JP5501792B2 - Elastic wave device and manufacturing method thereof - Google Patents

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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：ｓｕｒｆａｃｅ ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Ｆｉｌｍ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）等の弾性波装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an elastic wave device such as a surface acoustic wave (SAW) device and a piezoelectric thin film resonator (FBAR), and a method for manufacturing the same.

弾性波装置においては、弾性波素子を振動可能とするために、弾性波素子の周囲に空間（振動空間）が形成される（特許文献１参照）。具体的には、弾性波素子は、基板と、基板の主面に設けられた弾性波素子と、弾性波素子を覆うように基板の主面に固定されるカバーとを有している。カバーは、弾性波素子を囲み、基板の主面に固定される枠部と、枠部の天面に被せられ、枠部の開口を塞ぐ蓋部とを有している。そして、基板の主面、枠部、及び、蓋部に囲まれた空間により、振動空間が形成される。   In the acoustic wave device, a space (vibration space) is formed around the acoustic wave element so that the acoustic wave element can vibrate (see Patent Document 1). Specifically, the acoustic wave element has a substrate, an acoustic wave element provided on the main surface of the substrate, and a cover fixed to the main surface of the substrate so as to cover the acoustic wave element. The cover includes a frame portion that surrounds the acoustic wave element and is fixed to the main surface of the substrate, and a lid portion that covers the top surface of the frame portion and closes the opening of the frame portion. A vibration space is formed by the space surrounded by the main surface, the frame portion, and the lid portion of the substrate.

特開２００９−１０５５９号公報JP 2009-10559 A

カバーの枠部と基板の主面との間に隙間が生じることなどにより、振動空間の密閉性が損なわれると、振動空間に水分等が浸入して弾性波素子等の腐食を招く。   If the sealing property of the vibration space is impaired due to a gap formed between the frame portion of the cover and the main surface of the substrate, moisture and the like enter the vibration space and cause corrosion of the acoustic wave element and the like.

本発明の目的は、振動空間の密閉性を向上できる弾性波装置及びその製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an elastic wave device capable of improving the sealing property of a vibration space and a manufacturing method thereof.

本発明の一実施態様の弾性波装置は、基板と、前記基板の主面に設けられた弾性波素子と、前記主面の平面視において前記弾性波素子を囲む枠部と、前記枠部の開口を塞ぐ蓋部とを有するカバーと、前記枠部の内壁面から前記枠部の枠内の前記基板の主面上にかけて形成された絶縁膜と、を有する。   An elastic wave device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, an elastic wave element provided on a main surface of the substrate, a frame portion surrounding the elastic wave element in a plan view of the main surface, A cover having a lid that closes the opening; and an insulating film formed from the inner wall surface of the frame to the main surface of the substrate in the frame of the frame.

また、本発明の一実施態様の弾性波装置の製造方法は、基板の主面に弾性波素子を形成する工程と、前記主面の平面視において前記弾性波素子を囲む枠部を形成する工程と、前記枠部の内壁面から前記枠部の枠内の前記基板の主面上にかけて絶縁膜を形成する工程と、前記枠部を塞ぐ蓋部を形成する工程と、を有する。   The method for manufacturing an elastic wave device according to an embodiment of the present invention includes a step of forming an elastic wave element on a main surface of a substrate and a step of forming a frame portion surrounding the elastic wave element in a plan view of the main surface. And a step of forming an insulating film from an inner wall surface of the frame portion to a main surface of the substrate in the frame of the frame portion, and a step of forming a lid portion for closing the frame portion.

上記の実施態様によれば、振動空間の密閉性を向上できる。   According to the above embodiment, the sealing property of the vibration space can be improved.

本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置の外観を示す斜視図である。1 is a perspective view showing an appearance of a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention. 図１の弾性表面波装置を一部を破断して示す概略斜視図である。FIG. 2 is a schematic perspective view showing the surface acoustic wave device of FIG. 図１の弾性表面波装置の配線構造を示す平面図である。It is a top view which shows the wiring structure of the surface acoustic wave apparatus of FIG. 図３のＩＶ−ＩＶ線における概念的な断面図である。FIG. 4 is a conceptual cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 3. 図４の領域Ｖを拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which expands and shows the area | region V of FIG. 図４の領域ＶＩを拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which expands and shows the area | region VI of FIG. 図３のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面図である。It is sectional drawing in the VII-VII line of FIG. （ａ）〜図８（ｄ）は、図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。FIGS. 8A to 8D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the SAW device of FIG. （ａ）〜図９（ｃ）は、図８の続きを示す断面図である。(A)-FIG.9 (c) are sectional drawings which show the continuation of FIG. （ａ）〜図１０（ｃ）は、図９の続きを示す断面図である。(A)-FIG.10 (c) are sectional drawings which show the continuation of FIG. 第２の実施形態のＳＡＷ装置を示す平面図である。It is a top view which shows the SAW apparatus of 2nd Embodiment. 図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線における断面図である。It is sectional drawing in the XII-XII line | wire of FIG. 第３の実施形態のＳＡＷ装置の要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of the SAW apparatus of 3rd Embodiment. （ａ）〜図１４（ｃ）は、第４の実施形態のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。FIGS. 14A to 14C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the SAW device of the fourth embodiment.

以下、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置（ＳＡＷ装置）について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。   Hereinafter, a surface acoustic wave device (SAW device) according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings used in the following description are schematic, and the dimensional ratios and the like on the drawings do not necessarily match the actual ones.

また、説明対象の実施形態以降において、既に説明された実施形態と同一又は類似する構成については、既に説明された実施形態と同一の符号を付すことがあり、また、説明を省略することがある。   In the following embodiments to be described, the same or similar configurations as those of the already described embodiments may be denoted by the same reference numerals as those of the already described embodiments, and the description may be omitted. .

符号は、同一又は類似する構成のものについて、「第１端子７Ａ〜第６端子７Ｆ」などのように、大文字のアルファベットの付加符号を付すことがある。また、この場合において、単に「端子７」というなど、名称の頭の番号、及び、上記の付加符号を省略することがあるものとする。   For the same or similar configuration, an uppercase alphabetic additional code may be added, such as “first terminal 7A to sixth terminal 7F”. In this case, the number at the beginning of the name, such as simply “terminal 7”, and the above additional code may be omitted.

＜第１の実施形態＞
（ＳＡＷ装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図である。 <First Embodiment>
(Configuration of SAW device)
FIG. 1 is an external perspective view of a SAW device 1 according to the first embodiment of the present invention.

ＳＡＷ装置１は、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）形のＳＡＷ装置により構成されている。ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３に固定されたカバー５と、カバー５から露出する複数の端子７と、基板３のカバー５とは反対側に設けられた裏面部９とを有している。   The SAW device 1 is a so-called wafer level package (WLP) type SAW device. The SAW device 1 includes a substrate 3, a cover 5 fixed to the substrate 3, a plurality of terminals 7 exposed from the cover 5, and a back surface portion 9 provided on the side opposite to the cover 5 of the substrate 3. ing.

ＳＡＷ装置１は、複数の端子７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、ＳＡＷ装置１によりフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数の端子７のいずれかを介して出力する。ＳＡＷ装置１は、例えば、カバー５側の面を不図示の回路基板等の実装面に対向させて当該実装面に載置された状態で樹脂封止されることにより、端子７を実装面上の端子に接続した状態で実装される。   Signals are input to the SAW device 1 via any of the plurality of terminals 7. The input signal is filtered by the SAW device 1. Then, the SAW device 1 outputs the filtered signal via any of the plurality of terminals 7. The SAW device 1 is, for example, resin-sealed in a state where the surface on the cover 5 side faces a mounting surface such as a circuit board (not shown) and is placed on the mounting surface, whereby the terminal 7 is placed on the mounting surface. It is mounted while connected to the terminal.

基板３は、圧電基板により構成されている。具体的には、例えば、基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。基板３は、第１主面３ａと、その背面側の第２主面３ｂとを有している。基板３の平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば矩形である。基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ、１辺の長さは０．５ｍｍ〜２ｍｍである。   The substrate 3 is composed of a piezoelectric substrate. Specifically, for example, the substrate 3 is a rectangular parallelepiped single crystal substrate having piezoelectricity such as a lithium tantalate single crystal or a lithium niobate single crystal. The board | substrate 3 has the 1st main surface 3a and the 2nd main surface 3b of the back side. The planar shape of the substrate 3 may be set as appropriate, but is rectangular, for example. Although the magnitude | size of the board | substrate 3 may be set suitably, for example, thickness is 0.2 mm-0.5 mm, and the length of 1 side is 0.5 mm-2 mm.

カバー５は、第１主面３ａを覆うように設けられている。カバー５の平面形状は、例えば、基板３の平面形状と同様（本実施形態では矩形）である。カバー５は、例えば、第１主面３ａと概ね同等の広さを有し、第１主面３ａの概ね全面を覆っている。   The cover 5 is provided so as to cover the first main surface 3a. The planar shape of the cover 5 is, for example, the same as the planar shape of the substrate 3 (rectangular in this embodiment). The cover 5 has, for example, a width approximately equal to that of the first main surface 3a and covers almost the entire surface of the first main surface 3a.

複数の端子７は、カバー５の上面（基板３とは反対側の面）から露出している。複数の端子７の数及び配置位置は、ＳＡＷ装置１の内部の電子回路の構成に応じて適宜に設定される。本実施形態では、６つの端子７がカバー５の外周に沿って配列されている。   The plurality of terminals 7 are exposed from the upper surface of the cover 5 (surface opposite to the substrate 3). The number and arrangement position of the plurality of terminals 7 are appropriately set according to the configuration of the electronic circuit inside the SAW device 1. In the present embodiment, six terminals 7 are arranged along the outer periphery of the cover 5.

裏面部９は、特に図示しないが、例えば、第２主面３ｂの概ね全面を覆い、基準電位が付与される裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。裏面電極により、温度変化等により基板３表面にチャージされた電荷が放電される。保護層により、基板３の損傷が抑制される。なお、以下では、裏面部９は、図示や説明が省略されることがある。   Although not particularly illustrated, the back surface portion 9 includes, for example, a back surface electrode that covers substantially the entire surface of the second main surface 3b and is applied with a reference potential, and an insulating protective layer that covers the back surface electrode. The back surface electrode discharges the charge charged on the surface of the substrate 3 due to a temperature change or the like. Damage to the substrate 3 is suppressed by the protective layer. In addition, below, illustration and description of the back surface part 9 may be omitted.

図２は、カバー５の一部を破断して示すＳＡＷ装置１の斜視図である。   FIG. 2 is a perspective view of the SAW device 1 with a part of the cover 5 cut away.

第１主面３ａには、第１ＳＡＷ素子１１Ａ（図３参照）及び第２ＳＡＷ素子１１Ｂが設けられている。第１ＳＡＷ素子１１Ａは、例えば、ＳＡＷ共振子であり、第２ＳＡＷ素子１１Ｂは、例えば、ＳＡＷフィルタである。なお、図２において、ＳＡＷ素子１１は、後述する図３よりも模式的に示されている。   A first SAW element 11A (see FIG. 3) and a second SAW element 11B are provided on the first main surface 3a. The first SAW element 11A is, for example, a SAW resonator, and the second SAW element 11B is, for example, a SAW filter. In FIG. 2, the SAW element 11 is shown more schematically than FIG. 3 described later.

また、第１主面３ａには、第１端子７Ａ〜第６端子７Ｆの直下において、第１パッド１３Ａ〜第６パッド１３Ｆが設けられている。パッド１３は、ＳＡＷ素子１１と接続されている。端子７は、カバー５を貫通するように設けられており、パッド１３に接続されることにより、ＳＡＷ素子１１と接続されている。   Further, the first main surface 3a is provided with the first pad 13A to the sixth pad 13F immediately below the first terminal 7A to the sixth terminal 7F. The pad 13 is connected to the SAW element 11. The terminal 7 is provided so as to penetrate the cover 5, and is connected to the SAW element 11 by being connected to the pad 13.

カバー５は、ＳＡＷ素子１１の周囲に空洞が形成されるように第１主面３ａを覆っている。具体的には、カバー５は、第１ＳＡＷ素子１１Ａの周囲に第１振動空間１０Ａを形成し、第２ＳＡＷ素子１１Ｂの周囲に第２振動空間１０Ｂを形成している。   The cover 5 covers the first main surface 3 a so that a cavity is formed around the SAW element 11. Specifically, the cover 5 forms a first vibration space 10A around the first SAW element 11A, and forms a second vibration space 10B around the second SAW element 11B.

図３は、基板３の第１主面３ａにおける配線構造を示す模式的な平面図である。なお、図３においては、振動空間１０の範囲を２点鎖線で示している。   FIG. 3 is a schematic plan view showing a wiring structure on the first main surface 3 a of the substrate 3. In FIG. 3, the range of the vibration space 10 is indicated by a two-dot chain line.

ＳＡＷ素子１１は、１以上のＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１５と、ＩＤＴ電極１５の、ＳＡＷの伝搬方向（Ｘ方向）両側に配置された２つの反射器１７とを有している。   The SAW element 11 includes one or more IDT (InterDigital Transducer) electrodes 15 and two reflectors 17 disposed on both sides of the SAW propagation direction (X direction) of the IDT electrode 15.

ＩＤＴ電極１５は、一対の電極から構成されている。この一対の電極は、弾性表面波の伝搬方向（Ｘ方向）に延びるバスバー１５ａと、バスバー１５ａから上記伝搬方向に直交する方向（Ｙ方向）に伸びる複数の電極指１５ｂとを有し、電極指１５ｂが互いに噛合うように配置されている。なお、図３は模式図であることから、電極指１５ｂは、実際の数よりも少ない数で示されている。ＳＡＷ素子１１は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されている。   The IDT electrode 15 is composed of a pair of electrodes. The pair of electrodes includes a bus bar 15a extending in the propagation direction (X direction) of the surface acoustic wave, and a plurality of electrode fingers 15b extending from the bus bar 15a in a direction (Y direction) perpendicular to the propagation direction. It arrange | positions so that 15b may mutually mesh. Since FIG. 3 is a schematic diagram, the number of electrode fingers 15b is smaller than the actual number. The SAW element 11 is made of an Al alloy such as an Al—Cu alloy.

第４端子７Ｄは、信号が入力される端子であり、入力配線２７を介して第１ＳＡＷ素子１１Ａに接続されている。第１ＳＡＷ素子１１Ａは、３本の中間配線２９により、第２ＳＡＷ素子１１Ｂと接続されている。第２ＳＡＷ素子１１Ｂは、２本の出力配線３１を介して信号を出力する端子としての第３端子７Ｃ及び第６端子７Ｆに接続されている。   The fourth terminal 7D is a terminal to which a signal is input, and is connected to the first SAW element 11A via the input wiring 27. The first SAW element 11A is connected to the second SAW element 11B by three intermediate wires 29. The second SAW element 11 </ b> B is connected to the third terminal 7 </ b> C and the sixth terminal 7 </ b> F as terminals for outputting signals via the two output wirings 31.

第１端子７Ａ、第２端子７Ｂ及び第５端子７Ｅは、基準電位が付与される端子であり、第１グランド配線３３ａ、第２グランド配線３３ｂ、第３グランド配線３３ｃにより互いに接続されている。また、第２グランド配線３３ｂ及び第３グランド配線３３ｃは、分岐することにより、第２ＳＡＷ素子１１Ｂに接続されている。   The first terminal 7A, the second terminal 7B, and the fifth terminal 7E are terminals to which a reference potential is applied, and are connected to each other by the first ground wiring 33a, the second ground wiring 33b, and the third ground wiring 33c. The second ground wiring 33b and the third ground wiring 33c are connected to the second SAW element 11B by branching.

なお、３本の中間配線２９と、第２グランド配線３３ｂとは立体交差し、３つの第１立体配線部３２Ａを構成している。また、２本の出力配線３１と第３グランド配線３３ｃとは立体交差し、２つの第２立体配線部３２Ｂを構成している。立体配線部３２は、振動空間１０内に配置されている。   The three intermediate wirings 29 and the second ground wirings 33b are three-dimensionally crossed to form three first three-dimensional wiring parts 32A. Further, the two output wirings 31 and the third ground wiring 33c are three-dimensionally crossed to form two second three-dimensional wiring parts 32B. The three-dimensional wiring part 32 is disposed in the vibration space 10.

図４は図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。ただし、図４は、図３よりも概念的に描かれており、ＳＡＷ素子１１は図３よりも模式的に示されている。   4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. However, FIG. 4 is drawn more conceptually than FIG. 3, and the SAW element 11 is shown more schematically than FIG.

ＳＡＷ装置１は、第１主面３ａに設けられた第１導電層１９と、第１導電層１９及び第１主面３ａに積層された保護層２５とを有している。カバー５は、保護層２５に積層された枠部３５と、枠部３５に積層された蓋部３７とにより構成されている。端子７は、カバー５に対して成膜された下地層３９と、下地層３９に包まれた中実部４１とにより構成されている。また、ＳＡＷ装置１は、枠部３５を覆う絶縁膜４３を有している。   The SAW device 1 includes a first conductive layer 19 provided on the first main surface 3a, and a protective layer 25 stacked on the first conductive layer 19 and the first main surface 3a. The cover 5 includes a frame part 35 laminated on the protective layer 25 and a lid part 37 laminated on the frame part 35. The terminal 7 includes a base layer 39 formed on the cover 5 and a solid portion 41 surrounded by the base layer 39. In addition, the SAW device 1 has an insulating film 43 that covers the frame portion 35.

第１導電層１９は、第１主面３ａ上における回路素子や配線等の構成に関して基本となる層である。具体的には、第１導電層１９は、ＳＡＷ素子１１、パッド１３、入力配線２７、中間配線２９、出力配線３１、及び、第１グランド配線３３ａを構成している。第１導電層１９は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金により形成されており、その厚さは、例えば、１００〜３００ｎｍである。   The first conductive layer 19 is a basic layer regarding the configuration of circuit elements, wirings, and the like on the first major surface 3a. Specifically, the first conductive layer 19 constitutes the SAW element 11, the pad 13, the input wiring 27, the intermediate wiring 29, the output wiring 31, and the first ground wiring 33a. The first conductive layer 19 is formed of, for example, an Al alloy such as an Al—Cu alloy, and the thickness thereof is, for example, 100 to 300 nm.

保護層２５は、ＳＡＷ素子１１の酸化防止等に寄与するものである。保護層２５は、例えば、絶縁性を有するとともに、ＳＡＷの伝搬に影響を与えない程度に質量の軽い材料により形成される。例えば、保護層２５は、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素、又は、シリコンにより形成されている。保護層２５の厚さは、例えば、第１導電層１９の厚さの１／１０程度（１０〜３０ｎｍ）、又は、第１導電層１９の厚さと同等以上（１００ｎｍ〜３００ｎｍ）である。本実施形態では、保護層２５の厚さが第１導電層１９の厚さよりも薄い場合を例示している。保護層２５は、パッド１３の配置位置以外においては、第１主面３ａ全体に亘って形成されている。 The protective layer 25 contributes to the oxidation prevention of the SAW element 11 and the like. The protective layer 25 is formed of, for example, a material having an insulating property and a mass that is light enough not to affect the propagation of the SAW. For example, the protective layer 25 is made of silicon oxide (such as SiO 2 ), aluminum oxide, zinc oxide, titanium oxide, silicon nitride, or silicon. The thickness of the protective layer 25 is, for example, about 1/10 (10 to 30 nm) of the thickness of the first conductive layer 19 or equal to or greater than the thickness of the first conductive layer 19 (100 nm to 300 nm). In this embodiment, the case where the thickness of the protective layer 25 is thinner than the thickness of the first conductive layer 19 is illustrated. The protective layer 25 is formed over the entire first main surface 3a except for the position where the pad 13 is disposed.

枠部３５は、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲むように形成されている。蓋部３７は、枠部３５の開口を塞いでいる。そして、第１主面３ａ（保護層２５）、枠部３５及び蓋部３７により囲まれた空間により、振動空間１０が形成されている。   The frame part 35 is formed so as to surround the SAW element 11 in a plan view of the first main surface 3a. The lid portion 37 closes the opening of the frame portion 35. The vibration space 10 is formed by a space surrounded by the first main surface 3 a (protective layer 25), the frame portion 35, and the lid portion 37.

なお、本実施形態において、振動空間が２つに分けられているのは、枠部３５による蓋部３７の支持強度を向上させるために、仕切壁３５ｃ（図２）を形成したことによるものである。従って、必要な支持強度が得られるのであれば、ＳＡＷ装置１は、仕切壁３５ｃが省略されて、一の振動空間に２つのＳＡＷ素子１１が配置されていてもよい。   In this embodiment, the vibration space is divided into two because the partition wall 35c (FIG. 2) is formed in order to improve the support strength of the lid portion 37 by the frame portion 35. is there. Therefore, if the necessary support strength is obtained, the SAW device 1 may be configured such that the partition wall 35c is omitted and the two SAW elements 11 are arranged in one vibration space.

枠部３５及び蓋部３７は、概ね一定の厚さの層により構成されている。枠部３５の厚さ（振動空間１０の高さ）は、例えば、数μｍ〜３０μｍである。蓋部３７の厚さは、例えば、数μｍ〜３０μｍである。   The frame part 35 and the lid part 37 are constituted by layers having a substantially constant thickness. The thickness of the frame part 35 (height of the vibration space 10) is, for example, several μm to 30 μm. The thickness of the lid part 37 is, for example, several μm to 30 μm.

枠部３５及び蓋部３７は、例えば、感光性樹脂により形成されている。感光性樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。   The frame part 35 and the cover part 37 are made of, for example, a photosensitive resin. The photosensitive resin is, for example, a urethane acrylate-based, polyester acrylate-based, or epoxy acrylate-based resin that is cured by radical polymerization of an acrylic group or a methacryl group.

なお、枠部３５は、上述のように、保護層２５上に設けられ、基板３の第１主面３ａ上に直接的には設けられていない。本願では、このように、所定の部材や層などが間接的に基板３の主面に設けられており、直接的には基板３の主面に設けられていない場合も、これら所定の部材や層などが基板３の主面上に設けられていると表現することがあるものとする。他の部材上に所定の部材や層などが設けられている場合も同様であり、また、積層の語についても同様である。   As described above, the frame portion 35 is provided on the protective layer 25 and is not directly provided on the first main surface 3a of the substrate 3. In the present application, in this way, the predetermined members and layers are indirectly provided on the main surface of the substrate 3, and even when the predetermined members and layers are not directly provided on the main surface of the substrate 3, It may be expressed that a layer or the like is provided on the main surface of the substrate 3. The same applies to the case where a predetermined member or layer is provided on another member, and the same applies to the term “lamination”.

端子７は、カバー５に形成された孔部５ｈを介してカバー５の上面に露出している。孔部５ｈは、振動空間１０の外側において、枠部３５及び蓋部３７を第１主面３ａの面する方向へ貫通している。   The terminal 7 is exposed on the upper surface of the cover 5 through a hole 5 h formed in the cover 5. The hole portion 5h penetrates the frame portion 35 and the lid portion 37 in the direction of the first main surface 3a on the outside of the vibration space 10.

下地層３９は、例えば、銅若しくはチタンにより形成されている。下地層３９は、孔部５ｈの底面、孔部５ｈの内周面、及び、カバー５の上面の、孔部５ｈの周囲部分に成膜されている。下地層３９の厚さは、概ね均一である。当該厚さは、適宜に設定されてよいが、例えば、下地層３９が銅からなる場合は３００ｎｍ〜１μｍ、下地層３９がチタンからなる場合は１０ｎｍ〜１００ｎｍである。   The underlayer 39 is made of, for example, copper or titanium. The underlayer 39 is formed on the bottom surface of the hole 5 h, the inner peripheral surface of the hole 5 h, and the upper surface of the cover 5 around the hole 5 h. The thickness of the foundation layer 39 is substantially uniform. The thickness may be set as appropriate. For example, when the base layer 39 is made of copper, the thickness is 300 nm to 1 μm, and when the base layer 39 is made of titanium, the thickness is 10 nm to 100 nm.

中実部４１は、例えば、銅により形成されている。中実部４１は、下地層３９の内側において孔部５ｈに充填されている。また、中実部４１は、孔部５ｈにおいてカバー５の上面よりも高く形成されるとともに、カバー５の上面の、孔部５ｈの周囲部分において下地層３９上に形成されている。   The solid part 41 is made of, for example, copper. The solid portion 41 is filled in the hole 5 h inside the base layer 39. Further, the solid portion 41 is formed higher than the upper surface of the cover 5 in the hole portion 5h, and is formed on the base layer 39 in the peripheral portion of the upper surface of the cover 5 around the hole portion 5h.

絶縁膜４３は、振動空間１０の密閉性の向上に寄与するものである。絶縁膜４３は、カバー５を構成する樹脂よりも遮水性の高い絶縁物により形成されていることが好ましい。絶縁膜４３は、例えば、無機絶縁膜により構成されている。無機絶縁膜は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素、又は、シリコンである。絶縁膜４３は、保護層２５と同一の材料により形成されていることが好ましい。絶縁膜４３の厚さは、例えば、保護層２５の厚さ以上である。また、絶縁膜４３の厚さは、例えば、０．３μｍ〜３μｍである。 The insulating film 43 contributes to improving the sealing property of the vibration space 10. The insulating film 43 is preferably formed of an insulator having a higher water barrier property than the resin constituting the cover 5. The insulating film 43 is made of, for example, an inorganic insulating film. The inorganic insulating film is, for example, silicon oxide (such as SiO 2 ), aluminum oxide, zinc oxide, titanium oxide, silicon nitride, or silicon. The insulating film 43 is preferably formed of the same material as the protective layer 25. For example, the thickness of the insulating film 43 is equal to or greater than the thickness of the protective layer 25. Moreover, the thickness of the insulating film 43 is, for example, 0.3 μm to 3 μm.

図３では、２点鎖線ＢＬにより、絶縁膜４３の配置位置と非配置位置との境界線を示している。図３及び図４に示すように、絶縁膜４３は、ＳＡＷ素子１１及びパッド１３の配置位置を除いて、第１主面３ａの全面に亘って形成されている。従って、以下に図５〜図７を参照して説明するように、絶縁膜４３は、基板３及び枠部３５等の各部材の各部を覆っている。   In FIG. 3, a boundary line between the arrangement position and the non-arrangement position of the insulating film 43 is indicated by a two-dot chain line BL. As shown in FIGS. 3 and 4, the insulating film 43 is formed over the entire surface of the first main surface 3 a except for the arrangement positions of the SAW elements 11 and the pads 13. Therefore, as will be described below with reference to FIGS. 5 to 7, the insulating film 43 covers each part of each member such as the substrate 3 and the frame part 35.

図５は、図４の領域Ｖを拡大して示す断面図である。   FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a region V in FIG.

絶縁膜４３は、枠部３５と、第１主面３ａ（保護層２５）の枠部３５周囲部分とを覆っている。具体的には、絶縁膜４３は、振動空間１０の全周に亘って、枠部３５の内壁面３５ａから枠部３５の枠内（振動空間１０側）の第１主面３ａ上にかけて形成されている。また、絶縁膜４３は、枠部３５の全周に亘って、枠部３５の外壁面３５ｂから枠部３５の外側の第１主面３ａ上にかけて形成されている。また、絶縁膜４３は、孔部５ｈの配置位置を除いて、枠部３５の上面（枠部３５と蓋部３７との間）全体に形成されている。   The insulating film 43 covers the frame portion 35 and the portion surrounding the frame portion 35 of the first main surface 3a (protective layer 25). Specifically, the insulating film 43 is formed over the entire circumference of the vibration space 10 from the inner wall surface 35a of the frame portion 35 to the first main surface 3a in the frame of the frame portion 35 (vibration space 10 side). ing. The insulating film 43 is formed from the outer wall surface 35 b of the frame portion 35 to the first main surface 3 a outside the frame portion 35 over the entire circumference of the frame portion 35. The insulating film 43 is formed on the entire upper surface of the frame portion 35 (between the frame portion 35 and the lid portion 37) except for the position where the hole 5h is disposed.

別の観点では、内壁面３５ａから枠部３５の枠内（振動空間１０側）の第１主面３ａ上にかけて形成された絶縁膜４３は、振動空間１０の全周に亘って、枠部３５と蓋部３７との間に延在されている。また、枠部３５と蓋部３７との間に形成された絶縁膜４３は、枠部３５の全周に亘って、外壁面３５ｂに延在され、さらに、振動空間１０の全周に亘って、枠部３５の外側の第１主面３ａ上に延在されている。   From another viewpoint, the insulating film 43 formed from the inner wall surface 35 a to the first main surface 3 a in the frame of the frame portion 35 (on the vibration space 10 side) extends over the entire circumference of the vibration space 10. And the lid portion 37. Further, the insulating film 43 formed between the frame portion 35 and the lid portion 37 extends to the outer wall surface 35 b over the entire circumference of the frame portion 35, and further extends over the entire circumference of the vibration space 10. The first main surface 3a outside the frame portion 35 is extended.

上述のように、本実施形態では、第１主面３ａ上には、保護層２５が形成され、枠部３５は、保護層２５に積層されている。従って、絶縁膜４３は、枠部３５の枠内の第１主面３ａ上、及び、枠部３５の外側の第１主面３ａ上において、保護層２５に接続されている。   As described above, in the present embodiment, the protective layer 25 is formed on the first main surface 3 a, and the frame portion 35 is laminated on the protective layer 25. Therefore, the insulating film 43 is connected to the protective layer 25 on the first main surface 3 a in the frame of the frame portion 35 and on the first main surface 3 a outside the frame portion 35.

図６は、図４の領域ＶＩを拡大して示す断面図である。   FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of a region VI in FIG.

第１導電層１９の保護層２５からの露出部分の上には、接続強化層４５が設けられている。接続強化層４５は、第１導電層１９と端子７との接続強度を向上させるために設けられる。接続強化層４５は、例えば、金、ニッケル、クロムにより形成されている。接続強化層４５は、例えば、第１導電層１９よりも厚く形成されており、その厚さは、例えば、１〜２μｍである。なお、パッド１３は、第１導電層１９の保護層２５からの露出部分と、接続強化層４５とにより構成されている。   A connection reinforcing layer 45 is provided on the exposed portion of the first conductive layer 19 from the protective layer 25. The connection reinforcing layer 45 is provided to improve the connection strength between the first conductive layer 19 and the terminal 7. The connection reinforcing layer 45 is made of, for example, gold, nickel, or chromium. The connection reinforcing layer 45 is formed to be thicker than the first conductive layer 19, for example, and the thickness is, for example, 1 to 2 μm. Note that the pad 13 includes an exposed portion of the first conductive layer 19 from the protective layer 25 and a connection reinforcing layer 45.

枠部３５には、孔部５ｈの下方側部分を構成する孔部３５ｈが形成されている。そして、絶縁膜４３は、孔部３５ｈの内周面にも形成されている。絶縁膜４３の第１主面３ａ側部分はパッド１３の周囲において保護層２５に接続されている。換言すれば、絶縁膜４３は、孔部３５ｈの内周面から孔部３５ｈの内側の第１主面３ａ上にかけて形成されている。   The frame portion 35 is formed with a hole portion 35h that constitutes a lower portion of the hole portion 5h. The insulating film 43 is also formed on the inner peripheral surface of the hole 35h. The first main surface 3 a side portion of the insulating film 43 is connected to the protective layer 25 around the pad 13. In other words, the insulating film 43 is formed from the inner peripheral surface of the hole 35h to the first main surface 3a inside the hole 35h.

絶縁膜４３は、孔部３５ｈの縁部の凹凸を緩和している。例えば、枠部３５の上面と孔部３５ｈの内周面とが成す角部４７において、絶縁膜４３は、端子７側（内周側）の表面が、角部４７よりもなだらかに形成されている。絶縁膜４３がない場合、下地層３９が角部４７の部分で段切れしやすくなるが、角部４７が絶縁膜４３で覆われることによりその部分で下地層３９が段切れしにくくなる。これにより中実部４７をメッキで形成する際に所望の形状にメッキが成長しやすくなる。   The insulating film 43 relaxes unevenness at the edge of the hole 35h. For example, in the corner portion 47 formed by the upper surface of the frame portion 35 and the inner peripheral surface of the hole portion 35 h, the insulating film 43 has a surface on the terminal 7 side (inner peripheral side) formed more gently than the corner portion 47. Yes. When the insulating film 43 is not provided, the base layer 39 is likely to be disconnected at the corner portion 47, but the corner portion 47 is covered with the insulating film 43, so that the base layer 39 is difficult to be disconnected at that portion. Thereby, when the solid portion 47 is formed by plating, the plating easily grows in a desired shape.

孔部３５ｈは、第１主面３ａ側ほど拡径するように形成されることがある。例えば、孔部３５ｈがネガ型のフォトリソグラフィーにより形成された場合、第１主面３ａ側ほど、光が散乱して孔部３５ｈの内周面の硬化が十分になされず、孔部３５ｈは、第１主面３ａ側ほど拡径する。このような場合、絶縁膜４３は、孔部３５ｈの内周面の傾斜を緩和する。すなわち、絶縁膜４３は、孔部３５ｈにおいて、第１主面３ａ側がその反対側よりも厚く形成されている。   The hole 35h may be formed so as to increase in diameter toward the first main surface 3a side. For example, when the hole 35h is formed by negative photolithography, light is scattered toward the first main surface 3a side, and the inner peripheral surface of the hole 35h is not sufficiently cured. The diameter increases toward the first main surface 3a side. In such a case, the insulating film 43 relaxes the inclination of the inner peripheral surface of the hole 35h. That is, the insulating film 43 is formed so that the first main surface 3a side is thicker than the opposite side in the hole 35h.

図７は、図３のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面図である。   7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG.

立体配線部３２は、電位の異なる電圧が印加される配線の交差を実現している。立体配線部３２は、第１導電層１９と、第１導電層１９上に設けられた絶縁体２１と、絶縁体２１上に設けられた第２導電層２３とにより構成されている。第１導電層１９については、上述したとおりである。   The three-dimensional wiring unit 32 realizes the intersection of wirings to which voltages having different potentials are applied. The three-dimensional wiring portion 32 includes a first conductive layer 19, an insulator 21 provided on the first conductive layer 19, and a second conductive layer 23 provided on the insulator 21. The first conductive layer 19 is as described above.

絶縁体２１は、保護層２５に積層されている。絶縁体２１は、例えば、感光性の樹脂（例えばポリイミド）により形成されており、その厚さは、例えば、１〜３μｍである。   The insulator 21 is stacked on the protective layer 25. The insulator 21 is formed of, for example, a photosensitive resin (for example, polyimide), and the thickness thereof is, for example, 1 to 3 μm.

第２導電層２３は、第２グランド配線３３ｂ及び第３グランド配線３３ｃを構成している。第２導電層２３は、例えば、金、ニッケル、クロムにより形成されている。第２導電層２３は、絶縁体２１によって生じる段差により断線しないように、例えば、第１導電層１９よりも厚く形成されており、その厚さは、例えば、１〜２μｍである。   The second conductive layer 23 constitutes a second ground wiring 33b and a third ground wiring 33c. The second conductive layer 23 is made of, for example, gold, nickel, or chromium. The second conductive layer 23 is formed, for example, thicker than the first conductive layer 19 so as not to be disconnected due to a step generated by the insulator 21, and the thickness thereof is, for example, 1 to 2 μm.

絶縁膜４３は、上述のように、ＳＡＷ素子１１及びパッド１３以外の第１主面３ａ全体を覆っている。従って、絶縁膜４３は、第１導電層１９により構成された配線（中間配線２９など）、絶縁体２１、及び、第２導電層２３により構成された配線(第２グランド配線３３ｂなど)を覆い、更に、立体配線部３２も覆っている。ただし、本実施形態では、第１導電層１９と絶縁膜４３との間には、保護層２５が介在している。   As described above, the insulating film 43 covers the entire first main surface 3 a other than the SAW element 11 and the pad 13. Therefore, the insulating film 43 covers the wiring (such as the intermediate wiring 29) formed by the first conductive layer 19, the wiring formed by the insulator 21, and the second conductive layer 23 (such as the second ground wiring 33b). Furthermore, the three-dimensional wiring part 32 is also covered. However, in the present embodiment, the protective layer 25 is interposed between the first conductive layer 19 and the insulating film 43.

（ＳＡＷ装置の製造方法）
図８（ａ）〜図１０（ｃ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明する、図４（図３のＩＶ−ＩＶ線）に対応する断面図である。製造工程は、図８（ａ）から図１０（ｃ）まで順に進んでいく。 (Method for manufacturing SAW device)
FIG. 8A to FIG. 10C are cross-sectional views corresponding to FIG. 4 (IV-IV line in FIG. 3) for explaining a method for manufacturing the SAW device 1. The manufacturing process proceeds in order from FIG. 8 (a) to FIG. 10 (c).

以下に説明する工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図８（ａ）〜図１０（ｃ）では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。また、導電層や絶縁層は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いる。   The steps described below are realized in a so-called wafer process. That is, a thin film formation, a photolithography method, or the like is performed on the mother substrate that becomes the substrate 3 by being divided, and then a large number of SAW devices 1 are formed in parallel by dicing. . However, in FIGS. 8A to 10C, only a portion corresponding to one SAW device 1 is illustrated. In addition, although the shape of the conductive layer and the insulating layer changes with the progress of the process, a common code is used before and after the change.

図８（ａ）に示すように、まず、基板３の第１主面３ａ上には、第１導電層１９が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により、第１主面３ａ上に第１導電層１９となる金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。パターニングにより、ＳＡＷ素子１１、パッド１３、入力配線２７、中間配線２９、出力配線３１、及び、第１グランド配線３３ａが形成される。すなわち、第１導電層１９が形成される。   As shown in FIG. 8A, first, the first conductive layer 19 is formed on the first main surface 3 a of the substrate 3. Specifically, first, a metal layer to be the first conductive layer 19 is formed on the first main surface 3a by a thin film forming method such as a sputtering method, a vapor deposition method, or a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. Next, the metal layer is patterned by a photolithography method using a reduction projection exposure machine (stepper) and an RIE (Reactive Ion Etching) apparatus. By patterning, the SAW element 11, the pad 13, the input wiring 27, the intermediate wiring 29, the output wiring 31, and the first ground wiring 33a are formed. That is, the first conductive layer 19 is formed.

第１導電層１９が形成されると、図８（ｂ）に示すように、保護層２５が形成される。具体的には、まず、適宜な薄膜形成法により保護層２５となる薄膜が形成される。薄膜形成法は、Ａｌ等により形成された第１導電層１９若しくはＬａＴｉＯ３等により形成された基板３に及ぼす影響が抑制されるように、低温成膜可能なものが好ましい。また、薄膜形成法は、ステップカバレッジがよいものが好ましい。例えば、薄膜形成法は、スパッタリング法若しくはＣＶＤである。次に、第１導電層１９のうちパッド１３を構成する部分が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層２５が形成される。 When the first conductive layer 19 is formed, the protective layer 25 is formed as shown in FIG. Specifically, first, a thin film to be the protective layer 25 is formed by an appropriate thin film forming method. The thin film forming method is preferably one that can be formed at a low temperature so that the influence on the first conductive layer 19 formed of Al or the like or the substrate 3 formed of LaTiO 3 or the like is suppressed. The thin film forming method preferably has good step coverage. For example, the thin film forming method is a sputtering method or CVD. Next, a part of the thin film is removed by photolithography so that the portion of the first conductive layer 19 that constitutes the pad 13 is exposed. Thereby, the protective layer 25 is formed.

特に図示しないが、保護層２５が形成されると、絶縁体２１及び第２導電層２３が形成される。具体的には、まず、絶縁体２１となる薄膜がＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成される。そして、立体配線部３２となる領域を残して、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去され、絶縁体２１が形成される。次に、第１導電層１９と同様に、金属層の形成及びパターニングが行われ、第２グランド配線３３ｂ及び第３グランド配線３３ｃが形成される。すなわち、第２導電層２３が形成される。   Although not particularly shown, when the protective layer 25 is formed, the insulator 21 and the second conductive layer 23 are formed. Specifically, first, a thin film to be the insulator 21 is formed by a thin film forming method such as a CVD method or a vapor deposition method. Then, a part of the thin film is removed by the photolithography method, leaving the region to be the three-dimensional wiring part 32, and the insulator 21 is formed. Next, similarly to the first conductive layer 19, the metal layer is formed and patterned to form the second ground wiring 33 b and the third ground wiring 33 c. That is, the second conductive layer 23 is formed.

第２導電層２３が形成されると、図８（ｃ）に示すように、枠部３５となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂により形成されたフィルムが貼り付けられることにより、又は、保護層２５と同様の薄膜形成法により形成される。   When the second conductive layer 23 is formed, a thin film that becomes the frame portion 35 is formed as shown in FIG. The thin film is formed, for example, by attaching a film formed of a photosensitive resin or by a thin film forming method similar to that for the protective layer 25.

枠部３５となる薄膜が形成されると、図８（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法等により、薄膜の一部が除去され、振動空間１０を構成する開口、及び、孔部３５ｈが形成される。また、薄膜は、ダイシングライン上においても、一定の幅で除去される。このようにして枠部３５は形成される。   When the thin film to be the frame portion 35 is formed, as shown in FIG. 8D, a part of the thin film is removed by a photolithography method or the like, and the opening and the hole portion 35h constituting the vibration space 10 are formed. It is formed. The thin film is also removed with a constant width on the dicing line. In this way, the frame portion 35 is formed.

枠部３５が形成されると、図９（ａ）に示すように、絶縁膜４３の非配置領域に犠牲層５１が形成される。すなわち、ＳＡＷ素子１１及びパッド１３上に犠牲層５１が形成される。犠牲層５１は、例えば、スピンコート等により感光性樹脂（フォトレジスト）の薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによりパターニングされることにより形成される。   When the frame portion 35 is formed, the sacrificial layer 51 is formed in the non-arranged region of the insulating film 43 as shown in FIG. That is, the sacrificial layer 51 is formed on the SAW element 11 and the pad 13. The sacrificial layer 51 is formed, for example, by forming a thin film of a photosensitive resin (photoresist) by spin coating or the like and patterning the thin film by photolithography.

犠牲層５１が形成されると、図９（ｂ）に示すように、絶縁膜４３となる薄膜が、第１主面３ａの全面に亘って形成される。すなわち、保護層２５、枠部３５及び犠牲層５１を覆う薄膜が形成される。絶縁膜４３の薄膜形成法は、保護層２５の薄膜形成法と同様に、低温成膜可能なものが好ましく、また、ステップカバレッジがよいものが好ましい。例えば、薄膜形成法は、スパッタリング法若しくはＣＶＤである。   When the sacrificial layer 51 is formed, as shown in FIG. 9B, a thin film that becomes the insulating film 43 is formed over the entire surface of the first main surface 3a. That is, a thin film covering the protective layer 25, the frame portion 35, and the sacrificial layer 51 is formed. As the thin film forming method of the insulating film 43, a method capable of forming at a low temperature is preferable, and a method having good step coverage is preferable, as in the thin film forming method of the protective layer 25. For example, the thin film forming method is a sputtering method or CVD.

次に、図９（ｃ）に示すように、絶縁膜４３となる薄膜のうち犠牲層５１上の部分、及び、犠牲層５１を除去する。これにより、薄膜は、ＳＡＷ素子１１及びパッド１３上の部分が除去され、絶縁膜４３が形成される。   Next, as shown in FIG. 9C, the portion on the sacrificial layer 51 and the sacrificial layer 51 in the thin film to be the insulating film 43 are removed. As a result, portions of the thin film on the SAW element 11 and the pad 13 are removed, and the insulating film 43 is formed.

絶縁膜４３が形成されると、図１０（ａ）に示すように、蓋部３７が形成される。具体的には、まず、蓋部３７となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂のフィルムが貼り付けられることにより形成される。そして、薄膜が形成されることにより、枠部３５の開口が塞がれて、振動空間１０が構成される。薄膜は、フォトリソグラフィー法等により、パッド１３上の部分及びダイシングライン状の部分が除去される。これにより、蓋部３７が形成される。   When the insulating film 43 is formed, the lid portion 37 is formed as shown in FIG. Specifically, first, a thin film that becomes the lid portion 37 is formed. The thin film is formed, for example, by attaching a photosensitive resin film. When the thin film is formed, the opening of the frame portion 35 is closed, and the vibration space 10 is configured. In the thin film, a portion on the pad 13 and a dicing line-like portion are removed by a photolithography method or the like. Thereby, the cover part 37 is formed.

蓋部３７が形成されると、図１０（ｂ）に示すように、下地層３９及びレジスト層５３が順に形成される。下地層３９は、カバー５の上面及び孔部５ｈの内部に亘って形成される。下地層３９は、例えば、スパッタ法により形成される。   When the lid portion 37 is formed, the base layer 39 and the resist layer 53 are sequentially formed as shown in FIG. The foundation layer 39 is formed over the upper surface of the cover 5 and the inside of the hole 5h. The underlayer 39 is formed by, for example, a sputtering method.

レジスト層５３は、孔部５ｈ及びその周囲において、下地層３９が露出するように形成される。なお、レジスト層５３は、例えば、スピンコート等により感光性樹脂の薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによりパターニングされることにより形成される。   The resist layer 53 is formed so that the base layer 39 is exposed at and around the hole 5h. The resist layer 53 is formed, for example, by forming a photosensitive resin thin film by spin coating or the like and patterning the thin film by photolithography.

レジスト層５３が形成されると、図９（ｃ）に示すように、電気めっき処理により、下地層３９の露出部分に金属を析出させ、中実部４１を形成する。   When the resist layer 53 is formed, as shown in FIG. 9C, metal is deposited on the exposed portion of the base layer 39 by electroplating to form the solid portion 41.

その後、下地層３９のレジスト層５３に被覆されていた部分及びレジスト層５３が除去される。これにより、下地層３９及び中実部４１からなる端子７が形成される。なお、端子７のカバー５からの露出面は、ニッケルや金などにより構成されてもよい。   Thereafter, the portion of the base layer 39 covered with the resist layer 53 and the resist layer 53 are removed. Thereby, the terminal 7 including the base layer 39 and the solid portion 41 is formed. The exposed surface of the terminal 7 from the cover 5 may be made of nickel, gold, or the like.

以上の実施形態によれば、ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１１と、カバー５とを有する。カバー５は、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲む枠部３５と、枠部３５の開口を塞ぐ蓋部３７とを有する。また、ＳＡＷ装置１は、枠部３５の内壁面３５ａから枠部３５の枠内の第１主面３ａ上にかけて形成された絶縁膜４３を有する。   According to the above embodiment, the SAW device 1 includes the substrate 3, the SAW element 11 provided on the first main surface 3 a of the substrate 3, and the cover 5. The cover 5 includes a frame portion 35 that surrounds the SAW element 11 in a plan view of the first main surface 3 a and a lid portion 37 that closes the opening of the frame portion 35. Further, the SAW device 1 has an insulating film 43 formed from the inner wall surface 35 a of the frame portion 35 to the first main surface 3 a in the frame of the frame portion 35.

従って、絶縁膜４３により枠部３５と第１主面３ａ（保護層２５）との固定が補強される。また、枠部３５と第１主面３ａ（保護層２５）との間に隙間が生じたとしても、絶縁膜４３が水分などの振動空間１０への侵入を抑制する。このように、絶縁膜４３により振動空間１０の密閉性が向上する。   Accordingly, the insulating film 43 reinforces the fixing between the frame portion 35 and the first main surface 3a (protective layer 25). Further, even if a gap is generated between the frame portion 35 and the first main surface 3a (protective layer 25), the insulating film 43 suppresses intrusion of moisture or the like into the vibration space 10. Thus, the sealing property of the vibration space 10 is improved by the insulating film 43.

なお、蓋部３７が振動空間１０側へ撓むようなカバー５の変形を考えた場合、枠部３５が振動空間１０側へ傾き、枠部３５の外壁面３５ｂが第１主面３ａから浮き上がることが考えられる。従って、絶縁膜４３の、内壁面３５ａから第１主面３ａに亘って設けられている部分は、絶縁膜４３の、外壁面３５ｂから第１主面３ａに亘って設けられている部分よりも、形状が維持されやすく、振動空間１０の密閉性向上に寄与しやすいと考えられる。   When considering the deformation of the cover 5 such that the lid portion 37 bends to the vibration space 10 side, the frame portion 35 is inclined to the vibration space 10 side, and the outer wall surface 35b of the frame portion 35 is lifted from the first main surface 3a. Can be considered. Therefore, the portion of the insulating film 43 provided from the inner wall surface 35a to the first main surface 3a is more than the portion of the insulating film 43 provided from the outer wall surface 35b to the first main surface 3a. It is considered that the shape is easily maintained and it is easy to contribute to the improvement of the sealing property of the vibration space 10.

絶縁膜４３はＳｉＯ２からなる。ＳｉＯ２は耐湿性に優れている。例えば、ＳｉＯ２は、カバー５を構成する樹脂よりも耐湿性に優れている。従って、水分の振動空間１０への侵入を抑制する効果が向上する。また、ＳｉＯ２は耐熱性にも優れている。例えば、ＳｉＯ２は、カバー５を構成する樹脂よりも耐熱性に優れている。従って、高温高湿下でも変形しにくく、枠部３５の第１主面３ａ（保護層２５）に対する固定の補強の効果が向上する。 Insulating film 43 made of SiO 2. SiO 2 is excellent in moisture resistance. For example, SiO 2 has better moisture resistance than the resin constituting the cover 5. Therefore, the effect of suppressing the entry of moisture into the vibration space 10 is improved. SiO 2 is also excellent in heat resistance. For example, SiO 2 is superior in heat resistance than the resin constituting the cover 5. Therefore, it is difficult to deform even under high temperature and high humidity, and the effect of fixing reinforcement to the first main surface 3a (protective layer 25) of the frame portion 35 is improved.

ＳＡＷ装置１は、ＳＡＷ素子１１に積層される保護層２５を更に有し、絶縁膜４３は、保護層２５と同一の材料により形成され、保護層２５に接続されている。従って、ＳＡＷ素子１１の保護が一層確実になされる。すなわち、保護層２５によりＳＡＷ素子１１が直接的に保護されるとともに、絶縁膜４３が同一材料である保護層２５に接続されることにより、絶縁膜４３の第１主面３ａに対する密着性が向上する。   The SAW device 1 further includes a protective layer 25 laminated on the SAW element 11, and the insulating film 43 is formed of the same material as the protective layer 25 and is connected to the protective layer 25. Therefore, the protection of the SAW element 11 is further ensured. That is, the SAW element 11 is directly protected by the protective layer 25, and the insulating film 43 is connected to the protective layer 25 made of the same material, thereby improving the adhesion of the insulating film 43 to the first main surface 3a. To do.

ＳＡＷ装置１は、第１主面３ａに立てて設けられ、枠部３５及び蓋部３７を貫通する端子７を更に有する。絶縁膜４３は、端子７が貫通する枠部３５の孔部３５ｈの内周面から孔部３５ｈの内側の第１主面３ａ上にかけても形成されている。従って、カバー５の固定の補強がなされ、また、孔部５ｈから振動空間１０への水分などの侵入が抑制される。さらに、絶縁膜４３は、孔部３５ｈの凹凸を緩和することから、下地層３９の均一厚さの成膜を容易化可能である。また、孔部３５ｈが第１主面３ａ側ほど拡径する場合に、孔部３５ｈの内周面の傾斜を緩和することから、下地層３９の成膜を容易化可能である。   The SAW device 1 further includes a terminal 7 provided upright on the first main surface 3 a and penetrating the frame portion 35 and the lid portion 37. The insulating film 43 is also formed from the inner peripheral surface of the hole portion 35h of the frame portion 35 through which the terminal 7 penetrates to the first main surface 3a inside the hole portion 35h. Therefore, fixing of the cover 5 is reinforced, and intrusion of moisture and the like from the hole 5h into the vibration space 10 is suppressed. Furthermore, since the insulating film 43 relaxes the unevenness of the hole 35h, it is possible to easily form the base layer 39 with a uniform thickness. Further, when the diameter of the hole 35h is increased toward the first main surface 3a, the inclination of the inner peripheral surface of the hole 35h is alleviated, so that the film formation of the base layer 39 can be facilitated.

絶縁膜４３は、枠部３５の内壁面から枠部３５と蓋部３７との間に延在している。換言すれば、絶縁膜４３は、枠部３５の内壁面から蓋部３７の下面にかけて形成され、枠部３５と蓋部３７との間を塞いでいる。従って、枠部３５と蓋部３７との間から振動空間１０へ水分などが侵入することが抑制される。   The insulating film 43 extends between the frame portion 35 and the lid portion 37 from the inner wall surface of the frame portion 35. In other words, the insulating film 43 is formed from the inner wall surface of the frame portion 35 to the lower surface of the lid portion 37, and closes the space between the frame portion 35 and the lid portion 37. Accordingly, moisture and the like are prevented from entering the vibration space 10 from between the frame portion 35 and the lid portion 37.

絶縁膜４３は、枠部３５と蓋部３７との間から枠部３５の外壁面３５ｂに延在し、さらに、枠部３５の外側の第１主面３ａ上に延在している。従って、枠部３５の外側において、蓋部３７の下面から第１主面３ａ側まで絶縁膜４３が配置され、蓋部３７と枠部３５との間及び枠部３５と第１主面３ａとの間から水分等が侵入することが抑制される。また、枠部３５の内側と外側とで絶縁膜４３が設けられるから、絶縁膜４３の密着力は、内側と外側とで均等に作用し、内部応力が安定する。   The insulating film 43 extends from between the frame portion 35 and the lid portion 37 to the outer wall surface 35 b of the frame portion 35, and further extends on the first main surface 3 a outside the frame portion 35. Accordingly, the insulating film 43 is disposed outside the frame portion 35 from the lower surface of the lid portion 37 to the first main surface 3a side, between the lid portion 37 and the frame portion 35, and between the frame portion 35 and the first main surface 3a. Intrusion of moisture and the like from the gap is suppressed. Further, since the insulating film 43 is provided on the inner side and the outer side of the frame portion 35, the adhesion force of the insulating film 43 acts equally on the inner side and the outer side, and the internal stress is stabilized.

ＳＡＷ装置１は、第１主面３ａに設けられ、ＳＡＷ素子に接続された中間配線２９と、中間配線２９上に設けられた絶縁体２１と、絶縁体２１上に設けられ、中間配線２９と第１立体配線部３２Ａを構成する第２グランド配線３３ｂとを更に有する。第１立体配線部３２Ａは、枠部３５の枠内に配置されており、絶縁膜４３は、立体配線部３２Ａを覆っている。   The SAW device 1 is provided on the first main surface 3a and is connected to the SAW element, the intermediate wiring 29, the insulator 21 provided on the intermediate wiring 29, the insulator 21 provided on the intermediate wiring 29, It further has a second ground wiring 33b constituting the first three-dimensional wiring portion 32A. The first three-dimensional wiring portion 32A is arranged in the frame of the frame portion 35, and the insulating film 43 covers the three-dimensional wiring portion 32A.

従って、枠部３５が、比較的高さのある第１立体配線部３２Ａに積層されることが避けられ、基板３の第１主面３ａと枠部３５と間に隙間が生じることが抑制される。また、相対的に塩素・硫黄等の腐食性物質が集まりやすい第１立体配線部３２Ａを絶縁膜４３により覆うことにより、ＳＡＷ素子１１の腐食が抑制される。なお、立体配線部３２の周辺において腐食性物質が集まりやすい原因は、必ずしも明らかではないが、例えば、第２導電層２３をパターニングするときのフォトレジスト（硫黄）が、立体配線部３２の段差に起因して完全に除去されずに残ることなどが考えられる。   Therefore, the frame portion 35 is prevented from being stacked on the first solid wiring portion 32A having a relatively high height, and a gap is suppressed from being generated between the first main surface 3a of the substrate 3 and the frame portion 35. The Further, by covering the first three-dimensional wiring portion 32A, which is relatively easy to collect corrosive substances such as chlorine and sulfur, with the insulating film 43, the corrosion of the SAW element 11 is suppressed. The reason why corrosive substances are likely to gather around the three-dimensional wiring portion 32 is not necessarily clear. However, for example, a photoresist (sulfur) when patterning the second conductive layer 23 forms a step in the three-dimensional wiring portion 32. It can be considered that it remains without being completely removed.

本実施形態のＳＡＷ装置１の製造方法は、以下の工程を有している。基板３の第１主面３ａにＳＡＷ素子１１を形成する工程（図８（ａ））。第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲む枠部３５を形成する工程（図８（ｃ）及び図８（ｄ））。枠部３５の内壁面３５ａから枠部の内側の第１主面３ａ上にかけて絶縁膜４３を形成する工程（図９（ｂ）及び図９（ｃ））。枠部３５を塞ぐ蓋部３７を形成する工程（図１０（ａ））。   The manufacturing method of the SAW device 1 of the present embodiment includes the following steps. A step of forming the SAW element 11 on the first main surface 3a of the substrate 3 (FIG. 8A). A step of forming a frame portion 35 surrounding the SAW element 11 in a plan view of the first main surface 3a (FIGS. 8C and 8D). A step of forming an insulating film 43 from the inner wall surface 35a of the frame portion 35 to the first main surface 3a inside the frame portion (FIGS. 9B and 9C). A step of forming a lid portion 37 that closes the frame portion 35 (FIG. 10A).

従って、枠部３５、絶縁膜４３及び蓋部３７を順次形成する簡便な製造工程により、絶縁膜４３を、枠部３５の内壁面３５ａから枠部３５の枠内の第１主面３ａ上にかけて形成することができる。   Therefore, the insulating film 43 is applied from the inner wall surface 35a of the frame portion 35 to the first main surface 3a in the frame of the frame portion 35 by a simple manufacturing process in which the frame portion 35, the insulating film 43, and the lid portion 37 are sequentially formed. Can be formed.

なお、第１の実施形態において、ＳＡＷ素子１１は本発明の弾性波素子の一例である。中間配線２９及び第２グランド配線３３ｂの組み合わせ、又は、出力配線３１及び第３グランド配線３３ｃの組み合わせは、本発明の第１配線及び第２配線の一例である。   In the first embodiment, the SAW element 11 is an example of an acoustic wave element of the present invention. The combination of the intermediate wiring 29 and the second ground wiring 33b or the combination of the output wiring 31 and the third ground wiring 33c is an example of the first wiring and the second wiring of the present invention.

＜第２の実施形態＞
図１１は、第２の実施形態のＳＡＷ装置１０１を示す、第１の実施形態の図３に相当する平面図である。 <Second Embodiment>
FIG. 11 is a plan view corresponding to FIG. 3 of the first embodiment, showing the SAW device 101 of the second embodiment.

ＳＡＷ装置１０１においては、２点鎖線ＢＬで示されるように、第１立体配線部３２Ａは、第１振動空間１１０Ａ内に配置されていない。そして、第１立体配線部３２Ａには、枠部１３５が積層されている。具体的には、枠部１３５の仕切壁１３５ｃは、第１の実施形態の枠部３５の仕切壁３５ｃよりも幅が大きく形成されており、第１立体配線部３２Ａに積層されている。   In the SAW device 101, as indicated by a two-dot chain line BL, the first three-dimensional wiring portion 32A is not disposed in the first vibration space 110A. A frame portion 135 is laminated on the first three-dimensional wiring portion 32A. Specifically, the partition wall 135c of the frame part 135 is formed to be wider than the partition wall 35c of the frame part 35 of the first embodiment, and is stacked on the first three-dimensional wiring part 32A.

図１２は、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線における断面図であり、第１の実施形態の図７に相当する断面図である。   12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII in FIG. 11, and corresponds to FIG. 7 of the first embodiment.

第１の実施形態と同様に、第１立体配線部３２Ａにおいては、第１導電層１９（中間配線２９）、保護層２５、絶縁体２１、第２導電層２３（第２グランド配線３３ｂ）が順に積層されている。しかし、第１の実施形態とは異なり、第１立体配線部３２Ａ上には枠部１３５が積層されている。   Similar to the first embodiment, in the first three-dimensional wiring portion 32A, the first conductive layer 19 (intermediate wiring 29), the protective layer 25, the insulator 21, and the second conductive layer 23 (second ground wiring 33b) are provided. They are stacked in order. However, unlike the first embodiment, the frame part 135 is laminated on the first three-dimensional wiring part 32A.

枠部１３５は、第１の実施形態と同様に、絶縁膜４３に覆われている。絶縁膜４３は、第１の実施形態と同様に、ＳＡＷ素子１１及びパッド１３の配置位置以外の、第１主面３ａの全面に亘って設けられている。従って、絶縁膜４３は、枠部１３５の、第１立体配線部３２Ａと第１ＳＡＷ素子１１Ａとの間に位置する内壁面３５ａから枠部１３５の枠内の第１主面３ａ上にかけて形成されている。   The frame part 135 is covered with the insulating film 43 as in the first embodiment. As in the first embodiment, the insulating film 43 is provided over the entire surface of the first main surface 3a other than the positions where the SAW elements 11 and the pads 13 are arranged. Therefore, the insulating film 43 is formed from the inner wall surface 35a of the frame portion 135 located between the first three-dimensional wiring portion 32A and the first SAW element 11A to the first main surface 3a in the frame of the frame portion 135. Yes.

絶縁膜４３が設けられない場合には、枠部は、第１主面３ａとの間に隙間が生じることを抑制するために、第１立体配線部３２Ａに積層されることが避けられることが好ましい。しかし、本実施形態では、絶縁膜４３により、枠部１３５との固定の補強がなされ、また、隙間からの水分等の侵入が抑制されることから、枠部１３５を第１立体配線部３２Ａに積層することが可能となる。その結果、第１振動空間１１０Ａは、第１の実施形態の第１振動空間１０Ａよりも小さくなり、カバー１０５の強度は、第１の実施形態のカバー５の強度よりも高くなる。また、第１の実施形態と同様に、絶縁膜４３により、第１立体配線部３２Ａの周囲に集まった腐食性物質による第１ＳＡＷ素子１１Ａの腐食が抑制される。   When the insulating film 43 is not provided, the frame portion may be prevented from being stacked on the first three-dimensional wiring portion 32A in order to suppress a gap from being formed between the first main surface 3a. preferable. However, in the present embodiment, the insulating film 43 reinforces the fixation with the frame portion 135, and also suppresses intrusion of moisture or the like from the gap, so that the frame portion 135 becomes the first three-dimensional wiring portion 32A. It becomes possible to laminate. As a result, the first vibration space 110A is smaller than the first vibration space 10A of the first embodiment, and the strength of the cover 105 is higher than the strength of the cover 5 of the first embodiment. Further, similarly to the first embodiment, the insulating film 43 suppresses the corrosion of the first SAW element 11A due to the corrosive substance collected around the first three-dimensional wiring portion 32A.

＜第３の実施形態＞
図１３は、第３の実施形態のＳＡＷ装置２０１の要部を示す、第１の実施形態の図５に相当する断面図である。 <Third Embodiment>
FIG. 13 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 5 of the first embodiment, showing the main part of the SAW device 201 of the third embodiment.

ＳＡＷ装置２０１の枠部２３５は、第１主面３ａ側ほど幅広になるように形成されている。従って、内壁面２３５ａは、第１主面３ａ側ほど枠部２３５の内側に位置するように傾斜している。同様に、外壁面２３５ｂは、第１主面３ａ側ほど枠部２３５の外側に位置するように傾斜している。   The frame part 235 of the SAW device 201 is formed so as to be wider toward the first main surface 3a side. Accordingly, the inner wall surface 235a is inclined so as to be located inside the frame portion 235 toward the first main surface 3a side. Similarly, the outer wall surface 235b is inclined so as to be positioned on the outer side of the frame portion 235 toward the first main surface 3a side.

このような枠部２３５は、例えば、ポジ型のフォトリソグラフィーにより枠部３５のパターニングが行われることにより形成される。この場合、第１主面３ａ側ほど、光が散乱して枠部２３５の溶解が十分になされず、枠部２３５は、第１主面３ａ側ほど幅広となる。また、徐々に拡径若しくは縮径する光を用いてフォトリソグラフィーを行ったり、第１主面３ａに対して斜めに入射する光を用いてフォトリソグラフィーを行ったりすることによっても、傾斜した内壁面２３５ａ等を形成可能である。   Such a frame part 235 is formed, for example, by patterning the frame part 35 by positive photolithography. In this case, the light is scattered toward the first main surface 3a side and the frame portion 235 is not sufficiently dissolved, and the frame portion 235 becomes wider toward the first main surface 3a side. The inclined inner wall surface can also be obtained by performing photolithography using light that gradually increases or decreases in diameter, or performing photolithography using light that is incident obliquely on the first main surface 3a. 235a and the like can be formed.

本実施形態によれば、内壁面２３５ａは、第１の実施形態の内壁面３５ａに比較して、上方側を向いていることから、絶縁膜４３が良好に成膜されやすくなる。例えば、内壁面２３５ａにおいて厚膜が薄くなってしまうことが抑制される。また、絶縁膜４３の内壁面２３５ａに形成されている部分の張力は、絶縁膜４３の第１主面３ａに形成されている部分に対して、第１主面３ａに傾斜した方向に作用する。従って、当該張力が第１主面３ａに直交する方向に作用する場合に比較して、絶縁膜４３の剥がれが抑制されることが期待される。   According to the present embodiment, since the inner wall surface 235a faces upward as compared with the inner wall surface 35a of the first embodiment, the insulating film 43 is easily formed favorably. For example, it is possible to prevent the thick film from becoming thin on the inner wall surface 235a. Further, the tension of the portion formed on the inner wall surface 235a of the insulating film 43 acts in the direction inclined to the first main surface 3a with respect to the portion formed on the first main surface 3a of the insulating film 43. . Therefore, it is expected that the peeling of the insulating film 43 is suppressed as compared with the case where the tension acts in the direction orthogonal to the first main surface 3a.

＜第４の実施形態＞
図１４（ａ）〜図１４（ｃ）は、第４の実施形態のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。 <Fourth Embodiment>
FIG. 14A to FIG. 14C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the SAW device of the fourth embodiment.

図１４（ａ）は、第１の実施形態の図８（ｄ）に対応する。すなわち、第４の実施形態においても、第１の実施形態の図８（ａ）〜図８（ｄ）を参照して説明した工程が行われ、図１４（ａ）に示す状態のＳＡＷ装置が形成される。   FIG. 14A corresponds to FIG. 8D of the first embodiment. That is, also in the fourth embodiment, the process described with reference to FIGS. 8A to 8D of the first embodiment is performed, and the SAW device in the state shown in FIG. It is formed.

なお、第１の実施形態では、保護層２５が第１導電層１９よりも薄く形成されている場合を例示したが、第４の実施形態では、保護層２５が第１導電層１９よりも厚く形成されている場合を例示している。   In the first embodiment, the case where the protective layer 25 is formed thinner than the first conductive layer 19 is exemplified. However, in the fourth embodiment, the protective layer 25 is thicker than the first conductive layer 19. The case where it is formed is illustrated.

次に、図１４（ｂ）に示すように、絶縁膜４３となる薄膜が形成される。薄膜の形成方法は第１の実施形態と同様である。ただし、第１の実施形態では、絶縁膜４３の形成前に、犠牲層５１が形成されたのに対し、本実施形態では、犠牲層５１は形成されない。   Next, as shown in FIG. 14B, a thin film to be the insulating film 43 is formed. The method for forming the thin film is the same as in the first embodiment. However, in the first embodiment, the sacrificial layer 51 is formed before the insulating film 43 is formed, whereas in the present embodiment, the sacrificial layer 51 is not formed.

その後、図１４（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィーにより薄膜の一部を除去する。具体的には、ＳＡＷ素子１１及びパッド１３上において薄膜を除去する。これにより、絶縁膜４３が形成される。図１４（ｃ）の後、図１０（ａ）〜図１０（ｃ）を参照して説明した工程が行われる。   Thereafter, as shown in FIG. 14C, a part of the thin film is removed by photolithography. Specifically, the thin film is removed on the SAW element 11 and the pad 13. Thereby, the insulating film 43 is formed. After FIG. 14C, the steps described with reference to FIGS. 10A to 10C are performed.

本実施形態によれば、犠牲層５１を設ける必要がないことから、第１の実施形態に比較して、少ない工程数でＳＡＷ装置を作製することができる。   According to the present embodiment, since it is not necessary to provide the sacrificial layer 51, the SAW device can be manufactured with a smaller number of processes than in the first embodiment.

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。   The present invention is not limited to the above embodiment, and may be implemented in various aspects.

弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。弾性波装置において、保護層（２５）は省略されてもよい。端子は、枠部を貫通するものに限定されず、例えば、枠部の外側に設けられるものであってもよい。   The elastic wave device is not limited to the SAW device. For example, the acoustic wave device may be a piezoelectric thin film resonator. In the acoustic wave device, the protective layer (25) may be omitted. A terminal is not limited to what penetrates a frame part, For example, you may provide in the outer side of a frame part.

１…ＳＡＷ装置（弾性波装置）、３…基板、３ａ…第１主面（主面）、５…カバー、１１…ＳＡＷ素子（弾性波素子）、３５…枠部、３７…蓋部、４３…絶縁膜。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... SAW apparatus (elastic wave apparatus), 3 ... Board | substrate, 3a ... 1st main surface (main surface), 5 ... Cover, 11 ... SAW element (elastic wave element), 35 ... Frame part, 37 ... Cover part, 43 ... insulating film.

Claims (10)

基板と、
前記基板の主面に設けられた弾性波素子と、
前記弾性波素子に積層される保護層と、
前記主面の平面視において前記弾性波素子を囲む枠部と、前記枠部の開口を塞ぐ蓋部とを有するカバーと、
前記枠部の内壁面から前記枠部の枠内の前記基板の主面上にかけて形成され、前記主面上において前記保護層に積層された絶縁膜と、
を有する弾性波装置。 A substrate,
An acoustic wave element provided on a main surface of the substrate;
A protective layer laminated on the acoustic wave element;
A cover having a frame portion that surrounds the acoustic wave element in a plan view of the main surface, and a lid portion that closes an opening of the frame portion;
An insulating film formed on the main surface of the substrate in the frame of the frame portion from the inner wall surface of the frame portion, and laminated on the protective layer on the main surface;
An elastic wave device. 前記絶縁膜はＳｉＯ２からなる
請求項１に記載の弾性波装置。 The elastic wave device according to claim 1, wherein the insulating film is made of SiO 2 . 前記絶縁膜は、前記保護層と同一の材料により形成されている
請求項１又は２に記載の弾性波装置。 Before Symbol insulating film, the elastic wave device according to claim 1 or 2 are formed of the same material as the protective layer. 前記主面に立てて設けられ、前記枠部及び前記蓋部を貫通する端子を更に有し、
前記絶縁膜は、前記端子が貫通する前記枠部の孔部の内周面から前記孔部の内側の前記主面上にかけても形成されている
請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。 The terminal further includes a terminal provided upright on the main surface and penetrating the frame part and the lid part,
The said insulating film is formed also from the inner peripheral surface of the hole part of the said frame part which the said terminal penetrates to the said main surface inside the said hole part. Elastic wave device. 前記絶縁膜は、前記枠部の内壁面から前記枠部と前記蓋部との間に延在している
請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。 The elastic wave device according to claim 1, wherein the insulating film extends from an inner wall surface of the frame portion between the frame portion and the lid portion. 前記絶縁膜は、前記枠部と前記蓋部との間から前記枠部の外壁面に延在し、さらに、前記枠部の外側の前記基板の主面上に延在している
請求項５に記載の弾性波装置。 The insulating film extends from between the frame portion and the lid portion to an outer wall surface of the frame portion, and further extends on a main surface of the substrate outside the frame portion. The elastic wave device described in 1. 基板と、
前記基板の主面に設けられた弾性波素子と、
前記主面の平面視において前記弾性波素子を囲む枠部と、前記枠部の開口を塞ぐ蓋部とを有するカバーと、
前記枠部の内壁面から前記枠部の枠内の前記基板の主面上にかけて形成された絶縁膜と、
前記主面に設けられ、前記弾性波素子に接続された第１配線と、
前記第１配線上に設けられた絶縁体と、
前記絶縁体上に設けられ、前記第１配線と立体配線部を構成する第２配線と、
を有し、
前記立体配線部は、前記枠部の枠内に配置されており、
前記絶縁膜は、前記立体配線部を覆っている
弾性波装置。 A substrate,
An acoustic wave element provided on a main surface of the substrate;
A cover having a frame portion that surrounds the acoustic wave element in a plan view of the main surface, and a lid portion that closes an opening of the frame portion;
An insulating film formed from the inner wall surface of the frame portion to the main surface of the substrate in the frame of the frame portion;
A first wiring provided on the main surface and connected to the acoustic wave element;
An insulator provided on the first wiring;
A second wiring which is provided on the insulator and forms the three-dimensional wiring portion with the first wiring;
I have a,
The three-dimensional wiring portion is disposed within a frame of the frame portion,
The insulating film covers the three-dimensional wiring part.
Elastic wave device. 基板と、
前記基板の主面に設けられた弾性波素子と、
前記主面の平面視において前記弾性波素子を囲む枠部と、前記枠部の開口を塞ぐ蓋部とを有するカバーと、
前記枠部の内壁面から前記枠部の枠内の前記基板の主面上にかけて形成された絶縁膜と、
前記主面に設けられ、前記弾性波素子に接続された第１配線と、
前記第１配線上に設けられた絶縁体と、
前記絶縁体上に設けられ、前記第１配線と立体配線部を構成する第２配線と、
を有し、
前記枠部は、前記立体配線部に積層されており、
前記絶縁膜は、前記枠部の、前記立体配線部と前記弾性波素子との間に位置する内壁面から前記枠部の枠内の前記基板の主面上にかけて形成されている
弾性波装置。 A substrate,
An acoustic wave element provided on a main surface of the substrate;
A cover having a frame portion that surrounds the acoustic wave element in a plan view of the main surface, and a lid portion that closes an opening of the frame portion;
An insulating film formed from the inner wall surface of the frame portion to the main surface of the substrate in the frame of the frame portion;
A first wiring provided on the main surface and connected to the acoustic wave element;
An insulator provided on the first wiring;
A second wiring which is provided on the insulator and forms the three-dimensional wiring portion with the first wiring;
I have a,
The frame part is stacked on the three-dimensional wiring part,
The insulating film is formed from an inner wall surface of the frame portion located between the three-dimensional wiring portion and the elastic wave element to a main surface of the substrate in the frame of the frame portion.
Elastic wave device. 前記枠部の内壁面は、前記基板の主面側ほど幅広になるように傾斜している
請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波装置。 The elastic wave device according to any one of claims 1 to 8, wherein an inner wall surface of the frame portion is inclined so as to become wider toward a main surface side of the substrate. 基板の主面に弾性波素子を形成する工程と、
前記弾性波素子に積層される保護層を形成する工程と、
前記主面の平面視において前記弾性波素子を囲む枠部を形成する工程と、
前記枠部の内壁面から前記枠部の枠内の前記基板の主面上にかけて配置され、前記主面上において前記保護層に積層される絶縁膜を形成する工程と、
前記枠部を塞ぐ蓋部を形成する工程と、
を有する弾性波装置の製造方法。 Forming an acoustic wave element on the principal surface of the substrate;
Forming a protective layer laminated on the acoustic wave device;
Forming a frame portion surrounding the acoustic wave element in a plan view of the main surface;
A step of forming an insulating film that is disposed over the main surface of the substrate in the frame of the frame portion from the inner wall surface of the frame portion and is laminated on the protective layer on the main surface;
Forming a lid portion for closing the frame portion;
The manufacturing method of the elastic wave apparatus which has this.
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