JP2011071289A - Method of processing wafer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、薄く加工されても取り扱いが容易なウエーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method that is easy to handle even if processed thinly.
半導体デバイス製造プロセスにおいては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配設されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC,LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切削装置で切削することにより、半導体ウエーハが個々の半導体チップ(デバイス)に分割される。 In a semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially wafer-shaped semiconductor wafer, and ICs, LSIs, etc. are partitioned in these partitioned regions. Form the device. Then, the semiconductor wafer is cut into individual semiconductor chips (devices) by cutting the semiconductor wafer along a street with a cutting device.
分割されるウエーハは、ストリートに沿って切削する前に裏面を研削や研磨して所定の厚さに形成される(例えば、特開2004−319885号公報参照)。近年、電気機器の軽量化、小型化、薄型化を達成するために、ウエーハの厚さをより薄く、例えば50μm程度にすることが要求されている。薄化されたウエーハは、研削によって生成された研削歪を除去するために適宜数μm程度エッチングされる。 The wafer to be divided is formed to have a predetermined thickness by grinding or polishing the back surface before cutting along the street (see, for example, JP-A-2004-319885). In recent years, in order to achieve weight reduction, size reduction, and thickness reduction of electrical equipment, it is required that the thickness of the wafer be made thinner, for example, about 50 μm. The thinned wafer is appropriately etched about several μm in order to remove the grinding distortion generated by grinding.
このように薄く形成されたウエーハは取り扱いが困難になり、搬送等において破損する恐れがある。この問題を解消するために本出願人は、薄化されたウエーハのハンドリングを容易にしたウエーハの加工方法を特開2007−19461号公報で提案した。 Such thin wafers are difficult to handle and may be damaged during transportation. In order to solve this problem, the present applicant has proposed a wafer processing method that facilitates handling of a thinned wafer in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-19461.
この方法では、デバイスが形成されたデバイス領域に対応するウエーハの裏面を研削してデバイス領域を所定の厚さへ薄化することでウエーハの裏面に円形凹部を形成するとともに、ウエーハの裏面における外周余剰領域を残存させて環状凸部(環状補強部)を形成することによりウエーハのハンドリングを容易にしている。 In this method, a circular recess is formed on the back surface of the wafer by grinding the back surface of the wafer corresponding to the device region on which the device is formed, and thinning the device region to a predetermined thickness. Wafer handling is facilitated by forming an annular convex portion (annular reinforcing portion) by leaving the surplus region.
一方、特開2009−21462号公報は、ウエーハの裏面を研削して円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞する環状凸部を形成した後、円形凹部内に再配線層を形成するウエーハの加工方法を開示している。 On the other hand, Japanese Patent Laid-Open No. 2009-21462 discloses a wafer in which a rear surface of a wafer is ground to form a circular concave portion and an annular convex portion surrounding the circular concave portion is formed, and then a rewiring layer is formed in the circular concave portion. A processing method is disclosed.
ところが、円形凹部を囲繞する環状凸部の側面がウエーハの研削面に対して垂直である場合には、搬送等のハンドリング時に環状凸部の外周エッジが非常に欠け易いという問題がある。 However, when the side surface of the annular convex portion surrounding the circular concave portion is perpendicular to the grinding surface of the wafer, there is a problem that the outer peripheral edge of the annular convex portion is very easily lost during handling such as conveyance.
特に環状凸部の内周部分に欠けが生じると、後にエッチングを施した際、欠けた部分がよりエッチングされ易くなるために環状凸部が大きく浸食されて、その結果、環状凸部が補強部としての役目を果たせなくなってしまう。 In particular, if the inner peripheral portion of the annular convex portion is chipped, when the etching is performed later, the annular convex portion is greatly eroded because it becomes easier to etch, and as a result, the annular convex portion becomes the reinforcing portion. Can no longer serve as.
