JP5542049B2 - マルチコア構造に基づくウエハー上の欠陥を検出するためのコンピューターに実装された方法、キャリア媒体、およびシステム - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 169
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 94
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title description 177
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 137
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 36
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 22
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 14
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 31
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 12
- 238000013461 design Methods 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006719 Cassia obtusifolia Nutrition 0.000 description 1
- 235000014552 Cassia tora Nutrition 0.000 description 1
- 244000201986 Cassia tora Species 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000012417 linear regression Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000013386 optimize process Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
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Description
本発明の第1の形態は、ウエハー上の欠陥を検出するためにコンピューターに実装された方法であって、
光学検査システムにより生成された前記ウエハーについての出力を取得するステップと、前記ウエハー上にダイが形成され、前記ダイに複数のコアが形成されており、前記出力は前記光学検査システムからの光と検査対象の前記ウエハーとの間の相互作用の結果であることと、
第1の前記複数のコアについての前記出力を、第2の前記複数のコアについての前記出力と比較することによって前記ウエハー上の欠陥を検出するステップと、前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアは、同一のダイ、異なるダイ、または同一のダイおよび異なるダイに形成されることと、を備え、
前記ダイにおける前記複数のコアの周期は、前記ダイに形成された繰り返しパターン化されたフィーチャーの周期よりも大きい、方法である。
上記方法において、各ダイの中において、複数のコアは互いに鏡面対称に配置されていてもよく、
前記方法は、さらに、
前記比較ステップの前に、前記第1の前記複数のコアと前記第2の前記複数のコアとの間の鏡面対称面を識別するステップと、前記比較ステップの前に、前記鏡面対称面に基づき前記第1の前記複数のコアと前記第2の前記複数のコアを互いに整列させるステップと、を含むものとしてもよい。
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
[適用例1]
ウエハー上の欠陥を検出するためにコンピューターに実装された方法であって、
検査システムにより生成された前記ウエハーについての出力を取得するステップと、前記ウエハー上にダイが形成され、前記ダイに複数のコアが形成されていることと、
第1の前記複数のコアについての前記出力を、第2の前記複数のコアについての前記出力と比較することによって前記ウエハー上の欠陥を検出するステップと、前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアは、同一のダイ、異なるダイ、または同一のダイおよび異なるダイに形成されることと、を備える方法。
[適用例2]
前記ダイにおける前記複数のコアの周期は、前記ダイに形成された繰り返しパターン化されたフィーチャーの周期よりも大きい、適用例1に記載の方法。
[適用例3]
前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアは、同一のダイ上に互いに隣り合って配置されている、適用例1に記載の方法。
[適用例4]
前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアは、同一のダイ上に互いに隣り合って配置されていない、適用例1に記載の方法。
[適用例5]
前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアは、均質な複数コアである、適用例1に記載の方法。
[適用例6]
前記比較ステップは、実質的に前記第1の前記複数のコアの全体と実質的に前記第2の前記複数のコアの全体とを比較するステップを含む、適用例1に記載の方法。
[適用例7]
前記比較ステップは、前記複数のコアに形成されるパターン化されたフィーチャーの周期性および繰り返し性に基づいては実行されない、適用例1に記載の方法。
[適用例8]
前記比較ステップの結果は、前記欠陥が検出された前記ウエハーの層の下方にある前記ウエハーの層上に形成されたパターン化されたフィーチャーと関連性を有しない、適用例1に記載の方法。
[適用例9]
前記ウエハー全体にわたるプロセス変化により生じた、前記比較ステップに起因するノイズは、前記複数のコアの周期性により実質的に抑制される、適用例1に記載の方法。
[適用例10]
前記ウエハー全体にわたる色変化により生じた、前記比較ステップに起因するノイズは、前記複数のコアの周期性により実質的に抑制される、適用例1に記載の方法。
[適用例11]
前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアは、前記ウエハーの端部に隣接してダイに形成され、前記ダイの一部のみが前記ウエハーの前記端部に隣接して前記ウエハー上に形成され、前記検出ステップは、前記ウエハーの前記端部に隣接して位置する前記ダイの前記欠陥を検出するステップを含む、適用例1に記載の方法。
[適用例12]
前記比較ステップの前に、前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアについての出力のうちの1つの前記出力を回転するステップをさらに含む、適用例1に記載の方法。
[適用例13]
前記比較ステップの前に、前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアについての出力のうちの1つの前記出力を平行移動するステップをさらに含む、適用例1に記載の方法。
[適用例14]
前記比較ステップの前に、前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアについての出力のうちの1つの前記出力を回転および平行移動するステップをさらに含む、適用例1に記載の方法。
[適用例15]
前記比較ステップの前に、前記複数のコアと実質的に同じ対称性を有するフィルター技法を使用して、前記出力をフィルタリングするステップをさらに含む、適用例1に記載の方法。
[適用例16]
前記比較ステップの前に、前記第1の前記複数のコアと前記第2の前記複数のコアとの間の鏡面対称面を識別するステップと、前記比較ステップの前に、前記鏡面対称面に基づき前記第1の前記複数のコアと前記第2の前記複数のコアを互いに整列させるステップと、をさらに含む、適用例1に記載の方法。
[適用例17]
前記出力は、デジタル化した前記ウエハーのイメージを含む、適用例1に記載の方法。
[適用例18]
前記比較ステップは、前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアについての前記出力の個々のピクセルを相互に比較するステップを含み、相互に比較される前記個々のピクセルは、前記第1の前記複数のコアと前記第2の前記複数のコアとの間の鏡面対称面に対して対応する位置に配置される、適用例1に記載の方法。
[適用例19]
前記検出ステップは、前記比較ステップの結果に対して閾値を適用するステップを含む、適用例1に記載の方法。
[適用例20]
ウエハー上の欠陥を検出するためにコンピューターに実装された方法を実施するために、コンピューターシステム上で実行可能なプログラム命令を含むキャリア媒体であって、前記コンピューターに実装された方法は、
検査システムにより生成された前記ウエハーについての出力を取得するステップと、前記ウエハー上にはダイが形成され、前記ダイには複数のコアが形成されていることと、
第1の前記複数のコアについての前記出力を、第2の前記複数のコアについての前記出力と比較することによって前記ウエハー上の欠陥を検出するステップと、前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアは、同一のダイ、異なるダイ、または同一のダイおよび異なるダイに形成されることと、を備える媒体。
[適用例21]
ウエハー上の欠陥を検出するために構成されたシステムであって、
前記ウエハーについての出力を生成するように構成された検査システムと、前記ウエハー上にダイが形成され、前記ダイには複数のコア形成されていることと、
第1の前記複数のコアについての前記出力を、第2の前記複数のコアについての前記出力と比較することによって前記ウエハー上の欠陥を検出するコンピューターシステムと、前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアは、同一のダイ、異なるダイ、または同一のダイおよび異なるダイに形成されていることと、を備えるシステム。
Claims (22)
- ウエハー上の欠陥を検出するためにコンピューターに実装された方法であって、
光学検査システムにより生成された前記ウエハーについての出力を取得するステップと、前記ウエハー上にダイが形成され、前記ダイに複数のコアが形成されており、前記出力は前記光学検査システムからの光と検査対象の前記ウエハーとの間の相互作用の結果であることと、
第1の前記複数のコアについての前記出力を、第2の前記複数のコアについての前記出力と比較することによって前記ウエハー上の欠陥を検出するステップと、前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアは、同一のダイ、異なるダイ、または同一のダイおよび異なるダイに形成されることと、を備え、
前記ダイにおける前記複数のコアの周期は、前記ダイに形成された繰り返しパターン化されたフィーチャーの周期よりも大きい、方法。 - 請求項1記載の方法であって、
各ダイの中において、複数のコアは互いに鏡面対称に配置されており、
前記方法は、さらに、
前記比較ステップの前に、前記第1の前記複数のコアと前記第2の前記複数のコアとの間の鏡面対称面を識別するステップと、前記比較ステップの前に、前記鏡面対称面に基づき前記第1の前記複数のコアと前記第2の前記複数のコアを互いに整列させるステップと、を含む、方法。 - 前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアは、同一のダイ上に互いに隣り合って配置されている、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアは、同一のダイ上に互いに隣り合って配置されていない、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアは、均質な複数コアである、請求項1に記載の方法。
- 前記比較ステップは、実質的に前記第1の前記複数のコアの全体と実質的に前記第2の前記複数のコアの全体とを比較するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記比較ステップは、前記複数のコアに形成されるパターン化されたフィーチャーの周期性および繰り返し性に基づいては実行されない、請求項1に記載の方法。
- 前記比較ステップの結果は、前記欠陥が検出された前記ウエハーの層の下方にある前記ウエハーの層上に形成されたパターン化されたフィーチャーと関連性を有しない、請求項1に記載の方法。
- 前記ウエハー全体にわたるプロセス変化により生じた、前記比較ステップに起因するノイズは、前記複数のコアの周期性により実質的に抑制される、請求項1に記載の方法。
- 前記ウエハー全体にわたる色変化により生じた、前記比較ステップに起因するノイズは、前記複数のコアの周期性により実質的に抑制される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアは、前記ウエハーの端部に隣接してダイに形成され、前記ダイの一部のみが前記ウエハーの前記端部に隣接して前記ウエハー上に形成され、前記検出ステップは、前記ウエハーの前記端部に隣接して位置する前記ダイの前記欠陥を検出するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記比較ステップの前に、前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアについての出力のうちの1つの前記出力を回転するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記比較ステップの前に、前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアについての出力のうちの1つの前記出力を平行移動するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記比較ステップの前に、前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアについての出力のうちの1つの前記出力を回転および平行移動するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記比較ステップの前に、前記複数のコアと実質的に同じ対称性を有するフィルター技法を使用して、前記出力をフィルタリングするステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記出力は、デジタル化した前記ウエハーのイメージを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記比較ステップは、前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアについての前記出力の個々のピクセルを相互に比較するステップを含み、相互に比較される前記個々のピクセルは、前記第1の前記複数のコアと前記第2の前記複数のコアとの間の鏡面対称面に対して対応する位置に配置される、請求項1に記載の方法。
- 前記検出ステップは、前記比較ステップの結果に対して閾値を適用するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- ウエハー上の欠陥を検出するためにコンピューターに実装された方法を実施するために、コンピューターシステム上で実行可能なプログラム命令を含むキャリア媒体であって、前記コンピューターに実装された方法は、
光学検査システムにより生成された前記ウエハーについての出力を取得するステップと、前記ウエハー上にはダイが形成され、前記ダイには複数のコアが形成されており、前記出力は前記光学検査システムからの光と検査対象の前記ウエハーとの間の相互作用の結果であることと、
第1の前記複数のコアについての前記出力を、第2の前記複数のコアについての前記出力と比較することによって前記ウエハー上の欠陥を検出するステップと、前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアは、同一のダイ、異なるダイ、または同一のダイおよび異なるダイに形成されることと、を備え、
前記ダイにおける前記複数のコアの周期は、前記ダイに形成された繰り返しパターン化されたフィーチャーの周期よりも大きい、キャリア媒体。 - 請求項19記載のキャリア媒体であって、
各ダイの中において、複数のコアは互いに鏡面対称に配置されており、
前記方法は、さらに、
前記比較ステップの前に、前記第1の前記複数のコアと前記第2の前記複数のコアとの間の鏡面対称面を識別するステップと、前記比較ステップの前に、前記鏡面対称面に基づき前記第1の前記複数のコアと前記第2の前記複数のコアを互いに整列させるステップと、を含む、キャリア媒体。 - ウエハー上の欠陥を検出するために構成されたシステムであって、
前記ウエハーについての出力を生成するように構成された光学検査システムと、前記ウエハー上にダイが形成され、前記ダイには複数のコア形成されており、前記出力は前記光学検査システムからの光と検査対象の前記ウエハーとの間の相互作用の結果であることと、
第1の前記複数のコアについての前記出力を、第2の前記複数のコアについての前記出力と比較することによって前記ウエハー上の欠陥を検出するコンピューターシステムと、前記第1の前記複数のコアおよび前記第2の前記複数のコアは、同一のダイ、異なるダイ、または同一のダイおよび異なるダイに形成されていることと、を備え、
前記ダイにおける前記複数のコアの周期は、前記ダイに形成された繰り返しパターン化されたフィーチャーの周期よりも大きい、システム。 - 請求項21記載のシステムであって、
各ダイの中において、複数のコアは互いに鏡面対称に配置されており、
前記コンピュータシステムは、
前記比較の前に、前記第1の前記複数のコアと前記第2の前記複数のコアとの間の鏡面対称面を識別し、前記比較の前に、前記鏡面対称面に基づき前記第1の前記複数のコアと前記第2の前記複数のコアを互いに整列させる、システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/759,580 US7474967B2 (en) | 2007-06-07 | 2007-06-07 | Computer-implemented methods, carrier media, and systems for detecting defects on a wafer based on multi-core architecture |
US11/759,580 | 2007-06-07 | ||
PCT/US2008/066334 WO2008154497A2 (en) | 2007-06-07 | 2008-06-09 | Computer-implemented methods, carrier media, and systems for detecting defects on a wafer based on multi-core architecture |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010529684A JP2010529684A (ja) | 2010-08-26 |
JP5542049B2 true JP5542049B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=40096647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010511423A Active JP5542049B2 (ja) | 2007-06-07 | 2008-06-09 | マルチコア構造に基づくウエハー上の欠陥を検出するためのコンピューターに実装された方法、キャリア媒体、およびシステム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7474967B2 (ja) |
JP (1) | JP5542049B2 (ja) |
WO (1) | WO2008154497A2 (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7881965B2 (en) | 2008-10-02 | 2011-02-01 | ecoATM, Inc. | Secondary market and vending system for devices |
US10853873B2 (en) | 2008-10-02 | 2020-12-01 | Ecoatm, Llc | Kiosks for evaluating and purchasing used electronic devices and related technology |
CA2739633C (en) | 2008-10-02 | 2016-06-21 | Mark Bowles | Secondary market and vending system for devices |
US11010841B2 (en) | 2008-10-02 | 2021-05-18 | Ecoatm, Llc | Kiosk for recycling electronic devices |
US20110153984A1 (en) * | 2009-12-21 | 2011-06-23 | Andrew Wolfe | Dynamic voltage change for multi-core processing |
US8415813B2 (en) * | 2011-06-15 | 2013-04-09 | Truesense Imaging, Inc. | Identification of dies on a semiconductor wafer |
US10401411B2 (en) | 2014-09-29 | 2019-09-03 | Ecoatm, Llc | Maintaining sets of cable components used for wired analysis, charging, or other interaction with portable electronic devices |
US10438174B2 (en) | 2014-10-02 | 2019-10-08 | Ecoatm, Llc | Application for device evaluation and other processes associated with device recycling |
EP3201846B1 (en) | 2014-10-02 | 2024-07-03 | ecoATM, LLC | Wireless-enabled kiosk for recycling consumer devices |
US10445708B2 (en) | 2014-10-03 | 2019-10-15 | Ecoatm, Llc | System for electrically testing mobile devices at a consumer-operated kiosk, and associated devices and methods |
US10417615B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-09-17 | Ecoatm, Llc | Systems and methods for recycling consumer electronic devices |
WO2016069742A1 (en) | 2014-10-31 | 2016-05-06 | ecoATM, Inc. | Methods and systems for facilitating processes associated with insurance services and/or other services for electronic devices |
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2007
- 2007-06-07 US US11/759,580 patent/US7474967B2/en active Active
-
2008
- 2008-06-09 JP JP2010511423A patent/JP5542049B2/ja active Active
- 2008-06-09 WO PCT/US2008/066334 patent/WO2008154497A2/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010529684A (ja) | 2010-08-26 |
US7474967B2 (en) | 2009-01-06 |
WO2008154497A3 (en) | 2009-11-26 |
US20080306701A1 (en) | 2008-12-11 |
WO2008154497A2 (en) | 2008-12-18 |
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Yang | Metrology and Inspection Equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110608 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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