JP5601597B2 - 微細炭化珪素、微細窒化珪素、金属シリコン、塩化珪素の製造方法 - Google Patents
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又、図2に示す様に、反応を効率的にするために、珪石を適当な大きさに粉砕するのにもエネルギーを消費し、還元剤であるコークスも添加する必要がある。
それに対して珪藻土は、大きさ数10μmの珪藻化石の集合体であるため、比表面積が大きく、成分も主に非晶質二酸化珪素やメタ珪酸なので、100℃ほど融点が珪石や珪砂よりも低いという利点がある。更に、製品化の過程で粉末或いは粒状に加工されているため、改めて粉砕しなくて済む(図1)。
この公知技術では、ビール工場の濾過工程の濾過廃材を電気炉に入れ、窒素ガス雰囲気中にて、700℃で2時間加熱して有機物を炭化させ、この炭化物100重量部に対して、バインダーとしてデンプン10重量部、水15重量部を加えて混練した後、造粒機に供給し、平均粒径2mmに造粒し、この造粒物を、水蒸気を35%含む窒素ガス雰囲気で、900℃にて2時間賦活処理して、濾材を製造するものである。
又、秋田県産珪藻土とカーボンブラックとを混合し、アルゴンガス雰囲気中1,450℃で1時間加熱して炭化珪素を合成し、大気中において700℃で加熱して残留炭素を除去し、更に炭化珪素粉末を1,500-1,800℃、50MPaで15-18分間放電プラズマ焼結することも提案されている(非特許文献1を参照)。
この方法では、単純に混合された炭素源であるカーボンブラックとSiOガスが反応して炭化珪素となるため、炭化珪素の粒径は混合された炭素源の粒径と同じになり、更なる微細化と均一性が求められていた。
後者の秋田県産珪藻土とカーボンブラックとを混合する方法では、単純に混合された炭素と珪藻土から発生するSiOガスが反応して炭化珪素となるため、炭化珪素の粒径は混合された炭素源の粒径と同じになるのが限界であり、更なる微細化と均一性が求められていた。
本発明において、不活性ガスは、アルゴンガスが一般的であり、炭素が空気中の酸素と反応して目的以外に消費されるのを防ぐ。
本発明の等粒微細窒化珪素の製造方法は、珪藻土の粒子の微小形態と多孔構造を利用し、混合又は吸収させた炭素源との接触面積を大きくして、窒素ガス又は空気雰囲気下で作製したものである。
本発明の金属シリコンの製造方法は、珪藻土の粒子の微小形態と多孔構造を利用し、混合又は吸収させた炭素源(難分解性有機塩素化合物を含む)又は有機物との接触面積を大きくして、不活性ガス、水素ガス、空気、又は真空雰囲気下で作製したものである。
本発明において、水素ガスは、難分解性有機塩素化合物の分解を促し、更に炭素が空気中の酸素と反応して目的以外に消費されるのを防ぐ。
本発明の塩化珪素の製造方法は、珪藻土の粒子の微小形態と多孔構造を利用し、混合又は吸収させた塩化物又は塩素源との接触面積を大きくして、無水蒸気雰囲気下で作製したものである。
本発明において、無水蒸気雰囲気は、生成した塩化珪素の分解を防ぐ。
又、金属シリコンと塩化珪素の場合は、食品産業の使用済珪藻土濾過助剤を原料にすることもでき、埋立処分場への負荷を減らす効果がある。
本発明の微細炭化珪素、微細窒化珪素、金属シリコン、塩化珪素等の高機能材料の物質は、珪藻土粒子の微小形態と多孔構造を活かして作製する。
好ましくは800℃以上で数分間加熱して、不要有機物や揮発性成分を除去する、いわゆる焼成を行い、精製・均一化したものを用いることができる。
一度食品の濾過に使用された珪藻土で、その細孔内部まで良質な有機物で充填されているものは、金属シリコンを作製する場合、珪藻土の二酸化珪素と有機物を構成する炭素との接触面積が広いので、更に好ましい。
特に、一度食品の濾過に使用された珪藻土に更に炭素物質を併用すると、炭素源が、細孔内部に、均一に十分に充填される。この場合は、珪藻土外部からコロイド溶液化した炭素を吸収浸透させるだけで良い。
この様にして、炭素源が細孔内部に、均一に十分充填された後、105℃程度の加熱で余分な水分を除去すると、急激な加熱時における試料の飛散を防ぐことができる。
更に、無酸素雰囲気下において、500℃程度で、有機物の炭化処理を行うと反応がスムーズに進むので好ましい。
金属シリコン作製時に使用する炭素源の一つとして、PCBに代表される難分解性有機塩素化合物を使用しても良い。珪藻土は、吸油性も高く、これらを容易に内部に充填できる。
PCBの場合、それを構成する炭素と水素は還元剤として働き、塩素はシリコンの精製時に消費されるので問題にならない。又、PCBの分解は、水素雰囲気、850℃以上で速やかに進行するので、二酸化珪素の還元処理温度である1,750℃以上では、副生成物も含め完全に分解処理できる。
又、予め炭素源の粒度を等粒に揃えておくことにより、等粒微細炭化珪素も作製できる。
炭化珪素の場合と同様、予め炭素源の粒度を等粒に揃えておくことにより、等粒微細窒化珪素も作製できる。
加えて、珪藻土は、非晶質二酸化珪素やメタ珪酸で構成されるため、通常の金属シリコンの原料である珪石や珪砂よりも融点が低く、これらよりも少ないエネルギー消費量で金属シリコンに還元できる(図1)。
金属シリコン作製の場合、短時間で1,700〜1,900℃に昇温することにより、同時に生成される炭化珪素の量を抑えることができ、高収率で金属シリコンを得ることができる。
珪藻土細孔内に充填された有機物を炭素源とする場合、スムーズな反応を起こすため、無酸素雰囲気下において、500℃程度で炭化させておくのが好ましい。
難分解性有機塩素化合物を還元剤に使用した場合、安全のため、真空雰囲気下、又は加熱過程において、それらの珪藻土からの蒸発を防ぐ必要がある。これについては、珪藻土の吸油性と断熱性を利用して解決する。
珪藻土を容器状に成型し、それに対して、還元剤にもなるパラフィンを、電磁波(マイクロ波)を用いた加熱装置によって含浸させる。珪藻土は電磁波を通すので、これによる加熱を採用することにより、断熱性の高い珪藻土を均等に加熱でき、パラフィンを効率良く吸収させることができる。
難分解性有機塩素化合物を珪藻土に吸油させて、先の、成型してパラフィンを含浸させた珪藻土容器に入れる。最後に、パラフィンを含浸させた珪藻土製の蓋で容器を閉じ、溶融したパラフィンを蓋の隙間に充填して密封する。これにより、真空を引かれても、難分解性有機塩素化合物の蒸発は防げる。
更に、前記珪藻土容器の周囲に別の珪藻土を充填することにより、その断熱性で、850℃までの加熱過程においても、珪藻土容器内部はパラフィンの融点以上に昇温せず、密封が維持される。850℃以上では、難分解性有機塩素化合物が蒸発してきても、既にその分解温度を超えているので、問題にならない。
この時の液化の態様としては、炭素源の場合、活性炭や黒鉛等の微粉末のコロイド溶液で、一方、塩化物又は塩素源では水溶液やコロイド溶液である。
醤油濾過等に使用された高塩分含有廃棄珪藻土ならば、食品由来の有機物と塩化ナトリウムを既に含んでおり、そのまま塩化珪素の原料にできる。
又、雰囲気としては、生成した塩化珪素の分解を防ぐために、水蒸気を含まなければ、不活性ガス、水素ガス、塩素ガスの何れでも、或いはそれらのガスを混合した状態の雰囲気でも良い。
砂糖の精製過程で使用した使用済珪藻土濾過助剤を準備した。この使用済珪藻土濾過助剤は、その細孔内部まで良質な有機物でほぼ完全に充填されている。これに黒鉛を1:1から1:4の重量比で均一に混合し、105℃で乾燥させた。これらの混合物を、赤外線ゴールドイメージ炉(MR−39H/Dアルバック理工株式会社)を用いて、アルゴンガス雰囲気下、500℃で加熱し、炭化を行った。
前記炭化した使用済珪藻土濾過助剤を、赤外線ゴールドイメージ炉(MR−39H/Dアルバック理工株式会社)の最大出力で、できるだけ速く1,750℃まで昇温させて(同時に生成する炭化珪素の量を少なくするため)、金属シリコンの作製を行った。生成物について、粉末X線回析装置を用いて同定を行った結果、炭化珪素とガラスとの混合物であったものの、金属シリコンの作製に成功した。
難分解性有機塩素化合物を還元剤として用いるための密封容器を試作した。珪藻土は、単純なプレスで自由に成型できるので、珪藻土容器作成後、それにパラフィンを含浸させた。通常、珪藻土は断熱性が高く、加熱するのが容易ではないが、市販の電子レンジ内で、珪藻土製容器とパラフィンを接触させて、電磁波を用いて加熱したところ、珪藻土細孔内部まで、均一にパラフィンが吸収された。珪藻土は電磁波(マイクロ波)を通し、内部から均一に加熱できるので、それにより、融けたパラフィンを隅々まで充填することができた。
一方、金属シリコンは、石油資源の枯渇に備えた代替珪素系高分子材料の原料となる。 塩化珪素は、常温で液体であり、容易に精製でき、半導体や太陽電池に使用する、高純度金属シリコンの原料として使用できる。
Claims (3)
- 珪藻土の細孔内部に、炭素物質、難分解性有機塩素化合物又は有機物を混合又は吸収させ、不活性ガス、水素ガス、窒素ガス、空気又は真空雰囲気下において、1,700〜1,900C°で加熱することを特徴とする金属シリコンの製造方法。
- 前記有機物が、使用済珪藻土濾過助剤に充填された有機物であることを特徴とする請求項1記載の金属シリコンの製造方法。
- 珪藻土を容器状に成型し、電磁波で加熱しながらパラフィンを含浸させて珪藻土成型容器を作製し、この珪藻土成型容器内で、難分解性有機塩素化合物を混合又は吸収させた珪藻土を1,700〜1,900C°で加熱することを特徴とする金属シリコンの製造方法。
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