KR101887551B1 - Led 제조장치 및 이를 포함하는 led 제조시스템 - Google Patents
Led 제조장치 및 이를 포함하는 led 제조시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101887551B1 KR101887551B1 KR1020170079149A KR20170079149A KR101887551B1 KR 101887551 B1 KR101887551 B1 KR 101887551B1 KR 1020170079149 A KR1020170079149 A KR 1020170079149A KR 20170079149 A KR20170079149 A KR 20170079149A KR 101887551 B1 KR101887551 B1 KR 101887551B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- lead frame
- heat source
- unit
- compound
- source unit
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 32
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 22
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 21
- UDQTXCHQKHIQMH-KYGLGHNPSA-N (3ar,5s,6s,7r,7ar)-5-(difluoromethyl)-2-(ethylamino)-5,6,7,7a-tetrahydro-3ah-pyrano[3,2-d][1,3]thiazole-6,7-diol Chemical compound S1C(NCC)=N[C@H]2[C@@H]1O[C@H](C(F)F)[C@@H](O)[C@@H]2O UDQTXCHQKHIQMH-KYGLGHNPSA-N 0.000 claims description 16
- 229940125936 compound 42 Drugs 0.000 claims description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- -1 carbon fiber compound Chemical class 0.000 claims description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 5
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims description 4
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 3
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000011416 infrared curing Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000003752 zinc compounds Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 발명은 LED를 제조하기 위한 LED 제조장치 및 이를 포함하는 LED 제조시스템 에 관한 것이다.
본 발명은, 다수의 LED 소자(10)들이 실장된 리드프레임(20)에 구비되는 리플렉터(30) 내측에 충진된 몰딩제(40)를 경화시키기 위한 LED 제조장치(100)로서, 적외선을 발생시키는 광원부(110)와; 상기 광원부(110)에서 나온 적외선을 상기 몰딩제(40)에 조사하기 위한 광경로를 형성하는 광학계(120)를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 제조장치(100)를 개시한다.
본 발명은, 다수의 LED 소자(10)들이 실장된 리드프레임(20)에 구비되는 리플렉터(30) 내측에 충진된 몰딩제(40)를 경화시키기 위한 LED 제조장치(100)로서, 적외선을 발생시키는 광원부(110)와; 상기 광원부(110)에서 나온 적외선을 상기 몰딩제(40)에 조사하기 위한 광경로를 형성하는 광학계(120)를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 제조장치(100)를 개시한다.
Description
본 발명은 LED를 제조하기 위한 LED 제조장치 및 이를 포함하는 LED 제조시스템 에 관한 것이다.
LED(light emission diode)는 반도체의 p-n 접합 구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 정공)를 만들고 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자로서, 소비 전력이 적고 수명이 길며, 협소한 공간에 설치 가능하고, 또한 진동에 강한 특성을 갖고 있다.
통상의 LED 패키지는 기판상에 설치된 리드프레임과, 리드프레임에 설치되어 빛을 발광하는 LED 소자와, LED 소자와 리드프레임을 전기적으로 연결하는 본딩와이어와, LED 소자로부터 발광된 빛을 반사시키는 리플렉터와, 리플렉터의 내측에 충전되어 LED 소자와 본딩와이어를 밀봉함으로써 보호되도록 하는 몰딩제(봉지재)를 포함하여 구성된다.
일반적으로 LED 패키지 조립 공정은 집적회로가 형성되어 있는 웨이퍼를 각각의 LED 소자로 분리하는 웨이퍼 소잉(wafer sawing) 공정과, 각 LED 소자를 리드프레임에 소정의 접착수단을 사용하여 실장하는 다이 어태치(die attach) 공정과, LED 소자의 전극 패드와 리드프레임의 리드를 금속 세선으로 연결하는 와이어 본딩(wire bonding) 공정과, LED 소자가 실장된 부분을 외부환경으로부터 보호하기 위하여 성형수지로 봉합하는 몰딩(molding) 공정 및 몰딩 공정이 완료된 LED 패키지의 신뢰성을 검증하기 위한 테스트(test) 공정을 포함하며, 이 밖에도 부수적으로 여러가지 공정이 추가적으로 진행된다.
특히, LED 패키지 제조 공정 중 몰딩 공정후에는 경화(cure) 공정이 진행되는데, 경화 공정은 몰딩 공정이 완료된 LED 패키지에 일정 시간 동안 열을 가하여 성형수지 특성을 안정되게 함으로써, 외부의 화학적기계적 스트레스로부터 내부의 LED 소자 및 금속 세선을 보호하기 위한 공정이다.
통상적으로 몰딩 공정이 완료된 리드프레임 스트립(lead frame strip)이 매거진(magazine) 또는 캐리어(carrier)와 같은 보관용기에 적재된 이후에, 이 보관용기를 LED 패키지 경화장치에 입고시켜 리드프레임 스트립에 형성된 반제품 상태의 LED 패키지를 경화시킨다.
즉, 종래의 패키지 경화시스템에서는 몰딩이 이루어진 LED 패키지의 경화작업이 다수의 리드프레임이 매거진에 적층된 상태에서 경화장치(오븐 또는 챔버 등)에 수동으로 반입되어 장시간(대략 2시간)동안 이루어진다.
그에 따라 종래의 패키지 경화시스템은 공정이 단계별 매뉴얼을 따라 수행되므로 공정효율이 떨어지는 문제점이 있다.
