JP5629729B2 - セラミックハニカム構造体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、セラミックハニカム構造体の製造方法に関する。更に詳しくは、生産性に優れ、且つ、セラミックハニカム構造体の外径寸法の大小に関わらず、直角度が優れたセラミックハニカム構造体を製造することが可能なセラミックハニカム構造体の製造方法に関する。

化学、電力、鉄鋼等の様々な分野において、環境対策や特定物資の回収等のために使用される触媒装置用の担体として、セラミック製のハニカム構造体（セラミックハニカム構造体）が採用されている。また、セラミック製のハニカム構造体は、排ガス浄化用のフィルタとしても用いられている。このようなセラミック製のハニカム構造体は、耐熱性、耐食性に優れたものであり、上述したような種々の用途に採用されている。ハニカム構造体は、流体の流路となる一方の端面から他方の端面まで延びる複数のセルを区画形成する隔壁を有する構造体である。

従来、外径寸法が１５０ｍｍ未満のハニカム構造体は、以下の方法によって製造されている。まず、成形原料を含む坏土をハニカム状に成形して、ハニカム成形体を得る。ハニカム成形体は、一方の端面から他方の端面まで延びる複数のセルが隔壁によって区画形成された円筒状のものである。このハニカム成形体を、上記セルの延びる方向の長さが、仕上げ寸法の長さよりも長くなるように切断し、更に、ハニカム成形体を乾燥して、ハニカム乾燥体を得る。次に、ハニカム乾燥体のセルの延びる方向の長さを、仕上げ寸法となるように仕上げ加工して仕上げハニカム乾燥体を得る。次に、仕上げハニカム乾燥体を焼成して、ハニカム構造体を得る（例えば、特許文献１参照）。また、このような方法よって製造されたハニカム構造体については、その外径寸法が、基準となる外径寸法公差を満たしているか否かの検査が行われ、検査に合格したものが製品として出荷される。

一方、外径寸法が１５０ｍｍ以上のハニカム構造体を製造する際には、外壁を別途作製する工程が追加されることがある（例えば、特許文献２参照）。外壁を別途作製する工程としては、例えば、仕上げハニカム乾燥体を焼成した後、得られた焼成体の外周を研削加工し、研削加工した外周部分に、外周コートを行って外壁を別途作製する工程を挙げることができる。外径寸法が１５０ｍｍ以上となるようなハニカム構造体を、「大型のハニカム構造体」ということがある。

先に挙げられた、ハニカム成形体を乾燥し、仕上げ加工し、焼成することによってハニカム構造体を製造する製造方法を、以下、「一体成形による製造方法」ということがある。また、外壁を別途作製する工程が追加された製造方法を、以下、「外周コートによる製造方法」ということがある。また、ハニカム構造体の端面を仕上げ加工する方法として、ハニカム構造体の姿勢を補正し、この状態で仕上げ加工を行う方法等が開示されている（例えば、特許文献３参照）。

特開２００２−０４６８５６号公報 特開平３−２７５３０９号公報 特開２００６−２３１４７５号公報

しかしながら、従来のハニカム構造体の製造方法においては、得られるハニカム構造体の一方の端面及び他方の端面の直角度（以下、「一方の端面及び他方の端面の直角度」を、単に「直角度」ということがある）が不十分という問題があった。特に、上述した一体成形による製造方法では、上記直角度の低下が顕著となる。また、近年、ハニカム構造体の直角度に対する許容範囲が厳しくなっており、ハニカム構造体の直角度の向上が求められている。直角度の許容範囲とは、製品としてのセラミックハニカム構造体に要求される直角度の基準値を満たす範囲のことを意味する。例えば、特許文献３に記載の加工方法においては、ハニカム構造体をクランプによって把持した後、当該ハニカム構造体の形状を測定し、ハニカム構造体の姿勢を補正して仕上げ加工が行われるものである。しかしながら、ハニカム構造体は、その外壁に凹凸等を有していることから、上述したクランプが安定しないことがある。また、特許文献３に記載の加工方法においては、ハニカム構造体の姿勢を補正するための形状測定が、周方向の０°、４５°、９０°、及び１３５°の４点において行われているため、測定点が粗く、加工の精度が低くなってしまうという問題があった。

また、外周コートによる製造方法は、製造工程が煩雑であるという問題もあった。例えば、大型のハニカム構造体は、成形体の歪み等が大きいため、外周コートによる製造方法が主として用いられている。しかし、製造コストの低下等の観点から、一体成形による製造方法によって、大型のハニカム構造体を製造することが検討されている。但し、大型のハニカム構造体を一体成形による製造方法によって製造すると、ハニカム構造体の直角度の低下がより顕著となる。例えば、従来の一体成形による製造方法により、大型のハニカム構造体を製造した場合には、直角度歩留まりが５０％を下回ってしまうこともあった。このようなことから、従来、一体成形による製造方法によって大型のハニカム構造体を製造することは、極めて困難と考えられていた。

本発明は、上述した問題に鑑みてなされたものである。本発明は、生産性に優れ、且つ、セラミックハニカム構造体の外径寸法の大小に関わらず、直角度が優れたセラミックハニカム構造体を製造することが可能なセラミックハニカム構造体の製造方法を提供する。

本発明によれば、以下のセラミックハニカム構造体の製造方法が提供される。

［１］ 一方の端面及び他方の端面を有する円筒状のセラミックハニカム乾燥体の前記一方の端面及び前記他方の端面を仕上げ加工して、仕上げセラミックハニカム乾燥体を得る仕上げ工程と、前記仕上げセラミックハニカム乾燥体を焼成して、セラミックハニカム構造体を得る焼成工程と、を備え、前記仕上げ工程において、前記セラミックハニカム乾燥体の外壁表面の前記一方の端面から前記他方の端面に向かう方向に離間した２つの位置を、コンツァー測定開始点Ｐ１及びコンツァー測定開始点Ｐ２とし、前記コンツァー測定開始点Ｐ１を含む周方向に一周する第一測定部分Ｑ１において、前記セラミックハニカム乾燥体の外径寸法のコンツァーを、前記コンツァー測定開始点Ｐ１から、前記周方向に測定位置をずらしながら複数の測定点にて測定し、且つ、前記コンツァー測定開始点Ｐ２を含む周方向に一周する第二測定部分Ｑ２において、前記セラミックハニカム乾燥体の外径寸法のコンツァーを、前記コンツァー測定開始点Ｐ２から、前記周方向に測定位置をずらしながら複数の測定点にて測定し、前記第一測定部分Ｑ１の第一測定点Ｐ１ｘにて測定されたコンツァーを、コンツァーＣ１ｘとし、前記第一測定部分Ｑ１の前記第一測定点Ｐ１ｘから一定位相ずれた位置に存在する第二測定点Ｐ１ｙにて測定されたコンツァーを、コンツァーＣ１ｙとし、前記第二測定部分Ｑ２の前記第一測定点Ｐ１ｘと同一の位相の位置に存在する第三測定点Ｐ２ｘにて測定されたコンツァーを、コンツァーＣ２ｘとし、前記第二測定部分Ｑ２の前記第二測定点Ｐ１ｙと同一の位相の位置に存在する第四測定点Ｐ２ｙにて測定されたコンツァーを、コンツァーＣ２ｙとして、前記測定点ごとに４つの前記コンツァーＣ１ｘ，Ｃ１ｙ，Ｃ２ｘ，Ｃ２ｙの値のそれぞれの差の絶対値の合計を求め、前記セラミックハニカム乾燥体の前記外壁表面の、前記コンツァーＣ１ｘ，Ｃ１ｙ，Ｃ２ｘ，Ｃ２ｙの値のそれぞれの差の絶対値の合計が最小となる４つの前記測定点を、第一受け台及び第二受け台にて支持した状態で、前記セラミックハニカム乾燥体の前記一方の端面及び前記他方の端面を前記仕上げ加工するセラミックハニカム構造体の製造方法。

［２］ 前記コンツァーＣ１ｘ，Ｃ１ｙ，Ｃ２ｘ，Ｃ２ｙの値のそれぞれの差の絶対値の合計が、下記式（１）によって算出される前記［１］に記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。

［３］ 前記コンツァーＣ１ｘ，Ｃ１ｙ，Ｃ２ｘ，Ｃ２ｙの値のそれぞれの差の絶対値の合計が最小となる４つの前記測定点における前記第二測定点Ｐ１ｙと、前記コンツァー測定開始点Ｐ１との位相を、最適チャック角とした場合に、前記セラミックハニカム乾燥体を前記第一受け台及び第二受け台に支持する前に、前記セラミックハニカム乾燥体を前記最適チャック角だけ回転させる前記［１］又は［２］に記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。

［４］ 前記第一測定点Ｐ１ｘと前記第二測定点Ｐ１ｙとが、前記周方向に６０〜１２０°ずれた位置である前記［１］〜［３］のいずれかに記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。

［５］ 前記セラミックハニカム乾燥体を、前記一方の端面が底面となるように測定台に載置して、前記コンツァーを測定する前記［１］〜［４］のいずれかに記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。

［６］ 前記測定台を、前記コンツァーＣ１ｘ，Ｃ１ｙ，Ｃ２ｘ，Ｃ２ｙの値のそれぞれの差の絶対値の合計が最小となる４つの前記測定点における前記第二測定点Ｐ１ｙと、前記コンツァー測定開始点Ｐ１との位相を、最適チャック角とした場合に、前記セラミックハニカム乾燥体を前記第一受け台及び第二受け台に支持する前に、前記最適チャック角だけ回転させる前記［５］に記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。

［７］ 前記セラミックハニカム乾燥体と前記測定台との間の少なくとも３箇所に、スペーサーを配置する前記［５］又は［６］に記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。

［８］ 前記セラミックハニカム乾燥体を前記測定台に載置した際の、水平面に対する前記セラミックハニカム乾燥体の底面の傾きの高低差が４ｍｍ以下である前記［５］〜［７］のいずれかに記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。

［９］ 前記セラミックハニカム乾燥体の温度が、２０〜１５０℃である前記［１］〜［８］のいずれかに記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。

［１０］ 前記コンツァーを、反射式の非接触レーザー変位計によって測定する前記［１］〜［９］のいずれかに記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。

［１１］ 前記セラミックハニカム乾燥体が、外周に凹凸面を有する前記［１］〜［１０］のいずれかに記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。

［１２］ 前記セラミックハニカム乾燥体の外径寸法公差の片側寸法差が、直角度よりも大である前記［１］〜［１１］のいずれかに記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。

［１３］ 前記セラミックハニカム乾燥体の外径寸法が、１００ｍｍ以上である前記［１］〜［１２］のいずれかに記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。

［１４］ 前記セラミックハニカム乾燥体が、コージェライト、炭化珪素、及びアルミナからなる群より選択される少なくとも一種を含む成形原料からなる前記［１］〜［１３］のいずれかに記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。

［１５］ 前記仕上げセラミックハニカム乾燥体又は前記セラミックハニカム構造体のセルの内に封止材料を充填する目封止部作製工程を更に備えた前記［１］〜［１４］のいずれかに記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。

