JP5523033B2 - Wafer processing method and annular convex portion removing device - Google Patents
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Description
本発明は、裏面に円形凹部及び円形凹部を囲繞する環状凸部が形成されたウエーハから環状凸部を除去するウエーハの加工方法及び環状凸部除去装置に関する。 The present invention relates to a wafer processing method and an annular convex portion removing device for removing an annular convex portion from a wafer having a circular concave portion and an annular convex portion surrounding the circular concave portion formed on the back surface.
半導体デバイス製造工程においては、略円盤形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートとよばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切削装置で切削することにより、半導体ウエーハが個々の半導体チップ(デバイス)に分割される。 In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape, and devices such as IC and LSI are divided into these partitioned regions. Form. Then, the semiconductor wafer is cut into individual semiconductor chips (devices) by cutting the semiconductor wafer along a street with a cutting device.
分割されるウエーハは、ストリートに沿って切削する前に裏面を研削して所定の厚みに形成される。近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するために、ウエーハの厚さをより薄く、例えば50μm程度にすることが要求されている。 The divided wafer is formed to have a predetermined thickness by grinding the back surface before cutting along the street. In recent years, in order to achieve a reduction in weight and size of electrical equipment, it has been required to make the wafer thinner, for example, about 50 μm.
このように薄く形成されたウエーハは紙のように腰がなくなり取り扱いが困難になり、搬送等において破損する恐れがある。そこで、ウエーハのデバイス領域に対応する裏面のみを研削し、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域に対応するウエーハの裏面に補強用の環状凸部を形成する研削方法が、例えば特開2007−173487号公報で提案されている。 Such thinly formed wafers are not as elastic as paper and are difficult to handle and may be damaged during transportation. Therefore, a grinding method in which only the back surface corresponding to the device region of the wafer is ground and a reinforcing annular convex portion is formed on the back surface of the wafer corresponding to the outer peripheral surplus region surrounding the device region is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-173487. Proposed in the gazette.
このように裏面の外周に環状凸部が形成されたウエーハをストリート(分割予定ライン)に沿って分割する方法として、環状凸部を除去した後、ウエーハの表面側から切削ブレードで切削する方法が提案されている(特開2007−19379号公報参照)。 As a method of dividing the wafer having the annular convex portion formed on the outer periphery of the back surface along the street (scheduled line), there is a method in which the annular convex portion is removed and then the wafer is cut with a cutting blade from the front side of the wafer. It has been proposed (see JP 2007-19379 A).
特開2007−17379号公報では、環状凸部を除去する方法として、研削によって環状凸部を除去する方法と、切削ブレードで円形凹部と環状凸部との界面を円形に切削した後、環状凸部を除去する方法が開示されている。 In Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-17379, as a method of removing the annular convex portion, a method of removing the annular convex portion by grinding, and after cutting the interface between the circular concave portion and the annular convex portion with a cutting blade into a circular shape, A method for removing the portion is disclosed.
最近になり、研削による環状凸部の除去では円形凹部底面にスクラッチが入ったり、例えば、ウエーハの裏面の中央部に円形凹部が形成されるとともに円形凹部を囲繞する環状凸部が形成された後に、円形凹部に金属膜が成膜されたウエーハでは、環状凸部の研削中に研削砥石が金属膜を巻き込み、研削不良を引き起こしてしまうことが判明してきた。 Recently, in the removal of the annular convex portion by grinding, the bottom of the circular concave portion is scratched, or, for example, after the circular concave portion is formed at the center of the back surface of the wafer and the annular convex portion surrounding the circular concave portion is formed. In a wafer in which a metal film is formed in a circular recess, it has been found that a grinding wheel entrains the metal film during grinding of the annular protrusion and causes grinding failure.
一方、切削ブレードによって円形凹部と環状凸部との界面を切削するには、補強部である環状凸部を除去した後にウエーハを破損させないためにもウエーハに保護部材を配設して補強する必要がある。ところが、環状凸部を保護部材から剥離する具体的な手法の開示が特許文献2にはなく、その提案が要望されていた。
On the other hand, in order to cut the interface between the circular concave portion and the annular convex portion with the cutting blade, it is necessary to reinforce the wafer by providing a protective member in order not to damage the wafer after removing the annular convex portion as the reinforcing portion. There is. However,
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハを破損させることなく環状凸部を除去できるとともに、後の工程でもウエーハを破損させることのないウエーハの加工方法及び環状凸部除去装置を提供することである。 The present invention has been made in view of these points, and the object of the present invention is to remove the annular convex portion without damaging the wafer and to prevent the wafer from being damaged in the subsequent process. It is providing the processing method and an annular convex part removal apparatus.
請求項1記載の発明によると、裏面に形成された円形凹部と該円形凹部を囲繞する環状凸部とを有するウエーハから該環状凸部を除去するウエーハの加工方法であって、該ウエーハの裏面に粘着テープを貼着し、該粘着テープの外周部を環状フレームに装着してウエーハユニットを形成するウエーハユニット形成ステップと、該円形凹部と該環状凸部との境界に分断溝を形成する分断溝形成ステップと、該円形凹部より僅かに小さい保持面を有するチャックテーブルに該粘着テープを介してウエーハの該円形凹部を載置する載置ステップと、前記載置ステップを実施した後、前記複数の爪を該チャックテーブルに載置されたウエーハの該環状凸部の高さに位置付け、該爪をウエーハ中心方向に移動させることでウエーハの該環状凸部を押動してウエーハと該チャックテーブルとの中心合わせを行う中心合わせステップと、前記中心合わせステップを実施した後、該チャックテーブルで該円形凹部を吸引保持するとともに該チャックテーブルの外周に配設されたフレーム固定手段で該環状フレームを固定する保持ステップと、該フレーム固定手段と該チャックテーブルとを鉛直方向に相対移動させて該チャックテーブルを該フレーム固定手段に対して突出させる突出ステップと、複数の爪をウエーハの外周側から該環状凸部と該粘着テープの界面高さに位置づけた後、該爪をウエーハ中心方向に移動させて該環状凸部と該粘着テープの界面に侵入させる侵入ステップと、該複数の爪をウエーハから離反する方向へ移動させて該環状凸部を該ウエーハユニットから除去する除去ステップと、を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a wafer processing method for removing a ring-shaped convex portion from a wafer having a circular concave portion formed on the back surface and an annular convex portion surrounding the circular concave portion. A wafer unit forming step for forming a wafer unit by attaching an adhesive tape to the annular frame and attaching an outer peripheral portion of the adhesive tape to an annular frame; and dividing to form a dividing groove at the boundary between the circular recess and the annular protrusion and placing step of placing the groove forming step, a circular recess of the wafer via the PSA tape chuck table having a slightly smaller holding surface than circular recess, after performing the placing step, said plurality The claw of the wafer is positioned at the height of the annular convex portion of the wafer placed on the chuck table, and the claw is moved toward the center of the wafer to push the annular convex portion of the wafer. A centering step of centering of the wafer and the chuck table, wherein after the centering step was performed, a frame fixing means disposed on the outer periphery of the chuck table sucks hold circular recess in the chuck table A holding step for fixing the annular frame, a projecting step for projecting the chuck table relative to the frame fixing means by relatively moving the frame fixing means and the chuck table in a vertical direction, and a plurality of claws on the wafer. An intrusion step in which the nail is moved from the outer peripheral side to the interface height between the annular protrusion and the adhesive tape, and then the nail is moved in the wafer center direction to enter the interface between the annular protrusion and the adhesive tape; Removing step of removing the annular projection from the wafer unit by moving the claw of the wafer in a direction away from the wafer , The wafer processing method, characterized by comprising a are provided.
請求項2記載の発明によると、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたウエーハ表面のデバイス領域に対応するウエーハの裏面に形成された円形凹部と、該円形凹部を囲繞する環状凸部とを有するウエーハから該環状凸部を除去するウエーハの加工方法であって、該ウエーハの裏面に粘着テープを貼着し、該粘着テープの外周部を環状フレームに装着してウエーハユニットを形成するウエーハユニット形成ステップと、ウエーハの表面から該分割予定ラインに沿って該円形凹部をフルカットし該環状凸部をハーフカットすることで、該円形凹部と該環状凸部との境界部近辺に分断溝を形成する分断溝形成ステップと、該円形凹部より僅かに小さい保持面を有するチャックテーブルに該粘着テープを介してウエーハの該円形凹部を載置する載置ステップと、前記載置ステップを実施した後、前記複数の爪を該チャックテーブルに載置されたウエーハの該環状凸部の高さに位置付け、該爪をウエーハ中心方向に移動させることでウエーハの該環状凸部を押動してウエーハと該チャックテーブルとの中心合わせを行う中心合わせステップと、前記中心合わせステップを実施した後、該チャックテーブルで該円形凹部を吸引保持するとともに該チャックテーブルの外周に配設されたフレーム固定手段で該環状フレームを固定する保持ステップと、該フレーム固定手段と該チャックテーブルとを鉛直方向に相対移動させて該チャックテーブルを該フレーム固定手段に対して突出させる突出ステップと、複数の爪をウエーハの外周側から該環状凸部と該粘着テープの界面高さに位置づけた後、該爪をウエーハ中心方向に移動させて該環状凸部と該粘着テープの界面に侵入させる侵入ステップと、該複数の爪をウエーハから離反する方向へ移動させて該環状凸部を該ウエーハユニットから除去する除去ステップと、を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。 According to the second aspect of the present invention, the circular concave portion formed on the back surface of the wafer corresponding to the device area of the wafer surface where the plurality of devices are partitioned by the division planned lines, and the annular convex portion surrounding the circular concave portion. A wafer processing method for removing an annular convex portion from a wafer having a wafer unit, wherein a wafer unit is formed by attaching an adhesive tape to a back surface of the wafer and attaching an outer peripheral portion of the adhesive tape to an annular frame. Forming a cutting groove in the vicinity of the boundary between the circular concave portion and the annular convex portion by forming the circular concave portion from the surface of the wafer along the line to be divided and half cutting the annular convex portion. A step of forming a dividing groove, and a circular recess of the wafer via the adhesive tape on a chuck table having a holding surface slightly smaller than the circular recess. And placing step of location, after carrying out the placing step, positioning a plurality of pawls to the height of the annular convex portion of the wafer placed on the chuck table, to move the pawl in the wafer center direction After the centering step for centering the wafer and the chuck table by pushing the annular convex portion of the wafer and performing the centering step, the circular recess is sucked and held by the chuck table. A holding step for fixing the annular frame by a frame fixing means disposed on the outer periphery of the chuck table, and a relative movement of the frame fixing means and the chuck table in the vertical direction to move the chuck table to the frame fixing means. a projecting step of projecting for, located interfacial height of the adhesive tape and the annular protrusion a plurality of pawl from the outer periphery of the wafer And moving the claw toward the wafer center to enter the interface between the annular convex portion and the adhesive tape, and moving the plurality of claws in a direction away from the wafer to move the annular convex portion to the wafer. a removal step of removing from the wafer unit, the wafer processing method, characterized by comprising a are provided.
好ましくは、前記粘着テープは紫外線硬化型粘着テープから構成され、ウエーハの加工方法は、前記分断溝形成ステップを実施した後、前記円形凹部をマスクしながら前記環状凸部に紫外線を照射して該粘着テープの該環状凸部に対応する領域の粘着力を低下させる粘着力低下ステップを更に具備している。 Preferably, the pressure-sensitive adhesive tape is composed of an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive tape, and the wafer processing method includes irradiating the annular convex portion with ultraviolet rays while masking the circular concave portion after performing the dividing groove forming step. It further includes an adhesive strength lowering step for reducing the adhesive strength of the region corresponding to the annular convex portion of the adhesive tape.
好ましくは、チャックテーブルの保持面の直径は円形凹部の直径より1〜3mm小さく設定されている。 Preferably, the diameter of the holding surface of the chuck table is set to be 1 to 3 mm smaller than the diameter of the circular recess.
本発明のウエーハの加工方法によると、円形凹部が吸引保持された状態でチャックテーブルの保持面がフレーム固定手段より突出することで環状フレームがチャックテーブルの保持面に対して相対的に引き下げられる。ウエーハの裏面に貼着された粘着テープは環状フレームが引き下げられるのに伴って僅かに伸長するため、爪が環状凸部と粘着テープの界面に侵入し易い上、円形凹部がチャックテーブルで吸引保持されているため破損することがない。 According to the wafer processing method of the present invention, the holding surface of the chuck table protrudes from the frame fixing means while the circular concave portion is sucked and held, so that the annular frame is pulled down relative to the holding surface of the chuck table. Since the adhesive tape attached to the back of the wafer slightly expands as the annular frame is pulled down, the claw easily enters the interface between the annular convex part and the adhesive tape, and the circular concave part is sucked and held by the chuck table. It will not be damaged.
また、補強部である環状凸部が除去された後も、ウエーハは保護部材である粘着テープを介して環状フレームに支持されているため、破損することがないとともにウエーハのハンドリングが容易となる。 Further, even after the annular convex portion that is the reinforcing portion is removed, the wafer is supported by the annular frame via the adhesive tape that is the protective member, so that the wafer is not damaged and handling of the wafer is facilitated.
請求項2記載の発明によると、分割予定ラインに沿って円形凹部をフルカットし環状凸部をハーフカットすることで円形凹部と環状凸部との境界部付近に分断溝を形成するため、ウエーハを個々のデバイスに分割する分割ステップを省略できる。 According to the second aspect of the present invention, the dividing groove is formed near the boundary between the circular concave portion and the annular convex portion by full-cutting the circular concave portion along the line to be divided and half-cutting the annular convex portion. The dividing step of dividing the device into individual devices can be omitted.
また、請求項1及び2記載の発明によると、複数の爪でウエーハの環状凸部を押動することでウエーハとチャックテーブルとの中心合わせを行うため、ウエーハの中心と環状フレームの中心とがずれた状態のウエーハユニットでも、円形凹部を確実にチャックテーブル上に載置することができ、環状凸部の除去が失敗することを防止できる。
Further, according to the invention of
請求項3記載の発明によると、予め粘着テープの粘着力は環状凸部に対応する領域で低下させられているため、容易にウエーハユニット上から環状凸部を除去できる。 According to the invention described in claim 3, since the adhesive force of the adhesive tape is reduced in advance in a region corresponding to the annular convex portion, the annular convex portion can be easily removed from the wafer unit.
請求項4記載の発明によると、チャックテーブルの直径が円形凹部の直径に比べて1〜3mm小さいため、円形凹部がチャックテーブルに嵌合し易い。 According to the invention described in claim 4 , since the diameter of the chuck table is smaller by 1 to 3 mm than the diameter of the circular recess, the circular recess is easily fitted to the chuck table.
以下、本発明実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1はシリコンから形成された半導体ウエーハ11の表面側斜視図である。半導体ウエーハ11の表面11aには複数のストリート(分割予定ライン)13が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a front perspective view of a
半導体ウエーハ11の表面11aは、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。
The
図2は半導体ウエーハ11の裏面側斜視図を示している。半導体ウエーハ11の裏面11bには、デバイス領域17に対応する裏面11bが研削されて厚さが約50μmの円形凹部23が形成されており、円形凹部23の外周側は研削されずに残存されて外周余剰領域19を含む環状凸部25が形成されている。環状凸部25は補強部として作用し、例えばその厚さは700μmである。
FIG. 2 shows a rear perspective view of the
図3を参照すると、環状凸部除去装置2の外観斜視図が示されている。環状凸部除去装置2のハウジング4には取っ手8を有するカセット投入口6と、操作及び表示画面としてのタッチパネル10が配設されている。
Referring to FIG. 3, an external perspective view of the annular convex
図4を参照すると、環状凸部除去装置2の機構部の斜視図が示されている。12は紫外線照射ユニット(UV照射ユニット)であり、その上面はウエーハを収納したカセットを載置するためのカセット載置台14として機能する。紫外線照射ユニット12とカセット載置台14は図示されないエレベータ機構によって昇降可能となっている。
Referring to FIG. 4, a perspective view of the mechanism part of the annular convex
16はカセット載置台14上に載置された図示しないカセットから後で説明するウエーハユニットを取り出してチャックテーブル26まで搬送するとともに、加工の終了したウエーハユニットをカセット中に収容するプッシュプルであり、Z軸方向に移動するL形状部材18に装着されている。
16 is a push-pull that takes out a wafer unit, which will be described later, from a cassette (not shown) mounted on the cassette mounting table 14 and conveys it to the chuck table 26, and accommodates the processed wafer unit in the cassette. It is mounted on an L-shaped
L形状部材18は、ボールねじ及びパルスモータから構成されるZ軸移動機構20を介してY軸移動部材22に取り付けられている。Y軸移動部材22は、ボールねじ及びパルスモータから構成されるY軸移動機構24によりY軸方向に移動される。
The L-shaped
チャックテーブル26の周りには垂直方向(Z軸方向)に移動する垂直移動部27が配設されている。垂直移動部27は電磁石30とプレート部材31が交互に配置されて構成されており、図12に示すようにプレート部材31はエアシリンダ80のピストンロッド82に連結されている。
Around the chuck table 26, a vertical moving
エアシリンダ80を作動することにより、垂直移動部27は図12に示した上昇位置と垂直移動部27がチャックテーブル26の保持面26aに対して引き落とされた引き落とし位置との間で移動される。
By operating the
チャックテーブル26の保持面26aはウエーハ11の円形凹部23の直径よりも1〜3mm小さい直径を有しており、ウエーハ11の円形凹部23のみを粘着テープ58を介してチャックテーブル26で吸引保持できるようになっている。
The holding
図4を再び参照すると、垂直移動部27を挟むようにプッシュプル16によりカセット中から引き出されたウエーハユニットをセンタリングする一対のセンタリングガイド28が配設されている。センタリングガイド28を互いに近づく方向に移動することにより、チャックテーブル26上でのウエーハユニットの予備的センタリングが実施される。
Referring again to FIG. 4, a pair of centering
32は爪アセンブリであり、図5にその詳細を示すようにZ軸方向に移動するZ軸移動部材34と、Z軸移動部材34の先端に固定された矩形部材36と、矩形部材36から互いに90度離間して四方向に伸長する4本の案内部材38とを含んでいる。
各案内部材38にはボールねじ40が取り付けられており、ボールねじ40の一端は矩形部材36中に収容されたパルスモータにそれぞれ連結されている。ボールねじ40とパルスモータとにより第1爪移動手段42が構成される。
A
各ボールねじ40には水平移動部材44中に収容されたナットが螺合しており、第1爪移動手段42のパルスモータを駆動すると、各ボールねじ40が回転されて水平移動部材44が待機位置と互いに半径方向に接近した作動位置との間で移動される。
Each ball screw 40 is screwed with a nut accommodated in a horizontal moving
各水平移動部材44には爪46が取り付けられている。図5(B)に示すように、4個の爪46が作動位置に移動されると、リング47が形成される。各水平移動部材44には爪46に向かってエアを噴出するエア噴出口48が形成されている。
A
再び図4を参照すると、Z軸移動部材34はボールねじ及びパルスモータから構成されるZ軸移動機構(第2爪移動手段)52を介してY軸移動部材50に取り付けられている。
Referring again to FIG. 4, the Z-
Y軸移動部材50は、ボールねじ及びパルスモータから構成されるY軸移動機構54によりY軸方向に移動される。チャックテーブル26に隣接して、ウエーハユニットから除去された環状凸部を回収する環状凸部回収ケース55が配設されている。
The Y-
次に、図6及び図7のフローチャート及び図8乃至図21を参照して、本発明第1実施形態に係るウエーハの加工方法について詳細に説明する。 Next, the wafer processing method according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the flowcharts of FIGS. 6 and 7 and FIGS.
まず、図6のステップS10でウエーハユニット形成ステップを実施する。即ち、図8に示すように、裏面中央に形成された円形凹部23と円形凹部23を囲繞する環状凸部25を備えるウエーハ11の裏面に紫外線硬化型粘着テープ58を貼着するとともに、紫外線硬化型粘着テープ58の外周部を環状フレーム56の開口56aを塞ぐように環状フレーム56に貼着する。
First, a wafer unit forming step is performed in step S10 of FIG. That is, as shown in FIG. 8, an ultraviolet curable pressure-
実際には、テーブル等の上に置かれた紫外線硬化型粘着テープ58上に、矢印Aで示すようにウエーハ11の裏面及び環状フレーム56を貼着し、図9に示すようなウエーハユニット59を形成する。
Actually, the back surface of the
次いで、ステップS11へ進んで切削ブレード又はレーザ光を用いて、ウエーハ11の円形凹部23と環状凸部25との境界部分に分断溝を形成する。例えば、図10に示すように、段差61を有する切削装置のチャックテーブル60で粘着テープ58を介してウエーハ11の円形凹部23を吸引保持し、クランプ62で環状フレーム56を固定する。
Subsequently, it progresses to step S11 and a dividing groove is formed in the boundary part of the circular recessed
切削ユニット64のスピンドルハウジング66中に回転可能に収容されたスピンドル68の先端には切削ブレード70が装着されている。切削ブレード70を高速回転させながらウエーハへ所定深さにまで切り込ませつつチャックテーブル60を低速で回転させて、ウエーハ11の表面11a側から円形凹部23と環状凸部25との境界部分を円形に切削して円形の分断溝を形成する。この円形の分断溝が形成された状態で、ウエーハ11の円形凹部23と環状凸部25は粘着テープ58に貼着されたままである。
A
この分断溝形成ステップは、切削ブレード70によるサークルカットに限定されるものではなく、ウエーハ11に対して吸収性を有する波長のレーザビームによるアブレーション加工で分断溝形成ステップを実施するようにしてもよい。
This dividing groove forming step is not limited to the circle cutting by the
ステップS11の分断溝形成ステップ終了後、ステップS12に進んで粘着力低下ステップを実施する。即ち、図11に示すように、UV照射ユニット12中にウエーハユニット59を挿入し、環状凸部25に対応した円形開口78を有するマスク74を使用して、紫外線ランプ72を点灯して円形開口78を介して紫外線を環状凸部25が貼着された紫外線硬化型粘着テープ58に照射し、粘着テープ58の環状凸部25に対応する領域の粘着力を低下させる。
After completion of the dividing groove forming step in step S11, the process proceeds to step S12, and the adhesive strength reducing step is performed. That is, as shown in FIG. 11, a
ステップS12の粘着力低下ステップ終了後、ステップS13へ進んで図13に示すようにウエーハ11の円形凹部23より僅かに小さい(1〜3mm小さい)保持面26aを有するチャックテーブル26上にウエーハユニット59を載置する。この時、フレーム固定手段としての電磁石30は非励磁(オフ)のままである。
After the step S12 for reducing the adhesive force is completed, the process proceeds to step S13 where the
この載置ステップを実施したとき、粘着テープ58へのウエーハの貼り位置ばらつきにより、ウエーハ11の中心と環状フレーム56の中心位置が一致していない場合がある。そこで、ステップS14へ進んで中心合わせステップを実施する。
When this placement step is performed, the center of the
即ち、図14(A)に示す爪アセンブリ32を矢印A方向に下降して、図14(B)に示す複数の爪46をチャックテーブル26上に載置されたウエーハ11の環状凸部25の高さにウエーハ11の外周側から位置付け、複数の爪46を矢印Bに示すように同一速度でウエーハ中心方向に移動させることでウエーハ11の環状凸部25を押動してウエーハ11の中心とチャックテーブル26の中心とを位置合わせする。
That is, the
この位置合わせステップが終了すると、ウエーハ11の円形凹部23がチャックテーブル26の保持面26aに嵌合するため、ステップS15に進んでチャックテーブル26でウエーハ11の円形凹部23を吸引保持するとともに、チャックテーブル26の外周に配設されたフレーム固定手段としての電磁石30を励磁(オン)して、電磁石30で環状フレーム56を固定する保持ステップを実施する。
When this positioning step is completed, the circular
次いで、ステップS16に進んでフレーム固定手段とチャックテーブル26を鉛直方向に相対移動させて、チャックテーブル24をフレーム固定手段に対して突出させる突出ステップを実施する。 Next, the process proceeds to step S16, and a projecting step is performed in which the frame fixing means and the chuck table 26 are relatively moved in the vertical direction to cause the chuck table 24 to project with respect to the frame fixing means.
即ち、図16に示すように、フレーム固定手段としての電磁石30を矢印A方向に引き落として、チャックテーブル26の保持面26aをフレーム固定手段としての電磁石30から突出させる。これにより、電磁石30で固定されている環状フレーム56も引き下げられるため、ウエーハ11の裏面に貼着されている粘着テープ58は半径方向に僅かに伸長する。
That is, as shown in FIG. 16, the
尚、フレーム固定手段は電磁石30に限定されるものではなく、例えば図10に示すような切削装置に使用されるクランプ62でもよい。また、固定手段30を移動させずに、チャックテーブル26を昇降させる構成でもよい。
The frame fixing means is not limited to the
次いで、ステップS17に進んで、図17に示すように複数の爪46をウエーハ11の外周側から環状凸部25と粘着テープ58の界面高さに位置付けた後、爪46を矢印Bに示すようにウエーハ中心方向に移動させて環状凸部25と粘着テープ58の界面に侵入させる。
Next, the process proceeds to step S17, where the plurality of
ステップS16で粘着テープ58が半径方向に伸長されるため、爪46が環状凸部25と粘着テープ58の界面に侵入し易い上、ウエーハ11の円形凹部23はチャックテーブル26で吸引保持されているため破損することがない。
Since the
このように爪46を環状凸部25と粘着テープ58の界面に侵入させた後、図18に示すように複数の爪46を矢印B方向に互いに接近させてから、矢印C方向に爪46を引き上げて環状凸部25をウエーハユニット59から除去する(ステップS18)。
After the
このように環状凸部25をウエーハユニット59から除去した後は、図19に示すように爪アセンブリ32を矢印D方向に移動して環状凸部25を環状凸部収容ケース55上に位置づけた後、爪46を矢印E方向に移動して環状凸部25を環状凸部収容ケース55内に廃棄する(ステップS19)。
After the
ステップS19の環状凸部廃棄ステップを実施した後、図20に示すようにエア噴出口48から爪46の保持面に対してエアを噴出して爪46を清掃するのが好ましい。
After carrying out the annular convex portion discarding step of step S19, it is preferable to clean the
次いで、ステップS20に進んで環状凸部25が除去されたウエーハ11を切削ブレードで切削して個々のデバイスへと分割する。即ち、図21に示すように、環状凸部25が除去されたウエーハ11を切削装置のチャックテーブル60Aで吸引保持し、チャックテーブル60Aを矢印X1方向に加工送りしながら切削ブレード70Aを高速回転させてウエーハ11に切り込ませることにより、ウエーハ11を個々のデバイス15に分割する。
Next, the process proceeds to step S20, where the
次に、図22乃至図25を参照して、本発明第2実施形態のウエーハの加工方法について詳細に説明する。本実施形態の加工方法では、ステップS31の分断溝形成ステップが第1実施形態のステップS11の分断溝形成ステップと相違する。ステップS30は第1実施形態のステップS10と同様であり、ステップS32〜ステップS39は第1実施形態のステップS12〜ステップS19と同様であるのでその説明を略する。 Next, the wafer processing method according to the second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. In the processing method of this embodiment, the dividing groove forming step of step S31 is different from the dividing groove forming step of step S11 of the first embodiment. Step S30 is the same as Step S10 of the first embodiment, and Steps S32 to S39 are the same as Step S12 to Step S19 of the first embodiment, so the description thereof is omitted.
ステップS31の分断溝形成ステップでは、図24に示すようにチャックテーブル60を矢印X1で示す方向に加工送りしながら矢印A方向に高速回転している切削ブレード70Aをウエーハ11の分割予定ライン13に沿ってウエーハ11に切り込ませ、円形凹部23をフルカット(完全切断)し、環状凸部25をハーフカットする。
In the dividing groove forming step of step S31, as shown in FIG. 24, the
全ての分割予定ライン13に沿って分割溝86を形成した状態のウエーハ11の平面図が図25に示されている。ウエーハ11の凹部23は完全切断され、環状凸部25は不完全切断されているため、円形凹部23と環状凸部25の境界付近に太線で示した分断溝88が形成される。
FIG. 25 shows a plan view of the
よって本実施形態では、ステップS38の除去ステップで、分断溝88より外周部分がウエーハユニット59から除去される。本実施形態の分断溝形成ステップでウエーハ11は個々のデバイス15に分割されているため、本実施形態では第1実施形態のステップS20の分割ステップを省略することができる。
Therefore, in the present embodiment, the outer peripheral portion is removed from the
2 環状凸部除去装置
11 半導体ウエーハ
12 UV照射ユニット
13 ストリート(分割予定ライン)
15 デバイス
23 円形凹部
25 環状凸部
26 チャックテーブル
30 電磁石
32 爪アセンブリ
42 第1爪移動手段
52 第2爪移動手段
56 環状フレーム
58 UV硬化型粘着テープ
59 ウエーハユニット
70,70A 切削ブレード
2 annular convex removing
15
Claims (4)
該ウエーハの裏面に粘着テープを貼着し、該粘着テープの外周部を環状フレームに装着してウエーハユニットを形成するウエーハユニット形成ステップと、
該円形凹部と該環状凸部との境界に分断溝を形成する分断溝形成ステップと、
該円形凹部より僅かに小さい保持面を有するチャックテーブルに該粘着テープを介してウエーハの該円形凹部を載置する載置ステップと、
前記載置ステップを実施した後、前記複数の爪を該チャックテーブルに載置されたウエーハの該環状凸部の高さに位置付け、該爪をウエーハ中心方向に移動させることでウエーハの該環状凸部を押動してウエーハと該チャックテーブルとの中心合わせを行う中心合わせステップと、
前記中心合わせステップを実施した後、該チャックテーブルで該円形凹部を吸引保持するとともに該チャックテーブルの外周に配設されたフレーム固定手段で該環状フレームを固定する保持ステップと、
該フレーム固定手段と該チャックテーブルとを鉛直方向に相対移動させて該チャックテーブルを該フレーム固定手段に対して突出させる突出ステップと、
複数の爪をウエーハの外周側から該環状凸部と該粘着テープの界面高さに位置づけた後、該爪をウエーハ中心方向に移動させて該環状凸部と該粘着テープの界面に侵入させる侵入ステップと、
該複数の爪をウエーハから離反する方向へ移動させて該環状凸部を該ウエーハユニットから除去する除去ステップと、
を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法。 A wafer processing method for removing an annular convex portion from a wafer having a circular concave portion formed on a back surface and an annular convex portion surrounding the circular concave portion,
A wafer unit forming step of sticking an adhesive tape to the back surface of the wafer, and mounting a peripheral unit of the adhesive tape on an annular frame to form a wafer unit;
A dividing groove forming step for forming a dividing groove at a boundary between the circular concave portion and the annular convex portion;
A mounting step of mounting the circular recess of the wafer via the adhesive tape on a chuck table having a holding surface slightly smaller than the circular recess;
After performing the placing step, the plurality of claws are positioned at the height of the annular convex portion of the wafer placed on the chuck table, and the annular convex portion of the wafer is moved by moving the claws toward the center of the wafer. A centering step for centering the wafer and the chuck table by pushing the part;
A holding step of sucking and holding the circular recess with the chuck table and fixing the annular frame with frame fixing means disposed on the outer periphery of the chuck table after performing the centering step;
A projecting step for projecting the chuck table relative to the frame fixing means by relatively moving the frame fixing means and the chuck table in a vertical direction;
An intrusion in which a plurality of claws are positioned from the outer peripheral side of the wafer to the interface height between the annular convex portion and the adhesive tape, and then the claws are moved toward the wafer center to enter the interface between the annular convex portion and the adhesive tape. Steps,
Removing the annular protrusion from the wafer unit by moving the plurality of claws in a direction away from the wafer;
The wafer processing method, characterized by comprising a.
該ウエーハの裏面に粘着テープを貼着し、該粘着テープの外周部を環状フレームに装着してウエーハユニットを形成するウエーハユニット形成ステップと、
ウエーハの表面から該分割予定ラインに沿って該円形凹部をフルカットし該環状凸部をハーフカットすることで、該円形凹部と該環状凸部との境界部近辺に分断溝を形成する分断溝形成ステップと、
該円形凹部より僅かに小さい保持面を有するチャックテーブルに該粘着テープを介してウエーハの該円形凹部を載置する載置ステップと、
前記載置ステップを実施した後、前記複数の爪を該チャックテーブルに載置されたウエーハの該環状凸部の高さに位置付け、該爪をウエーハ中心方向に移動させることでウエーハの該環状凸部を押動してウエーハと該チャックテーブルとの中心合わせを行う中心合わせステップと、
前記中心合わせステップを実施した後、該チャックテーブルで該円形凹部を吸引保持するとともに該チャックテーブルの外周に配設されたフレーム固定手段で該環状フレームを固定する保持ステップと、
該フレーム固定手段と該チャックテーブルとを鉛直方向に相対移動させて該チャックテーブルを該フレーム固定手段に対して突出させる突出ステップと、
複数の爪をウエーハの外周側から該環状凸部と該粘着テープの界面高さに位置づけた後、該爪をウエーハ中心方向に移動させて該環状凸部と該粘着テープの界面に侵入させる侵入ステップと、
該複数の爪をウエーハから離反する方向へ移動させて該環状凸部を該ウエーハユニットから除去する除去ステップと、
を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法。 The annular convex portion is removed from a wafer having a circular concave portion formed on the back surface of the wafer corresponding to the device area on the wafer surface where a plurality of devices are divided by the division lines, and an annular convex portion surrounding the circular concave portion. A method of processing a wafer,
A wafer unit forming step of sticking an adhesive tape to the back surface of the wafer, and mounting a peripheral unit of the adhesive tape on an annular frame to form a wafer unit;
A dividing groove that forms a dividing groove in the vicinity of a boundary portion between the circular concave portion and the annular convex portion by full-cutting the circular concave portion from the surface of the wafer along the division line and half-cutting the annular convex portion. Forming step;
A mounting step of mounting the circular recess of the wafer via the adhesive tape on a chuck table having a holding surface slightly smaller than the circular recess;
After performing the placing step, the plurality of claws are positioned at the height of the annular convex portion of the wafer placed on the chuck table, and the annular convex portion of the wafer is moved by moving the claws toward the center of the wafer. A centering step for centering the wafer and the chuck table by pushing the part;
A holding step of sucking and holding the circular recess with the chuck table and fixing the annular frame with frame fixing means disposed on the outer periphery of the chuck table after performing the centering step;
A projecting step for projecting the chuck table relative to the frame fixing means by relatively moving the frame fixing means and the chuck table in a vertical direction;
After positioning a plurality of pawls from the outer peripheral side of the wafer to interfacial height of the adhesive tape and the annular convex portion, thereby moving the pawl to the wafer center direction penetrate the interface of the annular convex portion and the adhesive tape Intrusion step,
Removing the annular protrusion from the wafer unit by moving the plurality of claws in a direction away from the wafer;
The wafer processing method, characterized by comprising a.
前記分断溝形成ステップを実施した後、前記円形凹部をマスクしながら前記環状凸部に紫外線を照射して該粘着テープの該環状凸部に対応する領域の粘着力を低下させる粘着力低下ステップを更に備えた請求項1又は2の何れかに記載のウエーハの加工方法。 The adhesive tape is composed of an ultraviolet curable adhesive tape,
After carrying out the dividing groove forming step, an adhesive force lowering step for reducing the adhesive strength of the region corresponding to the annular convex portion of the adhesive tape by irradiating the annular convex portion with ultraviolet rays while masking the circular concave portion. Furthermore the wafer processing method according to claim 1 or 2 with.
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