JP5635264B2 - 光学システム、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム又は投影対物器械 - Google Patents
光学システム、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム又は投影対物器械 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5635264B2 JP5635264B2 JP2009541966A JP2009541966A JP5635264B2 JP 5635264 B2 JP5635264 B2 JP 5635264B2 JP 2009541966 A JP2009541966 A JP 2009541966A JP 2009541966 A JP2009541966 A JP 2009541966A JP 5635264 B2 JP5635264 B2 JP 5635264B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- optical
- polarization control
- polarization
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 229
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims description 40
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 262
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 84
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 24
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 20
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000013543 active substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 230000009471 action Effects 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- SGTNSNPWRIOYBX-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-{[2-(3,4-dimethoxyphenyl)ethyl](methyl)amino}-2-(propan-2-yl)pentanenitrile Chemical compound C1=C(OC)C(OC)=CC=C1CCN(C)CCCC(C#N)(C(C)C)C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 SGTNSNPWRIOYBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
- G02B27/281—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising used for attenuating light intensity, e.g. comprising rotatable polarising elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
- G02B27/286—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising for controlling or changing the state of polarisation, e.g. transforming one polarisation state into another
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/30—Polarising elements
- G02B5/3083—Birefringent or phase retarding elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
Description
WO2005/069081A2は、光学活性結晶を含み、結晶の光軸の方向に変化する厚み分布を伴う偏光制御光学要素を開示している。
特に、WO2006/077849A1から、偏光状態の変換のために、入射する直線偏光光の偏光方向を可変調節可能な回転角で回転することができる複数の可変光学回転子要素を有する光学要素を照明システムの瞳平面内又はその近くに配置することは公知である。これらの回転子要素によって与えられる可変回転角又は偏光状態はまた、特に、例えば2つの異なるシステムを互いに適応させるために、偏光状態を測定するためのデバイスによって供給される測定結果に従っても調節される。
本発明による光学システム、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム又は投影対物器械は、光学活性物質の少なくとも2つの偏光制御光学要素を有する少なくとも1つの偏光制御光学配置を含み、偏光制御要素のうちの少なくとも1つは回転可能に配置される。
本発明によると、光学活性物質の少なくとも2つの偏光制御光学要素が提供され、これらの偏光制御要素のうちの少なくとも1つが回転可能に配置されるということにより、光学システムにおける必要に応じた回転によってこれらの偏光制御光学要素を可変的に位置決めし、場合によってビーム経路内でこれらの要素の相互の重ね合わせを異なる程度に形成する可能性がもたらされ、それによって偏光分布の調節性に関して高レベルの柔軟性がもたらされる。これに関して、特に、入射光が両方の偏光制御光学要素を通過するか、これらの要素のうちの片方のみを通過するか、又はこれらの要素のいずれをも通過しないかということに依存して、これらの要素の重ね合わせによって与えられる、光学活性物質の全体的な厚みに依存する異なる全体回転効果を生成するために、単純に要素を回転することによってビーム経路内の2つの偏光制御光学要素の重畳領域を作成、回避、又は特に変更することができる。
好ましい実施形態によると、上述の偏光制御要素の各々は、回転可能に配置される。特に、偏光制御要素は、互いに独立して回転可能に配置することができる。
好ましい実施形態によると、少なくとも2つの偏光制御光学要素の各々は、ここでもまた、好ましくは、これらの要素の各々が直線偏光光の偏光方向の90°又はその奇数倍数の回転を引き起こすように選択された一定の厚みのものである。従って、この場合には、両方の偏光制御要素を通過する際に、偏光状態は180°回転される。この構成では、偏光制御要素のそれぞれの回転位置の変化は、一定の偏光方向を有する最初の直線偏光光から複数の異なる偏光分布を作り出すことを可能にし、これに関して瞳の個々の領域は、これらの領域の偏光方向に関して異なるように90°回転するか(要素のうちの1つのみを通過する時)、又は変更せずに留めるか(両方の要素を通過し、又はいずれの要素も通過しない時)のいずれかとすることができる。
好ましい実施形態によると、偏光制御光学配置において少なくとも1つの中立位置が存在し、この中立位置では、少なくとも2つの偏光制御光学要素は、配置を通過する光の偏光状態を実質的に未変更のままに残す。これは、例えば、偏光状態において変化が望ましくない場合には、配置全体を光学システム内で常設的に留めることができるという利点を有する。
これに関して、本発明は、円偏光状態が光学活性物質の固有状態を表すので、本発明による配置では、円偏光光が、偏光状態に関して影響を受けない条件で光学活性物質を通過するという事実を利用する。更に、上述の更に別の光学要素(ラムダ/4プレート)の回転により、この光学要素の光学結晶軸の配向を配置に当たる光の偏光方向に対して調節することができる、言い換えれば、ラムダ/4プレートは、それが線形入射偏光を円偏光へと変換する位置と、線形入射偏光を未変更のままに残す位置との間で変位することができる。
円偏光光が、円偏光状態としての偏光状態に関して影響を受けることなく光学活性物質を通過するという上述の一般的な原理の利用は、光学活性物質の固有状態が本発明による偏光制御配置に制限されず、他の配置又は光学システムにおいて一般的に実施することができることを表している。
この場合には、これらの照明環境は、生成される照明極のサイズ及び/又は形状によって異なるものとすることができ、この場合、偏光分布をこれらの照明極のサイズ及び/又は形状に連続的に適応させることができる。
好ましい実施形態によると、これらの照明環境のうちの少なくとも1つは、環状照明環境である。
好ましい実施形態によると、少なくとも1つの光学要素は、光学活性物質から作られる。
更に別の態様によると、本発明はまた、光学活性物質の少なくとも1つの光学要素を含む光学システム、特に、マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム又は投影対物器械に関し、この光学要素は、光学システムの作動において、それが円偏光光によって少なくとも領域別に照射されるように配置される。
本発明は、更に、マイクロリソグラフィ投影露光装置、微細構造構成要素のマイクロリソグラフィ生産の方法、及び微細構造構成要素に関する。
本発明の更に別の構成を本明細書及び特許請求の範囲に示す。
以下では、一例として添付図面に示す実施形態を用いて本発明をより詳細に説明する。
照明システム1は、例えば、193nmの作業波長におけるArFレーザ、及び平行光ビームを発生させるビーム形成光学システムを含む光源ユニット(示していない)からの光による構造担持マスク(レチクル)2の照明のための役割を達成する。
ビーム経路における光伝播方向に偏光制御光学配置5の下流には、混合光を生成するのに適するマイクロ光学素子をそれ自体公知の方式で有する光混合デバイス6が配置される。代替的に、光混合デバイスは、ハニカム集光器、又は例えば石英ガラス又は同じくフッ化カルシウム結晶のような作業波長の光に対して透過的な材料の棒状集積器を含むことができる。
この配置は、以下に説明するように望ましい偏光状態をもたらすという点で柔軟性において更なる改善を遂げる。最初に、図6は、2つのそれぞれの重ね合わせ要素の組合せによって得ることができる、得られる回転全体の概要を示している。この場合には、個々の偏光制御要素には、連続して「1」から「6」の番号が振られており、光がこれらの2つのプレートを通過する際に生じる回転角を度で明示し、また矢印記号の形態でも明示している。
図7e〜図7fの構成は、結果として偏光状態に影響を与えない中立位置に対応する。図7g〜図7hの構成は、好ましい偏光方向の90°の標準回転に対応し、従って、上述の図3d及び図3eの構成と同様に、非偏光作動における残存偏光の残留程度を最小にするのに適している。
相応に、それぞれ図7m〜図7n及び図7o〜図7pの構成は、それぞれ、好ましい偏光方向の45°(図7m〜図7n)及び135°(図7o〜図7p)の均一な回転に対応する。
更に、各場合に瞳の中心領域において円偏光分布を同様に有する図7a〜図7pに詳細に示す出射偏光分布を生成するために、光の伝播方向に偏光回転子又は偏光制御要素の上流に配置されたラムダ/4プレートの原理を図6及び図7を参照して説明した配置に対して適用することができることが認められるであろう。
今後特定的な実施形態を参照して本発明を説明する場合には、例えば、個々の実施形態の特徴の組合せ及び/又は置換によって当業者には数々の変形及び別の構成が明らかであろう。従って、そのような変形及び別の構成も同様に本発明によって包含され、本発明の範囲は、特許請求の範囲及びその均等物によってのみ限定されることが当業者には明らかであろう。
2 構造担持マスク(レチクル)
4 光学ユニット
3 回折光学要素
P1 瞳平面
Claims (31)
- 光学システム、特に、マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム又は投影対物器械であって、
光学活性物質の少なくとも2つの偏光制御光学要素(210、220)を有する少なくとも1つの偏光制御光学配置(200、400、550)、
を含み、
前記偏光制御要素(210、220)の少なくとも1つは、回転可能に配置され、
前記光学システムは、光学システム軸(OA)を有し、
前記光学活性物質は、それぞれ、光学活性結晶材料であり、該光学結晶の軸が、それぞれ、前記光学システム軸(OA)に平行であり、
重畳領域が、前記少なくとも1つの偏光制御光学要素(210、220)の回転によって可変であり、
前記重畳領域は、光学システムを通過する光の光ビームが該重畳領域内で両方の偏光制御光学要素(210、220)を通過することによって形成される、
ことを特徴とする光学システム。 - 前記偏光制御要素(210、220)の各々は、回転可能に配置されることを特徴とする請求項1に記載の光学システム。
- 少なくとも1つの偏光制御光学要素(210、220)が、光学システム軸(OA)に垂直な平面において回転可能であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光学システム。
- 前記偏光制御光学要素(210、220)の各々は、それぞれ、前記光学システム軸(OA)に垂直な平面において回転可能であることを特徴とする請求項2に記載の光学システム。
- 前記偏光制御光学要素(210、220)は、共通回転軸回りに回転可能に配置されることを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記共通回転軸と一致する光学システム軸(OA)を有することを特徴とする請求項5に記載の光学システム。
