JP5629323B2 - 改善したホット・スイッチング性能および信頼性を備えたマイクロ機械デジタルキャパシタデバイスおよびその形成方法 - Google Patents
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Description
Claims (21)
- 1つ又はそれ以上の電極が形成された基板と、
基板および該1つ又はそれ以上の電極の上に配置された電気絶縁層と、
基板と連結した1つ又はそれ以上の着地構造と、
基板と連結したMEMSエレメントとを備え、
MEMSエレメントは、第1位置から、電気絶縁層から離れた第2位置へ、および第3位置へ移動可能であり、
MEMSエレメントは、MEMSエレメントが第1位置にある場合、電気絶縁層と接触する第1部分と、MEMSエレメントが第2位置にある場合、1つ又はそれ以上の着地構造と接触する第2部分とを含み、
第1部分は、MEMSエレメントが第1位置にある場合、電気絶縁層と接触し、
第2部分は、MEMSエレメントが第1位置にある場合、1つ又はそれ以上の着地構造と接触し、
第1部分は、MEMSエレメントが第2位置および第3位置にある場合、電気絶縁層から離れており、
第2部分は、MEMSエレメントが第3位置にある場合、1つ又はそれ以上の着地構造から離れている、デバイス。 - 第1部分は、下部層と、1つ又はそれ以上の支持構造を介して該下部層と連結した上部層とを備えるワッフル構造を含む、請求項1記載のデバイス。
- 第2部分は、下部層で構成される、請求項2記載のデバイス。
- 下部層は、窒化チタンアルミニウムを含む、請求項3記載のデバイス。
- 第2部分は、第1部分と、MEMSエレメントが第1位置および第2位置の両方にある場合、基板と連結した第3部分との間に連結される、請求項3記載のデバイス。
- 第2部分は、上部層で構成される、請求項2記載のデバイス。
- 第2部分は、第1部分と、MEMSエレメントが第1位置および第2位置の両方にある場合、基板と連結した第3部分との間に連結される、請求項6記載のデバイス。
- 下部層は、窒化チタンアルミニウムを含む、請求項2記載のデバイス。
- 該1つ又はそれ以上の電極のうちの少なくとも1つが、RF電極である、請求項1記載のデバイス。
- 1つ又はそれ以上の電極が形成された基板と、
基板および該1つ又はそれ以上の電極の上に配置された電気絶縁層と、
電気絶縁層と連結した、第1位置から第2位置へ移動可能である1つ又はそれ以上のスプリングエレメントと、
電気絶縁層と連結したMEMSエレメントとを備え、
MEMSエレメントは、第3位置から、電気絶縁層から離れた第4位置へ移動可能であり、
MEMSエレメントは、第3位置にある場合、電気絶縁層と接触する第1部分と、1つ又はそれ以上のスプリングエレメントと接触し、該1つ又はそれ以上のスプリングエレメントを第1位置から第2位置へ移動させる第2部分とを含み、
MEMSエレメントは、第5位置へ移動可能であり、
第1部分は、MEMSエレメントが第5位置にある場合、電気絶縁層から離れており、
第2部分は、MEMSエレメントが第5位置にある場合、該1つ又はそれ以上のスプリングエレメントから離れている、デバイス。 - 第1部分は、下部層と、1つ又はそれ以上の支持構造を介して該下部層と連結した上部層とを備えるワッフル構造を含む、請求項10記載のデバイス。
- 第2部分は、下部層で構成される、請求項11記載のデバイス。
- 下部層は、窒化チタンアルミニウムを含む、請求項12記載のデバイス。
- 1つ又はそれ以上のスプリングエレメントは、窒化チタンアルミニウムを含む、請求項13記載のデバイス。
- A)絶縁層、1つ又はそれ以上の着地構造および、その上に配置された第1犠牲層を有する基板の上に、MEMSエレメントを形成するステップであって、
第1犠牲層の上に、第1構造層を形成すること、
第1構造層の上に、第2犠牲層を形成すること、
第2犠牲層の少なくとも一部を除去し、第1構造層の一部を露出させること、
露出した第1構造層の上に構造エレメントを形成すること、
第2犠牲層および構造エレメントの上に、第2構造層を形成することを含むステップと、
B)第1犠牲層および第2犠牲層を除去して、MEMSエレメントを解放するステップと、を含み、
解放されたMEMSエレメントは、第1位置から第2位置へ移動可能であり、MEMSエレメントが第1位置にある場合、絶縁層と接触する第1部分と、MEMSエレメントが第2位置にある場合、1つ又はそれ以上の着地構造と接触する第2部分とを有しており、
MEMSエレメントは、第3位置へ移動可能であり、
第1部分は、MEMSエレメントが第1位置にある場合、電気絶縁層と接触し、
第2部分は、MEMSエレメントが第1位置にある場合、1つ又はそれ以上の着地構造と接触し、
第1部分は、MEMSエレメントが第2位置および第3位置にある場合、電気絶縁層から離れており、
第2部分は、MEMSエレメントが第3位置にある場合、1つ又はそれ以上の着地構造から離れているようにした方法。 - 1つ又はそれ以上の着地構造と接触する、1つ又はそれ以上のスプリングエレメントを形成するステップと、をさらに含む請求項15記載の方法。
- 第1構造層を形成することは、1つ又はそれ以上のスプリングエレメントを形成することを含む請求項16記載の方法。
- 第1構造層を形成することは、窒化チタンアルミニウムを堆積することを含む請求項17記載の方法。
- 1つ又はそれ以上のスプリングエレメントは、第4位置から第5位置へ移動可能である請求項17記載の方法。
- 第1構造層を形成することは、窒化チタンアルミニウムを堆積することを含む請求項15記載の方法。
- 第2構造層を形成することは、窒化チタンアルミニウムを堆積することを含む請求項20記載の方法。
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