添付の図面において、同様な構成要素及び/又は特徴には、同様な参照番号が付与されている場合がある。また、同じ種類の様々な構成要素については、参照番号に続く第2の符号により区別がなされる。明細書において、第1の参照番号のみが使用されている場合には、その説明は、第2の参照番号に関係なく同じ第1の参照番号を有する同様な構成要素のうちの任意の1つに適用可能である。
アンテナデバイスにおける電気的接地構造の形状、寸法及び位置は、RFアンテナ信号の空間分布に影響を与え、ひいてはRFアンテナ信号の送受信におけるアンテナデバイスのオペレーションに影響を与える。ある実施形態では、アンテナデバイスの電気的接地構造は、1以上の導電接地電極、及び、共通の金属化層又は異なる複数の金属化層に位置する複数の構成要素によって形成されている。所与のアンテナデバイスの電気的接地の形状、寸法及び位置は、アンテナデバイスが製造された時点で固定される傾向がある。動作時には、アンテナデバイスは、その他の回路又はデバイスに電気的に結合される。その他の回路又はデバイスとの電気的結合により、アンテナデバイスの電磁的構成が変化する可能性がある。例えば、少なくとも特定のオペレーションに対するアンテナデバイスの実効電気的接地が、アンテナデバイスの元の電気的接地の元の形状、元の寸法又はその両方と異なる有効形状、寸法又はその両方を有する場合がある。
例えば、アンテナデバイスの電気的接地は、回路の導電要素に恒久的に接続されていてもよい。この接続により、アンテナデバイスの電磁的構成が変化する可能性がある。別の例では、アンテナデバイスが別のデバイスの電気的導電要素に取り外し可能に接続されてもよく、その他のデバイスがアンテナデバイスに接続された後に、アンテナデバイスの電気的接地をその他のデバイスの電気的導電要素に接続することができ、この接続によってアンテナデバイスの電磁的構成が変化する可能性がある。
アンテナデバイスの電磁的構成が変化すると、アンテナデバイスの1以上のRFアンテナ信号の送受信性能を低下させてしまう可能性がある。本明細書に記載されるアンテナデバイス及び技術は、アンテナデバイスの1以上のRF動作周波数において、アンテナデバイスの電磁的構成を制御する1以上の周波数依存性コネクタを含む。周波数依存性コネクタは、1以上の接地電極を有する電気的接地構造と、別の電気的導電要素又は金属板との間に接続することができ、信号の周波数に応じて、信号に対するコネクタのインピーダンスを変化させることができる。例えば、周波数依存性コネクタは、電気的導電要素又は金属板と接地電極との間でDC信号の送信を可能とする低インピーダンスを生成し、電気的導電要素又は金属板と接地電極との間で1以上のアンテナ信号の伝送をブロックするべく1以上のRFアンテナ周波数における高インピーダンスを生成する構造を有することができる。この例の場合、周波数依存性コネクタは、所望の周波数依存性を呈するインダクタ又は回路であってもよい。
上記の例に基づくアンテナデバイスの1実装形態は、1以上のRFアンテナ周波数において1以上のアンテナ信号を送信又は受信する1以上のアンテナ、1以上のアンテナと接続されたアンテナ回路、を備え、アンテナ回路と接続されてアンテナ回路及び1以上のアンテナに対して電気的接地を提供する接地電極構造を更に備える。アンテナ回路は、1以上のアンテナによって送信される1以上のアンテナ信号を生成する、又は、1以上のアンテナから1以上のアンテナ信号を受信する。このアンテナデバイスにおいて、電気的導電要素又は金属板は、接地電極構造と直接接続されることなく、設けられる又は接地電極構造とは離れて配置される。周波数依存性コネクタは、電気的導電要素又は金属板を接地電極構造に接続するべく設けられ、電気的導電要素又は金属板と接地電極構造との間のDC信号の伝送を可能とする低インピーダンスを生成し、また、電気的導電要素又は金属板と接地電極との間で1以上のアンテナ信号の伝送をブロックするべく1以上のRFアンテナ周波数における高インピーダンスを生成する。接地電極構造は、1つの接地電極又は2つ以上の接地電極の組み合わせを含むことができる。2つ以上の接地電極は、共通の金属化層又は異なる2つ以上の金属化層に設けられてもよい。この例において、接地電極構造は、1以上のRFアンテナ周波数において導電構成要素又は金属板から周波数依存性コネクタによって絶縁され、DC信号のための電気的導電要素又は金属板に接続される。
上記のアンテナデバイス又は本明細書で説明されるその他のアンテナデバイスにおける1以上のアンテナは、右手系(RH)アンテナ構造及びCRLH(composite right and left handed:右手/左手系複合)メタマテリアル(MTM)構造を含む様々なアンテナ構造であってもよい。右手系(RH)アンテナ構造では、電磁波の伝播は、電場E、磁場H及び波数ベクトルβ(伝播定数)とした(E,H,β)ベクトルフィールドに対する右手の法則に従う。位相速度方向は、信号エネルギーの伝播(群速度)方向と同じであり、屈折率は正の値となる。このような物質は、右手系(RH)物質と称される。自然界の多くの物質は、RH物質である。人工的な物質であっても、RH物質が存在する。
メタマテリアルは、人工的な構造を有する。メタマテリアルによって誘導される電磁エネルギーの波長λよりも小さい構造的な平均的単位セルサイズρを使用して設計を行う場合、メタマテリアルは、誘導される電磁エネルギーに対して均質な媒体のように振舞うと考えられる。RH物質とは異なり、メタマテリアルは負の屈折率を呈し、位相速度の方向は、信号エネルギーが伝播する方向と反対である。ここで、(E,H,β)ベクトルフィールドの相対的な方向は、左手の法則に従う。屈折率が負であり、同時に、負の誘電率ε及び透磁率μを有するメタマテリアルは、純粋な左手系(LH)のメタマテリアルと称される。
多くのメタマテリアルは、LHメタマテリアルとRH物質の混合であり、したがって、CRLHメタマテリアルである。CRLHメタマテリアルは、低周波数ではLHメタマテリアルのように振る舞い、高周波数ではRH物質のような振る舞いを見せる。様々なCRLHメタマテリアルの実装及び特性については、例えば、Caloz及び伊藤著、"Electromagnetic Metamaterials: Transmission Line Theory and Microwave Applications(電磁メタマテリアル:伝送線の理論及びマイクロ波への応用)John Wiley & Sons、2006年に記載されている。CRLHメタマテリアル及びアンテナへの適用については、伊藤龍男"Invited paper: Prospects for Metamaterials,"Electronics Letters, Vol. 40, No. 16"(2004年8月)に記載されている。
CRLHメタマテリアルは、特定のアプリケーションのために調整された電磁気的特性を呈するように設計されていてもよく、別の材料を使用するのは難しい、現実的でない又は不可能であるようなアプリケーションに使用することができる。加えて、CRLHメタマテリアルは、新規のアプリケーションを開発するのに使用されてもよく、RH材料では不可能な新規のデバイスを構築するのに使用される可能性がある。
メタマテリアル(MTM)構造は、アンテナ、伝送線及びその他のRF構成要素及びデバイス構築するのに使用することができ、機能向上、小型化及び性能改善等の幅広い技術革新を可能にする。MTM構造は、1以上のMTM単位セルを有する。1つのMTM単位セルの等価な回路には、RHの直列インダクタンスLR、RHシャントキャパシタンスCR、LHの直列キャパシタンスCL、及び、LHのシャントインダクタンスLLが含まれる。MTMベースの要素及びデバイスは、分布回路要素、集中回路要素又はこれらの組み合わせよって実装可能であるCRLH MTM単位セルに基づいて設計することができる。従来のアンテナと異なり、MTMアンテナの共振は、LHモードの存在の影響を受ける。一般的に、LHモードは、低共振周波数を励起する及び低共振周波数により適していると同時に、高共振周波数のマッチングも改善する。MTMアンテナ構造は、"ローバンド(low band)"及び"ハイバンド(high band)"を含む複数の周波数帯域をサポートするように設計可能である。ローバンドは、少なくとも1つのLHモード共振を含み、ハイバンドは、アンテナ信号と関連付けられた少なくとも1つのRHモード共振を含む。
MTMアンテナ構造の実装及び例については、2007年4月27日出願、米国特許出願公開第11/741674号明細書、"Antennas, Devices and Systems Based on Metamaterial Structures(メタマテリアル構造に基づくアンテナ、デバイス及びシステム)"、及び、2009年9月22日発行、米国特許第7592957号公報、"Antennas Based on Metamaterial Structures(メタマテリアル構造に基づくアンテナ)"に記載されている。上記の米国特許公報の開示内容は、参照により本明細書に組み込まれる。このMTMアンテナ構造は、従来のFR−4プリント回路基板(PCB)又は可撓性プリント回路基板(FPC)を使用して製造されてもよい。その他の製造技術の例としては、薄膜製造技術、システムオンチップ(SOC)技術、低温同時焼成セラミックス(LTCC)技術、モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)技術が含まれる。
MTMアンテナ構造の1種に、単層メタル化(SLM)MTMアンテナ構造がある。MTM構造の導電部分が、基板の一方の面上に形成された単層金属層に位置する。
2層金属化ビアなし(Two-Layer Metallization Via-Less:TLM−VL)MTMアンテナ構造は、基板の2つの平行な面上に形成される2つの金属化層を有する別の種類のMTMアンテナ構造である。TLM−VLは、一の金属化層の導電部分と他方の金属化層の導電部分とを接続する導電ビアを有さない。SLM及びTLM−VL MTMアンテナ構造の例及び実装形態については、2008年10月13日出願、米国特許出願公報第12/250477号明細書"Single-Layer Metallization and Via-Less Metamaterial Structures(単層金属化層及びビアなしメタマテリアル構造)"に記載されており、その内容は参照により本明細書に組み込まれる。
図1には、4つの単位セルに基づく、1次元(1D)CRLH MTM伝送線(TL)の一例が示されている。1つの単位セルは、セルパッチ及びビアを含み、所望のMTM構造を構築するためのブロック(構成単位)である。図示されているTLの例は、基板の2つの導電金属層に形成された4つの単位セルを含み、4つの導電セルパッチが基板の導電金属上層に形成され、基板の他方の側は、接地電極として機能する金属層を有する。中央に設けられる4つの導電ビアは、基板を貫通して形成され、それぞれ4つのセルパッチを接地面に接続している。左側の単位セルパッチは、第1給電線に電磁的に結合され、右側の単位セルパッチは、第2給電線に電磁的に結合される。ある実装形態では、各単位セルパッチは、隣接する単位セルに直接接触することなく、隣接する単位セルパッチと電磁的に接続される。このような構造により、RF信号を1つの給電線から受信し、RF信号を他の給電線から出力するMTM伝送線が形成される。
図2には、図1の1D CRLH MTM TLの等価ネットワーク回路が示されている。ZLin'及びZLout'はそれぞれ、TL入力負荷インピーダンス及びTL出力負荷インピーダンスに対応しており、各端部におけるTL結合による。これは、2層構造のプリント基板の一例である。LRは、誘電体基板上のセルパッチに起因するものであり、CRは、セルパッチと接地面との間に誘電体基板が挟まれることに起因する。CLは、2つの隣接するセルパッチの存在に起因し、ビアはLLを誘起する。
単位セルはそれぞれ、直列(SE)インピーダンスZ及びシャント(SH)アドミッタンスYに対応する2つの共振ω
SE及びω
SHを有することができる。図2において、Z/2ブロックは、LR/2と2CLの直列の組み合わせを含み、Yブロックは、LLとCRの並列の組み合わせを含む。これらのパラメータ間の関係は、次のような式で表される。
図1における入力/出力端における2つの単位セルは、CLを含まない。これは、CLは2つの隣接するセルパッチ間の静電容量を表しており、入力/出力端ではセルパッチが存在しないからである。単位セルの端におけるLC部分が存在しないことにより、ωSE周波数での共振を防いでいる。したがって、m=0の共振周波数の場合にのみωSHが現れる。
数値分析を簡単にするべく、ZLin'及びZLout'の直列キャパシタの一部分が、欠けているCL部分を補償するべく組み込まれ、残りの入力及び出力負荷インピーダンスが、図3に示すように、それぞれZLin及びZLoutと表記される。この条件の下、全ての単位セルが、図3における2つの直列のZ/2ブロック及び1つのシャントYブロックで表される同じパラメータを有し、ここで、Z/2ブロックは、LR/2及び2CLの直列の組み合わせを含み、Yブロックは、LLとCRの並列の組み合わせを含む。
図4A及び図4Bには、図2及び図3にそれぞれ示されたような負荷インピーダンスが存在しないTL回路の、2ポートネットワーク行列表現が示されている。
図5には、4つの単位セルに基づく1D CRLH MTMアンテナの一例が示されている。図1の1D CRLH MTM TLとは異なり、図5のアンテナは、左側の単位セルを給電線に結合させて、アンテナをアンテナ回路に接続しており、右側の単位セルは、開回路とすることにより、4つのセルが大気に接するので、RF信号を送受信することができる。
図6Aには、図5のアンテナ回路の2ポートネットワーク行列表現が示されている。図6Bには、全ての単位セルが等しくなるように、欠けたCL部分を考慮したエッジ部分における修正を図5のアンテナ回路に施した後の2ポートネットワーク行列表現が示されている。図6A及び図6Bはそれぞれ、図4A及び図4Bに示したTL回路と類似している。
行列表記では、図4Bには、以下に示すような関係が示されている。
ここで、図3のCRLH MTM TL回路は、Vin端及びVout端から見た場合に対照的であるので、AN=DNである。
図6A及び図6Bにおいて、パラメータGR'及びGRは、放射抵抗を表しており、パラメータZT'及びZTは、終端インピーダンスを表している。ZT'、ZLin'及びZLout'はそれぞれ、以下で表されるように、付加的2LCからの寄与を受ける。
アンテナを構築する又はシミュレーションすることにより、放射抵抗GR又はGR'を求めることができることから、アンテナ設計を最適化するのは難しいと考えられる。したがって、TLの設計を適用した後に、様々な終端ZTを有する対応するアンテナをシミュレーションするのが望ましい。2つの端部における欠けたCL部分を反映させて、図2の回路の値AN'、BN'及びCN'を修正することにより、式(1)の関係は有効となる。
N CRLHセル構造が、n=0、±1、±2、…±Nであるnπの伝搬位相長で共振するように設定した分散方程式から周波数帯域を決定することができる。ここでN個のCRLHセルの各々は、式(1)におけるZ及びYで表され、これは、図2で示した、端に位置するセルではCLが欠けているような構造とは異なる。したがって、これら2つの構造における共振は、異なっていると予測できる。しかしながら、厳密な計算を行うと、図3に示した構造ではωSE及びωSHの両方で共振し、図2に示した構造ではωSHのみが共振するn=0の場合を除いて、全ての共振は同じとなる。正の位相オフセット(n>0)は、RH領域共振に対応し、負の値(n<0)は、LH領域共振に関する。
Z及びYパラメータ有するN個の同一のCRLHセルの分散関係式は、以下のようになる。
ここで、Z及びYは式(1)により与えられ、ANは、図3に示されるようなN個の同一のCRLH単位セルの一次直列接続から導出され、pはセルサイズである。奇数n=(2m+1)及び偶数n=2mの共振は、それぞれAN=−1及びAN=1に関連付けられている。図4A及び図6AのAN'の場合、端に位置するセルにおいてCLが欠落しているため、セルの個数に関係なく、n=0モードでは、ω
0=ω
SHでのみ共振し、ω
SEとω
SHの両方において共振しない。表1に規定されるχの異なる値について、高次の周波数は、次の式で与えられる。
表1には、N=1、2、3及び4に対するχの値が示されている。ここで、より高い共振|n|>0は、完全なCLが端のセル(図3)に存在するか、しないか(図2)に関わらず同じになっている。更に、n=0に近い共振は、χの値が小さいが(χの下限0に近い)、より高い共振では、式(4)に示されているようにχの上限4に到達する傾向がある。
図7A及び図7Bには、ω
SE=ω
SH(すなわち、LR CL=LL CRのバランスがとれた状態)及びω
SE≠ω
SH(非バランス状態)の両方の場合について、分散曲線βが周波数ωの関数として示されている。後者の場合、min(ω
SE,ω
SH)とmax(ω
SE,ω
SH)との間に周波数ギャップが存在する。制限周波数ω
min及びω
max値は、χが上限χ=4に到達する場合の式(5)と同じ共振の式で与えられ、次のようになる。
加えて、図7A及び図7Bには、分散曲線に沿った共振の位置の例が示されている。RH領域(n>0)において、pをセルサイズとした構造サイズl=Npは、周波数が低くなるにしたがって大きくなる。反対に、LH領域では、Npが小さな値の時に低い周波数となり、デバイスの小型化を達成できる。分散曲線は、これら共振周辺の帯域幅のある指標を提供する。例えば、LH領域ではβ曲線がほとんど平坦であるため、LH共振の帯域幅が狭くなることが分かる。RH領域では、分散曲線が急峻であるので、帯域幅が広くなることが分かる。したがって、ブロードバンドを得るための第1の条件、第1BB条件は、次のように表される。
ここで、χは、式(4)で与えられ、ω
Rは、式(1)で定義される。式(4)の分散関係式から、共振は、|AN|=1のときに発生し、式(7)の第1BB条件(条件1)中の分母が0になる。ここで、ANは、N個の同一単位セル(図4B及び図6B)の伝送行列の第1要素である。計算により、COND1は、実際にはNと無関係であり、式(7)の2番目の式で与えられることが分かる。分散曲線の勾配、言い換えれば、可能な帯域幅を規定するのは、共振における分子とχの値であり、これらは表1に定義されている。帯域幅が4%を超える場合、対象とする構造のサイズは、大きくてもNp=λ/40である。小さなセルサイズpを有する構造の場合、式(7)は、高いω
R値は条件1を満足する、すなわち、低いCR及びLR値という条件を満たすことを示しているが、これは、n<0の共振が、表1の4の近くのχ値で生じるからである、言い換えると、(1−χ/4→0)となるからである。
上記で述べたように分散曲線の勾配を急峻な値にした後の、次のステップは、好適な整合を特定することである。理想的な整合インピーダンスとしては、固定値を有し、大型の整合回路を必要としないものが望ましい。ここで、"整合インピーダンス"という言葉は、アンテナなどの片側給電の場合の給電路及び終端を指す。入出力整合回路を解析するために、図4BのTL回路について、Zin及びZoutを計算することができる。図3の回路は対称的なので、Zin=Zoutである。また、以下の式に示されるように、ZinはNとは関係なく、正の実数値のみを有する。
B1/C1が0よりも大きい理由は、式(4)における|AN|≦1という条件によるものであり、その結果、0≦−ZY=χ≦4というインピーダンス条件が得られる。第2BB条件は、一定の整合を維持するようにZinが共振に近い周波数でわずかに変動することである。実際の入力インピーダンスZin'は、式(3)に示されているようにCL直列キャパシタンスの寄与を含むことに注意する。第2BB条件は、以下のように表される。
図2及び図3の伝送線の例とは異なり、アンテナ設計は、典型的には、構造端におけるインピーダンスとの整合がよくない無限大のインピーダンスを持つ開放端面を有する。キャパシタンス終端は、以下の式で与えられる。
この値はNに依存し、純粋な虚数である。LH共振は典型的にはRH共振よりも狭いので、選択された整合値は、n>0の場合よりもn<0の場合に導き出される値に近い。
LH共振の帯域幅を増大する1つの方法として、シャントキャパシタCRを低減することが挙げられる。低減させることにより、式(7)で説明された急な勾配を持つ分散曲線のωR値が高くなる。CRを低減させるには、様々な方法があり、1)基板厚さを増す、2)セルパッチの面積を減らす、3)上部セルパッチの下の接地面積を縮小して、"有限地(truncated ground)"とする、又は、これらの組み合わせが含まれる。
図1及び図5のMTM TL及びアンテナ構造は、導電層を使用して、完全接地電極として基板の下面全体を覆っている。基板面の1以上の部分を露出させるべくパターニングされた有限接地電極を使用して、基板の全面よりも小さな面積に接地電極の面積を低減させることができる。これにより、共振帯域幅を広げ、共振周波数を同調させることができる。図8及び図11には、有限地電極構造の2つの例が示されており、基板の接地電極側のセルパッチのフットプリント内の領域における接地電極の量が低減され、残りのストリップライン(ビア線)を、セルパッチのビアとメイン接地電極とを、セルパッチのフットプリントの外側で接続するのに使用されている。この有限地面による方法は、ブロードバンド共振を達成するべく、様々な構成に実装されてもよい。
図8は、4つのセルが存在するMTM伝送線の場合の有限地電極の一例が示されており、接地電極は、セルパッチの下の1方向に沿って、セルパッチよりも小さな寸法を有する。接地導電層は、ビアに接続され、セルパッチの下側を通過するビア線を含む。ビア線は、各単位セルのセル経路の寸法よりも小さな幅を有する。基板の厚みをこれ以上大きくすることができない、又は、アンテナ効率が低減してしまうためにセルパッチの面積を低減できない場合に、他の方法ではなく、製品の実装に有限地を使用することが望ましい。接地が有限とされる場合、図8に示されるように、ビアを主接地に接続する金属ストリップ(ビア線)によって、更なるインダクタLp(図9)を導入してもよい。図10には、図8のTL構造と同様に、有限地を有する4つのセルのアンテナが示されている。
図11には、有限地構造を有するMTMアンテナの別の例が示されている。この例では、接地導電層は、ビア線、及び、セルパッチのフットプリントの外側に形成される主接地を含む。各ビア線は、第1縁位端において主接地に接続され、第2縁位端においてビアに接続される。ビア線は、各単位セルのセル経路の寸法よりも小さい幅を有する。
有限地構造に対する式を導くことができる。有限地の例では、シャントキャパシタンスCRが小さくなるため、共振は、式(1)、(5)及び(6)並びに表1と同じ式となる。以下に、2つの方法を示す。図8及び図9には、LRを(LR+Lp)で置き換えた式(1)、(5)及び(6)並びに表1と同じように共振が表される方法1が示されている。|n|≠0の場合、各モードは、(1)LRが(LR+Lp)で置き換えられた場合のω±η、及び(2)LRが(LR+Lp/N)で置き換えられた場合のω±ηに対応する2つの共振を有し、ここで、Nは単位セルの個数である。方法1の場合、インピーダンスの式は、以下のようになる。
ここで、Zp=jωLpであり、Z、Yは式(2)に規定されている。式(11)は、2つの共振ω及びω'がそれぞれ、低いインピーダンス及び高いインピーダンスを有することを示している。したがって、多くの場合、ω付近の共振に周波数を合わせることが容易になる。
2番目の方法、方法2が、図11及び図12に示されており、LLを(LL+Lp)で置き換えた式(1)、(5)及び(6)並びに表1と同じように共振が表されるこの第2の方法では、シャントキャパシタCRが減少する一方で、シャントインダクタの組み合わせ(LL+Lp)が増加するので、LH周波数が低くなる。
上記のMTM構造の例は、2つの金属層上に形成され、この2つの金属層のうちの1つが、接地電極として使用され、導電ビアを介して他方の金属層と接続される。このような2層CRLH MTM TL及びビアを有するアンテナは、図1及び図5に示すような完全接地電極を使用して、又は、図8及び図10に示すような有限地電極を使用して構築することができる。
一実施形態において、SLM MTM構造は、第1基板面及び対向基板面を有する基板を含み、第1基板面上に形成された金属層に、誘電体基板を貫通する導電ビアを使用することなく、SLM MTM構造を形成する2つ以上の導電部分を有するように金属層がパターニングされている。金属層における導電部分は、SLM MTM構造のセルパッチ、セルパッチとは空間的に分離されている接地(グラウンド)、接地とセルパッチとを相互接続するビア線、及び、直接セルパッチと接触することなくセルパッチに容量的に結合される給電線を含む。LH直列キャパシタンスCLは、給電線とセルパッチとの間の隙間を介して容量的に結合されることにより生成される。RH直列インダクタンスLRは、主に、給電線及びセルパッチにおいて生成される。このSLM MTM構造における2つの導電部分の間に、垂直方向に挟まれる誘電体は存在しない。その結果、SLM MTM構造のRHシャントキャパシタンスCRは、無視できるほど小さく設計されてもよい。それでもなお、1つの金属層に配置されるセルパッチと接地との間に、小さいRHシャントキャパシタンスCRを誘起することができる。SLM MTM構造におけるLHシャントインダクタンスLLは、基板を貫通するビアが存在しないことにより無視できるが、接地に接続されているビア線は、LHシャントインダクタンスLLに等価なインダクタンスを生成することができる。TLM−VL MTMアンテナ構造は、縦方向の容量結合を生成するべく、2つの異なる層に位置する給電線及びセルパッチを有してもよい。
SLM及びTLM−VL MTMアンテナ構造とは異なり、マルチレイヤMTMアンテナ構造は、少なくとも1つのビアにより接続される2つ以上の金属層における導電部分を有する。このようなマルチレイヤMTMアンテナ構造の例及び実装形態については、2008年11月13日出願の米国特許出願公開第12/270,410号明細書、""Metamaterial Structures with Multilayer Metallization and Via(マルチレイヤ金属層及びビアを有するメタマテリアル構造)"に記載されており、その開示内容は参照により本明細書に組み込まれる。この複数の金属層は、2つの隣接する金属層が電気的絶縁材料(例えば、誘電体)によって分離される基板、膜又はプレート構造に基づいて、複数の導電部分を有するようにパターニングされる。2つ以上の基板が、誘電体スペーサを使用して又は使用せずに互いに積層されて、特定の技術特徴又は利点を達成するべく、複数の金属層のための複数の面を提供してもよい。このようなマルチレイヤMTM構造は、少なくとも1つの導電ビアを実装して、一の金属層の一の導電部分を、別の金属層の別の導電部分に接続する。このような構成により、一の金属層における一の導電部分を、他の金属層における別の動転部分と接続することができる。
ビアを有する2層MTMアンテナ構造の実装形態は、第1基板面及び第1基板面に対向する第2基板面を有する基板と、第1基板面上に形成された第1金属層、及び、第2基板面上に形成された第2金属層を備え、2つの金属層は、第1金属層における一の導電部分と第2金属層における別の導電部分とを接続する少なくとも1つの導電ビアを有する2つ以上の導電部分を有するようにパターニングされる。有限地は、表面の一部を露出した状態にして、第1金属層に形成することができる。第2金属層における導電部分は、MTM構造のセルパッチ及び給電線を含むことができ、給電線の遠位端は、セルパッチの近くに位置してセルパッチに容量結合され、アンテナ信号をセルパッチへと/から伝送する。セルパッチは、露出面の少なくとも一部と並行に形成される。第1金属層における導電部分は、第1金属層における有限地と、第2金属層におけるセルパッチとを基板に形成されたビアを介して接続するビア線を含む。LH直列キャパシタンスCLは、給電線とセルパッチとの間の隙間を介して容量結合により生成される。RH直列インダクタンスLRは、主に、給電線及びセルパッチにおいて生成される。LHシャントインダクタンスLLは主に、ビア及びビア線により誘起される。RHシャントキャパシタンスCRは主に、第2金属層におけるセルパッチと、第1金属層に投影した場合のセルパッチのフットプリントにおけるビア線の一部との間に誘起される。メアンダラインのような更なる導電線を、給電線に付加して、ブロードバンド又はマルチバンドアンテナオペレーションをサポートするべく、RHモノポール共振を誘起してもよい。
MTMアンテナがサポート可能な様々な周波数帯の例には、携帯電話及び携帯デバイスアプリケーション、WiFiアプリケーション、WiMaxアプリケーション及びその他の無線通信アプリケーションのための周波数帯域が含まれる。携帯電話及び携帯デバイスアプリケーションのための周波数帯域の例として、CDMA(824−894MHz)及びGSM(登録商標)(880−960MHz)を含むセルラーバンド(824−960MHz)、及び、3つのバンドDCS(1710−1880MHz)、PCS(1850−1990MHz)及びAWS/WCDMA(2110−2170MHz)バンドを含むPCS/DCSバンド(1710−2170MHz)が挙げられる。
MTM構造は、PCB面積要因、デバイス性能必要条件及びその他の仕様のような、アプリケーションの条件に合致するように、スペシフィックに変更可能である。MTM構造におけるセルパッチは、様々な幾何学的形状及び寸法を有することができ、例えば、矩形、多角形、不規則な形、円形、楕円形、又は、異なる形状の組み合わせであってもよい。ビア線及び給電線についても、様々な幾何学的形状及び寸法を有することができ、例えば、矩形、多角形、不規則な形、ジグザグ、螺旋、蛇行線、又は、異なる形状の組み合わせであってもよい。容量結合を変更するべく、給電線の遠位端の形状をランチパッドを形成するように変更してもよい。ランチパッドは、様々な幾何学的形状及び寸法を有することができ、例えば、矩形、多角形、不規則な形、円形、楕円形、又は、異なる形状の組み合わせであってもよい。ランチパッドとセルパッチとの間の隙間は、様々な形状であってもよく、例えば、直線、曲線、L字型、ジグザグ線、不連続線、包囲線、又は、異なる形状の組み合わせであってもよい。給電線、ランチパッド、セルパッチ及びビア線の一部は、異なる層に形成されてもよい。給電線、ランチパッド、セルパッチ及びビア線の一部は、一の金属層から異なる金属層へと延在することができる。アンテナ部分は、主基板面から数ミリメートル上方に配置することができる。複数のセルを、直列に接続して、マルチセルID構造を形成してもよい。複数のセルを直行方向に接続して、2D構造を形成してもよい。ある実装形態では、1つの給電線により、複数のセルパッチに電源を供給するよう設計してもよい。別の実装形態では、更なる導電線を給電線又はランチパッドに追加してもよく、導電線は、様々な幾何的形状及び寸法を有することができ、例えば、矩形、不規則な形、ジグザグ、平面螺旋、垂直螺旋、蛇行線、又は、異なる形状の組み合わせであってもよい。更なる導電線は、最上層、中間層又は最下層、若しくは、基板の数ミリメータ上方に配置することができる。
その他の種類のMTMアンテナには、非平面型MTMアンテナが含まれる。非平面型MTMアンテナ構造は、MTMアンテナの1以上のアンテナ部分を、同じMTMアンテナの1以上の別のアンテナ部分とは離して配置することにより、MTMアンテナ構造のアンテナ部分を非平面形状に空間的に分布させて、ポータブル無線通信デバイスのような無線通信デバイスの割り当てられた空間又は容積に適合するようなコンパクトな構造を提供することができる。例えば、MTMアンテナの1以上のアンテナ部分を、誘電体基板上に位置させることができ、MTMアンテナのその他の1以上の部分を別の誘電体基板上に位置させることによって、MTMアンテナのアンテナ部分が、例えば、L字型のアンテナ形状のように、空間的に非平面形状に分布させることができる。様々なアプリケーションにおいて、MTMアンテナのアンテナ部分は、3次元(3D)基板構造において、平行又は非平行な層における様々な部分に適合するように配置することができる。非平面型MTMアンテナ構造は、製品の筐体の内部に又は周囲に梱包されてもよい。空間を有効に利用するべく、非平面型MTMアンテナ構造におけるアンテナ部分を、筐体、ハウジング壁部、アンテナキャリア、又は、その他のパッケージ構造に係合するように配置することもできる。ある実装形態では、非平面型MTMアンテナ構造の少なくとも1つのアンテナ部分を、実質的に、パッケージ構造の近接面と平行に又は隣接させて配置させ、アンテナ部分は、パッケージ構造の内部又は外側に存在させることができる。ある実装形態では、MTMアンテナ構造を、製品のハウジングの内壁、アンテナキャリアの外面、又は、デバイスパッケージの外形と共形にすることができる。このような非平面型MTMアンテナ構造は、同様な平面形状のMTMアンテナよりも小さなフットプリントとすることができ、それにより、携帯電話のような携帯型通信デバイスにおける限られた利用可能空間に適合させることができる。ある非平面型MTMアンテナ設計では、スイベル機構又はスライディング機構を組み込んで、MTMアンテナの一部又は全体を、折り畳む又はスライドさせてもよく、それにより、不使用時に省空間とすることができる。更に、誘電体スペーサを有する又は有さない積層された基板を使用して、MTMアンテナの異なるアンテナ部分をサポートし、積層基板間の機械的及び電気的接触を組み込むことにより、主基板上の空間を利用できる。
非平面型3D MTMアンテナを、様々な形状で実装可能である。例えば、本明細書に記載されるMTMセルセグメントは、様々なMTM構造の付近に形成されるチューニング要素を有する設計を実装するための非平面3D形状に配置されてもよい。2009年5月13日出願の米国特許出願公開第12/465,571号"Non-Planar Metamaterial Antenna Structures(非平面型メタマテリアルアンテナ構造)"は、例えば、MTM構造の近くにチューニング要素を実装可能な3Dアンテナ構造を開示している。米国特許出願公開第12/465,571号の開示内容は、参照により本明細書に組み込まれる。
一側面として、米国特許出願公開第12/465,571号明細書は、囲みを形成す壁を有するデバイスハウジング、デバイスハウジング内に位置しその他の壁面よりも第1壁近くに位置する第1アンテナ部分、及び、第2アンテナ部分を含むアンテナデバイスを開示している。第1アンテナ部分は、第1壁近くの第1面に配置された1以上の第1アンテナ構成要素を含む。第2アンテナ部分は、第1面とは異なる第2面に配置された1以上の第2アンテナ構成要素を含む。このデバイスは、第1アンテナ部分と第2アンテナ部分と接続する接合アンテナ部分を含み、第1アンテナ部分の1以上のアンテナ構成要素と、第2アンテナ部分の1以上のアンテナ構成要素とを電磁的に結合することにより、アンテナ信号における少なくとも1つの共振周波数をサポートし、共振周波数の1波長の半分よりも小さな寸法を有するCRLH MTMアンテナを形成する。別の側面として、米国特許出願公開第12/465,571号明細書には、パッケージング構造と係合する構造を有するアンテナデバイスが開示されている。アンテナデバイスは、パッケージング構造の第1平面部分に近接して設けられる第1アンテナ部分を含み、第1アンテナ部分は、第1平面基板及び第1平面基板に関連付けられた少なくとも1つの導電部分を含む。第2アンテナ部分は、同デバイスに設けられ、パッケージ構造の第2平面部分に近接して配置される。第2アンテナ部分は、第2平面基板、及び、第2平面基板と関連付けられた少なくとも1つの第2導電部分を含む。このデバイスはまた、第1アンテナ部分及び第2アンテナ部分を接続する接合アンテナ部分を含む。少なくとも1つの第1導電部分、少なくとも1つの第2導電部分、及び、接合アンテナ部分が統合して、アンテナ信号における少なくとも1つの共振周波数をサポートするCRLH MTM構造を形成している。更なる別の側面として、米国特許出願公開第12/465,571号明細書には、パッケージング構造に係合する構造を有し、可撓性誘電体を有する基板及び基板と関連付けられ2つ以上の導電部分を含むアンテナデバイスが開示されており、それにより、アンテナ信号における少なくとも1つの共振周波数をサポートするよう構成されるCRLH MTM構造が形成される。CRLH MTM構造は、パッケージ構造の第1平面部分に近接するように設計される第1アンテナ部分、パッケージ構造の第2平面部分に近接するように設計される第2アンテナ部分、及び、第1アンテナ部分と第2アンテナ部分との間に形成され、第1アンテナ部分及び第2アンテナ部分の間に形成され、パッケージング構造の第1平面部分及び第2平面部分によって形成される角付近で曲げられる第3アンテナ部分に分けられる。
リターンロス、利得及び放射効率は、特に、PCBの利用可能面積が限られている小型の携帯型通信デバイスに対する重要なアンテナ性能測定基準である。多くの場合、アンテナのサイズが減少すると、効率も減少する。所定の限られた空間において高い値の性能測定指標を得ることは、特に携帯電話及びその他の小型移動通信デバイスのアンテナ設計における挑戦である。例えば、携帯デバイスのサイズが小さくなるのに従ってPCBにおける利用可能面積が小さくなることにより、RF回路周りのアンテナ構造、キーパッド、マイク、液晶ディスプレイ(LCD)、バッテリー及びカメラ等の設計がより難しくなる。リターンロス、利得及び放射効率を含むアンテナ性能は、アンテナ付近の同じPCB上の物体によって大きく劣化する場合がある。外部物体には、アンテナ性能に干渉する可能性のある人体の部分も含まれる。この場合、人体によるRF信号の吸収を最小限にするべく、アンテナを人体の影響から遮蔽することが重要である。
アンテナ構造は、ユニバーサルシリアルバス(USB)アダプタ、及び、PCメモリカード国際協会(PCMCIA)カードのようなその他の小型デバイスに構築することができる。これらデバイスは、典型的には、ラップトップ又はデスクトップコンピュータのようなホストデバイスにプラグインされて、ネットワークカード、外部記憶装置、プリンタ及びマルチメディアデバイスのような外部デバイスと通信を行うための周辺インターフェースとして動作する。アンテナ性能は、ホストデバイスPCB接地及びホストデバイスLCDのような付加的物体に近接することによって影響を受ける可能性がある。また、アンテナ性能は、ホストデバイスのサイズ、形状及び構造によっても変化する可能性がある。したがって、許容される及び好適なアンテナ性能を達成するためには、埋め込まれたデバイスがホストデバイスとは独立して動作することを設計段階において確かにすることが重要である。例えば、ホストデバイスから埋め込みデバイスを絶縁するのに使用される設計の特徴には、周波数依存性コネクタ又は能動要素を利用するアンテナデバイスが含まれ、それにより、その他の回路構成要素及びデバイスのオペレーションに影響を与えることなく、アンテナの周りを取り囲む物体によって引き起こされる干渉の影響を最小限にする。本明細書では、MTMアンテナ構造付近の物体の近接効果を最小にする又は取り除くための、幾つかの周波数依存性絶縁技術及び構造について記載する。
アンテナをサポートし、特定の回路要素をアンテナから絶縁するのに1以上の周波数依存構造を使用する無線デバイスの実施形態は、1以上の基板により支持される1以上の金属層、1以上の金属層のうちの1つに形成される接地電極、1以上の金属層の少なくとも1つに形成される1以上の金属板、1以上の金属層のうちの少なくとも1つに形成される幾つかの導電部分、及び、1以上の金属板及び接地電極とそれぞれ電気的に結合する1以上の電気要素を備え、RF周波数源により1以上の電気要素に付随するインピーダンスが決定される。
図13には、無線デバイス1300におけるアンテナの性能を改善するのに使用される絶縁技術及び構造の一例が示されている。図13に示すように、金属板1301が、アンテナ1303及び接地面1305の近くに位置している。一例では、金属板1301は、キーパッド、キードーム、マイク及びカメラモジュールのような携帯電話に組み込まれる構成要素をサポートするように設計されてもよい。接地面1305を、アンテナ1303及び金属板1301に位置する集積される構成要素で共有してもよく、適切な接地面を可能とする。RF入力信号をアンテナ1303に供給し、アンテナ1303を接地面1305に接続するのに無線送受信機のようなアンテナ電源1309を使用してもよい。DC動作の間、DC電流を金属板1301に供給して、集積される携帯電話構成要素をサポートすることができる。しかしながら、高RF動作では、これら集積される構成要素とアンテナ1303との間で望ましくない相互作用が発生し、アンテナの性能を低減させてしまう可能性がある。したがって、特定の周波数において、アンテナ1303を、金属板1301に位置する集積される携帯電話構成要素から絶縁することが、アンテナ性能の観点において有効であり関心を払うべき事項である。集積される部品の近傍で1以上のアンテナを動作させることを可能とする様々な絶縁技術及び絶縁構造を以下に示す。例えば、周波数依存性を有するインダクタ1307のような電子部品を使用して、金属板1301を接地面1305に接続して、特定の周波数において、アンテナ1303から金属板1301を絶縁してもよい。DCオペレーションでは、インダクタ1307は低インピーダンス部品として動作してもよく、組み込まれた部品からのDC電流を歪ませることなく、接地面1305のその他の回路部品に伝達させることができる。高周波数帯又はマイクロ波周波数では、インダクタ1307は高インピーダンス要素として動作してもよく、それにより、RF電流が金属板1301に流れるのをブロックすることができ、アンテナ1303とRF電流が相互作用して悪影響を及ぼすのを防ぐことができる。このように、金属板1301と接地面1305との間にインダクタ1307のような周波数依存性コネクタを使用することにより、キーパッド、キードーム、マイク及びカメラモジュールのような組み込まれた部品を、高周波数で動作する場合にアンテナ1303の性能に悪影響を与えることなく、金属板1301上で安全に動作させることができる。
その他の無線デバイスの構成には、非平面型無線デバイスが含まれてもよい。例えば、図13に例示されているアンテナ1303は、金属板1301及び接地面1305に実質的に平行で、空間的に金属板及び接地面から空間的に離れて位置する異なる面上に形成することができ、それにより非平面型無線デバイスを形成する。加えて、上記の絶縁技術及び絶縁構造を非平面型無線デバイスに適用して絶縁を提供することができ、1以上のアンテナがその他の回路部品の近くで動作することが可能となる。
図14に示すように、例えば、非平面型無線デバイス1400は、第1面上に形成されたアンテナ1403、第2面にそれぞれ形成される2つの導電要素、金属板1401及び接地面1405を備えてもよい。RF入力信号をアンテナ1403に供給し、アンテナ1403を接地面1405に接続するのに無線送受信機のようなアンテナ電源1409を使用してもよい。金属板1401を、実質的にアンテナ1403と平行に当該アンテナの下方に位置させて、物理的に近傍の物体、例えば、人間の体とアンテナ1403との間の物理的バリア又はシールドとして機能させてもよく、それにより、人間の体のような物体の効果により引き起こされる無線干渉を低減させることができる。また、金属板1401は、キーパッド、キードーム、マイク及びカメラモジュールのような携帯電話に組み込まれる構成要素をサポートするように設計されてもよい。アンテナ1403と、その他の回路及び金属1401に形成された携帯電話部品とで、接地面1405を共有してもよい。DCオペレーションでは、DC電流が金属板1401に供給されて、これら組み込まれた携帯電話部品をサポートしてもよい。しかしながら、高周波数では、上記の実施形態で指摘したように、これら携帯電話部品は、アンテナ1403と干渉して、アンテナ性能が低減してしまう可能性がある。
上記の実施形態と同様な絶縁技術及び絶縁構造を、非平面型無線デバイス1400に適用することができる。例えば、周波数依存性を有するインダクタ1407のような電子部品を使用して、金属板1401を接地面1405に結合して、特定の周波数において、アンテナ1403から金属板1401を絶縁してもよい。DCオペレーションでは、インダクタ1407は低インピーダンス部品として動作してもよく、組み込まれた部品からのDC電流を歪ませることなく、その他の回路部品に伝達させることができる。高周波数帯又はマイクロ波周波数帯では、インダクタ1407は高インピーダンス部品として動作してもよく、それにより、RF電流が金属板1401に流れるのをブロックすることができ、アンテナ1403への干渉を取り除く又は最小限にすることができる。このように、金属板1401と接地面1405との間にインダクタ1407のような周波数依存性コネクタを使用することにより、キーパッド、キードーム、マイク及びカメラモジュールのような組み込まれた部品を、高周波数で動作する場合にアンテナの性能に悪影響を与えることなく、金属板1401上に搭載することができる。また、金属板1401は、インダクタ1407と組み合わせられることによって、アンテナ1403に対するシールドとして機能することができ、人間の体からの影響を最小にし、人間の体によって吸収される比吸収率(SAR)を下げることに役立つ。
図15Aには、ユニバーサルシリアルバス(USB)ドングルデバイスアプリケーション1500で使用される複数のアンテナの性能を改善するのに使用される絶縁技術及び絶縁構造の一例が示されている。USBドングルデバイス1501の一例は、ラップトップ又はデスクトップコンピュータのようなホストデバイス1505のUSBポート1503に挿入されるUSB雌コネクタ、又は、プラグ1507を有するハードウェアの取り外し可能部分を含む。USBドングルデバイス1501は、無線アプリケーションをサポートし、複数のビルトインアンテナを収容してもよい。図15Aに示すように、アンテナの性能は、接地面のサイズ及びホストデバイス1505と関係するLCDパネルのサイズのような、周囲を取り囲む物体に依存する。周囲を取り囲む物体の構成により、インピーダンス整合及び放射効率を含む複数のアンテナの性能の最適化が難しく不安定になっている。図15Bには、周囲を取り囲む物体によって生じる最適化の問題を解決するべく、USBドングルデバイス1501に組み込まれた複数のアンテナ構造の一実装例が示されている。
図15Bに示すように、USBドングルデバイス1501は、第1アンテナ1525及び第2アンテナ1527、第1アンテナ電源1531、第1アンテナ1525及び第2アンテナ1527にそれぞれRF入力信号を供給するのに使用される第2アンテナ電源1533、第1アンテナ電源1531及び第2アンテナ電源1533に結合される接地面1523、及び、電気要素1529を介して接地面1523に接続される金属板1521を備え、金属板1521はUSB雄コネクタ1507に接続されている。
動作時には、接地面1523は、金属板1521及び2つのアンテナ1525及び1527を介して、USB雄コネクタ1507に接続されたホストデバイス1505に接地面を提供するように構成される。しかしながら、コンピュータ1505に関連する周囲を取り囲む物体により、特定の周波数において2つのアンテナと干渉し、これらアンテナの性能が低減する可能性がある。そこで、特定の周波数において、2つのアンテナ1525及び1527を、コンピュータ1505に関連する周囲を取り囲む物体から絶縁することが、アンテナ性能に関して有効である。例えば、電気要素1529を、インダクタのような周波数依存性コネクタに置き換えて、金属板1521を接地面1523に接続し、特定の周波数において2つのアンテナ1525及び1527を金属板1521から絶縁してもよい。DC動作時には、例えば、インダクタを、DC電流を流すことを可能とする低インピーダンス要素として機能させてもよい。USBドングルデバイス1501が、USBコネクタ1507を介してホストデバイス1505のUSBスロット1503に挿入されると、DC及び低周波数信号がホストデバイス1505から金属板1521を介してUSBドングルデバイス1501へと、インダクタ1529を介してUSBドングルデバイス1501の接地面1523上に形成された全ての回路へと供給されてもよい。
高周波数域又はマイクロ波周波数では、例えば、インダクタを、RF電流が流れるのをブロックすることができる高インピーダンス要素として動作させてもよい。例えば、大きな接地面又はホストデバイス1505と関連付けられたLCDパネルによって引き起こされる、USBドングルデバイス1501の2つのアンテナ1525及び1527に対するRF干渉を、インダクタ1529によってブロックすることができる。このように、周波数依存性コネクタを使用して、接地面を2つのアンテナから効果的に絶縁することにより、USBドングルアプリケーションで使用されている複数アンテナの性能を維持又は改善することができる。
ホストデバイス1505とUSBドングルデバイス1501との間で送信されるその他の信号には、デジタル信号が含まれてもよい。しかしながら、これらの信号は通常、接地面1523を必要としない又は利用しない。したがって、ホストデバイス1505からの接地面1523の絶縁は、送信されるデジタル信号に影響を与えない。
MTMアンテナをサポートし、MTMアンテナを特定の回路要素から絶縁するのに1以上の周波数依存性構造を利用する無線デバイスの一実施形態は、デバイス筐体と、デバイス筐体内に位置し、第1面及び前記第1面とは異なる第2面を有する基板構造と、基板構造に支持される接地面電極と、基板構造の第1面に支持される第1金属板と、第1金属板と接地面電極とに接続される電気要素であって、当該電気要素に関するインピーダンスがRF周波数源によって決定される電気要素と、基板構造の第2面に支持される第2金属板と、第1金属板を第2金属板に接続するために基板構造に形成される複数のビアと、基板構造に支持される複数の導電部分とを備え、接地面電極、基板構造の少なくとも一部及び導電部分は、アンテナ信号に関して1以上の共振周波数を呈する右手/左手系複合(composite left and right handed:CRLH)メタマテリアルアンテナ構造を形成するように構成される。
図16A〜図16Dには、小型ハンドヘルド無線デバイス1600で使用されているMTMアンテナの性能を改善する絶縁技術及び絶縁構造が例示されており、その他の回路要素がMTMアンテナに近接して設けられている。小型ハンドヘルドデバイス1600は、2つの周波数帯域、880MHzから960MHzと、1710MHzから1880MHzとをサポート可能なマルチバンドデバイスとして構成されていてもよい。
図16Aには、小型ハンドヘルド無線デバイス1600の側面が示されている。ハンドへルド無線デバイス1600は、図16Aに示すように、基板1653の側面にそれぞれ上部層1601及び下部層1602を有してもよい。上部層1601の上面図、及び、下部層1602の上面図がそれぞれ、図16B及び図16Cに示されている。
図16Bには、無線デバイス1600の上部層1601の構造的要素が示されている。これらの構造的要素には、上部接地面1615、電気要素1607によって上部接地面1615と結合される上部金属板1605、及び、金属板1605に隣接するMTMアンテナ1651が含まれる。
図16Cには、無線デバイス1600の下部層1602の構造的要素が示されている。これらの構造的要素には、下部接地面1633、下部金属板1631、上部層1601のMTMアンテナ1651と下部接地面1633とを接続するビア線1621、下部金属板1631と上部金属板1605とを接続する1対のビア1635、及び、電話のキーとプリント回路基板(PCB)とを接続するように設計された複数のキードーム1603を含む。キードーム1603が電話のキーと同様なレイアウトであるために、図16Cに示すように、キードーム1603が、下部接地面1633、下部金属板1631及び基板の露出した部分のようなその他の構造と重なる場合がある。
上部接地面1615及び下部接地面1633が、基板に形成されたビア(図示せず)のアレイを使用して、又は、基板の垂直方向の縁に沿って形成された導電線により、互いに接続されて、1つの接地面を構成してもよい。図16B〜図16Cに示すように、上部接地面1615及び下部接地面1633の両方を含む接地面は、MTMアンテナ1651、及び、上部及び下部金属板1605、1631によって共有される。
ハンドヘルドデバイス1600が小型化されていることにより、キードーム1603及び上部金属板1605、下部金属板1631のような周りを取り囲む物体は、MTMアンテナ1651に近接して設けられ、MTMアンテナの性能に干渉する可能性がある。したがって、動作時に、これらの物体は、特定の周波数において、MTMアンテナ1651と干渉し、MTMアンテナの性能を低減させる可能性がある。そこで、上部金属板1605及び下部金属板1631からMTMアンテナ1651を絶縁することが、特定のアンテナ性能測定基準の観点において有効である場合がある。特に、上部金属板1605及び下部金属板1631をそれぞれ、上部接地面1615及び下部接地面1633から絶縁させてもよく、それにより、キードーム1603及びDC電源供給線によって使用される下部接地面1633が近接することによるRF干渉なしに、インピーダンス整合及び放射効率のようなアンテナ性能を維持することができる。例えば、電気要素1607を、インダクタのような周波数依存性コネクタと置き換えて、上部金属板1605と接地面1615とを接続し、下部金属面1631を含む上部金属板1605を、特定の周波数においてMTMアンテナ1651から絶縁してもよい。DC周波数において、インダクタは、DC電流を流すことができる低インピーダンス要素として機能してもよい。この場合、インダクタを介してDCバイアスが上部金属板1605及び下部金属板1631に供給されてもよく、それによりキードーム1603が適切に機能可能となる。
RF周波数において、インダクタは高インピーダンスを提供するので、上部金属板1605及び下部金属板1631をそれぞれ、上部接地面1615及び下部接地面1633から絶縁することができる。言い換えると、上部及び下部金属板1605、1631は、1つの接地面ではなく、2つの接続が切断された金属板と見なすことができ、MTMアンテナ1651の性能を低減させる可能性のある電流の流れ又は干渉が存在しない。
図16Dには、無線デバイス1600と関連付けられる2つの重ね合わされた層、上部層1601及び下部層1602が示されている。
図17には、接地面に直接上部金属板1605が接続された場合と、図16Dに例示したインダクタのような周波数依存性コネクタ1607を介して接地面に上部金属板1605が接続された場合との、MTMアンテナ1651のリターンロスの測定値を、信号周波数の関数として比較したプロット図である。図17では、横軸には、MTMアンテナ1651を介して送信された信号の周波数が示されており、縦軸には、信号のdB単位のリターンロスを表している。図17の測定されたリターンロスの比較プロットによれば、上部金属板1605が直接接地面に接続されると、インダクタが上部金属板1605と接地面との間に接続される場合と比較して、ほぼ全ての周波数においてリターンロスが大きくなることが分かる。リターンロスが低い数字である場合は、一般的に、電源から負荷に至るまでインピーダンス整合が良好であることを示しており、したがって、金属板及び接地面が直接接続されるのではなく、インダクタを介して接続された場合良好な性能測定値を達成できることを示している。
図18A及び図18Bには、低い周波数帯域と高い周波数帯域でのMTMアンテナ1651の放射アンテナ効率を、上部金属板1605が直接接地面に接続された場合と、上部金属板1605が図16Dに示したような周波数依存性コネクタ1607を介して接地面に接続された場合とを比較したプロットが示されている。両図における結果は、上部金属板がインダクタを介して接地面に接続された場合の方が、低周波数帯域及び高周波数帯域の両方において、MTMアンテナ1651の効率が高くなることを示している。このように、図17及び図18A〜18Bで示されたように、インダクタのような周波数依存性コネクタを小型集積回路設計において使用することにより、周囲を取り囲む物体に関係するRF干渉を、MTMアンテナ1651と分離することにより、リターンロス及び効率といったアンテナ性能測定指標の値を改善させてもよい。
図16A〜図16Dに示した無線デバイス1600のその他のMTMアンテナ設計には、図19A〜図19Cに例示するような平面アンテナ設計1901が含まれてもよい。平面型MTMアンテナ1901の上部層の等角図及び上面図、並びに、下部層の上面図がそれぞれ、図19A〜図19Cに示されている。
図19Aの等角図に示すように、MTMアンテナ1901は、基板1903の遠位端に位置している。上部接地面1905が、上部層1902にMTMアンテナ1901に隣接して形成されている。明瞭化のため、図19Bには上部層1902の上面図が示されており、図19Aに示した構造的要素と重なる部分から、MTMアンテナ1901が見えるようにしている。図19A及び図19Bに示すように、平面型MTMアンテナ1901は、基板1903の上部層1902上に形成されるセルパッチ1931、アンテナ信号をセルパッチ1931に及びセルパッチから伝達するべく結合ギャップ1941を介してセルパッチ1931に容量結合される給電線1933、及び、給電線1933に取り付けられて基板1903の上部層1902と下部層1904上に形成される導電螺旋1935といった複数の導電部分を備えてもよい。給電線1933の遠位端は、給電ポート1911に接続されて、アンテナを介して送受信されるアンテナ信号を生成及び供給する、又は、アンテナを介してアンテナ信号を受信及び処理するアンテナ回路と給電ポートとが接続されていてもよい。複数のビア1937がそれぞれ対応するビア孔に挿入されて、上部層1902の導電部分と下部層1904の導電部分との導電接続が提供される。この例では、導電螺旋1935が、給電線1933に取り付けられている。導電螺旋1935は、トップ螺旋部分1951、ボトム螺旋部分1953、及び、基板1903を貫通するビア1937を含む。トップ螺旋部分1951及びボトム螺旋部分1953はそれぞれ、図19B及び図19Cに示されている。下部層1904の上面図が図19Cに示されており、図19Aに示した複数の重なる構造的要素からアンテナ構造が見えるようになっている。図19Bには、トップ螺旋部分1951が上部層1902に形成された別個の複数のセグメントを含む様子が示されている。
図19Cに示すように、ボトム螺旋部分1953は、下部層1904に形成された別個の複数のセグメントの別のセットを含む様子が示されており、上部層の複数のセグメントと下部層の複数のセグメントとを接続するのにビア1937が使用され、図19Aに示すような垂直型の螺旋形状が形成される。給電線1933に取り付けられる更なる導電線により、RHモノポール共振を誘起することができる。本例で使用された縦型螺旋の替わりに、メアンダ線、ジグザグ線、又は、その他の種類の線又はストライプを使用することができる。これに替えて、給電線1933及び導電螺旋1935を直接、異なる全長をもって、接続することができる。ビア線1909が下部層1904に形成され、下部接地面1907に接続される。ビア1939は、上部層1902におけるセルパッチ1931を、下部層1904のビア線1909に接続する。
動作時には、無線デバイス1600の平面型MTMアンテナ1901は、人間の体のような物体に近接して配置されるとその性能が低下し、その結果、ハンドヘルドデバイスの全体の性能が低下してしまう。上記の実施形態で説明された以外の絶縁技術及び絶縁構造を、このMTMアンテナ構成に適用してもよく、MTMアンテナ1901が別の導電面に近接した場合であってもアンテナ性能を維持することができる。例えば、人間の体又はその他の外的物体のような近接ソースからの干渉を取り除く又は最小するために、平面型MTMアンテナ1901を高い位置に配置し、金属板を平面型MTMアンテナ1901の下に付加して、干渉を遮蔽してもよい。しかしながら、他の回路要素をサポートするべく、これらの金属板が接地面に接続される場合には、これらの金属板が、MTMアンテナ1901の性能を妨げる又は劣化させる可能性がある。この場合、高い位置に形成されたMTMアンテナの下に位置する金属板からのRF干渉を制御する及び接地面から絶縁することが、アンテナ性能の観点で重要である。絶縁技術及び絶縁構造を使用した高い位置に形成されたMTMアンテナの実装について、次の章で説明する。
図20A〜図20Dには、高架型MTMアンテナ2007及び接地面への周波数依存接続を有する無線デバイス2000の複数の図が示されている。高架型アンテナ設計は、複数の面及び基板の上方にアンテナを形成することにより、アンテナ性能を改善するように構築される。
高架型MTMアンテナをサポートし、特定の回路を高架型MTMアンテナから絶縁するのに1以上の周波数依存構造を使用する無線デバイスの一実施形態は、デバイス筐体と、第1面及び第1面と異なる第2面を有する第1平面基板と、第1平面基板の第1面及び第2面によって支持される接地面と、第1平面基板の第1面によって支持される第1金属板と、第1平面基板の第2面によって支持される第2金属板と、第1金属板及び第2金属板を接続するべく第1平面基板に形成される複数のビアと、第1金属板を接地面に接続する第1平面基板の第1面によって支持される電気要素と、デバイス筐体の平面部分に近接して実質的に平行に構成されるアンテナ部分とを備え、RF周波数源が電気要素に付随するインピーダンスを決定し、上記アンテナ部分は、第2平面基板と、第2平面基板と関連付けられた少なくとも1つの導電部分とを有し、上記無線デバイスは、デバイス筐体の平面部分に近接して略平行に構成される第3平面基板を更に備え、上記少なくとも1つの導電部分は、少なくとも1つの周波数においてアンテナ部分に関する第1アンテナ信号における共振をサポートするように構成された右手/左手系複合(CRLH)メタマテリアル構造を形成する。
図20Aには、高架型MTMアンテナをサポートし、特定の回路を高架型MTMアンテナから絶縁するのに1以上の周波数依存構造を使用する無線デバイス2000の等角図が示されている。無線デバイス2000は、3つの基板、第1基板2001、第2基板2003及び第3基板2005を備える。3つの基板は、第1基板2001が上部層となり、第3基板2005が下部層となり、第2基板2003が第1基板2001と第3基板2005との間に位置するように積層される。図20A〜図20Dに示すように、無線デバイス2000の設計には、様々な種類の基板材料を使用してもよい。例えば、FR−4材料を第1基板2001及び第3基板2005に使用し、第2基板2003には空気を使用してもよい。
無線デバイス2000は、図20Aに示すように、第1基板2001上に形成された高架型MTMアンテナ2007を備える。図20B〜図20Cには、高架型MTMアンテナ2007の上部層及び下部層の上面図がそれぞれ示されており、図20Aに示される重なる構造的要素からアンテナが見えるようにしている。図20B及び図20Cに示すように、高架型MTMアンテナ2007は、第1基板2001の上部層上に形成されるセルパッチ2051、アンテナ信号をセルパッチ2051に及びセルパッチから伝達するべく結合ギャップ2055を介してセルパッチ2051に容量結合される給電線2053、及び、給電線2053に取り付けられて第1基板2001の上部層と下部層上に形成される導電螺旋2057といった複数の導電部分を備えてもよい。給電線2053の遠位端は、図20A及び図20Dに示すように、第1基板2001を貫通するビア2059及び給電線2053をアンテナ入力ポート2009に接続する導電線2071により、アンテナ入力ポート2009に接続される。給電線2053は、アンテナを介して送受信されるアンテナ信号を生成及び供給する、又は、アンテナを介してアンテナ信号を受信及び処理するアンテナ回路と接続されていてもよい。図20B〜図20Cに示すように、複数のビア2061がそれぞれ対応するビア孔に挿入されて、第1基板2001の上部層の導電部分と下部層の導電部分との導電接続が提供される。この例では、導電螺旋2057が、給電線2053に取り付けられている。導電螺旋2057は、トップ螺旋部分、ボトム螺旋部分、及び、第1基板2001を貫通するビア2061を含む。トップ螺旋部分は上部層に形成された別個の複数のセグメントを含み、ボトム螺旋部分は、下部層に形成された別個の複数のセグメントの別のセットを含み、上部層の複数のセグメントと下部層の複数のセグメントとを接続するのにビア2061が使用されて、垂直型の螺旋形状が形成される。給電線2053に取り付けられる更なる導電線により、RHモノポール共振を誘起することができる。本例で使用された縦型螺旋の替わりに、メアンダ線、ジグザグ線、又は、その他の種類の線又はストライプを使用することができる。これに替えて、給電線2053及び導電螺旋2057を直接、異なる全長をもって、接続することができる。図20Cに示すように、第1基板2001の下部層には長いビア線2063が形成され、図20Bに示すように、ビア2069を介して、第1基板2001の上部層に形成される短いビア線2067と接続される。また、短いビア線2067は、第1基板2001及び第2基板2003の垂直方向の側面に沿って延在する金属の縦方向ストリップ2073によって、上部接地面2013と接続される。ビア2065は、上部層におけるセルパッチ2051を、第1基板2001の下部層のビア線2063に接続する。
図20Aに示す更なる構造的要素には、第3基板2005の両面に形成される接地面を含む。接地面は2つの導電面を含み、上部接地面2013及び下部接地面2023が、第3基板2005に形成されたビア(図示せず)のアレイを使用して、又は、第3基板2005の垂直方向の縁に沿って形成された導電線により、互いに接続されてもよい。アンテナビア線2011が、第1基板2001及び第2基板2003の垂直方向の面に沿って延在するビア線2011を介して、上部接地面2013に接続されてもよい。ビア線2011を上部接地面2013で終端させることにより、MTMアンテナ2007は、接地面2013全体を送信アンテナの一部として使用することができ、効率を向上させることが可能である。上部金属板2015及び下部金属板2017は、第1基板2001と等しい面積を有し、第3基板2005の両面に付加される。2つの金属板2015、2017は、複数のビア2019を介して接続される。
動作時には、図20A、図20D及び図20Eに示す無線デバイス2000の上部金属板2015、2017はシールドとして機能し、第3基板2005の下側から放射される人間の体からの影響を最小限にすることができる。これら金属板2015、2017により、高架型MTMアンテナ2007に十分な遮蔽効果を提供すると考えられ、それと同時に、金属板2015及び金属板2017にその他のRF回路を組み込むことにより、無線デバイス2000に占める空間を低減することができる。DC動作の間、DC電流を金属板2015、2017に供給してRF回路をサポートすることができる。しかしながら、高RF動作では、これらRF回路と高架型MTMアンテナ2007との間で望ましくない相互作用が発生し、アンテナの性能を低減させてしまう可能性がある。したがって、特定の周波数において、高架型MTMアンテナ2007を、金属板2015、2017から絶縁することが、アンテナ性能の観点において有効であり関心を払うべき事項である。
図20Eでは、例えば、インダクタのような周波数依存性を有する電気要素2021を、上部金属板2015と下部接地面2023との間に接続して、下部金属板2017を含む上部金属板2015を、特定の周波数において、高架型MTMアンテナ2007から絶縁してもよい。DCオペレーションにおいて、例えば、インダクタ2021が、低インピーダンス部品として動作してもよく、金属基板2015、2017に集積された回路からのDC電流を歪ませることなく、無線デバイス2000内のその他の回路部品に伝達させることができる。しかしながら、高周波数帯又はマイクロ波周波数では、インダクタ2021は高インピーダンス部品として動作し、それにより、RF電流が金属板2015、2017に流れるのをブロックすることができ、金属板2015、2017に起因する干渉が、高周波数オペレーションの間にMTMアンテナ性能に影響を与えることを防ぐことができる。
図21には、図19A〜図19Cに示されたような平面型MTMアンテナのリターンロスと、図20A〜図20Eに示されたような無線デバイス2000で使用されている高架型MTMアンテナのリターンロスとを比較したプロットである。リターンロスがdB単位で、送信周波数の関数としてプロットされている。図21にプロットされた結果は、ある実施形態では、高架型MTMアンテナ2007は、特定の周波数において、平面型MTMアンテナ1901のインピーダンス整合と同様なインピーダンス整合を有することを示している。したがって、図20の高架型MTMアンテナ2007は、金属板2015、2017を使用することにより適切な遮蔽を提供する利点があると同時に、図19に示した平面型MTMアンテナと比較して同様なインピーダンス整合を得ることができる。
図22及び図23には、高架型MTMアンテナ及び平面型MTMアンテナについて、低周波数域と高周波数域とにおける放射効率が示されている。図22に示すように、低い周波数域では、平面型MTMアンテナよりも、高架型MTMアンテナの方が良好なアンテナ効率を示している。また、図23に示すように、高い周波数域では、平面型MTMアンテナ及び高架型MTMアンテナの両方が同様なアンテナ効率を示している。したがって、図20の高架型MTMアンテナ2007は、金属板2015、2017を使用することにより適切な遮蔽効果を提供すると同時に、図19に例示された平面型MTMアンテナと比較して良好な又は同等な効率を得ることができるという利点を有する。
図24及び図25には、人間の疑似頭部の左側及び右側での使用のように、人間の頭部への適用に関する放射性試験について、様々な周波数帯域で、平面型MTMアンテナと高架型MTMアンテナとの間でアンテナ効率の比較を示したものである。比較により、図に示すように、人間の頭部が関係するアプリケーションでは、高架型MTMアンテナの方が平面型MTMアンテナよりも良好なアンテナ効率を有することが証明された。この結果は更に、人間の体によって引き起こされる近接効果に関わるアプリケーションに、金属板を採用することの効果を支持するものである。
複数のセルパッチを有する平面型MTMアンテナをサポートし、高架型MTMアンテナから特定の回路要素を絶縁するべく1以上の周波数依存性構造を使用する無線デバイスの一実施形態は、デバイス筐体と、デバイス筐体内に位置して第1面及び前記第1面とは異なる第2面を有する基板構造と、基板構造の第1面及び第2面によって支持される接地面電極と、基板構造の第1面によって支持される第1金属板及び第2金属板と、第1金属板を接地面電極に接続する第1電気要素と、第2金属板を接地面電極に接続する第2電気要素と、基板構造によって支持される複数の導電部分を備え、RF周波数源は第1電気要素と関連付けられるインピーダンスを決定し、別のRF周波数源は第2電気要素と関連付けられるインピーダンスを決定し、接地面電極、基板構造の少なくとも一部及び複数の導電部分は、アンテナ信号に関して1以上の共振周波数を呈する右手/左手系複合(CRLH)メタマテリアルアンテナ構造を形成するように構成される。
図26A、図26B及び図26Cはそれぞれ、等角図、上部層2600−1の上面及び下部層2600−3の上面図2600−2を示しており、接地面への周波数依存性接続を有する無線デバイス2600で使用される複数のセルパッチ構造を有する平面型MTMアンテナの実装を示している。
等角図及び図26Bに示す上部層2600−1に示すように、MTMアンテナ2601は、給電線2602、給電線2602の近位端に接続されたランチパッド2603、給電線2603に接続されたメアンダ構造2605、給電線2602の遠位端に容量結合されたセルパッチ2607、セルパッチ2607を、基板2611の上面に印刷された上部接地面2610に接続するのに使用されるビア線2609を備えてもよい。本例では、セルパッチ2607は、切り込み溝2608によって分離される2つの部分を含む。基板2611は、例えば、誘電率が4.4であり高さ1mmのFR−4のような、プリント回路基板(PCB)から形成されていてもよい。ランチパッド2603の遠位端に形成されるアンテナ入力2625を使用して、RF入力信号をMTMアンテナ構造2601に供給する。
図26Aの等角図及び図26Cの下部層2600−2に示すように、2つの金属板2613及び2615が、基板2611の下に形成される。2つの金属板2613及び2615は、2つのインダクタ2619及び2621のような一対の電気要素を介して、下部接地面2617に接続される。上部接地面2610は、基板2611を貫通するビア(図示せず)のアレイを使用して、下部接地面2617と接続され、基板2611の両面に1つの接地面を形成する。
動作時には、DC周波数において、DC電流が、2つのインダクタ2619、2621を介して、金属板2613、2615上に形成されたその他の構成要素に供給されてもよい。
RF周波数では、2つのインダクタは高インピーダンス要素として機能し、アンテナ性能に対する負の影響を最小限に抑えることができる。また、金属板2613、2615は、MTMアンテナ2601にシールドを提供することができ、それにより、アンテナが人間の体のような周囲を取り囲む物体に近接して配置された場合のアンテナ性能を改善させてもよい。また、これら金属板2613、2615は、基板2611の下面へのアンテナ放射を低減させることができ、それにより、SAR測定基準に関連するアンテナ性能を改善させてもよい。このアプリケーションにおいて、金属板2615上のL字形状の切り欠き部分を使用して、ランチパッド2623の寄与を受けるモノポールモードの放射効率及びインピーダンス整合を補助してもよい。切り込み溝2608の幅、及び、金属板2613と金属板2615間の間隔は、LHモード及びメアンダモードでのインピーダンス整合を改善するように最適化されてもよい。
図27には、図26A〜図26Cに例示されたような無線デバイス2600で使用される平面型MTMアンテナ2601のdB単位でのリターンロスが例示されている。図26の平面型MTMアンテナ2601は、金属板2613、2615を使用することにより適切な遮蔽を提供するという利点を有すると同時に、図19に例示された平面型MTMアンテナ1901と比較して同様なリターンロスとなる。
図28A〜図28Bには、図26A〜図26Cに例示された平面型MTMアンテナ2601の複数の周波数範囲における放射効率が示されている。図26の平面型MTMアンテナ2601は、金属板2613、2615を使用することにより適切な遮蔽を提供するという利点を有すると同時に、図19に例示された平面型MTMアンテナ1901と比較して同様な放射効率となる。
1以上の非平面型MTMアンテナをサポートし、高架型MTMアンテナから特定の回路要素を絶縁するべく1以上の周波数依存性構造を使用する無線USBドングルデバイスの一実施形態は、デバイス筐体と、デバイス筐体内に位置して第1面及び前記第1面とは異なる第2面を有する第1平面基板と、第1平面基板の第1面及び第2面上に形成された接地面と、第1平面基板の第1面上に形成された第1金属板と、第1面基板の第2面上に形成された第2金属板と、第1金属板及び第2金属板を接続するべく第1平面基板に形成される複数のビアと、第1金属板を接地面に接続するべく第1平面基板の第1面上に形成される電気要素と、デバイス筐体の第1平面部分に近接して平行に構成される第1アンテナ部分と、デバイス筐体の第2平面部分に近接して平行に構成される第2アンテナ部分と、第1アンテナ部分と第2アンテナ部分とを接続するアンテナ結合部と、デバイス筐体の第1平面部分に近接して平行に構成される第3アンテナ部分と、デバイス筐体の第4平面部分に近接して平行に構成される第4アンテナ部分と、第3アンテナ部分と第4アンテナ部分とを結合するアンテナ結合部とを備え、RF周波数源は電気要素に関連するインピーダンスを決定し、第1アンテナ部分は第1平面基板及び第1平面基板と関連付けられる少なくとも1つの第1導電部を有し、第2アンテナ部分は第2平面基板及び第2平面基板に関連付けられる少なくとも1つの第2導電部有し、第3アンテナ部分は第1平面基板及び第1平面基板と関連付けられる少なくとも1つの第3導電部分を有し、第4アンテナ部分は第4平面基板及び第4平面基板に関連付けられる少なくとも1つの第4導電部を有し、少なくとも1つの第1導電部及び少なくとも1つの第2導電部が、第1アンテナ部分及び第2アンテナ部分に関連付けられた第1アンテナ信号の少なくとも1つの周波数における共振をサポートするように構成された右手/左手系複合(CRLH)メタマテリアル構造を形成し、少なくとも1つの第3導電部及び少なくとも1つの第4導電部が、第3アンテナ部分及び第4アンテナ部分に関連付けられた第2アンテナ信号の少なくとも1つの周波数における共振をサポートするように構成されたもう1つの右手/左手系複合(CRLH)メタマテリアル構造を形成する。
図29A、図29B及び図29Cには、接地面への周波数依存性接続を有する2つの非平面型、L字形状MTMアンテナ2903、2905を有する無線USBドングルデバイス2900の、上面図、下面図及び側面図が示されている。USBドングルデバイス2900は、ラップトップ又はその他のデバイス(図示せず)のようなホストデバイスのUSBポートと接続されてもよいUSBコネクタ2901を備える。USBドングルデバイス2900は、2つのアンテナ、第1アンテナ2903及び第2アンテナ2905を含んでもよい。第1アンテナ2903は、USBドングルデバイス2900の遠位端に形成され、第2アンテナ2905は、USBコネクタ2901に隣接する側縁に形成されている。
図29Aに示すように、USBドングルデバイス2900は、3つの基板、第1基板2907、第2基板2909及び第3基板2911から構成される。第1基板2907及び第2基板2909はそれぞれ、第3基板2911に対して鉛直方向に実装される。第1アンテナ2903の要素は、第1基板2907及び第3基板2911上に形成される。第2アンテナ2905の要素は、第2基板2909及び第3基板2911上に形成される。第1アンテナ2903の要素及び第2アンテナ2905の要素を、第1基板2907及び第2基板2909のような複数の基板上に形成することにより、その他の実装要素を第3基板上に実装する空間を確保することができる。
図29Aに示すように、非平面型L字形状MTMアンテナ2903、2905はそれぞれ、セルパッチ2951、2953を有し、セルパッチは、多角形に形成され、第3基板2911から垂直基板2907、2909に延在する。第1アンテナ2903に付随する給電線2957が第3基板2911上に形成され、結合ギャップ2971を介してセルパッチ2953と電磁的に結合される。第2アンテナ2905に付随する給電線2955が、第2基板2909上に形成されて第3基板2911まで延在し、結合ギャップ2973を介してセルパッチ2951と電磁的に結合される。メアンダ線を2つのアンテナ各々における給電線に付加して、モノポールモードを誘起してもよい。
図29A及び図29Bに示すように、第2アンテナ2905に付随する上部ビア線2959が、第2基板2909に形成される。上部ビア線2959は、第3基板2911に形成されるビア2963及びセルパッチ2951に接続されるビア2963は、図29Bに示すように、下部接地面2919と接続される下部ビア線2917に接続される。このように、第2アンテナ2905のセルパッチ2951は、上部ビア線2959、ビア2963及び下部ビア線2917を介して下部接地面2919と結合される。第1アンテナ2903に付随する上部ビア線2961は、第1基板2907に形成される。上部ビア線2961は、第3基板2911に形成されるビア2965及びセルパッチ2953に接続されるビア2965は、図29Bに示すように、下部接地面2919と接続される下部ビア線2916に接続される。このように、第1アンテナ2907のセルパッチ2953は、上部ビア線2961、ビア2965及び下部ビア線2916を介して下部接地面2919と結合される。
図29Bに示すように、下部接地面2919が、第3基板2911に形成されたビア(図示せず)のアレイを使用して、又は、第3基板2911の垂直方向の縁に沿って形成される導電線により、上部接地面2915に接続されて、1つの接地面を構成してもよい。第1アンテナ2903及び第2アンテナ2905の両方のビア線2917を、アンテナ効率を最大にするべく、第3基板2911の下部接地面2919上で終端させる。
ホストデバイス(図示せず)のUSBポートに接続された場合のUSBコネクタ2901に対する性能指標を改善させるには、2つのアンテナ2903、2905及びその他のRF及びベースバンド回路を含むUSBドングルデバイス2900の接地面を、ホストデバイスと絶縁させることが有効であると考えられる。接地面を絶縁するには、2つの小さな金属板、上部金属板2921及び下部金属板2923をUSBドングルコネクタ2901に近接して実装することにより、図29A〜図29Bにそれぞれ示される上部接地面2915及び下部接地面2919によりコネクタが分離される。性能指標の改善に加えて、このような絶縁技術を使用することにより、USBドングルデバイス2900のアンテナ性能を、USBドングルデバイス2900と接続されるホストデバイスから分離させてもよい。
USBドングルデバイス2900への電力は、典型的にはホストデバイスから供給されるため、USBコネクタ2901から第3基板上に形成されたその他部品へのDC接続が必要になる。例示された実施形態では、インダクタ2925のような電気要素を、上部金属板2921と上部接地面2915との間に設けて、ホストデバイスからUSBコネクタ2901へ導電するDCバイアスをサポートしてもよい。上部金属板2921及び下部金属板2923はまた、ビア2913を介して互いに接続される。上部金属板2921及び下部金属板2923の形状及びサイズは、最適なアンテナ整合、アンテナ効率、2つのアンテナ2903、2909間の絶縁及びアンテナ遠方界補正を達成するべく、最適化されてもよい。
図30には、周波数域740MHzから900MHz及び1850MHzから1990MHzで動作する、図29A〜図29Cのアンテナ1とアンテナ2との間の測定されたリターンロス及び絶縁が示されている。
図31及び図32には、低い周波数帯域及び高い周波数帯域におけるアンテナ1及びアンテナ2の測定されたアンテナ効率が示されている。
本明細書で説明された接地面絶縁技術及び関連する構造は、上記で説明した非MTM型アンテナ設計、平面型MTMアンテナ設計、複数層MTMアンテナ設計及び非平面型MTMアンテナ設計を表す本発明のアンテナ構成に表される。その他の接地面絶縁技術を、周波数依存コネクタとして機能する電気構成要素の異なる種類が使用される上記のアンテナ構成に実装してもよい。例えば、上記の電気要素の例では、インダクタの使用が含まれていたが、その他の構成要素には、キャパシタ又はキャパシタとインダクタとの組み合わせのようなその他の受動素子が含まれてもよい。例えば、キャパシタが、接地面と金属板との間に付加される場合、高周波数信号が、接地面に搭載される回路と金属板との間を伝播可能となる。キャパシタが高インピーダンスを呈することにより、DC信号及び低周波数信号が、キャパシタの両端でブロックされる。したがって、アンテナの設計及びその他のRF回路は、キャパシタを周波数依存性コネクタとして使用することに基づいて修正してもよい。
周波数依存性コネクタのその他の実装形態には、接地面と金属板とを接続するのに組み合わせて使用されるインダクタ及びキャパシタのような複数の受動素子が含まれてもよい。例えば、一実装例では、金属板を、インダクタの一方の端部に接続して、インダクタの他方の端部をキャパシタの一方の端部に接続してもよい。キャパシタの他方の端部を接地面に接続して、LC回路を構成してもよい。この場合、DC信号及び高周波数信号は、このLC回路を通過することができず、中間周波数信号のみが、接地面に搭載された回路と金属板との間を伝播することができる。異なる複数の周波数信号を接地面と金属板との間を伝播させることが必要となる異なるアプリケーションに基づいて、受動素子を異なる配置で実装してもよく、アンテナ及びその他のRF回路をそれに従って修正してもよい。
また、これらの例における電気要素には、RFスイッチ、時間依存性スイッチ及びピンダイオードのような能動素子が含まれてもよい。しかしながら、これらの能動素子のON及びOFF状態を決定するのに、周波数、時間又は閾値電圧等の依存性因子に応じて、更なる制御回路が必要となる場合がある例えば、接地面に接続される能動素子を使用するデバイスの一実施形態では、RFスイッチを第1周波数状態でONとして、接地面上の回路から金属板状の回路へとRF信号を伝送させてもよい。別の周波数状態に置いて、RFスイッチをOFFとして、RF信号が金属板から伝播するのを防いで、アンテナデバイスのSARレベルを低減させてもよい。
本明細書には、数多くの詳細事項が記載されたが、これらは、特許請求される発明の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。特定の実施形態に固有の特徴を説明するものとして解釈されるべきである。本明細書において、別個の実施形態として説明された特定の特徴は、1つの実施形態に組み合わせて実装することが可能である。逆に言えば、1つの実施形態として説明され様々な特徴を、複数の実施形態に別個に実装可能である、又は、好適なサブコンビネーションに実装可能である。更に、上記では特定の組み合わせとして機能すると説明された特徴であっても、ある場合には、その組み合わせで実施され、特許請求される組み合わせが、サブコンビネーション又はサブコンビネーションの変形と考えられる場合もある。
特定の実施形態が本明細書で記載された。記載された実施形態及びその他の実施形態の変形及び改良を、本明細書の説明及び例示に基づいて行うことが可能である。本実施形態の例を項目として記載する。
[項目1]
1以上の基板と、
1以上の基板により支持される1以上の金属層と、
1以上の金属層のうちの1つに形成される接地電極と、
1以上の金属層の少なくとも1つに形成される1以上の金属板と、
1以上の金属層のうちの少なくとも1つに形成される複数の導電部分と、
1以上の金属板及び接地電極とそれぞれ電気的に結合する1以上の電気要素とを備え、
1以上の電気要素に付随するインピーダンスを外部RF周波数源により決定可能であるデバイス。
[項目2]
1以上の金属板の少なくとも1つのハウジング内に複数の集積要素が形成される項目1に記載のデバイス。
[項目3]
複数の集積要素として、複数のキードームを含む項目2に記載のデバイス。
[項目4]
複数の集積要素として、マイクを含む項目2に記載のデバイス。
[項目5]
1以上の電気要素のうちの少なくとも1つが、能動電気素子である項目2に記載のデバイス。
[項目6]
1以上の電気要素のうちの少なくとも1つが、受動電気素子である項目2に記載のデバイス。
[項目7]
少なくとも1つの電気要素は、インダクタである項目6に記載のデバイス。
[項目8]
1以上の基板の各々が、第1面及び第2面を有する誘電体材料によって構成され、
複数の導電部分は、第1面又は第2面のうちの少なくとも一方に形成された1以上の金属層にパターニングされている項目1に記載のデバイス。
[項目9]
第1基板が、筐体構造の第1平面部分に近接して略平行に構成され、第1導電部分を有し、
第1基板と異なる第2基板が、筐体構造の第2平面部分に近接して略平行に構成され、
第2基板が、第2導電部分、及び、第1基板と第2基板とを接続する結合部分を有する項目8に記載のデバイス。
[項目10]
複数の導電部分、及び、第1基板及び第2基板の少なくとも一部は、アンテナ信号に関して複数の共振周波数を呈する右手/左手系複合(CRLH)メタマテリアル構造を形成するように構成される項目9に記載のデバイス。
[項目11]
複数の導電部分、及び、第1基板及び第2基板の少なくとも一部は、アンテナ信号に関して複数の共振周波数を呈する右手/左手系複合(CRLH)メタマテリアル構造を形成するように構成される項目9に記載のデバイス。
[項目12]
複数の導電部分は、
セルパッチと、
セルパッチに近接する遠位端を有する給電線と、
セルパッチを接地に結合させるビア線とを含み、
給電線は、セルパッチに容量結合され、
給電線は、アンテナ信号をセルパッチから及びセルパッチへと向かわせる給電ポートに接続される近位端を有する項目10に記載のデバイス。
[項目13]
給電線の遠位端部分は、容量結合を修正するためのランチパッドを構成する項目12に記載のデバイス。
[項目14]
給電線は、導電線アタッチメントを含む項目12に記載のデバイス。
[項目15]
導電線アタッチメントは、メアンダ線形状、平面螺旋形状、ジグザグ線形状、縦型螺旋形状、又は、異なる形状の組み合わせを有するように構成される項目14に記載のデバイス。
[項目16]
複数の導電部分は、
第1金属層に形成されたセルパッチと、
セルパッチに近接した遠位端を有し、セルパッチと容量結合され、セルパッチから及びセルパッチへとアンテナ信号を向かわせる給電ポートに結合される近位端を有する給電線と、
第2金属層に形成され、接地と接続されるビア線と、
第1金属層と第2金属層との間に形成され、セルパッチ及びビア線を接続するビアとを含む項目8に記載のデバイス。
[項目17]
複数の導電部分は、
複数のセルパッチと、
複数のセルパッチのうちの1以上に容量結合されて近接して設けられる遠位端、及び、複数のセルパッチのうちの1以上から及び複数のセルパッチのうちの1以上へとアンテナ信号を向かわせる給電ポートに結合される近位端を有する給電線と、
接地電極に複数のセルパッチをそれぞれ接続する複数のビア線とを含む項目1に記載のデバイス。
[項目18]
デバイス筐体と、
デバイス筐体内に位置し、第1面及び第2面を有する基板構造と、
基板構造に支持される接地電極と、
基板構造の第1面に支持される第1金属板と、
第1金属板及び接地電極に接続される電気要素であって、当該電気要素に付随するインピーダンスがRF周波数源によって決定される電気要素と、
基板構造の第2面に支持される第2金属板と、
第1金属板を第2金属板に接続するために基板構造に形成される複数のビアと、
基板構造に支持される複数の導電部分とを備え、
接地電極、基板構造の少なくとも一部及び複数の導電部分は、アンテナ信号に関して1以上の共振周波数を呈する右手/左手系複合(CRLH)メタマテリアルアンテナ構造を形成するように構成される無線デバイス。
[項目19]
複数の導電部分は、
セルパッチと、
セルパッチに容量結合されて近接して設けられる遠位端、及び、セルパッチから及びセルパッチへとアンテナ信号を向かわせる給電ポートに接続される近位端を有する給電線と、
セルパッチを接地に接続するビア線とを含む項目18に記載の無線デバイス。
[項目20]
電気要素は、受動電気素子又は能動電気素子で構成される項目19に記載の無線デバイス。
[項目21]
受動電気素子が、インダクタで構成される項目20に記載の無線デバイス。
[項目22]
デバイス筐体と、
第1面及び第1面と異なる第2面を有する第1平面基板と、
第1平面基板の第1面及び第2面によって支持される接地面と、
第1平面基板の第1面によって支持される第1金属板と、
第1平面基板の第2面によって支持される第2金属板と、
第1金属板及び第2金属板を接続するべく第1平面基板に形成される複数のビアと、
第1平面基板の第1面によって支持され、第1金属板を接地面に接続する電気要素と、
デバイス筐体の平面部分に近接して及び略平行に構成されるアンテナ部分と、
デバイス筐体の平面部分に近接して略平行に構成される第3平面基板とを備え、
電気要素に付随するインピーダンスがRF周波数源によって決定され、
アンテナ部分は、第2平面基板と、第2平面基板に付随する少なくとも1つの導電部分とを有し、
少なくとも1つの導電部分は、アンテナ部分に関する第1アンテナ信号の少なくとも1つの周波数における共振をサポートするように構成された右手/左手系複合(CRLH)メタマテリアル構造を形成する無線デバイス。
[項目23]
少なくとも1つの導電部分は、
セルパッチと、
セルパッチに容量結合されて近接して設けられる遠位端、及び、セルパッチから及びセルパッチへとアンテナ信号を向かわせる給電ポートに接続される近位端を有する給電線と、
セルパッチを接地面に接続するビア線とを含む項目22に記載の無線デバイス。
[項目24]
ビア線は、第2平面基板及び第3平面基板の縁に沿って延在する項目23に記載の無線デバイス。
[項目25]
第3平面基板が、空気により構成される項目22に記載の無線デバイス。
[項目26]
電気要素は、受動電気素子又は能動電気素子で構成される項目22に記載の無線デバイス。
[項目27]
受動電気素子が、インダクタで構成される項目26に記載の無線デバイス。
[項目28]
デバイス筐体と、
デバイス筐体内に位置して第1面及び第1面とは異なる第2面を有する基板構造と、
基板構造の第1面及び第2面によって支持される接地電極と、
基板構造の第1面によって支持される第1金属板及び第2金属板と、
第1金属板を接地電極に接続する第1電気要素と、
第2金属板を接地電極に接続する第2電気要素と、
基板構造によって支持される複数の導電部分を備え、
第1電気要素に付随するインピーダンスがRF周波数源によって決定され、
第2電気要素に付随するインピーダンスがRF周波数源によって決定され、
接地電極、基板構造の少なくとも一部及び複数の導電部分は、アンテナ信号に関して1以上の共振周波数を呈する右手/左手系複合(CRLH)メタマテリアルアンテナ構造を形成するように構成される無線デバイス。
[項目29]
複数の導電部分は、
セルパッチと、
セルパッチに容量結合されて近接して設けられる遠位端、及び、セルパッチから及びセルパッチへとアンテナ信号を向かわせる給電ポートに接続される近位端を有する給電線と、
セルパッチを接地に接続するビア線とを含む項目28に記載の無線デバイス。
[項目30]
セルパッチは、
第1金属板上方の投影される位置にあり、ビア線と接続される第1セル板と、
第1セル板に隣接し、第2金属板上方の投影される位置にある第2セル板とを含む項目29に記載の無線デバイス。
[項目31]
第1セル板と第2セル板とは、溝によって分離されている項目30に記載の無線デバイス。
[項目32]
第2金属板の1つの角が、L字形状の切り欠きを有する項目30に記載の無線デバイス。
[項目33]
デバイス筐体と、
デバイス筐体内に位置し、第1面及び第1面とは異なる第2面を有する第1平面基板と、
第1平面基板の第1面及び第2面上に形成された接地面と、
第1平面基板の第1面上に形成された第1金属板と、
第1平面基板の第2面上に形成された第2金属板と、
第1金属板及び第2金属板を接続するべく第1平面基板に形成される複数のビアと、
第1金属板を接地面に接続するべく第1平面基板の第1面上に形成される電気要素と、
デバイス筐体の第1平面部分に近接して略平行に構成される第1アンテナ部分と、
デバイス筐体の第2平面部分に近接して平行に構成される第2アンテナ部分と、
第1アンテナ部分と第2アンテナ部分とを接続するアンテナ結合部と、
デバイス筐体の第1平面部分に近接して略平行に構成される第3アンテナ部分と、
デバイス筐体の第4平面部分に近接して略平行に構成される第4アンテナ部分と、
第3アンテナ部分と第4アンテナ部分とを結合するアンテナ結合部とを備え、
電気要素に付随するインピーダンスは外部RF周波数源によって決定され、
第1アンテナ部分は、第1平面基板、及び、第1平面基板に付随する少なくとも1つの第1導電部を有し、
第2アンテナ部分は、第2平面基板、及び、第2平面基板に付随する少なくとも1つの第2導電部を有し、
第3アンテナ部分は、第1平面基板、及び、第1平面基板に付随する少なくとも1つの第3導電部分を有し、
第4アンテナ部分は、第4平面基板、及び、第4平面基板に付随する少なくとも1つの第4導電部を有し、
少なくとも1つの第1導電部及び少なくとも1つの第2導電部が、第1アンテナ部分及び第2アンテナ部分に関連付けられた第1アンテナ信号の少なくとも1つの周波数における共振をサポートするように構成された右手/左手系複合(CRLH)メタマテリアル構造を形成し、
少なくとも1つの第3導電部及び少なくとも1つの第4導電部が、第3アンテナ部分及び第4アンテナ部分に関連付けられた第2アンテナ信号の少なくとも1つの周波数における共振をサポートするように構成されたもう1つの右手/左手系複合(CRLH)メタマテリアル構造を形成する無線デバイス。
[項目34]
少なくとも1つの導電部分は、
セルパッチと、
セルパッチに容量結合されて近接して設けられる遠位端、及び、セルパッチから及びセルパッチへとアンテナ信号を向かわせる給電ポートに接続される近位端を有する給電線と、
セルパッチを接地面に接続するビア線とを含む項目33に記載の無線デバイス。
[項目35]
デバイス筐体は、USBドングルによって構成される項目34に記載の無線デバイス。
[項目36]
1以上のRFアンテナ周波数において1以上のアンテナ信号を送信又は受信する1以上のアンテナと、
1以上のアンテナと接続され、1以上のアンテナによって送信される1以上のアンテナ信号を生成する、又は、1以上のアンテナから1以上のアンテナ信号を受信するアンテナ回路と、
アンテナ回路と接続され、アンテナ回路及び1以上のアンテナに対して電気的接地を提供する接地電極構造と、
接地電極構造と直接接触することなく、接地電極構造と間隔をあけて設けられる導電要素と、
導電要素を接地電極構造に接続する周波数依存性コネクタとを備え、
周波数依存性コネクタは、導電要素と接地電極構造との間でDC信号が伝送されることを可能とする低インピーダンスを生成するよう構成され、
周波数依存性コネクタは、導電要素と接地電極構造との間で1以上のアンテナ信号が伝送されるのをブロックするべく、1以上のRFアンテナ周波数において高インピーダンスを生成するように構成される無線デバイス。
[項目37]
1以上のアンテナはそれぞれ、メタマテリアル構造を含む項目36に記載の無線デバイス。
[項目38]
1以上のアンテナはそれぞれ、右手/左手系複合(CRLH)メタマテリアル構造を含む項目36に記載の無線デバイス。
[項目39]
周波数依存性コネクタは、インダクタを含む項目36に記載の無線デバイス。
[項目40]
周波数依存性コネクタは、トランジスタを含む項目36に記載の無線デバイス。
[項目41]
周波数依存性コネクタは、ダイオードを含む項目36に記載の無線デバイス。
[項目42]
周波数依存性コネクタは、キャパシタを含む項目36に記載の無線デバイス。
[項目43]
導電要素に接続され、1以上のRFアンテナ周波数において1以上のアンテナから電気的に絶縁される電気ユニットを更に備える項目36に記載の無線デバイス。
[項目44]
電気ユニットは、1以上のキードームを含む項目43に記載の無線デバイス。
[項目45]
電気ユニットは、マイクを含む項目43に記載の無線デバイス。
[項目46]
1以上のアンテナ及び接地電極構造を形成するべくパターニングされた金属層を更に備える項目36に記載の無線デバイス。
[項目47]
1以上のアンテナ及び接地電極構造を形成するべくパターニングされた複数の金属層を更に備える項目36に記載の無線デバイス。
[項目48]
接地電極構造は、1つの接地電極を含む項目36に記載の無線デバイス。
[項目49]
接地電極構造は、2つ以上の接地電極を含む項目36に記載の無線デバイス。