本発明のセラミックハニカム構造体の製造方法によれば、セラミックハニカム構造体の外径寸法の大小に関わらず、直角度が優れたセラミックハニカム構造体を製造することができる。また、上述した外周コートによる製造方法のような煩雑な工程を行う必要がないため、生産性にも優れている。

本発明のセラミックハニカム構造体の製造方法の一の実施形態において、セラミックハニカム構造体が形成される過程を模式的に示した斜視図である。 仕上げ工程におけるコンツァーの測定方法の一例を模式的に示す斜視図である。 セラミックハニカム乾燥体を第一受け台及び第二受け台に載置した状態を模式的に示す側面図である。 図２Ｂをセラミックハニカム乾燥体の一方の端面側から見た平面図である。 図２Ｂに示す第一受け台及び第二受け台を模式的に示す斜視図である。 仕上げ工程における仕上げ加工の一の例を模式的に示す側面図である。 コンツァーを測定した結果の一例を示すグラフであり、絶対値の合計値の算出方法を説明するためのグラフである。 セラミックハニカム乾燥体の最適チャック角の分布を示すグラフである。 直角度を説明するための模式図であり、セラミックハニカム構造体を側面から見た側面図である。 セラミックハニカム乾燥体を第一受け台及び第二受け台に載置した直後の状態を示す平面図である。

次に本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、適宜設計の変更、改良等が加えられることが理解されるべきである。

（１）セラミックハニカム構造体の製造方法：
本発明のセラミックハニカム構造体の製造方法の一の実施形態は、図１に示すように、仕上げ工程Ａと、焼成工程Ｂと、を備えたセラミックハニカム構造体の製造方法である。図１は、本発明のセラミックハニカム構造体の製造方法の一の実施形態において、セラミックハニカム構造体が形成される過程を模式的に示した斜視図である。仕上げ工程Ａは、一方の端面６１及び他方の端面６２を有する円筒状のセラミックハニカム乾燥体５０の一方の端面６１及び他方の端面６２を仕上げ加工して、仕上げセラミックハニカム乾燥体７０を得る工程である。セラミックハニカム乾燥体５０は、一方の端面６１から他方の端面６２まで延びる複数のセル５２が隔壁５１によって区画形成された円筒状のものである。焼成工程Ｂは、仕上げ工程Ａにて得られた仕上げセラミックハニカム乾燥体７０を焼成して、セラミックハニカム構造体１００を得る工程である。以下、セラミックハニカム乾燥体５０を、単に「ハニカム乾燥体５０」ということがある。仕上げセラミックハニカム乾燥体７０を、単に「仕上げハニカム乾燥体７０」ということがある。セラミックハニカム構造体１００を、単に「ハニカム構造体１００」ということがある。

本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法においては、仕上げ工程Ａが、以下に示すような方法で行われる。ここで、図２Ａは、仕上げ工程におけるコンツァーの測定方法の一例を模式的に示す斜視図である。

本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法においては、図２Ａに示すように、セラミックハニカム乾燥体５０の外径寸法のコンツァーを測定する。具体的には、まず、セラミックハニカム乾燥体５０の外壁６３表面の一方の端面６１から他方の端面６２に向かう方向に離間した２つの位置を、コンツァー測定開始点Ｐ１及びコンツァー測定開始点Ｐ２とする。このコンツァー測定開始点Ｐ１及びコンツァー測定開始点Ｐ２の２点が、コンツァーの測定の基準点となる。コンツァーの測定は、それぞれのコンツァー測定開始点Ｐ１及びＰ２から、コンツァー測定開始点Ｐ１及びＰ２を含むそれぞれの周方向全周に渡って、その周方向に測定位置をずらしながら複数の測定点において行われる。即ち、コンツァー測定開始点Ｐ１を含む周方向Ｒを一周する第一測定部分Ｑ１において、セラミックハニカム乾燥体５０の外径寸法のコンツァーを、コンツァー測定開始点Ｐ１から、周方向Ｒに測定位置をずらしながら複数の測定点にて測定する。また、コンツァー測定開始点Ｐ２を含む周方向Ｒを一周する第二測定部分Ｑ２において、セラミックハニカム乾燥体５０の外径寸法のコンツァーを、コンツァー測定開始点Ｐ２から、周方向Ｒに測定位置をずらしながら複数の測定点にて測定する。「周方向Ｒ」とは、セラミックハニカム乾燥体５０の一方の端面６１から他方の端面６２に向かう方向に略垂直な断面において、セラミックハニカム乾燥体５０の外壁６３表面に沿って、当該「断面」の周縁を一周する方向のことである。図２Ａにおいては、測定対象物を水平に載置可能な測定台６５上に、セラミックハニカム乾燥体５０を載置して、コンツァーを測定した場合の例を示す。また、図２Ａにおいては、測定台６５上に載置したセラミックハニカム乾燥体５０を、符号８０に示す回転方向に回転させて、コンツァーを測定している。

このようにして測定されたコンツァーの測定結果（例えば、図３参照）から、仕上げ加工においてセラミックハニカム乾燥体を載置する第一受け台及び第二受け台の支持位置を決定する。ここで、図３は、コンツァーを測定した結果の一例を示すグラフであり、絶対値の合計値の算出方法を説明するためのグラフである。具体的には、下記に示す「４つのコンツァーＣ１ｘ，Ｃ１ｙ，Ｃ２ｘ，Ｃ２ｙ」の値のそれぞれの差の絶対値の合計を求める。

「コンツァーＣ１ｘ」とは、第一測定部分Ｑ１の第一測定点Ｐ１ｘにて測定されたコンツァーのことである。また、「コンツァーＣ１ｙ」とは、第一測定部分Ｑ１の「第一測定点Ｐ１ｘから一定位相ずれた位置に存在する第二測定点Ｐ１ｙ」にて測定されたコンツァーのことである。一方、「コンツァーＣ２ｘ」とは、第二測定部分Ｑ２の「第一測定点Ｐ１ｘと同一の位相の位置に存在する第三測定点Ｐ２ｘ」にて測定されたコンツァーのことである。また、「コンツァーＣ２ｙ」とは、第二測定部分Ｑ２の「第二測定点Ｐ１ｙと同一の位相の位置に存在する第四測定点Ｐ２ｙ」にて測定されたコンツァーのことである。

図３に示す測定結果から分かるように、セラミックハニカム乾燥体５０は、外周形状が変形を生じていたり、一方の端面６１から他方の端面６２に向かう方向に曲がりを生じていたりする。このようなセラミックハニカム乾燥体５０を、図２Ｃ及び図２Ｄに示すような第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂに載置すると、セラミックハニカム乾燥体５０が第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂから動いてしまうことが考えられる。即ち、セラミックハニカム乾燥体５０の外周形状が変形していると、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂ上に安定した状態で載置できず、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂに載置した後に、補助受け台６９でセラミックハニカム乾燥体５０を固定する際、セラミックハニカム乾燥体５０が動いてしまい傾くことがある。セラミックハニカム乾燥体５０が傾いている状態で切断すると、仕上げセラミックハニカム乾燥体の直角度が悪化する。本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法においては、上述したコンツァーの測定結果から、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂにて支持される位置を決定して仕上げ加工を行う。なお、セラミックハニカム乾燥体５０を第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂに載置する際には、セラミックハニカム乾燥体５０の第一測定部分Ｑ１上の点が、第一受け台６８ａの切断具７５ａが配置される側の端で支持される。そして、セラミックハニカム乾燥体５０の第二測定部分Ｑ２上の点が、第二受け台６８ｂの切断具７５ｂが配置される側の端で支持される。このように、本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法においては、セラミックハニカム乾燥体５０の一方の端面６１から他方の端面６２に向かう方向Ｌの「第一受け台６８ａの切断具７５ａが配置される側の端にて支持される位置」が、第一測定部分Ｑ１に存在する。同様に、セラミックハニカム乾燥体５０の一方の端面６１から他方の端面６２に向かう方向Ｌの「第二受け台６８ｂの切断具７５ｂが配置される側の端にて支持される位置」が「第二測定部分Ｑ２」に存在する。このように構成することによって、「コンツァーの絶対値の合計」が最小の位置で、セラミックハニカム乾燥体５０が第一受け台６８ａ、第二受け台６８ｂに載置される。更に、第一受け台６８ａの切断具７５ａ側、第二受け台６８ｂの切断具７５ｂ側に載置することにより、直角性がより高まる。第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂと切断具との距離、ｎ１、ｎ２は、切断具と受け台が緩衝しない範囲で、最小とすることが好ましく、具体的には、１０ｍｍ以内とすることが好ましい。

上述した「コンツァーＣ１ｘ，Ｃ１ｙ，Ｃ２ｘ，Ｃ２ｙの値のそれぞれの差の絶対値の合計」は、下記式（１）によって算出される。以下、「コンツァーＣ１ｘ，Ｃ１ｙ，Ｃ２ｘ，Ｃ２ｙの値のそれぞれの差の絶対値の合計」のことを、単に「コンツァーの絶対値の合計」ということがある。このコンツァーのそれぞれの差の絶対値の合計の算出については、測定された全てのコンツァーによって行われる。

次に、それぞれの測定点ごとに算出された「コンツァーのそれぞれの差の絶対値の合計」を比較し、「コンツァーのそれぞれの差の絶対値の合計」が最小の位置を見付ける。

次に、図２Ｂ〜図２Ｅに示すように、セラミックハニカム乾燥体５０の外壁６３表面の、コンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計が最小となる４つの測定点を、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂにて支持する。そして、セラミックハニカム乾燥体５０を、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂにて支持した状態で、セラミックハニカム乾燥体５０の一方の端面６１及び他方の端面６２を仕上げ加工する。図２Ｂ〜図２Ｅにおいては、コンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計が最小となる４つの測定点が、第一受け台６８ａの符号Ｃ１ｘｎｘ及びＣ１ｙｎｙに示す支持位置と、第二受け台６８ｂの符号Ｃ２ｘｎｘ及びＣ２ｙｎｙに示す支持位置とで支持される。

第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂは、セラミックハニカム乾燥体５０の一方の端面６１から他方の端面６２に向かう方向Ｌが略水平方向と平行になるように、セラミックハニカム乾燥体５０を横向きの状態で支持するものである。即ち、第一受け台６８ａの鉛直方向の最下点の第一支持位置（Ｃ１ｙｎｙ）は、「「コンツァーのそれぞれの差の絶対値の合計」が最小となる４つの測定点のうちのコンツァーＣ１ｙが測定された第二測定点Ｐ１ｙ」を支持する。また、第一受け台６８ａの鉛直方向の最下点の第一支持位置から周方向に一定位相ずれた第二支持位置（Ｃ１ｘｎｘ）は、「「コンツァーのそれぞれの差の絶対値の合計」が最小となる４つの測定点のうちのコンツァーＣ１ｘが測定された第一測定点Ｐ１ｘ」を支持する。同様に、第二受け台６８ｂの鉛直方向の最下点の第三支持位置（Ｃ２ｙｎｙ）は、「「コンツァーのそれぞれの差の絶対値の合計」が最小となる４つの測定点のうちのコンツァーＣ２ｙが測定された第四測定点Ｐ２ｙ」を支持する。また、第二受け台６８ｂの鉛直方向の最下点の第三支持位置から周方向に一定位相ずれた第四支持位置（Ｃ２ｘｎｘ）は、「「コンツァーのそれぞれの差の絶対値の合計」が最小となる４つの測定点のうちのコンツァーＣ２ｘが測定された第三測定点Ｐ２ｘ」を支持する。なお、「第一支持位置Ｃ１ｙｎｙ」において、「Ｃ１ｙ」はコンツァーの値を表し、「ｎｙ」はコンツァー測定角度を表す。「第二支持位置Ｃ１ｘｎｘ」において、「Ｃ１ｘ」はコンツァーの値を表し、「ｎｘ」はコンツァー測定角度を表す。「第三支持位置Ｃ２ｙｎｙ」において、「Ｃ２ｙ」はコンツァーの値を表し、「ｎｙ」はコンツァー測定角度を表す。「第四支持位置Ｃ２ｘｎｘ」において、「Ｃ２ｘ」はコンツァーの値を表し、「ｎｘ」はコンツァー測定角度を表す。コンツァー測定角度は、コンツァー測定開始点（Ｐ１、Ｐ２）を０°とし、セラミックハニカム乾燥体の側面を一周測定した場合を３６０°とした際の、各コンツァーの測定点における角度のことである。

ここで、第一受け台６８ａの２つの支持位置（第一支持位置及び第二支持位置）の位相を、当該第一受け台６８ａの「受け角」ということがある。即ち、第一測定点Ｐ１ｘと第二測定点Ｐ１ｙとの位相が９０°である場合、第一受け台６８ａの受け角は、９０°である。図２Ｂ〜図２Ｄにおいては、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂの形状が、横向きのセラミックハニカム乾燥体５０の外壁６３における、鉛直方向の最下点の位置と、当該位置から周方向に９０°離れた位置の２点を支持するように構成されたＬ字型である。従って、「コンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計」を算出する際の、第一測定点と第二測定点との位相も９０°ということになる。また、図２Ｂ〜図２Ｄにおいては、セラミックハニカム乾燥体５０が、上述した第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂと、補助受け台６９とによって支持されている。補助受け台６９は、セラミックハニカム乾燥体５０の一方の端面６１から他方の端面６２に向かう方向Ｌに垂直な断面における、上記周方向に９０°離れた位置と中心を挟んで反対側の外壁を支持するものである。このような補助受け台６９により、セラミックハニカム乾燥体５０の転動を防止することができる。

次に、図２Ｅに示すように、セラミックハニカム乾燥体５０の一方の端面６１及び他方の端面６２を、仕上げ加工する。図２Ｅにおいて、切断具７５ａ，７５ｂによって、セラミックハニカム乾燥体５０の一方の端面６１及び他方の端面６２を、仕上げ加工する場合の例を示す。切断具７５ａ，７５ｂとしては、砥石等を挙げることができる。

仕上げ加工は、ハニカム乾燥体５０の一方の端面６１から他方の端面６２に向かう方向Ｌの長さを、仕上げ寸法ｍにするために行われるものである。即ち、仕上げ加工とは、ハニカム乾燥体５０の一方の端面６１及び他方の端面６２の仕上げ寸法ｍからの余剰部分５０ａ，５０ｂを切断する工程のことをいう。

切断具７５ａから第一受け台６８ａの第一支持位置Ｃ１ｙｎｙまでの距離ｎ１、及び切断具７５ｂから第二受け台６８ｂの第三支持位置Ｃ２ｙｎｙまでの距離ｎ２が短いほど、得られる仕上げセラミックハニカム乾燥体７０の直角度が良くなる。但し、切断具７５ａ，７５ｂの振動によって、切断具７５ａ，７５ｂの刃先が振れていることがある。このため、上述した距離ｎ１及びｎ２については、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂと切断具７５ａ，７５ｂの刃先とが接触しないような長さを確保することが好ましい。距離ｎ１及びｎ２は、１０ｍｍ以内であることが好ましい。

従来のセラミックハニカム構造体の製造方法においては、セラミックハニカム乾燥体の端面を単に切断加工して、その長さを単に切り揃えることしか行われていなかった。しかしながら、セラミックハニカム乾燥体のコンツァーは、セラミックハニカム乾燥体の周方向において一定ではない。また、セラミックハニカム乾燥体ごとのコンツァーも一定ではない。このため、従来の製造方法のように、単に、セラミックハニカム乾燥体の長さを切り揃えるのみでは、直角度が優れたセラミックハニカム構造体を、高い頻度で製造することは極めて困難であった。

ここで、セラミックハニカム乾燥体５０のコンツァーの値が大きく異なる４点が、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂの支持点となってしまうと、セラミックハニカム乾燥体５０が、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂに対して傾いた状態で支持されることとなる。このような状態のセラミックハニカム乾燥体５０の端面に対して、仕上げ加工を行うと、セラミックハニカム乾燥体５０の直角度が非常に悪くなってしまう。また、セラミックハニカム乾燥体のコンツァーの値は、セラミックハニカム乾燥体ごとに異なっている。このため、製造する全てのセラミックハニカム乾燥体に対して、直角度が良好となるように仕上げ加工を行うことは、極めて困難と考えられていた。従来の製造方法では、セラミックハニカム構造体を製造した後、直角度等についての検査を行い、基準値を満たさないものについては、廃棄等の処置がとられていた。

本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法においては、「コンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計」が最小となる４つの測定点を、第一受け台及び第二受け台にて支持した状態で仕上げ加工を行う。これにより、直角度が優れたセラミックハニカム構造体を製造することができる。特に、セラミックハニカム構造体の外径寸法の大小に関わらず、直角度が優れたセラミックハニカム構造体を製造することができる。即ち、本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法においては、各セラミックハニカム乾燥体ごとに、直角度が最も良くなるように仕上げ加工が行われる。このため、外径寸法の大きなセラミックハニカム構造体であっても、直角度が優れたものとなる。大型のセラミックハニカム構造体は、セラミックハニカム乾燥体のコンツァーのバラツキが大きいため、従来の製造方法のような仕上げ加工を行うと、直角度が著しく悪化してしまうことがある。また、本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法は、外周コートによる製造方法のような煩雑な工程を行う必要がないため、生産性にも優れている。

「コンツァー」とは、理論的に正確な寸法によって定められた幾何学的輪郭からの、実際の輪郭のずれの大きさのことを意味する。従って、図３に示す本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法において測定されたコンツァーは、基準の外径寸法（図３の縦軸の「０」に相当する）からの、セラミックハニカム乾燥体のずれの大きさということになる。このようなコンツァーを測定することにより、曲面を構成する線要素のバラツキを、２次元の平面的な公差域で規定することができる。即ち、セラミックハニカム乾燥体の外周面を構成する線要素のバラツキを、２次元の平面的な公差域で規定することができる。

「直角度」について、図５を例に説明する。図５は、直角度を説明するための模式図であり、セラミックハニカム構造体２００を側面から見た側面図である。セラミックハニカム構造体２００の直角度を求める際には、まず、セラミックハニカム構造体２００の一方の端面１１１の周縁の任意の一の点１１１ａから、一方の端面１１１に垂直な仮想線１１５を引く。この仮想線１１５と他方の端面１１２の仮想面１１６との交点１１８を求める。そして、この交点１１８と、他方の端面１１２の周縁の端点１１２ａとを結ぶ長さＹ１を求める。上記「長さＹ１」が、任意の一つの点の直角度である。このセラミックハニカム構造体２００の直角度は、「長さＹ１」を全周に渡り測定した、最大値が直角度である。

「セラミックハニカム乾燥体の仕上げ寸法」とは、仕上げセラミックハニカム乾燥体に要求される一方の端面から他方の端面までの長さのことをいう。仕上げセラミックハニカム乾燥体に要求される一方の端面から他方の端面までの長さについては、最終製品であるセラミックハニカム構造体の一方の端面から他方の端面までの規格の長さから、焼成時の収縮量等を考慮して、適宜決定される。

以下、本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法について、更に詳細に説明する。

（１−１）セラミックハニカム乾燥体の作製：
まず、本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法に用いられるセラミックハニカム乾燥体の作製方法について説明する。セラミックハニカム乾燥体の作製方法については、以下の作製方法に限定されることはない。即ち、セラミックハニカム乾燥体は、一方の端面から他方の端面に向かう方向の長さが、仕上げ寸法となるように仕上げ加工される前のものであれば、その作製方法等については、特に制限はない。

セラミックハニカム乾燥体の作製方法としては、一般的な、押出成形法を用いる。例えば、セラミック材料と成形助剤を含有する成形原料を混練して、真空土練機等により坏土を形成する、間欠成形（ラム成形）方法を挙げることができる。また、別法として、混合粉末を直接坏土化し、成形する、連続成形法を挙げることができる。成形原料に含まれるセラミック材料としては、特に制限はなく、従来公知のセラミックハニカム構造体の製造方法において、成形原料として用いられるセラミック材料を用いることができる。例えば、セラミック材料としては、コージェライト、コージェライト化原料、炭化珪素、アルミナ等を挙げることができる。なお、コージェライト化原料とは、シリカが４２〜５６質量％、アルミナが３０〜４５質量％、マグネシアが１２〜１６質量％の範囲に入る化学組成となるように配合されたセラミック原料である。コージェライト化原料は、焼成されてコージェライトになるものである。

また、成形原料には、分散媒となる水を含有させる。更に、成形原料には、必要に応じて、造孔材、バインダ、分散剤、界面活性剤等を含有させてもよい。造孔材、バインダ、分散剤、界面活性剤等は、従来公知のセラミックハニカム構造体の製造方法に用いられるものを好適に用いることができる。

次に、例えば、押出成形により、ハニカム状に成形して、一方の端面から他方の端面まで延びる複数のセルが隔壁によって区画形成された円筒状のハニカム成形体を得る。成形方法としては、間欠押出成形、又は連続押出成形を挙げることができる。押出成形に際しては、所望の全体形状、セル形状、隔壁厚さ、セル密度等を有する口金を用いる。

次に、得られたハニカム成形体を、ハニカム成形体のセルの延びる方向に切断する。なお、ハニカム成形体を切断する際には、切断された各ハニカム成形体の一方の端面から他方の端面に向かう方向の長さが、ハニカム構造体の仕上げ寸法よりも長くなるようにする。各ハニカム成形体の仕上げ寸法よりも長い部分は、仕上げ工程において切断除去される。

次に、切断されたハニカム成形体を乾燥して、ハニカム乾燥体を得る。乾燥の方法は特に限定されず、例えば、熱風乾燥、マイクロ波乾燥、誘電乾燥、減圧乾燥、真空乾燥、凍結乾燥等を挙げることができる。なかでも、誘電乾燥、マイクロ波乾燥又は熱風乾燥を単独で又は組み合わせて行うことが好ましい。

（１−２）仕上げ工程：
次に、図１、及び図２Ａ〜図２Ｅに示すように、セラミックハニカム乾燥体５０の一方の端面６１及び他方の端面６２を仕上げ加工して、仕上げセラミックハニカム乾燥体７０を得る。この仕上げ工程により、セラミックハニカム乾燥体５０の一方の端面６１から他方の端面６２までの長さが、仕上げ寸法ｍとなるように加工される。この際、これまでに説明したように、仕上げ加工を行う前のセラミックハニカム乾燥体の外径寸法のコンツァーを測定する。

コンツァーの測定方法については、特に制限はない。例えば、図２Ａに示すように、レーザー変位計６７によってコンツァーを測定することができる。レーザー変位計６７としては、反射式の非接触レーザー変位計、を好適に用いることができる。このようなレーザー変位計は、セラミックハニカム乾燥体５０のコンツァーをより正確に測定することができる。

セラミックハニカム乾燥体５０の周方向のコンツァーの測定点数については特に制限はない。但し、測定点数が多くなれば、４つのコンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計がより小さくなるような測定点が得られる可能性が大きくなる。これにより、より直角度の優れたセラミックハニカム構造体を高い歩留まりで製造することができる。

セラミックハニカム乾燥体５０のコンツァーを測定する際には、コンツァー測定開始点Ｐ１から、コンツァー測定開始点Ｐ１を含む周方向全周（即ち、第一測定部分Ｑ１）に渡って、この周方向に測定位置をずらしながら、第一測定部分Ｑ１の複数の測定点においてコンツァーを測定する。同様に、コンツァー測定開始点Ｐ２から、コンツァー測定開始点Ｐ２を含む周方向全周（即ち、第二測定部分Ｑ２）に渡って、この周方向に測定位置をずらしながら、第二測定部分Ｑ２の複数の測定点においてコンツァーを測定する。

コンツァーの測定時における、セラミックハニカム乾燥体の温度については、特に制限はないが、セラミックハニカム乾燥体の温度が、２０〜１５０℃であることが好ましい。セラミックハニカム乾燥体の温度は、可能であれば、室温であることがより好ましい。セラミックハニカム成形体を乾燥した後のセラミックハニカム乾燥体は、５０〜１５０℃程度となっており、このセラミックハニカム乾燥体を一旦室温まで冷却した後にコンツァーを測定することも可能である。但し、室温まで冷却すると、熱効率、及び作業効率が悪くなる。逆に、セラミックハニカム成形体を乾燥した後のセラミックハニカム乾燥体を、速やかにコンツァーの測定に供することができれば、作業効率をより向上させることができる。コンツァーの測定においては、測定結果に対して温度補正を行ってもよいし、温度補正を行わなくてもよい。本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法においては、「４つのコンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計」を求めるため、温度補正については必須の条件ではない。温度補正を行う際には、セラミックハニカム成形体の「基準の外径寸法」を、セラミック材料、成形助剤の熱膨張係数を予め測定して、「温度に対応した基準の外径寸法」に補正する。

コンツァーの測定は、図２Ａに示すように、測定対象物を水平に載置可能な測定台６５上に、セラミックハニカム乾燥体５０を載置して行われることが好ましい。このような測定台６５を用いると、第一測定部分Ｑ１及び第二測定部分Ｑ２のコンツァーを簡便に測定することができる。例えば、レーザー変位計６７が固定式の場合は、レーザー変位計６７を２個配置して、第一測定部分Ｑ１及び第二測定部分Ｑ２のコンツァーの測定を同時に行うことが好ましい。セラミックハニカム乾燥体５０を載置した測定台６５を水平面内で１回転させることにより、第一測定部分Ｑ１及び第二測定部分Ｑ２のコンツァーを連続的に測定することができる。レーザー変位計６７は、可動式のものであってもよい。また、測定台６５と、セラミックハニカム乾燥体５０の一方の端面６１との間には、スペーサー６６を配置することが好ましい。セラミックハニカム乾燥体５０は、成形時の切断、乾燥工程により、端面６１の平面性が悪化しており、測定台６５が回転する際、ハニカム乾燥体５０が遠心力で移動する可能性がある。コンツァーの測定精度を確保するため、スペーサー６６を３箇所配置することが好ましい。

コンツァーの測定が終了した時点で、「４つのコンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計」を求め、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂに支持される支持位置を決定した後、更に、測定台６５を所定角度回転させてもよい。より具体的には、まず、それぞれの測定点ごとに算出された「コンツァーのそれぞれの差の絶対値の合計」を比較し、その合計の値が最小の位置を見付ける。このような「合計の値の最小値」が複数存在するときは、例えば、コンツァー測定開始点Ｐ１から最も近い測定点を選択する。このように測定点を選択することにより、所定角度回転させる時間が短縮できる。次に、「４つのコンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計」が最小となる４つの測定点における第二測定点Ｐ１ｙとコンツァー測定開始点Ｐ１との位相を、「最適チャック角」とする。そして、測定台６５をコンツァー測定開始点Ｐ１から最適チャック角までの位相分回転させる。これにより、測定台６５上のセラミックハニカム乾燥体５０が、最適チャック角だけ回転し、この状態のセラミックハニカム乾燥体５０を、搬送チャックによってチャックして、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂまで搬送する。このように構成することによって、「４つのコンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計」が最小となる４つの測定点を、これまでに説明したように、第一受け台６８ａの第一支持位置Ｃ１ｙｎｙと第二支持位置Ｃ１ｘｎｘ、及び第二受け台６８ｂの第三支持位置Ｃ２ｙｎｙと第四支持位置Ｃ２ｘｎｘにて支持する。

セラミックハニカム乾燥体５０を、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂまで搬送する際には、図６に示すように、セラミックハニカム乾燥体５０と第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂとの間に、衝突を防止するためのクリアランスｆを設けることが好ましい。ここで、図６は、セラミックハニカム乾燥体を第一受け台及び第二受け台に載置した直後の状態を示す平面図である。図６に示すようにセラミックハニカム乾燥体５０を第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂに載置した後、補助受け台６９が紙面の左側に動くと、セラミックハニカム乾燥体５０が半時計回りに回転する。この回転により、セラミックハニカム乾燥体５０が、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂのそれぞれ２箇所で支持される。但し、上述したようにセラミックハニカム乾燥体５０が回転すると、形状測定後の最適チャック角がずれて第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂにて支持されることとなる。そのため、セラミックハニカム乾燥体５０と第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂとの間にクリアランスｆを設けるようにして搬送を行う場合には、セラミックハニカム乾燥体５０の固定時の回転を考慮した補正を行うことが必要となる。具体的には、図２Ａに示す形状測定が終了した後、測定台６５を最適チャック角分だけ回転させる際に、固定時の回転角分（即ち、クリアランスｆに応じた回転角分）を補正する。このように構成することによって、「４つのコンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計」が最小となる４つの測定点を、第一受け台６８ａの第一支持位置Ｃ１ｙｎｙと第二支持位置Ｃ１ｘｎｘ、及び第二受け台６８ｂの第三支持位置Ｃ２ｙｎｙと第四支持位置Ｃ２ｘｎｘにて支持することができる。

測定台６５上に載置されたセラミックハニカム乾燥体５０の一方の端面から他方の端面に向かう方向Ｌは、鉛直方向から多少傾いていたとしても、コンツァーの値への影響が極めて少ない。従って、測定台６５に載置されたセラミックハニカム乾燥体５０の底面が、測定台６５の表面に対して傾いていたとしても、コンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計の算出時においても、上記底面の傾きによる影響が極めて小さい。即ち、測定台６５にセラミックハニカム乾燥体５０を載置する際には、セラミックハニカム乾燥体５０の端面が、水平面に対して多少傾いていてもよい。但し、測定台６５が回転中に、セラミックハニカム乾燥体５０が移動しないことが前提である。セラミックハニカム乾燥体５０を測定台６５に載置した際の、水平面に対するセラミックハニカム乾燥体５０の底面の傾きの高低差が４ｍｍ以下であることが好ましい。ここで、上記「底面の傾きの高低差」とは、ハニカム乾燥体５０の底面と測定台６５表面との距離の差が最も大きくなる距離である。ハニカム乾燥体５０は、「一方の端面６１から他方の端面６２に向かう方向Ｌ」が鉛直方向を向くように測定台６５の上に配置されているものとする。

セラミックハニカム乾燥体５０を載置した測定台６５を水平面内で１回転させる際には、測定台６５の回転中心と、セラミックハニカム乾燥体５０の一方の端面から他方の端面に向かう方向における中心軸とが、多少ずれていてもよい。レーザー変位計の測定許容範囲内であることと、測定台６５の回転時にセラミックハニカム乾燥体５０が移動しない範囲であればよい。各コンツァーの測定が、一方の端面から他方の端面に向かう方向に一致する位置において、同一の条件において行われていれば、「コンツァーのそれぞれの差の絶対値の合計」から、上述した最適チャック角を見つけ出すことができる。コンツァーは、最小二乗法、スプライン補間（補間法）等により、基準の外径寸法に対し、ベストフィット処理を施した形状である。また、測定したコンツァーのデーター（即ち、測定結果）は、Ｘ−Ｙ座標で保存する。即ち、セラミックハニカム乾燥体５０のコンツァー測定は、（１）測定台６５の任意の場所にセットされ、測定座標データーが個々に異なる、（２）セラミックハニカム乾燥体５０が曲がっていると、第一測定部分Ｑ１と第二測定部分Ｑ２の外径寸法は測定できるものの、第一測定部分Ｑ１と第二測定部分Ｑ２の測定座標が異なる等、測定座標データーがずれて保存される。従って、第一測定部分Ｑ１の測定座標データーと第二測定部分Ｑ２の測定座標データーを個別に、基準の外径寸法に対し、最小二乗法により、ベストフィット処理を行う。これにより、第一測定部分Ｑ１と第二測定部分Ｑ２のコンツァーを同一座標でデーター処理可能となり、「コンツァーのそれぞれの差の絶対値の合計」の算出が可能となる。

４つのコンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計を、それぞれの測定点ごとに求める場合には、第一測定部分Ｑ１の第一測定点Ｐ１ｘと第二測定点Ｐ１ｙとが、周方向に６０〜１２０°の範囲にあることが好ましい。別言すれば、第一測定点Ｐ１ｘと第二測定点Ｐ１ｙとの位相が、６０〜１２０°であることが好ましい。同様に、第二測定部分Ｑ２の第三測定点Ｐ２ｘと第四測定点Ｐ２ｙとについても、周方向に６０〜１２０°の範囲にある。第一測定点Ｐ１ｘ及び第二測定点Ｐ１ｙは、セラミックハニカム乾燥体を第一受け台にて支持する場合の、第一受け台との支持点となる。第一測定点Ｐ１ｘと第二測定点Ｐ１ｙとの位相が、周方向に６０°未満、又は１２０°超であると、セラミックハニカム乾燥体を安定的に支持することが困難になることがある。第一測定点Ｐ１ｘと第二測定点Ｐ１ｙとの位相は、９０°であることが更に好ましい。

図２Ｂ〜図２Ｅに示すように、セラミックハニカム乾燥体５０の外壁６３を第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂにて支持し、その状態にて仕上げ加工を行う場合の具体例を以下に説明する。下記の具体例では、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂの受け角が９０°である場合の例を示す。第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂは、同じ形状のものであり、第一受け台６８ａと第二受け台６８ｂとは、それぞれの最下点の支持位置が水平で、且つ、第一受け台６８ａと第二受け台６８ｂとが平行になるような位置関係に配置されている。また、この第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂと、切断具７５ａ，７５ｂとが平行になるように配置されている。即ち、切断具７５ａ，７５ｂによって切断されたセラミックハニカム乾燥体５０の一方の端面及び他方の端面は、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂに対して平行な面となる。

ここで、コンツァーを測定した結果の一例を、図３に示す。図３においては、縦軸がコンツァー（ｍｍ）を示し、横軸がコンツァー測定角度（°）を示す。コンツァー測定角度（°）は、コンツァー測定開始点Ｐ１、Ｐ２を０°とし、セラミックハニカム乾燥体の側面を一周測定した場合を３６０°とした際の、各コンツァーの測定点における角度のことである。図３においては、第一測定部分Ｑ１におけるコンツァーの測定結果、及び第二測定部分Ｑ２におけるコンツァーの測定結果を示す。第一測定部分Ｑ１及び第二測定部分Ｑ２においては、それぞれ３０００点にてコンツァーを測定している。

図３に示すように、第一測定部分Ｑ１の第一測定点Ｐ１ｘにて測定されたコンツァーを、「コンツァーＣ１ｘ」とする。また、第一測定部分Ｑ１の第一測定点Ｐ１ｘから９０°位相がずれた位置（別言すれば、コンツァー測定角度が９０°離れた位置）に存在する第二測定点Ｐ１ｙにて測定されたコンツァーを、「コンツァーＣ１ｙ」とする。同様に、第二測定部分Ｑ２の第一測定点Ｐ１ｘと同一の位相の位置に存在する第三測定点Ｐ２ｘにて測定されたコンツァーを、「コンツァーＣ２ｘ」とする。また、第二測定部分Ｑ２の第二測定点Ｐ１ｙと同一の位相の位置に存在する第四測定点Ｐ２ｙにて測定されたコンツァーを、「コンツァーＣ２ｙ」とする。ここで、第一測定点Ｐ１ｘから９０°位相がずれた位置に存在する測定点を、第二測定点Ｐ１ｙとしているのは、第一受け台及び第二受け台の受け角が９０°であるからである。このため、第一受け台及び第二受け台の受け角が、別の角度である場合には、その角度に応じて、第二測定点Ｐ１ｙの位相（別言すれば、第二測定点Ｐ１ｙの位置）が決定される。

図３に示される実線ｋ１と破線ｋ２は、コンツァー測定角度が９０°離れた位置に引かれた線である。例えば、実線ｋ１と破線ｋ２を９０°離れた位置を維持した状態で、図３に示すグラフの全周に渡り、移動させた際に、実線ｋ１及び破線ｋ２上に存在する４つ点の値が、コンツァーＣ１ｘ、コンツァーＣ１ｙ、コンツァーＣ２ｘ、コンツァーＣ２ｙとなる。なお、コンツァーＣ１ｘは、第一測定点Ｐ１ｘにて測定されたコンツァーであり、コンツァーＣ１ｙは、第二測定点Ｐ１ｙにて測定されたコンツァーであり、コンツァーＣ２ｘは、第三測定点Ｐ２ｘにて測定されたコンツァーであり、コンツァーＣ２ｙは、第四測定点Ｐ２ｙにて測定されたコンツァーである。

ここで、図３に示すコンツァーＣ１ｘ，Ｃ１ｙ，Ｃ２ｘ，Ｃ２ｙを選択した場合における、４つのコンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計の算出方法について説明する。コンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計は、上記式（１）によって求めることができる。上記式（１）中のＣ１ｘ，Ｃ１ｙ，Ｃ２ｘ，Ｃ２ｙの値が、図３におけるコンツァーＣ１ｘ，Ｃ１ｙ，Ｃ２ｘ，Ｃ２ｙの値（ｍｍ）となる。

コンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計は、まず、算出対象となる４つのコンツァーの値のそれぞれの差の絶対値を求める。上述したように、コンツァーＣ１ｘ，Ｃ１ｙ，Ｃ２ｘ，Ｃ２ｙを選択した場合には、Ｃ１ｘ−Ｃ２ｘによって求められる絶対値、Ｃ１ｙ−Ｃ２ｙによって求められる絶対値、Ｃ１ｘ−Ｃ１ｙよって求められる絶対値、及びＣ２ｘ−Ｃ２ｙによって求められる絶対値をそれぞれ求める。

図３に示す例では、コンツァー測定角度が、９０°と１８０°付近で、４つのコンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計が最小となる。このため、図２Ｂ〜図２Ｄに示すように、セラミックハニカム乾燥体５０をＬ字型形状の第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂに載置する際には、コンツァー測定角度が１８０°の位置が、第一受け台６８ａの第一支持位置Ｃ１ｙｎｙ及び第二受け台６８ｂの第三支持位置Ｃ２ｙｎｙにて支持されるようにする。一方、コンツァー測定角度が９０°は、自動的に第一受け台６８ａの第二支持位置Ｃ１ｘｎｘ及び第二受け台６８ｂの第四支持位置Ｃ２ｘｎｘで支持される。例えば、仕上げ受け台の形状がＶ字型形状においても、受け角が９０°であれば、同じ考え方で支持する。このように、セラミックハニカム乾燥体５０の最適チャック角に該当する測定点が、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂにて支持された状態で仕上げ加工を行うことによって、直角度が優れたセラミックハニカム構造体を得ることができる。

ここで、図４に、セラミックハニカム乾燥体の最適チャック角の算出結果を示す。図４は、セラミックハニカム乾燥体の最適チャック角の分布を示すグラフである。図４においては、縦軸が最適チャック角を算出し、第一受け台６８ａの第一支持位置Ｃ１ｙｎｙ及び第二受け台６８ｂの第三支持位置Ｃ２ｙｎｙの最下点が支持される角度（°）を示し、横軸が測定数（個）を示す。図４に示すように、セラミックハニカム乾燥体の最適チャック角は、周方向全域に渡って、各セラミックハニカム乾燥体毎に、異なる値となる。このように最適チャック角が異なる複数のセラミックハニカム乾燥体を、常時、一定の角度で仕上げ加工を行うと、直角度が悪化してしまう。本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法においては、各セラミックハニカム乾燥体毎に、上述した方法によって最適チャック角を求めてから仕上げ加工を行うことで、直角度が悪化してしまうことを有効に防止することができる。

図２Ｂ及び図２Ｃに示すように、セラミックハニカム乾燥体５０を第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂに載置する方法については特に制限はない。図２Ａに示すような方法によってコンツァーの測定した後、測定台６５を第一受け台６８ａの第一支持位置Ｃ１ｙｎｙ及び第二受け台６８ｂの第三支持位置Ｃ２ｙｎｙの最下点に支持される角度だけ回転させ、この状態のセラミックハニカム乾燥体５０を搬送チャック（図示せず）によって、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂまで搬送することが好ましい。なお、上述したように、第一受け台６８ａの最下点の第一支持位置Ｃ１ｙｎｙは、「「コンツァーのそれぞれの差の絶対値の合計」が最小となる４つの測定点のうちのコンツァーＣ１ｙが測定された第二測定点Ｐ１ｙ」を支持する。また、第二受け台６８ｂの最下点の第三支持位置Ｃ２ｙｎｙは、「「コンツァーのそれぞれの差の絶対値の合計」が最小となる４つの測定点のうちのコンツァーＣ２ｙが測定された第四測定点Ｐ２ｙ」を支持する。即ち、コンツァーの測定が終了し、コンツァー測定開始点まで１回転した状態のセラミックハニカム乾燥体５０を、更に最適チャック角だけ回転させる。上記最適チャック角の回転を行うことにより、測定済みのセラミックハニカム乾燥体５０は、常に、最適チャック角によって第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂに支持されることとなる。このようなコンツァーの測定は、全てのセラミックハニカム乾燥体に対して行われる。このように、本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法においては、各セラミックハニカム乾燥体の形状の差異に対して、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂや切断具７５ａ，７５ｂなどをそれぞれ適合させるのではなく、各セラミックハニカム乾燥体の最適チャック角を、コンツァーによって決定する。このため、従来のセラミックハニカム構造体の製造方法に用いられていた製造設備の大部分をそのまま使用することができ、新しい製造設備を必要としない点で非常に好ましい。

その後、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂに載置されたセラミックハニカム乾燥体５０の端面を、切断具７５ａ，７５ｂによって仕上げ加工する。

以上のようにして、直角度が優れた仕上げセラミックハニカム乾燥体を得ることができる。本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法においては、セラミックハニカム乾燥体の外径寸法の大小に関わらず、得られる仕上げセラミックハニカム乾燥体の直角度を向上させることができる。このため、本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法は、セラミックハニカム乾燥体の外径寸法が、１００ｍｍ以上である場合に好適であり、セラミックハニカム乾燥体の外径寸法が、１５０ｍｍ以上である場合に更に好適である。セラミックハニカム乾燥体の外径寸法が、１００ｍｍ以上のセラミックハニカム乾燥体は、外壁表面のコンツァーが大きく、従来の製造方法における仕上げ加工では、直角度が著しく低下してしまう。また、本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法は、セラミックハニカム乾燥体の外径寸法公差の片側寸法差が、直角度よりも大である場合に、より好適である。即ち、直角度に対する許容範囲がより厳しいものであっても、本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法によれば、良好な直角度を実現することができる。外径寸法公差は、外径寸法の製品規格のことであり、各製造段階において許容される誤差の最大寸法と最小寸法との差のことである。

本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法においては、これまでに説明したコンツァーの測定結果を元に、セラミックハニカム乾燥体の形状測定を併せて行うこともできる。即ち、コンツァーの測定結果から、そのセラミックハニカム乾燥体の外周形状が、規定された条件を満たすものか否かについての判定を行うことができる。例えば、周方向全周に渡って測定されたコンツァーの最大値及び最小値が、規定された数値範囲内である場合、「規定された条件を満たす」とする。そして、周方向全周に渡って測定されたコンツァーの最大値及び最小値が、規定された数値範囲外である場合、「規定された条件を満たさない」とする。規定された条件を満たさないセラミックハニカム乾燥体については、仕上げ加工を行わないようにしてもよい。例えば、コンツァーの最大値と最小値の差があまりにも大きくなるようなセラミックハニカム乾燥体については、仮に直角度がより良くなるような仕上げ加工が行われたとしても、直角度の許容範囲を満たさないことがある。