また、円形凹部を囲繞する環状凸部の側面がウエーハの研削面に対して垂直であるウエーハの円形凹部内に再配線層を形成する場合、フォトリソグラフィで使用するレジスト液が円形凹部外に排出されにくいという問題がある。 In addition, when a rewiring layer is formed in a circular concave portion of a wafer in which the side surface of the annular convex portion surrounding the circular concave portion is perpendicular to the grinding surface of the wafer, the resist solution used in photolithography is discharged out of the circular concave portion. There is a problem that it is difficult to be done.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、環状凸部に発生する欠けを減少させるとともにエッチング液やレジスト液等の処理液を効率良く円形凹部外に排出可能なウエーハの加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of these points, and the object of the present invention is to reduce chipping generated in the annular convex portion and to efficiently remove a processing solution such as an etching solution or a resist solution outside the circular concave portion. It is to provide a method of processing a wafer that can be discharged.
請求項1記載の発明によると、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面側に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、第1保持面と該第1保持面に対して垂直な第1の回転軸を備える第1保持手段で該保護部材が配設されたウエーハの表面側を保持する第1保持ステップと、ウエーハの裏面に対面する研削面を有する研削砥石を環状に備えた研削ホイールを該研削面に垂直な第2の回転軸で回転させつつ該第1保持手段で保持されたウエーハの裏面に当接させるとともに該第1保持手段を回転させて、ウエーハの該デバイス領域に相当する領域を研削して裏面に円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞する環状凸部を形成するウエーハ研削ステップと、第2保持面と該第2保持面に対して垂直な第3の回転軸を備える第2保持手段で該ウエーハ研削ステップが実施されたウエーハの表面側を保持する第2保持ステップと、該第2保持面と平行な第4の回転軸を備えた切削ブレードを回転させつつ該第2保持手段を回転させるとともに該第2保持手段と該切削ブレードとを相対移動させて該環状凸部を切削し、該環状凸部の上面内周側から該円形凹部のウエーハ中心方向に向かって傾斜する傾斜面を形成する環状凸部切削ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a wafer processing method for processing a wafer having on its surface a device region in which a plurality of devices are formed and an outer peripheral surplus region surrounding the device region. A wafer in which the protection member is disposed by a protection member disposing step of disposing a protection member on the first holding means, and a first holding means including a first holding surface and a first rotating shaft perpendicular to the first holding surface. A first holding step for holding the front surface side of the wafer and a grinding wheel having an annular grinding wheel having a grinding surface facing the back surface of the wafer while rotating around a first rotating shaft perpendicular to the grinding surface. The first holding means is brought into contact with the back surface of the wafer held by the holding means and the region corresponding to the device area of the wafer is ground to form a circular concave portion on the back surface and surround the circular concave portion. A wafer surface on which the wafer grinding step is performed by a wafer grinding step for forming an annular convex portion, and a second holding means having a second holding surface and a third rotating shaft perpendicular to the second holding surface. A second holding step for holding the side, and the second holding means and the cutting blade while rotating the second holding means while rotating the cutting blade having a fourth rotating shaft parallel to the second holding surface. And cutting the annular convex portion to form an inclined surface inclined from the inner peripheral side of the upper surface of the annular convex portion toward the wafer center of the circular concave portion. A method for processing a wafer is provided.
請求項2記載の発明によると、請求項1記載の発明において、前記環状凸部切削ステップでは、前記切削ブレードを前記環状凸部上に位置づけた後、前記第2保持手段と該切削ブレードとを相対移動させて該切削ブレードをウエーハの表面に接近する方向へ移動させつつウエーハの中心方向へ移動させることで、該環状凸部の上面内周側から該円形凹部のウエーハ中心方向に向かって傾斜する傾斜面を形成するウエーハの加工方法が提供される。 According to a second aspect of the invention, in the first aspect of the invention, in the annular convex portion cutting step, after the cutting blade is positioned on the annular convex portion, the second holding means and the cutting blade are Relatively moving the cutting blade in the direction approaching the wafer surface while moving it toward the wafer center, tilting from the inner peripheral side of the upper surface of the annular convex portion toward the wafer central direction of the circular concave portion A method of processing a wafer for forming an inclined surface is provided.
請求項3記載の発明によると、請求項1記載の発明において、前記環状凸部切削ステップでは、前記切削ブレードを前記円形凹部の外周縁に位置づけた後、前記第2保持手段と該切削ブレードとを相対移動させて該切削ブレードをウエーハの表面から離反する方向へ移動させつつウエーハの外周方向へ移動させることで、該環状凸部の上面内周側から該円形凹部のウエーハ中心方向に向かって傾斜する傾斜面を形成するウエーハの加工方法が提供される。 According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, in the annular convex portion cutting step, after the cutting blade is positioned on the outer peripheral edge of the circular concave portion, the second holding means and the cutting blade Are moved relative to each other to move the cutting blade away from the surface of the wafer while moving in the outer circumferential direction of the wafer, from the inner peripheral side of the upper surface of the annular convex portion toward the wafer center of the circular concave portion. A wafer processing method for forming an inclined surface is provided.
請求項4記載の発明によると、請求項1記載の発明において、前記環状凸部研削ステップは、前記切削ブレードを前記環状凸部上に位置づけた後、前記第2保持手段と該切削ブレードとを相対移動させて該切削ブレードをウエーハの表面に接近する方向へ移動させる第1鉛直移動ステップと、該第2保持手段と該切削ブレードとを相対移動させて該切削ブレードをウエーハの表面から離反する方向へ移動させる第2鉛直移動ステップと、該第2保持手段と該切削ブレードとを相対移動させて該切削ブレードをウエーハの中心方向へ移動させる水平移動ステップとを含み、該第1鉛直移動ステップ、該第2鉛直移動ステップ及び該水平移動ステップとを複数回繰り返すことにより、該環状凸部の上面内周側から該円形凹部のウエーハ中心方向に向かって階段状に傾斜する傾斜面を形成するウエーハの加工方法が提供される。 According to a fourth aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, in the annular convex portion grinding step, after the cutting blade is positioned on the annular convex portion, the second holding means and the cutting blade are A first vertical movement step of moving the cutting blade in a direction approaching the surface of the wafer by relative movement; and a relative movement of the second holding means and the cutting blade to move the cutting blade away from the surface of the wafer. A second vertical movement step for moving the cutting blade in a direction; and a horizontal movement step for moving the cutting blade toward the center of the wafer by relatively moving the second holding means and the cutting blade. By repeating the second vertical movement step and the horizontal movement step a plurality of times, from the inner peripheral side of the upper surface of the annular convex portion toward the wafer center of the circular concave portion The wafer processing method of forming an inclined surface inclined selfish stepwise is provided.
請求項5記載の発明によると、請求項1記載の発明において、前記環状凸部研削ステップは、前記切削ブレードを前記環状凸部上に位置づけた後、前記第2保持手段と該切削ブレードとを相対移動させて該切削ブレードをウエーハの表面に接近する方向へ移動させる第1鉛直移動ステップと、該第2保持手段と該切削ブレードとを相対移動させて該切削ブレードをウエーハの表面から離反する方向へ移動させる第2鉛直移動ステップと、該第2保持手段と該切削ブレードとを相対移動させて該切削ブレードをウエーハの外周方向へ移動させる水平移動ステップとを含み、該第1鉛直移動ステップ、該第2鉛直移動ステップ及び該水平移動ステップとを複数回繰り返すことにより、該環状凸部の上面内周側から該円形凹部のウエーハ中心方向に向かって階段状に傾斜する傾斜面を形成するウエーハの加工方法が提供される。 According to a fifth aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, in the annular convex portion grinding step, after the cutting blade is positioned on the annular convex portion, the second holding means and the cutting blade are A first vertical movement step of moving the cutting blade in a direction approaching the surface of the wafer by relative movement; and a relative movement of the second holding means and the cutting blade to move the cutting blade away from the surface of the wafer. A first vertical movement step including a second vertical movement step of moving the cutting blade in a direction, and a horizontal movement step of moving the cutting blade in the outer circumferential direction of the wafer by relatively moving the second holding means and the cutting blade. By repeating the second vertical movement step and the horizontal movement step a plurality of times, from the inner peripheral side of the upper surface of the annular convex portion toward the wafer center of the circular concave portion The wafer processing method of forming an inclined surface inclined selfish stepwise is provided.
本発明によると、環状凸部の内周側には傾斜面が形成されているため、環状凸部に欠けが生じにくい。また、研削後のエッチング時には傾斜面によって円形凹部内に供給されたエッチング液を円形凹部外へ排出され易くするとともに、円形凹部上に再配線層を形成する場合等においてレジスト液の円形凹部内からの排出が容易となる。 According to the present invention, since the inclined surface is formed on the inner peripheral side of the annular convex portion, the annular convex portion is not easily chipped. In addition, during etching after grinding, the etching solution supplied into the circular concave portion by the inclined surface can be easily discharged out of the circular concave portion, and in the case of forming a rewiring layer on the circular concave portion, the resist solution can be discharged from the circular concave portion. Can be easily discharged.
更に、裏面研削によって円形凹部が形成されたウエーハを切削装置で個々のチップへと分割する際には、分割後の各チップのハンドリングを容易にするために、裏面にダイシングテープを貼着しているが、本願発明では環状凸部に傾斜面が形成されているため、ダイシングテープ貼着時に環状凸部と円形凹部との間に気泡が発生されることが防止される。 Furthermore, when a wafer with circular recesses formed by backside grinding is divided into individual chips with a cutting device, a dicing tape is attached to the backside to facilitate handling of each chip after division. However, in the present invention, since the inclined surface is formed on the annular convex portion, it is possible to prevent bubbles from being generated between the annular convex portion and the circular concave portion when the dicing tape is attached.
以下、図面を参照して、本発明実施形態のウエーハの加工方法を詳細に説明する。図1を参照すると、半導体ウエーハ11の表面側斜視図が示されている。半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハから成っており、表面11aに複数のストリート(分割予定ライン)13が格子状に形成されているとともに、これら複数のストリート13によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
Hereinafter, a wafer processing method according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, a front side perspective view of a
このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。尚、外周余剰領域19の幅は約2〜3mmに設定されている。半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。
The
半導体ウエーハ11の裏面研削時には、半導体ウエーハ11の表面11a側を研削装置のチャックテーブルで吸引保持するため、表面11aを保護する必要がある。よって、半導体ウエーハ11の表面11aには、保護部材配設ステップにより例えば保護テープ23が貼着される。従って、半導体ウエーハ11の表面11aは保護テープ23によって保護され、図2に示すように、裏面11bが露出する形態となる。
When grinding the back surface of the semiconductor wafer 11, the
図3を参照すると、半導体ウエーハ11の裏面11bを研削加工するのに適した研削装置2の斜視図が示されている。4は研削装置2のベース(ハウジング)であり、ベース4の後方にはコラム6が立設されている。コラム6には、上下方向に延びる一対のガイドレール8が固定されている。
Referring to FIG. 3, a perspective view of a
この一対のガイドレール8に沿って研削ユニット(研削手段)10が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット10は、ベース12と、ベース12を保持する支持部14を有しており、支持部14が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動される移動基台16に取り付けられている。
A grinding unit (grinding means) 10 is mounted along the pair of
研削ユニット10は、ベース12中に回転可能に収容されたスピンドル18と、スピンドル18の先端に固定されたマウンタ20と、マウンタ20にねじ締結され環状に配設された複数の研削砥石を有する研削ホイール22と、スピンドル18を回転駆動するサーボモータ26を含んでいる。
The grinding
研削装置2は、研削ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ28とパルスモータ30とから構成される研削ユニット移動機構32を備えている。パルスモータ30を駆動すると、ボールねじ28が回転し、移動基台16が上下方向に移動される。
The grinding
ベース4の上面には凹部4aが形成されており、この凹部4aにチャックテーブル機構34が配設されている。チャックテーブル機構34はチャックテーブル36を有し、図示しない移動機構により図3に示されたウエーハ着脱位置Aと、研削ユニット10に対向する研削位置Bとの間でY軸方向に移動される。38,40は蛇腹である。ベース4の前方側には、研削装置2のオペレータが研削条件等を入力する操作パネル42が配設されている。
A
以上のように構成された研削装置2により、半導体ウエーハ11のデバイス領域17に対応する裏面に円形凹部を形成し、外周余剰領域19に環状凸部を残存させるウエーハの加工方法について以下に説明する。
A wafer processing method in which a circular recess is formed on the back surface corresponding to the
図4に示すように、スピンドル18の先端に固定されたマウンタ20に研削ホイール22が着脱可能に装着されている。研削ホイール22は、ホイール基台24と、ホイール基台24の下面外周に環状に配設された複数の研削砥石25とから構成される。
As shown in FIG. 4, a grinding
図3に示すウエーハ着脱位置Aに位置付けられたチャックテーブル36上に、図2に示された保護テープ23が貼着されたウエーハ11を保護テープ23を下にして吸引保持する。次いで、チャックテーブル36をY軸方向に移動して研削位置Bに位置付ける。
The
そして、図4及び図5に示すように、チャックテーブル36を矢印37で示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削砥石25を矢印53で示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、研削ユニット移動機構32を駆動して研削ホイール22の研削砥石25をウエーハ11の裏面に接触させる。そして、研削ホイール22を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。
4 and 5, while rotating the chuck table 36 in the direction indicated by the
その結果、半導体ウエーハ11の裏面には、図4及び図6(B)に示すように、デバイス領域17に対応する領域が研削除去されて所定厚さ(例えば30μm)の円形状の凹部56が形成されるとともに、外周余剰領域19に対応する領域が残存されて環状凸部58が形成される。
As a result, on the back surface of the
図7を参照すると、本発明の環状凸部切削ステップを実施するのに適した切削装置62の斜視図が示されている。切削装置62の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段64が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるCRT等の表示手段66が設けられている。
Referring to FIG. 7, there is shown a perspective view of a
ウエーハ研削ステップによりウエーハ11の裏面に円形凹部56と該円形凹部56を囲繞する環状凸部58が形成されたウエーハ11は、ウエーハカセット68中に複数枚収容される。ウエーハカセット68は上下動可能なカセットエレベータ69上に載置される。
A plurality of
ウエーハカセット68の後方には、ウエーハカセット68からウエーハ11を搬出するとともに、環状凸部切削ステップにより環状凸部内周に傾斜面の形成されたウエーハをウエーハカセット68に搬入する搬出入手段70が配設されている。
Behind the
ウエーハカセット68と搬出入手段70との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域72が設けられており、仮置き領域72には、ウエーハ11を一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段74が配設されている。
Between the
仮置き領域72の近傍には、ウエーハ11を吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段76が配設されており、仮置き領域72に搬出されたウエーハ11は、搬送手段76により吸着されてチャックテーブル78上に搬送され、チャックテーブル78に吸引保持される。79はクランプである。
In the vicinity of the
チャックテーブル78は、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル78のX軸方向の移動経路の上方には、ウエーハ11の切削すべき領域を検出するアライメント手段80が配設されている。
The chuck table 78 is configured to be rotatable and reciprocally movable in the X-axis direction. Above the movement path of the chuck table 78 in the X-axis direction, an
アライメント手段80は、ウエーハ11の表面を撮像する撮像手段82を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の処理によって切削すべき領域を検出することができる。撮像手段82によって取得された画像は、表示手段66に表示される。
The
アライメント手段80の左側には、チャックテーブル78に保持されたウエーハ11に対して切削加工を施す切削手段(切削ユニット)84が配設されている。切削ユニット84はアライメント手段80と一体的に構成されており、両者が連動してY軸方向及びZ軸方向に移動する。
A cutting means (cutting unit) 84 for cutting the
切削ユニット84は、回転駆動されるスピンドル86の先端に切削ブレード88が装着されて構成され、Y軸方向及びZ軸方向に移動可能となっている。切削ブレード88は撮像手段82のX軸方向の延長線上に位置している。
The cutting
85は切削が終了したウエーハ11を洗浄装置87まで搬送する搬送手段であり、洗浄装置87では、ウエーハ11を洗浄するとともにエアノズルからエアを噴出させてウエーハ11を乾燥する。
以下、切削装置62を使用した環状凸部切削ステップの第1実施形態について図8を参照して説明する。まず、図8(A)に示すように、切削ブレード88をウエーハ11の環状凸部58上に位置づける。そして、切削ブレード88を矢印A方向に環状凸部58の上面に接触するまで下降させる。
Hereinafter, the first embodiment of the annular convex cutting step using the
次いで、図8(B)に示すように、チャックテーブル78を低速で回転しながら、矢印Bで示すように切削ブレード88をウエーハ11の表面11aに接近する方向へ移動させつつウエーハ11の中心方向へ移動させながら環状凸部58を切削する。その結果、図8(C)及び図9に示すように環状凸部58の上面内周側から円形凹部56のウエーハ中心方向に向かって傾斜する環状傾斜面59が形成される。
Next, as shown in FIG. 8B, while rotating the chuck table 78 at a low speed, the
次に、図10を参照して、環状凸部切削ステップの第2実施形態について説明する。図10(A)に示すように、切削ブレード88を矢印A方向に下降させて、図10(B)に示す円形凹部56の外周縁に位置づける。
Next, with reference to FIG. 10, 2nd Embodiment of a cyclic | annular convex part cutting step is described. As shown in FIG. 10A, the
そして、チャックテーブル78を低速で回転させながら、矢印Bで示すように切削ブレード88をウエーハ11の表面11aから離反する方向へ移動させつつウエーハ11の外周方向へ移動させて環状凸部58を切削することにより、図10(C)に示すように環状凸部58の上面内周側から円形凹部56のウエーハ中心方向に向かって傾斜する環状傾斜面59を形成する。
Then, while rotating the chuck table 78 at a low speed, the
次に、図11を参照して、本発明第3実施形態の環状凸部切削ステップについて説明する。まず、図11(A)に示すように切削ブレード88をウエーハ11の環状凸部58上に位置づける。
Next, with reference to FIG. 11, the circular convex part cutting step of 3rd Embodiment of this invention is demonstrated. First, the
そして、チャックテーブル78を低速で回転させながら、切削ブレード88をウエーハ11の表面11aに接近する方向へ移動させて環状凸部58を浅く切削する(第1鉛直移動ステップ)。
Then, while rotating the chuck table 78 at a low speed, the
次いで、図11(B)に示すように、切削ブレード88をウエーハ11の表面11aから離反する方向へ移動させる(第2鉛直移動ステップ)。切削ブレード88を環状凸部58の上面から離れる位置まで移動したら、図11(C)に示すように、切削ブレード88をウエーハ11の中心方向へ移動させる(水平移動ステップ)。
Next, as shown in FIG. 11B, the
以下、図11(A)の第1鉛直移動ステップ、図11(B)の第2鉛直移動ステップ及び図11(C)の水平移動ステップを複数回繰り返すことにより、図11(F)に示すように、環状凸部58の上面内周側から円形凹部56のウエーハ中心方向に向かって階段状に傾斜する環状傾斜面58Aを形成する。
Hereinafter, by repeating the first vertical movement step of FIG. 11A, the second vertical movement step of FIG. 11B, and the horizontal movement step of FIG. 11C a plurality of times, as shown in FIG. In addition, an annular
尚、第1鉛直移動ステップでは、一回目の第1鉛直移動ステップより2回目の第1鉛直移動ステップのほうが深くなる様に環状凸部58を切削し、以下これを繰り返すことにより階段状の環状傾斜面59Aを形成する。
In the first vertical movement step, the annular
次に、図12を参照して、本発明第4実施形態の環状凸部切削ステップについて説明する。まず、図12(A)に示すように、切削ブレード88をウエーハ11の環状凸部58の最内周側に位置づける。
Next, with reference to FIG. 12, the cyclic | annular convex part cutting step of 4th Embodiment of this invention is demonstrated. First, as shown in FIG. 12A, the
そして、チャックテーブル78を低速で回転させながら、切削ブレード88で環状凸部58の最内周側を円形凹部56の底面より僅かばかり高い位置まで切削する(第1鉛直移動ステップ)。
Then, while rotating the chuck table 78 at a low speed, the
次いで、図12(B)に示すように、切削ブレード88をウエーハ11の表面11aから離反する方向へ移動させる(第2鉛直移動ステップ)。切削ブレード88が環状凸部58の上面から離れる位置まで鉛直方向に移動したら、図12(C)に示すように、切削ブレード88を切削ブレード88の厚みに相当する距離外周方向へ移動させる(水平移動ステップ)。
Next, as shown in FIG. 12B, the
図12(A)の第1鉛直移動ステップ、図2(B)の第2鉛直移動ステップ及び図3(C)の水平移動ステップを複数回繰り返すことにより、図12(F)に示すように、環状凸部58の上面内周側から円形凹部56のウエーハ中心方向に向かって階段状に傾斜する環状傾斜面58Aを形成する。
By repeating the first vertical movement step of FIG. 12 (A), the second vertical movement step of FIG. 2 (B) and the horizontal movement step of FIG. 3 (C) a plurality of times, as shown in FIG. An annular inclined surface 58A is formed that inclines in a stepped manner from the inner peripheral side of the upper surface of the annular
尚、第1鉛直移動ステップでは、一回目の第1鉛直移動ステップで環状凸部58を切削する深さより2回目の第1鉛直移動ステップで環状凸部58を切り込む深さを僅かばかり浅く切り込むように制御し、以下これを繰り返すことにより階段状の環状傾斜面58Aを形成する。
In the first vertical movement step, the depth at which the annular
環状凸部切削ステップが終了すると、図13に示すようにエッチング装置のチャックテーブル90で吸引保持した半導体ウエーハ11の円形凹部56内にエッチング液供給手段92からエッチング液を供給して、円形凹部56の底面の研削歪を除去する。
When the annular convex cutting step is completed, the etching liquid is supplied from the etching liquid supply means 92 into the circular
エッチング終了後には、円形凹部56内からエッチング液を排出する必要があるが、図13の一部拡大図に示すように、環状凸部58と円形凹部56との間に環状傾斜面59が形成されているため、エッチング液を矢印94で示すように円形凹部56内から容易に排出することができる。
After the etching is completed, it is necessary to discharge the etching solution from the circular
オプションとして、ウエーハ11の円形凹部56の底面上に再配線層を形成する必要がある場合には、半導体製造プロセスで使用するフォトリソグラフィにより再配線層を形成するが、この時に使用するレジスト液を傾斜面59が形成されているため円形凹部56内から容易に排出することができる。
As an option, when it is necessary to form a rewiring layer on the bottom surface of the
本実施形態のウエーハの加工方法によると、ウエーハ11の環状凸部58の内周側に環状傾斜面59が形成されているため、環状凸部58部分に欠けが生じにくい。更に、このように研削されたウエーハ11を切削装置で個々のチップへと分割する際には、分割後の各チップのハンドリングを容易にするために裏面に環状フレームに装着されたダイシングテープを貼着しているが、環状凸部58と円形凹部56との間に環状傾斜面59が形成されているため、ダイシングテープ貼着時に環状凸部58と円形凹部56との間に気泡が発生することが防止される。
According to the wafer processing method of the present embodiment, since the annular
2 研削装置
10 研削ユニット
11 半導体ウエーハ
17 デバイス領域
18 スピンドル
19 外周余剰領域
22 研削ホイール
25 研削砥石
36 チャックテーブル
56 円形凹部
58 環状凸部
59 環状傾斜面
62 切削装置
78 チャックテーブル
88 切削ブレード
2 Grinding
Claims (5)
ウエーハの表面側に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、
第1保持面と該第1保持面に対して垂直な第1の回転軸を備える第1保持手段で該保護部材が配設されたウエーハの表面側を保持する第1保持ステップと、
ウエーハの裏面に対面する研削面を有する研削砥石を環状に備えた研削ホイールを該研削面に垂直な第2の回転軸で回転させつつ該第1保持手段で保持されたウエーハの裏面に当接させるとともに該第1保持手段を回転させて、ウエーハの該デバイス領域に相当する領域を研削して裏面に円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞する環状凸部を形成するウエーハ研削ステップと、
第2保持面と該第2保持面に対して垂直な第3の回転軸を備える第2保持手段で該ウエーハ研削ステップが実施されたウエーハの表面側を保持する第2保持ステップと、
該第2保持面と平行な第4の回転軸を備えた切削ブレードを回転させつつ該第2保持手段を回転させるとともに該第2保持手段と該切削ブレードとを相対移動させて該環状凸部を切削し、該環状凸部の上面内周側から該円形凹部のウエーハ中心方向に向かって傾斜する傾斜面を形成する環状凸部切削ステップと、
を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。 A wafer processing method for processing a wafer having a device region in which a plurality of devices are formed and a peripheral surplus region surrounding the device region on a surface thereof,
A protective member disposing step of disposing a protective member on the front surface side of the wafer;
A first holding step of holding the surface side of the wafer on which the protective member is disposed by a first holding means having a first holding surface and a first rotating shaft perpendicular to the first holding surface;
A grinding wheel having an annular grinding wheel having a grinding surface facing the back surface of the wafer is annularly contacted with the back surface of the wafer held by the first holding means while being rotated by a second rotating shaft perpendicular to the grinding surface. And rotating the first holding means to grind a region corresponding to the device region of the wafer to form a circular concave portion on the back surface and to form an annular convex portion surrounding the circular concave portion,
A second holding step of holding the wafer surface on which the wafer grinding step has been carried out by a second holding means comprising a second holding surface and a third rotating shaft perpendicular to the second holding surface;
Rotating the second holding means while rotating a cutting blade having a fourth rotating shaft parallel to the second holding surface and moving the second holding means and the cutting blade relative to each other to form the annular convex portion An annular convex cutting step that forms an inclined surface that inclines from the inner peripheral side of the upper surface of the annular convex toward the wafer center of the circular concave, and
A wafer processing method characterized by comprising:
該第2保持手段と該切削ブレードとを相対移動させて該切削ブレードをウエーハの表面から離反する方向へ移動させる第2鉛直移動ステップと、
該第2保持手段と該切削ブレードとを相対移動させて該切削ブレードをウエーハの中心方向へ移動させる水平移動ステップとを含み、
該第1鉛直移動ステップ、該第2鉛直移動ステップ及び該水平移動ステップとを複数回繰り返すことにより、該環状凸部の上面内周側から該円形凹部のウエーハ中心方向に向かって階段状に傾斜する傾斜面を形成する請求項1記載のウエーハの加工方法。 In the annular convex portion grinding step, after the cutting blade is positioned on the annular convex portion, the second holding means and the cutting blade are moved relative to each other to move the cutting blade closer to the surface of the wafer. A first vertical movement step,
A second vertical movement step of moving the cutting blade in a direction away from the surface of the wafer by relatively moving the second holding means and the cutting blade;
A horizontal movement step of relatively moving the second holding means and the cutting blade to move the cutting blade toward the center of the wafer;
By repeating the first vertical movement step, the second vertical movement step, and the horizontal movement step a plurality of times, the upper surface of the annular convex portion is inclined stepwise toward the wafer center direction of the circular concave portion. The wafer processing method according to claim 1, wherein an inclined surface is formed.
該第2保持手段と該切削ブレードとを相対移動させて該切削ブレードをウエーハの表面から離反する方向へ移動させる第2鉛直移動ステップと、
該第2保持手段と該切削ブレードとを相対移動させて該切削ブレードをウエーハの外周方向へ移動させる水平移動ステップとを含み、
該第1鉛直移動ステップ、該第2鉛直移動ステップ及び該水平移動ステップとを複数回繰り返すことにより、該環状凸部の上面内周側から該円形凹部のウエーハ中心方向に向かって階段状に傾斜する傾斜面を形成する請求項1記載のウエーハの加工方法。 In the annular convex portion grinding step, after the cutting blade is positioned on the annular convex portion, the second holding means and the cutting blade are moved relative to each other to move the cutting blade closer to the surface of the wafer. A first vertical movement step,
A second vertical movement step of moving the cutting blade in a direction away from the surface of the wafer by relatively moving the second holding means and the cutting blade;
A horizontal movement step of relatively moving the second holding means and the cutting blade to move the cutting blade toward the outer periphery of the wafer;
By repeating the first vertical movement step, the second vertical movement step, and the horizontal movement step a plurality of times, the upper surface of the annular convex portion is inclined stepwise toward the wafer center direction of the circular concave portion. The wafer processing method according to claim 1, wherein an inclined surface is formed.
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