JP5623159B2 - 半導体光増幅器の位置合わせ方法及び光出力装置 - Google Patents
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Description
半導体光増幅器にレーザ光源からレーザ光を入射させながら半導体光増幅器に所定の値の電流を流して、半導体光増幅器に印加される(加わる)電圧が最大となるように半導体光増幅器に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器の相対的な位置を調整する。
半導体光増幅器にレーザ光源からレーザ光を入射させながら半導体光増幅器に所定の値の電圧を印加して、半導体光増幅器を流れる電流が最大となるように半導体光増幅器に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器の相対的な位置を調整する。
(A)レーザ光源、
(B)レーザ光源からのレーザ光を光増幅して出射する半導体光増幅器、
(C)半導体光増幅器に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器の相対的な位置を調整する位置合わせ装置、並びに、
(D)半導体光増幅器の動作を制御する半導体光増幅器制御装置、
を備えた光出力装置である。
半導体光増幅器にレーザ光源からレーザ光を入射させながら半導体光増幅器に所定の値の電流を流して、半導体光増幅器に印加される(加えられる)電圧を半導体光増幅器制御装置はモニターし、
半導体光増幅器に印加される(加えられる)電圧が最大となるように、半導体光増幅器に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器の相対的な位置が位置合わせ装置によって調整される。
半導体光増幅器にレーザ光源からレーザ光を入射させながら半導体光増幅器に所定の値の電圧を印加して、半導体光増幅器に流れる電流を半導体光増幅器制御装置はモニターし、
半導体光増幅器を流れる電流が最大となるように、半導体光増幅器に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器の相対的な位置が位置合わせ装置によって調整される。
1.本発明の第1の態様及び第2の態様に係る半導体光増幅器の位置合わせ方法、並びに、本発明の第1の態様及び第2の態様に係る光出力装置、全般に関する説明
2.実施例1(本発明の第1の態様に係る半導体光増幅器の位置合わせ方法、並びに、本発明の第1の態様に係る光出力装置)
3.実施例2(実施例1の変形)
4.実施例3(本発明の第2の態様に係る半導体光増幅器の位置合わせ方法、並びに、本発明の第2の態様に係る光出力装置)
5.実施例4(実施例3の変形)
6.実施例5(実施例3の別の変形)
7.実施例6(実施例1におけるモードロック半導体レーザ素子の変形)
8.実施例7(実施例1におけるモードロック半導体レーザ素子の別の変形)
9.実施例8(実施例1におけるモードロック半導体レーザ素子の別の変形)
10.実施例9(実施例1におけるモードロック半導体レーザ素子の別の変形)
11.実施例10(実施例1におけるモードロック半導体レーザ素子の別の変形)、その他
本発明の第1の態様に係る光出力装置において、半導体光増幅器制御装置における電圧モニターの分解能は、1ミリボルト以下、好ましくは0.1ミリボルト以下であることが望ましい。また、本発明の第2の態様に係る光出力装置において、半導体光増幅器制御装置における電流モニターの分解能は、100マイクロアンペア以下、好ましくは10マイクロアンペア以下であることが望ましい。
(a)第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層、GaN系化合物半導体から成る光増幅領域(キャリア注入領域、利得領域)を有する第3化合物半導体層、並びに、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、
(b)第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、
(c)第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、
を備えている形態とすることができる。
(a)第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層、GaN系化合物半導体から成る光増幅領域(キャリア注入領域、利得領域)を有する第3化合物半導体層、並びに、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、
(b)第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、
(c)第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、
を備えている形態とすることができる。そして、このような形態において、第2電極は、第1部分、及び、半導体光増幅器の光出射端面側に設けられ、分離溝によって第1部分と分離された第2部分から成る構成とすることができる。第2部分を、半導体光増幅器の光出射端面側に位置させることが、半導体光増幅器の光出射端面の劣化を抑制するといった観点から好ましい。更には、このような構成にあっては、第1部分の長さをLAmp-1、第2部分の長さをLAmp-2としたとき、0.001≦LAmp-2/LAmp-1≦0.01、好ましくは、0.0025≦LAmp-2/LAmp-1≦0.0075を満足することが望ましく、また、第2電極の第2部分に印加する電圧は、−20ボルト以上4ボルト以下のいずれかの値、好ましくは、−15ボルト以上0ボルト以下のいずれかの値である構成とすることができる。ここで、第2電極の第1部分に電圧を印加することで(電流を流入させることで)、半導体光増幅器の本来の機能である光増幅を行い、第2電極の第2部分に電圧を印加することで、位置調整のための計測を行う。半導体光増幅器における第2電極の第1部分と第2部分との間の電気抵抗値は、1×102Ω以上、好ましくは1×103Ω以上、より好ましくは1×104Ω以上であることが望ましい。あるいは又、第2電極の第1部分と第2部分との間の電気抵抗値は、第2電極と第1電極との間の電気抵抗値の1×10倍以上、好ましくは1×102倍以上、より好ましくは1×103倍以上であることが望ましい。あるいは又、第2電極を第1部分と第2部分とに分離する分離溝の幅は、1μm以上、半導体光増幅器の長さの50%以下、好ましくは10μm以上、半導体光増幅器の長さの10%以下とすることが望ましい。
(a)第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層、GaN系化合物半導体から成る発光領域を有する第3化合物半導体層、並びに、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、
(b)第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、
(c)第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、
を備え、
積層構造体は、極性を有する化合物半導体基板上に形成されており、
第3化合物半導体層は、井戸層及び障壁層を備えた量子井戸構造を有する構成とすることができる。そして、限定するものではないが、
井戸層の厚さは、1nm以上、10nm以下、好ましくは、1nm以上、8nm以下であり、
障壁層の不純物ドーピング濃度は、2×1018cm-3以上、1×1020cm-3以下、好ましくは、1×1019cm-3以上、1×1020cm-3以下とすることが好ましい。
第3化合物半導体層は、可飽和吸収領域を更に備えており、
第2電極は、発光領域を経由して第1電極に電流を流すことで順バイアス状態とするための第1部分、及び、可飽和吸収領域に電界を加えるための第2部分に、分離溝によって分離されており、
第2電極の第1部分から発光領域を経由して第1電極に電流を流すことで順バイアス状態とし、且つ、第1電極と第2電極の第2部分との間に電圧を印加することで可飽和吸収領域に電界を加える形態とすることができる。
(1)2つの第2電極の第1部分と1つの第2電極の第2部分とが設けられ、第2部分の端部が、一方の分離溝を挟んで、一方の第1部分と対向し、第2部分の他端が、他方の分離溝を挟んで、他方の第1部分と対向している状態(即ち、第2電極は、第2部分を第1部分で挟んだ構造)
(2)1つの第2電極の第1部分と1つの第2電極の第2部分とが設けられ、第2電極の第1部分と、第2電極の第2部分とが、分離溝を挟んで配置されている状態
(3)1つの第2電極の第1部分と2つの第2電極の第2部分とが設けられ、第1部分の一端が、一方の分離溝を挟んで、一方の第2部分と対向し、第1部分の他端が、他方の分離溝を挟んで、他方の第2部分と対向している状態
を挙げることができるが、中でも、(1)、(2)の構造とすることが望ましい。また、広くは、
(4)N個の第2電極の第1部分と(N−1)個の第2電極の第2部分とが設けられ、第2電極の第1部分が第2電極の第2部分を挟んで配置されている状態
(5)N個の第2電極の第2部分と(N−1)個の第2電極の第1部分とが設けられ、第2電極の第2部分が第2電極の第1部分を挟んで配置されている状態
を挙げることができる。尚、(4)及び(5)の状態は、云い換えれば、
(4’)N個の発光領域[キャリア注入領域、利得領域]と(N−1)個の可飽和吸収領域[キャリア非注入領域]とが設けられ、発光領域が可飽和吸収領域を挟んで配置されている状態
(5’)N個の可飽和吸収領域[キャリア非注入領域]と(N−1)個の発光領域[キャリア注入領域、利得領域]とが設けられ、可飽和吸収領域が発光領域を挟んで配置されている状態
である。尚、(1)、(5)、(5’)の構造を採用することで、モードロック半導体レーザ素子の光出射端面における損傷が発生し難くなる。
(A)基体上に、第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層、GaN系化合物半導体から成る発光領域及び可飽和吸収領域を構成する第3化合物半導体層、並びに、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体を形成した後、
(B)第2化合物半導体層上に帯状の第2電極を形成し、次いで、
(C)第2電極をエッチング用マスクとして、少なくとも第2化合物半導体層の一部分をエッチングして、リッジ構造を形成した後、
(D)分離溝を第2電極に形成するためのレジスト層を形成し、次いで、レジスト層をウエットエッチング用マスクとして、第2電極に分離溝をウエットエッチング法にて形成し、以て、第2電極を第1部分と第2部分とに分離溝によって分離する、
各工程を具備した製造方法に基づき製造することができる。
0<Z’<1500
好ましくは、
30≦Z’≦150
であることが望ましい。
(A)レーザ光源100、
(B)レーザ光源100からのレーザ光を光増幅して出射する半導体光増幅器200、
(C)半導体光増幅器200に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器の相対的な位置を調整する位置合わせ装置300、並びに、
(D)半導体光増幅器200の動作を制御する半導体光増幅器制御装置400、
を備えている。
(a)第1導電型(実施例1においては、具体的には、n型導電型)を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層230、GaN系化合物半導体から成る光増幅領域(キャリア注入領域、利得領域)241を有する第3化合物半導体層(活性層)240、並びに、第1導電型と異なる第2導電型(実施例1においては、具体的には、p型導電型)を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層250が、順次、積層されて成る積層構造体、
(b)第2化合物半導体層250上に形成された第2電極262、並びに、
(c)第1化合物半導体層230に電気的に接続された第1電極261、
を備えている。
(a)第1導電型(実施例1においては、具体的には、n型導電型)を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層130、GaN系化合物半導体から成る発光領域(利得領域)141を有する第3化合物半導体層(活性層)140、並びに、第1導電型と異なる第2導電型(実施例1においては、具体的には、p型導電型)を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層150が、順次、積層されて成る積層構造体、
(b)第2化合物半導体層150上に形成された帯状の第2電極162、並びに、
(c)第1化合物半導体層130に電気的に接続された第1電極161、
を備えている。
第2化合物半導体層150,250
p型GaNコンタクト層(Mgドープ)155,255
p型GaN(Mgドープ)/AlGaN超格子クラッド層154,254
p型AlGaN電子障壁層(Mgドープ)153,253
ノンドープAlGaNクラッド層152,252
ノンドープGaInN光ガイド層151,251
第3化合物半導体層140,240
GaInN量子井戸活性層
(井戸層:Ga0.92In0.08N/障壁層:Ga0.98In0.02N)
第1化合物半導体層130,230
n型GaNクラッド層132,232
n型AlGaNクラッド層131,231
但し、
井戸層(2層): 8nm[ノン・ドープ]
障壁層(3層):10nm[ドーピング濃度(Si):2×1018cm-3]
ΔV=V2−V1
で表される。尚、ΔVの値は1ミリボルト以下、屡々、0.1ミリボルト以下であり、また、ΔV/V1の値は1%以下の値である。そして、このときの半導体光増幅器200から出射されるレーザ光の光出力の変化も、電圧ΔVの変化と同じ挙動を示した。それ故、半導体光増幅器200に印加される(加わる)電圧ΔVが最大となるように半導体光増幅器200に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器200の相対的な位置を調整する。そして、これによって、半導体光増幅器200から出射されるレーザ光の光出力を最大とすることができる。
(1)第2化合物半導体層150をエッチングするときのエッチング用マスクとしての機能を有すること。
(2)第2化合物半導体層150の光学的、電気的特性に劣化を生じさせることなく、第2電極162はウエットエッチング可能であること。
(3)第2化合物半導体層150上に成膜したとき、10-2Ω・cm2以下のコンタクト比抵抗値を示すこと。
(4)積層構造とする場合、下層金属層を構成する材料は、仕事関数が大きく、第2化合物半導体層150に対して低いコンタクト比抵抗値を示し、しかも、ウエットエッチング可能であること。
(5)積層構造とする場合、上層金属層を構成する材料は、リッジ構造を形成する際のエッチングに対して(例えば、RIE法において使用されるCl2ガス)に対して耐性があり、しかも、ウエットエッチング可能であること。
先ず、基体上、具体的には、n型GaN基板121の(0001)面上に、周知のMOCVD法に基づき、第1導電型(n型導電型)を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層130、GaN系化合物半導体から成る発光領域(利得領域)141及び可飽和吸収領域142を構成する第3化合物半導体層(活性層)140、並びに、第1導電型と異なる第2導電型(p型導電型)を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層150が、順次、積層されて成る積層構造体を形成する(図22の(A)参照)。
その後、第2化合物半導体層150上に帯状の第2電極162を形成する。具体的には、真空蒸着法に基づきPd層163を全面に成膜した後(図22の(B)参照)、Pd層163上に、フォトリソグラフィ技術に基づき帯状のエッチング用レジスト層を形成する。そして、王水を用いて、エッチング用レジスト層に覆われていないPd層163を除去した後、エッチング用レジスト層を除去する。こうして、図23の(A)に示す構造を得ることができる。尚、リフトオフ法に基づき、第2化合物半導体層150上に帯状の第2電極162を形成してもよい。
次いで、第2電極162をエッチング用マスクとして、少なくとも第2化合物半導体層150の一部分をエッチングして(実施例1にあっては、第2化合物半導体層150の一部分をエッチングして)、リッジ構造を形成する。具体的には、Cl2ガスを用いたRIE法に基づき、第2電極162をエッチング用マスクとして用いて、第2化合物半導体層150の一部分をエッチングする。こうして、図23の(B)に示す構造を得ることができる。このように、帯状にパターニングされた第2電極162をエッチング用マスクとして用いてセルフアライン方式にてリッジ構造を形成するので、第2電極162とリッジ構造との間に合わせずれが生じることがない。
その後、分離溝を第2電極162に形成するためのレジスト層164を形成する(図24参照)。尚、参照番号165は、分離溝を形成するために、レジスト層164に設けられた開口部である。次いで、レジスト層164をウエットエッチング用マスクとして、第2電極162に分離溝162Cをウエットエッチング法にて形成し、以て、第2電極162を第1部分162Aと第2部分162Bとに分離溝162Cによって分離する。具体的には、王水をエッチング液として用い、王水に約10秒、全体を浸漬することで、第2電極162に分離溝162Cを形成する。そして、その後、レジスト層164を除去する。こうして、図10に示す構造を得ることができる。このように、ドライエッチング法と異なり、ウエットエッチング法を採用することで、第2化合物半導体層150の光学的、電気的特性に劣化が生じることがない。それ故、モードロック半導体レーザ素子の発光特性に劣化が生じることがない。尚、ドライエッチング法を採用した場合、第2化合物半導体層150の内部損失αiが増加し、閾値電圧が上昇したり、光出力の低下を招く虞がある。ここで、第2電極162のエッチングレートをER0、積層構造体のエッチングレートをER1としたとき、
ER0/ER1≒1×102
である。このように、第2電極162と第2化合物半導体層150との間に高いエッチング選択比が存在するが故に、積層構造体をエッチングすること無く(あるいは、エッチングされても僅かである)、第2電極162を確実にエッチングすることができる。
その後、n側電極161の形成、基板の劈開等を行い、更に、パッケージ化を行うことで、モードロック半導体レーザ素子110を作製することができる。
=X0/(n・e・μ・S)
実施例1 参考例1
井戸層 8nm 10.5nm
障壁層 12nm 14nm
井戸層の不純物ドーピング濃度 ノン・ドープ ノン・ドープ
障壁層の不純物ドーピング濃度 Si:2×1018cm-3 ノン・ドープ
f=c/(2n・Z’)
[モードロック駆動条件]
0<Igain/Ith ≦5
−20≦Vsa(ボルト)≦0
[高反射コート層(HR)]
85≦反射率RHR(%)<100
[低反射コート層(AR)]
0<反射率RAR(%)≦0.5
[光学フィルター]
85≦透過率TBPF(%) <100
0<半値幅τBPF(nm) ≦2.0
400<ピーク波長λBPF(nm)<450
[外部鏡]
0<反射率ROC(%)<100
[外部共振器長さZ’]
0<Z’(mm)<1500
Igain =120mA
Ith =45mA
逆バイアス電圧Vsa=−11(ボルト)
反射率RHR =95(%)
反射率RAR =0.3(%)
透過率TBPF =90(%)
半値幅τBPF =1nm
ピーク波長λBPF =410nm
反射率ROC =20%
外部共振器長さZ’=150mm
とした。
Igain =95mA
Ith =50mA
逆バイアス電圧Vsa=−12.5(ボルト)
反射率ROC =50%
とした。それ以外の諸元は、実施例1と同じである。
LAmp-1=1.98mm
LAmp-2=0.01mm
であり、
0.001≦LAmp-2/LAmp-1≦0.01、
を満足している。また、分離溝262Cの長さを0.01mmとした。第2部分262Bは、半導体光増幅器200の光出射端面側に位置する。そして、第2電極262の第2部分262Bに印加する電圧を、−20ボルト以上4ボルト以下のいずれかの値、例えば、1ボルトとする。このように、実施例5にあっては、第2電極262をこのように2つの部分に分離することで、半導体光増幅器200の光出射端面203の劣化を抑制することができる。ここで、第2電極262の第1部分262Aに電圧を印加することで、半導体光増幅器200の本来の機能である光増幅を行い、第2電極262の第2部分262Bに電圧を印加することで、位置調整のための計測を行う。従って、電流ΔIの測定は第2電極262の第2部分262Bを流れる電流に対して行う。
[反射コート層(R)]
0<反射率RR(%)<100
反射率RR=20%
とした。実施例6におけるモードロック半導体レーザ素子のその他の構成、構造は、実施例1において説明したモードロック半導体レーザ素子の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
0<θ≦10(度)
好ましくは、
0<θ≦6(度)
とすることが望ましい。斜めリッジストライプ型を採用することで、低反射コートをされた端面の反射率を、より0%の理想値に近づけることができ、その結果、半導体レーザ内で周回してしまう光パルスの発生を防ぐことができ、メインの光パルスに付随するサブの光パルスの生成を抑制できるといった利点を得ることができる。尚、実施例8の斜めリッジストライプ型のモードロック半導体レーザ素子を、実施例1、実施例6〜実施例7に適用することができる。実施例8におけるモードロック半導体レーザ素子のその他の構成、構造は、実施例1において説明したモードロック半導体レーザ素子の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
Δsignal≦ΔtMLLD
0<Vp-p≦10
好ましくは、
0<Vp-p≦3
を満足することが望ましい。また、外部電気信号の周波数fsignalと光パルス列の繰り返し周波数fMLLDとは、
0.99≦fsignal/fMLLD≦1.01
を満足することが望ましい。
Igain =120mA
Ith =45mA
逆バイアス電圧Vsa=−11(ボルト)
反射率RHR =95(%)
反射率RAR =0.3(%)
透過率TBPF =90(%)
半値幅τBPF =1nm
ピーク波長λBPF =410nm
反射率ROC =20%
外部共振器長さZ’=150mm
Vp-p =2.8ボルト
fsignal =1GHz
fMLLD =1GHz
Δsignal =1ピコ秒
ΔtMLLD =1.5ピコ秒
とした。
反射率ROC=50%
とした。それ以外の諸元は、実施例9と同じである。
Δopto≦ΔtMLLD
Claims (18)
- レーザ光源からのレーザ光を光増幅して出射する半導体光増幅器の位置合わせ方法であって、
半導体光増幅器にレーザ光源からレーザ光を入射させながら半導体光増幅器に所定の値の電流を流して、半導体光増幅器に印加される電圧が最大となるように半導体光増幅器に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器の相対的な位置を調整する半導体光増幅器の位置合わせ方法。 - 半導体光増幅器から出射されるレーザ光の光出力を測定し、光出力が所望の値から変化したとき、半導体光増幅器にレーザ光源からレーザ光を入射させながら半導体光増幅器に所定の値の電流を流して、半導体光増幅器に印加される電圧が最大となるように半導体光増幅器に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器の相対的な位置を再調整する請求項1に記載の半導体光増幅器の位置合わせ方法。
- 半導体光増幅器に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器の相対的な位置の再調整の結果が、再調整前の半導体光増幅器に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器の相対的な位置と同じである場合、半導体光増幅器から出射されたレーザ光が通過する光路の調整を行う請求項2に記載の半導体光増幅器の位置合わせ方法。
- 半導体光増幅器は、
(a)第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層、GaN系化合物半導体から成る光増幅領域を有する第3化合物半導体層、並びに、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、
(b)第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、
(c)第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、
を備えている請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体光増幅器の位置合わせ方法。 - レーザ光源からのレーザ光を光増幅して出射する半導体光増幅器の位置合わせ方法であって、
半導体光増幅器にレーザ光源からレーザ光を入射させながら半導体光増幅器に所定の値の電圧を印加して、半導体光増幅器を流れる電流が最大となるように半導体光増幅器に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器の相対的な位置を調整する半導体光増幅器の位置合わせ方法。 - 半導体光増幅器から出射されるレーザ光の光出力を測定し、光出力が所望の値から変化したとき、半導体光増幅器にレーザ光源からレーザ光を入射させながら半導体光増幅器に所定の値の電圧を印加して、半導体光増幅器を流れる電流が最大となるように半導体光増幅器に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器の相対的な位置を再調整する請求項5に記載の半導体光増幅器の位置合わせ方法。
- 半導体光増幅器に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器の相対的な位置の再調整の結果が、再調整前の半導体光増幅器に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器の相対的な位置と同じである場合、半導体光増幅器から出射されたレーザ光が通過する光路の調整を行う請求項6に記載の半導体光増幅器の位置合わせ方法。
- 半導体光増幅器は、
(a)第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層、GaN系化合物半導体から成る光増幅領域を有する第3化合物半導体層、並びに、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、
(b)第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、
(c)第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、
を備えており、
第2電極は、第1部分、及び、半導体光増幅器の光出射端面側に設けられ、分離溝によって第1部分と分離された第2部分から成る請求項5乃至請求項7のいずれか1項に記載の半導体光増幅器の位置合わせ方法。 - 第1部分の長さをLAmp-1、第2部分の長さをLAmp-2としたとき、
0.001≦LAmp-2/LAmp-1≦0.01
を満足する請求項8に記載の半導体光増幅器の位置合わせ方法。 - 第2電極の第2部分に印加する電圧は、−20ボルト以上4ボルト以下のいずれかの値である請求項8又は請求項9に記載の半導体光増幅器の位置合わせ方法。
- 半導体光増幅器に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器の相対的な位置を調整することで、半導体光増幅器から出射されるレーザ光の光出力を最大とする請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の半導体光増幅器の位置合わせ方法。
- 半導体光増幅器は、透過型半導体光増幅器から構成されている請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載の半導体光増幅器の位置合わせ方法。
- レーザ光源はモードロック半導体レーザ素子から成り、モードロック半導体レーザ素子が出射するパルスレーザ光が半導体光増幅器に入射する請求項1乃至請求項12のいずれか1項に記載の半導体光増幅器の位置合わせ方法。
- レーザ光源は、モード同期動作に基づきパルスレーザ光を出射する請求項13に記載の半導体光増幅器の位置合わせ方法。
- (A)レーザ光源、
(B)レーザ光源からのレーザ光を光増幅して出射する半導体光増幅器、
(C)半導体光増幅器に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器の相対的な位置を調整する位置合わせ装置、並びに、
(D)半導体光増幅器の動作を制御する半導体光増幅器制御装置、
を備えた光出力装置であって、
半導体光増幅器にレーザ光源からレーザ光を入射させながら半導体光増幅器に所定の値の電流を流して、半導体光増幅器に印加される電圧を半導体光増幅器制御装置はモニターし、
半導体光増幅器に印加される電圧が最大となるように、半導体光増幅器に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器の相対的な位置が位置合わせ装置によって調整される光出力装置。 - 半導体光増幅器制御装置における電圧モニターの分解能は1ミリボルト以下である請求項15に記載の光出力装置。
- (A)レーザ光源、
(B)レーザ光源からのレーザ光を光増幅して出射する半導体光増幅器、
(C)半導体光増幅器に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器の相対的な位置を調整する位置合わせ装置、並びに、
(D)半導体光増幅器の動作を制御する半導体光増幅器制御装置、
を備えた光出力装置であって、
半導体光増幅器にレーザ光源からレーザ光を入射させながら半導体光増幅器に所定の値の電圧を印加して、半導体光増幅器に流れる電流を半導体光増幅器制御装置はモニターし、
半導体光増幅器を流れる電流が最大となるように、半導体光増幅器に入射するレーザ光に対する半導体光増幅器の相対的な位置が位置合わせ装置によって調整される光出力装置。 - 半導体光増幅器制御装置における電流モニターの分解能は100マイクロアンペア以下である請求項17に記載の光出力装置。
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