- 前記少なくとも2つの偏光制御光学要素(210、220)は、それぞれ、一定の厚みのものであることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記少なくとも2つの偏光制御光学要素(210、220)のうちの少なくとも1つ及び好ましくは該要素の各々の前記厚みは、それが直線偏光光の偏光方向の90°又はその奇数倍の回転を生成するように選択されることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の光学システム。
- 光学システム軸(OA)を有し、
前記少なくとも2つの偏光制御光学要素(210、220)は、前記光学システム軸(OA)に沿って直列に配置される、
ことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の光学システム。 - 前記光学活性物質は、石英、TeO2、又はAgGaS2であることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記少なくとも2つの偏光制御光学要素(210、220)が、前記偏光制御光学配置を通過する光の偏光状態を実質的に未変更のままに残す、該偏光制御光学配置の少なくとも1つの中立位置が存在することを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記偏光制御光学配置上に当たる直線偏光光の好ましい偏光方向が90°回転される、該偏光制御光学配置の少なくとも1つの位置が存在することを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記少なくとも2つの偏光制御光学要素(210、220)は、光学システムのビーム経路におけるそれらの光学有効表面が、それぞれ、円の扇形の形態の幾何学形状、好ましくは、半円形幾何学形状又は四分円の形態の幾何学形状のものであるような方法で配置されることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記偏光制御光学配置は、2つよりも多いそのような偏光制御光学要素を有することを特徴とする請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記偏光制御光学配置は、6つのそのような偏光制御光学要素を有することを特徴とする請求項14に記載の光学システム。
- 前記偏光制御光学要素のうちの少なくとも2つは、互いに異なる厚みのものであることを特徴とする請求項15に記載の光学システム。
- 前記少なくとも2つの偏光制御光学要素(210、220)の前記光学有効表面は、少なくとも1つの回転位置において光伝播方向に完全に重畳することを特徴とする請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の光学システム。
- 少なくとも1つの回転位置における前記偏光制御光学要素(210、220)の前記光学有効表面は、円形全体区域を提供するために互いに補足し合うことを特徴とする請求項1から請求項17のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記少なくとも2つの偏光制御光学要素(210、220)の少なくとも1つの位置における前記偏光制御光学配置は、一定の偏光方向を有する入射偏光分布を近似接線偏光分布に変換することを特徴とする請求項1から請求項18のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記偏光制御光学配置は、光学システムの瞳平面(P1)の少なくとも直近に配置されることを特徴とする請求項1から請求項19のいずれか1項に記載の光学システム。
- 光学システム軸(OA)を有し、
前記偏光制御光学配置(400)は、前記光学システム軸(OA)に対して垂直に配向された光学結晶軸を有する複屈折結晶材料の更に別の光学要素(410)を有する、
ことを特徴とする請求項1から請求項20のいずれか1項に記載の光学システム。 - 前記更に別の光学要素(410)は、前記光学システム軸(OA)回りに回転可能に配置されることを特徴とする請求項21に記載の光学システム。
- 前記更に別の光学要素(410)は、ラムダ/4−プレート又はラムダ/4−プレートの配置を有することを特徴とする請求項21又は請求項22に記載の光学システム。
- 前記更に別の光学要素は、ラムダ/4−プレートのマトリックス状配置(570)を有し、該配置の少なくとも2つの隣接ラムダ/4−プレートにおける前記光学結晶軸は、互いに対して90°回転されることを特徴とする請求項21から請求項23のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記更に別の光学要素は、前記偏光制御光学配置を通過する光ビームの中心部分領域においてのみ配置されることを特徴とする請求項21から請求項24のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記更に別の光学要素は、円形幾何学形状を伴っていることを特徴とする請求項21から請求項25のいずれか1項に記載の光学システム。
- 前記更に別の光学要素は、光学システムの作動において該光学要素を通過する光ビームの直径の40%から60%の範囲にある直径のものであることを特徴とする請求項21から請求項26のいずれか1項に記載の光学システム。
- 特に請求項1から請求項27のいずれか1項に記載の光学システムにおいて使用するための偏光制御光学システムであって、
その配置が、光学活性物質から成る少なくとも2つの偏光制御光学要素(210、220)を有し、
前記偏光制御光学要素(210、220)の少なくとも1つは、回転可能に配置される、
ことを特徴とする光学システム。 - 前記偏光制御光学要素(210、220)の各々は、回転可能に配置されることを特徴とする請求項28に記載の偏光制御光学システム。
- 照明システム及び投影対物器械を有するマイクロリソグラフィ投影露光装置であって、
照明システム及び/又は投影対物器械が、請求項1から請求項27のいずれか1項に記載の光学システムである、
ことを特徴とする投影露光装置。 - 微細構造構成要素をマイクロリソグラフィ生産する方法であって、
感光材料の層が少なくとも部分的に付加される基板を準備する段階と、
その像が生成される構造を有するマスク(2)を準備する段階と、
請求項30に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置を準備する段階と、
前記投影露光装置を用いて前記層のある一定の領域上に前記マスク(2)の少なくとも一部を投影する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006061846 | 2006-12-21 | ||
DE102006061846.7 | 2006-12-21 | ||
DE102007027985.1 | 2007-06-14 | ||
DE102007027985A DE102007027985A1 (de) | 2006-12-21 | 2007-06-14 | Optisches System, insbesondere Beleuchtungseinrichtung oder Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
PCT/EP2007/063553 WO2008074673A2 (en) | 2006-12-21 | 2007-12-07 | Optical system, in particular an illumination system or projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014211508A Division JP5991600B2 (ja) | 2006-12-21 | 2014-10-16 | 光学システム、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム又は投影対物器械 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010514176A JP2010514176A (ja) | 2010-04-30 |
JP5635264B2 true JP5635264B2 (ja) | 2014-12-03 |
Family
ID=39135225
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009541966A Expired - Fee Related JP5635264B2 (ja) | 2006-12-21 | 2007-12-07 | 光学システム、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム又は投影対物器械 |
JP2014211508A Expired - Fee Related JP5991600B2 (ja) | 2006-12-21 | 2014-10-16 | 光学システム、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム又は投影対物器械 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014211508A Expired - Fee Related JP5991600B2 (ja) | 2006-12-21 | 2014-10-16 | 光学システム、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム又は投影対物器械 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9274435B2 (ja) |
JP (2) | JP5635264B2 (ja) |
KR (2) | KR101474035B1 (ja) |
CN (1) | CN101568884B (ja) |
DE (1) | DE102007027985A1 (ja) |
TW (1) | TWI464538B (ja) |
WO (1) | WO2008074673A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015043454A (ja) * | 2006-12-21 | 2015-03-05 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学システム、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム又は投影対物器械 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4735258B2 (ja) | 2003-04-09 | 2011-07-27 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
TW201834020A (zh) | 2003-10-28 | 2018-09-16 | 日商尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
TW201809801A (zh) | 2003-11-20 | 2018-03-16 | 日商尼康股份有限公司 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 |
TWI395068B (zh) | 2004-01-27 | 2013-05-01 | 尼康股份有限公司 | 光學系統、曝光裝置以及曝光方法 |
TW201809727A (zh) | 2004-02-06 | 2018-03-16 | 日商尼康股份有限公司 | 偏光變換元件 |
JP5319766B2 (ja) * | 2008-06-20 | 2013-10-16 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系及びマイクロリソグラフィ露光方法 |
DE102011003035A1 (de) * | 2010-02-08 | 2011-08-11 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Polarisationsbeeinflussende optische Anordnung, sowie optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
NL2006255A (en) * | 2010-02-23 | 2011-08-24 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
DE102010029905A1 (de) * | 2010-06-10 | 2011-12-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102012200368A1 (de) * | 2012-01-12 | 2013-07-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarisationsbeeinflussende optische Anordnung, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102013204453B4 (de) * | 2013-03-14 | 2019-11-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente |
JP6234105B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2017-11-22 | オリンパス株式会社 | 超解像顕微鏡 |
WO2017011188A1 (en) | 2015-07-13 | 2017-01-19 | Applied Materials, Inc. | Quarter wave light splitting |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2269713A (en) * | 1939-09-09 | 1942-01-13 | Ralph J Erwin | Shutter for projection apparatus |
GB1270625A (en) * | 1970-03-04 | 1972-04-12 | L T W Electronics Ltd | Printed circuit mask manufacture |
WO2001048520A1 (en) * | 1999-12-29 | 2001-07-05 | Metrologic Instruments, Inc. | Illumination apparatus with polarizing elements for beam shaping |
TWI290252B (en) * | 2000-02-25 | 2007-11-21 | Sharp Kk | Liquid crystal display device |
JP3927753B2 (ja) | 2000-03-31 | 2007-06-13 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
DE10124566A1 (de) * | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Zeiss Carl | Optisches Abbildungssystem mit Polarisationsmitteln und Quarzkristallplatte hierfür |
US7053988B2 (en) * | 2001-05-22 | 2006-05-30 | Carl Zeiss Smt Ag. | Optically polarizing retardation arrangement, and microlithography projection exposure machine |
EP1483616A1 (en) * | 2002-03-14 | 2004-12-08 | Carl Zeiss SMT AG | Optical system with birefringent optical elements |
EP1662553A1 (en) * | 2003-07-24 | 2006-05-31 | Nikon Corporation | Illuminating optical system, exposure system and exposure method |
ATE396428T1 (de) | 2003-09-26 | 2008-06-15 | Zeiss Carl Smt Ag | Belichtungsverfahren sowie projektions- belichtungssystem zur ausführung des verfahrens |
US7414786B2 (en) * | 2004-01-12 | 2008-08-19 | University Of Rochester | System and method converting the polarization state of an optical beam into an inhomogeneously polarized state |
KR101099847B1 (ko) * | 2004-01-16 | 2011-12-27 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
TWI395068B (zh) * | 2004-01-27 | 2013-05-01 | 尼康股份有限公司 | 光學系統、曝光裝置以及曝光方法 |
TW201809727A (zh) * | 2004-02-06 | 2018-03-16 | 日商尼康股份有限公司 | 偏光變換元件 |
JP4936499B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2012-05-23 | 株式会社ニコン | 露光装置および露光方法 |
KR101193830B1 (ko) * | 2004-08-09 | 2012-10-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학 특성 계측 장치 및 광학 특성 계측 방법, 노광 장치및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US7271874B2 (en) * | 2004-11-02 | 2007-09-18 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for variable polarization control in a lithography system |
TWI453796B (zh) | 2005-01-21 | 2014-09-21 | 尼康股份有限公司 | 偏光變更單元以及元件製造方法 |
EP1853959A1 (en) * | 2005-02-21 | 2007-11-14 | Agilent Technologies, Inc. | Rotational disk polarization controller |
US7375799B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-05-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
JP2007004123A (ja) * | 2005-05-25 | 2007-01-11 | Nitto Denko Corp | 光学フィルム、液晶パネル、および液晶表示装置 |
DE102007027985A1 (de) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System, insbesondere Beleuchtungseinrichtung oder Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
JP6025104B2 (ja) * | 2011-12-08 | 2016-11-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 露光制御装置 |
-
2007
- 2007-06-14 DE DE102007027985A patent/DE102007027985A1/de not_active Withdrawn
- 2007-12-07 JP JP2009541966A patent/JP5635264B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-07 KR KR1020097012562A patent/KR101474035B1/ko active IP Right Grant
- 2007-12-07 CN CN2007800478647A patent/CN101568884B/zh active Active
- 2007-12-07 WO PCT/EP2007/063553 patent/WO2008074673A2/en active Application Filing
- 2007-12-07 KR KR1020147003966A patent/KR101522146B1/ko active IP Right Grant
- 2007-12-20 TW TW096148846A patent/TWI464538B/zh not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-03-31 US US12/415,173 patent/US9274435B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-10-16 JP JP2014211508A patent/JP5991600B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015043454A (ja) * | 2006-12-21 | 2015-03-05 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学システム、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム又は投影対物器械 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008074673A2 (en) | 2008-06-26 |
WO2008074673A3 (en) | 2008-09-12 |
TW200900867A (en) | 2009-01-01 |
KR101474035B1 (ko) | 2014-12-17 |
KR20140029545A (ko) | 2014-03-10 |
JP2015043454A (ja) | 2015-03-05 |
KR20090101902A (ko) | 2009-09-29 |
US9274435B2 (en) | 2016-03-01 |
TWI464538B (zh) | 2014-12-11 |
JP5991600B2 (ja) | 2016-09-14 |
US20090195766A1 (en) | 2009-08-06 |
KR101522146B1 (ko) | 2015-05-20 |
CN101568884A (zh) | 2009-10-28 |
JP2010514176A (ja) | 2010-04-30 |
DE102007027985A1 (de) | 2008-06-26 |
CN101568884B (zh) | 2013-07-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5991600B2 (ja) | 光学システム、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム又は投影対物器械 | |
JP5706519B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系 | |
JP5066611B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム | |
KR101450362B1 (ko) | 광학계, 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광장치의 조명 장치 또는 투영 대물렌즈 | |
KR101074995B1 (ko) | 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 광학계 | |
US8035803B2 (en) | Subsystem of an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus | |
JP5846471B2 (ja) | 偏光影響光学装置及びマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系 | |
JP5566501B2 (ja) | 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系 | |
KR20100106971A (ko) | 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치의 조명 시스템 | |
KR101980939B1 (ko) | 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 광학 시스템 | |
JP5861897B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置のための光学系 | |
US9588433B2 (en) | Optical system, in particular of a microlithographic projection exposure apparatus | |
WO2014077404A1 (ja) | 照明光学系及び照明方法、並びに露光方法及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101020 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120524 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120611 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120911 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130805 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131105 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131112 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131129 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131206 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140106 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140916 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141016 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5635264 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |