JP5595593B2 - オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールのコーティング方法及びオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール - Google Patents

オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールのコーティング方法及びオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール Download PDF

Info

Publication number
JP5595593B2
JP5595593B2 JP2013527484A JP2013527484A JP5595593B2 JP 5595593 B2 JP5595593 B2 JP 5595593B2 JP 2013527484 A JP2013527484 A JP 2013527484A JP 2013527484 A JP2013527484 A JP 2013527484A JP 5595593 B2 JP5595593 B2 JP 5595593B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicone
support
dam
optoelectronic
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2013527484A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013538458A (ja
Inventor
パイル ミヒャエル
オスヴァルト フローリン
マイヴェーク ハラルト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heraeus Noblelight GmbH
Original Assignee
Heraeus Noblelight GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Noblelight GmbH filed Critical Heraeus Noblelight GmbH
Publication of JP2013538458A publication Critical patent/JP2013538458A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5595593B2 publication Critical patent/JP5595593B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/1446Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/90Methods of manufacture
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0274Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0104Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0108Transparent
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0137Materials
    • H05K2201/0162Silicon containing polymer, e.g. silicone
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0137Materials
    • H05K2201/0175Inorganic, non-metallic layer, e.g. resist or dielectric for printed capacitor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09818Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09909Special local insulating pattern, e.g. as dam around component
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10106Light emitting diode [LED]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10121Optical component, e.g. opto-electronic component
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10151Sensor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0104Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
    • H05K2203/0126Dispenser, e.g. for solder paste, for supplying conductive paste for screen printing or for filling holes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明は、オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールのコーティング方法に関する。この場合、オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールは平坦な支持体を含み、この平坦な支持体は1つまたは複数のオプトエレクトロニクスデバイスを装備しており、1つまたは複数のシリコーンから成り透明でUV耐性または温度耐性のあるコーティングを備えている。さらに本発明は、この方法に対応するオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールならびに複数のオプトエレクトロニクスチップを備えたシステムに関する。
冒頭で述べた形式のオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールは、例えば発光体、高出力UV−LEDランプ、光電池モジュール、センサ等として用いられる。ここで用いられるオプトエレクトロニクスデバイスは、本発明においては例えば(以下のものに限定されるものではないが)、チップまたは他の部品の形態をとるLEDまたはホトダイオードであり、これはチップオンボードモジュールにおいて平坦な支持体上に配置されており、つまり金属基板、セラミック基板、シリコン基板、メタルコアプリント配線板、FR4プリント配線板、ガラス基板、プラスチック支持体等の上に配置されている。これらのチップオンボードモジュールは、機械的な損傷や侵食に対して保護されなければならない。この目的で、できるかぎりコンパクトで簡単な解決策が求められている。
チップオンモジュールボードモジュールにおいてケーシングの形態で保護を行うのは、多くの場合、コストがかかるし技術的に煩雑である。チップオンボードモジュールの保護に対して有効な代案となるのは、プラスチックベースの注封材料によりコンポーネントを平面的に注封することである。導体路やコンタクト素子といった他の機能コンポーネントとともに、チップオンボードモジュールにおけるオプトエレクトロニクスデバイスは平面的な支持体とともに、コーティングによって機械的な損傷及び侵食から保護される。
通常、このためにエポキシ樹脂が用いられる。エポキシ樹脂は、注封材料として最初に液体として塗布され、その後、熱により及び/又は放射による誘導によって硬化される。注封材料は最初は液体であるので、注封材料が流れ出てしまうのを回避しなければならない。これは一般に、型又は固定的なフレームによって行われる。
これに対する代案となるのがいわゆる「ダム&フィルDam-and-Fill」法であり、この方法によれば、最初にチップオンボードモジュールの支持体上にプラスチックのダムが塗布されて形成され、これによって支持体の平面が取り囲まれ、ついでその中にエポキシ樹脂から成る充填材料が充填され、それが硬化される。この場合、ダムとフィルの材料が合わさって、モジュールのコーティングを成している。ダムを形成するためこの方法によれば、粘性のあるポリマをディスペンサによって塗布し、もしくは線を描くように付着し、その後、硬化することによって、それを取り去ることなくダムにより取り囲まれた平面に注封材料を流し込むことができる。
ただし、このようにして形成されたプラスチックダムは不透明である。したがって、このようにしてコーティングされたオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールは、つまり例えばLEDやホトダイオードのようなオプトエレクトロニクスデバイスを備えたチップオンボードモジュールは、周縁部に向かうにつれてそれらの光放射強度もしくは光感度が損なわれてしまう。
「ダム&フィル」法においてダムとして使用可能な別の材料の分類は、チキソトロピー性のエポキシ樹脂である。このようなエポキシ樹脂は、この目的のためには例えばチップカード製造に使用される。チキソトロピー性のエポキシ樹脂は、その粘度が機械的な力の作用とその持続時間とに依存するように処理されている。それゆえチキソトロピー性のエポキシ樹脂の場合、ダム形成のために塗布を行う際の力の作用により液体化が生じ、ついでノズルから出射された後、材料の張力低下により固体化が生じる。したがってこのようなエポキシ樹脂は、「ダム&フィル」法において安定したダムを形成するのによく適している。ただしエポキシ樹脂はUV耐性ではなく、そのため高出力UV−LEDモジュールの場合、あるいは光電池において生じるようにUV成分を含む太陽光線が集中的に照射された場合にも、耐性がない。エポキシ樹脂はUVの負荷を受けると急速に老化し、損傷してしまう。
UV耐性も温度耐性もありしかも紫外線から赤外線のスペクトル範囲の電磁放射に対し透明な材料が、注封部材の平面領域にも周縁領域にも用いられるようにした、チップオンボードモジュールのための平面的なコーティングを実現する方法は、これまで知られていなかった。
例えば、UV耐性も温度耐性もある透明なガラスフレームまたはガラスドームを接着するといった他の解決策であると、著しく手間をかけてフレームを取り付けなければならないし、コンパクトに仕上げるのが難しいフレームを作成しなければならない。しかもこのような解決策に起因して、重量が「ダム&フィル」による解決策よりも重くなってしまう。また、剛性のガラス材料であると、接合材料の熱膨張係数の整合がたいていは必要とされるが、このことがさらに障壁となってしまい、あとで形成される製品が熱的サイクルに晒されたときには殊に障壁となる。
ガラスフレームと、例えば温度耐性及びUV耐性のあるシリコーンのようなエポキシベースではない適切な材料を有する注封部材との組み合わせによる解決策の場合、フレームと基板との間の著しく小さな隙間から、著しく変形可能なシリコーンが注型時に流出してしまうおそれがある。しかも基板上には、フレームのためのスペースを設けなければならない。このことによって基板平面を最大限には利用できなくなってしまい、及び/又は所望のように並べて配置することができなくなってしまう。
面発光型の高出力UV−LEDモジュールまたはホトダイオードアレイを製造するためにチップオンボードテクノロジーを利用する場合には、既述の欠点を回避する平面的な注封部材を用いるのがさらに有利となる。光学的な効率が得られるようにし、さらにモジュールを最大限に並べて配置することができるようにするためには、注封部材が平面においても周縁領域においても透明であるようにすべきである。同様に、高い温度耐性及びUV耐性は、相応のオプトエレクトロニクスコンポーネントの製造のためにも長時間安定した機能のためにも重要である。
これまで述べてきた従来技術及び要求に鑑み本発明の課題は、オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールのコーティング方法ならびにこの方法に対応するコーティングされたオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールにおいて、UV耐性及び温度耐性のあるコーティングを実現するとともに、チップオンボードモジュール上で利用可能な平面をできるかぎり効率的に使えるようにすることである。
本発明によればこの課題は、1つまたは複数のオプトエレクトロニクスコンポーネントを備えた平坦な支持体を含み、1つまたは複数のシリコーンから成る透明で紫外線耐性及び温度耐性のあるコーティングが設けられている、オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールのコーティング方法において、
a)コーティングすべき支持体を第1の温度まで予備加熱するステップと、
b)第1の温度で硬化する熱的に硬化性で高反応性の第1のシリコーンから成りコーティングすべき支持体の1つの面または部分面を取り囲むダムを、前記予備加熱された支持体上に塗布するステップと、
c)ダムにより取り囲まれた支持体の1つの面または部分面を、流体の第2のシリコーンで充填するステップと、
d)第2のシリコーンを硬化するステップ、
を実施することにより解決される。
本発明による方法の基礎を成す着想は、「ダム&フィル」法を変形してシリコーンをダム材料として用いることである。このようにするのはこれまでは不可能であった。なぜならば、シリコーンの透明性を失うことなくシリコーンをチキソトロピー性にすることはできないからである。本発明によれば、シリコーンをチキソトロピー化するのではなく、高反応性のシリコーンが用いられ、予備加熱された支持体の上にこのシリコーンが塗布される。高反応性シリコーンが硬化する温度まで支持体が予備加熱され、しかもダム材料として用いられる高反応性シリコーンの体積及び質量は著しく僅かであるので、塗布されたダム材料は、流れ出てしまう前に著しく急速に硬化する。このようにすることで、隆起したジオメトリーを実現することができる。
高反応性シリコーンとは、第1の温度で急速に架橋もしくは硬化するシリコーンのことであり、このシリコーンは、本発明による方法においては、支持体に接触したときに流れ出すことなく透明なダムを形成する。硬化時間は有利には10秒までの範囲にあり、有利には5秒よりも短い。このようなシリコーンは知られている。第1のシリコーンに放射感応性の開始剤を含ませ、シリコーンの塗布後に放射殊に可視光又は紫外線光をシリコーンに照射して、事前に架橋を開始させる一方、主要な架橋は熱的に行われるようにすれば、硬化を加速させることも可能となる。
このように、シリコーンから成るダムが水槽またはフレームの形状で支持体に塗布されるので、ダムにより設定された槽が次に「ダム&フィル」プロセスにおいて流体のシリコーンにより充填され、このシリコーンはその後、一般に熱により硬化される。これに対し択一的に、またはこれに加えて、放射による硬化を用いることもできる。ダムの塗布は、ディスペンサもしくはノズルとモジュールの相対運動によって行われ、その際、ディスペンサを位置固定しておきモジュールを動かすこともできるし、あるいはその逆も可能である。
本発明によれば、シリコーンダムはシリコーン充填物と同様に透明であるので、シリコーンダムによっていかなる光学的な妨害も発生しない。したがって、平坦なモールドは完全に機能的なものである。これによってコーティングの効率が著しく高まり、これまでの場合よりもいっそう広い面を支持体上で利用できるようになる。なぜならば、慣用のダムは不透明であり、ダムによって覆われた面は電子コンポーネントのために利用できなかったからである。
本発明の方法によれば、ステップa)における第1の温度は通常、100℃〜150℃またはそれよりも高い温度である。この温度は、支持体上のオプトエレクトロニクスコンポーネントを損なうことなく、ダムのための高反応性シリコーンの急速な硬化を可能にするよう整合された温度である。
ダムにより取り囲まれた支持体の面または部分面を、均等にかつ隙間なく確実に充填する目的で、1つの有利な実施形態によれば、ステップb)の後でありステップc)の前に、支持体が第2の温度まで冷却され、及び/又は冷やされる。この温度は第1の温度よりも低く、殊に第2のシリコーンの硬化温度よりも低い温度である。第2のシリコーンもやはり第1の温度で硬化する場合、このことは殊に有利である。第2の温度まで支持体が冷却されていると、第2のシリコーンを硬化させることなく均等に分散させることができ、均等に隙間なく分散させた後、次のステップで硬化させることができる。この硬化を、やはり温度の上昇によって行うことができ、及び/又は放射による硬化によって行うこともできる。
これに加えて、またはこれに対する代案として、第2のシリコーンをダムの形成に用いる第1のシリコーンと等しい反応性にするかまたは第1のシリコーンよりも反応性を低くすると有利であり、あるいは同じシリコーンを第1のシリコーン及び第2のシリコーンとして用いるのが有利である。第2のシリコーンの反応性を低くした場合、支持体の温度を下げなくても、あるいは僅かにしか下げなくても、ダムにより取り囲まれた面を隙間なく均等に充填することができる。
ダムを少なくとも部分的に支持体周縁部に塗布すると、支持体上に存在する面を著しく効率的に利用することができて有利である。このようにすれば、設計自由度を高めることができ、殊に支持体の面全体を、紫外線と温度に耐性をもたせて透明にコーティングすることができる。
さらに有利であるのは、オプトエレクトロニクスコンポーネント、ボンディングワイヤまたは他の部品の上にダムを塗布することであり、そのようにすることでコーティング面の利用が、光学チップやボンディングワイヤあるいは他の部品の配置を考慮しなければならない状況によっても制約されなくなる。むしろ、ダムを任意の手法で支持体上に配置することができる。
本発明による方法の1つの有利な実施形態によれば、光を光学的に収束させるまたは散乱させる横断面形状を持たせてダムが塗布される。これにより、周縁領域における発光効率を要求に従ってモデリングすることができる。このことで、隣り合うモジュールを並置する可能性も向上する。なぜならば、周縁領域において影が生じるのが回避されるからである。ダムのためのシリコーン材料の自発的な硬化によってダムに形状を与えることができ、プロセスパラメータの調整によってその材料の硬化特性に影響を与えることができる。そのための相応のプロセスパラメータとは例えば、用いられるシリコーン材料の反応特性、支持体の温度、ダムの塗布速度、用いられるノズルの形状、ならびに用いられるノズルと支持体との間隔である。
有利には、第1のシリコーン及び/又は第2のシリコーンに、光学的に機能する材料例えば燐光性及び/又は散乱性の材料または粒子が混合される。燐光性材料は波長のシフトを生じさせるためのものであり、したがって殊にLEDモジュールの場合、放出される波長を要求通りに調整できるようになる。また、散乱性の粒子及び材料は、殊にランプモジュールの場合、均質な照明もしくは光照射を生じさせるためのものである。混合可能なその他の材料は、例えば色を吸収する材料もしくは色に対し活性的な材料である。
本発明の方法による同様に有利な実施形態によれば、第1のシリコーンの液滴は急速に硬化するレンズとして、支持体の個々のオプトエレクトロニクスコンポーネントの上に塗布される。この場合、それらの液滴は、ダムにより取り囲まれた領域内でアイランドを形成し、支持体上におけるオプトエレクトロニクスコンポーネントの外側におけるコーティングの光学特性を定める。ついで液滴状のこれらのレンズの周囲において、ダムにより取り囲まれた面が第2のシリコーンによって充填される。その際、レンズは有利には第2のシリコーンから突出していると有利である。
殊に、第1のシリコーン及び/又は第2のシリコーンを真空状態例えば約10mbarで前処理すると、欠陥個所のないコーティングが得られる。これにより、流体のシリコーン中に含まれるガスがシリコーンから抜かれる。第1のシリコーン及び/又は第2のシリコーンの塗布及び/又は硬化を有利には大気の超過圧力で行うことができ、例えば4〜10bar殊に約5〜7barの圧力で行うことができる。これによって、注型の際に形成されシリコーン中に含まれる気泡が消滅してその中に含まれるガスが欠陥個所なくシリコン中に及びシリコンを通して拡散する程度まで、それらの気泡が小さくなる。
本発明の基礎とする課題は、1つまたは複数のオプトエレクトロニクスコンポーネントを備えた平坦な支持体を含み、1つまたは複数のシリコーンから成る透明で紫外線耐性及び温度耐性のあるコーティングが設けられている、オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールにおいて、前記コーティングは、硬化された第1のシリコーンから成り前記支持体の1つの面または部分面を取り囲むダムと、前記1つの面または部分面に充填され硬化された第2のシリコーンを含むことにより解決される。本発明によるオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールには任意の手法で例えば面全体にわたり、透明でUV耐性及び温度耐性のあるコーティングが設けられており、したがって場合によっては支持体の面全体を光学コンポーネントのために利用することができる。このため支持体上のオプトエレクトロニクスコンポーネントの配置が、コーティングの条件や規制によって制限されることはない。
それ相応のシリコーンを用いることによって、典型的には約200℃の温度に至るまで数10W/cm2の強度に及ぶ紫外線耐性のある保護が得られる。このような保護が及ぶ範囲には、コーティングの下に位置する支持体もしくはチップオンボードモジュールの平面領域も周縁領域も含まれ、さらにモジュール及び接続部品も機械的に保護される。
有利には、本発明によるオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールは、上述の本発明による方法に従って製造され、または製造可能である。したがってこのモジュールは、本発明による方法に関連して説明した特性ならびに利点を有する。
有利には、ダムは少なくとも部分的に支持体(2,2′)の周縁部に延在している。このようにすることで、支持体上に存在する平面を要求に応じてオプトエレクトロニクスコンポーネントのために最適に利用することができる。コーティングの製造技術的な理由から周縁部を空けておく必要がない。
さらに有利には、第1のシリコーンと第2のシリコーンが同じ材料か成り、または硬化した状態において例えば透明度、色及び/又は屈折率に関して同じ光学的特性を有する。したがってチップオンボードモジュールのコーティングは全体として、有利にはどのようなポイントにおいても等しいまたは同様の光学的特性を有している。これに加えて有利であるのは、放射を収束させる特性または放射を散乱させる特性をもつよう、ダムの横断面を成形することである。
さらに有利には、支持体上で使える平面が最適に利用されかつオプトエレクトロニクスコンポーネントが保護されるよう、支持体には周縁部に至るまでまたは周縁部の僅か手前まで、オプトエレクトロニクスコンポーネントが装着されている。
さらに本発明の課題は、本発明による上述のオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールを2つ以上備えたシステムにおいて、前記オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールの複数の支持体が同一平面上に並置されており、例えば前記支持体の周縁部にオプトエレクトロニクスコンポーネントが装着されていることにより、隣り合う支持体の境界を越えてもオプトエレクトロニクスコンポーネントが規則的な間隔で規則的に配置されていることにより解決される。したがって、複数のチップオンボードモジュールを繋ぎ合わせた場合も、与えられた面をオプトエレクトロニクスコンポーネント例えばLEDまたはホトダイオードによって均等に周縁部を残さず利用できるようになる。
本発明による対象すなわち本発明による方法、本発明によるオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール及び本発明によるシステムに共通する点は、熱的に誘導される応力を減衰させることができるよう、シリコーンの硬さを選定できることであり、典型的にはゲルとほぼ100のショア硬さの間で選定することができる。そのような応力は、支持体とチップオンボード部品と接続材料との間で種々の膨張係数により発生する。
本発明の個々の対象ごとにこれまで述べてきたその他の特徴、特性ならびに利点は、何の制約もなく本発明のそれぞれ他の対象についても当てはまる。
次に、本発明について図面を参照しながら実施例に基づき説明する。ただし、これによって本発明の一般的な着想が制約されるものではない。また、文中で説明されていない本発明の詳細な点に関しては図面を参照されたい。なお、図中、同じ部材または同等の部材もしくは同様の部分には同じ参照符号が付されており、それらについて新たに説明しなおすことはしない。
チップオンボードLEDモジュールを示す図 慣用のダムを有する2つのチップオンボードLEDモジュールを備えたシステムを示す図 慣用の手法でコーティングされたチップオンボードLEDモジュールを示す図 本発明による手法でコーティングされたチップオンボードLEDモジュールを示す図
本発明について、オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールの例として、チップオンボードLEDモジュールつまり発光体に基づき説明する。ただし本発明の枠内で、オプトエレクトロニクコンポーネントとしてLEDモジュールの代わりに、太陽電池のホトダイオードあるいは他のコンポーネントを適用することができる。
図1には、チップオンボードLEDモジュール1がコーティングされていない状態で断面図として描かれている。この場合、並列に配置された2つの支持体2,2′もしくは基板の上に、導体路3,3′と、ケーシングで覆われていないLEDチップとして形成されたLED4,4′とが、規則的な間隔で配置されている。ここでは見やすくする目的で図1及びそれ以降の図面において、繰り返し描かれている素子すべてに参照符号を付しているわけではないが、それらの参照符号は同等の素子すべてを指すものである。したがって図1の場合、チップオンボードLEDモジュール1,1′各々についてそれぞれ1つのLED4,4′だけにしか参照符号は付されていないが、他のコンポーネントもそれぞれ同等のものである。
支持体2,2′を例えば、剛性、セミフレキシブルまたはフレキシブルな基板テクノロジーで構成された金属基板、セラミック基板、ケイ素基板、メタルコアプリント配線板またはFR4プリント配線板、ガラス支持体またはプラスチック支持体、メタルコアプリント配線板とすることができる。
ここではLED4,4′のコーンビーム5,5′が線で表されている。LEDは近似的にランベルト放射器であり、これは開口角120°以内で放射される光出力全体の約75%を送出する。LED4,4′が取り付けられた面が測定間隔よりも広がっており、この間隔がピッチとも称するLEDチップの間隔よりも十分に大きければ、拡散して照射を行う均質な面と同等の特性を有する均質な強度分布が測定される。
図1に示した事例の場合、均質な強度分布は隣り合うモジュール1,1′間の継ぎ目個所6も超えて続いている。その理由は、LED4,4′が支持体に規則的に周縁部に装着されており光学的な妨害がないことから、この個所においてコーンビーム5,5′のオーバラップ領域7が良好に形成されていることによる。
図2には、互いに並置されている複数のチップオンボードモジュール2、2′から成るシステムが、慣用のダム&フィル法によりコーティングされている場合に、どのように放射するのかが描かれている。ここでは見やすくするため、コーティングのうち非透過性材料から成るダム12,12′だけがそれぞれ描かれている。ダム12,12′が非透過性であることから、LED4,4′のコーンビーム5,5′は、これらのダム12,12′のところで遮断される。したがって継ぎ目個所6のところでは、オーバラップ領域7′の制約が引き起こされ、そこでは発光密度ないしは輝度が、図1に示した例よりも著しく低減されている。
このことに加え、慣用のダム12,12′をLED4,4′の上に配置することはできず、固有のスペースを必要とする。したがって図2のチップオンボードLEDモジュール11,11′において、支持体2,2′の周縁領域にはLED4,4′を配置しないようにしなければならない。このように支持体2,2′の周縁領域においていっそう大きく間隔がとられることから、継ぎ目個所6における光の放射の均質性がさらに劣化してしまう。
図3には、図2に示したものと同様のチップオンボードLEDモジュール11が描かれている。ただし図3の場合にはコーンビーム5,5′は示されておらず、エポキシ樹脂から成る充填材13が示されている。ダム12とエポキシ樹脂13から成るコーティングによって、オプトエレクトロニクスコンポーネントすなわちLED4と導体路とチップオンボードLEDモジュール11の支持体2が機械的に保護されるが、これらは紫外線に対し耐性がなく、しかもダム12は透明ではない。
図4には、本発明によるチップオンボードLEDモジュール21が示されており、このモジュールは、一般的なコンポーネントである支持体2と導体路3とLED4のほか、高反応性のシリコーンから成るダム22と、シリコーンから成る充填材23を有している。このコーティング24は、充填材23においてもダム22においても透明であり、したがってLED4を支持体2の周縁部に至るまで均等に配分して配置することができる。ダム22の一部分はLED4の上にまで及んで支持体2に塗布されているが、このダムは透明であることから、LED4の光の放射を妨げて暗くすることはない。
このような構成を製造するにあたり、まずは支持体2がその上に載置されるコンポーネントすなわち導体路3及びLEDチップ4とともに加熱され、ついで高反応性シリコーンから成るダム22が望ましいかたちで支持体2に塗布される。これはごく僅かな量であり、支持体2の温度はシリコーンの利用温度付近にあるかまたは利用温度よりも高いので、ダム22のシリコーンは溢れ出たり流れ出たりする前に硬化する。シリコーンにそれ相応の開始剤が含まれているならば、放射誘導による事前硬化を行うこともできる。ついで、ダムがLED4の高さを超えて支持体2の上に突出した後、ダムが流体のシリコーン23によって充填され、その後、硬化される。
このようにして変形された「ダム&フィル」法によって初めて、オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールに対し透明で紫外線及び温度に耐性のあるコーティングを行うことができるようになる。
これまで述べてきたすべての特徴、ならびに図面のみから読み取れる特徴、さらには他の特徴との組み合わせとして開示されている個々の特徴のいずれも、それら単独であっても、また組み合わせとしても、本発明の本質としてみなされる。本発明による実施形態を、個々の特徴によって、あるいは複数の特徴の組み合わせによって、実現することができる。
1,1′ チップオンボードLEDモジュール
2,2′ 支持体
3,3′ 導体路
4,4′ LED
5,5′ コーンビーム
6 継ぎ目個所
7 オーバラップ領域
7′ 制約されたオーバラップ領域
11,11′ チップオンボードLEDモジュール
12,12′ チキソトロピー性のエポキシ樹脂から成るダム
13 エポキシ樹脂から成る充填材
14 コーティング
21 チップオンボードLEDモジュール
22 高反応性シリコーンから成るダム
23 シリコーンから成る充填材
24 コーティング

Claims (13)

  1. 1つまたは複数のオプトエレクトロニクスコンポーネント(4)を備えた平坦な支持体(2,2′)を含み、第1および第2のシリコーン(22,23)から成る透明で紫外線耐性及び温度耐性のあるコーティング(24)が設けられている、
    オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール(1,1′,21)のコーティング方法において、
    a)コーティングすべき支持体(2,2′)を第1の温度まで予備加熱するステップと、
    b)放射感応性の開始剤を含むとともに前記第1の温度で硬化する熱的に硬化性で高反応性の第1のシリコーンから成りコーティングすべき前記支持体(2,2′)の1つの面または部分面を取り囲むダム(22)を前記予備加熱された支持体(2,2′)上に塗布するステップと、
    c)前記ダム(22)に放射光を照射するステップと、
    )前記ダム(22)により取り囲まれた前記支持体(2,2′)の1つの面または部分面を、流体の第2のシリコーン(23)で充填するステップと、
    )前記第2のシリコーン(23)を硬化するステップ
    を有することを特徴とする方法。
  2. 前記ステップb)の後であり前記ステップ)の前に前記支持体(2,2′)を、前記第1の温度よりも低い第2の温度まで、例えば前記第2のシリコーン(23)の硬化温度よりも低い第2の温度まで、冷却する及び/又は冷ます、
    請求項1記載の方法。
  3. 前記第2のシリコーン(23)は、前記ダム(22)の形成に用いられる第1のシリコーンと同じ反応性であるかまたは該第1のシリコーンよりも反応性が低く、または、
    第1のシリコーン及び第2のシリコーン(23)として同じシリコーンを用いる、
    請求項1または2記載の方法。
  4. 前記ダム(22)を、少なくとも部分的に前記支持体(2,2′)の周縁部に塗布する、
    請求項1から3のいずれか1項記載の方法。
  5. 前記ダム(22)を、オプトエレクトロニクスコンポーネント(4)、ボンディングワイヤまたは他の部品の上に塗布する、
    請求項1から4のいずれか1項記載の方法。
  6. 前記ダム(22)を、光を光学的に収束させるまたは散乱させる横断面形状を持たせて塗布する、
    請求項1から5のいずれか1項記載の方法。
  7. 前記第1のシリコーン及び/又は前記第2のシリコーン(23)に、光学的に機能する材料例えば燐光性及び/又は散乱性の材料または粒子を混合する、
    請求項1から6のいずれか1項記載の方法。
  8. 前記第1のシリコーンの液滴を、急速に硬化するレンズとして前記支持体(2,2′)の個々のオプトエレクトロニクスコンポーネント(4)の上に塗布する、
    請求項1から7のいずれか1項記載の方法。
  9. 請求項1から8のいずれか1項記載の方法に従い製造されているまたは製造可能である、オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール(21)であって、
    1つまたは複数のオプトエレクトロニクスコンポーネント(4)を備えた平坦な支持体(2,2′)を含み、1つまたは複数のシリコーン(22,23)から成る透明で紫外線耐性及び温度耐性のあるコーティング(24)が設けられており、
    記コーティング(24)は、硬化された第1のシリコーンから成り前記支持体(2,2′)の1つの面または部分面を取り囲むダム(22)と、前記1つの面または部分面に充填され硬化された第2のシリコーン(23)と、を含む、
    ことを特徴とするオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール(21)。
  10. 前記ダム(22)は、少なくとも部分的に前記支持体(2,2′)の周縁部に延在している、
    請求項9記載のオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール(21)。
  11. 前記第1のシリコーン及び前記第2のシリコーン(23)は、同一の材料から成り、または硬化した状態において等しい光学特性を有しており、例えば透明度、色及び/又は屈折率に関して等しい光学特性を有している、
    請求項9または10記載のオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール(21)。
  12. 前記支持体(2,2′)には、周縁部に至るまでまたは周縁部の直前まで、オプトエレクトロニクスコンポーネント(4)が設けられている、
    請求項9から11のいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール(21)。
  13. 請求項9から12のいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール(21)を2つ以上備えたシステムにおいて、
    前記オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール(21)の複数の支持体(2,2′)が同一平面上に並置されており、
    例えば前記支持体(2,2′)の周縁部にオプトエレクトロニクスコンポーネント(4)が装着されていることにより、隣り合う支持体(2,2′)の境界を越えてもオプトエレクトロニクスコンポーネント(4)が規則的な間隔で規則的に配置されている
    ことを特徴とするシステム。
JP2013527484A 2010-09-06 2011-08-29 オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールのコーティング方法及びオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール Expired - Fee Related JP5595593B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010044470.7 2010-09-06
DE102010044470.7A DE102010044470B4 (de) 2010-09-06 2010-09-06 Verfahren zur Beschichtung eines optoelektronischen Chip-On-Board-Moduls, optoelektronisches Chip-On-Board-Modul und System damit
PCT/EP2011/004327 WO2012031704A1 (de) 2010-09-06 2011-08-29 Verfahren zur beschichtung eines optoelektronischen chip-on-board-moduls und optoelektronisches chip-on-board-modul

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013538458A JP2013538458A (ja) 2013-10-10
JP5595593B2 true JP5595593B2 (ja) 2014-09-24

Family

ID=44651629

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013527484A Expired - Fee Related JP5595593B2 (ja) 2010-09-06 2011-08-29 オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールのコーティング方法及びオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9093622B2 (ja)
EP (1) EP2614693B1 (ja)
JP (1) JP5595593B2 (ja)
CN (1) CN103190205A (ja)
DE (1) DE102010044470B4 (ja)
WO (1) WO2012031704A1 (ja)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011107892A1 (de) 2011-07-18 2013-01-24 Heraeus Noblelight Gmbh Beschichtungsverfahren für einoptoelektronisches Chip-On-Board-Modul
KR101660684B1 (ko) 2010-09-06 2016-09-27 헤레우스 노블라이트 게엠베하 광전자 칩-온-보드 모듈을 위한 코팅 방법
DE102010044470B4 (de) 2010-09-06 2018-06-28 Heraeus Noblelight Gmbh Verfahren zur Beschichtung eines optoelektronischen Chip-On-Board-Moduls, optoelektronisches Chip-On-Board-Modul und System damit
EP2704220B1 (en) * 2011-04-26 2018-03-07 Sanyu Rec Co., Ltd. Method and apparatus for manufacturing optical device
DE102011107895B4 (de) 2011-07-18 2020-11-05 Heraeus Noblelight Gmbh Optoelektronisches Modul mit Linsensystem
DE102011107893A1 (de) 2011-07-18 2013-01-24 Heraeus Noblelight Gmbh Optoelektronisches Modul mit verbesserter Optik
JP5810758B2 (ja) * 2011-08-31 2015-11-11 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2014022435A (ja) * 2012-07-13 2014-02-03 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法
TWI548005B (zh) * 2014-01-24 2016-09-01 環旭電子股份有限公司 選擇性電子封裝模組的製造方法
JP6274943B2 (ja) * 2014-03-27 2018-02-07 新日本無線株式会社 Ledモジュールおよびその製造方法
CN104037097B (zh) * 2014-05-23 2016-12-07 南通皋鑫科技开发有限公司 一种塑封轴向二极管胶层涂敷方法
DE102014112540A1 (de) * 2014-09-01 2016-03-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
JP6587161B2 (ja) * 2015-07-22 2019-10-09 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
DE102016101942B4 (de) 2016-02-04 2022-07-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung
USD814675S1 (en) 2016-08-01 2018-04-03 Streamlight, Inc. Light resembling a key
US10295128B2 (en) 2016-08-01 2019-05-21 Streamlight, Inc. Lighting device including an LED chip-on-board light source and conformal lens
US10700252B2 (en) * 2017-04-18 2020-06-30 Bridgelux Chongqing Co., Ltd. System and method of manufacture for LED packages
US10193042B1 (en) * 2017-12-27 2019-01-29 Innolux Corporation Display device
CA3108074A1 (en) * 2018-07-30 2020-02-06 Knog Pty Ltd Portable light

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6790473B2 (en) * 1995-10-26 2004-09-14 International Business Machines Corporation Lead protective coating composition, process and structure thereof
NL1004651C2 (nl) 1996-11-29 1998-06-03 Nedcard Werkwijze voor het inkapselen van een chip op een drager.
DE10024336A1 (de) * 2000-05-17 2001-11-22 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Bauelementanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Bauelementanordnung
EP1779421A1 (en) 2004-08-06 2007-05-02 Hitek Power Corporation Selective encapsulation of electronic components
JP2006114737A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Akita Denshi Systems:Kk 光半導体装置及びその製造方法
US8835952B2 (en) * 2005-08-04 2014-09-16 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants
US7646035B2 (en) * 2006-05-31 2010-01-12 Cree, Inc. Packaged light emitting devices including multiple index lenses and multiple index lenses for packaged light emitting devices
US7521728B2 (en) 2006-01-20 2009-04-21 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed reflectors and methods of forming the same
US20080112162A1 (en) 2006-11-09 2008-05-15 Topson Optoelectronics Semi-Conductor Co., Ltd. Backlight Structure Having Embedded LEDs and Fabrication Method Thereof
US7633055B2 (en) * 2007-03-08 2009-12-15 Lumination Llc Sealed light emitting diode assemblies including annular gaskets and methods of making same
US7659531B2 (en) * 2007-04-13 2010-02-09 Fairchild Semiconductor Corporation Optical coupler package
US8883528B2 (en) * 2007-10-01 2014-11-11 Intematix Corporation Methods of producing light emitting device with phosphor wavelength conversion
JP2009102574A (ja) * 2007-10-25 2009-05-14 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体素子用硬化性組成物
US8049237B2 (en) * 2007-12-28 2011-11-01 Nichia Corporation Light emitting device
DE102008025491A1 (de) * 2008-05-28 2009-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Leiterplatte
JP4881358B2 (ja) 2008-08-28 2012-02-22 株式会社東芝 発光装置
US8247827B2 (en) 2008-09-30 2012-08-21 Bridgelux, Inc. LED phosphor deposition
JP5673993B2 (ja) * 2008-12-26 2015-02-18 東芝ライテック株式会社 光源モジュールおよび照明装置
DE102010044470B4 (de) 2010-09-06 2018-06-28 Heraeus Noblelight Gmbh Verfahren zur Beschichtung eines optoelektronischen Chip-On-Board-Moduls, optoelektronisches Chip-On-Board-Modul und System damit

Also Published As

Publication number Publication date
US9093622B2 (en) 2015-07-28
DE102010044470B4 (de) 2018-06-28
EP2614693B1 (de) 2019-05-08
CN103190205A (zh) 2013-07-03
EP2614693A1 (de) 2013-07-17
DE102010044470A1 (de) 2012-03-08
US20150155453A1 (en) 2015-06-04
JP2013538458A (ja) 2013-10-10
US9252341B2 (en) 2016-02-02
US20130154130A1 (en) 2013-06-20
WO2012031704A1 (de) 2012-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5595593B2 (ja) オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールのコーティング方法及びオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール
KR101660684B1 (ko) 광전자 칩-온-보드 모듈을 위한 코팅 방법
US8455902B2 (en) Optical device and method for manufacturing optical device, and camera module and endoscope module equipped with optical device
US7282806B2 (en) Semiconductor devices at least partially covered by a composite coating including particles dispersed through photopolymer material
CN102509759A (zh) 发光装置以及光源模块
CN106662794A (zh) Led照明单元
US10727382B2 (en) Method of forming one or more three-dimensional objects
JP2014523650A (ja) レンズシステムを備えた光電子モジュール
CN102236266A (zh) 具有发光二极管阵列的曝光装置
CN112786742B (zh) 显示面板及其制作方法
KR101887551B1 (ko) Led 제조장치 및 이를 포함하는 led 제조시스템
CN102981301A (zh) 一种显示设备的制造方法
JP2014096558A (ja) プリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法
US11378740B2 (en) Optical waveguide and method for manufacturing same
JP3619128B2 (ja) 光半導体装置の製造方法
JP2005520330A (ja) 半導体デバイスを封止するための方法および装置
KR102643109B1 (ko) 자외선 경화 장치, 밴딩보호층 형성 시스템 및 자외선 경화 방법
KR101866525B1 (ko) Led, led 제조 장치, led 제조방법
Cai et al. Mold-free in situ formation of encapsulating lens with controllable viewing angle for LEDs by photosensitive polymerization process
KR101822380B1 (ko) 엘이디용 봉지재 경화 방법
TW202328709A (zh) 電子裝置之製造方法、及覆蓋玻璃
JP2008028223A (ja) 光半導体装置の製造方法及び光半導体装置
US20100033091A1 (en) Light emitting unit and method of manufacturing the light emitting unit
JP2016068263A (ja) 液体吐出ヘッドの製造方法
JPH05175261A (ja) 半導体素子樹脂コート方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140114

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140115

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140328

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140421

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140707

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140805

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5595593

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees