JP5523219B2 - セレン/第1b族インク、並びにその製造方法および使用方法 - Google Patents
セレン/第1b族インク、並びにその製造方法および使用方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5523219B2 JP5523219B2 JP2010145559A JP2010145559A JP5523219B2 JP 5523219 B2 JP5523219 B2 JP 5523219B2 JP 2010145559 A JP2010145559 A JP 2010145559A JP 2010145559 A JP2010145559 A JP 2010145559A JP 5523219 B2 JP5523219 B2 JP 5523219B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- selenium
- group
- ink
- component
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 125000003748 selenium group Chemical group *[Se]* 0.000 title claims description 140
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 21
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 202
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 162
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 156
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 124
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 95
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 33
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 32
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 25
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 14
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 12
- MBYLVOKEDDQJDY-UHFFFAOYSA-N tris(2-aminoethyl)amine Chemical compound NCCN(CCN)CCN MBYLVOKEDDQJDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 9
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- -1 chalcogenide compound Chemical class 0.000 claims description 8
- SSJXIUAHEKJCMH-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-diamine Chemical compound NC1CCCCC1N SSJXIUAHEKJCMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- KYVBNYUBXIEUFW-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetramethylguanidine Chemical compound CN(C)C(=N)N(C)C KYVBNYUBXIEUFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000003916 ethylene diamine group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 6
- MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-1H-imidazole Chemical compound CN1C=CN=C1 MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LTHNHFOGQMKPOV-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-amine Chemical compound CCCCC(CC)CN LTHNHFOGQMKPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 4
- AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N propylenediamine Chemical compound CC(N)CN AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N Propanolamine Chemical compound NCCCO WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- ZNZJJSYHZBXQSM-UHFFFAOYSA-N propane-2,2-diamine Chemical compound CC(C)(N)N ZNZJJSYHZBXQSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 136
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 94
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 43
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 42
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 26
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 25
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 25
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 23
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 20
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 17
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 15
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 14
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 125000005011 alkyl ether group Chemical group 0.000 description 13
- 125000005189 alkyl hydroxy group Chemical group 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000005013 aryl ether group Chemical group 0.000 description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001412 amines Chemical group 0.000 description 8
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 7
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 6
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 6
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229930194542 Keto Natural products 0.000 description 4
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 4
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000003573 thiols Chemical group 0.000 description 4
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-O hydrazinium(1+) Chemical compound [NH3+]N OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 150000007942 carboxylates Chemical group 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 2
- NOHDJXFJXJZYGO-UHFFFAOYSA-L copper;diformate;hydrate Chemical compound O.[Cu+2].[O-]C=O.[O-]C=O NOHDJXFJXJZYGO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 125000006310 cycloalkyl amino group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical group [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002466 imines Chemical group 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N methylguanidine Chemical compound CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002825 nitriles Chemical group 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Chemical group 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- JQSBVBURTZTVJQ-UHFFFAOYSA-N pyridine;pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1.C1=CC=NC=C1 JQSBVBURTZTVJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003958 selenols Chemical group 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 2
- VEUMANXWQDHAJV-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[(2-hydroxyphenyl)methylideneamino]ethyliminomethyl]phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=NCCN=CC1=CC=CC=C1O VEUMANXWQDHAJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005543 GaSe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000002262 Schiff base Substances 0.000 description 1
- 150000004753 Schiff bases Chemical class 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- WUOIAOOSKMHJOV-UHFFFAOYSA-N ethyl(diphenyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(CC)C1=CC=CC=C1 WUOIAOOSKMHJOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005189 flocculation Methods 0.000 description 1
- 230000016615 flocculation Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001540 jet deposition Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000007760 metering rod coating Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Chemical class 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- AQSJGOWTSHOLKH-UHFFFAOYSA-N phosphite(3-) Chemical class [O-]P([O-])[O-] AQSJGOWTSHOLKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Chemical class 0.000 description 1
- IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N selanylidenecopper Chemical compound [Se]=[Cu] IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Chemical class 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D11/00—Inks
- C09D11/30—Inkjet printing inks
- C09D11/32—Inkjet printing inks characterised by colouring agents
- C09D11/322—Pigment inks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D11/00—Inks
- C09D11/02—Printing inks
- C09D11/03—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder
- C09D11/037—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder characterised by the pigment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D11/00—Inks
- C09D11/52—Electrically conductive inks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02568—Chalcogenide semiconducting materials not being oxides, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
本発明の別の形態においては、セレンを含むセレン成分を提供し;RZ−Z’R’およびR2−SH[式中、ZおよびZ’はそれぞれ独立して硫黄、セレンおよびテルルから選択され;RはH、C1−20アルキル基、C6−20アリール基、C1−20アルキルヒドロキシ基、アリールエーテル基およびアルキルエーテル基から選択され;R’およびR2はC1−20アルキル基、C6−20アリール基、C1−20アルキルヒドロキシ基、アリールエーテル基およびアルキルエーテル基から選択される]から選択される式を有する有機カルコゲナイド成分を提供し;液体キャリアを提供し;セレン成分、有機カルコゲナイド成分および液体キャリアを一緒にし;一緒にしたものを攪拌しつつ加熱して、セレン/有機カルコゲナイド複合成分を生じさせ;多座配位子と錯体形成した銅および銀から選択される少なくとも1種の第1b族物質を含む第1b族成分を提供し;セレン/有機カルコゲナイド複合成分と第1b族成分とを一緒にして、安定な分散物であるセレン/第1b族インクを形成する;ことを含む、本発明のセレン/第1b族インクを製造する方法が提供される。
本発明の別の形態においては、基体を提供し;場合によっては、ナトリウムを含む第1a族ソースを提供し;本発明のセレン/第1b族インクを提供し;第3a族ソースを提供し;場合によっては、第6a族ソースを提供し;第1a族ソースを使用してナトリウムを基体に場合によって適用すること、セレン/第1b族ソースを使用してセレンおよび第1b族物質を基体に適用すること、第3a族ソースを使用して第3a族物質を基体に適用すること、第6a族ソースを使用して硫黄およびセレンの少なくとも1種を基体に場合によって適用することにより、少なくとも1種の第1a−1b−3a−6a族前駆体物質を基体上に形成し;前駆体物質を処理して、式:NaLXmYnSpSeq[式中、Xは銅および銀から選択される少なくとも1種の第1b族元素であり;Yはアルミニウム、ガリウムおよびインジウムから選択される少なくとも1種の第3a族元素であり;0≦L≦0.75;0.25≦m≦1.5;nは1であり;0≦p<2.5;0<q≦2.5;並びに、1.8≦(p+q)≦2.5]を有する第1a−1b−3a−6a族物質を形成する;ことを含む、第1a−1b−3a−6a族物質を製造する方法が提供される。
第1b族成分錯体は以下の方法を用いて、表1に特定された成分および量を用いて製造された。ギ酸銅(II)水和物が、空気中で反応容器に秤量された。反応容器は、次いで、窒素でパージされた。次いで、グローブボックス内で不活性技術を使用して、攪拌することなく、反応容器に液体ビヒクルが添加された。次いで、不活性技術を用いて、表1に特定される任意の追加のリガンドが、反応容器に添加された。次いで、反応容器の内容物は、ギ酸銅(II)水和物の全てが溶解するまで、80℃にセットされたホットプレート上で攪拌、加熱された。次いで、反応容器の内容物は室温に冷却された。次いで、反応容器の内容物は(表1に特に他に示されない限りは)窒素下、室温で貯蔵された。形成された生成物の貯蔵の際の観察結果が表1に示される。
B.凍結した固体。
C.溶解せず、沈殿物が存在。
セレン成分は、表2に示される成分および量を用い、以下の方法を使用して製造された。セレン粉体が空気中で反応容器に秤量された。反応容器は、次いで、窒素でパージされた。次いで、グローブボックス内で不活性技術を使用して、攪拌することなく、反応容器に液体キャリアが添加された。次いで、不活性技術を用いて(すなわち、ゴム隔壁を通したシリンジを介して)、液体有機ジカルコゲナイドが添加された。次いで、反応容器の内容物が、表2に示された反応条件に従って処理された。形成された生成物についての観察結果が表2に示される。液体キャリア中での特徴的な褐色の形成および反応容器の底の固体の喪失によって、セレン成分の形成が示された。いくつかのセレン成分は空気感受性であり、空気に曝露されると分解することに留意されたい。よって、セレン成分は窒素雰囲気下で製造、貯蔵された。
E.80℃にセットされたホットプレート上で、攪拌および還流しつつ、2時間、反応容器の内容物を加熱し;ホットプレートの設定温度を125℃に上げて、2.3時間加熱を続け;ホットプレートの設定温度を135℃に上げて、3.2時間加熱を続けた。
F.褐色の液体。反応終了時に固体は観察されなかった。
G.加熱マントルを用い、攪拌しつつ反応容器の内容物を加熱した。反応容器内容物は窒素下で6時間還流された(EDAの沸点は118℃である)。次いで、反応容器内容物は、反応完了時に、カニューレを介して貯蔵コンテナに移された。
窒素グローブボックス内で、表3に特定される、セレン/有機カルコゲナイド複合成分(Se/OC成分)と、第1b族成分とが一緒にされて、セレン/第1b族インクを形成した。形成されたセレン/第1b族インクの、観察された安定性が表3に記載される。
H.室温、窒素下での5日間の貯蔵後に、目に見える沈殿物なし。
I.室温、窒素下での11日間の貯蔵後に、目に見える沈殿物なし。
J.室温、窒素下で30分後に、目に見える沈殿物はないが、翌日までに沈殿物が形成した。
K.セレン成分と第1b族成分との混合の際直ちに沈殿物が形成した。
L.室温、窒素下での13日間の貯蔵後に、目に見える沈殿物なし。
M.結晶形成(目に見える沈殿物)。
N.室温、窒素下で5日後に、結晶形成が観察された。
以下の手順は窒素雰囲気下でグローブボックス内で行われた。1×1cmの基体(モリブデンコーティングされたスライドガラス)が、100℃にセットされたホットプレートの中央で予備加熱された。実施例21に従って製造されたセレン/第1b族インクが2滴、予備加熱した基体上に堆積された。セレン/第1b族インクの液体成分が蒸発した後で、ホットプレート設定温度を250℃に上げた。設定温度を変えてから10分後に、基体をホットプレートの角(中央よりもわずかに温度が低い)に動かし、ホットプレートの設定温度を300℃に上げた。5分後、ホットプレートの電源を落とし、ホットプレート上で基体を室温までゆっくりと冷却させた。セレン/第1b族インクを使用して、基体上に形成された膜は、次いで、Rigaku D/MAX2500を用いて、ニッケルフィルターを通した銅Kα線の50kV/200mAで、x−線回折(2シータスキャン)によって分析された。サンプルは0.03度のステップで、0.75度/分で、5〜90度の2θでスキャンされた。反射配置(reflection geometry)が使用され、サンプルは20RPMで回転させられた。次いで、スキャン出力は、標準結晶学データベースにおける化合物についてのスキャンと比較されて、形成された膜が主としてCu2Se(すなわち、Cu1.8Se)であったことを確かめた。
