JP5578006B2 - 高温炉内用ガス仕切弁 - Google Patents
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Description
前記弁箱に、前記流動層の表面より上方において接続された高温ガス流出管と、
少なくとも仕切弁の開放状態において、前記流動層の表面より上方に開口が配置されるように、前記弁箱に接続された高温ガス流入管と、
仕切弁の閉止状態において、前記封止材を用いて前記高温ガス流入管と前記高温ガス流出管との間での高温ガスの流通を阻害するように、前記封止材に少なくとも弁体の一部が埋没する位置である弁体下降位置に配置されると共に、仕切弁の開放状態において、前記封止材の表面の上方に弁体の全てが存在する位置である弁体上昇位置に配置される弁体と、
前記弁体の配置を、前記弁体下降位置と前記弁体上昇位置の間で変更する弁体昇降装置と、
前記封止材を流動化させる流動層ガスを前記弁箱に供給するための、前記弁箱に接続された流動層ガス配管と、
前記弁体が前記弁体下降位置と前記弁体上昇位置との間で移動する移動期間中には前記流動層ガス配管を通じて流動層ガスを前記弁体内に供給すると共に、前記移動期間以外の期間では流動層ガスを供給しないように流動層ガス流れを切り替える流動層ガス供給切替機構と、
を備えることを特徴とする高温炉内用ガス仕切弁である。
前記弁箱に、前記流動層の表面より上方において接続された高温ガス流出管と、少なくとも仕切弁の開放状態において、前記流動層の表面より上方に開口が配置されるように、前記弁箱に接続された高温ガス流入管と、
仕切弁の閉止状態において、前記封止材を用いて前記高温ガス流入管と前記高温ガス流出管との間での高温ガスの流通を阻害するように、前記封止材に少なくとも弁体の一部が埋没する位置である弁体下降位置に配置されると共に、仕切弁の開放状態において、前記封止材の表面の上方に弁体の全てが存在する位置である弁体上昇位置に配置される弁体と、
前記弁体の配置を、前記弁体下降位置と前記弁体上昇位置の間で変更する弁体昇降装置と、
前記封止材を流動化させる流動層ガスを前記弁箱に供給するための、前記弁箱に接続された流動層ガス配管と、
前記弁体が前記弁体下降位置と前記弁体上昇位置との間で移動する移動期間中には前記流動層ガス配管を通じて流動層ガスを前記弁体内に供給すると共に、前記移動期間以外の期間では流動層ガスを供給しないように流動層ガス流れを切り替える流動層ガス供給切替機構と、
を備えることを特徴とする高温炉内用ガス仕切弁である。
前記弁箱に、前記流動層の表面より上方において接続された高温ガス流出管と、少なくとも仕切弁の開放状態において、前記流動層の表面より上方に開口が配置されるように、前記弁箱に接続された高温ガス流入管と、
仕切弁の閉止状態において、前記封止材を用いて前記高温ガス流入管と前記高温ガス流出管との間での高温ガスの流通を阻害するように、前記封止材に少なくとも弁体の一部が埋没する位置である弁体下降位置に配置されると共に、仕切弁の開放状態において、前記封止材の表面の上方に弁体の全てが存在する位置である弁体上昇位置に配置される弁体と、
前記弁体の配置を、前記弁体下降位置と前記弁体上昇位置の間で変更する弁体昇降装置と、
前記封止材中に混入した炭化物を燃焼させる流動層ガスを前記弁箱に供給するための、前記封止材の下部または下方に接続された流動層ガス配管と、
前記炭化物を燃焼させるガスを供給状態または停止状態に切り替える流動層ガス切替機構と、
を備えることを特徴とする高温炉内用ガス仕切弁である。
弁の開放状態に関して図1を、弁の閉止状態に関して図2を用いて説明する。
図2の状態で、流動層ガスとして炭化物を燃焼しうるガスを、流動層ガス配管11を通して流動層ガス流入口10から弁箱1に供給する。流動層ガスは封止材5の中を通過して封止材5中に混入した炭化物を燃焼させて除去する。燃焼の結果発生した二酸化炭素等のガスは、封止材5の上面に到達した流動層ガスとともに流出管4から弁の外に排出される。本実施形態では、弁体2を封止材5中で移動させない状態で流動層ガスを供給するので、封止材5を流動層ガスによって流動させる必要はない。従って、流動層ガスの供給量は封止材5を流動させうる流量よりも少なく設定できるので、流動層ガスの供給量を調整することによって、封止材5中に混入した炭化物の燃焼速度を好適な範囲にすることができる。例えば、流動層ガス供給量を十分小さく設定することによって、炭化物の燃焼による弁内の過昇温を防止することができる。
弁の開放状態に関して図3を、弁の閉止状態に関して図4を用いて説明する。
弁の開放状態に関して図5を、弁の閉止状態に関して図6を用いて説明する。
図1および図2の装置に当て物21を追加した装置である図7(開状態)および図8(閉状態)を用いて本実施形態を説明する。当て物21は、内側のリング状の当て物と外側のリング状当て物の2つから構成される。弁体2は、内側と外側の当て物の間を通過して、弁を開閉することができる。当て物は、封止材5の上に積載されている。流入管3から弁箱1内に流入した作動ガスは、弁箱1内に激しい気流を発生させるが、本実施形態においては、この激しい気流は当て物21によって封止材5と直接に接触することはないので、弁箱1内の気流によって飛散する封止材5の量を抑制することができる。
図1、図2の装置の弁箱1を加熱炉24内に配置した図9の装置を用いて本実施形態を説明する。加熱炉24の温度を常温とし、ファン22を流出管4に接続して吸引を行い、作動ガスとして常温の大気を流入管3から吸引して弁箱1に導入した後、流出管4から流出させる。流出管4出口にはフィルタ23を設けて飛散した封止材5を回収する。流出管4には流量計25と圧力計26を設ける。このような装置構成とすることによって、仕切弁の特性を測定することができる。即ち、弁の開放状態でファン22による吸引を行い、この際の流量と圧力の測定値を用いることによって、弁の圧力損失係数を求めることができる(圧力損失係数=2×圧力測定値/[流入管流速]2)。次に、弁の閉止状態でファン22による吸引を行い、この際の流量と圧力の測定値および上記で求めた圧力損失係数を用いることによって、弁のリーク率を求めることができる。さらに、ファン22による一定時間の吸引を行い、この期間にフィルタ23に捕集された粒子の質量をフィルタを取り出して秤量することによって飛散した封止材の質量流量を求めることができる。
アルミナ繊維製で厚さ40mmのリング状の当て物を図7,図8と同様の方式で封止材上に積載すること以外の条件を全て第6の実施形態と同様にすることにより、弁のリーク率を、Cv値の0.005%以下に、開放状態で50m3/hの流量で吸引を行った場合の封止材飛散質量流量を25g/hとすることができる。
封止材として直径120から400μmのジルコンビーズを用いること以外の条件を全て第7の実施形態と同様にすることにより、弁のリーク率を、Cv値の0.1%以下に、開放状態で50m3/hの流量で吸引を行った場合の封止材飛散質量流量を1g/hとすることができる。
弁箱1の底部に適切な圧力の流動層ガスを供給すると、弁箱は流動層として作用する。また、本発明で適用する流動層に関しては、非特許文献1に開示されるように、標準的な設計手法が確立されている。すなわち、弁箱の直径や高さ、封止材の粒径、封止材層の厚み、ガス供給圧力や流量、分散板の構造等の設定に関しては、非特許文献1に開示されるような標準的な設計手法に基づいて適宜設計すればよい。弁箱1の直径は、例えば、100mm以上1m以下とすることができる。弁箱1の高さは、例えば、100mm以上4m以下とすることができる。封止材5の層厚は、例えば、30mm以上1m以下とすることができる。高温ガス流入管3及び高温ガス流出管4の弁箱内での開口径は、例えば、10mm以上300mm以下とすることができる。また、分散板にはパンチドメタルや金網を用いることができる。分散板の代わりに、一般的なグリッドチューブや多孔キャップを用いて流動層ガスを供給しても一向に構わない。
弁体昇降装置8を炉外に設置する場合には、昇降運動可能な市販のアクチュエータを使用することができる。例えば、エアシリンダ、油圧シリンダ、ラックアンドピニオン推進装置、ボールねじ推進装置、又は、リニアモータを用いることができる。耐熱性のアクチュエータを弁体昇降装置8に用いて、これを炉内に設置し、装置の小型化を図ってもよい。弁体の昇降位置を調整する方法は、手動で行ってもよいし、別途、距離計又は荷重計、並びに、制御装置を設けて自動制御してもよい。弁体昇降装置のストロークは、例えば、50mm以上2m以下とすることができる。
流動層ガス供給切替機構は、図示しない流動層ガス供給源、流動層ガス弁12、流動層ガス配管11から構成され、弁箱1の底部に設けられた流動層ガス供給口10に供給するガス流量を切り替えるものである。ガス流量の切り替えは、直接には、流動層ガス弁12の開度を変更することによってなされる。本発明では弁体2を昇降しない期間には流動層ガス供給を停止するので、流動層ガス弁12にはガスを閉止する機能が必要である。弁開度を開又は閉の2種類のみとする場合には、流動層ガス弁12には、仕切弁を用いることができる。また、弁開度をより細かい段階で設定する場合には、流動層ガス弁12は、遮断機能を備えた流量調整弁とすることができる。これら仕切弁や流量調整弁には市販のものを用いることができる。また、流量調整弁を用いて弁開度を調整する場合には、別途、管路に流量計を設け、この出力値に基づいて弁開度を制御してもよい。弁開度を調整する方法は、手動で行ってもよいし、別途、制御装置及び弁アクチュエータを設けて自動制御してもよい。
流動層ガスを加熱する加熱装置13は、流動層ガスによって弁が冷却されることを防止するために流動層ガスを予熱する、選択的に設置される装置である。加熱装置13には一般的な燃料ガス燃焼型の熱交換器であってもよいし、単に、流動層ガス配管流路を長く設定して、管路への炉体からの入熱によってガスを加熱してもよい。
炉内に配置される装置は、常温から850℃程度あるいは900℃程度の高温までの環境において、所要の強度、剛性、耐久性を有したものであればどのようなものでも使用することができる。例えば、変形する部品であるベローズ14には、耐熱ステンレス鋼、耐熱コバルト合金、又は、インコネルやハステロイ等の耐熱ニッケル合金等の金属、又は、チラノ繊維等の柔軟性を有する耐熱セラミックス繊維を、これ以外の部品に関しては、前記の材料に加えて、黒鉛、炭素繊維強化炭素複合材、アルミナ、カルシア、マグネシア、炭化ケイ素、溶融石英、ムライト、ジルコニア、ポルトランドセメント、アルミナセメント、又は、窒化ケイ素等を用いることができる。尚、黒鉛等、耐酸化性の低い材料を用いる場合には、炉内を非酸化性雰囲気、例えば、窒素雰囲気に維持することで、これらの材質を適用することができる。
常温から850℃程度あるいは900℃程度の高温において、流動化に耐え得る強度を有し、かつ、作動ガスとの化学反応、自身の熱分解、相変化、顕著な焼結、相変態を生じない粒状の材料であればどのような材質のものでも用いることができる。例えば、溶融石英、アルミナ、カルシア、マグネシア、ジルコン、安定化ジルコニア、酸化チタン、窒化ケイ素、又は、炭化ケイ素等を用いることができる。特に、800℃以上の温度で仕切弁を使用する際には、アルミナ、マグネシア、ジルコン、安定化ジルコニア、酸化チタン、窒化ケイ素、又は、炭化ケイ素を用いることが粒子安定性の観点から好ましい。
封止材を流動させる流動層ガスとしては、装置や封止材を腐食・汚染することなく、作動ガスとも強い反応を生じない材質のガスであればどのようなものでも用いることができる。例えば、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴン、メタン、天然ガス、LPG、又は、ドライCOG等のガスを用いることができる。
当て物は、弁の使用温度範囲で安定した物質であり、かつ、封止材の流動を妨げないように軽量なものが好ましく、例えば、多孔質や繊維状のセラミックスを用いることができる。セラミックスとしては、アルミナや炭化珪素等が広い範囲の作動ガス種に対して用いることができる。非酸化性の作動ガスを前提とする場合には、カーボンを用いることもできる。
尚、本発明で用いる作動ガス(高温ガス)は、これまで説明してきたウエットCOGに限るものではなく、ガス成分による弁座や弁体の汚染や腐食が問題になり、かつ、常温から850℃の高温を維持し続けなければならない全てのガス種、例えば、亜鉛蒸気や、重油蒸気を含有した石油ガス等に対して、適用可能である。
2 ・・・弁体
3 ・・・高温ガス流入管
4 ・・・高温ガス流出管
5 ・・・封止材(砂)
6 ・・・分散板
8 ・・・弁体昇降装置
10 ・・・流動層ガス流入口
11 ・・・流動層ガス配管
12 ・・・流動層ガス弁
13 ・・・加熱装置
14 ・・・ベローズ
15 ・・・封止材除去器
16 ・・・炉壁
17 ・・・つば
18 ・・・蓋
19 ・・・流入管側の空間
20 ・・・流出管側の空間
21 ・・・当て物
22 ・・・ファン
23 ・・・フィルタ
24 ・・・加熱炉
25 ・・・流量計
26 ・・・圧力計
Claims (8)
- 常温〜850℃の高温までの温度範囲で相変化、熱分解、または、相変態を生じない粒状の封止材を流動可能とする流動層を少なくとも備えた弁箱と、
前記弁箱に、前記流動層の表面より上方において接続された高温ガス流出管と、少なくとも仕切弁の開放状態において、前記流動層の表面より上方に開口が配置されるように、前記弁箱に接続された高温ガス流入管と、
仕切弁の閉止状態において、前記封止材を用いて前記高温ガス流入管と前記高温ガス流出管との間での高温ガスの流通を阻害するように、前記封止材に少なくとも弁体の一部が埋没する位置である弁体下降位置に配置されると共に、仕切弁の開放状態において、前記封止材の表面の上方に弁体の全てが存在する位置である弁体上昇位置に配置される弁体と、
前記弁体の配置を、前記弁体下降位置と前記弁体上昇位置の間で変更する弁体昇降装置と、
前記封止材を流動化させる流動層ガスを前記弁箱に供給するための、前記弁箱に接続された流動層ガス配管と、
前記弁体が前記弁体下降位置と前記弁体上昇位置との間で移動する移動期間中には前記流動層ガス配管を通じて流動層ガスを前記弁体内に供給すると共に、前記移動期間以外の期間では流動層ガスを供給しないように流動層ガス流れを切り替える流動層ガス供給切替機構と、
を備えることを特徴とする高温炉内用ガス仕切弁。 - 常温〜900℃の高温までの温度範囲で相変化、熱分解、焼結、または、相変態を生じない粒状の封止材を流動可能とする流動層を少なくとも備えた弁箱と、
前記弁箱に、前記流動層の表面より上方において接続された高温ガス流出管と、少なくとも仕切弁の開放状態において、前記流動層の表面より上方に開口が配置されるように、前記弁箱に接続された高温ガス流入管と、
仕切弁の閉止状態において、前記封止材を用いて前記高温ガス流入管と前記高温ガス流出管との間での高温ガスの流通を阻害するように、前記封止材に少なくとも弁体の一部が埋没する位置である弁体下降位置に配置されると共に、仕切弁の開放状態において、前記封止材の表面の上方に弁体の全てが存在する位置である弁体上昇位置に配置される弁体と、
前記弁体の配置を、前記弁体下降位置と前記弁体上昇位置の間で変更する弁体昇降装置と、
前記封止材を流動化させる流動層ガスを前記弁箱に供給するための、前記弁箱に接続された流動層ガス配管と、
前記弁体が前記弁体下降位置と前記弁体上昇位置との間で移動する移動期間中には前記流動層ガス配管を通じて流動層ガスを前記弁体内に供給すると共に、前記移動期間以外の期間では流動層ガスを供給しないように流動層ガス流れを切り替える流動層ガス供給切替機構と、
を備えることを特徴とする高温炉内用ガス仕切弁。 - 常温〜900℃の高温までの温度範囲で物性変化が少ない粒状の封止材を流動可能とする流動層を少なくとも備えた弁箱と、
前記弁箱に、前記流動層の表面より上方において接続された高温ガス流出管と、
少なくとも仕切弁の開放状態において、前記流動層の表面より上方に開口が配置されるように、前記弁箱に接続された高温ガス流入管と、
仕切弁の閉止状態において、前記封止材を用いて前記高温ガス流入管と前記高温ガス流出管との間での高温ガスの流通を阻害するように、前記封止材に少なくとも弁体の一部が埋没する位置である弁体下降位置に配置されると共に、仕切弁の開放状態において、前記封止材の表面の上方に弁体の全てが存在する位置である弁体上昇位置に配置される弁体と、
前記弁体の配置を、前記弁体下降位置と前記弁体上昇位置の間で変更する弁体昇降装置と、
前記封止材中に混入した炭化物を燃焼させる流動層ガスを前記弁箱に供給するための、前記封止材の下部または下方に接続された流動層ガス配管と、
前記炭化物を燃焼させるガスを供給状態または停止状態に切り替える流動層ガス切替機構と、
を備えることを特徴とする高温炉内用ガス仕切弁。 - 前記高温ガス流入管と前記高温ガス流出管との間での高温ガスの流通を阻害するための構造が、前記弁箱内の空間を前記高温ガス流入管側の空間と前記高温ガス流出管側の空間とに前記弁体によって隔てられる構造であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の高温炉内用ガス仕切弁。
- 前記高温ガス流入管と前記高温ガス流出管との間での高温ガスの流通を阻害するための構造が、前記弁体により前記弁箱の内部空間から排除された前記封止材の一部によって、前記高温ガス流入管と前記高温ガス流出管が閉塞されることで、前記高温ガス流入管側の空間と前記高温ガス流出管側の空間とに隔てられる構造であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の高温炉内用ガス仕切弁。
- 前記封止材の上面に、該封止材の飛散を抑制する当て物を積載することを特徴とする、請求項1から5のいずれか1項に記載の高温炉内用ガス仕切弁。
- 前記流動層ガスが酸素を含む酸化性のガスであることを特徴とする請求項3から6のいずれか1項に記載の高温炉内用ガス仕切弁。
- 前記封止材は、アルミナ、マグネシア、ジルコン、安定化ジルコニア、酸化チタン、窒化ケイ素、又は、炭化ケイ素からなることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の高温炉内用ガス仕切弁。
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