JP5507332B2 - 半導体集積回路及びそれを備えた電圧制御装置 - Google Patents
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本発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路について、図1〜図7を用いて説明する。なお、本実施の形態にかかる半導体集積回路は、常に動作し続けるメインモニタ回路と、状況に応じて動作を停止するサブモニタ回路と、を備える。メインモニタ回路およびサブモニタ回路は、温度などの環境によって変化するチップ性能を検出する機能を有し、間欠的にモニタ出力値を出力する。言い換えると、メインモニタ回路及びサブモニタ回路は、チップ内の特性ばらつきを検出し、一定間隔で、検出結果をモニタ出力値として出力する。ここで、メインモニタ回路のモニタ出力値の変化が小さい場合、即ち、チップ性能の変化が小さく、チップ内の内部回路に供給される電源電圧を制御する必要がない場合には、サブモニタ回路の動作を停止する。一方、メインモニタ回路のモニタ出力値の変化が大きい場合、即ち、チップ性能の変化が大きく、チップ内の内部回路に供給される電源電圧を制御する必要がある場合には、サブモニタ回路を動作させる。そして、サブモニタ回路のモニタ出力値に基づいて、当該内部回路に供給される電源電圧を制御する。それにより、本実施の形態にかかる半導体集積回路は、動作させる必要のないモニタ回路の動作を停止することができるため、消費電力の増大を抑制することができることを特徴とする。以下、具体的に説明する。
図2に、メインモニタ回路2の回路構成を示す。メインモニタ回路2は、リングオシレータ201と、カウンタ203と、を有する。また、リングオシレータ201は、NANDゲート204と、遅延ゲート202と、を有する。
図3に、サブモニタ回路3の回路構成を示す。サブモニタ回路3は、リングオシレータ301と、カウンタ303と、ANDゲート305と、を有する。また、リングオシレータ301は、遅延ゲート302と、NANDゲート304と、を有する。ここで、リングオシレータ301は、メインモニタ回路2におけるリングオシレータ201に相当し、カウンタ203は、メインモニタ回路2におけるカウンタ203に相当する。
図4に、モニタ出力変化検出回路4の回路構成を示す。モニタ出力変化検出回路4は、レジスタ41と、減算器42と、レジスタ制御回路43と、を有する。
図5に、制御回路5の回路構成を示す。制御回路5は、カウンタ51と、論理回路52と、を有する。
図6に、モニタ出力変化検出回路4及び制御回路5の状態遷移を示す。図6に示すように、メインモニタ回路2のモニタ出力値が一定範囲内で安定している場合(|DIFF|≦C)、モニタ出力変化検出回路4は制御信号ACTIVEを0に制御する。それにより、サブモニタ回路3は動作を停止する。同時に、制御回路5は、制御信号RESET及び制御信号ENABLEを、それぞれ信号変化時刻の間隔がTlongとなるように出力する。一方、メインモニタ回路2のモニタ出力値が一定範囲内を超えて不安定である場合(|DIFF|>C)、モニタ出力変化検出回路4は制御信号ACTIVEを1に制御する。それにより、サブモニタ回路3は動作する。同時に、制御回路5は、制御信号RESET及び制御信号ENABLEを、それぞれ信号変化時刻の間隔がTshortとなるように出力する。このように、外部要因によるチップ性能の変化がない場合には、サブモニタ回路3の動作を停止することにより、サブモニタ回路3によって消費される電力が低減される。さらに、メインモニタ回路2によるモニタ出力値の検出間隔を大きくすることにより、メインモニタ回路2によって消費される電力が低減される。
図7は、半導体集積回路1の動作を示すタイミングチャートである。なお、初期状態では、制御信号ACTIVEが1であるため、制御信号RESET及び制御信号ENABLEのそれぞれの信号変化時刻の間隔はTshortである。
本発明の実施の形態2について説明する。本実施の形態では、実施の形態1に示す半導体集積回路の特徴を利用した電圧制御装置について、図8〜図12を用いて説明する。
図9に、ターゲット値変化検出回路9の回路構成を示す。ターゲット値変化検出回路9は、フリップフロップ(以下、単にFFと称す)91と、XOR論理ゲート92と、を有する。
図10に、モニタ出力変化検出回路4、制御回路5及びターゲット値変化検出回路9の状態遷移を示す。図10に示すように、出力信号OUTが0の場合、即ち、ターゲット値に変化がない場合、図6と同様の動作を示す。一方、出力信号OUTが1の場合、即ち、ターゲット値に変化があった場合、モニタ出力変化検出回路4からの制御信号ACTIVE_PREの値に関わらず、制御信号ACTIVE(OR論理ゲート10の出力信号)は1になる。同時に、制御回路5は、制御信号RESET及び制御信号ENABLEを、それの信号変化時刻の間隔がTshortとなるように出力する。