또한, 경화장치에 반입되기 전 복수의 리드프레임들에 봉지재의 도포가 순차적으로 이루어지므로 봉지재 도포후 경화장치에서 경화되기까지 대기시간이 발생한다.
즉, 종래의 오븐을 이용한 몰딩제의 경화 과정은 2시간 이상의 경화시간이 필요하여 봉지재가 열 유동에 의해 형광체의 침전 및 뭉침 현상이 발생하는 문제점이 있다.
또한, 봉지재의 열 유동으로 인해 LED 패키지의 내부 위치 간 형광체 함량이 불균일하게 배치되어 동일한 재료로 제작된 LED 패키지 제품이라도 제품 간 색 좌표 편차와 휘도 편차를 유발하는 문제점이 있다.
또한, 종래의 경화방법은 경과과정에서 몰딩제의 스트레스 감소를 위해 오랜 시간 경화해야 하므로 공정시간이 길어지는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 인식하여, 리드프레임의 리플렉터 내측에 충진된 몰딩제에 적외선을 조사하여 몰딩제를 경화시킴으로써, LED 패키지 경화에 소요되는 시간을 크게 감소시키고 제조된 LED의 성능을 개선할 수 있으며 LED 패키지 사이의 성능편차를 최소화 할 수 있는 LED 제조장치 및 이를 포함하는 LED 제조시스템을 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 다수의 LED 소자(10)들이 실장된 리드프레임(20)에 구비되는 리플렉터(30) 내측에 충진된 몰딩제(40)를 경화시키기 위한 LED 제조장치(100)로서, 적외선을 발생시키는 광원부(110)와; 상기 광원부(110)에서 나온 적외선을 상기 몰딩제(40)에 조사하기 위한 광경로를 형성하는 광학계(120)를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 제조장치(100)를 개시한다.
상기 광원부(110)는, 적외선 레이저빔을 출력할 수 있다.
상기 광학계(120)는, 상기 광원부(110)에서 발생된 적외선의 형상, 크기 및 에너지분포 중 적어도 하나를 조정하기 위한 빔조정부(122)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 몰딩제(40)에 조사되는 적외선은 라인빔(Line beam)일 수 있다.
이때, 상기 빔조정부(122)는, 상기 광원부(110)에서 발생된 적외선을 라인빔으로 변환하기 위한 라인빔형성부(124)를 포함할 수 있다.
다른 일 실시예에서, 상기 몰딩제(40)에 조사되는 적외선은 스팟빔(Spot beam)일 수 있다.
이때, 상기 LED 제조장치(100)는, 상기 스팟빔을 상기 리드프레임(20) 상면에 대해 스캔하는 빔스캐닝부(130)를 더 포함할 수 있다.
상기 리드프레임(20)은, 상기 광학계(120)의 하측에서 상기 광학계(120)에 대하여 수평방향으로 이송되며 적외선이 조사될 수 있다.
상기 몰딩제(40)는, 상기 적외선에 의해 발열되는 열원부(41)를 혼합한 고분자 화합물(42)일 수 있다.
본 발명은, 다수의 LED 소자(10)들이 실장된 리드프레임(20)에 구비되는 리플렉터(30) 내측에 충진된 몰딩제(40)를 경화시키기 위한 LED 제조장치(100)와; 로딩적재부(310)에 적재된 다수의 리드프레임(20)을 상기 LED 제조장치(100)로 순차적으로 로딩하는 리드프레임로딩부(300)와; 상기 LED 제조장치(100)으로부터 몰딩제(40)에 대한 경화가 완료된 리드프레임(20)을 전달받아 언로딩적재부(50)로 언로딩하는 리드프레임언로딩부(400)를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 제조시스템을 개시한다.
상기 LED 제조시스템은, 상기 리드프레임로딩부(300) 및 상기 LED 제조장치(100) 사이에 설치되며, 상기 리드프레임로딩부(300)로부터 로딩된 리드프레임(20)의 리플렉터(30) 내측에 몰딩제(40)를 충진하는 디스펜서부(200)를 더 포함할 수 있다.
상기 LED 제조시스템은, 상기 리드프레임로딩부(300)로부터 리드프레임(20)을 전달받거나 상기 리드프레임로딩부(400)로 리드프레임(20)을 전달하며, 상기 LED 제조장치(100)의 하측에 설치되어 리드프레임(20)을 수평방향으로 이송하는 이송부(500)를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 LED 제조장치 및 이를 포함하는 LED 제조시스템은, 리드프레임의 리플렉터 내측에 충진된 몰딩제에 적외선을 조사하여 몰딩제를 경화시킴으로써, LED 패키지 경화에 소요되는 시간을 크게 감소시키고 제조된 LED의 성능(발광효율, 광특성편차, 수명)을 개선할 수 있으며 LED 패키지 사이의 성능편차를 최소화 할 수 있는 이점이 있다.
구체적으로, 본 발명에 따른 LED 제조장치 및 이를 포함하는 LED 제조시스템은, LED 제조과정에서 몰딩제에 포함된 열원부로 일정 파장범위의 빛을 조사하여 몰딩제의 내측으로부터 경화가 이루어지도록 구성함으로써, 몰딩제의 가스 배리어성을 개선하고, 경화에 필요한 시간을 10초 이내로 단축하여 몰딩제의 형광체 침전을 방지하며 생산수율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 LED 제조장치 및 이를 포함하는 LED 제조시스템은, 몰딩제를 신속하게 경화시킴으로써, 몰딩제의 수축과정에서 발생하는 스트레스를 감소시켜 LED 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 LED 제조장치 및 이를 포함하는 LED 제조시스템은, 적외선을 직접 몰딩제에 조사하기 때문에 몰딩제를 투과한 적외선이 리드프레임의 리플렉터 도금면(예를 들어, Ag 도금면)에 의해 다시 몰딩제로 반사됨으로써 다중으로 적외선을 조사하는 효과를 얻을 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 LED 제조장치 및 이를 포함하는 LED 제조시스템은, LED 패키지 경화공정을 자동화 하여 LED 패키지 양산효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 제조시스템을 보여주는 사시도이다.
도 2는, 도 1의 LED 제조시스템의 구성을 보여주는 개략도이다.
도 3은, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 제조장치를 보여주는 개략도이다.
도 4는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 제조장치를 보여주는 개략도이다.
도 5는, 도 4의 LED 제조장치의 구성 일부를 보여주는 사시도이다.
도 6a는, 도 3의 LED 제조장치의 동작을 설명하는 도면이고, 도 6b는, 도 4의 LED 제조장치의 동작을 설명하는 도면이다.
도 2는, 도 1의 LED 제조시스템의 구성을 보여주는 개략도이다.
도 3은, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 제조장치를 보여주는 개략도이다.
도 4는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 제조장치를 보여주는 개략도이다.
도 5는, 도 4의 LED 제조장치의 구성 일부를 보여주는 사시도이다.
도 6a는, 도 3의 LED 제조장치의 동작을 설명하는 도면이고, 도 6b는, 도 4의 LED 제조장치의 동작을 설명하는 도면이다.
이하 본 발명에 따른 LED 제조장치 및 이를 포함하는 LED 제조시스템에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 LED 제조시스템은, 도 1 내지 도 6b에 도시된 바와 같이, 다수의 LED 소자(10)들이 실장된 리드프레임(20)에 구비되는 리플렉터(30) 내측에 충진된 몰딩제(40)를 경화시키기 위한 LED 제조장치(100)를 포함한다.
상기 리드프레임(20)은, 상면에 구비된 리플렉터(30) 내측에 복수의 LED 소자(10)들이 N x M 매트릭스 (여기서, N 및 M은 자연수) 형태로 실장되는 스트립일 수 있다.
여기서, 상기 LED 패키지는, 금속세선을 통해 리드프레임(20)의 리드에 연결(와이어 본딩)되어 리드프레임(20)에 실장된 LED 소자(10)로 구성될 수 있다.
상기 LED 제조시스템은, 리드프레임(20)의 리플렉터(30) 내측에 충진된 몰딩제(40)를 경화시킬 수 있다.
상기 LED 제조장치(100)는, 다수의 LED 소자(10)들이 실장된 리드프레임(20)에 구비되는 리플렉터(30) 내측에 충진된 몰딩제(40)를 경화시키는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 LED 제조장치(100)는, 도 3 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 적외선을 발생시키는 광원부(110)와; 광원부(110)에서 나온 적외선을 몰딩제(40)에 조사하기 위한 광경로를 형성하는 광학계(120)를 포함할 수 있다.
상기 광원부(110)는, 일정파장범위 또는 단파장을 가지는 적외선을 발생시키는 광원으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 광원부(110)는, 근 적외선 영역인 800nm부터 적외선 영역인 2um 사이의 파장 영역을 갖는 적외선을 발생시킬 수 있으나, 바람직하게는, 몰딩제(40)의 열원부(42)가 비발광하는 파장 범위인 980nm 파장의 적외선을 발생시킬 수 있다.
예로서, 상기 광원부(110)는, 적외선 레이저빔을 출력하는 IR CW 레이저(Continuous wave laser)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 광원부(110)는 적외선을 발생시키는 구성으로 설명하였으나, 적외선이 아닌 일정 광도 이상의 자외선, 가시광 또는 근적외선 등을 출력하는 광원으로 구성될 수 있음은 물론이다.
상기 광학계(120)는, 광원부(110)에서 나온 적외선을 상기 몰딩제(40)에 조사하기 위한 광경로를 형성하는 구성으로, 반사부재, 렌즈부재 및 조리개부재 등을 포함하는 등 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 광학계(120)는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 광원부(110)에서 나온 적외선의 진행방향을 조정하기 위한 하나 이상의 반사부재(121)와, 적외선의 광경로 상에 설치되어 광원부(110)에서 발생된 적외선의 형상, 크기 및 에너지분포 중 적어도 하나를 조정하기 위한 빔조정부(122)를 포함할 수 있다.
상기 빔조정부(122)는, 광원부(110)에서 발생된 적외선의 형상, 크기 및 에너지분포 중 적어도 하나를 조정하는 구성으로, 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 빔조정부(122)는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 광원부(110)에서 나온 적외선의 광선속의 굵기(빔단면 크기)를 확대하는 빔익스펜더부(Beam expander, 125)를 포함할 수 있다.
상기 빔익스펜더부(125)는, 적외선의 빔단면의 크기를 확대하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다. 예로서, 상기 빔익스펜더부(125)는, d1의 굵기를 가지는 평행한 광선속을 d2(d2는 d1보다 크다)의 굵기를 가지는 평행한 광선속으로 변환하기 위하여 초점을 일치시킨 한 쌍의 렌즈로 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 예로서, 상기 빔조정부(122)는, 몰딩제(40)에 조사되는 적외선이 전체의 조사 영역에 대해 균일한 에너지 밀도를 갖도록 하여 가장자리와 중앙의 강도의 차이가 +/- 5% 이내에서 이루어 지도록 하는 빔쉐이퍼부(beam shaper, 126)를 포함할 수 있다.
상기 빔쉐이퍼부(126)는, 가우시안 분포의 적외선을 플랫탑 형태로 바꾸는 것과 함께 광원부(110)에서 나온 적외선의 발산각(divergence)을 줄여 평행광을 형성할 수 있다.
한편, 상기 LED 제조장치(100)는, 스팟빔(Spot beam) 또는 라인빔(Line beam) 형태의 적외선을 리드프레임(20) 상면 몰딩제(40)에 조사할 수 있다.
그리고, 상기 LED 제조장치(100)는, 리드프레임(20) 상면에 스팟빔 또는 라인빔이 스캔되도록 구성됨이 바람직하다.
예로서, 상기 LED 제조장치(100)는, 스팟빔 또는 라인빔을 리드프레임(20) 상면에 대해 스캐닝하기 위한 빔스캐닝부(130)를 추가로 포함하거나 또는 상기 리드프레임(20)이 광학계(120)의 하측에서 광학계(120)에 대하여 수평방향(특히, 라인빔의 길이방향에 수직한 방향)으로 단계적으로 또는 연속적으로 이송되며 적외선이 조사되도록 구성될 수 있다.
상기 LED 제조장치(100)가 리드프레임(20)의 일측면에 평행한 길이를 가지는 라인빔을 조사하는 경우, 상기 빔조정부(122)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 리드프레임(20)에 라인빔(Line beam)을 조사하기 위하여 광원부(110)에서 발생된 적외선을 라인빔으로 변환하기 위한 라인빔형성부(124)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 라인빔형성부(124)는 미리 설정된 폭을 가지는 슬릿형태의 라인빔을 형성하는 구성으로 하나 이상의 렌즈를 포함하여 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 라인빔형성부(124)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 입사되는 적외선을 발산시켜 평행광을 형성하는 하나 이상의 발산형렌즈(124a)와, 발산형렌즈(124a)를 통과한 평행광을 광축에 수직한 제1방향(라인빔의 폭방향)으로 집광하는 하나 이상의 실린더렌즈(124b)를 포함할 수 있다.
한편, 상기 LED 제조장치(100)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 라인빔이 아닌 스팟빔(Spot beam)을 몰딩제(40)에 조사할 수 있음은 물론이다.
이러한 경우, 상기 LED 제조장치(100)는, 스팟빔을 리드프레임(20) 상면에 대해 스캔하는 빔스캐닝부(130)를 더 포함할 수 있다.
상기 빔스캐닝부(130)는, 스팟빔을 리드프레임(20) 상면에 대해 스캔하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다. 예로서, 상기 빔스캐닝부(130)는, 갈보 미러 스캐너(Galvo-Mirror Scanner)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
미설명된 식별번호 123은, 조리개부재로서 선택적으로 구비될 수 있다.
한편, 본 발명에서 몰딩제(40)는, 적외선에 의해 발열되는 열원부(41)를 혼합한 고분자 화합물(42)이다.
상기 열원부(41)는, 일정 파장의 적외선에 의해 발열이 유도될 수 있다.
상기 열원부(41)는, 필러 및 형광체 중 적어도 하나로 이루어지고, 비발광 천이를 통해 조사되는 적외선을 흡수하여 발열한다.
상기 고분자 화합물(42)은, 탄소섬유 화합물, 그라파이트, 그라핀, 탄소나노튜브, 실리콘 화합물, 질소 화합물, 붕소 화합물, 지르콘 화합물, 티타늄화합물, 알루미늄 화합물, 아연 화합물 중 어느 하나로 이루어진다.
상기 열원부(41)가 형광체로 이루어진 경우 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Halide, Quantum dot 중 적어도 하나로 이루어지고, 열원부(41)가 혼합되는 비율은 열원부(41)의 무게에 대비하여 혼합 비율을 결정할 수 있으며, 고분자 화합물(42)의 점도와 LED 광원의 색 온도 목표에 따라 1wt% ~ 50wt% 중 어느 하나의 비율로 고분자 화합물(42)과 혼합되고, 통상적으로 5wt% ~ 100Wt%가 바람직하며, 일정 점도를 확보할 수 있으면 혼합되는 비율에 제한 받지 않고 혼합될 수 있다.
또한, 상기 혼합되는 열원부(41)의 크기는 수 나노미터(nm)에서 수십 마이크로미터(㎛) 크기까지 다양하게 적용될 수 있으나, 통상적으로 1~50 마이크로미터(㎛) 사이의 크기가 바람직하다.
상기 열원부(41)에는, 5W ~ 100W 범위의 세기를 가지며 열원부(42)가 비발광하는 파장 범위인 980nm 파장의 적외선 레이저빔이 조사됨이 바람직하다.
상기 열원부(41)는, 적외선을 흡수하여 가열되고, 적외선에 의해 가열된 열원부(41)는 발열을 통해 열원부(41) 주변으로 발생된 열이 전달되도록 하여 열원부(41) 주변의 고분자 화합물(42)이 열전도에 의한 경화를 통해 수축부가 생성되도록 한다.
따라서 고분자 화합물(42)의 내부 수축을 유도하는 열원부(41)를 통해 고속 경화가 이루어질 수 있고, 상기 고분자 화합물(42)과 열원부(41) 사이의 밀착력을 형상시켜 가스 배리어성을 개선할 수 있다.
또한, 고분자 화합물(42)을 신속하게 경화시킴으로써, 고분자 화합물(42)의 수축과정에서 발생하는 스트레스 발생을 감소시킬 수 있으며, 스트 레스가 열원부(41) 측으로 몰리게 하여 고분자 화합물(42)과 열원부(41) 사이에서 균일한 경화가 일어날 수 있게 한다.
몰딩제(40)가 천천히 경화되면 형광체가 침전되어 발광효율이 낮아지게 되므로, 적외선으로 몰딩제(40)를 빠르게 경화시키는 방법은 컨벡션 오븐을 이용한 종래의 경화방법보다 발광효율의 관점에서 우수한 이점이 있다.
즉, 종래의 컨벡션 오븐 경화 방법은 시간이 길게 소요되기 때문에 상대적으로 더 많은 형광체가 하향 침전되나, 본 발명에 따른 적외선 경화방식은 형광체가 침전하기 전에 빠른 경화를 수행함으로써, LED 광원의 특성을 개선할 수 있게 된다.
종래의 컨벡션 오븐에서 경화된 LED는 구동시간이 경과할수록 광량 저하가 크게 발생하는데 반해, 본 발명에 따른 적외선 경화방식은 적외선을 통해 가열된 열원부(41)에서 발생한 열이 상기 열원부(41) 주변의 몰딩제(40)를 수축시켜 몰딩제(40)와 열원부(41) 사이의 계면이 더욱 견고하게 밀착됨으로써, 구동시 신뢰도가 더욱 향상 되도록 할 수 있다.
또한, 종래의 컨벡션 오븐을 이용한 경화방법은 개스 배리어성이 낮아 침투된 유황가스로 인해 변색이 심하게 발생되는 문제점이 있는데 반해, 본 발명에 따른 적외선을 이용한 경화방법은 적외선에 의해 열원부(41)에서 발생한 열이 열원부(41) 주변의 몰딩제(40)를 수축시켜서 몰딩제(40)와 열원부(41) 사이의 계면이 더욱 견고하게 밀착되어 유황가스의 침투를 효과적으로 차단하여 변색과 개스 배리어성이 월등히 향상시킬 수 있다.
이때, 상기 LED 제조시스템은, 디스펜서부(100)로 순차적으로 로딩될 다수의 리드프레임(20)들이 적재되는 리드프레임로딩부(300)와; LED 제조장치(100)로부터 리드프레임(20)을 전달받아 언로딩부재(50)로 언로딩하기 위한 리드프레임언로딩부(400)를 더 포함할 수 있다.
상기 리드프레임로딩부(300)는, 복수의 LED 소자(10)들이 실장된 리드프레임(20)이 적재된 로딩적재부(30)로부터 리드프레임(20)을 LED 제조장치(100)로 로딩하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 로딩적재부(310)는, LED 소자(10)가 실장되고 몰딩제(40)가 도포되지 않은 상태의 리드프레임(20)들이 적재되어 보관하는 매거진(magazine) 또는 캐리어(carrier)와 같은 보관용기를 포함할 수 있다.
상기 리드프레임로딩부(300)는, 로딩적재부(310)에 적재된 리드프레임(20)이 로딩위치에서 순차적으로 배출되도록 로딩적재부(310)를 수평방향으로 이송하거나 또는 수직방향으로 승강시키기 위한 엘리베이터부를 추가로 포함할 수 있다.
상기 리드프레임언로딩부(400)는, LED 제조장치(100)로부터 경화공정이 완료된 리드프레임(20)을 전달받아 언로딩부재(50)로 언로딩하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 언로딩부재(50)는, LED 제조장치(100)에서 LED 패키지 경화가 완료된 리드프레임(20)들이 적재되는 매거진(magazine) 또는 캐리어(carrier)와 같은 보관용기를 포함할 수 있다.
또한, 상기 리드프레임언로딩부(400)는, 리드프레임(20)이 언로딩위치에서 순차적으로 언로딩부재(50)로 언로딩되도록 언로딩부재(50)를 수평방향으로 이송하거나 수직방향으로 승강시키기 위한 엘리베이터부를 추가로 포함할 수 있다.
한편, 상기 LED 제조시스템은, 리드프레임로딩부(300)로부터 리드프레임(20)을 전달받거나 리드프레임로딩부(400)로 리드프레임(20)을 전달하며, LED 제조장치(100)의 하측에 설치되어 리드프레임(20)을 수평방향으로 이송하는 이송부(500)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 이송부(500)는, 리드프레임(20)을 지지한 상태로 이송하기 위한 이송경로를 형성하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다. 예를 들어, 상기 이송부(500)는, 리드프레임(20)의 이동경로를 따라 설치되는 가이드부, 롤러, 컨베이어벨트 등으로 다양하게 구성될 수 있다.
예로서, 상기 이송부(500)는, 리드프레임로딩부(300)와 리드프레임언로딩부(400) 사이에서 LED 제조장치(100) 하측에 설치되는 컨베이어벨트일 수 있다. 이러한 경우, 다수의 리드프레임(20)이 리드프레임로딩부(300)에서 리드프레임언로딩부(400)를 향해 순차적으로 이송되며 몰딩제(40) 경화가 이루어질 수 있다.
즉, 본 발명은, 리드프레임로딩, 몰딩제경화 및 리드프레임언로딩이 In-Line 방식으로 수행될 수 있는 이점이 있다.
한편, 상기 LED 제조시스템은, 리드프레임로딩부(300) 및 LED 제조장치(100) 사이에 설치되며, 리드프레임로딩부(300)로부터 로딩된 리드프레임(20)의 리플렉터(30) 내측에 몰딩제(40)를 충진하는 디스펜서부(200)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 디스펜서부(200)는, 다수의 LED 소자(10)들이 실장된 리드프레임(20)에 설치되는 리플렉터(30) 내측에 몰딩제(40)를 충진하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 디스펜서부(200)는, 리드프레임(20)의 이동경로상 상측에 설치되어 리드프레임(20)의 리플렉터(30) 내측에 몰딩제(40)를 공급하는 노즐부를 포함할 수 있다.
상기 노즐부는, 다양한 방식의 공급시스템이 적용될 수 있으며, 외부의 몰딩제공급장치와 연결될 수 있다.
그리고, 상기 LED 제조시스템은, 도 2에 도시된 바와 같이, 디스펜서부(200)와 LED 제조장치(100) 사이에 설치되어 리드프레임(20) 상면이미지를 획득하는 제1이미지획득부(610)를 포함할 수 있다.
상기 제1이미지획득부(610)는, 디스펜서부(200)에서 몰딩단계를 마친 리드프레임(20)의 상면이미지를 획득하여 LED 패키지의 몰딩상태를 검사하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 제1이미지획득부(610)는, 카메라와 같은 광학모듈로 구성될 수 있다.
또한, 상기 LED 제조시스템은, 도 2에 도시된 바와 같이, LED 제조장치(100)과 리드프레임언로딩부(400) 사이에 설치되어 리드프레임(20) 상면이미지를 획득하는 제2이미지획득부(620)를 더 포함할 수 있다.
상기 제2이미지획득부(610)는, LED 제조장치(100)에서 경화단계를 마친 리드프레임(20)의 상면이미지를 획득하여 LED 패키지의 경화상태를 검사하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 제2이미지획득부(620)는, 카메라와 같은 광학모듈로 구성될 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
100: LED 제조장치 200: 디스펜서부
300: 리드프레임로딩부 400: 리드프레임언로딩부
300: 리드프레임로딩부 400: 리드프레임언로딩부
Claims (10)
- 다수의 LED 소자(10)들이 실장된 리드프레임(20)에 구비되는 리플렉터(30) 내측에 충진된 몰딩제(40)를 경화시키기 위한 LED 제조장치(100)로서,
적외선 레이저빔을 발생시키는 광원부(110)와;
상기 광원부(110)에서 나온 레이저빔을 상기 몰딩제(40)에 조사하기 위한 광경로를 형성하는 광학계(120)를 포함하며,
상기 광원부(110)는, 열원부(41)의 발열을 유도하는 800nm~2um 사이의 파장 영역을 갖는 적외선 레이저빔을 출력하며,
상기 광학계(120)는, 상기 광원부(110)에서 발생된 레이저빔의 형상, 크기 및 에너지분포 중 적어도 하나를 조정하기 위한 빔조정부(122)를 포함하며,
상기 빔조정부(122)는, 상기 광원부(110)에서 발생된 레이저빔의 광선속 굵기를 확대하는 빔익스펜더부(125)와, 상기 빔익스펜더부(125)를 통과한 레이저빔을 라인빔으로 변환하여 상기 몰딩제(40)에 조사하기 위한 라인빔형성부(124)를 포함하며,
상기 라인빔형성부(124)는, 입사되는 레이저빔을 평행광으로 형성하는 하나 이상의 렌즈(124a)와, 상기 렌즈(124a)를 통과한 평행광을 광축에 수직한 제1방향(상기 라인빔의 폭방향)으로 집광하는 하나 이상의 실린더렌즈(124b)를 포함하며,
상기 몰딩제(40)는, 적외선에 의해 발열되는 열원부(41)를 혼합한 고분자 화합물(42)로 이루어지며,
상기 고분자 화합물(42)은, 탄소섬유 화합물, 그라파이트, 그라핀, 탄소나노튜브, 실리콘 화합물, 질소 화합물, 붕소 화합물, 지르콘 화합물, 티타늄화합물, 알루미늄 화합물, 아연 화합물 중 적어도 하나로 이루어지며,
상기 열원부(41)는, 적외선을 흡수하여 비발광 천이를 통해 발열하는 필러 및 형광체 중 적어도 하나로 이루어지며, 상기 고분자 화합물(42)과 1wt% ~ 50wt% 중 어느 하나의 비율로 혼합되며,
상기 열원부(41)는 상기 레이저빔을 흡수하여 비발광 천이에 의해 가열되며, 상기 가열된 열원부(41)에 의해서 상기 열원부(41) 주변의 고분자 화합물(42)이 열전도에 의한 경화를 통해 수축부가 생성되며, 상기 수축부에 의해서 상기 고분자 화합물(42)과 열원부(41) 사이의 계면이 밀착되어 상기 고분자 화합물(42)과 열원부(41) 사이의 개스 배리어성이 향상되며, 상기 열원부(41)에서 발생된 열에 의해 상기 몰딩제(40) 내측으로부터 경화가 이루어져 상기 몰딩제(40)의 경화에 따른 스트레스가 상기 열원부(41) 측으로 발생되는 것을 특징으로 하는 LED 제조장치(100). - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 다수의 LED 소자(10)들이 실장된 리드프레임(20)에 구비되는 리플렉터(30) 내측에 충진된 몰딩제(40)를 경화시키기 위한 LED 제조장치(100)로서,
적외선 레이저빔을 발생시키는 광원부(110)와;
상기 광원부(110)에서 나온 레이저빔을 상기 몰딩제(40)에 조사하기 위한 광경로를 형성하는 광학계(120)를 포함하며,
상기 광원부(110)는, 열원부(41)의 발열을 유도하는 800nm~2um 사이의 파장 영역을 갖는 적외선 레이저빔을 출력하며,
상기 광학계(120)는, 상기 광원부(110)에서 발생된 레이저빔의 형상, 크기 및 에너지분포 중 적어도 하나를 조정하기 위한 빔조정부(122)를 포함하며,
상기 빔조정부(122)는, 상기 광원부(110)에서 발생된 레이저빔의 광선속 굵기를 확대하는 빔익스펜더부(125)와, 상기 빔익스펜더부(125)를 통과한 가우시안 형태의 에너지분포를 가지는 레이저빔을 플랫탑 형태의 에너지분포를 가지는 평행광 스팟빔(Spot beam)으로 변환하는 빔쉐이퍼부(126)를 포함하며,
상기 몰딩제(40)는, 적외선에 의해 발열되는 열원부(41)를 혼합한 고분자 화합물(42)로 이루어지며,
상기 고분자 화합물(42)은, 탄소섬유 화합물, 그라파이트, 그라핀, 탄소나노튜브, 실리콘 화합물, 질소 화합물, 붕소 화합물, 지르콘 화합물, 티타늄화합물, 알루미늄 화합물, 아연 화합물 중 적어도 하나로 이루어지며,
상기 열원부(41)는, 적외선을 흡수하여 비발광 천이를 통해 발열하는 필러 및 형광체 중 적어도 하나로 이루어지며, 상기 고분자 화합물(42)과 1wt% ~ 50wt% 중 어느 하나의 비율로 혼합되며,
상기 열원부(41)는 상기 레이저빔을 흡수하여 비발광 천이에 의해 가열되며, 상기 가열된 열원부(41)에 의해서 상기 열원부(41) 주변의 고분자 화합물(42)이 열전도에 의한 경화를 통해 수축부가 생성되며, 상기 수축부에 의해서 상기 고분자 화합물(42)과 열원부(41) 사이의 계면이 밀착되어 상기 고분자 화합물(42)과 열원부(41) 사이의 개스 배리어성이 향상되며, 상기 열원부(41)에서 발생된 열에 의해 상기 몰딩제(40) 내측으로부터 경화가 이루어져 상기 몰딩제(40)의 경화에 따른 스트레스가 상기 열원부(41) 측으로 발생되는 것을 특징으로 하는 LED 제조장치(100). - 청구항 1 및 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 리드프레임(20)은,
상기 광학계(120)의 하측에서 상기 광학계(120)에 대하여 수평방향으로 이송되며 적외선이 조사되는 것을 특징으로 하는 LED 제조장치(100). - 삭제
- 다수의 LED 소자(10)들이 실장된 리드프레임(20)에 구비되는 리플렉터(30) 내측에 충진된 몰딩제(40)를 경화시키기 위한 청구항 1 및 청구항 5 중 어느 하나의 항에 따른 LED 제조장치(100)와;
로딩적재부(310)에 적재된 다수의 리드프레임(20)을 상기 LED 제조장치(100)로 순차적으로 로딩하는 리드프레임로딩부(300)와;
상기 LED 제조장치(100)으로부터 몰딩제(40)에 대한 경화가 완료된 리드프레임(20)을 전달받아 언로딩적재부(50)로 언로딩하는 리드프레임언로딩부(400)를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 제조시스템. - 청구항 8에 있어서,
상기 LED 제조시스템은,
상기 리드프레임로딩부(300) 및 상기 LED 제조장치(100) 사이에 설치되며, 상기 리드프레임로딩부(300)로부터 로딩된 리드프레임(20)의 리플렉터(30) 내측에 몰딩제(40)를 충진하는 디스펜서부(200)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 제조시스템. - 청구항 9에 있어서,
상기 LED 제조시스템은,
상기 리드프레임로딩부(300)로부터 리드프레임(20)을 전달받거나 상기 리드프레임언로딩부(400)로 리드프레임(20)을 전달하며, 상기 LED 제조장치(100)의 하측에 설치되어 리드프레임(20)을 수평방향으로 이송하는 이송부(500)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 제조시스템.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170079149A KR101887551B1 (ko) | 2017-06-22 | 2017-06-22 | Led 제조장치 및 이를 포함하는 led 제조시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170079149A KR101887551B1 (ko) | 2017-06-22 | 2017-06-22 | Led 제조장치 및 이를 포함하는 led 제조시스템 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101887551B1 true KR101887551B1 (ko) | 2018-09-06 |
Family
ID=63593761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170079149A KR101887551B1 (ko) | 2017-06-22 | 2017-06-22 | Led 제조장치 및 이를 포함하는 led 제조시스템 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101887551B1 (ko) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020209571A1 (ko) * | 2019-04-08 | 2020-10-15 | 주식회사 아이엘이에스 | 렌즈 부착형 플렉시블 엘이디 스트립 조명, 그 제조장치 및 그 제조방법 |
| KR20200118762A (ko) * | 2019-04-08 | 2020-10-16 | 주식회사 아이엘이에스 | 렌즈 부착형 플렉시블 엘이디 스트립 조명, 그 제조장치 및 그 제조방법 |
| KR102214324B1 (ko) * | 2019-08-05 | 2021-02-09 | 주식회사 티아이랩 | 반도체 패키지 디스펜싱 장치 및 반도체 패키지 디스펜싱 방법 |
| KR102214325B1 (ko) * | 2019-08-05 | 2021-02-10 | 주식회사 티아이랩 | 반도체 패키지 디스펜싱 장치 및 반도체 패키지 디스펜싱 방법 |
| KR20230117075A (ko) * | 2021-12-17 | 2023-08-07 | 주식회사 와이즈오토모티브 | 차량의 장애물 인식 속도 평가 장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101167184B1 (ko) * | 2011-05-25 | 2012-07-24 | 한국광기술원 | Ｌｅｄ 패키지 봉지재의 경화 장치 |
| KR20160032582A (ko) * | 2014-09-16 | 2016-03-24 | 한국광기술원 | 형광체 발열을 이용한 봉지재 경화 장치 및 방법 |
| KR101607778B1 (ko) * | 2014-11-28 | 2016-03-30 | 한국광기술원 | Ｌｅｄ 패키지 제조 장치 |
-
2017
- 2017-06-22 KR KR1020170079149A patent/KR101887551B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101167184B1 (ko) * | 2011-05-25 | 2012-07-24 | 한국광기술원 | Ｌｅｄ 패키지 봉지재의 경화 장치 |
| KR20160032582A (ko) * | 2014-09-16 | 2016-03-24 | 한국광기술원 | 형광체 발열을 이용한 봉지재 경화 장치 및 방법 |
| KR101607778B1 (ko) * | 2014-11-28 | 2016-03-30 | 한국광기술원 | Ｌｅｄ 패키지 제조 장치 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020209571A1 (ko) * | 2019-04-08 | 2020-10-15 | 주식회사 아이엘이에스 | 렌즈 부착형 플렉시블 엘이디 스트립 조명, 그 제조장치 및 그 제조방법 |
| KR20200118762A (ko) * | 2019-04-08 | 2020-10-16 | 주식회사 아이엘이에스 | 렌즈 부착형 플렉시블 엘이디 스트립 조명, 그 제조장치 및 그 제조방법 |
| KR102377627B1 (ko) * | 2019-04-08 | 2022-03-24 | 주식회사 아이엘이에스 | 렌즈 부착형 플렉시블 엘이디 스트립 조명, 그 제조장치 및 그 제조방법 |
| KR102214324B1 (ko) * | 2019-08-05 | 2021-02-09 | 주식회사 티아이랩 | 반도체 패키지 디스펜싱 장치 및 반도체 패키지 디스펜싱 방법 |
| KR102214325B1 (ko) * | 2019-08-05 | 2021-02-10 | 주식회사 티아이랩 | 반도체 패키지 디스펜싱 장치 및 반도체 패키지 디스펜싱 방법 |
| KR20230117075A (ko) * | 2021-12-17 | 2023-08-07 | 주식회사 와이즈오토모티브 | 차량의 장애물 인식 속도 평가 장치 |
| KR20230117074A (ko) * | 2021-12-17 | 2023-08-07 | 주식회사 와이즈오토모티브 | 차량의 장애물 인식 속도 평가 시스템 |
| KR102575328B1 (ko) | 2021-12-17 | 2023-09-06 | 주식회사 와이즈오토모티브 | 차량의 장애물 인식 속도 평가 시스템 |
| KR102575329B1 (ko) | 2021-12-17 | 2023-09-06 | 주식회사 와이즈오토모티브 | 차량의 장애물 인식 속도 평가 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101887551B1 (ko) | Led 제조장치 및 이를 포함하는 led 제조시스템 | |
| US10763404B2 (en) | Light emitting device with beveled reflector and manufacturing method of the same | |
| US7208769B2 (en) | LED arrangement | |
| KR101263041B1 (ko) | 광학 광선방출소자 제조방법 및 광학 광선방출소자 | |
| JP5271509B2 (ja) | 気泡なくレンズを配置するための内部メニスカスを備えた発光ダイオードパッケージ要素 | |
| US7714342B2 (en) | Chip coated light emitting diode package and manufacturing method thereof | |
| US10615320B2 (en) | Recessed chip scale packaging light emitting device and manufacturing method of the same | |
| TWI778103B (zh) | 發光裝置封裝 | |
| KR20150022771A (ko) | 칩 온 보드형의 패키지 기판을 갖는 발광 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2019021919A (ja) | 発光素子パッケージ | |
| US10141479B1 (en) | Light-emitting package structure provided with predetermined view angle | |
| JP7053184B2 (ja) | 車両用灯具 | |
| TWI741339B (zh) | 發光裝置及其製造方法 | |
| EP3203534B1 (en) | Light emitting device with beam shaping structure and manufacturing method of the same | |
| KR101933927B1 (ko) | 매입형 칩 스케일 패키지 발광 디바이스 및 제조 방법 | |
| CN111108611B (zh) | Led制造系统及led制造方法 | |
| KR102546064B1 (ko) | Led 제조시스템 및 led 제조방법 | |
| US20210151646A1 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device | |
| US11894499B2 (en) | Lens arrangements for light-emitting diode packages | |
| JP3941155B2 (ja) | 光電装置及びその製造方法 | |
| KR101620267B1 (ko) | 형광체 시트의 급속 경화 장치 | |
| KR101822380B1 (ko) | 엘이디용 봉지재 경화 방법 | |
| KR101866525B1 (ko) | Led, led 제조 장치, led 제조방법 | |
| KR20190058770A (ko) | 발광다이오드 모듈 및 그 제조 방법 | |
| KR20120079667A (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |