JP5516296B2

JP5516296B2 - 不揮発性メモリユニット

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Publication number: JP5516296B2
Application number: JP2010223225A
Authority: JP
Inventors: 昌弘伊勢; 道代ガーベイ; 仁安部
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2010-09-30
Filing date: 2010-09-30
Publication date: 2014-06-11
Anticipated expiration: 2030-09-30
Also published as: KR20120033992A; US8856474B2; KR101231298B1; US20120084526A1; JP2012079069A

Description

開示の技術は、不揮発性メモリユニットに関する。

近年、パーソナルコンピュータ等の情報機器の記憶装置として、ＨＤＤ（ＨａｒｄＤｉｓｋＤｒｉｖｅ）に代わって、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリユニットを用いたＳＳＤ（ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＤｒｉｖｅ）が注目されている。ＳＳＤは、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）のファイルシステムとしての利用が増えてきている。

このようなファイルシステムは、ＰＣの個人情報やユーザデータが多く記録されており、これらの情報漏えいが社会問題にまで発展してきている。従って、不揮発性メモリユニットを廃棄する場合は、不揮発性メモリユニットに搭載されている不揮発性メモリのデータを消去する必要がある。

そこで、不揮発性メモリのデータ消去を行う為に外部からインタフェースに消去コマンドを入力し、その消去コマンドに基づいて不揮発性メモリコントローラは不揮発性メモリに対してデータ消去の制御を行う。従って、不揮発性メモリのデータ消去時には、消去コマンドを発行できるインタフェースを備えるデータ消去設備を使用しなければならなかった。

特開２０１０−１７６３９８号公報

しかしながら、データ消去設備を使用しても不揮発性メモリコントーラが故障している場合、不揮発性メモリのデータを消去することができない。それゆえ、個人情報等の機密データが不揮発性メモリユニットに記憶されたままになってしまう。

このような故障中の不揮発性メモリユニットは不揮発性メモリコントローラを交換すれば不揮発性メモリのデータを読み出すことができる。また、搭載されている不揮発性メモリを外して、不揮発性メモリにアクセスすればデータを読み出すことができる。

従って、故障中の不揮発性メモリユニットをそのまま廃棄することは、情報漏えいにつながる。それゆえ、故障した不揮発性メモリユニットに穴を開けること等の物理的破壊が行われている。しかし、物理的破壊は、故障中の不揮発性メモリユニットに搭載された全ての不揮発性メモリに対して行わないと十分ではなく、確実な破壊が望まれる。

しかしながら、近年の大容量化に伴い不揮発性メモリの搭載個数は増大しており、全ての不揮発性メモリを破壊するのに時間がかかり、処理工数が増大している。

開示の技術は、故障した不揮発性メモリユニットであっても、不揮発性メモリのデータの消去を可能にする不揮発性メモリユニットを提供することを目的とする。

開示の技術の一側面によると、不揮発性メモリユニットに関し、不揮発性メモリと、不揮発性メモリに対する消去コマンドを少なくとも受信するインタフェースと、インタフェースから出力された消去コマンドに基づいて不揮発性メモリに消去を実行させる第１コントローラと、インタフェースとは別に設けられた外部入力部と、外部入力部から出力された消去指示信号に基づいて不揮発性メモリに消去を実行させる第２コントローラと、第１コントローラと不揮発性メモリとの接続と、第２コントローラと不揮発性メモリとの接続を切り替える切替回路とを備え、切替回路により第２コントローラと不揮発性メモリとの接続がなされている場合に、第２コントローラは消去指示信号に基づいて不揮発性メモリにデータの消去を実行させる。

開示の不揮発性メモリユニットは、消去コマンドに代わる消去指示信号を利用することにより、不揮発性メモリのデータの消去を可能にして、データの漏えいを防止することが可能になる。

図１は、比較例の不揮発性メモリユニットの構成を示す図である。図２は、第１の実施の形態の不揮発性メモリユニットの構成を示す図である。図３は、セレクタの構成説明図である。図４は、第２の実施の形態の不揮発性メモリユニットの構成を示す図である。図５は、第３の実施の形態の不揮発性メモリユニットの構成を示す図である。図６は、第４の実施の形態の不揮発性メモリユニットの構成を示す図である。図７は、第５の実施の形態の不揮発性メモリユニットの構成を示す図である。図８は、第６の実施の形態の不揮発性メモリユニットの構成を示す図である。図９は、第７の実施の形態の不揮発性メモリユニットの構成を示す図である。

以下、図面を参照して実施の形態を詳細に説明する。図１は、比較例の不揮発性メモリユニットの構成を示す図である。不揮発性メモリユニット１は、ホストであるパーソナルコンピュータに接続されるインタフェース１１、不揮発性メモリコントローラ１５、キャシュメモリ１６、複数の不揮発性メモリ２１−１〜２１−ｎｍを備える。

インタフェース１１は、ファイバチャネル（ＦＣ）等のインタフェースである。インタフェース１１は、インタフェースコマンド（ＩＦコマンド）を受信する信号入力部１１ａと電源が供給される電源入力部１１ｂを備える。ＩＦコマンドは信号線１２を経由して不揮発性メモリコントローラ１５に入力される。

不揮発性メモリコントローラ１５は、ＩＦコマンドに基づいて、不揮発性メモリ２１−１〜２１−ｎｍの記録、再生、消去等の制御を行う。そして、不揮発性メモリコントローラ１５は、不揮発性メモリ２１−１〜２１−ｎｍに対してコマンドやアドレスセレクト等の制御信号を制御信号線１８により送信し、データの入出力等をＩ／Ｏバス１７を使用して行う。

また、キャッシュメモリ１６は、記録／再生データの一時記憶領域や不揮発性メモリコントローラ１５のプログラムの記憶領域等に使用される。インタフェース１１の電源入力部１１ｂに入力された電力は、不揮発性メモリコントローラ１５、不揮発性メモリ２１−１〜２１−ｎｍ、キャッシュメモリ１６等に電源線１３により供給される。

不揮発性メモリ２１−１〜２１−ｎｍは、ｎ行ｍ列に配置されてｎ×ｍ（ｎ，ｍは整数）個設けられている。なお、不揮発性メモリの個数は１個であっても良い。不揮発性メモリの一例として、フラッシュメモリを用いる。

図２は、第１の実施の形態の不揮発性メモリユニットの構成を示す図である。以降、図１と同じ構成のものは同じ番号を使用して説明する。図１の不揮発性メモリユニット１は、データ消去の為にインタフェース１１を介してデータ消去設備に接続される。

しかし、不揮発性メモリコントローラ１５やインタフェース１１等が故障している場合には、不揮発性メモリコントローラ１５はデータ消去設備からの消去コマンドを受信して処理することができない。それゆえ、不揮発性メモリコントローラ１５は、不揮発性メモリ２１−１〜２１−ｎｍに対してデータ消去制御を実行することができない。

そこで、図２の不揮発性メモリユニット１０では、図１の不揮発性メモリコントローラに加えて、消去制御回路５１、セレクタ５５、ディップスイッチ５６等を備えている。

不揮発性メモリコントローラ１５は、インタフェース１１から出力された記録／再生／消去コマンド等のＩＦコマンドに基づいて不揮発性メモリ２１−１〜２１−ｎｍに対してデータの記録、再生、消去等の制御を行う。すなわち、不揮発性メモリコントローラ１５は、消去コマンドに基づいて不揮発性メモリ２１−１〜２１−ｎｍのデータの消去を行うものであり、第１コントローラの一例である。

消去制御回路５１は、制御部５１ａと外部入力部５４を備える。制御部５１ａは、不揮発性メモリコントローラ１５に代わってデータ消去制御を実行し、不揮発性メモリにデータの消去を実行させるための消去制御信号を不揮発性メモリ２１−１〜２１−ｎｍへ出力する第２コントローラの一例である。

なお、消去制御回路５１は不揮発性メモリコントローラ１５と独立して動作可能に構成され、不揮発性メモリコントローラ１５やインタフェース１１等が故障して動作不能の時や消去コマンドが受信できない時等に使用される。

また、消去制御回路５１は、電源線１３によりインタフェース１１の電源入力部１１ｂから電源供給を受ける。しかし、消去制御回路５１は、インタフェース１１の信号入力部１１ａに接続されていない。従って、インタフェース１１を経由して入力される消去コマンドとは別の、データの消去を指示する信号が外部入力部５４に入力される。

そして、外部入力部５４は、データの消去を指示する信号が入力されると、消去指示信号を制御部５１ａに出力する。この消去指示信号がトリガとなり、制御部５１ａが起動し、消去制御回路５１の全部の回路が起動状態になる。そして、外部入力部５４から出力された消去指示信号に基づいて、制御部５１ａは、データの消去を行う為の消去制御信号を不揮発性メモリ２１−１〜２１−ｎｍへ出力する。

なお、外部入力部５４が消去指示信号を制御部５１ａに出力するまで、消去制御回路５１は、外部入力部５４のみを待機状態として、制御部５１ａ等の他の回路は電源オフする。従って、この構成により、消費電力の低減が図られる。

また、各不揮発性メモリ２１−１〜２１−ｎｍは全データの消去が完了すると、消去制御回路５１に消去完了を示す制御信号を送信する。消去制御回路５１は、全ての不揮発性メモリ２１−１〜２１−ｎｍのデータ消去が完了したことを検出すると、外部に通知する。通知手段の一例としてランプが挙げられ、消去制御回路５１は、不揮発性メモリユニット１０に設けられたランプ５１ｂのスイッチ５１Ｓをオンして点灯させる。

また、ランプの代わりに電光掲示板等を使用して文字表示させたり、スピーカ等により音を発生させたりしても良い。また、不揮発性メモリユニット１０に情報出力端子を設けて、消去制御回路５１が消去完了を示す制御信号を送信する構成にしても良い。従って、作業者は全ての不揮発性メモリのデータ消去が完了したことを容易に認識することができる。

次に、外部入力部５４の構成例について説明する。外部入力部５４として、インタフェース１１とは別に、情報入力端子の一例であるＵＳＢ（ＵｎｉｖｅｒｓａｌＳｅｒｉａｌＢｕｓ）インタフェースを設ける。そして、外部消去設備と不揮発性メモリユニットをインタフェース接続する。

このように、外部入力部５４は、消去指示信号を直接受信する構成をとることができる。なお、ＵＳＢインタフェース端子以外のインタフェース端子を採用しても良いが、ＵＳＢインタフェース端子は小型であるので、不揮発性メモリユニットのスペース上好適である。

また、外部入力部５４にディップスイッチを設けて、スイッチの切替制御（スイッチオン）を行う。このようなスイッチにより、外部入力部５４は、この消去指示信号を第２コントローラである制御部５１ａに出力する構成をとることができる。

なお、ＵＳＢインタフェース端子やディップスイッチは消去制御回路５１に外部入力部５４として設ける例として説明したが、消去制御回路５１に対して接続していれば不揮発性メモリユニット１０上の所定の位置に配置することもできる。なお、所定の位置は、利用者が誤操作しない位置に設定するのが良い。

しかし、よりデータの保全性を確保する為に、データの破棄を行う機能は、不揮発性メモリユニットの利用者が容易に使用することができないようにすることが望まれる。従って、前述のように消去指示信号を直接的に入力する構成ではなく、通常動作時に使用しないような特殊な信号を使用するのが良い。

そこで、後述する実施の形態で説明する消去制御回路は、外部入力部に入力された外部信号が消去指示を示す信号であるか否かを判定した後に、消去指示信号を制御部に出力する機能を備えている。具体的な手法は第２〜７の実施の形態を使用して説明する。

また、切替回路を使用して、データの保全性を高めている。セレクタ５５及びディップスイッチ５６は、切替回路の一例である。ディップスイッチ５６が切替られると、セレクタ５５は、第１コントローラである不揮発性メモリコントローラ１５と不揮発性メモリとの接続から、第２コントローラである消去制御回路５１と不揮発性メモリとの接続に切り替えを行う。

従って、この接続切替がなされていない時は、消去制御回路５１が消去制御信号を出力しても不揮発性メモリとの接続が断たれているので、データの消去を実行することはできない。それゆえ、切替回路の操作を行わなければ、データの消去が実行されないのでデータは安全に保持される。つまり、消去指示信号と接続切替の２つの手段により、誤操作によるデータの誤消去を防止している。

図３は、セレクタの構成説明図である。ディップスイッチ５６により、スイッチ５５−１、５５−２の切替えが行われる。スイッチ５５−１の切替えが行われると、Ｉ／Ｏバス１７とＩ／Ｏバス５７との接続からＩ／Ｏバス５２とＩ／Ｏバス５７との接続に切り替わる。

また、スイッチ５５−２の切替えが行われると、制御信号線１８と制御信号線５８との接続から制御信号線５３と制御信号線５８との接続に切り替わる。従って、第１コントローラである不揮発性メモリコントローラ１５と不揮発性メモリとの接続と、第２コントローラである消去制御回路５１と不揮発性メモリとの接続を切り替えることができる。

図４は、第２の実施の形態の不揮発性メモリユニットの構成を示す図である。以降、図１や図２において説明した構成と同じものは同じ番号を付与して説明を省略する。図４において、不揮発性メモリユニット６０は、不揮発性メモリコントローラ１５、消去制御回路６１、セレクタ５５、ディップスイッチ５６等を備えている。

消去制御回路６１は、制御部６１ａと電圧検出回路６２を備える。制御部６１ａは、不揮発性メモリコントローラ１５に代わって、不揮発性メモリにデータの消去を実行させるための消去制御信号を出力する第２コントローラの一例である。

消去制御回路６１は、外部入力部として、消去制御回路６１に設けられた電圧検出回路６２と、電圧検出回路６２に接続された外部端子６４ａ、６４ｂを備える。なお、外部端子６４ａ、６４ｂは、利用者に容易に操作されない位置、例えば不揮発性メモリユニット６０の内部の回路基板上に配置されるのが望ましい。

ジャンパーブロック６７は、外部端子６４ａ、６４ｂに接触しているジャンパーピン６５をショートさせる。電圧検出回路６２は、外部端子６４ａ、６４ｂ間の電圧値を検出し、検出された電圧値と予め定められた電圧値を比較する。なお、予め定められた電圧値は、外部端子６４ａ、６４ｂ間がショートしたことを示す電圧値である。

電圧検出回路６２は、検出された電圧値が予め定められた電圧値に一致した場合に、外部端子６４ａ、６４ｂ間がジャンパーブロック６７を被せることによりショートしたとみなして、消去指示信号を制御部６１ａに出力する。制御部６１ａはこの消去指示信号を受信すると起動し、消去制御回路６１の全部の回路が起動状態になる。そして、制御部６１ａは、消去制御信号を作成する。

このようにして作成された消去制御信号は、セレクタ５５において、Ｉ／Ｏバス５２とＩ／Ｏバス５７との接続と制御信号線５３と制御信号線５８との接続がなされていると、不揮発性メモリ２１−１〜２１−ｎｍに送信される。そして、不揮発性メモリ２１−１〜２１−ｍ、２１−２〜２１−２ｍ、・・・２１−ｎ〜２１−ｎｍの各行毎に、順に、データの消去が実行される。

前述したように、外部端子やジャンパーピン、ジャンパーブロック等の治具を使用して消去指示信号の出力条件を適切に設定することにより、利用者の誤消去を防止するとともに、データの消去を指示する信号を容易に発生させることができる。

図５は、第３の実施の形態の不揮発性メモリユニットの構成を示す図である。図５において、不揮発性メモリユニット７０は、不揮発性メモリコントローラ１５、消去制御回路７１、セレクタ５５、ディップスイッチ５６等を備えている。

消去制御回路７１は、制御部７１ａと電圧検出回路７２を備える。制御部７１ａは、不揮発性メモリコントローラ１５に代わって、不揮発性メモリにデータの消去を実行させるための消去制御信号を出力する第２コントローラの一例である。

不揮発性メモリユニット７０は、外部入力部として、消去制御回路７１に設けられた電圧検出回路７２と、電圧検出回路７２に接続された外部端子７４ａ、７４ｂを備える。なお、外部端子７４ａ、７４ｂは、利用者に容易に操作されない位置、例えば不揮発性メモリユニット７０の内部の回路基板上に配置されるのが望ましい。

直流安定化電源７７は、不揮発性メモリユニット７０に外部接続される外部設備である。外部端子７４ａ、７４ｂは、直流安定化電源７７に接続され、予め定められた電圧が印加される。

電圧検出回路７２は、外部端子７４ａ、７４ｂの電圧値を検出し、検出された電圧値と予め定められた電圧値を比較する。なお、予め定められた電圧値は、誤検出を防止する為に、電子装置で一般的に使用される３〜５Ｖより高い電圧、例えば６Ｖが設定される。この電圧値の電圧が外部設備である直流安定化電源から印加される。

電圧検出回路７２は、検出された電圧値が予め定められた電圧値に一致した場合に、外部端子７４ａ、７４ｂに予め定められた電圧が外部設備から与えられたとみなして、制御部７１ａに消去指示信号を出力する。制御部７１ａはこの消去指示信号を受信すると起動し、消去制御回路７１の全部の回路が起動状態になる。そして、制御部７１ａは、消去制御信号を作成する。

前述したように、外部端子と利用者が一般的に所有しない外部設備を使用して消去指示信号の出力条件を適切に設定することにより、利用者の誤消去を防止するとともに、データの消去を指示する信号を容易に発生させることができる。

図６は、第４の実施の形態の不揮発性メモリユニットの構成を示す図である。図６において、不揮発性メモリユニット８０は、不揮発性メモリコントローラ１５、消去制御回路８１、セレクタ５５、ディップスイッチ５６等を備えている。

消去制御回路８１は、制御部８１ａと周波数検出回路８２を備える。制御部８１ａは、不揮発性メモリコントローラ１５に代わって、不揮発性メモリにデータの消去を実行させるための消去制御信号を出力する第２コントローラの一例である。

不揮発性メモリユニット８０は、外部入力部として、消去制御回路８１に設けられた周波数検出回路８２と、周波数検出回路８２に接続された外部端子８４ａ、８４ｂを備える。パルススジェネレータ８７は、不揮発性メモリユニット８０に接続される外部設備である。外部端子８４ａ、８４ｂは、パルスジェネレータ８７が接続され、予め定められた周波数を有する信号またはクロックが外部端子８４ａ、８４ｂに入力される。

なお、外部端子８４ａ、８４ｂは、利用者に容易に操作されない位置、例えば不揮発性メモリユニット８０の内部の回路基板上に配置されるのが望ましい。

周波数検出回路８２は、外部端子８４ａ、８４ｂに入力された信号またはクロックの周波数を検出し、検出された周波数と予め定められた周波数を比較する。なお、予め定められた周波数は、誤検出を防止する為に、特殊な周波数、例えば２０〜５０Ｈｚから選択された周波数が設定される。

周波数検出回路８２は、検出された周波数が予め定められた周波数に一致した場合、外部設備から予め定められた周波数の信号またはクロックが入力されたとみなして、消去指示信号を制御部８１ａに出力する。制御部８１ａはこの消去指示信号を受信すると起動し、消去制御回路８１の全部の回路が起動状態になる。そして、制御部８１ａは、消去制御信号を作成する。

図７は、第５の実施の形態の不揮発性メモリユニットの構成を示す図である。図７において、不揮発性メモリユニット９０は、不揮発性メモリコントローラ１５、消去制御回路９１、セレクタ５５、ディップスイッチ５６等を備えている。

消去制御回路９１は、制御部９１ａと検出回路９２を備える。制御部９１ａは、不揮発性メモリコントローラ１５に代わって、不揮発性メモリにデータの消去を実行させる為の消去制御信号を出力する第２コントローラの一例である。不揮発性メモリユニット９０は、外部入力部として、消去制御回路９１に設けられた検出回路９２と、検出回路９２に接続されたセンサ９４を備える。なお、センサは、利用者に容易に操作されない位置、例えば不揮発性メモリユニット９０の内部の回路基板上に配置されるのが望ましい。

検出回路９２は、センサ９４からの出力を検出し、センサからの出力に基づいて制御部９１ａに消去指示信号を出力する。制御部９１ａはこの消去指示信号を受信すると起動し、消去制御回路９１の全部の回路が起動状態になる。そして、制御部９１ａは、消去制御信号を作成する。

ここで、センサ９４の例として、光センサ、温度センサ、圧力センサ、加速度センサ等が挙げられる。光センサを使用した場合は、検出回路９２として光量検出回路が使用される。そして、光センサは、テープ等で予め遮光されており、テープ等が剥がされることで光を検出する。

光量検出回路は、光センサが検出した光量を検出し、光センサが検出した光量が予め定められた光量以上であるか否かを検出する。なお、予め定められた光量は、遮光状態の変化がわかれば良い為かなり小さい光量を設定しても良い。

光量検出回路は、検出した光量が予め定められた光量以上である場合に、テープ等が剥がされたと見なして、消去指示信号を制御部９１ａに出力する。制御部９１ａはこの消去指示信号を受信すると起動し、消去制御回路９１の全部の回路が起動状態になる。そして、制御部９１ａは、消去制御信号を作成する。

従って、光センサと遮光シールを使用することにより、外部設備を要せずに容易に消去指示信号の出力制御を行うことができる。

また、温度センサを使用した場合は、検出回路９２として温度検出回路が使用される。そして、温度センサは、スポットヒーターで与えられた熱気やスポットクーラーで与えられた冷気を検出する。

温度検出回路は、温度センサが検出した温度を検出し、温度センサが検出した温度が予め定められた温度以上であるか否か（ヒーターの場合）、もしくは予め定められた温度以下であるか否か（クーラーの場合）を検出する。なお、予め定められた温度は、誤検出を防止する為に、自然環境温度や装置温度とは異なる特殊な温度、例えば−２０℃や８５℃が設定される。

温度検出回路は、検出した温度が予め定められた温度以上であること、もしくは予め定められた温度以下であることを検出すると、温度センサに特殊な温度が与えられたとみなして、消去指示信号を制御部９１ａに出力する。制御部９１ａはこの消去指示信号を受信すると起動し、消去制御回路９１の全部の回路が起動状態になる。そして、制御部９１ａは、消去制御信号を作成する。

従って、温度センサと簡素な外部設備（ヒーターやクーラー）を使用することにより、容易に消去指示信号の出力制御を行うことができる。

また、圧力センサを使用した場合は、検出回路９２として圧力回路が使用される。そして、圧力センサは、指やドライバー等が強く押しつけられることで圧力を検出する。

圧力検出回路は、圧力センサが検出した圧力を検出し、圧力センサが検出した圧力が予め定められ圧力以上であるか否かを検出する。圧力検出回路は、検出した圧力が予め定められ圧力以上であることを検出すると、消去指示信号を制御部９１ａに出力する。制御部９１ａはこの消去指示信号を受信すると起動し、消去制御回路９１の全部の回路が起動状態になる。そして、制御部９１ａは、消去制御信号を作成する。

従って、圧力センサを使用することにより、外部設備を要せずに容易に消去指示信号の出力制御を行うことができる。

また、加速度センサを使用した場合は、検出回路９２として加速度検出回路が使用される。そして、加速度センサは、不揮発性メモリユニット９０に上下、左右、前後等いずれかの予め定められた方向に振動を与えた時の加速度を検出する。振動発生装置により振動を発生させたり、人手により不揮発性メモリユニットを振ったりして予め定められた方向に振動を与えることができる。

加速度検出回路は、加速度センサが検出した加速度を検出し、加速度センサが検出した加速度が予め定められた加速度以上であるか否かを検出する。なお、予め定められた加速度は、誤検出を防止する為に、正常使用時に検出することがない加速度に設定する。

加速度検出回路は、検出した加速度が予め定められた加速度以上であることを検出すると、消去指示信号を制御部９１ａに出力する。制御部９１ａはこの消去指示信号を受信すると起動し、消去制御回路９１の全部の回路が起動状態になる。そして、制御部９１ａは、消去制御信号を作成する。

従って、加速度センサに特殊な振動を検出させることにより、容易に消去指示信号の出力制御を行うことができる。

前述したように、各種センサと消去指示信号の出力条件を適切に設定することにより、利用者の誤消去を防止するとともに、データの消去を指示する信号を容易に発生させることができる。

図８は、第６の実施の形態の不揮発性メモリユニットの構成を示す図である。図８において、不揮発性メモリユニット１００は、不揮発性メモリコントローラ１５、消去制御回路１０１、セレクタ５５、ディップスイッチ５６等を備えている。

消去制御回路１０１は、制御部１０１ａとパスワード（ＰＷ）検出回路１０２を備える。制御部１０１ａは、不揮発性メモリコントローラ１５に代わって、不揮発性メモリにデータの消去を実行させる為の消去制御信号を出力する第２コントローラの一例である。

不揮発性メモリユニット１００は、外部入力部として、消去制御回路１０１に設けられたＰＷ検出回路１０２と、ＰＷ検出回路９２に接続されたＵＳＢインタフェース端子１０４を備える。なお、ＵＳＢインタフェース端子以外の情報入力端子を採用しても良いが、ＵＳＢインタフェース端子は小型であるので、不揮発性メモリユニットのスペース上好適である。

ＵＳＢインタフェース端子１０４には、不揮発性メモリのデータ消去の為にキーボードやマウス等の情報入力機器１０８が接続される。なお、ＵＳＢインタフェース端子１０４は、利用者に容易に操作されない位置、例えば不揮発性メモリユニット９０の内部の回路基板上に配置されるのが望ましい。

ＰＷ検出回路１０２は、ＵＳＢインタフェース端子１０４から入力される消去を指示する制御信号やパスワード情報を検出する。ＰＷ検出回路１０２は、検出したパスワード情報と比較用パスワードを比較する。なお、比較用パスワードは、消去制御回路１００やＰＷ検出回路１０２等にメモリを設けて予め登録しておく。

ＰＷ検出回路１０２は、検出したパスワード情報が比較用パスワードに一致した場合に、制御部１０１ａに消去指示信号を出力する。制御部１０１ａはこの消去指示信号を受信すると起動し、消去制御回路１０１の全部の回路が起動状態になる。そして、制御部１０１ａは、消去制御信号を作成する。

前述したように、利用者が容易に知ることができないパスワード情報を設定することにより、利用者の誤消去を防止するとともに、データの消去を指示する信号を容易に発生させることができる。

図９は、第７の実施の形態の不揮発性メモリユニットの構成を示す図である。図９の不揮発性メモリユニット１１０は、コントローラユニット１１５等を備える。そして、コントローラユニット１１５は、不揮発性メモリコントローラ１５と制御部１１１ａを含む消去制御回路１１１、セレクタ５５、ディップスイッチ５６を備え、一体的な回路として構成される。すなわち、第１コントローラの一例である不揮発性メモリコントローラ１５と第２コントローラの一例である制御部１１１ａが同じコントローラユニットに組み込まれる。

不揮発性メモリコントローラ１５と消去制御回路１１１は、コントローラユニット１１５内で、独立して動作可能に構成される。従って、消去制御回路１１１は、不揮発性メモリコントローラ１５が故障してもその影響を全く受けないように独立した制御回路として、コントローラユニット１１１に組み込まれる。

なお、消去制御回路１１１として、前述した実施の形態で説明した消去制御回路５１、６１、７１、８１、９１、１０１を採用することができる。また、外部入力部の一部である外部端子やセンサは、コントローラユニット１１１に組み込まず、別の位置に配置しても良い。

従って、コントローラユニット１１５として、回路を一体化することにより、不揮発性メモリユニットの搭載スペースの削減や組み立て工数の簡略化を図ることができる。

また、第２〜第７の実施の形態の不揮発性メモリユニットにおいて、説明は省略したが、第１の実施の形態の不揮発性メモリユニット１０と同様、全ての不揮発性メモリ２１−１〜２１−ｎｍのデータ消去が完了したことを検出した場合に、外部に通知する通知手段を設けることができる。

具体的には、各不揮発性メモリ２１−１〜２１−ｎｍは全データの消去が完了すると、消去制御回路に消去完了を示す制御信号を送信する。消去制御回路は、全ての不揮発性メモリ２１−１〜２１−ｎｍのデータ消去が完了したことを検出すると、外部に通知する。通知手段としては、ランプを点灯させたり、電光掲示板を使用して文字表示させたり、スピーカ等により音を発生させたりしても良い。また、不揮発性メモリユニットに情報出力端子を設けて、消去制御回路が消去完了を示す制御信号を送信する構成にしても良い。

外部入力部として、ＵＳＢ端子を利用する場合には、ＵＳＢ端子を情報出力端子として利用して消去制御回路が消去完了を示す制御信号を送信する構成をとることが可能である。そして、この制御信号を受信した外部設備は例えば表示部に消去完了を示す表示を行うことができる。従って、作業者は全ての不揮発性メモリのデータ消去が完了したことを容易に認識することができる。

本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。矛盾のない限りにおいて、複数の実施例を組み合わせても構わない。上記実施の形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

以上の実施の形態に関して、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリに対する消去コマンドを少なくとも受信するインタフェースと、
インタフェースから出力された消去コマンドに基づいて前記不揮発性メモリに消去を実行させる第１コントローラと、
前記インタフェースとは別に設けられた外部入力部と、
前記外部入力部から出力された消去指示信号に基づいて前記不揮発性メモリに消去を実行させる第２コントローラと、
前記第１コントローラと前記不揮発性メモリとの接続と、前記第２コントローラと前記不揮発性メモリとの接続を切り替える切替回路とを備え、
前記切替回路により前記第２コントローラと前記不揮発性メモリとの接続がなされている場合に、前記第２コントローラは前記消去指示信号に基づいて前記不揮発性メモリにデータの消去を実行させる
不揮発性メモリユニット。
（付記２）
前記外部入力部は、外部端子と、前記外部端子の電圧値を検出する電圧検出回路を備え、
前記電圧検出回路は、検出された電圧値が予め定められた電圧値に一致した場合に、前記消去指示信号を前記第２コントローラに出力し、
前記第２コントローラは、前記消去指示信号に基づいてデータの消去を実行させるための消去制御信号を前記不揮発性メモリに出力する付記１記載の不揮発性メモリユニット。
（付記３）
前記予め定められた電圧値は、前記外部端子が短絡されたことを示す電圧値、または外部設備から印加される予め定められた電圧値である付記２記載の不揮発性メモリユニット。
（付記４）
前記外部入力部は、外部端子と、前記外部端子に入力された信号またはクロックの周波数を検出する周波数検出回路を備え、
前記周波数検出回路は、入力された信号またはクロックの周波数が予め定められた周波数に一致した場合に、前記消去指示信号を前記第２コントローラに出力し、
前記第２コントローラは、前記消去指示信号に基づいてデータの消去を実行させるための消去制御信号を前記不揮発性メモリに出力する付記１記載の不揮発性メモリユニット。
（付記５）
前記外部入力部は、センサと、前記センサからの出力を検出する検出回路を備え、
前記検出回路は、前記センサからの出力に基づいて前記消去指示信号を前記第２コントローラに出力し、
前記第２コントローラは、前記消去指示信号に基づいてデータの消去を実行させるための消去制御信号を前記不揮発性メモリに出力する付記１記載の不揮発性メモリユニット。
（付記６）
前記センサは光センサであり、前記検出回路は光量検出回路であり、
前記光量検出回路は、前記光センサが検出した光量が予め定められた光量以上であることを検出した場合に、前記消去制御信号を前記第２コントローラに出力する付記５記載の不揮発性メモリユニット。
（付記７）
前記光センサは遮光シールで覆われており、前記予め定められた光量は前記遮光シールが剥がされた時に前記光センサが検出する光量に基づいて設定される付記６記載の不揮発性メモリユニット。
（付記８）
前記センサは温度センサであり、前記検出回路は温度検出回路であり、
前記温度検出回路は、前記温度センサが検出した温度が予め定められた温度以上であること、もしくは予め定められた温度以下であることを検出した場合に、前記消去指示信号を前記第２コントローラに出力する付記５記載の不揮発性メモリユニット。
（付記９）
前記センサは圧力センサであり、前記検出回路は圧力検出回路であり、
前記圧力検出回路は、前記圧力センサが検出した圧力が予め定められた圧力以上であることを検出した場合に、前記消去制御信号を前記第２コントローラに出力する付記５記載の不揮発性メモリユニット。
（付記１０）
前記センサは加速度センサであり、前記検出回路は加速度検出回路であり、
前記加速度検出回路は、前記加速度センサが検出した加速度が予め定められた加速度以上であることを検出した場合に、前記消去制御信号を前記第２コントローラに出力する付記５記載の不揮発性メモリユニット。
（付記１１）
前記外部入力部は、パスワード情報が入力される情報入力端子と、前記パスワード情報と比較用パスワード情報を比較するパスワード検出回路を備え、
前記パスワード検出回路は、前記パスワード情報が前記比較用パスワード情報に一致した場合に、前記消去指示信号を前記第２コントローラに出力し、
前記第２コントローラは、前記消去指示信号に基づいてデータの消去を実行させるための消去制御信号を前記不揮発性メモリに出力する付記１記載の不揮発性メモリユニット。
（付記１２）
前記外部入力部は、前前記消去指示信号が入力される情報入力端子を備え、前記消去指示信号を前記第２コントローラに出力し、
前記第２コントローラは、前記消去指示信号に基づいてデータの消去を実行させるための消去制御信号を前記不揮発性メモリに出力する付記１記載の不揮発性メモリユニット。
（付記１３）
前記外部入力部は、前記第２コントローラに前記消去指示信号を出力するスイッチを備え、前記第２コントローラは前記スイッチの制御により出力される前記消去指示信号に基づいて前記不揮発性メモリにデータの消去を実行させるための消去制御信号を前記不揮発性メモリに出力する付記１記載の不揮発性メモリユニット。
（付記１４）
前記第２コントローラは、前記外部入力部からの消去指示信号を受信した場合に、起動する付記１乃至１３のいずれか１つに記載の不揮発性メモリユニット。
（付記１５）
さらに、コントローラユニットを備え、前記コントローラユニットは前記第１コントローラ、前記第２コントローラ、及び前記切替回路を含む付記１乃至１４のいずれか１つに記載の不揮発性メモリユニット。

１、１０不揮発性メモリユニット
１１インタフェース
１２信号線
１５不揮発性メモリコントローラ（第１コントローラ）
１６キャシュメモリ
１７Ｉ／Ｏバス
１８制御信号線
２１−１〜２１−ｎｍ不揮発性メモリ
５１消去制御回路
５１ａ制御部（第２コントローラ）
５２Ｉ／Ｏバス
５３制御信号線
５４外部入力部
５５セレクタ
５６ディップスイッチ
６０不揮発性メモリユニット
６１消去制御回路
６１ａ制御部（第２コントローラ）
６２電圧検出回路
６４ａ、６４ｂ外部端子
７０不揮発性メモリユニット
７１消去制御回路
７１ａ制御部（第２コントローラ）
７２電圧検出回路
７４ａ、７４ｂ外部端子
７７直流安定化電源
８０不揮発性メモリユニット
８１消去制御回路
８１ａ制御部（第２コントローラ）
８２周波数検出回路
８４ａ、８４ｂ外部端子
８７パルスジェネレータ
９０不揮発性メモリユニット
９１消去制御回路
９１ａ制御部（第２コントローラ）
９２検出回路
９４センサ
１００不揮発性メモリユニット
１０１消去制御回路
１０１ａ制御部（第２コントローラ）
１０２パスワード検出回路
１１０不揮発性メモリユニット
１１１消去制御回路
１１１ａ制御部（第２コントローラ）
１１４外部入力部

Claims

不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリに対する消去コマンドを少なくとも受信するインタフェースと、
インタフェースから出力された消去コマンドに基づいて前記不揮発性メモリに消去を実行させる第１コントローラと、
前記インタフェースとは別に設けられた外部入力部と、
前記外部入力部から出力された消去指示信号に基づいて前記不揮発性メモリに消去を実行させる第２コントローラと、
前記第１コントローラと前記不揮発性メモリとの接続と、前記第２コントローラと前記不揮発性メモリとの接続を切り替える切替回路とを備え、
前記切替回路により前記第２コントローラと前記不揮発性メモリとの接続がなされている場合に、前記第２コントローラは前記消去指示信号に基づいて前記不揮発性メモリにデータの消去を実行させる
不揮発性メモリユニット。
前記外部入力部は、外部端子と、前記外部端子の電圧値を検出する電圧検出回路を備え、
前記電圧検出回路は、検出された電圧値が予め定められた電圧値に一致した場合に、前記消去指示信号を前記第２コントローラに出力し、
前記第２コントローラは、前記消去指示信号に基づいてデータの消去を実行させるための消去制御信号を前記不揮発性メモリに出力する請求項１記載の不揮発性メモリユニット。
前記外部入力部は、外部端子と、前記外部端子に入力された信号またはクロックの周波数を検出する周波数検出回路を備え、
前記周波数検出回路は、入力された信号またはクロックの周波数が予め定められた周波数に一致した場合に、前記消去指示信号を前記第２コントローラに出力し、
前記第２コントローラは、前記消去指示信号に基づいてデータの消去を実行させるための消去制御信号を前記不揮発性メモリに出力する請求項１記載の不揮発性メモリユニット。
前記外部入力部は、センサと、前記センサからの出力を検出する検出回路を備え、
前記検出回路は、前記センサからの出力に基づいて前記消去指示信号を前記第２コントローラに出力し、
前記第２コントローラは、前記消去指示信号に基づいてデータの消去を実行させるための消去制御信号を前記不揮発性メモリに出力する請求項１記載の不揮発性メモリユニット。
前記外部入力部は、パスワード情報が入力される情報入力端子と、前記パスワード情報と比較用パスワード情報を比較するパスワード検出回路を備え、
前記パスワード検出回路は、前記パスワード情報が前記比較用パスワード情報に一致した場合に、前記消去指示信号を前記第２コントローラに出力し、
前記第２コントローラは、前記消去指示信号に基づいてデータの消去を実行させるための消去制御信号を前記不揮発性メモリに出力する請求項１記載の不揮発性メモリユニット。
前記外部入力部は、前前記消去指示信号が入力される情報入力端子を備え、前記消去指示信号を前記第２コントローラに出力し、
前記第２コントローラは、前記消去指示信号に基づいてデータの消去を実行させるための消去制御信号を前記不揮発性メモリに出力する請求項１載の不揮発性メモリユニット。
前記外部入力部は、前記第２コントローラに前記消去指示信号を出力するスイッチを備え、前記第２コントローラは前記スイッチの制御により出力される前記消去指示信号に基づいて前記不揮発性メモリにデータの消去を実行させるための消去制御信号を前記不揮発性メモリに出力する請求項１記載の不揮発性メモリユニット。