上述したセラミックハニカム乾燥体の形状測定を行うことにより、直角度の優れた端面の仕上げ加工を行うとともに、外周形状が、規定された条件を満たさないセラミックハニカム乾燥体を、仕上げ加工前に取り除くことができる。外周形状が、規定された条件を満たさないセラミックハニカム乾燥体は、最終の検査によって不良と判断されるため、そのようなセラミックハニカム乾燥体を仕上げ加工前に取り除くことで、不要な仕上げ工程、焼成工程及び検査工程を省略することができる。上述した形状測定においては、例えば、以下の方法で、コンツァーを測定してもよい。まず、セラミックハニカム乾燥体の外壁表面の一方の端面から他方の端面に向かう方向に離間したコンツァー測定開始点Ｐ１及びＰ２に加え、中央部にもコンツァー測定開始点を設けてもよい。即ち、一方の端面から他方の端面に向かう方向Ｌの３つの位置にコンツァー測定開始点を設け、３つのコンツァー測定開始点から、各コンツァー測定開始点を含むそれぞれの周方向全周に渡ってコンツァーを測定する。そして、この３つの周方向全周に渡って測定されたコンツァーの測定結果から、セラミックハニカム乾燥体の外周形状が、規定された条件を満たすものか否かについての判定を行う。このように構成することによって、より正確な形状測定を行うことができる。

（１−３）焼成工程：
本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法においては、このようにして得られた仕上げセラミックハニカム乾燥体を焼成して、セラミックハニカム構造体を得る。これにより、仕上げセラミックハニカム乾燥体の端面の良好な直角度が反映された、セラミックハニカム構造体を得ることができる。

焼成を行うときは、まず、成形助剤等を除去するため、脱脂を行い、更に、引き続き温度を上げて、本焼成してセラミックハニカム構造体を形成する。脱脂及び本焼成の条件については特に制限はない。セラミックハニカム乾燥体の成形原料に適した条件にて、脱脂及び本焼成を行うことが好ましい。例えば、脱脂は、成形原料中の成形助剤等である有機物の種類及びその添加量に応じて行われることが好ましい。上記有機物としては、有機バインダ、分散剤、造孔材等を挙げることができる。焼成条件（温度・時間）は、成形原料の種類により異なるため、その種類に応じて適切な条件を選択すればよい。例えば、焼成温度は一般的には、約１４００〜１６００℃前後程度であるが、これに限定されるものではない。脱脂と本焼成とは、別工程としてもよい。脱脂及び本焼成は、電気炉、ガス炉等を用いて行うことができる。

（１−４）目封止部作製工程：
本実施形態のセラミックハニカム構造体の製造方法においては、目封止部作製工程を更に備えていてもよい。目封止部作製工程は、仕上げセラミックハニカム乾燥体又はセラミックハニカム構造体のセルの内に封止材料を充填する工程である。このような目封止部作製工程を備えることにより、セラミックハニカム構造体のセルの開口端部に目封止部が市松模様に配設された、目封止セラミックハニカム構造体を製造することができる。

目封止セラミックハニカム構造体は、流体中の不純物を除去するためのフィルタとして用いることができる。このようなフィルタとしては、例えば、排ガス中の粒子状物質を取り除くための排ガス浄化用のフィルタを挙げることができる。排ガス浄化用のフィルタとしては、ディーゼルエンジンから排出される排ガス中の粒子状物質を除去するためのディーゼルパティキュレートフィルタを挙げることができる。

目封止部作製工程については、従来公知の目封止セラミックハニカム構造体の製造方法における目封止部作製工程と同様の工程に準じて行うことができる。目封止部作製工程は、仕上げ工程を行った後、又は、焼成工程を行った後に行うことが好ましい。

以下、仕上げ工程を行った後の仕上げセラミックハニカム乾燥体に対して、目封止部作製工程を行う場合の例について説明する。まず、仕上げセラミックハニカム乾燥体の所定のセルの一方の開口端部及び残余のセルの他方の開口端部に、スラリー状の封止材料を充填する。仕上げセラミックハニカム乾燥体のセルの開口端部に封止材料を充填する際には、まず、一方の開口端部に封止材料を充填し、その後、他方の開口端部に封止材料を充填する。

一方の開口端部に封止材料を充填する方法としては、以下の方法を挙げることができる。まず、仕上げセラミックハニカム乾燥体の一方の端面にシートを貼り付ける。次に、このシートに、封止材料を充填するための孔を市松模様となる位置に開ける。封止材料を充填するための孔は、目封止部を形成しようとするセルが存在する位置とする。シートが貼り付けられた仕上げセラミックハニカム乾燥体を、封止材料が貯留された容器内に圧入する。即ち、シートが貼り付けられた仕上げセラミックハニカム乾燥体の端部を、上記容器内に圧入する。これにより、シートの孔を通じて、所定のセル内に、封止材料が充填される。

セルの一方の開口端部に封止材料を充填した後、セルの他方の開口端部の残余のセルについても、これまでに説明した方法と同様の方法で、封止材料を充填する。即ち、仕上げセラミックハニカム乾燥体の他方の端面についても、一方の端面と同様にシートを貼り付け、上記と同様の方法で、封止材料を充填する。

仕上げセラミックハニカム乾燥体のセルに充填された封止材料を乾燥させることにより、目封止部を形成することができる。なお、封止材料の乾燥は、一方の開口端部毎に行ってもよい。通常、セルに充填された封止材料を乾燥した後に焼成して、ディーゼルパティキュレートフィルタを製造する。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
まず、仕上げ工程を行うためのセラミックハニカム乾燥体を作製した。セラミックハニカム乾燥体を作製するため、セラミック原料としてコージェライト化原料を用いた。コージェライト化原料に、成形助剤を所定量添加するとともに、水を添加して、混合粉末を調製した。

次に、得られた混合粉末を、セラミックハニカム成形体を成形するための金型を用いて押出成形した。押出成形は、連続成形によって行い、一方の端面から他方の端面まで延びる複数のセルが区画形成された円筒状のセラミックハニカム成形体を作製した。次に、セラミックハニカム成形体を、セルの延びる方向に、仕上げ寸法よりもセルの延びる方向の長さが長くなるように切断した。

次に、セラミックハニカム成形体を乾燥して、セラミックハニカム乾燥体を作製した。乾燥は、誘電乾燥と熱風乾燥とを組み合わせて行った。

次に、図２Ａに示すように、得られたセラミックハニカム乾燥体５０を、水平面内で回転可能な測定台６５上に載置した。セラミックハニカム乾燥体５０の外壁６３表面の周方向のコンツァーを、レーザー変位計６７によって連続的に測定した。具体的には、まず、セラミックハニカム乾燥体５０の外壁６３表面の一方の端面６１から他方の端面６２に向かう方向に離間した２つの位置を、コンツァー測定開始点Ｐ１及びコンツァー測定開始点Ｐ２とした。そして、コンツァー測定開始点Ｐ１を含む周方向Ｒを一周する第一測定部分Ｑ１において、セラミックハニカム乾燥体５０の外径寸法のコンツァーを、コンツァー測定開始点Ｐ１から、周方向Ｒに測定位置をずらしながら複数の測定点にて測定した。また、コンツァー測定開始点Ｐ２を含む周方向Ｒを一周する第二測定部分Ｑ２においても、コンツァー測定開始点Ｐ２から、周方向Ｒに測定位置をずらしながら複数の測定点にてコンツァーを測定した。レーザー変位計６７は、反射式の非接触レーザー変位計を用いた。コンツァーの測定は、１つの周方向について、３０００点行った。即ち、コンツァー測定開始点から、０．１２°刻みで、セラミックハニカム乾燥体５０の外壁６３表面の各点におけるコンツァーを測定した。なお、実施例１においては、図２Ａにおけるスペーサー６６を、測定台６５とセラミックハニカム乾燥体５０の一方の端面６１との間に配置せずにコンツァーの測定を行った。また、実施例１においては、仕上げ加工に用いる第一受け台及び第二受け台として、受け角が９０°の受け台を用いた。

得られた測定結果から、以下の方法で、４つのコンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計を、３０００点の測定点ごとに求めた。ここで、コンツァー測定開始点Ｐ１にて測定されたコンツァーを「コンツァーＣ１（０°）」とし、コンツァー測定開始点Ｐ２にて測定されたコンツァーを「コンツァーＣ２（０°）」とする。また、コンツァー測定開始点Ｐ１から周方向にｎ°移動した測定点において測定されたコンツァーを「コンツァーＣ１（ｎ°）」とする。上記「ｎ°」は、コンツァー測定開始点Ｐ１を０°とした場合の、コンツァー測定角度（°）である（図３参照）。同様に、コンツァー測定開始点Ｐ２から周方向にｎ°移動した測定点において測定されたコンツァーを「コンツァーＣ２（ｎ°）」とする。例えば、コンツァー測定開始点Ｐ１から周方向に０．１２°移動した測定点において測定されたコンツァーは「コンツァーＣ１（０．１２°）」となる。

まず、コンツァーＣ１（０°）、コンツァーＣ１（９０°）、コンツァーＣ２（０°）、及びコンツァーＣ２（９０°）の４つのコンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計Ｎ_０を求めた。「コンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計Ｎ_０」とは、コンツァー測定開始点Ｐ１を、「コンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計を算出するための第一測定点Ｐ１ｘ」に選択したことを意味する。また、「コンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計Ｎ_０」の算出に、コンツァー測定角度が０°及び９０°のコンツァーの値を用いたのは、第一受け台及び第二受け台の受け角が９０°であるからである。

次に、コンツァーＣ１（０．１２°）、コンツァーＣ１（９０．１２°）、コンツァーＣ２（０．１２°）、及びコンツァーＣ２（９０．１２°）の４つのコンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計Ｎ_０．１２を求めた。これ以降、順次、４つのコンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計値を求める測定点を周方向に移動させながら、４つのコンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計を３０００点求めた。以下、「４つのコンツァーの値のそれぞれの差の絶対値の合計」を、単に「コンツァーの差の合計」ということがある。

次に、得られた全ての「コンツァーの差の合計」を比較し、最も「コンツァーの差の合計」が小さい最小合計値を見付ける。ここで、「コンツァーの差の合計」が最小となるコンツァー測定角度に９０°を加えた角度を「最適チャック角」とした。なお、最も「コンツァーの差の合計」が小さい最小合計値の算出に用いられた４つのコンツァーを、「コンツァーＣ１（ｎ°）」、「コンツァーＣ１（（ｎ＋９０）°）」、「コンツァーＣ２（ｎ°）」、「コンツァーＣ２（（ｎ＋９０）°）」とした場合に、各コンツァーの値は、以下の通りである。即ち、「コンツァーＣ１（ｎ°）」を、「第一測定点Ｐ１ｘにて測定されたコンツァーＣ１ｘ」とする。「コンツァーＣ１（（ｎ＋９０）°）」を、「第二測定点Ｐ１ｙにて測定されたコンツァーＣ１ｙ」とする。「コンツァーＣ２（ｎ°）」を、「第三測定点Ｐ２ｘにて測定されたコンツァーＣ２ｘ」とする。「コンツァーＣ２（（ｎ＋９０）°）」を、「第四測定点Ｐ２ｙにて測定されたコンツァーＣ２ｙ」とする。次に、図２Ｂ及び図２Ｃに示すように、測定が終了したセラミックハニカム乾燥体５０を、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂに載置した。セラミックハニカム乾燥体５０の第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂまでの搬送は、以下の方法によって行った。まず、コンツァーの測定が終了し、コンツァー測定開始点まで１回転した状態のセラミックハニカム乾燥体５０を、更に最適チャック角だけ回転させた。上述したセラミックハニカム乾燥体５０の回転は、測定台６５を回転させることによって行った。次に、セラミックハニカム乾燥体５０を、搬送チャック（図示せず）によって、第一受け台６８ａの第一支持位置Ｃ１ｙｎｙと第二支持位置Ｃ１ｘｎｘ及び第二受け台６８ｂの第三支持位置Ｃ２ｙｎｙと第四支持位置Ｃ２ｘｎｘに設置した。

次に、図２Ｅに示すように、第一受け台６８ａ及び第二受け台６８ｂに載置されたセラミックハニカム乾燥体５０の端面を、切断具７５ａ，７５ｂによって仕上げ加工して、仕上げセラミックハニカム乾燥体を得た。切断具７５ａ，７５ｂとしては、円盤状の砥石を用いた。切断具７５ａから第一支持位置Ｃ１ｙｎｙまでの距離ｎ１、及び切断具７５ｂから第三支持位置Ｃ２ｙｎｙまでの距離ｎ２については、６ｍｍとした。セラミックハニカム乾燥体５０の外径寸法は１００ｍｍであった。余剰部分５０ａ，５０ｂを切断した後の仕上げセラミックハニカム乾燥体の一方の端面から他方の端面に向かう長さ（即ち、仕上げ寸法）は１００ｍｍであった。表１に、セラミックハニカム乾燥体の「外径寸法」、仕上げセラミックハニカム乾燥体の「仕上げ寸法」を示す。

得られた仕上げセラミックハニカム乾燥体を脱脂し、更に焼成して、セラミックハニカム構造体を製造した。脱脂及び焼成は、酸化雰囲気で行った。焼成時における最高温度は、１４３０℃とした。実施例１のセラミックハニカム構造体は、セル密度が１４０セル／ｃｍ^２であり、隔壁の厚さが７５μｍである。また、直角度の許容範囲が１．６ｍｍである。表１に、セル密度、隔壁の厚さ、及び直角度の許容範囲を示す。このような方法により、１ロット１００個で、１００ロットのセラミックハニカム構造体を製造した。

得られたセラミックハニカム構造体の直角度の工程能力指数（ｃｐｋ）を求めた。工程能力指数は、得られたセラミックハニカム構造体の直角度の抜取検査の結果を元に求めた。直角度の工程能力指数の結果を表１に示す。また、工程能力指数（ｃｐｋ）は、直角度の上限基準値と、得られたセラミックハニカム構造体の直角度の平均値との差を、３σで除した値である。σは標準偏差を意味する。

（実施例２）
外径寸法、焼成後のセル密度、及び焼成後の隔壁の厚さが表１に示す値となるようなセラミックハニカム乾燥体を作製し、仕上げ寸法が表１に示す値となるように、実施例１と同様の方法で、セラミックハニカム構造体を製造した。実施例１と同様の方法で、得られたセラミックハニカム構造体の直角度の工程能力指数（ｃｐｋ）を求めた。結果を表１に示す。

（比較例１及び２）
外径寸法、焼成後のセル密度、及び焼成後の隔壁の厚さが表１に示す値となるようなセラミックハニカム乾燥体を作製し、仕上げ加工を以下の方法により行ったこと以外は、実施例１と同様の方法でセラミックハニカム構造体を製造した。比較例１及び２においては、セラミックハニカム乾燥体のコンツァーの測定を行うことなく、セラミックハニカム乾燥体を第一受け台及び第二受け台に載置して仕上げ加工を行った。得られたセラミックハニカム構造体の直角度の工程能力指数（ｃｐｋ）を求めた。結果を表１に示す。

（結果１）
実施例１及び２の製造方法によれば、比較例１及び２の製造方法に比して、直角度の工程能力指数が高いことが分かる。比較例１及び２においては、仕上げ加工の際に、第一受け台及び第二受け台に対してセラミックハニカム乾燥体が傾いた状態で載置されることがあり、これにより、得られるセラミックハニカム構造体の直角度が悪化し工程能力指数が低下したものと考えられる。

（実施例３〜５）
外径寸法、焼成後のセル密度、及び焼成後の隔壁の厚さが表２に示す値となるようなセラミックハニカム乾燥体を作製し、仕上げ寸法が表２に示す値となるように、実施例１と同様の方法でセラミックハニカム構造体を製造した。即ち、仕上げ工程において、セラミックハニカム乾燥体の周方向全周に渡ってコンツァーを測定して最適チャック角を求め、各セラミックハニカム乾燥体を、最適チャック角が第一受け台及び第二受け台にて支持された状態で仕上げ加工を行った。

（実施例６〜８）
実施例６〜８においては、コンツァーの測定を行う際に、図２Ａに示すように、測定台６５と、セラミックハニカム乾燥体５０の一方の端面６１との間に、スペーサー６６を等配に３箇所に配置した。また、実施例６〜８においては、コンツァーの測定時における、セラミックハニカム乾燥体５０の温度を、１２０℃とした。それ以外は、実施例６は実施例３と同じ方法、実施例７は実施例４と同じ方法、実施例８は実施例５と同じ方法で、セラミックハニカム構造体を製造した。

（比較例３〜５）
外径寸法、焼成後のセル密度、及び焼成後の隔壁の厚さが表２に示す値となるようなセラミックハニカム乾燥体を作製し、比較例１と同様の方法でセラミックハニカム構造体を製造した。

実施例３〜８及び比較例３〜５においては、得られたセラミックハニカム構造体の直角度についての歩留まり（％）を求めた。即ち、実施例３〜８及び比較例３〜５において得られた全てのセラミックハニカム構造体の直角度を測定し、直角度の許容範囲を満たしているものを合格とし、直角度の許容範囲を満たしていないものを不合格とした。この測定結果から、実施例３〜８及び比較例３〜５における直角度についての歩留まり（％）を求めた。以下、上述した直角度についての歩留まり（％）を、直角度歩留まり（％）ということがある。表２に、実施例３〜８及び比較例３〜５の仕上げ寸法、及び直角度歩留まり（％）を示す。

（実施例９及び１０）
以下に示すように製造されたセラミックハニカム乾燥体を用いて、セラミックハニカム構造体を製造した。

実施例９においては、炭化珪素（ＳｉＣ）粉末と金属珪素（Ｓｉ）粉末とを８０：２０の質量割合で混合し、これに、成形助剤を所定量添加するとともに、水を添加して混合粉末を調製した。得られた混合粉末を、ラム式の押出成形に間欠的に投入し、ハニカム状に押出成形して円筒状のセラミックハニカム成形体を作製した。次に、セラミックハニカム成形体を、セルの延びる方向に、仕上げ寸法よりもセルの延びる方向の長さが長くなるように切断した。

得られたセラミックハニカム成形体を、実施例１と同様の方法で乾燥し、セラミックハニカム乾燥体を得た。得られたセラミックハニカム乾燥体を、実施例１と同様の方法で仕上げ加工して、仕上げセラミックハニカム乾燥体を得た。得られた仕上げセラミックハニカム乾燥体を脱脂し、更に焼成して、セラミックハニカム構造体を製造した。脱脂及び焼成は、アルゴン雰囲気で行った。焼成時における最高温度は、１４３０℃とした。

実施例１０においては、αアルミナ粉末と水酸化アルミニウム粉末とを８５：１５の質量割合で混合し、これに、成形助剤を所定量添加するとともに、水を添加して混合粉末を調製した。脱脂及び焼成を、酸化雰囲気で行い、且つ、焼成時における最高温度は、１５５０℃とした以外は、実施例９と同様の方法により、セラミックハニカム構造体を製造した。

実施例９及び１０にて得られたセラミックハニカム構造体の直角度の工程能力指数（ｃｐｋ）を、実施例１と同様の方法で求めた。表３に、実施例９及び１０の外径寸法、仕上げ寸法、焼成後のセル密度、焼成後の隔壁の厚さ、直角度の許容範囲、及び直角度の工程能力指数（ｃｐｋ）を示す。

（比較例６及び７）
比較例６は、外径寸法、焼成後のセル密度、及び焼成後の隔壁の厚さが表３に示す値となるようなセラミックハニカム乾燥体を作製し、仕上げ加工を以下の方法により行ったこと以外は、実施例９と同様の方法でセラミックハニカム構造体を製造した。比較例７は、外径寸法、焼成後のセル密度、及び焼成後の隔壁の厚さが表３に示す値となるようなセラミックハニカム乾燥体を作製し、仕上げ加工を以下の方法により行ったこと以外は、実施例１０と同様の方法でセラミックハニカム構造体を製造した。比較例６及び７においては、セラミックハニカム乾燥体のコンツァーの測定を行うことなく、セラミックハニカム乾燥体を第一受け台及び第二受け台に載置して仕上げ加工を行った。得られたセラミックハニカム構造体の直角度の工程能力指数（ｃｐｋ）を求めた。結果を表３に示す。

（実施例１１及び１２）
実施例１１及び１２においては、まず、仕上げ工程を行うためのセラミックハニカム乾燥体を作製した。セラミックハニカム乾燥体を作製するため、セラミック原料１００質量部に、発泡樹脂を５質量部加え、更に、成形助剤を所定量添加するとともに、水を添加して、混合粉末を調製した。得られた混合粉末を、ラム式の押出成形に間欠的に投入し、ハニカム状に押出成形して円筒状のセラミックハニカム成形体を作製した。次に、セラミックハニカム成形体を、セルの延びる方向に、仕上げ寸法よりもセルの延びる方向の長さが長くなるように切断した。

得られたセラミックハニカム成形体を、実施例１と同様の方法で乾燥し、セラミックハニカム乾燥体を得た。得られたセラミックハニカム乾燥体を、実施例１と同様の方法で仕上げ加工して、仕上げセラミックハニカム乾燥体を得た。即ち、仕上げ工程において、セラミックハニカム乾燥体の周方向全周に渡ってコンツァーを測定して最適チャック角を求めた。そして、各セラミックハニカム乾燥体を、最適チャック角における測定点が第一受け台及び第二受け台にて支持された状態で仕上げ加工を行った。

次に、得られた仕上げセラミックハニカム乾燥体の内に封止材料を充填する目封止部作製工程を行った。具体的には、仕上げセラミックハニカム乾燥体の一方の端面にシートを貼り付けた。次に、このシートに、封止材料を充填するための孔を開けた。封止材料を充填するための孔は、目封止部を形成しようとするセルが存在する位置とした。シートが貼り付けられた仕上げセラミックハニカム乾燥体を、封止材料が貯留された容器内に圧入して、シートの孔から所定のセル内に、封止材料を充填した。

セルの一方の開口端部に封止材料を充填した後、セルの他方の開口端部についても、これまでに説明した方法と同様の方法で、封止材料を充填した。目封止部作製工程においては、セルの一方の開口端部と他方の開口端部とが、隣接するセルにて交互に封止されるように封止材料を充填した。次に、仕上げセラミックハニカム乾燥体のセルに充填された封止材料を乾燥させた。

次に、得られた仕上げセラミックハニカム乾燥体を脱脂し、更に焼成して、セラミックハニカム構造体を製造した。脱脂及び焼成は、酸化雰囲気で行った。焼成時における最高温度は、１４３０℃とした。

得られたセラミックハニカム構造体の直角度歩留まり（％）を、実施例３と同様の方法により求めた。表４に、実施例１１及び１２の外径寸法、仕上げ寸法、焼成後のセル密度、焼成後の隔壁の厚さ、直角度の許容範囲、及び直角度歩留まり（％）を示す。

（比較例８及び９）
外径寸法、焼成後のセル密度、及び焼成後の隔壁の厚さが表４に示す値となるようなセラミックハニカム乾燥体を作製し、仕上げ加工を以下の方法により行ったこと以外は、実施例１１と同様の方法でセラミックハニカム構造体を製造した。比較例８及び９においては、セラミックハニカム乾燥体のコンツァーの測定を行うことなく、セラミックハニカム乾燥体を第一受け台及び第二受け台に載置して仕上げ加工を行った。得られたセラミックハニカム構造体の直角度歩留まり（％）を、実施例３と同様の方法により求めた。表４に、比較例８及び９の外径寸法、仕上げ寸法、焼成後のセル密度、焼成後の隔壁の厚さ、直角度の許容範囲、及び直角度歩留まり（％）を示す。

（結果２）
表２及び表４に示すように、実施例３〜８、１１及び１２においては、比較例３〜５、８及び９と比較して、直角度歩留まりが著しく向上していることが分かる。即ち、比較例３〜５、８及び９のように、最適チャック角を求めることなく、セラミックハニカム乾燥体を第一受け台及び第二受け台に載置して仕上げ加工を行った場合には、直角度の悪いセラミックハニカム構造体が、高い頻度で製造されることとなる。比較例３〜５の結果から、このような傾向は、セラミックハニカム構造体の外径寸法が大きくなる場合に顕著となる。一方、実施例３〜５においては、コンツァーの測定を行って最適チャック角を求め、各セラミックハニカム乾燥体を、最適チャック角が第一受け台及び第二受け台にて支持された状態で仕上げ加工を行っている。このため、実施例３〜５においては、外径寸法が大きなセラミックハニカム構造体においても、高い歩留まりで製造することができた。また、セラミックハニカム乾燥体の温度が１２０℃の状態で、スペーサー６６を介し、コンツァーの測定を行った実施例６〜８においても、実施例３〜５と同様に、高い歩留まりでハニカム構造体を製造することができた。また、表３に示すように、セラミックハニカム乾燥体を作製するための原料の種類が変わっても、実施例９及び１０の製造方法によれば、比較例６及び７の製造方法に比して、直角度の工程能力指数が高いことが分かる。

本発明のセラミックハニカム構造体の製造方法は、直角度が優れたセラミックハニカム構造体を製造する方法に利用することができる。

５０：セラミックハニカム乾燥体、５０ａ，５０ｂ：余剰部分、５１：隔壁、５２：セル、６１：一方の端面、６２：他方の端面、６３：外壁、６５：測定台、６６：スペーサー、６７：レーザー変位計、６８ａ：第一受け台、６８ｂ：第二受け台、６９：補助受け台、７０：仕上げセラミックハニカム乾燥体、７５ａ，７５ｂ：切断具、８０：回転方向、１００，２００：セラミックハニカム構造体、１１１：一方の端面、１１１ａ：点（一方の端面の周縁の一の点）、１１２：他方の端面、１１２ａ：端点（他方の端面の周縁の端点）、１１５：仮想線、１１６：仮想面、１１８：交点、Ａ：仕上げ工程、Ｂ：焼成工程、Ｃ１ｘ，Ｃ１ｙ，Ｃ２ｘ，Ｃ２ｙ：コンツァー、ｆ：クリアランス、ｋ１：実線、ｋ２：破線、Ｌ：一方の端面から他方の端面に向かう方向、ｍ：仕上げ寸法、ｎ１：距離（切断具から第一支持位置までの距離）、ｎ２：距離（切断具から第三支持位置までの距離）、Ｐ１，Ｐ２：コンツァー測定開始点、Ｃ１ｙｎｙ：第一支持位置、Ｃ１ｘｎｘ：第二支持位置、Ｃ２ｙｎｙ：第三支持位置、Ｃ２ｘｎｘ：第四支持位置、Ｐ１ｘ：第一測定点、Ｐ１ｙ：第二測定点、Ｐ２ｘ：第三測定点、Ｐ２ｙ：第四測定点、Ｒ：周方向、Ｑ１：第一測定部分、Ｑ２：第二測定部分、Ｙ１：長さ（直角度）。

Claims (15)

1. 一方の端面及び他方の端面を有する円筒状のセラミックハニカム乾燥体の前記一方の端面及び前記他方の端面を仕上げ加工して、仕上げセラミックハニカム乾燥体を得る仕上げ工程と、
   前記仕上げセラミックハニカム乾燥体を焼成して、セラミックハニカム構造体を得る焼成工程と、を備え、
   前記仕上げ工程において、前記セラミックハニカム乾燥体の外壁表面の前記一方の端面から前記他方の端面に向かう方向に離間した２つの位置を、コンツァー測定開始点Ｐ１及びコンツァー測定開始点Ｐ２とし、
   前記コンツァー測定開始点Ｐ１を含む周方向に一周する第一測定部分Ｑ１において、前記セラミックハニカム乾燥体の外径寸法のコンツァーを、前記コンツァー測定開始点Ｐ１から、前記周方向に測定位置をずらしながら複数の測定点にて測定し、且つ、
   前記コンツァー測定開始点Ｐ２を含む周方向に一周する第二測定部分Ｑ２において、前記セラミックハニカム乾燥体の外径寸法のコンツァーを、前記コンツァー測定開始点Ｐ２から、前記周方向に測定位置をずらしながら複数の測定点にて測定し、
   前記第一測定部分Ｑ１の第一測定点Ｐ１ｘにて測定されたコンツァーを、コンツァーＣ１ｘとし、前記第一測定部分Ｑ１の前記第一測定点Ｐ１ｘから一定位相ずれた位置に存在する第二測定点Ｐ１ｙにて測定されたコンツァーを、コンツァーＣ１ｙとし、前記第二測定部分Ｑ２の前記第一測定点Ｐ１ｘと同一の位相の位置に存在する第三測定点Ｐ２ｘにて測定されたコンツァーを、コンツァーＣ２ｘとし、前記第二測定部分Ｑ２の前記第二測定点Ｐ１ｙと同一の位相の位置に存在する第四測定点Ｐ２ｙにて測定されたコンツァーを、コンツァーＣ２ｙとして、
   前記測定点ごとに４つの前記コンツァーＣ１ｘ，Ｃ１ｙ，Ｃ２ｘ，Ｃ２ｙの値のそれぞれの差の絶対値の合計を求め、
   前記セラミックハニカム乾燥体の前記外壁表面の、前記コンツァーＣ１ｘ，Ｃ１ｙ，Ｃ２ｘ，Ｃ２ｙの値のそれぞれの差の絶対値の合計が最小となる４つの前記測定点を、第一受け台及び第二受け台にて支持した状態で、前記セラミックハニカム乾燥体の前記一方の端面及び前記他方の端面を前記仕上げ加工するセラミックハニカム構造体の製造方法。
2. 前記コンツァーＣ１ｘ，Ｃ１ｙ，Ｃ２ｘ，Ｃ２ｙの値のそれぞれの差の絶対値の合計が、下記式（１）によって算出される請求項１に記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。
   
3. 前記コンツァーＣ１ｘ，Ｃ１ｙ，Ｃ２ｘ，Ｃ２ｙの値のそれぞれの差の絶対値の合計が最小となる４つの前記測定点における前記第二測定点Ｐ１ｙと、前記コンツァー測定開始点Ｐ１との位相を、最適チャック角とした場合に、
   前記セラミックハニカム乾燥体を前記第一受け台及び第二受け台に支持する前に、前記セラミックハニカム乾燥体を前記最適チャック角だけ回転させる請求項１又は２に記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。
4. 前記第一測定点Ｐ１ｘと前記第二測定点Ｐ１ｙとが、前記周方向に６０〜１２０°ずれた位置である請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。
5. 前記セラミックハニカム乾燥体を、前記一方の端面が底面となるように測定台に載置して、前記コンツァーを測定する請求項１〜４のいずれか一項に記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。
6. 前記測定台を、前記コンツァーＣ１ｘ，Ｃ１ｙ，Ｃ２ｘ，Ｃ２ｙの値のそれぞれの差の絶対値の合計が最小となる４つの前記測定点における前記第二測定点Ｐ１ｙと、前記コンツァー測定開始点Ｐ１との位相を、最適チャック角とした場合に、前記セラミックハニカム乾燥体を前記第一受け台及び第二受け台に支持する前に、前記最適チャック角だけ回転させる請求項５に記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。
7. 前記セラミックハニカム乾燥体と前記測定台との間の少なくとも３箇所に、スペーサーを配置する請求項５又は６に記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。
8. 前記セラミックハニカム乾燥体を前記測定台に載置した際の、水平面に対する前記セラミックハニカム乾燥体の底面の傾きの高低差が４ｍｍ以下である請求項５〜７のいずれか一項に記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。
9. 前記セラミックハニカム乾燥体の温度が、２０〜１５０℃である請求項１〜８のいずれか一項に記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。
10. 前記コンツァーを、反射式の非接触レーザー変位計によって測定する請求項１〜９のいずれか一項に記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。
11. 前記セラミックハニカム乾燥体が、外周に凹凸面を有する請求項１〜１０のいずれか一項に記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。
12. 前記セラミックハニカム乾燥体の外径寸法公差の片側寸法差が、直角度よりも大である請求項１〜１１のいずれか一項に記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。
13. 前記セラミックハニカム乾燥体の外径寸法が、１００ｍｍ以上である請求項１〜１２のいずれか一項に記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。
14. 前記セラミックハニカム乾燥体が、コージェライト、炭化珪素、及びアルミナからなる群より選択される少なくとも一種を含む成形原料からなる請求項１〜１３のいずれか一項に記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。
15. 前記仕上げセラミックハニカム乾燥体又は前記セラミックハニカム構造体のセルの内に封止材料を充填する目封止部作製工程を更に備えた請求項１〜１４のいずれか一項に記載のセラミックハニカム構造体の製造方法。