JP5617719B2 - 量子ドット太陽光led用積層体 - Google Patents
量子ドット太陽光led用積層体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5617719B2 JP5617719B2 JP2011067858A JP2011067858A JP5617719B2 JP 5617719 B2 JP5617719 B2 JP 5617719B2 JP 2011067858 A JP2011067858 A JP 2011067858A JP 2011067858 A JP2011067858 A JP 2011067858A JP 5617719 B2 JP5617719 B2 JP 5617719B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor nanocrystal
- quantum dot
- nanocrystal particles
- led
- solar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
上記量子ドット太陽光LED積層体は、II−VI族半導体ナノ結晶粒子及びIV−VI族半導体ナノ結晶粒子から選ばれる半導体ナノ結晶粒子の種類ごとに形成される半導体ナノ結晶粒子を含む各層から構成され、
上記半導体ナノ結晶粒子を含む層は、LEDの光出力方向に向かって、当該層に含まれる半導体ナノ結晶粒子のバンドギャップが小さいものから大きいものとなるように順次積層されており、
上記半導体ナノ結晶粒子を含む層の中では、粒径の異なる半導体ナノ結晶粒子がLEDの光出力方向に向かって、当該半導体ナノ結晶粒子の粒径が大きいものを含む層から小さいものを含む層となるように順次積層されており、
上記量子ドット太陽光LED用積層体の隣接する半導体ナノ結晶粒子を含む層間において、
上記半導体ナノ結晶粒子に起因する発光スペクトルのピーク波長の差が各半導体ナノ結晶粒子を含む層に含まれる半導体ナノ結晶粒子の発光スペクトルのピークの半値幅以下であることを特徴とする量子ドット太陽光LED用積層体。
上記発光スペクトルのピーク波長の半値幅が10〜200nmであることを特徴とする(1)〜(4)いずれか記載の量子ドット太陽光LED用積層体。
本発明の量子ドット太陽光LED用積層体は、半導体ナノ結晶粒子を含む層を複数備えた量子ドット太陽光LED用積層体であって、上記量子ドット太陽光LED積層体は、II−VI族半導体ナノ結晶粒子及びIV−VI族半導体ナノ結晶粒子から選ばれる半導体ナノ結晶粒子の種類ごとに形成される半導体ナノ結晶粒子を含む各層から構成され、上記半導体ナノ結晶粒子を含む層は、LEDの光出力方向に向かって、当該層に含まれる半導体ナノ結晶粒子のバンドギャップが小さいものから大きいものとなるように順次積層されており、上記半導体ナノ結晶粒子を含む各層の中では、粒径の異なる半導体ナノ結晶粒子がLEDの光出力方向に向かって、当該半導体ナノ結晶粒子の粒径が大きいものを含む層から小さいものを含む層となるように順次積層されており、上記量子ドット太陽光LED用積層体の隣接する半導体ナノ結晶粒子を含む層間において、上記半導体ナノ結晶粒子に起因する発光スペクトルのピーク波長の差が各半導体ナノ結晶粒子を含む層に含まれる半導体ナノ結晶粒子の発光スペクトルのピークの半値幅以下であることを特徴とする。以下、詳細に説明する。
本発明に係る量子ドット太陽光LED用積層体について、図面を参照しながら、具体的に説明する。図5は、量子ドット太陽光LED用積層体の実施形態を具体的に示した断面図である。図5に示すように、量子ドット太陽光LED用積層体は、半導体ナノ結晶化合物の種類ごとに複数積層されており、これらの化合物は、具体的に硫化鉛、テルル化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化カドミウムのうち少なくとも2種類であり、その積層順は、LEDの光出力方向に向かって、硫化鉛、テルル化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化カドミウムの前後関係を維持している。また、同じ化合物の層内では、LEDの光出力方向に向かって半導体ナノ結晶粒子の粒径が大きいものを含む層から小さいものを含む層となるように順次積層されている。
本発明に係る量子ドット太陽光LEDは、上記量子ドット太陽光LED用積層体を備えたことを特徴としている。太陽光LEDには、電流注入型と光励起型のタイプがある。以下に説明する。
電流注入型量子ドット太陽光LED2の構成について図6を用いて説明する。透明導電膜28を有する基板29の上に、正孔注入層27、正孔輸送層26、量子ドット太陽光LED用積層体25、正孔阻止層24、電子輸送層23、電子注入層22、電極21を積層した構造になっている。
光励起型量子ドット太陽光LED3の構成について図7を用いて説明する。短波長発光デバイスチップ33を搭載したリフレクター34の中でIn添加GaN発光デバイスチップ33を包含して樹脂層32があり、樹脂層32の上に半導体ナノ結晶を粒子径の大きなものから小さなものに光出力方向に順次積層した量子ドット太陽光LED積層体31を積層した構造になっている。
本発明のソーラーシミュレータは、上記量子ドット太陽光LEDを備えたことを特徴とするものである。電流注入型量子ドット太陽光LEDを備えたソーラーシミュレータは、電流注入型ソーラーシミュレータとなり、光励起型量子ドット太陽光LEDを備えたソーラーシミュレータは、光励起型ソーラーシミュレータとなる。図7にソーラーシミュレータの概略図を示した。
[電流注入型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータの製造]
(CdSナノ結晶の合成)
Trioctylphosphne−oxide(TOPO)とHexadecylamine(HDA)を混合した配位溶媒をフラスコ中で300℃に加熱した後、CdSナノ結晶の原料であるDimethyl−CadmiumとTrimethylsiiy Sulfideの混合希釈溶液を注射器で素早く注入し、一度200℃に冷却後、240℃に保持した。保持時間を変えて取り出し、保持時間の短い方から、順次合成液CdS1、合成液CdS2のように名称を付け計5個の液を得た。これらの計5個の合成液のうち合成液CdS1はCdSの粒子径がおよそ1.7nmであり、合成液CdS5はおよそ4.5nmとなっている。
Trioctylphosphne−oxide(TOPO)とHexadecylamine(HDA)を混合した配位溶媒をフラスコ中で300℃に加熱した後、CdSeナノ結晶の原料であるDimethyl−CadmiumとTrioctylphosphine−Selenideの混合希釈溶液を注射器で素早く注入し、一度200℃に冷却後、240℃に保持した。保持時間を変えて取り出し、保持時間の短い方から、順次合成液CdSe1、合成液CdSe2のように名称を付け計9個の液を得た。これらの計9個の合成液のうち合成液CdSe1はCdSeの粒子径がおよそ1.8nmであり、合成液の付番が上がるにつれて粒子径が大きくなり、合成液9はおよそ7.0nmとなっている。
Trioctylphosphne−oxide(TOPO)とHexadecylamine(HDA)を混合した配位溶媒をフラスコ中で300℃に加熱した後、CdTeナノ結晶の原料であるDimethyl−CadmiumとTrioctylphosphine−Tellurideの混合希釈溶液を注射器で素早く注入し、一度200℃に冷却後、240℃に保持した。保持時間を変えて取り出し、保持時間の短い方から、順次合成液CdTe1、合成液CdTe2のように名称を付け計4個の液を得た。これらの計4個の合成液のうち合成液CdTe1はCdTeの粒子径がおよそ5.0nmであり、合成液の付番が上がるにつれて粒子径が大きくなり、合成液CdTe4はおよそ9.0nmとなっている。
酢酸鉛(PbAc)をオレイン酸(OA)と1−octadecene(ODE)を混合した配位溶媒を含むフラスコ中で100℃に加熱した後、150℃に昇温してTrimethylsiiy Sulfideと1−octadecene(ODE)の混合希釈溶液を注射器で素早く注入した。保持時間を変えて取り出し、保持時間の短い方から、順次合成液PbS1、合成液PbS2のように名称を付け計4個の液を得た。これらの計4個の合成液のうち合成液PbS1はPbSの粒子径がおよそ2.0nmであり、合成液の付番が上がるにつれて粒子径が大きくなり、合成液PbS4はおよそ3.2nmとなっている。
CdS/TOPO系分散液の合成液CdS1に、脱水メタノールを加えて遠心分離後、上澄み液を除去し、沈殿成分にトルエンを加えて遠心分離後、上澄み成分を精製液CdS1とした。合成液CdS2〜合成液CdS5についても同じ操作を行い、精製液CdS2〜精製液CdS5を得た。
ITO透明導電膜を有するガラス基板の上に、正孔注入層であるPEDOT:PSSをスピンコーターで塗布し、加熱乾燥した。つぎに、正孔輸送層であるTPDを真空蒸着法で作製した。
量子ドット太陽光LEDを2次元面に配置して2次元LEDアレイを作製した。次に2次元LEDアレイを照射面に対向して設置した。市販のソーラーシミュレータ(高さ110cm、幅40cm、奥行き45cm)に比べてコンパクト(高さ20cm、幅20cm、奥行き20cm)で、発熱が少ないため冷却装置は不要であった。
ソーラーシミュレータの照射面に分光放射計(相馬光学製 太陽分光放射計S−2440)をおいてスペクトルを観察しながら電流を調整して300nm〜1100nmの標準太陽光強度である75mW/cm2にあわせた。そのとき、ソーラーシミュレータのプロファイルは太陽光スペクトルのプロファイルと同等のプロファイルを得ることができた。
[光励起型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータ]
(量子ドット太陽光LEDの作製)
リフレクターの中に発光ピーク波長が365nmのIn添加GaN発光ダイオードチップを接着させた後、リフレクター内の電極とIn添加GaN発光ダイオードチップの電極をワイヤーボンディングで接続した。
量子ドット太陽光LEDを2次元面に配置して2次元LEDアレイを作製した。次に2次元LEDアレイを照射面に対向して設置した。実施例1と同様に市販のソーラーシミュレータに比べて発熱量が小さくコンパクトであった。
実施例1で作製した22個の混合液をすべて混合し、この混合液をスピンコーターで正孔輸送層の上に塗布した以外は、実施例1と同じ操作で電流注入型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータを作製した。作製した電流注入型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータの発光スペクトルを分光放射計(相馬光学製 太陽分光放射計S−2440)で測定した結果、実施例1に比較し強度がおよそ20%低下した。
実施例2で作製したCdS1〜3を除く19個の混合液をすべて混合し、この混合液をスピンコーターで塗布した以外は、実施例2と同じ操作で光励起型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータを作製した。作製した光励起型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータの発光スペクトルを分光放射計(相馬光学製 太陽分光放射計S−2440)で測定した結果、実施例2に比較し強度がおよそ20%低下した。
実施例1で作製した22個の混合液の塗布の順番を逆にして、スピンコーターで塗布した以外は、実施例1と同じ操作で電流注入型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータを作製した。作製した電流注入型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータの発光スペクトルを分光放射計(相馬光学製 太陽分光放射計S−2440)で測定した結果、実施例に比較し強度がおよそ40%低下した。
実施例2で作製したCdS1〜3を除く20個の混合液の塗布の順番を逆にして、スピンコーターで塗布した以外は、実施例2と同じ操作で光励起型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータを作製した。作製した光励起型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータの発光スペクトルを分光放射計(相馬光学製 太陽分光放射計S−2440)で測定した結果、実施例2に比較し強度がおよそ40%低下した。
量子ドット太陽光LED用積層体を構成する各半導体ナノ粒子樹脂層に含まれる硫化鉛の発光スペクトルのピーク波長の間隔を200nm、テルル化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化カドミウム結晶の発光スペクトルのピーク波長の間隔を50nmとした以外は、実施例1と同様にして電流注入型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータを作製した。
量子ドット太陽光LED用積層体を構成する各半導体ナノ粒子樹脂層に含まれる硫化鉛の発光スペクトルのピーク波長の間隔を200nm、テルル化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化カドミウム結晶の発光スペクトルのピーク波長の間隔を50nmとした以外は、実施例2と同様にして光励起型量子ドット太陽光LEDを用いたソーラーシミュレータを作製した。
市販のソーラーシミュレータ(セリック製)の特性を評価した。ソーラーシミュレータの照射面に分光放射計(相馬光学製 太陽分光放射計S−2440)をおいてスペクトルを観察しながら電流を調整して300nm〜1100nmの標準太陽光強度である75mW/cm2にあわせた。そのとき、800nmより長波長領域でキセノンランプによる鋭い輝線スペクトルがみられ、太陽光スペクトルのプロファイルを大まかに反映しているが、異なるプロファイルになった。
21 電極
22 電子注入層
23 電子輸送層
24 正孔阻止層
25 量子ドット太陽光LED用積層体
26 正孔輸送層
27 正孔注入層
28 透明導電膜
29 基板
3 光励起型量子ドット太陽光LED
31 量子ドット太陽光LED用積層体
32 樹脂層
33 短波長発光デバイスチップ
34 リフレクター
4 ソーラーシミュレータ
41 量子ドット太陽光LEDアレイ
42 拡散板
43 試料台
44 試料
Claims (5)
- 半導体ナノ結晶粒子を含む層を複数備えた積層体を有し、300〜1100nmの範囲の発光スペクトルを有する量子ドット太陽光LEDを備えたソーラシュミレータであって、
前記量子ドット太陽光LEDが有する積層体は、
II−VI族半導体ナノ結晶粒子及びIV−VI族半導体ナノ結晶粒子から選ばれる複数の半導体ナノ結晶粒子の種類ごとに形成される半導体ナノ結晶粒子を含む各層から構成され、
前記半導体ナノ結晶粒子を含む層は、LEDの光出力方向に向かって、当該層に含まれる半導体ナノ結晶粒子のバンドギャップが小さいものから大きいものとなるように順次積層されており、
前記半導体ナノ結晶粒子を含む各層の中では、粒径の異なる半導体ナノ結晶粒子がLEDの光出力方向に向かって、当該半導体ナノ結晶粒子の粒径が大きいものを含む層から小さいものを含む層となるように順次積層されており、
前記量子ドット太陽光LEDが有する積層体の隣接する半導体ナノ結晶粒子を含む層間において、
前記半導体ナノ結晶粒子に起因する発光スペクトルのピーク波長の差が各半導体ナノ結晶粒子を含む層に含まれる半導体ナノ結晶粒子の発光スペクトルのピークの半値幅以下であることを特徴とするソーラシュミレータ。 - 前記II−VI族半導体ナノ結晶粒子がテルル化カドミウム(CdTe)、セレン化カドミウム(CdSe)、硫化カドミウム(CdS)から選ばれるいずれかであることを特徴とする請求項1記載のソーラシュミレータ。
- 前記IV−VI族半導体ナノ結晶粒子が硫化鉛(PbS)であることを特徴とする請求項1又は2記載のソーラシュミレータ。
- 前記IV−VI族半導体ナノ結晶粒子が硫化鉛(PbS)であり、前記II−VI族半導体ナノ結晶粒子がテルル化カドミウム(CdTe)、セレン化カドミウム(CdSe)、硫化カドミウム(CdS)であり、LEDの光出力方向に向かって、硫化鉛(PbS)、テルル化カドミウム(CdTe)、セレン化カドミウム(CdSe)、硫化カドミウム(CdS)の順に積層することを特徴とする請求項1〜3いずれか記載のソーラシュミレータ。
- 前記発光スペクトルのピーク波長の差が10〜200nmであり、
前記発光スペクトルのピーク波長の半値幅が10〜200nmであることを特徴とする請求項1〜4いずれか記載のソーラシュミレータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011067858A JP5617719B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 量子ドット太陽光led用積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011067858A JP5617719B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 量子ドット太陽光led用積層体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012204609A JP2012204609A (ja) | 2012-10-22 |
JP5617719B2 true JP5617719B2 (ja) | 2014-11-05 |
Family
ID=47185251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011067858A Expired - Fee Related JP5617719B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 量子ドット太陽光led用積層体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5617719B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3648183A4 (en) * | 2017-06-28 | 2021-01-06 | KYOCERA Corporation | LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING DEVICE |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6267843B2 (ja) * | 2013-07-11 | 2018-01-24 | 交和電気産業株式会社 | 照明装置 |
WO2015156226A1 (ja) | 2014-04-08 | 2015-10-15 | Nsマテリアルズ株式会社 | 量子ドット及びその製造方法、並びに、前記量子ドットを用いた成形体、シート部材、波長変換部材、発光装置 |
WO2015156227A1 (ja) | 2014-04-08 | 2015-10-15 | Nsマテリアルズ株式会社 | 波長変換部材、成形体、波長変換装置、シート部材、発光装置、導光装置、並びに表示装置 |
KR102214833B1 (ko) * | 2014-06-17 | 2021-02-10 | 삼성전자주식회사 | 그래핀과 양자점을 포함하는 전자 소자 |
WO2016188755A1 (en) * | 2015-05-26 | 2016-12-01 | Philips Lighting Holding B.V. | Switchable high color contrast lighting |
JP6419960B2 (ja) * | 2015-05-29 | 2018-11-07 | 富士フイルム株式会社 | 組成物とポリマー成形用組成物、及びそれを用いて得られた波長変換体、波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置 |
JP6709439B2 (ja) * | 2016-04-13 | 2020-06-17 | 公立大学法人名古屋市立大学 | 紫外線感応度測定用紫外線照射器 |
US11495716B2 (en) * | 2018-02-26 | 2022-11-08 | Kyocera Corporation | Light-emitting device and illumination apparatus |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200531315A (en) * | 2004-01-26 | 2005-09-16 | Kyocera Corp | Wavelength converter, light-emitting device, method of producing wavelength converter and method of producing light-emitting device |
KR20060018583A (ko) * | 2004-08-25 | 2006-03-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 나노결정을 함유하는 백색 발광 유·무기하이브리드 전기 발광 소자 |
KR100682874B1 (ko) * | 2005-05-02 | 2007-02-15 | 삼성전기주식회사 | 백색 led |
US8785906B2 (en) * | 2007-05-30 | 2014-07-22 | Eastman Kodak Company | Lamp with controllable spectrum |
KR101562022B1 (ko) * | 2009-02-02 | 2015-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 유닛, 이를 포함하는 표시 장치 및 발광 다이오드 유닛 제조 방법 |
-
2011
- 2011-03-25 JP JP2011067858A patent/JP5617719B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3648183A4 (en) * | 2017-06-28 | 2021-01-06 | KYOCERA Corporation | LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING DEVICE |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012204609A (ja) | 2012-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5617719B2 (ja) | 量子ドット太陽光led用積層体 | |
JP5862357B2 (ja) | 白色led用積層体、及び白色led | |
Lee et al. | Bright and stable quantum dot light‐emitting diodes | |
Litvin et al. | Colloidal quantum dots for optoelectronics | |
US10128418B2 (en) | LED cap containing quantum dot phosphors | |
Talapin et al. | Quantum dot light-emitting devices | |
CN104937722B (zh) | 利用处理量子点溶液制造的中间带半导体、异质结和光电设备,及其相关方法 | |
US9825241B2 (en) | Green emitting phosphors combined with broad band organic red emitters with a sharp near IR cut off | |
US8664513B2 (en) | Solar modules with enhanced efficiencies via use of spectral concentrators | |
Liu et al. | Eco-friendly quantum dots for liquid luminescent solar concentrators | |
Jeong et al. | Ultrawide spectral response of CIGS solar cells integrated with luminescent down-shifting quantum dots | |
CA2988784A1 (en) | Monodisperse, ir-absorbing nanoparticles and related methods and devices | |
Li et al. | Carrier Dynamics in Alloyed Chalcogenide Quantum Dots and Their Light‐Emitting Devices | |
US10461213B2 (en) | Method of manufacturing solar cell | |
JP6235580B2 (ja) | Ii−vi族ベースの発光半導体デバイス | |
Jiang et al. | Development of Cu–In–Ga–S quantum dots with a narrow emission peak for red electroluminescence | |
Huang et al. | Deep‐Red InP Core‐Multishell Quantum Dots for Highly Bright and Efficient Light‐Emitting Diodes | |
US8654807B2 (en) | Electrical devices formed using ternary semiconducting compounds | |
US9520521B2 (en) | Optically active coating for improving the yield of photosolar conversion | |
JP5118504B2 (ja) | 発光素子 | |
CN114420772B (zh) | 一种双光谱薄膜型多结光伏器件结构 | |
KR20120000462A (ko) | 박막 태양전지 | |
KR102591880B1 (ko) | 태양 전지의 제조 방법 | |
WO2022252611A1 (zh) | 量子点发光二极管器件、其制造方法以及量子点膜 | |
JP5118503B2 (ja) | 発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130604 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140403 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140819 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140901 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5617719 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |