JP5589053B2 - 複数の画素を有するアレイ及び画素情報転送方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 11
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 8
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000004297 night vision Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/44—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/74—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/779—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Description
pixel sensor:APS)である。APS画像センサは、典型的には、金属酸化膜半導体(MOS)製造技術、特に相補型金属酸化膜半導体(CMOS)製造技術を用いて製造され、一般に(C)MOS画像センサと言及される。CSMO画像センサは、入射放射又は入射光(incident
radiation)(光子)を光電効果により電荷(電子)に変換することで光を検出する。CMOS画像センサは、典型的には、受光器、光受信器又は光検出器(例えば、フォトダイオード)と複数のCMOSトランジスタとを画素毎に含んでいる。
implementation)を含むが、これらに限定されない。4つより多い数のトランジスタを備えた画素手段が使用されてもよい。この種の画像センサの画素回路は典型的にはソースフォロワトランジスタを含み、ソースフォロワトランジスタはカラムライン上の光検出器の電圧を蓄積又はバッファリングするために使用される。
a)特定の行に属する全ての画素がリセットトランジスタ13によりリセットされる。
光を検出する複数の画素を有するアレイであって、
前記画素は行列形式に論理的に並べられ、
当該アレイは画素値を行毎に読み出すように形成され、
当該アレイは当該アレイに属する異なる行にある第1の画素群を有し、該第1の画素群は1つより多い画素を含み、
前記第1の画素群に属する画素の各々は、各自の画素情報を水平行バスラインに移す切替可能なデータ経路を有し、
前記第1の画素群に属する画素の各々は、同じ行に属するが異なる列に属する別の画素に関連付けられ、該別の画素は、前記水平行バスラインにある前記画素情報を前記別の画素に関連付けられているカラムラインに与えるように形成され、
前記第1の画素群に属する複数の画素に対する前記別の画素は全て異なる列にあるように選択されている、アレイである。
本発明の実施の形態の課題は、画素列のデータ読み出し方法が改善された(例えば、高速化された)方法及びシステム等を提供することである。
画素配列又は画素アレイ(31)に属する少なくとも2つの異なる行にある(例えば、ある列に属する)第1の画素群(35)の画素情報を転送する方法であって、前記画素アレイ(31)は論理的に行列形式に並べられた複数の画素(Pi,j)を有し、前記第1の画素群(35)に属する画素の各々は、行バスラインに関連付けられかつ同じ行に属するが異なる列に属する別の画素(36)に関連付けられている。当該方法は、前記第1の画素群(35)に属する画素各々の前記画素情報を対応する行バスラインに転送するステップと、前記行バスラインにある前記画素情報を、同時に読み出すために、前記第1の画素群(35)に属する画素に関連付けられている前記別の画素(36)のカラムライン(34)に転送するステップとを有する。
以下、特定の実施の形態及び所定の図面に関連して本発明を説明するが、本発明はそれらによっては限定されず、特許請求の範囲によってのみ規定される。
radiation)は、低い又は高いエネルギの電子、光子、ハドロン(hadron)等を含む粒子又はその他の粒子であってもよい。
array)の形式であってもよいが、本発明はその例に限定されない。本願では、非カーテシアン配列(non-Cartesian array)も想定されており、本発明の範囲に含まれている。従って「行」及び「列」は広義に解釈されるべきである。広く解釈することを促すため、「論理的に組織された行及び列」という表現が使用されてもよい。従って、「行」が円を表し、「列」が円の半径を表し、その円及び半径が「論理的に組織された」行及び列として記述されてもよい。これは、位相幾何学的又はトポロジ的に線が交わるように一群の画素が互いに接続又は連結されることを意味するが、物理的又は幾何学的な配置は必ずしもそうなっていなくてよい。本明細書を通じて、「水平」及び「垂直」という用語(「行」及び「列」という用語にそれぞれ関連する)は、座標系を提供するため及び単なる説明の簡明化のために使用されている。それらが装置の実際の物理的な方向を指していることは必須でない。
図3には本発明の実施の形態による撮像装置30が示されている。撮像装置30は、第1の動作モードの場合は画像の画素により取得された画像データを行毎に読み取り、第2の動作モードの場合は(リマッピング処理による)異なる行に属する複数の画素により取得されたデータを同時に読み取る。
row bus)に画素情報を転送するように意図されており、画素情報を読み出す際に通常使用されるラインである垂直カラムラインには転送しないように意図されている。最終的に、垂直カラムライン341,...,343は第1の画素群35に属する画素の画素情報を同時に読み出すために使用されるが、第1の画素群35に属する様々な画素の画素情報は水平行バスを介して複数の垂直カラムライン341,...,343に転送される。データ経路41は、列選択スイッチを含む又はから成る切り替え可能なデータ経路であってもよい。
photodiode:PPD)であるフォトレセプタ(受光器又は光受信器又は光検出器)42を有し、フォトレセプタ42は入射光を電荷に変換する。更に、画素40は、フォトレセプタ42で生成された電荷を検出ノード48に転送するサンプルホールドトランジスタ43と、検出ノードを初期値にリセットするリセットトランジスタ44と、検出ノード48の電圧を蓄積又はバッファリングするソースフォロワトランジスタ45と、ソースフォロワトランジスタの出力電圧をカラムライン34に与える選択トランジスタ46と、データパス41とを有し、データパス41はソースフォロワトランジスタの出力電圧を行バスライン50に与える別の選択トランジスタ47を有する。
phase)を開始する。リセットラインRST及び転送ラインTXがローレベルである間、画素40はフォトレセプタ42に集まった光を蓄積又は総合し、フォトレセプタ42はリセットレベルから減少方向に放電する。蓄積期間の終わりに、リセットラインRSTは再び活性化又はアクティブにされ、リセットトランジスタ44により検出ノードをリセットする。リセットトランジスタ44を閉じた後、検出ノードに生じている電圧がアナログ領域でサンプリング又は取得され、保存される。次に、転送ラインTXがハイレベルに設定され、光生成情報の読み出し期間を開始する。転送ラインTXをハイレベルにすることは、サンプルホールドトランジスタ43をオンにし、フォトレセプタ42に生じている電荷が、ソースフォロワトランジスタ45のゲートに接続されているノードの寄生容量に移されることを引き起こす。転送ラインTXがローレベルに設定されると、これにより、サンプルホールドトランジスタ43はオフになる。ソースフォロワトランジスタ45により生じた電圧がアナログ領域で改めてサンプリング又は取得され、保存される。
pixel)と言及され、ディジタルカメラのような画像処理装置が着目しているか否かを判定することを支援する。
pixels)であった場合、その着目している情報を可能な限り速やかに取得することが望まれる。従って、これらの画素の同時読み出しが常に望まれ、これらの画素の後続の読み出しは必要ない。そのような場合、選択トランジスタ46はそのままにされ、本発明の実施の形態による同時読み出しのためのデータ経路41のみが設けられる必要がある。
31 アレイ
32、40 画素又はピクセル
33 スイッチ
34 カラムライン
35 画素群
36 同一行にありかつ異なる列にある画素
41 データ経路
Pi,j 画素
Claims (11)
- 光を検出する複数の画素を有するアレイであって、
前記画素は行列形式に論理的に並べられ、
当該アレイは画素値を行毎に読み出すように形成され、
当該アレイは当該アレイに属する異なる行にある第1の画素群を有し、該第1の画素群は1つより多い画素を含み、
前記第1の画素群に属する画素の各々は、各自の画素情報を水平行バスラインに移す切替可能なデータ経路を有し、
前記第1の画素群に属する画素の各々は、同じ行に属するが異なる列に属する別の画素に関連付けられ、該別の画素は、前記水平行バスラインにある前記画素情報を前記別の画素に関連付けられているカラムラインに与えるように形成され、
前記第1の画素群に属する複数の画素に対する前記別の画素は全て異なる列にあるように選択されている、アレイ。 - 前記第1の画素群は前記アレイの1つの列に属する複数の画素を含む、請求項1に記載のアレイ。
- 前記水平行バスラインは水平リセットラインである、請求項1又は2に記載のアレイ。
- 前記別の画素に、前記水平行バスラインと前記別の画素が関連付けられている列バスとの間を接続する切り替え可能な経路が設けられている、請求項1-3の何れか1項に記載のアレイ。
- 前記切り替え可能な経路にスイッチが設けられている、請求項4に記載のアレイ。
- 前記第1の画素群が着目画素を含む、請求項1-5の何れか1項に記載のアレイ。
- 請求項1-6の何れか1項に記載の画素のアレイを有する撮像装置。
- 画素アレイに属する少なくとも2つの異なる行にある第1の画素群の画素情報を転送する方法であって、前記画素アレイは論理的に行列形式に並べられた複数の画素を有し、前記第1の画素群に属する画素の各々は、行バスラインに関連付けられかつ同じ行に属するが異なる列に属する別の画素に関連付けられ、当該方法は、
前記第1の画素群に属する画素各々の前記画素情報を対応する行バスラインに転送するステップと、
前記行バスラインにある前記画素情報を、同時に読み出すために、前記第1の画素群に関連付けられている前記別の画素のカラムラインに転送するステップと
を有する方法。 - 前記行バスラインに転送するステップにおいて、前記画素情報をリセットラインに転送する、請求項8に記載の方法。
- 前記カラムラインに転送するステップにおいて、前記行バスライン及び前記カラムラインの間の選択可能な経路を閉じる、請求項8又は9に記載の方法。
- 前記第1の画素群に属する各々の画素の画素情報を同時に読み出すステップを更に有する請求項8-10の何れか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP11195783.3 | 2011-12-27 | ||
EP11195783.3A EP2611142B1 (en) | 2011-12-27 | 2011-12-27 | Imager with column readout |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013138432A JP2013138432A (ja) | 2013-07-11 |
JP5589053B2 true JP5589053B2 (ja) | 2014-09-10 |
Family
ID=45418508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012284842A Expired - Fee Related JP5589053B2 (ja) | 2011-12-27 | 2012-12-27 | 複数の画素を有するアレイ及び画素情報転送方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9040894B2 (ja) |
EP (1) | EP2611142B1 (ja) |
JP (1) | JP5589053B2 (ja) |
CN (1) | CN103281493B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6124717B2 (ja) * | 2013-07-16 | 2017-05-10 | オリンパス株式会社 | 撮像素子、焦点検出装置 |
JP6315776B2 (ja) * | 2014-02-20 | 2018-04-25 | オリンパス株式会社 | 撮像素子、撮像装置 |
JP6662764B2 (ja) * | 2014-08-26 | 2020-03-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | イメージセンサ、電子装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4908067B2 (ja) * | 2006-06-01 | 2012-04-04 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置及びそれを用いた撮像装置システム |
US7791657B2 (en) * | 2007-03-07 | 2010-09-07 | Teledyne Licensing, Llc | Dynamic range enhancement scheme for imagers |
JP2008288688A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Panasonic Corp | 固体撮像装置及びカメラ |
JP5194688B2 (ja) * | 2007-10-01 | 2013-05-08 | 株式会社ニコン | 固体撮像装置 |
WO2010119702A1 (ja) * | 2009-04-16 | 2010-10-21 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子および駆動方法 |
JP5526928B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-06-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP5693082B2 (ja) * | 2010-08-09 | 2015-04-01 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
-
2011
- 2011-12-27 EP EP11195783.3A patent/EP2611142B1/en not_active Not-in-force
-
2012
- 2012-12-27 US US13/727,681 patent/US9040894B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-12-27 JP JP2012284842A patent/JP5589053B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-12-27 CN CN201210599313.4A patent/CN103281493B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2611142B1 (en) | 2014-10-15 |
CN103281493B (zh) | 2016-08-10 |
US20140183332A1 (en) | 2014-07-03 |
CN103281493A (zh) | 2013-09-04 |
EP2611142A1 (en) | 2013-07-03 |
US9040894B2 (en) | 2015-05-26 |
JP2013138432A (ja) | 2013-07-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131009 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |