JP5556232B2 - 推定装置、推定方法及びコンピュータプログラム - Google Patents
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Description
図4は、補正値算出処理に用いられる配線周囲長及び表面積比の概略を表す図である。図4において、L1は半導体ウェハ上の回路パターンを表す。配線周囲長は、半導体ウェハ上の回路パターンL1の配線の一方の境界線L1aの全長と、他方の境界線L1bの全長との合計値である。また表面積比は、回路パターンL1の表面積S1と、半導体ウェハ上の回路パターンL1以外の部分の表面積S2との比(S1/S2)である。なお、半導体ウェハの高さ方向に表面の露出がある場合には、表面積比として高さ方向の露出表面がさらに考慮されても良い。
また、式4の様な重回帰モデルに適用する場合だけでなく、その他の統計モデルに適用する際にも、各物理現象を表す説明変数に対して補正を行うことにより、重回帰モデル以外の統計モデルにも適用が可能である。
以上、この発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。
Claims (3)
- 半導体ウェハを研磨する研磨機構の特性を表す複数の物理量を式の要素とする統計モデルに基づいて研磨レートを推定する推定装置であって、
前記複数の物理量のそれぞれについて、前記半導体ウェハの回路パターンの配線長と、前記半導体ウェハに占める前記回路パターンの面積比と、に対応する補正値を算出する補正値算出部と、
前記補正値と、前記複数の物理量を説明変数とする統計モデルと、を用いて研磨レートを推定する推定部と、
前記研磨レートの推定対象となる半導体ウェハに対して実際に研磨が行われた際の前記複数の物理量を取得する物理量取得部と、
を備え、
前記補正値算出部は、前記推定部が用いる統計モデルを生成する際に実測値を得るために研磨された基準ウェハについて求められた物理量と、前記推定対象となる半導体ウェハの研磨によって求められた物理量との相違のうち、回路パターンの配線周囲長及び表面積比の違いによって生じる相違を解消するための値を補正値として算出する、
推定装置。 - 半導体ウェハを研磨する研磨機構の特性を表す複数の物理量を式の要素とする統計モデルに基づいて研磨レートを推定する推定装置が、前記複数の物理量のそれぞれについて、前記半導体ウェハの回路パターンの配線長と、前記半導体ウェハに占める前記回路パターンの面積比と、に対応する補正値を算出する補正値算出ステップと、
前記推定装置が、前記補正値と、前記複数の物理量を説明変数とする統計モデルと、を用いて研磨レートを推定する推定ステップと、
前記研磨レートの推定対象となる半導体ウェハに対して実際に研磨が行われた際の前記複数の物理量を取得する物理量取得ステップと、
を有し、
前記補正値算出ステップでは、前記推定部が用いる統計モデルを生成する際に実測値を得るために研磨された基準ウェハについて求められた物理量と、前記推定対象となる半導体ウェハの研磨によって求められた物理量との相違のうち、回路パターンの配線周囲長及び表面積比の違いによって生じる相違を解消するための値を補正値として算出する、
推定方法。 - コンピュータに対し、半導体ウェハを研磨する研磨機構の特性を表す複数の物理量を式の要素とする統計モデルに基づいて研磨レートを推定させるためのコンピュータプログラムであって、
前記複数の物理量のそれぞれについて、前記半導体ウェハの回路パターンの配線長と、前記半導体ウェハに占める前記回路パターンの面積比と、に対応する補正値を算出する補正値算出ステップと、
前記補正値と、前記複数の物理量を説明変数とする統計モデルと、を用いて研磨レートを推定する推定ステップと、
前記研磨レートの推定対象となる半導体ウェハに対して実際に研磨が行われた際の前記複数の物理量を取得する物理量取得ステップと、
を有し、
前記補正値算出ステップでは、前記推定部が用いる統計モデルを生成する際に実測値を得るために研磨された基準ウェハについて求められた物理量と、前記推定対象となる半導体ウェハの研磨によって求められた物理量との相違のうち、回路パターンの配線周囲長及び表面積比の違いによって生じる相違を解消するための値を補正値として算出する推定方法を前記コンピュータに対し実行させるためのコンピュータプログラム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010040136A JP5556232B2 (ja) | 2010-02-25 | 2010-02-25 | 推定装置、推定方法及びコンピュータプログラム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2011176200A JP2011176200A (ja) | 2011-09-08 |
JP5556232B2 true JP5556232B2 (ja) | 2014-07-23 |
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ID=44688787
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2010040136A Expired - Fee Related JP5556232B2 (ja) | 2010-02-25 | 2010-02-25 | 推定装置、推定方法及びコンピュータプログラム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5556232B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6986358B2 (ja) * | 2017-03-29 | 2021-12-22 | 三菱重工業株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法およびプログラム |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08288245A (ja) * | 1995-04-12 | 1996-11-01 | Sony Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
JP3082850B2 (ja) * | 1998-10-16 | 2000-08-28 | 株式会社東京精密 | ウェーハ研磨装置 |
JP3932836B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2007-06-20 | 株式会社日立製作所 | 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2003163194A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 研磨方法及び半導体装置の作製方法 |
JP2003224098A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 配線の設計方法、プログラムおよびそのプログラムを記録した記録媒体 |
JP2008258510A (ja) * | 2007-04-07 | 2008-10-23 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Cmp装置の研磨条件管理装置及び研磨条件管理方法 |
JP2009033105A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-02-12 | Panasonic Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2009170632A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置製造システム |
JP4561904B2 (ja) * | 2008-08-07 | 2010-10-13 | ソニー株式会社 | 膜厚予測方法、レイアウト設計方法、露光用マスクのマスクパターン設計方法、及び、半導体集積回路の作製方法 |
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Publication number | Publication date |
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JP2011176200A (ja) | 2011-09-08 |
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A521 | Written amendment |
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