JP5523062B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関し、特に処理対象物である例えば半導体ウェーハ等の基板の表面を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing the surface of a substrate such as a semiconductor wafer that is a processing target.

一例として、基板処理装置は、半導体ウェーハ等の基板の製造工程において基板に対して薬液等の液体を供給して処理を行う。基板が回転テーブルに保持されており、処理ノズルがアームに取り付けられており、アームとともに処理ノズルが移動することで処理液が基板に供給される構造が、特許文献１に開示されている。   As an example, a substrate processing apparatus performs processing by supplying a liquid such as a chemical solution to a substrate in a manufacturing process of the substrate such as a semiconductor wafer. Patent Document 1 discloses a structure in which a substrate is held on a rotary table, a processing nozzle is attached to an arm, and processing liquid is supplied to the substrate by moving the processing nozzle together with the arm.

特開２００７―１０３８２５号公報JP 2007-103825 A

ところで、特許文献１に記載の基板処理装置では、基板の表面が疎水面である場合に、処理中に基板の表面の乾燥が起こり、基板における液の被覆性が悪化することにより、ウォータマーク（水のシミ）が発生する。   By the way, in the substrate processing apparatus of patent document 1, when the surface of a board | substrate is a hydrophobic surface, drying of the surface of a board | substrate occurs during a process, and the coverage of the liquid in a board | substrate deteriorates, watermark ( Water stains occur.

また、基板の表面を処理する物理ツールと処理液を供給する固定ノズルを併用する基板処理装置の場合には、固定ノズルが動かないことで、処理液が基板の表面で滞留する部分が発生するため、その部分にパーティクルが付着することがある。   Further, in the case of a substrate processing apparatus that uses a physical tool for processing the surface of a substrate and a fixed nozzle for supplying a processing liquid, a portion where the processing liquid stays on the surface of the substrate is generated because the fixed nozzle does not move. Therefore, particles may adhere to the part.

さらに、物理ツールが基板に対してスキャンされた場合に、物理ツールから供給される気体（あるいは処理液）と固定ノズルから供給される処理液とが干渉して液跳ねが発生し、その状態での乾燥によりウォータマーク（水のシミ）が発生する。   Further, when the physical tool is scanned with respect to the substrate, the gas (or processing liquid) supplied from the physical tool and the processing liquid supplied from the fixed nozzle interfere with each other, and liquid splash occurs. Water marks occur due to drying of the water.

また、液同士が干渉すること以外にも、固定ノズルから供給された処理液が、スキャンしている揺動アーム体（物理ツール）自体に干渉することで液跳ねが発生し、その状態での乾燥によりウォータマーク（水のシミ）が発生する。   In addition to the interference between the liquids, the processing liquid supplied from the fixed nozzle interferes with the swinging arm body (physical tool) itself that is being scanned, causing liquid splashing. Water marks occur due to drying.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体ウェーハのような基板の全面における液の被覆性が向上して処理中の乾燥を防いでウォータマーク（水のシミ）の発生を低減することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above. The purpose of the present invention is to improve the liquid covering property on the entire surface of a substrate such as a semiconductor wafer and prevent drying during processing. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can reduce generation.

本発明の基板処理装置は、基板を回転させながら前記基板の表面を処理する基板処理装置であって、前記基板の表面を処理する物理ツールを有する物理ツールユニットと、前記基板の表面に液体を供給する液供給ノズルを有するノズルユニットと、前記物理ツールユニットを前記基板の表面に沿って移動させる物理ツールユニット移動機構部と、前記ノズルユニットを前記基板の表面に沿って移動させるノズルユニット移動機構部と、前記物理ツールユニット移動機構部と前記ノズルユニット移動機構部を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記物理ツールによって前記基板の表面を処理するとき、前記液供給ノズルが前記基板の表面における前記物理ツールによって処理されている位置とは異なる位置に前記液体を供給するように、前記前記物理ツールユニット移動機構部と前記ノズルユニット移動機構部を制御することを特徴とする。 The substrate processing apparatus of the present invention is a substrate processing apparatus for processing the surface of the substrate while rotating the substrate, and includes a physical tool unit having a physical tool for processing the surface of the substrate, and a liquid on the surface of the substrate. A nozzle unit having a liquid supply nozzle to supply, a physical tool unit moving mechanism for moving the physical tool unit along the surface of the substrate, and a nozzle unit moving mechanism for moving the nozzle unit along the surface of the substrate And a control unit that controls the physical tool unit moving mechanism unit and the nozzle unit moving mechanism unit, and the control unit treats the surface of the substrate with the physical tool, and the liquid supply nozzle To supply the liquid to a position on the surface of the substrate different from the position being processed by the physical tool And controlling the said physical tool unit moving mechanism and the nozzle unit moving mechanism.

本発明の基板処理方法は、基板を回転させながら前記基板の表面を処理する基板処理方法であって、前記基板の表面を処理する物理ツールを有する物理ツールユニットを前記基板の表面に沿って移動させて基板の表面の処理を行い、前記物理ツールによって前記基板の表面を処理しているときに、前記基板の表面に液体を供給する液供給ノズルを前記基板の表面に沿って移動させ、前記物理ツールに処理されている位置とは異なる位置に前記液体を供給することを特徴とする。
The substrate processing method of the present invention is a substrate processing method for processing the surface of the substrate while rotating the substrate, along the physical tool unit having a physical tool for treating the surface of the substrate on a surface of said substrate moving The surface of the substrate is processed, and when the surface of the substrate is processed by the physical tool , a liquid supply nozzle for supplying a liquid to the surface of the substrate is moved along the surface of the substrate, The liquid is supplied to a position different from the position being processed by the physical tool .

本発明によれば、半導体ウェーハのような基板の全面における液の被覆性が向上して処理中の乾燥を防いでウォータマーク（水のシミ）の発生を低減することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することができる。   According to the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate that can improve the liquid covering property on the entire surface of a substrate such as a semiconductor wafer, prevent drying during processing, and reduce the generation of watermarks (water stains). A processing method can be provided.

本発明の基板処理装置の全体構成を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of the substrate processing apparatus of this invention. 基板Ｗとノズルヘッド装置とノズルヘッド装置の移動操作部を示す平面図である。It is a top view which shows the movement operation part of the board | substrate W, a nozzle head apparatus, and a nozzle head apparatus. ノズルヘッド装置とノズルヘッド装置の移動操作部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the movement operation part of a nozzle head apparatus and a nozzle head apparatus. ノズルヘッド装置の内部構造を示す図である。It is a figure which shows the internal structure of a nozzle head apparatus. ノズルヘッド装置の内部構造を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the internal structure of a nozzle head apparatus. 図４に示すノズルヘッド装置のＢ−Ｂ線における断面図である。It is sectional drawing in the BB line of the nozzle head apparatus shown in FIG. 物理ノズルと液供給ノズルとガス供給ノズルを示す図である。It is a figure which shows a physical nozzle, a liquid supply nozzle, and a gas supply nozzle. 本発明の別の実施形態を示す図である。It is a figure which shows another embodiment of this invention.