以下の手順は窒素雰囲気下でグローブボックス内で行われた。1×1cmの基体(モリブデンコーティングされたスライドガラス)が、100℃にセットされたホットプレートの中央で予備加熱された。実施例22に従って製造されたセレン/第1b族インクが2滴、予備加熱した基体上に堆積された。セレン/第1b族インクの液体成分が蒸発した後で、ホットプレート設定温度を250℃に上げた。設定温度を変えてから10分後に、基体をホットプレートの角(中央よりもわずかに温度が低い)に動かし、ホットプレートの設定温度を300℃に上げた。5分後、ホットプレートの電源を落とし、ホットプレート上で基体を室温までゆっくりと冷却させた。セレン/第1b族インクを使用して、基体上に形成された膜は、実施例28に記載されるようにx−線回折を使用して、主としてCuSeであると決定された。
以下の手順は窒素雰囲気下でグローブボックス内で行われた。1×1cmの基体(モリブデンコーティングされたスライドガラス)が、100℃にセットされたホットプレートの中央で予備加熱された。実施例23に従って製造されたセレン/第1b族インクが2滴、予備加熱した基体上に堆積された。セレン/第1b族インクの液体成分が蒸発した後で、ホットプレート設定温度を250℃に上げた。設定温度を変えてから10分後に、基体をホットプレートの角(中央よりもわずかに温度が低い)に動かし、ホットプレートの設定温度を300℃に上げた。5分後、ホットプレートの電源を落とし、ホットプレート上で基体を室温までゆっくりと冷却させた。セレン/第1b族インクを使用して、基体上に形成された膜は、実施例28に記載されるようにx−線回折を使用して、主としてCuSe2およびCuSeであると決定された。
表2に示された実施例11に従って製造されたセレン成分が、液体キャリア中でインクを合成した16時間後に、1.2ミクロンガラスシリンジフィルタを通してろ過された。示された16時間の保持時間後に、コンテナ内で凝集または沈殿は観察されず、液体キャリア中のセレン成分は停滞なくフィルタを通過した(すなわち、全ての物質がフィルタを通過した)。
Claims (5)
- セレン;
式 RZ−Z’R’[式中、ZおよびZ’はそれぞれ独立して硫黄およびセレンから選択され;RはC 1−5 アルキル基であり;R’はC 1−5 アルキル基から選択される]を有する有機カルコゲナイド成分;
銅(II)錯体と、ジエチレントリアミン、トリス(2−アミノエチル)アミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンおよびテトラメチルグアニジンから選択される多座配位子とを含む、第1b族成分;
エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリス(2−アミノエチル)アミン、トリエチレンテトラミン、n−ブチルアミン、n−ヘキシルアミン、オクチルアミン、2−エチル−1−ヘキシルアミン、3−アミノ−1−プロパノール、1,3−ジアミノプロパン、1,2−ジアミノプロパン、1,2−ジアミノシクロヘキサン、ピリジン、ピロリジン、1−メチルイミダゾール、テトラメチルグアニジンおよびこれらの混合物から選択される液体キャリア;
を初期成分として含むセレン/第1b族インクであって、
前記セレン/第1b族インクが安定であって、前記セレンおよび第1b族物質が前記セレン/第1b族インクの、22℃で、窒素下での、少なくとも16時間の期間にわたる貯蔵中に沈殿物を形成しない、
セレン/第1b族インク。 - ZおよびZ’が両方とも硫黄であり、RおよびR’がそれぞれ独立して、n−ブチル基およびtert−ブチル基から選択される、請求項1に記載のインク。
- RおよびR’が両方ともtert−ブチル基であり、かつ前記液体キャリアがエチレンジアミンである、請求項2に記載のインク。
- 前記セレン成分および前記有機カルコゲナイド成分が複合化されて、セレン/有機カルコゲナイド複合成分を形成し;前記セレン/有機カルコゲナイド複合成分が式 RZ−Set−Z’R’[式中、2≦t≦20]を有する化合物を含む、請求項1に記載のインク。
- セレンを提供し;
式 RZ−Z’R’[式中、ZおよびZ’はそれぞれ独立して硫黄およびセレンから選択され;RはC 1−5 アルキル基であり;R’はC 1−5 アルキル基から選択される]を有する有機カルコゲナイド成分を提供し;
エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリス(2−アミノエチル)アミン、トリエチレンテトラミン、n−ブチルアミン、n−ヘキシルアミン、オクチルアミン、2−エチル−1−ヘキシルアミン、3−アミノ−1−プロパノール、1,3−ジアミノプロパン、1,2−ジアミノプロパン、1,2−ジアミノシクロヘキサン、ピリジン、ピロリジン、1−メチルイミダゾール、テトラメチルグアニジンおよびこれらの混合物から選択される液体キャリアを提供し;
前記セレン成分、前記有機カルコゲナイド成分および前記液体キャリアを一緒にして一緒にしたものを形成し;
前記一緒にしたものを攪拌しつつ加熱して、セレン/有機カルコゲナイド複合成分を生じさせ;
銅(II)錯体と、ジエチレントリアミン、トリス(2−アミノエチル)アミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンおよびテトラメチルグアニジンから選択される多座配位子とを含む第1b族成分を提供し;並びに
前記セレン/有機カルコゲナイド複合成分と前記第1b族成分とを一緒にしてセレン/第1b族インクを形成する;ことを含み、
前記セレン/第1b族インクが安定な分散物であって、前記セレンおよび前記第1b族物質が前記セレン/第1b族インクの、22℃で、窒素下での、少なくとも16時間の期間にわたる貯蔵中に沈殿物を形成しない、
請求項1に記載のセレン/第1b族インクを製造する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/568,206 US8309179B2 (en) | 2009-09-28 | 2009-09-28 | Selenium/group 1b ink and methods of making and using same |
US12/568,206 | 2009-09-28 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011088808A JP2011088808A (ja) | 2011-05-06 |
JP2011088808A5 JP2011088808A5 (ja) | 2013-07-11 |
JP5523219B2 true JP5523219B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=43569539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010145559A Active JP5523219B2 (ja) | 2009-09-28 | 2010-06-25 | セレン/第1b族インク、並びにその製造方法および使用方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8309179B2 (ja) |
EP (1) | EP2305600B1 (ja) |
JP (1) | JP5523219B2 (ja) |
KR (1) | KR101199031B1 (ja) |
CN (1) | CN102031520B (ja) |
TW (1) | TWI431073B (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2768615A1 (en) * | 2009-08-04 | 2011-02-10 | Precursor Energetics, Inc. | Polymeric precursors for cis and cigs photovoltaics |
US8119506B2 (en) * | 2010-05-18 | 2012-02-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Group 6a/group 3a ink and methods of making and using same |
US8709917B2 (en) * | 2010-05-18 | 2014-04-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Selenium/group 3A ink and methods of making and using same |
WO2011146115A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Heliovolt Corporation | Liquid precursor for deposition of copper selenide and method of preparing the same |
US9142408B2 (en) | 2010-08-16 | 2015-09-22 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Liquid precursor for deposition of indium selenide and method of preparing the same |
US8282995B2 (en) * | 2010-09-30 | 2012-10-09 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Selenium/group 1b/group 3a ink and methods of making and using same |
WO2012075259A1 (en) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Molecular precursors and processes for preparing copper indium gallium sulfide/selenide coatings and films |
US20120282721A1 (en) * | 2011-05-06 | 2012-11-08 | Yueh-Chun Liao | Method for forming Chalcogenide Semiconductor Film and Photovoltaic Device |
US8771555B2 (en) | 2011-05-06 | 2014-07-08 | Neo Solar Power Corp. | Ink composition |
US20120318358A1 (en) * | 2011-06-17 | 2012-12-20 | Precursor Energetics, Inc. | Solution-based processes for solar cells |
JP5536153B2 (ja) * | 2011-09-16 | 2014-07-02 | 新日光能源科技股▲ふん▼有限公司 | カルコゲナイド半導体膜の形成方法及び光起電力装置 |
JP2013064108A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Delsolar Co Ltd | インク組成物及びその形成方法 |
EP2647675A2 (en) * | 2012-04-02 | 2013-10-09 | Neo Solar Power Corp. | Method for forming an ink |
EP2647595A2 (en) * | 2012-04-03 | 2013-10-09 | Neo Solar Power Corp. | Ink composition, chalcogenide semiconductor film, photovoltaic device and methods for forming the same |
US9105797B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-08-11 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Liquid precursor inks for deposition of In—Se, Ga—Se and In—Ga—Se |
WO2014196311A1 (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-11 | 東京応化工業株式会社 | 錯体およびその溶液の製造方法、太陽電池用光吸収層の製造方法および太陽電池の製造方法 |
US9842733B2 (en) | 2013-06-11 | 2017-12-12 | Imec Vzw | Method for dissolving chalcogen elements and metal chalcogenides in non-hazardous solvents |
US8999746B2 (en) * | 2013-08-08 | 2015-04-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming metal chalcogenide dispersion, metal chalcogenide dispersion, method of producing light absorbing layer of solar cell, method of producing solar cell |
TWI527821B (zh) * | 2013-10-16 | 2016-04-01 | 國立中山大學 | 銀化合物、銀墨水及可撓式基板之噴印方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5176744A (en) * | 1991-08-09 | 1993-01-05 | Microelectronics Computer & Technology Corp. | Solution for direct copper writing |
US6126740A (en) * | 1995-09-29 | 2000-10-03 | Midwest Research Institute | Solution synthesis of mixed-metal chalcogenide nanoparticles and spray deposition of precursor films |
US6770122B2 (en) * | 2001-12-12 | 2004-08-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Copper deposition using copper formate complexes |
US6875661B2 (en) | 2003-07-10 | 2005-04-05 | International Business Machines Corporation | Solution deposition of chalcogenide films |
DE10360046A1 (de) * | 2003-12-18 | 2005-07-21 | Basf Ag | Kupfer(l)formiatkomplexe |
US7306823B2 (en) * | 2004-09-18 | 2007-12-11 | Nanosolar, Inc. | Coated nanoparticles and quantum dots for solution-based fabrication of photovoltaic cells |
US7663057B2 (en) * | 2004-02-19 | 2010-02-16 | Nanosolar, Inc. | Solution-based fabrication of photovoltaic cell |
CA3050047A1 (en) * | 2004-07-19 | 2006-03-16 | Philera New Zealand Limited | Synthesis of triethylenetetramines |
WO2008057119A1 (en) | 2006-11-09 | 2008-05-15 | Midwest Research Institue | Formation of copper-indium-selenide and/or copper-indium-gallium-selenide films from indium selenide and copper selenide precursors |
EP2944383A3 (en) | 2006-11-09 | 2016-02-10 | Alliance for Sustainable Energy, LLC | Precursors for formation of copper selenide, indium selenide, copper indium diselenide, and/or copper indium gallium diselenide films |
KR101030780B1 (ko) | 2007-11-14 | 2011-04-27 | 성균관대학교산학협력단 | Ⅰ-ⅲ-ⅵ2 나노입자의 제조방법 및 다결정 광흡수층박막의 제조방법 |
US20090260670A1 (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | Xiao-Chang Charles Li | Precursor ink for producing IB-IIIA-VIA semiconductors |
US20110076798A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Dichalcogenide ink containing selenium and methods of making and using same |
US8282995B2 (en) * | 2010-09-30 | 2012-10-09 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Selenium/group 1b/group 3a ink and methods of making and using same |
-
2009
- 2009-09-28 US US12/568,206 patent/US8309179B2/en active Active
-
2010
- 2010-06-21 EP EP10166693.1A patent/EP2305600B1/en active Active
- 2010-06-25 JP JP2010145559A patent/JP5523219B2/ja active Active
- 2010-07-08 TW TW099122441A patent/TWI431073B/zh active
- 2010-07-14 CN CN2010102358022A patent/CN102031520B/zh active Active
- 2010-07-15 KR KR1020100068563A patent/KR101199031B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-10-12 US US13/650,672 patent/US8563088B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2305600B1 (en) | 2014-03-19 |
CN102031520B (zh) | 2013-11-06 |
TW201111451A (en) | 2011-04-01 |
EP2305600A1 (en) | 2011-04-06 |
TWI431073B (zh) | 2014-03-21 |
US20130040419A1 (en) | 2013-02-14 |
US8563088B2 (en) | 2013-10-22 |
US8309179B2 (en) | 2012-11-13 |
CN102031520A (zh) | 2011-04-27 |
JP2011088808A (ja) | 2011-05-06 |
KR20110034535A (ko) | 2011-04-05 |
KR101199031B1 (ko) | 2012-11-08 |
US20110076799A1 (en) | 2011-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5523219B2 (ja) | セレン/第1b族インク、並びにその製造方法および使用方法 | |
KR101840303B1 (ko) | 셀레늄/1b족/3a족 잉크, 및 그의 제조방법 및 사용방법 | |
US8513052B2 (en) | Dichalcogenide selenium ink and methods of making and using same | |
KR101199032B1 (ko) | 셀레늄 잉크, 및 그의 제조방법 및 용도 | |
EP2305599B1 (en) | Dichalcogenide ink containing selenium ink and methods of making and using same | |
JP5702665B2 (ja) | 第6a族/第3a族インク、並びにその製造方法および使用方法 | |
KR101889765B1 (ko) | 갈륨 배합 잉크, 그의 제조방법 및 그의 사용방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20130529 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130529 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140310 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140408 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5523219 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |