JP5588238B2 - 半導体放射線検出器 - Google Patents
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Description
(構成)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体放射線検出器構成図である。半導体センサ11は、バイアス電源部12から電圧が印加されるように接続されるとともに、電気信号を信号増幅器13に出力するように接続されている。この半導体センサ11は、一般的な放射線検出に用いられるものであり、例えば、シリコンフォトダイオードやカドミウムテルル半導体等を用いることができる。
以下、本発明の第1の実施形態の作用について図1乃至図3を参照して説明する。半導体センサ11は、バイアス電圧を出力するバイアス電源部12により一定のバイアス電圧が印加されることで、静電容量を減少させ空乏層を広げ放射線に対する感度を高めている。放射線が半導体センサ11に入射すると、放射線は電気信号に変換され、電気信号は信号増幅器13に出力される。
Zs=1/(ω・Cs) ・・・(2)
テストパルス発信部はコンデンサを用いてテストパルスを発信している。このコンデンサの容量をC1とすると、コンデンサに加える交流電圧の角周波数をωとするとき、コンデンサのインピーダンスZ1は、(3)式のように表すことができる。
図15は、本発明の第1の実施形態に係る半導体放射線検出器のテストパルス発信部の説明図である。テストパルス発信部19の発信電圧をVin=V0sinωtとし、信号増幅器13へ出力するテストパルスによる信号電圧をVoutとすると、VoutはZs、Z1,Vinを用いて(4)式のように表すことができ、さらに(2)、(3)よりVoutは(5)式のように表すことができる。
Vout=C1/(C1+Cs)×Vin ・・・(5)
(5)式のように、半導体センサ11が劣化等の影響により飽和領域まで空乏層Sが広がらず静電容量Csが正常時に比べて増大する異常の場合には、テストパルス信号の信号増幅器13への電圧Voutが低下する。その結果、波高電圧最大値Eが正常時よりも低くなるとともに、テストパルス信号の波高電圧値の低いノイズ領域の信号が増加し、基準電圧のVb−Vc間の計数率である異常判定計数率Nが減少する。
本発明の第1の実施形態によれば、放射線検出器の半導体センサ11の異常判定及び半導体センサ11の接続の異常判定をバグソースを用いずに簡易な回路構成で行うことができる。
(構成)
図4は本発明の第2の実施形態に係る半導体放射線検出器構成図である。
半導体センサ11は温度上昇に伴いノイズが増加するため、一定の温度環境下でない場所で使用する場合には、温度センサ部21からの信号を用いて信号処理部18で温度補正する。この温度補正はメモリ44に格納された異常判定計数率の基準値である異常判定上限閾値NH又は異常判定下限閾値NLに対して行う。
第2の実施形態によれば、温度による誤認やバイアス電源低下による異常状態を区別することができ、より確実な異常判定が可能になる。
(構成)
図5は本発明の第3の実施形態に係る半導体放射線検出器構成図である。本発明の第3の実施形態が、第1及び第2の実施形態と異なる点は、波高弁別部14に放射線検出上限波高弁別回路31を加えた点である。本実施形態において第1及び第2の実施形態と同じ構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
半導体センサ11が劣化すると、テストパルス発信部19からの電気信号が下限テストパルス波高弁別回路Vbより低い電圧域に多く現れることになり、この電気信号を放射線計数率としてカウントすることによる計測誤差が生じることになる。
第3の実施形態によれば、放射線計測領域とテストパルス領域を弁別することにより、本来の放射線計数率の計測にテストパルスによる誤差の影響を与えないようにすることができ、精度の良い放射線計測をしながら異常判定を行うことができる。
(構成)
本発明の第4の実施形態に係る半導体放射線検出器について図8乃至図12を参照して説明する。図8は、本発明の第4の実施形態に係る半導体放射線検出器の構成図である。一般に半導体センサ11に印加するバイアス電圧を増加させるほど半導体センサ11の静電容量は減少し、テストパルス信号のテストパルス波高最大値やテストパルスの幅はバイアス電圧によって変化する。
(2)バイアス監視電圧Vxにおけるパルス幅判定用基準係数率NW、
(3)パルス幅許容範囲下限値WxLおよびパルス幅許容範囲上限値WxH
の情報である。本実施形態において第2の実施形態と同じ構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
制御部43内のDA制御部41は、DA回路42のバイアス電源参照電圧VHVを制御させることによりバイアス電源部12のバイアス電圧を変化させる。バイアス電圧はバイアス電圧検出部22で分圧され、バイアス電圧をデジタル変換したバイアス監視電圧Vxを信号処理部18へ出力する。
このテストパルス幅Wx1を用いて、図11に示すように、メモリ44に格納したバイアス監視電圧Vx1におけるパルス幅許容範囲下限値WxL1およびパルス幅許容範囲上限値WxH1の情報(3)を参照して、テストパルス幅変動許容範囲内(WxL1<Wx1<WxH1)にあるか否かを判定し、逸脱する場合は異常であると判定する。
断線による異常の場合、バイアス監視電圧最終値V0付近のときのWxが許容範囲下限値WxLより小さくなることにより異常と判断する。断線していない場合、バイアス電圧が低いと半導体センサの空乏層が広がらず、テストパルス幅は広がる傾向となるからである。
本発明の第4の実施形態によれば、半導体センサに付加する様々なバイアス電圧値において、異常状態の識別判定が可能となり、より詳細に健全性を確認することができる。
(構成)
図13は、本発明の第5の実施形態に係る半導体放射線検出器構成図である。本実施形態は第2の実施形態と第4の実施形態を基としたもので、通常計測状態と健全性計測状態を自動で切替える機能を新たに付加している。
図14は、第5の実施形態に係る制御部43の通常計測状態と健全性計測状態を遷移させるアルゴリズムを示している。
本発明の第5の実施形態によれば、通常判定状態と健全性確認状態を自動で切替えることができる。また、データをダウンロードして解析することにより、バックグラウンドノイズ環境調査及び半導体センサ劣化進度調査をすることができる。
2・・・異常判定部
3・・・テストパルス制御部
11・・・半導体センサ
12・・・バイアス電源部
13・・・信号増幅器
14・・・波高弁別部
15・・・ノイズ波高弁別回路
16・・・下限テストパルス波高弁別回路
17・・・上限テストパルス波高弁別回路
18・・・信号処理部
19・・・テストパルス発信部
21・・・温度センサ部
22・・・バイアス電圧検出部
31・・・放射線検出上限波高弁別回路
41・・・DA制御部
42・・・DA回路
43・・・制御部
44・・・メモリ
45・・・モニタ・外部記憶装置
51・・・データ取得装置
71・・・通常計測状態
72・・・通常計測異常判定信号
73・・・健全性確認状態
74・・・健全性計測異常判定信号
75・・・健全性確認状態遷移要求
Claims (10)
- 放射線を第1の電気信号に変換して送信する半導体センサと、
前記半導体センサにバイアス電圧を供給するバイアス電源部と、
前記半導体センサからの前記第1の電気信号と合流するようにテストパルス信号を送信するテストパルス発信部と、
前記半導体センサから前記第1の電気信号を受信し、さらに前記テストパルス発信部から前記テストパルス信号を受信し、第2の電気信号として増幅する信号増幅器と、
前記信号増幅器から前記第2の電気信号を受信し弁別して、放射線計数率および異常判定計数率を算出するための第3の電気信号として計数率算出部に送信する波高弁別部と、
前記第3の電気信号を受信する信号処理部とを備え、
前記信号処理部は、
前記波高弁別部から受信した前記第3の電気信号を用いて、前記第3の電気信号からノイズ領域の信号および前記テストパルス信号を除いて前記放射線計数率を算出し、前記第3の電気信号の所定の電圧幅内の計数率を異常判定計数率として算出する計数率演算部と、
前記計数率演算部で算出された前記異常判定計数率と、前記半導体センサが正常時における前記第3の電気信号の前記所定の電圧幅内の計数率から求めた閾値とを比較して異常判定をする異常判定部と、
前記テストパルス発信部を制御するテストパルス制御部と、
前記計数率演算部において算出された前記放射線計数率および前記異常判定部において判定された異常判定結果を出力する出力指示部と、
を備え、
前記異常判定部は、前記半導体センサと前記信号増幅器間の断線時の異常を判定する断線判定手段を具備することを特徴とする半導体放射線検出器。 - 前記波高弁別部は、
ノイズ領域の電気信号を弁別する弁別回路と、
前記テストパルス信号の下限基準値にて電気信号を弁別する弁別回路と、
前記テストパルス信号の上限基準値にて電気信号を弁別する弁別回路と、
を備えていることを特徴とする請求項1記載の半導体放射線検出器。 - 前記半導体センサ近傍の温度を検出する温度センサ部と、前記バイアス電源部の出力電圧からバイアス監視電圧値を得るバイアス電圧検出部とをさらに備え、
前記信号処理部は、
前記温度センサ部で検出された温度に基づいて異常判定のための基準計数率を温度補正する温度補正手段と、
前記バイアス電圧検出部から得られたバイアス監視電圧値が正常範囲を逸脱している場合はバイアス電圧の異常であると判定するバイアス電圧判定手段を備えたことを特徴とする請求項1または請求項2の何れか一項記載の半導体放射線検出器。 - 前記波高弁別部は、放射線計測領域の電気信号とテストパルス領域の電気信号を弁別する弁別手段をさらに備え、
前記計数率演算部が前記弁別手段によって弁別された放射線計測領域の電気信号によって放射線計数率を算出する機能を備えた事を特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか一項記載の半導体放射線検出器。 - 前記異常判定部は、前記半導体センサによる異常とバックグラウンドノイズによる異常とを異常判定計数が計測される電圧域によって識別する異常識別手段をさらに備えた事を特徴とする請求項4に一項記載の半導体放射線検出器。
- 前記波高弁別部の前記下限基準値及び前記上限基準値と、前記バイアス電源部の前記バイアス電圧を変化させることができるデジタル/アナログ(DA)回路と、前記DA回路を制御するDA制御部とをさらに備え、
前記DA制御部によって前記バイアス電源部の前記バイアス電圧を変化させ、複数の前記バイアス電圧の各々において、前記下限基準値及び前記上限基準値を変化させることにより前記異常判定計数率を計測するための前記所定の電圧幅を変化させ、前記計数率演算部において前記異常判定計数率を算出し、
前記異常判定部は、前記異常判定計数率と正常時の前記テストパルスの基準幅内の計数率からテストパルス幅を算出し、このテストパルス幅と正常時の前記テストパルスの前記基準幅を比較し、異常判定することを特徴とする請求項2記載の半導体放射線検出器。 - 前記異常判定を、正常時のテストパルスの最大波高値電圧を基準にテストパルス計測幅を変化させるようにしたことを特徴とする請求項6記載の半導体放射線検出器。
- 放射線を第1の電気信号に変換して出力する半導体センサと、
前記半導体センサにバイアス電圧を供給するバイアス電源部と、
前記半導体センサからの前記第1の電気信号の出力と合流するようにテストパルス信号を発信するテストパルス発信部と、
前記半導体センサからの前記第1の電気信号及び前記テストパルス発信部からの前記テストパルス信号を受信する信号増幅器と、
前記信号増幅器からの第2の電気信号を受信し、放射線計数率及び異常判定計数率を算出するための第3の電気信号に弁別する波高弁別部と、
前記波高弁別部により弁別された第3の電気信号を受信する信号処理部と、
前記波高弁別部の基準電圧及び前記バイアス電源部の出力電圧を調整するデジタル/アナログ(DA)回路と、
前記DA回路を制御するDA制御部とを備え、
前記信号処理部は、計数率演算部と、異常判定部と、前記テストパルス発信部を制御するテストパルス制御部を有し、
前記DA制御部は、前記半導体センサに印加するバイアス電圧を放射線計測に適した電圧に設定するとともに、前記波高弁別部の基準電圧を放射線計数率および異常判定係数率の算出に適した電圧に設定し、前記計数率演算部は、前記第3の電気信号を受信し、放射線計数率および異常判定計数率を算出し、前記異常判定部は、この異常判定計数率から異常判定を行う通常計測制御状態と、
前記半導体センサに印加するバイアス電圧および前記波高弁別部の基準電圧を変化させ、複数の出力電圧において、前記計数率演算部は、計測電圧幅内の異常判定計数率を算出し、前記異常判定部は、前記異常判定計数率と正常時のテストパルスの基準幅内の計数率からテストパルス幅を算出し、このテストパルス幅と正常時のテストパルスの基準幅を比較し、異常判定する健全性計測状態とを切替ることができるようにしたことを特徴とした半導体放射線検出器。 - 前記信号処理部が、異常判定のためのパラメータ及び異常判定結果を随時データダウンロード機能と、
前記パラメータの変更が可能な双方向通信機能をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至請求項8の何れか一項記載の半導体放射線検出器。 - 前記波高弁別部および前記計数率演算部は、
前記信号増幅器から受信した前記第2の電気信号を弁別し、計数率を算出する多重波高分析器であることを特徴とした請求項1乃至請求項9の何れか一項記載の半導体放射線検出器。
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