JP5586943B2 - オゾンガス濃縮装置 - Google Patents
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Description
まず、本発明の第1実施形態に係るオゾン濃縮装置2Aについて、電子部品洗浄装置1に適用された場合を例として説明する。図1に示されるように、電子部品洗浄装置1は、オゾン濃縮装置2Aを用いて高濃度オゾンガスを生成し、この高濃度のオゾンガスから生成した高濃度のオゾン水を半導体ウエハ、液晶、太陽電池、有機EL、プリント基板などの電子部品の表面に向けて噴射して洗浄する装置である。電子部品洗浄装置1のオゾン水生成装置71は、オゾナイザ10で生成したオゾン含有ガスを濃縮部(オゾン濃縮手段)30により所定のオゾン濃度に濃縮するオゾン濃縮装置2Aと、オゾン濃縮装置2Aで濃縮された濃縮オゾンガスを超純水に溶解させて高濃度オゾン水を生成する溶解部50と、を備えている。そして、電子部品洗浄装置1は、このオゾン水生成装置71と、オゾン水生成装置71で得られた高濃度オゾン水で電子部品の表面を洗浄する洗浄部70と、を備えている。また、電子部品洗浄装置1は、電子部品洗浄装置1の各部で発生する不要なガスを処理するための、触媒分解装置7と、排ガス熱交換器8と、排気ポンプ9とを備えている。
次に、本発明の第2実施形態に係るオゾン濃縮装置について説明する。図4に示されるように、第2実施形態に係るオゾン濃縮装置2Bが、図3に示された第1実施形態に係るオゾン濃縮装置2Aと違う点は、圧力調整部90Aに代えて、ラインL31を有する圧力調整部90Bを備えた点である。このラインL31は、一端がバッファチャンバ96の下流側に接続され、他端は背圧弁95の2次側において大気解放とされている。
次に、本発明の第3実施形態に係るオゾン濃縮装置について説明する。図5に示されるように、第3実施形態に係るオゾン濃縮装置2Cが、図3に示された第1実施形態に係るオゾン濃縮装置2Aと違う点は、圧力調整部90Aに代えて、バッファチャンバ96とフィルタ94との間に設けられた減圧弁(調整弁)98を有する圧力調整部90Cを備えた点である。また、ラインL30には、背圧弁95に代えて流量調整弁99が設けられている。この圧力調整部90Cは、昇圧ポンプ93、ラインL30、流量調整弁99、及び減圧弁98を有して構成される。流量調整弁99としては、例えば、ニードル弁が用いられる。減圧弁98は、スプリングを内蔵しており、このスプリングの設定により2次側の圧力を一定に保つ機能を有している。
次に、本発明の第4実施形態に係るオゾン濃縮装置について説明する。図6に示されるように、第4実施形態に係るオゾン濃縮装置2Dが、図3に示された第1実施形態に係るオゾン濃縮装置2Aと違う点は、濃縮部30に代えて、吸着方式による濃縮部100を備えた点である。
Claims (5)
- 原料酸素ガスが供給されることでオゾン含有ガスを生成するオゾナイザと、前記オゾナイザで生成されたオゾン含有ガスから酸素を含有する排酸素ガスを分離することにより、前記オゾン含有ガス中のオゾンを濃縮するオゾン濃縮手段とを備えたオゾン濃縮装置において、
前記オゾナイザに前記原料酸素ガスを供給する原料酸素ガス供給源と、
前記原料酸素ガスを前記原料酸素ガス供給源から前記オゾナイザに供給するための原料酸素ラインと、
前記オゾン濃縮手段により分離された前記排酸素ガスを排出するための排出ラインと、
一端が前記排出ラインに接続され他端が前記原料酸素ラインに接続されて、前記排出ラインを通る前記排酸素ガスを前記オゾナイザの1次側に供給するための供給ラインと、
前記供給ラインに設けられ、前記原料酸素ラインに合流する前記排酸素ガスの圧力を前記原料酸素ガスの供給圧力と等しいか又は前記原料酸素ガスの供給圧力よりも高くなるように調整して、前記オゾナイザへ供給される前記排酸素ガスの供給圧力を調整する供給圧力調整手段と、
前記供給圧力調整手段の2次側において、前記排酸素ガスの供給流量を調整する流量調整手段と、
を備えたことを特徴とするオゾン濃縮装置。 - 前記供給圧力調整手段は、
前記排酸素ガスの供給圧力を昇圧させる昇圧ポンプと、
前記昇圧ポンプにより昇圧された前記排酸素ガスの供給圧力を所定の圧力に調整する調整弁と、を有することを特徴とする請求項1記載のオゾン濃縮装置。 - 前記昇圧ポンプの2次側にはフィルタが設けられていることを特徴とする請求項2記載のオゾン濃縮装置。
- 前記流量調整手段の1次側にはバッファチャンバが設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載のオゾン濃縮装置。
- 前記供給ラインにおいて、前記排酸素ガスに含まれる残存オゾンを分解する残存オゾン分解手段を更に備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載のオゾン濃縮装置。
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