。
(20)1%フェノールフタレイン エタノール溶液:和光純薬工業株式会社より購入し、そのまま用いた。
その他の溶媒、試薬類は市販品を購入し、必要に応じて一般的な方法で精製したものを用いた。
mSEBmSのスルホン化
mSEBmS 355gを撹拌機付きのガラス製反応容器中にて1時間真空乾燥し、次いで、窒素で系内を置換した後、塩化メチレン3Lを加え、35℃にて2時間撹拌して溶解した。溶解後、塩化メチレン155mL中、0℃にて無水酢酸34.7mLと濃硫酸77.5mLとを反応させて得られたスルホン化剤(アセチルサルフェート)を、5分間かけて徐々に滴下した。35℃にて7時間撹拌後、10Lの蒸留水の中に撹拌しながら反応溶液を注ぎ、スルホン化mSEBmSを凝固析出した。析出した固形分を90℃の蒸留水で30分間洗浄し、更に濾別した。この洗浄及び濾別の作業を洗浄水のpHに変化がなくなるまで繰返し、最後に濾集した重合体を真空乾燥してスルホン化mSEBmSを得た。得られたスルホン化mSEBmSのα−メチルスチレン単位のベンゼン環のスルホン化率は1H−NMR(核磁気共鳴)スペクトル測定から49.8mol%、プロトン交換容量は1.08mmol/gであった。
SEBSのスルホン化
参考製造例1において、mSEBmSに代えてSEBSを用い、反応時間及び用いるスルホン化剤の量を変化させる以外は同様の操作を行ってスルホン化SEBSを得た。得られたスルホン化SEBSのスチレン単位のベンゼン環のスルホン化率は48.5mol%、プロトン交換容量は1.21mmol/gであった。
3−エチル−1,2−ジメチルイミダゾリウムヒドロキシド水溶液の合成
3−エチル−1,2−ジメチルイミダゾリウムブロマイド 10gを蒸留水50mLに溶解させた。次いでこの溶液と大過剰のアニオン交換樹脂(アンバーライト IRA400 OH AG)を室温で撹拌しながら24時間接触させて臭化物イオンをヒドロキシルイオンへ変換した。更に、水溶液からアニオン交換樹脂を濾過により除去し、3−エチル−1,2−ジメチルイミダゾリウムヒドロキシド水溶液を得た。
高分子固体電解質(I)の製造
参考製造例1で得られたスルホン化mSEBmSをテトラヒドロフラン(THF)/メタノール混合溶媒(重量比 8/2)からキャストして膜状とした。10g分の膜を、3−エチル−1−メチルイミダゾリウムアセテート5.5gを水100mLに溶解させた水溶液に浸漬した。浸漬は24時間行った。更に、水溶液中から膜を回収し、5回、水で洗浄、続いてメタノールで1回洗浄した。得られた膜を一昼夜真空乾燥し、高分子固体電解質(I)を得た。得られた高分子固体電解質(I)の一部を食塩水中に一晩浸漬し、電解質を取り除いた後の食塩水を0.01規定の水酸化ナトリウム水溶液で適定したところ、高分子固体電解質(I)のプロトン交換容量はゼロであり、スルホン酸の全てのプロトンが第15族元素を含むオニウムカチオンである3−エチル−1−メチルイミダゾリウムカチオンに置換された高分子固体電解質であることがわかった。
高分子固体電解質(II)
製造例1において、スルホン化mSEBmSに代えて参考製造例2で得られたスルホン化SEBSを用いた以外は同様の操作を行い高分子固体電解質(II)を得た。得られた高分子固体電解質(II)の一部を食塩水中に一晩浸漬し、電解質を取り除いた後の食塩水を0.01規定の水酸化ナトリウム水溶液で適定したところ、高分子固体電解質(II)のプロトン交換容量はゼロであり、スルホン酸の全てのプロトンが第15族元素を含むオニウムカチオンである3−エチル−1−メチルイミダゾリウムカチオンに置換された高分子固体電解質であることがわかった。
高分子固体電解質(III)
製造例1において、3−エチル−1−メチルイミダゾリウムアセテートの水溶液に代えて、参考製造例3で製造した3−エチル−1,2−ジメチルイミダゾリウムヒドロキシド水溶液(3−エチル−1,2−ジメチルイミダゾリウムヒドロキシドを4.6g含む)を用いた以外は同様の操作を行い高分子固体電解質(III)を得た。得られた高分子固体電解質(III)の一部を食塩水中に一晩浸漬し、電解質を取り除いた後の食塩水を0.01規定の水酸化ナトリウム水溶液で適定したところ、高分子固体電解質(III)のプロトン交換容量はゼロであり、スルホン酸の全てのプロトンが第15族元素を含むオニウムカチオンである3−エチル−1,2−ジメチルイミダゾリウムカチオンに置換された高分子固体電解質であることがわかった。
高分子固体電解質(IV)
製造例3において、スルホン化mSEBmSに代えて、スルホン化SEBSを用いる以外は同様の操作を行い高分子固体電解質(IV)を得た。得られた高分子固体電解質(IV)の一部を食塩水中に一晩浸漬し、電解質を取り除いた後の食塩水を0.01規定の水酸化ナトリウム水溶液で適定したところ、高分子固体電解質(IV)のプロトン交換容量はゼロであり、スルホン酸の全てのプロトンが第15族元素を含むオニウムカチオンである3−エチル−1,2−ジメチルイミダゾリウムカチオンに置換された高分子固体電解質であることがわかった。
高分子固体電解質(V)〜(IX)
製造例1において、3−エチル−1−メチルイミダゾリウムアセテートの水溶液に代えて、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド水溶液、テトラn−ブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、トリn−ブチルメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いた以外は同様の操作を行い高分子固体電解質(V)〜(IX)を得た。高分子固体電解質(V)〜(IX)の各々の一部を食塩水中に一晩浸漬し、電解質を取り除いた後の食塩水を0.01規定の水酸化ナトリウム水溶液で適定したところ、高分子固体電解質(V)〜(IX)のプロトン交換容量はゼロであり、スルホン酸の全てのプロトンが第15族元素を含むオニウムカチオンであるテトラメチルアンモニウムカチオン、テトラエチルアンモニウムカチオン、テトラプロピルアンモニウムカチオン、テトラn−ブチルアンモニウムカチオン、トリn−ブチルメチルアンモニウムカチオンである高分子固体電解質であることがわかった。
製造例1において、3−エチル−1−メチルイミダゾリウムアセテートの水溶液に代えて、3−エチル−1−メチルイミダゾリウムブロマイドの水溶液を用いた以外は同様の操作を行い高分子固体電解質(XII)を得た。得られた高分子固体電解質(XII)の一部を食塩水中に一晩浸漬し、電解質を取り除いた後の食塩水を0.01規定の水酸化ナトリウム溶液で適定したところ、高分子固体電解質のプロトン交換容量は1.05mmol/gであり、原料のスルホン化mSEBmSと同等のプロトン交換容量を示した。このことからスルホン酸のプロトンは第15族元素を含むオニウムカチオンには置換されていないことがわかった。
比較製造例1において、3−エチル−1−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレートの水溶液を用いる以外は同様の操作を行い高分子固体電解質(XIII)を得た。得られた高分子固体電解質(XIII)の一部を食塩水中に一晩浸漬し、電解質を取り除いた後の食塩水を0.01規定の水酸化ナトリウム溶液で適定したところ、高分子固体電解質のプロトン交換容量は1.04mmol/gであり、原料のスルホン化mSEBmSと同等のプロトン交換容量を示した。このことからスルホン酸のプロトンは第15族元素を含むオニウムカチオンには置換されていないことがわかった。
高分子トランスデューサの製造
(1)参考製造例1で得られたスルホン化mSEBmS 50gを、ジイソプロピルベンゼン/1−ヘキサノール混合溶媒(重量比8/2)200gに溶解させた(電解質溶液Aとする)。
(2)(1)で作製した溶液Aにケッチェンブラック4.4gを加えて混合し、ホモジナイザーを用いて均一に混合した(電極分散液B)。また、市販の銀ペーストで配電線を設けたポリプロピレン製のフィルム(厚み50μm)上に、スクリーン印刷機を用いて電極分散液Bを塗工し、その後80℃で乾燥した。この工程を電極の乾燥膜厚が100μmになるまで行った(積層体A)。得られた積層体Aに、スクリーン印刷機を用いて電解質溶液Aを塗工し、その後80℃で乾燥したこの工程をスルホン化mSEBmSの乾燥膜厚が15μmになるまで行った(積層体B)。更に、得られた積層体Bを、0.2Mに調製した3−エチル-1−メチルイミダゾリウムアセテート水溶液に、1時間浸漬させた。浸漬後の積層体Bは、蒸留水で充分に洗浄を行い、その後十分に乾燥を行った。この洗浄後の積層体Bは、プロトン交換容量の測定を実施したところプロトン交換容量は0mmol/lであり、電極及び電解質中に存在していたスルホン酸基のプロトンは、すべて3−エチル−1−メチルイミダゾリウムカチオンに変換されていることが確認された。次いで、洗浄乾燥を施した積層体Bの二枚を、電解質面同士が接着するように重ね合わせ、この状態で100℃で5分間プレスをすることで高分子トランスデューサ(1)を得た。尚、この際、トランスデューサとしての評価を行うため、リード線を設けた。
高分子トランスデューサの製造
製造実施例1において、3−エチル−1−メチルイミダゾリウムアセテート水溶液に代えて、3−エチル−1,2−ジメチルイミダゾリウムヒドロキシド水溶液、テトラメチルアンモニウム水溶液を用いる以外は同様の操作を行って、高分子トランスデューサ(2)〜(3)を得た。
高分子トランスデューサの製造
製造実施例1において、イオン交換の工程を行わなかった以外は同様の操作を行って、高分子トランスデューサ(4)を得た。
高分子トランスデューサの製造
製造実施例1において、洗浄乾燥した積層体Bを、乳酸エチルに10分間接触させた。表面に残存した乳酸エチルを拭き取った。この後、製造実施例1と同様の操作を行って、高分子トランスデューサ(5)を得た。
Claims (8)
- 導電性物質及び少なくとも1成分が高分子固体電解質であるバインダーが含まれる少なくとも一対の電極と、前記電極間に配設され室温で固体性状の高分子固体電解質とを具備する高分子トランスデューサであって、
前記バインダーの高分子固体電解質及び前記室温で固体性状の高分子固体電解質に含まれている重合体が、下記化学式(2)
前記バインダーの高分子固体電解質及び前記室温で固体性状の高分子固体電解質には、それら高分子固体電解質を構成する高分子鎖に非結合でその電解質内を可動なカチオンに第15族元素を含むオニウムカチオンが含まれていることを特徴とする高分子トランスデューサ。 - 前記アニオンY − が、カルボン酸アニオン、スルホン酸アニオン、又はホスホン酸アニオンであることを特徴とする請求項1に記載の高分子トランスデューサ。
- 前記重合体ブロック(A)が、スチレン及び/又はα−メチルスチレンのベンゼン環の4位にイオン基が直接結合しイオン基を形成するアニオンがスルホン酸アニオンである繰返し単位を含み、前記重合体ブロック(B)が、炭素−炭素二重結合の一部又は全部が水素添加されていてもよい1,3−ブタジエン単位及び/又はイソプレン単位からなる請求項1に記載の高分子トランスデューサ。
- 前記カチオンX+が、イミダゾリウムカチオン、ピリジニウムカチオン、アンモニウムカチオンから選ばれるオニウムカチオンであることを特徴とする請求項1に記載の高分子トランスデューサ。
- 導電性物質及び少なくとも1成分が高分子固体電解質であるバインダーが含まれる少なくとも一対の電極と、前記電極間に配設され室温で固体性状の高分子固体電解質とを具備し、前記バインダーの高分子固体電解質及び前記室温で固体性状の高分子固体電解質に含まれている重合体が、下記化学式(2)
スチレン単位及びα-メチルスチレン単位の少なくとも一方からなる重合体ブロック(a)と、炭素−炭素二重結合の一部又は全部が水素添加されていてもよい1,3−ブタジエン単位及びイソプレン単位の少なくとも一方からなる重合体ブロック(b)とを有するブロック共重合体(c)に対し、前記スチレン単位及びα-メチルスチレン単位の少なくとも一部のベンゼン環をスルホン化しスルホン酸基含有重合体とする第一の工程と、
前記スルホン酸基含有重合体のスルホン酸基のカチオンのプロトンを、前記オニウムカチオンに変換した前記ブロック共重合体にすることによって前記バインダーの高分子固体電解質及び前記室温で固体性状の高分子固体電解質を得た後、成形され又は塗工されて形成された前記室温で固体性状の高分子固体電解質上に、導電性物質及び前記バインダーの高分子固体電解質を含む成形体を貼合わせ、又は導電性物質及び前記バインダーの高分子固体電解質を含む溶液又は分散液を塗工し、前記電極を形成する工程、及び、
前記バインダーの高分子固体電解質となる前記スルホン酸基含有重合体を含む電極層前駆体と、前記室温で固体性状の高分子固体電解質となる前記スルホン酸基含有重合体を含む高分子固体電解質層前駆体とを積層した積層体中の前記スルホン酸基含有重合体のスルホン酸基のカチオンのプロトンを、前記オニウムカチオンに変換して、前記ブロック共重合体にすることによって前記電極及び前記室温で固体性状の高分子固体電解質を形成する工程の何れかの第二の工程とを有することを特徴とする高分子トランスデューサの製造方法。 - アンモニア、アミン、スルホン酸の酸解離定数よりも大きな酸の共役アニオンを有するイミダゾリウム塩、ピリジニウム塩、アンモニウム塩から選ばれた少なくとも一種の塩で、前記スルホン酸基含有重合体のスルホン酸基のカチオンの前記プロトンを、イミダゾリウムカチオン、ピリジニウムカチオン、アンモニウムカチオンから選ばれる前記オニウムカチオンに変換する操作を含むことを特徴とする請求項5に記載の高分子トランスデューサの製造方法。
- 前記第二の工程が、前記電極を形成する工程であって、前記酸解離定数がトルエンスルホン酸の酸解離定数であり、前記塩を作用させることによって、前記オニウムカチオンに変換する操作を含むことを特徴とする請求項6に記載の高分子トランスデューサの製造方法。
- 前記第二の工程が、前記電極及び前記室温で固体性状の高分子固体電解質を形成する工程であって、前記塩を含む溶液に、前記積層体を浸漬する操作を含むことを特徴とする請求項6に記載の高分子トランスデューサの製造方法。
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