JP5528670B2 - バーンイン試験に関するシステムおよび方法 - Google Patents
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本願は、本発明の譲受人に譲渡された代理人事件番号TRAN−P283の「System and Method for Reducing Temperature Variation During Burn−in」と称する2004年3月1日出願のE.Shengらによる米国特許出願第10/791,099号に関連し、その全体が参照により本書に組み込まれる。
Claims (19)
- 複数の被試験デバイスにボディバイアス電圧を提供するための第1電圧源と、
前記被試験デバイスおよび前記第1電圧源を結合するための配線板と、
を含み、
前記ボディバイアス電圧は、ボディバイアス電圧値によって索引付けられた漏れ電流値を含む情報から選択され、かつ、前記ボディバイアス電圧は、前記被試験デバイスで所望の接合部温度を達成するように選択される、
バーンイン試験用の装置。 - 前記配線板を介して前記被試験デバイスに結合される試験制御装置をさらに含む、請求項1に記載の装置。
- 前記被試験デバイスに動作電圧を提供するための第2電圧源をさらに含む、請求項1に記載の装置。
- 前記被試験デバイスがp型金属酸化物半導体(PMOS)デバイスを含む、請求項1に記載の装置。
- 前記ボディバイアス電圧が0〜5ボルトの範囲内である、請求項4に記載の装置。
- 前記被試験デバイスがn型金属酸化物半導体(NMOS)デバイスを含む、請求項1に記載の装置。
- 前記ボディバイアス電圧が0〜−10ボルトの範囲内である、請求項6に記載の装置。
- 複数の被試験デバイスのバーンイン試験方法であって、
前記被試験デバイスに動作電圧を印加するステップと、
前記被試験デバイスにボディバイアス電圧を印加するステップと、
を含み、前記ボディバイアス電圧は、ボディバイアス電圧値によって索引付けられた漏れ電流値を含む情報から選択され、前記ボディバイアス電圧は、前記被試験デバイスで所望の接合部温度を達成するように選択される、方法。 - 前記被試験デバイスがp型金属酸化物半導体(PMOS)デバイスを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記ボディバイアス電圧が0〜5ボルトの範囲内である、請求項9に記載の方法。
- 前記被試験デバイスがn型金属酸化物半導体(NMOS)デバイスを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記ボディバイアス電圧が0〜−10ボルトの範囲内である、請求項11に記載の方法。
- 複数の被試験デバイスのバーンイン試験方法であって、
ボディバイアス電圧値によって索引付けられた漏れ電流値を含む情報の記憶にアクセスするステップと、
前記漏れ電流値に基づいて前記ボディバイアス電圧値のうちの1つを選択するステップと、
前記被試験デバイスに印加される動作電圧に加えて、ボディバイアス電圧を前記被試験デバイスに印加するステップであり、前記動作電圧が、前記ボディバイアス電圧値のうちの前記選択された1つに対応する前記ボディバイアス電圧と共に、前記被試験デバイスで所望の接合部温度を達成する、印加するステップと、
を含む方法。 - 前記被試験デバイスがp型金属酸化物半導体(PMOS)デバイスを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記ボディバイアス電圧値のうちの前記選択された1つが0〜5ボルトの範囲内である、請求項14に記載の方法。
- 前記被試験デバイスがn型金属酸化物半導体(NMOS)デバイスを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記ボディバイアス電圧値のうちの前記選択された1つが0〜−10ボルトの範囲内である、請求項16に記載の方法。
- 前記ボディバイアス電圧が、前記被試験デバイスに関連付けられる漏れ電流を低減するように選択される、請求項1〜7のいずれか1項に記載の装置。
- 前記ボディバイアス電圧の印加により漏れ電流が低減される、請求項8〜12のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/791,099 US7248988B2 (en) | 2004-03-01 | 2004-03-01 | System and method for reducing temperature variation during burn in |
US10/791,459 | 2004-03-01 | ||
US10/791,241 US6897671B1 (en) | 2004-03-01 | 2004-03-01 | System and method for reducing heat dissipation during burn-in |
US10/791,241 | 2004-03-01 | ||
US10/791,099 | 2004-03-01 | ||
US10/791,459 US6900650B1 (en) | 2004-03-01 | 2004-03-01 | System and method for controlling temperature during burn-in |
PCT/US2005/006814 WO2005085887A1 (en) | 2004-03-01 | 2005-03-01 | System and method pertaining to burn-in testing |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007526485A JP2007526485A (ja) | 2007-09-13 |
JP2007526485A5 JP2007526485A5 (ja) | 2008-04-17 |
JP5528670B2 true JP5528670B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=38556391
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007501957A Active JP5528670B2 (ja) | 2004-03-01 | 2005-03-01 | バーンイン試験に関するシステムおよび方法 |
JP2007501956A Active JP4789917B2 (ja) | 2004-03-01 | 2005-03-01 | バーンイン中に温度を調節するためのシステムおよび方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007501956A Active JP4789917B2 (ja) | 2004-03-01 | 2005-03-01 | バーンイン中に温度を調節するためのシステムおよび方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5528670B2 (ja) |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07105160B2 (ja) * | 1989-05-20 | 1995-11-13 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
JPH0474451A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Matsushita Electron Corp | 半導体回路装置 |
JPH06148263A (ja) * | 1992-11-09 | 1994-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の通電加速試験方法 |
JP3972018B2 (ja) * | 1995-12-04 | 2007-09-05 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置 |
JP3784884B2 (ja) * | 1996-05-15 | 2006-06-14 | エスペック株式会社 | 試料実測式環境試験装置 |
JP2822999B2 (ja) * | 1996-10-30 | 1998-11-11 | 日本電気株式会社 | 高温不良選別装置及び高温不良選別方法 |
JP2000206174A (ja) * | 1999-01-14 | 2000-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の検査方法 |
JP2002116237A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体集積回路 |
JP3772787B2 (ja) * | 2002-04-24 | 2006-05-10 | ヤマハ株式会社 | 半導体装置の検査装置および方法 |
-
2005
- 2005-03-01 JP JP2007501957A patent/JP5528670B2/ja active Active
- 2005-03-01 JP JP2007501956A patent/JP4789917B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4789917B2 (ja) | 2011-10-12 |
JP2007526485A (ja) | 2007-09-13 |
JP2007526484A (ja) | 2007-09-13 |
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