本発明の実施形態について図面を参照して説明する。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は、本発明の基板処理装置の好ましい実施形態を示す図である。図２は、図１に示す基板処理装置のノズルヘッド装置とノズルヘッド装置の移動操作部を示す平面である。   FIG. 1 is a view showing a preferred embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention. FIG. 2 is a plan view showing the nozzle head device of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 and the moving operation unit of the nozzle head device.

図１に示す基板処理装置１０は、一例として基板Ｗの表面Ｓのパーティクルを除去する洗浄装置として用いられ、基板保持部１１と、ノズルヘッド装置１２と、ノズルヘッド装置の移動操作部１３と、ダウンフロー用のフィルタ付きファン１４と、カップ１５と、処理室１６を有する。   The substrate processing apparatus 10 shown in FIG. 1 is used as an example of a cleaning apparatus that removes particles on the surface S of the substrate W, and includes a substrate holding unit 11, a nozzle head device 12, a moving operation unit 13 of the nozzle head device, It has a fan 14 with a filter for downflow, a cup 15, and a processing chamber 16.

基板保持部１１は、ベース部材１７と、回転軸１８と、モータ１９を有しており、ベース部材１７の上には基板Ｗが着脱可能に固定される。処理室１６内には、カップ１５とベース部材１７とモータ１９の回転軸１８が収容されている。回転軸１８の先端部にはベース部材１７が固定されている。モータ１９が制御部１００の指令により動作することで、ベース部材１７と基板ＷはＲ方向に連続回転することができる。ファン１４は、制御部１００の指令により動作する。   The substrate holding part 11 includes a base member 17, a rotating shaft 18, and a motor 19, and the substrate W is detachably fixed on the base member 17. In the processing chamber 16, a cup 15, a base member 17, and a rotating shaft 18 of a motor 19 are accommodated. A base member 17 is fixed to the tip of the rotating shaft 18. The base member 17 and the substrate W can be continuously rotated in the R direction by the motor 19 operating according to a command from the control unit 100. The fan 14 operates according to a command from the control unit 100.

次に、図１に示すノズルヘッド装置１２とノズルヘッド装置の移動操作部１３の構造例を、図２〜図６を参照して、説明する。   Next, structural examples of the nozzle head device 12 and the movement operation unit 13 of the nozzle head device shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS.

図３は、ノズルヘッド装置１２とノズルヘッド装置の移動操作部１３を示す斜視図であり、図４は、ノズルヘッド装置１２の上部カバーを取り除いて内部構造例を示す平面図である。図５は、ノズルヘッド装置１２の内部構造を示す斜視図であり、図６は、図４に示すノズルヘッド装置１２のＢ−Ｂ線における断面図である。   FIG. 3 is a perspective view showing the nozzle head device 12 and the movement operation unit 13 of the nozzle head device, and FIG. 4 is a plan view showing an internal structure example with the upper cover of the nozzle head device 12 removed. FIG. 5 is a perspective view showing the internal structure of the nozzle head device 12, and FIG. 6 is a cross-sectional view of the nozzle head device 12 shown in FIG.

まず、図３と図４を参照すると、ノズルヘッド装置１２は、長い箱状のケース２０と、物理ツールユニット２１と、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２と、物理ツールユニット２１の移動機構部２３と、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の移動機構部２４と、を有している。   3 and 4, the nozzle head device 12 includes a long box-shaped case 20, a physical tool unit 21, a liquid supply nozzle and gas supply nozzle unit 22, and a movement mechanism unit of the physical tool unit 21. 23 and a moving mechanism 24 of the liquid supply nozzle and gas supply nozzle unit 22.

ケース２０は、物理ツールユニット２１と、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２と、物理ツールユニット２１の移動機構部２３と、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の移動機構部２４を収容している。   The case 20 accommodates a physical tool unit 21, a liquid supply nozzle and gas supply nozzle unit 22, a movement mechanism portion 23 of the physical tool unit 21, and a movement mechanism portion 24 of the liquid supply nozzle and gas supply nozzle unit 22. Yes.

図１と図２に示すケース２０は、例えば金属材料により作られており、図３と図４と図６に示すように、上面部２５と、側面部２６，２７，２８，２９と、底面部３０により構成されている。上面部２５と、側面部２６，２７は、Ｔ方向に沿っている長い板状の部材である。側面部２８，２９はケース２０の前端部と後端部にそれぞれ相当するが、側面部２９は、ノズルヘッド装置の移動操作部１３のアーム部３１の一端部３２に固定されている。   The case 20 shown in FIGS. 1 and 2 is made of, for example, a metal material, and as shown in FIGS. 3, 4, and 6, the upper surface portion 25, the side surface portions 26, 27, 28, 29, and the bottom surface The unit 30 is configured. The upper surface portion 25 and the side surface portions 26 and 27 are long plate-like members along the T direction. The side surface portions 28 and 29 correspond to the front end portion and the rear end portion of the case 20, respectively, but the side surface portion 29 is fixed to one end portion 32 of the arm portion 31 of the movement operation unit 13 of the nozzle head device.

ここで、図４と図５を参照して、物理ツールユニット２１と、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２と、物理ツールユニット２１の移動機構部２３と、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の移動機構部２４の構造例について、説明する。   4 and 5, the physical tool unit 21, the liquid supply nozzle and gas supply nozzle unit 22, the movement mechanism unit 23 of the physical tool unit 21, the liquid supply nozzle and gas supply nozzle unit 22. An example of the structure of the moving mechanism 24 will be described.

物理ツールユニット２１は、物理ツール４０と、この物理ツール４０を保持する保持部４１を有する。物理ツール４０は、スプレーノズルであり、処理液供給部４２とガス供給部４２Ｇに対してバルブ４２Ｂを介して接続されている。処理液供給部４２には、スプレー用の液体、一例として純水が供給され、ガス供給部４２Ｇには、気体、一例として窒素ガスが供給されている。これにより、処理液供給部４２とガス供給部４２Ｇは、物理ツール４０側に液体と気体を混合したスプレー用の液体、すなわち処理用の液体（ミスト）を、図１に示す基板Ｗの表面Ｓに供給することができる。   The physical tool unit 21 includes a physical tool 40 and a holding unit 41 that holds the physical tool 40. The physical tool 40 is a spray nozzle, and is connected to the processing liquid supply unit 42 and the gas supply unit 42G via a valve 42B. The treatment liquid supply unit 42 is supplied with a spray liquid, for example, pure water, and the gas supply unit 42G is supplied with a gas, for example, nitrogen gas. As a result, the processing liquid supply unit 42 and the gas supply unit 42G apply the spray liquid obtained by mixing the liquid and gas to the physical tool 40 side, that is, the processing liquid (mist), on the surface S of the substrate W shown in FIG. Can be supplied to.

なお、物理ツール４０は、基板の表面に対して物理的な処理ができるツールであるが、例えばスプレーノズル以外に超音波ノズルやブラシ等であっても良い。このブラシには、処理液が供給される。   The physical tool 40 is a tool that can perform physical processing on the surface of the substrate, but may be an ultrasonic nozzle, a brush, or the like in addition to the spray nozzle. A treatment liquid is supplied to the brush.

液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２は、液供給ノズル４５と、ガス供給ノズル４６と、液供給ノズル４５とガス供給ノズル４６をＴ方向に沿って並べて保持する保持部１４７と、を有する。   The liquid supply nozzle and gas supply nozzle unit 22 includes a liquid supply nozzle 45, a gas supply nozzle 46, and a holding unit 147 that holds the liquid supply nozzle 45 and the gas supply nozzle 46 side by side along the T direction.

液供給ノズル４５は、処理液供給部４８に対してバルブ４８Ｂを介して接続されている。処理液供給部４８には、処理用の液体、例えばエッチング液、洗浄液、純水等が貯蔵されている。液供給ノズル４５は、処理用の液体を図１に示す基板Ｗの表面Ｓに供給することができる。   The liquid supply nozzle 45 is connected to the processing liquid supply unit 48 via a valve 48B. The processing liquid supply unit 48 stores a processing liquid such as an etching liquid, a cleaning liquid, and pure water. The liquid supply nozzle 45 can supply a processing liquid to the surface S of the substrate W shown in FIG.

ガス供給ノズル４６は、ガス供給部４７に対してバルブ４７Ｂを介して接続されており、例えば窒素ガス等の不活性ガスを図１に示す基板Ｗの上面に供給することができる。   The gas supply nozzle 46 is connected to the gas supply unit 47 via a valve 47B, and can supply, for example, an inert gas such as nitrogen gas to the upper surface of the substrate W shown in FIG.

図４と図５に示す物理ツールユニット２１の移動機構部２３は、ガイドレール５０と、モータ５１と、送りねじ５２を有している。ガイドレール５０は、ケース２０の側面部２６の内面においてＴ方向に沿って固定されている。ガイドレール５０はガイド用の溝部５０Ｍを有しており、物理ツールユニット２１の保持部４１の突起４１Ｔが噛み合っている。送りねじ５２は、保持部４１のナット５３に噛み合っており、送りねじ５２が、モータ５１の駆動により回転することにより、保持部４１と物理ツール４０からなる物理ツールユニット２１を、Ｔ１方向とＴ２方向に沿って直線移動して位置決め可能である。   The moving mechanism unit 23 of the physical tool unit 21 shown in FIGS. 4 and 5 includes a guide rail 50, a motor 51, and a feed screw 52. The guide rail 50 is fixed along the T direction on the inner surface of the side surface portion 26 of the case 20. The guide rail 50 has a guide groove portion 50M, and the protrusion 41T of the holding portion 41 of the physical tool unit 21 is engaged. The feed screw 52 meshes with the nut 53 of the holding portion 41. When the feed screw 52 is rotated by driving the motor 51, the physical tool unit 21 including the holding portion 41 and the physical tool 40 is moved in the T1 direction and the T2 direction. It can be positioned by linear movement along the direction.

また、図４と図５に示す液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の移動機構部２４は、ガイドレール６０と、モータ６１と、送りねじ６２を有している。ガイドレール６０は、ケース２０の側面部２７の内面においてＴ方向に沿って固定されている。ガイドレール６０はガイド用の溝部６０Ｍを有しており、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の保持部１４７の突起１４７Ｔがかみ合っている。送りねじ６２は、保持部４７のナット６３にかみ合っており、送りねじ６２が、モータ６１の駆動により回転することにより、保持部１４７と液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２をＴ１方向とＴ２方向に沿って直線移動して位置決め可能である。   The moving mechanism 24 of the liquid supply nozzle and gas supply nozzle unit 22 shown in FIGS. 4 and 5 has a guide rail 60, a motor 61, and a feed screw 62. The guide rail 60 is fixed along the T direction on the inner surface of the side surface portion 27 of the case 20. The guide rail 60 has a guide groove 60M, and the protrusion 147T of the holding portion 147 of the liquid supply nozzle and the gas supply nozzle unit 22 is engaged. The feed screw 62 is engaged with the nut 63 of the holding portion 47, and the feed screw 62 is rotated by driving of the motor 61, whereby the holding portion 147, the liquid supply nozzle and the gas supply nozzle unit 22 are moved in the T1 direction and the T2 direction. It can be positioned by linear movement along

次に、図３を参照して、ノズルヘッド装置１２の移動操作部１３の構造例を説明する。   Next, with reference to FIG. 3, the structural example of the movement operation part 13 of the nozzle head apparatus 12 is demonstrated.

図３に示すノズルヘッド装置１２の移動操作部１３は、ノズルヘッド装置１２を、回転中心軸ＳＲを中心としてＧ方向に揺動操作し、回転中心軸ＳＲ方向と平行なＺ方向に沿って上下移動操作する機能を有する。   The movement operation unit 13 of the nozzle head device 12 illustrated in FIG. 3 swings the nozzle head device 12 in the G direction around the rotation center axis SR, and moves up and down along the Z direction parallel to the rotation center axis SR direction. It has a function to move.

このノズルヘッド装置１２の移動操作部１３は、基部７０と、上下移動部７１と、回転支持部７２と、モータ７３と、モータ７４と、送りねじ７５を有している。回転支持部７２は、ノズルヘッド装置１２のアーム部３１の他端部３２Ｂが固定されており、アーム部３１とノズルヘッド装置１２は、回転支持部７２の直径方向に伸びている。なお、モータ７３は基部７０に、モータ７４は上下移動部７１にそれぞれ支持されている。   The movement operation unit 13 of the nozzle head device 12 includes a base 70, a vertical movement unit 71, a rotation support unit 72, a motor 73, a motor 74, and a feed screw 75. The rotation support portion 72 has the other end 32B of the arm portion 31 of the nozzle head device 12 fixed thereto, and the arm portion 31 and the nozzle head device 12 extend in the diameter direction of the rotation support portion 72. The motor 73 is supported by the base portion 70 and the motor 74 is supported by the vertical movement portion 71.

モータ７３は、送りねじ７５を回転することができ、送りねじ７５は上下移動部７１のナット７７に噛み合っている。これにより、モータ７３を駆動することにより、上下移動部７１は、基部７０に対してガイド７６によりＺ方向に沿って上下移動して位置決めできるようになっている。   The motor 73 can rotate the feed screw 75, and the feed screw 75 is engaged with the nut 77 of the up-and-down moving unit 71. Thus, by driving the motor 73, the up and down moving part 71 can be positioned by moving up and down along the Z direction with respect to the base part 70 by the guide 76.

また、モータ７４の出力軸のギア７４Ｃは、回転支持部７２の軸７８のギア７９に噛み合っている。これにより、モータ７４を駆動することにより、回転支持部７２は、回転中心軸ＳＲを中心として、Ｇ方向に揺動することができる。   Further, the output shaft gear 74 </ b> C of the motor 74 meshes with the gear 79 of the shaft 78 of the rotation support portion 72. Accordingly, by driving the motor 74, the rotation support portion 72 can swing in the G direction about the rotation center axis SR.

図４に示すモータ５１，６１と、図３に示すモータ７３、７４は、制御部１００の指令により動作する。また、図４に示す各バルブ４２Ｂ、４７Ｂ、４８Ｂの開閉制御は、制御部１００の指令により行われる。これらのモータとしては、例えばサーボモータを用いることができる。   The motors 51 and 61 shown in FIG. 4 and the motors 73 and 74 shown in FIG. Further, the opening / closing control of the valves 42B, 47B, 48B shown in FIG. As these motors, for example, servo motors can be used.

次に、上述した基板処理装置１０の動作例を説明する。制御部１００がモータ１９を動作させ、ベース部材１７上の基板ＷをＲ方向（図１参照）に連続回転させる。   Next, an operation example of the substrate processing apparatus 10 described above will be described. The controller 100 operates the motor 19 to continuously rotate the substrate W on the base member 17 in the R direction (see FIG. 1).

図４に示すように、制御部１００が各バルブ４２Ｂ、４７Ｂ、４８Ｂの開閉制御を行うことにより、物理ツール４０がスプレーノズルである場合にはスプレー用の液体、すなわち処理用の液体（ミスト）を基板Ｗの表面Ｓに向けて供給でき、液供給ノズル４５からは、例えば純水を基板Ｗの表面Ｓに向けて供給でき、ガス供給ノズル４６からは、例えば不活性ガスの一例である窒素ガスを基板Ｗの表面Ｓに向けて供給できる。このような物理ツール４０からの処理用の液体の供給と、液供給ノズル４５からの純水の供給、そしてガス供給ノズル４６からの窒素ガスの供給は、ノズルヘッド装置（アーム体ともいう）１２を揺動させながら行え、これにより基板Ｗの表面Ｓの処理ができる。   As shown in FIG. 4, when the physical tool 40 is a spray nozzle by controlling the opening and closing of the valves 42B, 47B, and 48B by the control unit 100, a spray liquid, that is, a processing liquid (mist). Can be supplied toward the surface S of the substrate W, pure water can be supplied from the liquid supply nozzle 45 toward the surface S of the substrate W, and nitrogen, which is an example of an inert gas, can be supplied from the gas supply nozzle 46, for example. A gas can be supplied toward the surface S of the substrate W. The supply of processing liquid from the physical tool 40, the supply of pure water from the liquid supply nozzle 45, and the supply of nitrogen gas from the gas supply nozzle 46 are performed by a nozzle head device (also referred to as an arm body) 12. The surface S of the substrate W can be processed.

図４と図５に示す物理ツールユニット２１が、制御部１００の指令により、物理ツールユニット２１の移動機構部２３によってＴ方向に直線移動される動作と、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２が、制御部１００の指令により液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の移動機構部２４によってＴ方向に直線移動する動作とは、同期されている。   The physical tool unit 21 shown in FIGS. 4 and 5 is linearly moved in the T direction by the movement mechanism unit 23 of the physical tool unit 21 in response to a command from the control unit 100, and the liquid supply nozzle and the gas supply nozzle unit 22 are The operation of moving linearly in the T direction by the moving mechanism 24 of the liquid supply nozzle and the gas supply nozzle unit 22 according to the command of the control unit 100 is synchronized.

しかしながら、物理ツールユニット２１の移動方向と、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の移動方向とは、全く逆方向である。すなわち、物理ツールユニット２１がＴ１方向に移動する際には、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２はＴ２方向に移動する。また、物理ツールユニット２１がＴ２方向に移動する際には、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２はＴ１方向に移動する。   However, the moving direction of the physical tool unit 21 is completely opposite to the moving direction of the liquid supply nozzle and the gas supply nozzle unit 22. That is, when the physical tool unit 21 moves in the T1 direction, the liquid supply nozzle and the gas supply nozzle unit 22 move in the T2 direction. Further, when the physical tool unit 21 moves in the T2 direction, the liquid supply nozzle and the gas supply nozzle unit 22 move in the T1 direction.

図７（Ａ）〜図７（Ｃ）は、基板Ｗの上面に対して物理ツールユニット２１と液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２がＴ１方向とＴ２方向に移動している様子を示している。   7A to 7C show a state in which the physical tool unit 21, the liquid supply nozzle, and the gas supply nozzle unit 22 are moved in the T1 direction and the T2 direction with respect to the upper surface of the substrate W. .

図７（Ａ）の状態では、物理ツールユニット２１が基板Ｗの中心部付近Ｐ１に位置されており、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２が基板Ｗの周縁部分付近Ｐ２に位置されている。すなわち、図７（Ａ）では、物理ツール４０が基板Ｗの中心部付近Ｐ１に位置されており、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２が基板Ｗの周縁部付近Ｐ２に位置されるので、物理ツール４０からスプレー供給される処理用の液体（ミスト）により、基板Ｗの中心部付近Ｐ１が処理されている時には、基板Ｗの外周部（周縁部分付近Ｐ２）は、液供給ノズル４５から供給される例えば純水により処理される。   In the state of FIG. 7A, the physical tool unit 21 is positioned near the center P1 of the substrate W, and the liquid supply nozzle and the gas supply nozzle unit 22 are positioned near the peripheral edge P2 of the substrate W. That is, in FIG. 7A, the physical tool 40 is located near the center portion P1 of the substrate W, and the liquid supply nozzle and the gas supply nozzle unit 22 are located near the peripheral edge portion P2 of the substrate W. When the vicinity of the central portion P1 of the substrate W is processed by the processing liquid (mist) supplied from the tool 40 by spraying, the outer peripheral portion (peripheral portion vicinity P2) of the substrate W is supplied from the liquid supply nozzle 45. For example, it is treated with pure water.

物理ツール（スプレーツール）４０は、処理液（ミスト）を供給しながら、中心部付近Ｐ１付近から周縁部分付近Ｐ２付近に移動する。この時の処理は、基板Ｗに処理液（ミスト）を供給することで、基板Ｗ上のパーティクルを除去している。液供給ノズル４５は、ノズルから純水を供給しながら周縁部分付近Ｐ２付近から中心部付近Ｐ１付近に移動する。純水を供給する理由は、基板Ｗの乾燥防止である。物理ツール４０と相対方向に純水を供給することは、物理ツール４０で処理された部分を乾燥させないために行う。なお、物理処理後に基板Ｗを自然乾燥させると、ウォータマーク（水のシミ）が発生してしまう。   The physical tool (spray tool) 40 moves from the vicinity of the central portion P1 to the vicinity of the peripheral portion P2 while supplying the processing liquid (mist). In this process, particles on the substrate W are removed by supplying a treatment liquid (mist) to the substrate W. The liquid supply nozzle 45 moves from the vicinity of the peripheral portion P2 to the vicinity of the central portion P1 while supplying pure water from the nozzle. The reason for supplying pure water is to prevent the substrate W from drying. Supplying pure water in a direction relative to the physical tool 40 is performed so as not to dry the portion processed by the physical tool 40. If the substrate W is naturally dried after the physical processing, a watermark (water stain) is generated.

図７（Ａ）の状態から、物理ツールユニット２１と液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２が反対方向に移動して図７（Ｂ）の状態になると、物理ツールユニット２１が基板Ｗの周縁部付近Ｐ２に位置され、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２が基板Ｗの中心部付近Ｐ１に位置される。すなわち、図７（Ｂ）では、物理ツール４０が基板Ｗの周縁部付近Ｐ２に位置されており、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２が基板Ｗの中心部付近Ｐ１に位置されるので、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の液供給ノズル４５から供給される例えば純水により、基板Ｗの中心部付近Ｐ１が処理されている時には、基板Ｗの外周部（周縁部分Ｐ２）は、物理ツールユニット２１の物理ツール４０からスプレー供給される例えば処理用の液体（ミスト）により処理される。   When the physical tool unit 21, the liquid supply nozzle, and the gas supply nozzle unit 22 move in the opposite directions from the state of FIG. 7A to the state of FIG. The liquid supply nozzle and the gas supply nozzle unit 22 are positioned in the vicinity P <b> 1 of the substrate W. That is, in FIG. 7B, the physical tool 40 is positioned near the peripheral edge P2 of the substrate W, and the liquid supply nozzle and the gas supply nozzle unit 22 are positioned near the center P1 of the substrate W. When the vicinity of the central portion P1 of the substrate W is processed by, for example, pure water supplied from the liquid supply nozzle 45 of the supply nozzle and the gas supply nozzle unit 22, the outer peripheral portion (peripheral portion P2) of the substrate W is a physical tool. Processing is performed by, for example, a processing liquid (mist) supplied by spraying from the physical tool 40 of the unit 21.

さらに、図７（Ｃ）の状態では、物理ツールユニット２１が基板Ｗの周縁部付近Ｐ２に位置され、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２が基板Ｗの中心部付近Ｐ１に位置されている。ガス供給ノズル４６から供給されるガスにより、基板Ｗの表面Ｓに対してガス供給が行える。このガスが基板Ｗの表面Ｓに対して供給されることより、不活性ガスを利用して基板Ｗの表面Ｓは乾燥処理される。このように供給されたガスにより基板Ｗの表面Ｓが直ぐに乾燥するので、基板Ｗの表面Ｓを確実に乾燥処理することができる。なお、乾燥時は、基板Ｗの回転速度を上げて（洗浄処理時の回転速度よりも高い）、水切りをしながら、ガスを供給する。   Further, in the state of FIG. 7C, the physical tool unit 21 is positioned near the peripheral edge P2 of the substrate W, and the liquid supply nozzle and the gas supply nozzle unit 22 are positioned near the center P1 of the substrate W. Gas can be supplied to the surface S of the substrate W by the gas supplied from the gas supply nozzle 46. By supplying this gas to the surface S of the substrate W, the surface S of the substrate W is dried using an inert gas. Since the surface S of the substrate W is immediately dried by the gas thus supplied, the surface S of the substrate W can be reliably dried. During drying, the gas is supplied while increasing the rotation speed of the substrate W (higher than the rotation speed during the cleaning process) and draining water.

ここで、例えば、物理ツール４０がノズルヘッド装置（アーム体）１２に対して移動している最中にも、物理ツール４０から液体が供給され、また、ノズルヘッド装置１２が揺動している最中にも、物理ツール４０はノズルヘッド装置１２に対して移動する。また、液供給ノズル４５とガス供給ノズル４６も、ノズルヘッド装置１２が揺動している最中にノズルヘッド装置１２に対して移動する。   Here, for example, while the physical tool 40 is moving relative to the nozzle head device (arm body) 12, the liquid is supplied from the physical tool 40 and the nozzle head device 12 is swung. In the meantime, the physical tool 40 moves relative to the nozzle head device 12. The liquid supply nozzle 45 and the gas supply nozzle 46 also move relative to the nozzle head device 12 while the nozzle head device 12 is swinging.

なお、乾燥を行うときは、物理ツール４０や液供給ノズル４５からの供給をストップさせる。中心部付近Ｐ１付近から周縁部付近Ｐ２付近まで移動させつつ、ガスを噴射させながら基板Ｗを乾燥させる。また、追加として、洗浄処理した後に直ぐ乾燥処理に持ち込むことも考慮する。これは、物理ツール４０の後を追いかけるようにガス供給ノズル４６が移動していくようにする。そうすることで、物理ツール４０の洗浄後直ぐに乾燥ガスで乾燥させる（乾燥置換）ことにより、ウォータマーク（水のシミ）の発生を防止する。   When drying is performed, supply from the physical tool 40 and the liquid supply nozzle 45 is stopped. The substrate W is dried while jetting gas while moving from the vicinity of the central portion P1 to the vicinity of the peripheral portion P2. In addition, it is also considered to bring it into the drying process immediately after the cleaning process. This causes the gas supply nozzle 46 to move to follow the physical tool 40. By doing so, it is possible to prevent the occurrence of watermarks (water spots) by drying with dry gas (dry replacement) immediately after the physical tool 40 is cleaned.

なお、本発明のさらに別の実施形態としては、物理ツールユニット２１の物理ツール４０は、前述の移動機構部２３によるＴ方向の移動に加え、図８に示すように、上下移動部９０によりＺ方向に沿って位置を移動するようにしても良い。同様にして、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の液供給ノズル４５とガス供給ノズル４６も、前述の移動機構部２４によるＴ方向の移動に加え、上下移動部９１によりＺ方向に沿って位置を移動するようにしても良い。上下駆動部９０，９１は、それぞれギア９２と、ギア９２に噛み合うラック９３と、ギアが取り付けられたモータ９４を有している。モータ９４が制御部１００の指令により動作すると、上下駆動部９０は物理ツールユニット２１の物理ツール４０を、Ｚ方向に移動して位置決めができ、上下駆動部９１は液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の液供給ノズル４５とガス供給ノズル４６を、Ｚ方向に移動して位置決めができる。   As still another embodiment of the present invention, the physical tool 40 of the physical tool unit 21 is moved in the Z direction by the moving mechanism unit 23 as shown in FIG. The position may be moved along the direction. Similarly, the liquid supply nozzle 45 and the gas supply nozzle 46 of the liquid supply nozzle and gas supply nozzle unit 22 are positioned along the Z direction by the vertical movement unit 91 in addition to the movement in the T direction by the movement mechanism unit 24 described above. You may make it move. Each of the vertical drive units 90 and 91 includes a gear 92, a rack 93 that meshes with the gear 92, and a motor 94 to which the gear is attached. When the motor 94 operates according to a command from the control unit 100, the vertical drive unit 90 can move and position the physical tool 40 of the physical tool unit 21 in the Z direction, and the vertical drive unit 91 includes a liquid supply nozzle and a gas supply nozzle unit. The liquid supply nozzle 45 and the gas supply nozzle 46 can be positioned by moving in the Z direction.

ノズルを上下させることは、処理状態により上下の位置を制御するためである。例えば、基板洗浄力を高くするには、ノズルを基板Ｗに近づけるようにして、スプレー供給を行う。このことによって、スプレーの吐出口に近ければ近いほど、吐出圧力が高いので、洗浄力が強く、基板Ｗ上のパーティクルを除去することができる。逆に洗浄力を強くしすぎると、基板Ｗのパターン倒れを引き起こす可能性があるので、ノズルを高くして、基板Ｗにかかる圧力を和らげながら基板洗浄を行うことができる。   The reason for moving the nozzle up and down is to control the vertical position depending on the processing state. For example, in order to increase the substrate cleaning power, the spray is supplied by bringing the nozzle closer to the substrate W. As a result, the closer to the spray outlet, the higher the discharge pressure, and thus the stronger the cleaning power, and the particles on the substrate W can be removed. On the other hand, if the cleaning power is too strong, the pattern of the substrate W may be collapsed, so that the substrate can be cleaned while increasing the nozzle and reducing the pressure applied to the substrate W.

従来では、基板Ｗの表面Ｓが疎水面である場合に、物理ツールのみで基板Ｗの表面Ｓを処理すると、基板Ｗの表面Ｓにおける液の被覆性が悪化して、その状態で乾燥するとウォータマーク（水のシミ）が発生する。しかし、本発明の実施形態では、基板Ｗの表面Ｓは、物理ツール４０と、液供給ノズル４５とガス供給ノズル４６を備える洗浄ツールにより洗浄することができる。物理ツール４０と液供給ノズル４５を併用して、相互に反対方向に直線移動させることで、様々な口径の基板Ｗの表面Ｓのパーティクルを除去しながら、ウォータマーク（水のシミ）の発生を低減できる。   Conventionally, when the surface S of the substrate W is a hydrophobic surface, if the surface S of the substrate W is processed only with a physical tool, the liquid coverage on the surface S of the substrate W is deteriorated, and if it is dried in that state, the water is removed. Mark (water stain) occurs. However, in the embodiment of the present invention, the surface S of the substrate W can be cleaned by a cleaning tool including the physical tool 40, the liquid supply nozzle 45, and the gas supply nozzle 46. By using the physical tool 40 and the liquid supply nozzle 45 in combination and linearly moving in opposite directions to each other, the generation of watermarks (water stains) while removing particles on the surface S of the substrate W of various diameters. Can be reduced.

すなわち、大きいサイズの基板Ｗや小さいサイズの基板Ｗに対しても、物理ツール４０や液供給ノズル４５、ガス乾燥ノズル４６の移動距離を変えることにより対応することが可能であり、様々な口径の基板Ｗに対応することができる。また、物理ツール４０で基板洗浄後直ぐに純水を供給することにより、洗浄処理した領域を乾燥させないことや、洗浄処理した領域を直ぐに乾燥させることによって、ウォータマーク（水のシミ）の発生を防止することができる。   That is, it is possible to cope with a large-sized substrate W and a small-sized substrate W by changing the movement distance of the physical tool 40, the liquid supply nozzle 45, and the gas drying nozzle 46, and has various calibers. This can correspond to the substrate W. In addition, by supplying pure water immediately after cleaning the substrate with the physical tool 40, the cleaned region is not dried, and the cleaned region is immediately dried, thereby preventing the occurrence of watermarks (water spots). can do.

物理ツール４０が移動するのに同期にして液供給ノズル４５が、物理ツール４０とは反対方向に移動しながら処理液を供給する。物理ツール４０と液供給ノズル４５の移動には、上述したようにサーボモータと送りねじ（ボールねじ）を使用しており、制御部１００がサーボモータに指令をすることで、物理ツール４０と液供給ノズル４５の位置と速度制御を行うことができる。   In synchronization with the movement of the physical tool 40, the liquid supply nozzle 45 supplies the processing liquid while moving in the opposite direction to the physical tool 40. As described above, the servo motor and the feed screw (ball screw) are used to move the physical tool 40 and the liquid supply nozzle 45, and when the control unit 100 instructs the servo motor, the physical tool 40 and the liquid supply nozzle 45 are moved. The position and speed of the supply nozzle 45 can be controlled.

ここで、回転している基板Ｗの周縁部分の速度と中心部の速度は違うため、位置に応じて速度を変化させることが必要になってくる。つまり、基板Ｗを均一に処理するためには、基板中心部から周縁にかけて、物理ツール４０や液供給ノズル４５の速度が減速するように変速を行う。制御部１００が物理ツール４０と液供給ノズル４５の位置に応じてサーボモータに指令をすることで、それらの速度制御を行う。また、物理ツール４０や液供給ノズル４５は周縁から中心部にかけても移動する。この場合には、周縁から徐々に速度を上げる。   Here, since the speed of the peripheral part of the rotating substrate W is different from the speed of the central part, it is necessary to change the speed according to the position. That is, in order to process the substrate W uniformly, the shift is performed so that the speed of the physical tool 40 and the liquid supply nozzle 45 is decreased from the center of the substrate to the periphery. The control unit 100 controls the speed of the servo tool according to the positions of the physical tool 40 and the liquid supply nozzle 45 by controlling them. The physical tool 40 and the liquid supply nozzle 45 also move from the periphery to the center. In this case, the speed is gradually increased from the periphery.

このような本発明の実施形態の構造を採用することで、基板Ｗの全面における液の被覆性が向上して、処理中に基板Ｗの表面Ｓが乾燥するのを防ぎ、ウォータマーク（水のシミ）の発生を低減できる。また、図７（Ｃ）に示すように、物理ツール４０と液供給ノズル４５による処理を停止して、ガス供給ノズル４６から窒素ガスのような不活性ガスを吐出すことにより、基板Ｗの表面Ｓが直ぐに乾燥するので、ウォータマーク（水のシミ）の発生の低減を図りつつ、基板Ｗの表面Ｓの乾燥時間を短縮することができる。   By adopting such a structure of the embodiment of the present invention, the liquid coverage on the entire surface of the substrate W is improved, and the surface S of the substrate W is prevented from being dried during the processing. The occurrence of stains can be reduced. Further, as shown in FIG. 7C, the processing by the physical tool 40 and the liquid supply nozzle 45 is stopped, and an inert gas such as nitrogen gas is discharged from the gas supply nozzle 46 to thereby remove the surface of the substrate W. Since S is dried immediately, the drying time of the surface S of the substrate W can be shortened while reducing the generation of watermarks (water spots).

本発明の基板処理装置は、基板を回転させながら基板の表面を処理する基板処理装置であって、基板の表面を処理する物理ツールを有する物理ツールユニットと、基板の表面に液体を供給する液供給ノズルと、基板の表面にガスを供給するガス供給ノズルとを有するノズルユニットと、物理ツールユニットを基板の表面に沿って移動させる物理ツールユニット移動機構部と、ノズルユニットを基板の表面に沿って移動させるノズルユニット移動機構部と、を備えることを特徴とする。これにより、半導体ウェーハのような基板の全面においる液の被覆性が向上して処理中の乾燥を防いでウォータマーク（水のシミ）の発生を低減することができる。   A substrate processing apparatus of the present invention is a substrate processing apparatus that processes the surface of a substrate while rotating the substrate, and includes a physical tool unit having a physical tool that processes the surface of the substrate, and a liquid that supplies liquid to the surface of the substrate. A nozzle unit having a supply nozzle, a gas supply nozzle for supplying gas to the surface of the substrate, a physical tool unit moving mechanism for moving the physical tool unit along the surface of the substrate, and a nozzle unit along the surface of the substrate And a nozzle unit moving mechanism section that moves the nozzle unit. As a result, the coverage of the liquid on the entire surface of the substrate such as a semiconductor wafer is improved, drying during processing is prevented, and generation of watermarks (water spots) can be reduced.

また、本発明の基板処理装置は、物理ツールユニットと、ノズルユニットと、物理ツールユニット移動機構部と、そしてノズルユニット移動機構部と、を収容するケースを備えるノズルヘッド装置と、ノズルヘッド装置を基板の表面に対して移動させるノズルヘッド装置の移動操作部と、を備える。これにより、ノズルヘッド装置は、基板の表面に対して移動して、物理ツールユニットとノズルユニットが基板の表面の適切な位置に処理を行うことができる。   Further, the substrate processing apparatus of the present invention includes a nozzle head device including a case that houses a physical tool unit, a nozzle unit, a physical tool unit moving mechanism, and a nozzle unit moving mechanism, and a nozzle head device. A moving operation unit of a nozzle head device that moves the surface of the substrate. Thereby, the nozzle head device moves relative to the surface of the substrate, and the physical tool unit and the nozzle unit can perform processing at an appropriate position on the surface of the substrate.

本発明の基板処理装置は、前記ノズルヘッド装置の移動操作部は、ノズルヘッド装置を、基板の回転中心軸と平行な方向に上下移動させる上下移動部と、ノズルヘッド装置を、基板上に揺動させる回転支持部と、を有することを特徴とする。これにより、ノズルヘッド装置は、基板の表面に対して上下移動し、回転することで、物理ツールユニットとノズルユニットが基板の表面の適切な位置に処理を行うことができる。   In the substrate processing apparatus of the present invention, the movement operation unit of the nozzle head device includes a vertical movement unit that moves the nozzle head device up and down in a direction parallel to the rotation center axis of the substrate, and a nozzle head device that swings on the substrate. And a rotating support portion to be moved. Accordingly, the nozzle head device moves up and down with respect to the surface of the substrate and rotates, whereby the physical tool unit and the nozzle unit can perform processing at an appropriate position on the surface of the substrate.

本発明の基板処理装置は、物理ツールユニット移動機構部は、モータと、モータにより回転されて物理ツールユニットを移動させる送りねじと、を有しており、ノズルユニット移動機構部は、モータと、モータにより回転されてノズルユニットを物理ユニットの移動と同期して、移動させる送りねじと、を有していることを特徴とする。これにより、物理ツールユニットとノズルユニットは、相互に反対方向沿って確実に移動でき、基板の表面に物理ユニットが処理を行う方向とは反対方向にノズルユニットが液体を供給してしかも気体を基板に供給することができる。   In the substrate processing apparatus of the present invention, the physical tool unit moving mechanism section includes a motor and a feed screw that is rotated by the motor to move the physical tool unit, and the nozzle unit moving mechanism section includes a motor, And a feed screw that is rotated by a motor to move the nozzle unit in synchronization with the movement of the physical unit. As a result, the physical tool unit and the nozzle unit can move reliably along directions opposite to each other, the nozzle unit supplies liquid in the direction opposite to the direction in which the physical unit performs processing on the surface of the substrate, and the gas is supplied to the substrate. Can be supplied to.

本発明の基板処理方法は、基板を回転させながら基板の表面を処理する基板処理方法であって、基板の表面を処理する物理ツールを有する物理ツールユニットを、物理ツールユニット移動機構部により基板の表面に沿って直線移動させ、基板の表面に液体を供給する液供給ノズルと基板の表面にガスを供給するガス供給ノズルとを有するノズルユニットを、ノズルユニット移動機構部により、物理ツールユニットの直線移動方向とは反対方向に基板の表面に沿って直線移動させることを特徴とする。これにより、半導体ウェーハのような基板の全面においる液被覆性が向上して処理中の乾燥を防いでウォータマーク（水のシミ）の発生を低減することができる。   The substrate processing method of the present invention is a substrate processing method for processing the surface of a substrate while rotating the substrate, and a physical tool unit having a physical tool for processing the surface of the substrate is transferred to the substrate by the physical tool unit moving mechanism. A nozzle unit having a liquid supply nozzle that linearly moves along the surface and supplies liquid to the surface of the substrate and a gas supply nozzle that supplies gas to the surface of the substrate is linearly moved by the nozzle unit moving mechanism. It is characterized by linearly moving along the surface of the substrate in the direction opposite to the moving direction. Thereby, the liquid covering property on the entire surface of a substrate such as a semiconductor wafer is improved, and drying during processing can be prevented, and the generation of watermarks (water spots) can be reduced.

また、物理ツールユニットとノズルユニットが直線移動することにより、物理ツールから供給される処理液（ミスト）とノズルユニットから供給される処理液同士が干渉しにくいので、液跳ねすることを抑えることができ、それによって、乾燥によるウォータマーク（水のシミ）の発生を低減することができる。   Further, since the physical tool unit and the nozzle unit move in a straight line, the processing liquid (mist) supplied from the physical tool and the processing liquid supplied from the nozzle unit are unlikely to interfere with each other, so that the liquid splash can be suppressed. This can reduce the generation of watermarks (water spots) due to drying.

本発明の実施形態では、ノズルユニット移動機構部が、ノズルユニットを、物理ツールユニットの直線移動と同期して、物理ツールユニットの直線移動方向とは反対方向に沿って移動させてもよいし、特に同期させることなくノズルユニットと物理ツールユニットを別個に移動させるようにしてもよい。個別に移動を行う場合には、物理ツールの後を追いかけるようにガス供給ノズルが移動していくようにする。これにより、物理ツールの洗浄後直ぐに乾燥ガスで乾燥させることにより、ウォータマーク（水のシミ）の発生を防止することができる。   In the embodiment of the present invention, the nozzle unit moving mechanism unit may move the nozzle unit along the direction opposite to the linear movement direction of the physical tool unit in synchronization with the linear movement of the physical tool unit. In particular, the nozzle unit and the physical tool unit may be moved separately without being synchronized. When moving individually, the gas supply nozzle is moved so as to follow the physical tool. Thereby, generation | occurrence | production of a watermark (water stain) can be prevented by making it dry with a dry gas immediately after washing | cleaning of a physical tool.

また、物理ツールユニットとノズルユニットを直線移動できるようにしたことで、処理液が基板上に滞留することがなくなり、その部分にパーティクルが付着することを防止することができる。   Further, since the physical tool unit and the nozzle unit can be moved linearly, the processing liquid does not stay on the substrate, and particles can be prevented from adhering to the portion.

本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の変形例を採用することができる。   The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be employed.

さらに、本発明の実施の形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることにより種々の発明を形成できる。例えば、本発明の実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。   Furthermore, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiments of the present invention. For example, you may delete some components from all the components shown by embodiment of this invention. Furthermore, you may combine the component covering different embodiment suitably.

１０ 基板処理装置
１１ 基板保持部
１２ ノズルヘッド装置
１３ ノズルヘッド装置の移動操作部
１８ 回転軸
１９ モータ
２０ 長い箱状のケース
２１ 物理ツールユニット
２２ 液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット
２３ 物理ツールユニットの移動機構部
２４ 液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット移動機構部
４１ 保持部
５０ ガイドレール
５１ モータ
５２ 送りねじ
６０ ガイドレール
６１ モータ
６２ 送りねじ
Ｗ 基板
Ｓ 基板の表面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate processing apparatus 11 Substrate holding part 12 Nozzle head apparatus 13 Movement operation part of nozzle head apparatus 18 Rotating shaft 19 Motor 20 Long box-shaped case 21 Physical tool unit 22 Liquid supply nozzle and gas supply nozzle unit 23 Movement of physical tool unit Mechanism part 24 Liquid supply nozzle and gas supply nozzle unit moving mechanism part 41 Holding part 50 Guide rail 51 Motor 52 Feed screw 60 Guide rail 61 Motor 62 Feed screw W Substrate S Surface of substrate

Claims (5)

基板を回転させながら前記基板の表面を処理する基板処理装置であって、
前記基板の表面を処理する物理ツールを有する物理ツールユニットと、
前記基板の表面に液体を供給する液供給ノズルを有するノズルユニットと、
前記物理ツールユニットを前記基板の表面に沿って移動させる物理ツールユニット移動機構部と、
前記ノズルユニットを前記基板の表面に沿って移動させるノズルユニット移動機構部と、
前記物理ツールユニット移動機構部と前記ノズルユニット移動機構部を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記物理ツールによって前記基板の表面を処理するとき、前記液供給ノズルが前記基板の表面における前記物理ツールによって処理されている位置とは異なる位置に前記液体を供給するように、前記前記物理ツールユニット移動機構部と前記ノズルユニット移動機構部を制御することを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing the surface of the substrate while rotating the substrate,
A physical tool unit having a physical tool for processing the surface of the substrate;
A nozzle unit having a liquid supply nozzle for supplying a liquid to the surface of the substrate;
A physical tool unit moving mechanism for moving the physical tool unit along the surface of the substrate;
A nozzle unit moving mechanism for moving the nozzle unit along the surface of the substrate;
A control unit for controlling the physical tool unit moving mechanism and the nozzle unit moving mechanism,
When the controller processes the surface of the substrate by the physical tool, the liquid supply nozzle supplies the liquid to a position different from the position being processed by the physical tool on the surface of the substrate. A substrate processing apparatus for controlling the physical tool unit moving mechanism and the nozzle unit moving mechanism . 前記物理ツールユニットと、前記ノズルユニットと、前記物理ツールユニット移動機構部と、そして前記ノズルユニット移動機構部と、を収容するケースを備えるノズルヘッド装置と、
前記ノズルヘッド装置を前記基板の表面に対して移動させるノズルヘッド装置の移動操作部と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 A nozzle head device comprising a case for accommodating the physical tool unit, the nozzle unit, the physical tool unit moving mechanism, and the nozzle unit moving mechanism;
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: a moving operation unit of the nozzle head device that moves the nozzle head device relative to a surface of the substrate. 前記ノズルヘッド装置の移動操作部は、
前記ノズルヘッド装置を、前記基板の回転中心軸と平行な方向に上下移動させる上下移動部と、
前記ノズルヘッド装置を、前記基板上に揺動させる回転支持部と、を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。 The movement operation unit of the nozzle head device is
A vertical movement unit for moving the nozzle head device up and down in a direction parallel to the rotation center axis of the substrate;
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: a rotation support unit that swings the nozzle head device on the substrate. 前記ノズルユニット移動機構部は、前記ノズルユニットを、前記物理ツールユニットの移動方向とは反対方向に移動させることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 Wherein the nozzle unit moving mechanism unit, the nozzle unit, the substrate processing apparatus according to claim 1 to the moving direction of the physical tool unit and wherein the moving in the opposite direction. 基板を回転させながら前記基板の表面を処理する基板処理方法であって、
前記基板の表面を処理する物理ツールを有する物理ツールユニットを前記基板の表面に沿って移動させて基板の表面の処理を行い、
前記物理ツールによって前記基板の表面を処理しているときに、前記基板の表面に液体を供給する液供給ノズルを前記基板の表面に沿って移動させ、前記物理ツールに処理されている位置とは異なる位置に前記液体を供給することを特徴とする基板処理方法。 A substrate processing method for processing a surface of a substrate while rotating the substrate,
Is moved performs processing surface of the substrate a physical tool unit having a physical tool for treating the surface of the substrate along a surface of the substrate,
When the surface of the substrate is processed by the physical tool , a liquid supply nozzle that supplies a liquid to the surface of the substrate is moved along the surface of the substrate, and the position processed by the physical tool is A substrate processing method comprising supplying the liquid to different positions .
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