JP5563341B2 - 半導体ウエハーの分割方法 - Google Patents
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Description
[1]重合度100〜3000およびけん化度70〜99モル%のPVA系重合体を含むフィルムを半導体ウエハーに貼り合わせた後、当該半導体ウエハーを割ることにより分割する工程を有する、半導体ウエハーの分割方法、
[2]前記フィルムが前記PVA系重合体100質量部に対して無機塩を5〜150質量部含む、上記[1]の分割方法、
[3]前記フィルムが前記PVA系重合体100質量部に対して硝酸マグネシウム、硫酸ナトリウム、リン酸水素二ナトリウムおよびケイ酸二ナトリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の無機塩を5〜150質量部含む、上記[1]の分割方法、
[4]前記半導体ウエハーがシリコンウエハーである、上記[1]〜[3]のいずれか1つの分割方法、
[5]重合度100〜3000およびけん化度70〜99モル%のPVA系重合体を含むフィルムを半導体ウエハーに貼り合わせた後、当該半導体ウエハーを割ることにより分割して半導体チップを得る工程を有する、半導体チップの製造方法、
[6]前記フィルムが前記PVA系重合体100質量部に対して無機塩を5〜150質量部含む、上記[5]の製造方法、
[7]前記フィルムが前記PVA系重合体100質量部に対して硝酸マグネシウム、硫酸ナトリウム、リン酸水素二ナトリウムおよびケイ酸二ナトリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の無機塩を5〜150質量部含む、上記[5]の製造方法、
[8]前記半導体ウエハーがシリコンウエハーである、上記[5]〜[7]のいずれか1つの製造方法、
[9]重合度100〜3000およびけん化度70〜99モル%のPVA系重合体および当該PVA系重合体100質量部に対して無機塩を5〜150質量部含むフィルムであって、半導体ウエハーに貼り合わせる用途に使用されるフィルム、
[10]重合度100〜3000およびけん化度70〜99モル%のPVA系重合体および当該PVA系重合体100質量部に対して硝酸マグネシウム、硫酸ナトリウム、リン酸水素二ナトリウムおよびケイ酸二ナトリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の無機塩を5〜150質量部含むフィルムであって、半導体ウエハーに貼り合わせる用途に使用されるフィルム、
[11]前記半導体ウエハーがシリコンウエハーである、上記[9]または[10]のフィルム、
[12]上記[9]〜[11]のいずれか1つのフィルムを半導体ウエハーに貼り合わせてなる積層体、
に関する。
また本発明のフィルムはシリコンウエハー等の半導体ウエハーに貼り合わせることにより当該半導体ウエハーを容易に保護することができ、上記半導体ウエハーの分割方法および半導体チップの製造方法に好適に使用することができる。さらに本発明の積層体を用いれば、シリコンウエハー等の半導体ウエハーが保護されるとともに当該半導体ウエハーを目的の箇所で容易に分割することができて個々の半導体チップを分割しやすく、しかも貼り合わせたフィルムを剥離後、フィルム成分が回路側に残存しにくい。
本発明において使用されるフィルムは重合度100〜3000およびけん化度70〜99モル%のPVA系重合体を含む。以下、当該フィルムを「PVA系重合体フィルム」と称することがある。
水分率(質量%)=100×[乾燥前のPVA系重合体フィルムの質量−乾燥後のPVA系重合体フィルムの質量]/乾燥前のPVA系重合体フィルムの質量
本発明において使用されるPVA系重合体フィルムの質量に対して、PVA系重合体、任意成分としての無機塩および任意成分としての可塑剤の合計の質量の占める割合は、50〜100質量%の範囲内であることが好ましく、80〜100質量%の範囲内であることがより好ましく、90〜100質量%の範囲内であることがさらに好ましい。
けん化度88モル%、重合度1700のPVA15質量部、およびグリセリン3.9質量部を含有する水溶液(PVA濃度は15質量%)をガラス板上に流延し、120℃の熱風をあてながら5分間乾燥することにより、厚さ35.2μm、サイズ300mm×300mmのフィルムを得た。当該フィルムの水分率は3.2質量%であった。これを直径150mm、厚さ100μmのシリコンウエハー上に置き、160℃に加熱した熱板を押し当て溶着させて上記フィルムがシリコンウエハーに貼り合わされてなる積層体を得た。その後、ダイヤモンドカッターにてフィルムを貼り付けた面に対して反対の面(フィルムを貼り付けた逆面)の直径部分(シリコンウエハーの中心をとおりシリコンウエハーを2分する直線部分)に切れ目をつけた。切れ目の深さは顕微鏡観察によると平均40μmであった。
続いて、これをフィルムを貼り付けた逆面から切れ目と平行して、幅1cmの硬質ゴムを表面につけた鉄棒を押し当ててシリコンウエハーを割ることにより分割して半円形の2枚のシリコンウエハーを得た。割れた面を顕微鏡観察したところ、300μm以上ずれた部分は観察されなかった。この場合、ずれとは、シリコンウエハーを真上から見て、割る前につけた切れ目と実際に割れた面との距離(切れ目の中心をとおりウエハーの厚さ方向に広がる平面から実際に割れた面に向かって垂線を引いた場合の距離であって、シリコンウエハーの厚さ方向の位置によって上記距離が一定でない場合には、厚さ方向からシリコンウエハーを見た際に最も切れ目に近い距離)である。
分割したシリコンウエハーからフィルムを剥離しシリコンウエハー面へのフィルム成分の残り具合を観察した。次にフィルム成分がシリコンウエハー面に残った場合を想定して、剥離したフィルムの60℃の水中における完溶時間を前述した方法に従って測定した。以上の結果を表1に示した。
実施例1において、水溶液に硝酸マグネシウム6水和物の粉末(平均粒径8μm)を4質量部(PVA100質量部に対して硝酸マグネシウムとして15質量部)さらに加えたこと以外は実施例1と同様にしてフィルムを得て、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1に示した。
実施例1において、PVAとして、けん化度95モル%、重合度1700のPVAを用いたこと以外は実施例1と同様にしてフィルムを得て、実施例1と同様に評価を行った。結果を表1に示した。
実施例1において、PVAとして、けん化度92モル%、重合度700のPVAを用いたこと以外は実施例1と同様にしてフィルムを得て、実施例1と同様に評価を行った。結果を表1に示した。
実施例1において、PVAの代わりに、けん化度94モル%、重合度1700、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸ナトリウムを変性PVAを構成する全構造単位のモル数に基づいて2モル%の割合で共重合により変性した変性PVAを用いたこと以外は実施例1と同様にしてフィルムを得て、実施例1と同様に評価を行った。結果を表1に示した。
実施例1において、PVAとして、けん化度65モル%、重合度1700のPVAを用いたこと以外は実施例1と同様にしてフィルムを得て、実施例1と同様に評価を行った。結果を表1に示した。
表1から明らかなように、このフィルムは、完溶時間が500を超えるため、シリコンウエハー面にフィルム成分が残った場合、水洗除去に問題がある。
脱イオン水148質量部、アニオン性界面活性剤としてポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルサルフェートのアンモニウム塩〔日本乳化剤(株)製、商品名:Newcol−560SF、50質量%水溶液〕2質量部(界面活性剤純品として1質量部)、重合開始剤として4,4’−アゾビス−4−シアノバレリックアシッド〔大塚化学(株)製、商品名:ACVA〕0.5質量部、アクリル酸ブチル74質量部、メタクリル酸メチル14質量部、メタクリル酸−2−ヒドロキシエチル9質量部、メタクリル酸2質量部、アクリルアミド1質量部を添加し、反応器内で撹拌下、70℃において9時間乳化重合を実施し、アクリル樹脂系水性エマルジョンを得た。これを14質量%アンモニア水で中和し、固形分約40質量%の粘着剤ポリマー(主剤)エマルジョンを得た。
比較例2では、シリコンウエハー面へのフィルム成分の残り具合を観察したところ、粘着剤層の残留物(長辺距離と短辺距離の平均が5μm以上のもの)が分割後の半円形のシリコンウエハー1枚において12個観察された。
Claims (12)
- 重合度100〜3000およびけん化度70〜99モル%のポリビニルアルコール系重合体を含むフィルムを半導体ウエハーに貼り合わせた後、当該半導体ウエハーを割ることにより分割する工程を有する、半導体ウエハーの分割方法。
- 前記フィルムが前記ポリビニルアルコール系重合体100質量部に対して無機塩を5〜150質量部含む、請求項1に記載の分割方法。
- 前記フィルムが前記ポリビニルアルコール系重合体100質量部に対して硝酸マグネシウム、硫酸ナトリウム、リン酸水素二ナトリウムおよびケイ酸二ナトリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の無機塩を5〜150質量部含む、請求項1に記載の分割方法。
- 前記半導体ウエハーがシリコンウエハーである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の分割方法。
- 重合度100〜3000およびけん化度70〜99モル%のポリビニルアルコール系重合体を含むフィルムを半導体ウエハーに貼り合わせた後、当該半導体ウエハーを割ることにより分割して半導体チップを得る工程を有する、半導体チップの製造方法。
- 前記フィルムが前記ポリビニルアルコール系重合体100質量部に対して無機塩を5〜150質量部含む、請求項5に記載の製造方法。
- 前記フィルムが前記ポリビニルアルコール系重合体100質量部に対して硝酸マグネシウム、硫酸ナトリウム、リン酸水素二ナトリウムおよびケイ酸二ナトリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の無機塩を5〜150質量部含む、請求項5に記載の製造方法。
- 前記半導体ウエハーがシリコンウエハーである、請求項5〜7のいずれか1項に記載の製造方法。
- 重合度100〜3000およびけん化度70〜99モル%のポリビニルアルコール系重合体および当該ポリビニルアルコール系重合体100質量部に対して無機塩を5〜150質量部含むフィルムであって、半導体ウエハーに貼り合わせる用途に使用されるフィルム。
- 重合度100〜3000およびけん化度70〜99モル%のポリビニルアルコール系重合体および当該ポリビニルアルコール系重合体100質量部に対して硝酸マグネシウム、硫酸ナトリウム、リン酸水素二ナトリウムおよびケイ酸二ナトリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の無機塩を5〜150質量部含むフィルムであって、半導体ウエハーに貼り合わせる用途に使用されるフィルム。
- 前記半導体ウエハーがシリコンウエハーである、請求項9または10に記載のフィルム。
- 請求項9〜11のいずれか1項に記載のフィルムを半導体ウエハーに貼り合わせてなる積層体。
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