図11に、電圧制御回路7の回路構成を示す。電圧制御回路7は、比較回路71を有する。比較回路71には、外部から与えられるターゲット値と、半導体集積回路1aから出力されるモニタ出力値(サブモニタ回路3のカウント値COUT)と、が入力される。比較回路71は、ターゲット値とカウント値COUTとの大小関係を比較し、カウント値COUT>ターゲット値である場合には制御信号DOWN=1に制御し、カウント値COUT<ターゲット値である場合には制御信号UP=1に制御する。なお、制御信号UP/DOWNは、上記以外の場合には、それぞれ初期状態である0を示している。
図8において、電圧供給回路8は、電圧制御回路7からの制御信号UP/DOWNに基づいて、半導体集積回路1aを含むチップ内の内部回路に対して供給する電源電圧VDDを制御する。具体的には、電圧供給回路8は、制御信号DOWN=1である場合には、電源電圧VDDを下げるように制御する。一方、電圧供給回路8は、制御信号UP=1である場合には、電源電圧VDDを上げるように制御する。このように、半導体集積回路1aによるモニタ動作と、それに応じた電圧制御回路7及び電圧供給回路8による電圧制御動作と、が繰り返されることにより、最終的にサブモニタ回路3のモニタ出力値(カウント値COUT)は、ターゲット値に収束する。
図12に、電圧制御装置100における電圧制御動作のタイミングチャートを示す。なお、初期状態では、制御信号ACTIVEが1であるため、制御信号RESET及び制御信号ENABLEのそれぞれの信号変化時刻の間隔はTshortである。
本発明の実施の形態3について説明する。本実施の形態では、実施の形態1に示す半導体集積回路の特徴を利用した電圧制御装置について、図13〜図14を用いて説明する。
図14に、集計回路6の回路構成を示す。なお、図14は、サブモニタ回路3_1〜3_Nの個数Nが2のk(kは0以上の整数)乗に等しい場合における集計回路6の例である。集計回路6は、ツリー状に接続された加算器6_1〜6_(N−1)と、平均化回路601と、を有する。具体的には、加算器6_1は、カウント値C_1,C_2を加算して出力する。加算器6_2は、カウント値C_3,C_4を加算して出力する。同様に、加算器6_(N/2)は、カウント値C_(N−1),C_Nを加算して出力する。次段では、加算器6_(N/2+1)は、加算器6_1,6_2の出力結果を加算して出力する。このようにして、最終段では、加算器6_(N−1)は、加算器6_(N−3),6_(N−2)の出力結果を加算して出力する。
本発明の実施の形態4にかかる半導体集積回路について、図15〜図17を用いて説明する。本実施の形態にかかる半導体集積回路は、実施の形態1の場合と比較して、メインモニタ回路2及びサブモニタ回路3の代わりに、メインモニタ回路2a及びサブモニタ回路3bを備える。つまり、本実施の形態では、実施の形態1の場合と比較して、メインモニタ回路及びサブモニタ回路の回路構成が異なる。それ以外の回路構成及び動作は実施の形態1の場合と同様であるため、以下では、メインモニタ回路2a及びサブモニタ回路3aについてのみ説明する。
図15に、メインモニタ回路2aの回路構成を示す。メインモニタ回路2aは、抵抗206と、トランジスタ207と、A/Dコンバータ208と、を有する。なお、本実施の形態では、トランジスタ207がNチャネルMOSトランジスタである場合を例に説明する。
V1=VDD−(R×Ioff)
ノードN1の電位V1は、A/Dコンバータ208によってデジタル値に変換され、モニタ出力値として出力される。
図16に、サブモニタ回路3aの回路構成を示す。サブモニタ回路3aは、抵抗306と、トランジスタ307と、A/Dコンバータ308と、トランジスタ309と、インバータ310と、を有する。ここで、抵抗306、トランジスタ307及びA/Dコンバータ308は、メインモニタ回路2aにおける抵抗206、トランジスタ207及びA/Dコンバータ208に相当する。なお、本実施の形態では、トランジスタ309がPチャネルMOSトランジスタである場合を例に説明する。
2、2a、2b メインモニタ回路
3、3a サブモニタ回路
3_1〜3_N サブモニタ回路
4 モニタ出力変化検出回路
5 制御回路
6 集計回路
6_1〜6_(N−1) 加算器
7 電圧制御回路
8 電圧供給回路
9 ターゲット値変化検出回路
10 OR論理ゲート
41 レジスタ
42 減算器
43 レジスタ制御回路
51 カウンタ
52 論理回路
71 比較回路
91 フリップフロップ
92 XOR論理ゲート
100、101 電圧制御装置
201、301 リングオシレータ
202、302 遅延ゲート
203、303 カウンタ
204、304 NAND論理ゲート
206、306 抵抗
207、211、212307、309 トランジスタ
208、308 A/Dコンバータ
209 カレントミラー回路
210 オペアンプ
305 AND論理ゲート
310 インバータ
601 平均化回路
Claims (15)
- チップ内に配置され、チップ内の特性ばらつきを検出するメインモニタ回路と、
チップ内に配置され、チップ内の特性ばらつきを検出するサブモニタ回路と、
前記メインモニタ回路から出力された検出結果に応じた切替制御信号を生成するモニタ出力変化検出回路と、を備え、
前記サブモニタ回路は、
特性ばらつきの検出動作を行うか否かが前記切替制御信号に基づいて制御される半導体集積回路。 - 前記モニタ出力変化検出回路は、
前記メインモニタ回路から出力された検出結果と、予め記憶されている検出結果と、の差分が所定値以下である場合には、前記サブモニタ回路の検出動作を停止させるように前記切替制御信号を生成し、
前記差分が所定値を超える場合には、前記サブモニタ回路の検出動作を行わせるように前記切替制御信号を生成することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。 - 前記モニタ出力変化検出回路は、
前記サブモニタ回路の検出動作を停止させるように前記切替制御信号を生成する場合、前記メインモニタ回路の検出結果を、予め記憶されている検出結果として記憶することを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路。 - 外部から与えられるクロック信号の周期に応じたイネーブル信号を生成する制御回路をさらに備え、
前記メインモニタ回路及び前記サブモニタ回路は、
前記イネーブル信号の周期に応じた間隔で検出結果を出力することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体集積回路。 - 前記制御回路は、
前記切替制御信号に基づいて前記イネーブル信号の周期を切り替えることを特徴とする請求項4に記載の半導体集積回路。 - 前記制御回路は、
前記差分が所定値以下である場合には、前記差分が所定値を超える場合よりも、前記イネーブル信号の周期を長く制御することを特徴とする請求項5に記載の半導体集積回路。 - 複数の前記サブモニタ回路をさらに備えた請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体集積回路。
- 前記メインモニタ回路及び前記サブモニタ回路は、
前記イネーブル信号に基づいて設定された期間中、発振信号を生成する発振回路と、
前記発振信号の発振回数をカウントし、検出結果として出力するカウンタと、を備えた請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体集積回路。 - 前記メインモニタ回路及び前記サブモニタ回路は、
MOSトランジスタを備え、
前記MOSトランジスタのオフリーク電流に応じた検出結果を出力することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体集積回路。 - 前記メインモニタ回路及び前記サブモニタ回路は、
前記MOSトランジスタのオフリーク電流に応じた電圧値をデジタル値に変換し、検出結果として出力するA/Dコンバータをさらに備えた請求項9に記載の半導体集積回路。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の半導体集積回路と、
前記サブモニタ回路から出力された検出結果に応じた電圧制御信号を生成する電圧制御回路と、
前記半導体集積回路に供給する電圧を前記電圧制御信号に基づいて制御する電圧供給回路と、を備えた電圧制御装置。 - 前記電圧制御回路は、
前記サブモニタ回路から出力される検出結果が、第1の基準値となるように前記電圧制御信号を生成することを特徴とする請求項11に記載の電圧制御装置。 - 前記電圧制御回路は、
前記サブモニタ回路から出力される検出結果が、第1及び第2の基準値の範囲内となるように前記電圧制御信号を生成することを特徴とする請求項11に記載の電圧制御装置。 - 前記電圧供給回路が供給する電圧は電源電圧であることを特徴とする請求項11〜13のいずれか一項に記載の電圧制御装置。
- 前記電圧供給回路が供給する電圧は基板バイアスであることを特徴とする請求項11〜13のいずれか一項に記載の電圧制御装置。
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