JP2007259430A - Surface acoustic wave filter, antenna duplexer, high frequency module using the same, and communication device - Google Patents

Surface acoustic wave filter, antenna duplexer, high frequency module using the same, and communication device Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface acoustic wave filter which is small-sized and improved in intra-band characteristics, and an antenna duplexer. <P>SOLUTION: A surface acoustic wave filter 100 is constituted of a first longitudinal mode type filter 107 and a second longitudinal mode type filter 113 formed on a piezoelectric substrate 101. On wiring electrodes 120, 121, insulating layers 122, 123 are formed and other electrode fingers of IDT electrodes 103, 109 are connected by a wiring electrode 124 and further connected to electrode pads 126, 127 connected to a ground terminal GND by a wiring electrode 125 formed in an upper portion and electrically connected. In the electrode width of the wiring electrode 125, the electrode width in a portion where the wiring electrode 121 and the wiring electrode 125 cross each other in a three-dimensional manner via the insulating layer 123 is configured small in comparison with the electrode width of the other portion. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、携帯電話等の通信機器に用いられる小型で、帯域内特性に優れる弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器に関する。また、本発明はそのような弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器を有する高周波モジュール、及び通信機器に関する。   The present invention relates to a surface acoustic wave filter and an antenna duplexer that are small in size and excellent in in-band characteristics used in communication equipment such as a mobile phone. The present invention also relates to such a surface acoustic wave filter, a high-frequency module having an antenna duplexer, and a communication device.

近年、通信機器の発展に伴い、特に、携帯電話等に使用されるデバイスの高性能化、小型化が期待されている。携帯電話等では、フィルタとして、弾性表面波フィルタが広く用いられており、低ロス化、及び高減衰化に加え、小型化が期待されている。   In recent years, with the development of communication equipment, high performance and downsizing of devices used for mobile phones are expected. In mobile phones and the like, surface acoustic wave filters are widely used as filters, and in addition to low loss and high attenuation, miniaturization is expected.

以下、従来の弾性表面波フィルタについて説明する。図10に、従来の弾性表面波フィルタの構成を示す。弾性表面波フィルタ1000は、圧電基板1001上に、IDT電極1002、1003、1004と反射器電極1005、1006を弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置してなる第1の縦モード型フィルタ1007と、IDT電極1008、1009、1010と反射器電極1011、1012を弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置してなる第1の縦モード型フィルタ1013とにより構成される。第1の縦モード型フィルタ1007において、IDT電極1002、1003、1004の一方の電極指は、電極パッド1014、1015、1016に配線されてそれぞれ接地端子GND、入力端子IN、接地端子GNDに接続される。第2の縦モード型フィルタ1013において、IDT電極1008、1009、1010の一方の電極指は、電極パッド1017、1018、1019に配線されてそれぞれ接地端子GND、出力端子OUT、接地端子GNDに接続される。また、IDT電極1002の他方の電極指とIDT電極1008の他方の電極指とは配線電極1020により接続され、IDT電極1004の他方の電極指とIDT電極1010の他方の電極指とは配線電極1021により接続さる。IDT電極1003の他方の電極指とIDT電極1009の他方の電極指とは電極パッド1022に配線されて接地端子GNDに接続される。以上の構成とすることにより、第1、及び第2の縦モード型フィルタ1007、1013とが縦続接続された弾性表面波フィルタ1000が構成される。   Hereinafter, a conventional surface acoustic wave filter will be described. FIG. 10 shows a configuration of a conventional surface acoustic wave filter. A surface acoustic wave filter 1000 includes a first longitudinal mode filter 1007 in which IDT electrodes 1002, 1003, and 1004 and reflector electrodes 1005 and 1006 are arranged close to each other along a propagation direction of a surface acoustic wave on a piezoelectric substrate 1001. And IDT electrodes 1008, 1009 and 1010 and reflector electrodes 1011 and 1012 are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave. In the first longitudinal mode filter 1007, one electrode finger of the IDT electrodes 1002, 1003, 1004 is wired to the electrode pads 1014, 1015, 1016 and connected to the ground terminal GND, the input terminal IN, and the ground terminal GND, respectively. The In the second longitudinal mode filter 1013, one electrode finger of the IDT electrodes 1008, 1009, 1010 is wired to the electrode pads 1017, 1018, 1019 and connected to the ground terminal GND, the output terminal OUT, and the ground terminal GND, respectively. The The other electrode finger of the IDT electrode 1002 and the other electrode finger of the IDT electrode 1008 are connected by the wiring electrode 1020, and the other electrode finger of the IDT electrode 1004 and the other electrode finger of the IDT electrode 1010 are connected to the wiring electrode 1021. Connect by. The other electrode finger of the IDT electrode 1003 and the other electrode finger of the IDT electrode 1009 are wired to the electrode pad 1022 and connected to the ground terminal GND. With the above configuration, a surface acoustic wave filter 1000 in which the first and second longitudinal mode filters 1007 and 1013 are cascade-connected is configured.

また、弾性表面波フィルタの小型化のために、配線電極の一部を互いに、絶縁体を挟んで立体交差させる技術が開示されている(例えば、特許文献1参照)。   In addition, a technique for three-dimensionally intersecting part of wiring electrodes with an insulator interposed therebetween is disclosed in order to reduce the size of the surface acoustic wave filter (see, for example, Patent Document 1).

図11に、従来の弾性表面波フィルタの構成1100を示す。第1、第2の縦モード型フィルタ1007、1013とは配線電極1020、1021により縦続接続されている。さらに、配線電極1020、1021の上には、絶縁層1101、1102が設けられており、IDT電極1003、1009の他方の電極指は、配線電極1103により接続され、さらに上部に形成された配線電極1104により、接地端子GNDに接続される電極パッド1105、1106に接続される。このとき、図12に、A−A’の断面図を示すように、配線電極1021と配線電極1104とは、絶縁層1102を介して立体交差する構成となる。以上の構成とすることにより、第1、及び第2の縦モード型フィルタ1007、1013とが縦続接続された弾性表面波フィルタ1100が構成される。
特開2004−282707号公報
FIG. 11 shows a configuration 1100 of a conventional surface acoustic wave filter. The first and second longitudinal mode filters 1007 and 1013 are cascade-connected by wiring electrodes 1020 and 1021. Further, insulating layers 1101 and 1102 are provided on the wiring electrodes 1020 and 1021, and the other electrode fingers of the IDT electrodes 1003 and 1009 are connected by the wiring electrode 1103 and further formed on the upper part. By 1104, it is connected to the electrode pads 1105 and 1106 connected to the ground terminal GND. At this time, as shown in the cross-sectional view along AA ′ in FIG. 12, the wiring electrode 1021 and the wiring electrode 1104 are three-dimensionally crossed with the insulating layer 1102 interposed therebetween. With the above configuration, the surface acoustic wave filter 1100 in which the first and second longitudinal mode filters 1007 and 1013 are cascade-connected is configured.
JP 2004-282707 A

しかしながら、前記従来の技術では、第1と第2の弾性表面波フィルタとの間に電極パッドが存在し、弾性表面波フィルタのサイズが大きくなるという課題があった。また、配線電極を立体交差させた場合には、配線電極同士で容量結合が生じ、通過帯域特性が劣化するという課題があった。   However, the conventional technique has a problem in that an electrode pad exists between the first and second surface acoustic wave filters, and the size of the surface acoustic wave filter is increased. Further, when the wiring electrodes are three-dimensionally crossed, there is a problem that capacitive coupling occurs between the wiring electrodes and the passband characteristics deteriorate.

本発明は、前記従来の課題を解決するもので、小型で、帯域内特性に優れる弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器を提供することを目的とする。また、本発明はそのような弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器を用いて、小型で高性能な高周波モジュール、及び通信機器を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-described conventional problems, and an object thereof is to provide a surface acoustic wave filter and an antenna duplexer that are small in size and excellent in in-band characteristics. Another object of the present invention is to provide a small and high-performance high-frequency module and communication equipment using such a surface acoustic wave filter and antenna duplexer.

前記従来の課題を解決するために、本発明の弾性表面波フィルタは、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された複数のIDT電極と、前記複数のIDT電極にそれぞれ接続される第1、及び第2の配線電極とを備えた弾性表面波フィルタであって、前記第1、及び前記第2の配線電極とは絶縁層を介して立体交差する構成であって、前記第1または前記第2の配線電極の少なくとも一方において、立体交差する部分における電極幅が他の部分の電極幅よりも小さい構成とすることを特徴とする弾性表面波フィルタである。   In order to solve the conventional problems, a surface acoustic wave filter according to the present invention includes a piezoelectric substrate, a plurality of IDT electrodes formed on the piezoelectric substrate, and first and second IDT electrodes connected to the plurality of IDT electrodes, respectively. And a second wiring electrode, wherein the first and second wiring electrodes are three-dimensionally crossed via an insulating layer, the first or the second wiring electrode In the surface acoustic wave filter, at least one of the two wiring electrodes has a configuration in which an electrode width at a three-dimensionally intersecting portion is smaller than an electrode width of another portion.

本構成によって、小型で、優れた通過帯域特性を有する弾性表面波フィルタを実現することができる。   With this configuration, a surface acoustic wave filter that is small and has excellent passband characteristics can be realized.

上記弾性表面波フィルタにおいては、前記第1または前記第2の配線電極の少なくとも一方が接地端子に接続されることが好ましい。   In the surface acoustic wave filter, it is preferable that at least one of the first and second wiring electrodes is connected to a ground terminal.

上記構成によって、小型で、優れた通過帯域特性を有する弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, a surface acoustic wave filter having a small size and excellent passband characteristics can be realized.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記複数のIDT電極が、弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置されていることが好ましい。   In the surface acoustic wave filter, it is preferable that the plurality of IDT electrodes are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave.

上記構成によって、小型で、優れた通過帯域特性を有する縦モード型の弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, a longitudinal mode type surface acoustic wave filter having a small size and excellent passband characteristics can be realized.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、複数のIDT電極を弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置される第1の弾性表面波フィルタと、複数のIDT電極を弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置される第2の弾性表面波フィルタとを備え、前記第1または第2の配線電極の少なくとも一方により、前記第1、及び第2の弾性表面波フィルタが縦続接続され、前記第1または第2の配線電極の他方により、前記第1または第2の弾性表面波フィルタにおけるIDT電極が接地されることが好ましい。   Further, in the surface acoustic wave filter, the first surface acoustic wave filter in which a plurality of IDT electrodes are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave, and the plurality of IDT electrodes along the propagation direction of the surface acoustic wave. And the first and second surface acoustic wave filters are cascade-connected by at least one of the first and second wiring electrodes, and the first and second surface acoustic wave filters are arranged in close proximity to each other. Alternatively, the IDT electrode in the first or second surface acoustic wave filter is preferably grounded by the other of the second wiring electrodes.

上記構成によって、小型で、優れた通過帯域特性を有する縦続接続された縦モード型の弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, it is possible to realize a longitudinal mode type surface acoustic wave filter that is small in size and has excellent passband characteristics.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記複数のIDT電極は、それぞれの両側に反射器電極が近接配置された複数の弾性表面波共振器であって、前記複数の弾性表面波共振器を梯子型、もしくは格子型に接続されていることが好ましい。   Further, in the surface acoustic wave filter, the plurality of IDT electrodes are a plurality of surface acoustic wave resonators in which reflector electrodes are arranged close to each side, and the plurality of surface acoustic wave resonators are ladders. It is preferably connected to a mold or a grid pattern.

上記構成によって、小型で、優れた通過帯域特性を有する梯子型、もしくは格子型の弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, a ladder-type or lattice-type surface acoustic wave filter having a small size and excellent passband characteristics can be realized.

また、前記従来の課題を解決するために、本発明の弾性表面波フィルタは、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された複数のIDT電極と複数の反射器電極と、前記複数のIDT電極にそれぞれ接続される第1、及び第2の配線電極とを備えた弾性表面波フィルタであって、前記第1、及び前記第2の配線電極とは絶縁層を介して立体交差する構成であって、前記第1または前記第2の配線電極の少なくとも一方は、前記圧電基板上に形成される電極パッドに接続され、前記反射器電極は、ストリップラインの長さが交差幅よりも短い領域を有する構成であり、前記電極パッドの一部は前記領域に配置されることを特徴とする弾性表面波フィルタである。   In order to solve the conventional problems, a surface acoustic wave filter of the present invention includes a piezoelectric substrate, a plurality of IDT electrodes formed on the piezoelectric substrate, a plurality of reflector electrodes, and the plurality of IDT electrodes. The first and second wiring electrodes are respectively connected to the first and second wiring electrodes, and the first and second wiring electrodes are three-dimensionally crossed via an insulating layer. At least one of the first or second wiring electrodes is connected to an electrode pad formed on the piezoelectric substrate, and the reflector electrode has a region where the length of the strip line is shorter than the crossing width. In the surface acoustic wave filter, a part of the electrode pad is disposed in the region.

本構成によって、小型な弾性表面波フィルタを実現することができる。   With this configuration, a small surface acoustic wave filter can be realized.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記第1または前記第2の配線電極の少なくとも一方において、立体交差する部分における電極幅が他の部分の電極幅よりも小さい構成となっていることが好ましい。   In the surface acoustic wave filter, it is preferable that at least one of the first and second wiring electrodes has a configuration in which the electrode width at the three-dimensionally intersecting portion is smaller than the electrode width of the other portion. .

上記構成によって、小型で、優れた通過帯域特性を有する弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, a surface acoustic wave filter having a small size and excellent passband characteristics can be realized.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記反射器電極が、ストリップラインの長さが交差幅方向に異なる構成とすることにより、反射器電極の重み付けが施されていることが好ましい。   In the surface acoustic wave filter, it is preferable that the reflector electrode is weighted by adopting a configuration in which the length of the strip line is different in the cross width direction.

上記構成によって、弾性表面波フィルタの設計の自由度を向上することができるものである。   With the above configuration, the degree of freedom in designing the surface acoustic wave filter can be improved.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記第1または前記第2の配線電極の少なくとも一方が接地端子に接続されることが好ましい。   In the surface acoustic wave filter, it is preferable that at least one of the first and second wiring electrodes is connected to a ground terminal.

上記構成によって、小型で、優れた通過帯域特性を有する弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, a surface acoustic wave filter having a small size and excellent passband characteristics can be realized.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記複数のIDT電極が、弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置されていることが好ましい。   In the surface acoustic wave filter, it is preferable that the plurality of IDT electrodes are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave.

上記構成によって、小型で、優れた通過帯域特性を有する縦モード型の弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, a longitudinal mode type surface acoustic wave filter having a small size and excellent passband characteristics can be realized.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、複数のIDT電極を弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置される第1の弾性表面波フィルタと、複数のIDT電極を弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置される第2の弾性表面波フィルタとを備え、前記第1または第2の配線電極の少なくとも一方により、前記第1、及び第2の弾性表面波フィルタが縦続接続され、前記第1または第2の配線電極の他方により、前記第1または第2の弾性表面波フィルタにおけるIDT電極が接地されることが好ましい。   Further, in the surface acoustic wave filter, the first surface acoustic wave filter in which a plurality of IDT electrodes are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave, and the plurality of IDT electrodes along the propagation direction of the surface acoustic wave. And the first and second surface acoustic wave filters are cascade-connected by at least one of the first and second wiring electrodes, and the first and second surface acoustic wave filters are arranged in close proximity to each other. Alternatively, the IDT electrode in the first or second surface acoustic wave filter is preferably grounded by the other of the second wiring electrodes.

上記構成によって、小型で、優れた通過帯域特性を有する縦続接続された縦モード型の弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, it is possible to realize a longitudinal mode type surface acoustic wave filter that is small in size and has excellent passband characteristics.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記第1または第2の弾性表面波フィルタにおけるIDT電極が接地される電極パッドの一部は、前記第1または第2の弾性表面波フィルタの間に配置されることが好ましい。   In the surface acoustic wave filter, a part of the electrode pad to which the IDT electrode in the first or second surface acoustic wave filter is grounded is disposed between the first or second surface acoustic wave filter. It is preferred that

上記構成によって、小型で、優れた通過帯域特性を有する縦続接続された縦モード型の弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, it is possible to realize a longitudinal mode type surface acoustic wave filter that is small in size and has excellent passband characteristics.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記複数のIDT電極は、それぞれの両側に反射器電極が近接配置された複数の弾性表面波共振器であって、前記複数の弾性表面波共振器を梯子型、もしくは格子型に接続されていることが好ましい。   Further, in the surface acoustic wave filter, the plurality of IDT electrodes are a plurality of surface acoustic wave resonators in which reflector electrodes are arranged close to each side, and the plurality of surface acoustic wave resonators are ladders. It is preferably connected to a mold or a grid pattern.

上記構成によって、小型で、優れた通過帯域特性を有する梯子型、もしくは格子型の弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, a ladder-type or lattice-type surface acoustic wave filter having a small size and excellent passband characteristics can be realized.

また、本発明のアンテナ共用器は、送信フィルタと受信フィルタとを備えたアンテナ共用器であって、前記送信フィルタまたは受信フィルタの少なくとも一方が、請求項1または6に記載の弾性表面波フィルタにより構成されていることを特徴とするアンテナ共用器である。   Moreover, the antenna duplexer of this invention is an antenna duplexer provided with the transmission filter and the reception filter, Comprising: At least one of the said transmission filter or a reception filter is a surface acoustic wave filter of Claim 1 or 6. The antenna duplexer is characterized by being configured.

上記構成によって、小型で、優れた通過帯域特性を有するアンテナ共用器を実現することができるものである。   With the above configuration, a small antenna duplexer having excellent passband characteristics can be realized.

また、本発明の高周波モジュールは、送信フィルタと受信フィルタとを備えたアンテナ共用器と、送信増幅器または受信増幅器とを備えた高周波モジュールであって、前記送信フィルタまたは受信フィルタの少なくとも一方が、請求項1または6に記載の弾性表面波フィルタにより構成されていることを特徴とする高周波モジュールである。   The high-frequency module of the present invention is a high-frequency module including an antenna duplexer including a transmission filter and a reception filter, and a transmission amplifier or a reception amplifier, and at least one of the transmission filter or the reception filter is claimed. A high-frequency module comprising the surface acoustic wave filter according to Item 1 or 6.

上記構成によって、小型で、高性能な高周波モジュールを実現することができるものである。   With the above configuration, a small and high-performance high-frequency module can be realized.

また、本発明の高周波モジュールは、送信フィルタと受信フィルタとを備えたアンテナ共用器と、切換スイッチとを備えた高周波モジュールであって、前記送信フィルタまたは受信フィルタの少なくとも一方が、請求項1または6に記載の弾性表面波フィルタにより構成されていることを特徴とするアンテナ共用器である。   The high-frequency module of the present invention is a high-frequency module including an antenna duplexer including a transmission filter and a reception filter, and a changeover switch, and at least one of the transmission filter or the reception filter is defined in claim 1 or An antenna duplexer comprising the surface acoustic wave filter according to claim 6.

上記構成によって、小型で、高性能な高周波モジュールを実現することができるものである。   With the above configuration, a small and high-performance high-frequency module can be realized.

また、本発明の通信機器は、送信フィルタと受信フィルタとを備えたアンテナ共用器と、送信増幅器と送信回路と、受信増幅器と受信回路とを備えた無線回路を有する通信機器であって、前記送信フィルタまたは受信フィルタの少なくとも一方が、請求項1または6に記載の弾性表面波フィルタにより構成されていることを特徴とする通信機器である。   The communication device of the present invention is a communication device having a radio circuit including an antenna duplexer including a transmission filter and a reception filter, a transmission amplifier and a transmission circuit, and a reception amplifier and a reception circuit, At least one of the transmission filter and the reception filter is a communication device including the surface acoustic wave filter according to claim 1 or 6.

上記構成によって、小型で、高性能な通信機器を実現することができるものである。   With the above configuration, a small and high-performance communication device can be realized.

また、上記通信機器においては、無線回路を切り換える切換スイッチを設けることが好ましい。   Moreover, in the said communication apparatus, it is preferable to provide the changeover switch which switches a radio circuit.

上記構成によって、複数の無線回路を有する通信機器を実現することができるものである。   With the above configuration, a communication device having a plurality of wireless circuits can be realized.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された複数のIDT電極と複数の反射器電極と、前記複数のIDT電極にそれぞれ接続される第1、及び第2の配線電極とを備え、前記第1、及び前記第2の配線電極とは絶縁層を介して立体交差する構成であって、前記第1の配線電極は前記複数のIDT電極と接地端子GNDを接続するための配線電極であって、前記絶縁層と圧電基板の間の層に形成されており、前記第2の配線電極は前記絶縁層の上に形成されており、前記第1の配線電極は、前記第2の配線電極と接することなく前記IDT電極と前記接地端子GNDを接続していることが好ましい。   In the surface acoustic wave filter, the piezoelectric substrate, the plurality of IDT electrodes formed on the piezoelectric substrate, the plurality of reflector electrodes, and the first and second connected to the plurality of IDT electrodes, respectively. The first and second wiring electrodes are three-dimensionally crossed via an insulating layer, and the first wiring electrode includes the plurality of IDT electrodes and a ground terminal GND. A wiring electrode for connection, which is formed in a layer between the insulating layer and the piezoelectric substrate, and the second wiring electrode is formed on the insulating layer, and the first wiring electrode Preferably, the IDT electrode and the ground terminal GND are connected without being in contact with the second wiring electrode.

上記構成により、小型で、優れた通過帯域特性を有する弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, a surface acoustic wave filter having a small size and excellent passband characteristics can be realized.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記複数のIDT電極と接地端子GNDを接続するための前記第1の配線電極が、前記絶縁層と前記圧電基板の間の層に形成されており、かつ、前記絶縁層の上に形成されている前記第2の配線電極と接することなく前記IDT電極と前記接地端子GNDを接続している構成である請求項1または6から8のいずれかに記載の弾性表面波フィルタであることが好ましい。   In the surface acoustic wave filter, the first wiring electrode for connecting the plurality of IDT electrodes and the ground terminal GND is formed in a layer between the insulating layer and the piezoelectric substrate, and 9. The structure according to claim 1, wherein the IDT electrode and the ground terminal GND are connected without being in contact with the second wiring electrode formed on the insulating layer. 10. A surface acoustic wave filter is preferable.

上記構成により、小型で、優れた通過帯域特性を有する弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, a surface acoustic wave filter having a small size and excellent passband characteristics can be realized.

本発明の弾性表面波フィルタによれば、小型で、通過帯域特性に優れる弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器を実現することができる。また、本発明の弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器を用いることにより、小型で高性能な高周波モジュール、及び通信機器を実現することができる。   According to the surface acoustic wave filter of the present invention, a surface acoustic wave filter and an antenna duplexer that are small in size and excellent in passband characteristics can be realized. In addition, by using the surface acoustic wave filter and the antenna duplexer of the present invention, a small and high-performance high-frequency module and communication equipment can be realized.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1における弾性表面波フィルタの構成図である。図1において、弾性表面波フィルタ100は、圧電基板101上に、IDT電極102、103、104と反射器電極105、106を弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置してなる第1の縦モード型フィルタ107と、IDT電極108、109、110と反射器電極111、112を弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置してなる第2の縦モード型フィルタ113とにより構成される。第1の縦モード型フィルタ107において、IDT電極102、103、104の一方の電極指は、電極パッド114、115、116に配線されてそれぞれ接地端子GND、入力端子IN、接地端子GNDに接続される。第2の縦モード型フィルタ113において、IDT電極108、109、110の一方の電極指は、電極パッド117、118、119に配線されてそれぞれ接地端子GND、出力端子OUT、接地端子GNDに接続される。また、IDT電極102の他方の電極指とIDT電極108の他方の電極指とは配線電極120により接続され、IDT電極104の他方の電極指とIDT電極110の他方の電極指とは配線電極121により接続される。さらに、配線電極120、121の上には、絶縁層122、123が設けられており、IDT電極103、109の他方の電極指は、配線電極124により接続され、さらに上部に形成され、電気的に接続された配線電極125により、接地端子GNDに接続される電極パッド126、127に接続される。このとき、図2に、図1における破線で囲んだ部分の拡大図を示すように、配線電極125の電極幅は一部で電極幅が異なる領域を有する構成であり、絶縁層123を介して配線電極121と配線電極125とが立体交差する分の電極幅d1は、他の部分の電極幅d2に比べて小さく構成されており、d1<d2の構成となる。以上の構成とすることにより、配線電極125の抵抗を大きく増加させることなく、立体交差部の面積を小さくすることができ、従来に比べて、立体交差部における配線電極の容量結合を低減することができる。図3に、立体交差部の配線電極の容量を等価回路的に考慮した場合の弾性表面波フィルタの通過帯域特性を示す。図3に示すように、容量が大きくなると、弾性表面波フィルタは、通過帯域幅が減少し、帯域内特性も劣化する。よって、本実施の形態に示す構成を適用し、立体交差部の配線電極間の容量結合を小さくすることにより、弾性表面波フィルタの帯域内特性は良好となり、通過帯域幅の減少も低減できる。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a configuration diagram of a surface acoustic wave filter according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 1, a surface acoustic wave filter 100 includes a first longitudinal electrode in which IDT electrodes 102, 103, 104 and reflector electrodes 105, 106 are arranged close to each other along a propagation direction of a surface acoustic wave on a piezoelectric substrate 101. The mode filter 107 and the second longitudinal mode filter 113 in which the IDT electrodes 108, 109 and 110 and the reflector electrodes 111 and 112 are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave. In the first longitudinal mode type filter 107, one electrode finger of the IDT electrodes 102, 103, 104 is wired to the electrode pads 114, 115, 116 and is connected to the ground terminal GND, the input terminal IN, and the ground terminal GND, respectively. The In the second longitudinal mode filter 113, one electrode finger of the IDT electrodes 108, 109, 110 is wired to the electrode pads 117, 118, 119 and connected to the ground terminal GND, the output terminal OUT, and the ground terminal GND, respectively. The The other electrode finger of the IDT electrode 102 and the other electrode finger of the IDT electrode 108 are connected by the wiring electrode 120, and the other electrode finger of the IDT electrode 104 and the other electrode finger of the IDT electrode 110 are connected by the wiring electrode 121. Connected by In addition, insulating layers 122 and 123 are provided on the wiring electrodes 120 and 121, and the other electrode fingers of the IDT electrodes 103 and 109 are connected by the wiring electrode 124 and further formed on the upper portion. Are connected to electrode pads 126 and 127 connected to the ground terminal GND. At this time, as shown in an enlarged view of a portion surrounded by a broken line in FIG. 1, the electrode width of the wiring electrode 125 is a configuration having a region where the electrode width is different in part and through the insulating layer 123. The electrode width d1 corresponding to the three-dimensional intersection of the wiring electrode 121 and the wiring electrode 125 is configured to be smaller than the electrode width d2 of other portions, and the configuration is d1 <d2. With the above configuration, the area of the three-dimensional intersection can be reduced without greatly increasing the resistance of the wiring electrode 125, and the capacitive coupling of the wiring electrode at the three-dimensional intersection can be reduced as compared with the prior art. Can do. FIG. 3 shows the passband characteristics of the surface acoustic wave filter when the capacitance of the wiring electrodes at the three-dimensional intersection is considered in an equivalent circuit. As shown in FIG. 3, when the capacity increases, the surface acoustic wave filter has a reduced pass bandwidth and in-band characteristics. Therefore, by applying the configuration shown in this embodiment and reducing the capacitive coupling between the wiring electrodes at the three-dimensional intersection, the in-band characteristics of the surface acoustic wave filter are improved, and the reduction of the pass bandwidth can be reduced.

以上説明したように、本実施の形態の構成とすることにより、立体交差部における配線電極の容量結合を低減することができ、小型で帯域内特性に優れる弾性表面波フィルタを実現することができる。   As described above, by adopting the configuration of the present embodiment, it is possible to reduce the capacitive coupling of the wiring electrodes at the three-dimensional intersection, and to realize a surface acoustic wave filter that is small and has excellent in-band characteristics. .

なお、本実施の形態においては、縦モード型フィルタを縦続接続した弾性表面波フィルタについて詳細な説明を行ったが、弾性表面波フィルタの構成に関しては、これに限るものではなく、弾性表面波共振器を梯子型に接続したラダー型フィルタ、あるいは格子型に接続したラティス型フィルタであってもよく、立体交差部の電極幅が他より小さく構成されていればかまわない。また、縦モード型フィルタと弾性表面波共振器を組み合わせた構成に適用することも可能である。   In the present embodiment, the surface acoustic wave filter in which longitudinal mode filters are cascade-connected has been described in detail. However, the configuration of the surface acoustic wave filter is not limited to this, and the surface acoustic wave resonance is performed. It may be a ladder type filter in which a vessel is connected to a ladder type, or a lattice type filter connected to a lattice type, and the electrode width of the three-dimensional intersection may be smaller than the others. Moreover, it is also possible to apply to the structure which combined the longitudinal mode type | mold filter and the surface acoustic wave resonator.

また、図4に示すように、1段の縦モード型フィルタの構成に適用してもかまわない。図4において、弾性表面波フィルタ400は、IDT電極401、402の一方の電極指は電極パッドを介して接地端子GNDに接続され、IDT電極401、402の他方の電極指は電極パッドを介して出力端子OUTに接続される構成となる。   Further, as shown in FIG. 4, it may be applied to the configuration of a one-stage longitudinal mode filter. 4, in the surface acoustic wave filter 400, one electrode finger of the IDT electrodes 401 and 402 is connected to the ground terminal GND via the electrode pad, and the other electrode finger of the IDT electrodes 401 and 402 is connected via the electrode pad. The configuration is connected to the output terminal OUT.

また、本実施の形態における弾性表面波フィルタは不平衡型であるが、これは、図5に示すように、IDT電極109を2つのIDT電極501、502に2分割して平衡型の弾性表面波フィルタ500としてもかまわない。このとき、IDT電極501、502は電極パッド503、504を介して平衡型端子OUT1、OUT2に接続される。   The surface acoustic wave filter according to the present embodiment is an unbalanced type. This is because the IDT electrode 109 is divided into two IDT electrodes 501 and 502 as shown in FIG. The wave filter 500 may be used. At this time, the IDT electrodes 501 and 502 are connected to the balanced terminals OUT1 and OUT2 via the electrode pads 503 and 504, respectively.

さらに、配線電極に関しては、上部の配線電極125の立体交差部における電極幅を小さくしたが、これは、配線電極120、121の電極幅を小さくしてもかまわない。また、配線電極120、121、125のすべての電極幅を立体交差部にて小さくしてもかまわない。この場合には、立体交差部の面積はさらに小さくでき、容量結合もさらに抑えることができるものである。   Furthermore, regarding the wiring electrode, the electrode width at the three-dimensional intersection of the upper wiring electrode 125 is reduced. However, the electrode width of the wiring electrodes 120 and 121 may be reduced. Also, all electrode widths of the wiring electrodes 120, 121, and 125 may be reduced at the three-dimensional intersection. In this case, the area of the three-dimensional intersection can be further reduced, and capacitive coupling can be further suppressed.

また、絶縁層に関しては、SiO2やSiN、樹脂系の材料など、絶縁性が確保できる材料であればかまわない。特に、絶縁層としてSiO2など弾性表面波フィルタの温度補償に使用される材料を用いる場合には、図6に示すように、絶縁層601が覆うように構成すれば、小型で、帯域内特性、及び温度特性に優れた弾性表面波フィルタ600を実現することができる。 The insulating layer may be a material that can ensure insulation, such as SiO 2 , SiN, or a resin material. In particular, when the material used for the temperature compensation of the surface acoustic wave filter such as SiO 2 as the insulating layer, as shown in FIG. 6, if configured insulating layer 601 covers, small, band characteristics In addition, the surface acoustic wave filter 600 having excellent temperature characteristics can be realized.

また、弾性表面波フィルタの作製に関しては、パッケージへの実装のためパッド電極の厚みを厚くするプロセスを用いる場合があり、この場合には、配線電極125を、パッド電極を厚くする工程等と同時に行うことにより、プロセスの工程の数を増やすことなく本発明の弾性表面波フィルタが実現できるものである。   In addition, regarding the production of the surface acoustic wave filter, a process of increasing the thickness of the pad electrode may be used for mounting on a package. In this case, the wiring electrode 125 is simultaneously formed with the step of increasing the pad electrode, etc. By doing so, the surface acoustic wave filter of the present invention can be realized without increasing the number of process steps.

(実施の形態2)
以下、本発明の弾性表面波フィルタの構成について、図面を用いて説明する。
(Embodiment 2)
Hereinafter, the structure of the surface acoustic wave filter of the present invention will be described with reference to the drawings.

図7は、本発明の実施の形態2における弾性表面波フィルタの構成図である。図7において、弾性表面波フィルタ700は、圧電基板701上に、IDT電極702、703、704と反射器電極705、706を弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置してなる第1の縦モード型フィルタ707と、IDT電極708、709、710と反射器電極711、712を弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置してなる第2の縦モード型フィルタ713とにより構成される。第1の縦モード型フィルタ707において、IDT電極702、703、704の一方の電極指は、電極パッド714、715、716に配線されてそれぞれ接地端子GND、入力端子IN、接地端子GNDに接続される。第2の縦モード型フィルタ713において、IDT電極708、709、710の一方の電極指は、電極パッド717、718、719に配線されてそれぞれ接地端子GND、出力端子OUT、接地端子GNDに接続される。また、IDT電極702の他方の電極指とIDT電極708の他方の電極指とは配線電極720により接続され、IDT電極704の他方の電極指とIDT電極710の他方の電極指とは配線電極721により接続される。さらに、配線電極720、721の上には、絶縁層722、723が設けられており、IDT電極703、709の他方の電極指は、配線電極724により接続され、さらに上部に形成され、電気的に接続された配線電極725により、接地端子GNDに接続される電極パッド726、727に接続される。このとき、配線電極725の電極幅は一部で電極幅の異なる領域を有する構成であり、絶縁層723を介して配線電極720、721と配線電極725とが立体交差する分の電極幅は、他の部分の電極幅に比べて小さく構成されている。さらに、反射器電極705、706、711、712は、反射器電極を構成するストリップラインの長さが一様ではなく、交差幅方向に斜めに削られている構成となっており、この削られた部分に電極パッド726、727が配置される。以上の構成とすることにより、配線電極725の抵抗を大きく増加させることなく、立体交差部の面積を小さくすることができ、従来に比べて、立体交差部における配線電極の容量結合を低減することができ、さらに、反射器電極において、ストリップラインの長さを変えて交差幅よりも短い領域を設けることにより、電極パッド726、727の一部が第1、第2の縦モード型フィルタの間に配置することができ、さらに小型化が実現できる。   FIG. 7 is a configuration diagram of a surface acoustic wave filter according to Embodiment 2 of the present invention. In FIG. 7, a surface acoustic wave filter 700 includes a first vertical longitudinal axis formed by placing IDT electrodes 702, 703, and 704 and reflector electrodes 705 and 706 close to each other along a propagation direction of surface acoustic waves on a piezoelectric substrate 701. The mode type filter 707 is composed of a second longitudinal mode type filter 713 in which IDT electrodes 708, 709, and 710 and reflector electrodes 711 and 712 are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave. In the first longitudinal mode filter 707, one electrode finger of the IDT electrodes 702, 703, 704 is wired to the electrode pads 714, 715, 716 and connected to the ground terminal GND, the input terminal IN, and the ground terminal GND, respectively. The In the second longitudinal mode filter 713, one electrode finger of the IDT electrodes 708, 709, 710 is wired to the electrode pads 717, 718, 719 and connected to the ground terminal GND, the output terminal OUT, and the ground terminal GND, respectively. The The other electrode finger of the IDT electrode 702 and the other electrode finger of the IDT electrode 708 are connected by the wiring electrode 720, and the other electrode finger of the IDT electrode 704 and the other electrode finger of the IDT electrode 710 are connected to the wiring electrode 721. Connected by In addition, insulating layers 722 and 723 are provided on the wiring electrodes 720 and 721, and the other electrode fingers of the IDT electrodes 703 and 709 are connected by the wiring electrode 724 and further formed on the upper side. Are connected to electrode pads 726 and 727 connected to the ground terminal GND. At this time, the electrode width of the wiring electrode 725 is a configuration having a region where the electrode width is partially different, and the electrode width corresponding to the three-dimensional intersection of the wiring electrodes 720 and 721 and the wiring electrode 725 via the insulating layer 723 is It is configured to be smaller than the electrode width of other portions. Further, the reflector electrodes 705, 706, 711, and 712 have a configuration in which the length of the strip line constituting the reflector electrode is not uniform and is cut obliquely in the intersecting width direction. Electrode pads 726 and 727 are disposed in the portion. With the above configuration, the area of the three-dimensional intersection can be reduced without greatly increasing the resistance of the wiring electrode 725, and the capacitive coupling of the wiring electrode at the three-dimensional intersection can be reduced as compared with the prior art. Further, in the reflector electrode, by changing the length of the strip line to provide a region shorter than the crossing width, a part of the electrode pads 726 and 727 is provided between the first and second longitudinal mode filters. Further downsizing can be realized.

以上説明したように、本実施の形態の構成とすることにより、立体交差部における配線電極の容量結合を低減することができ、小型で通過帯域特性に優れる弾性表面波フィルタを実現することができる。   As described above, by adopting the configuration of the present embodiment, it is possible to reduce the capacitive coupling of the wiring electrodes at the three-dimensional intersection, and it is possible to realize a surface acoustic wave filter that is small and has excellent passband characteristics. .

なお、本実施の形態においては、縦モード型フィルタを縦続接続した弾性表面波フィルタについて詳細な説明を行ったが、弾性表面波フィルタの構成に関しては、これに限るものではなく、弾性表面波共振器を梯子型に接続したラダー型フィルタ、あるいは格子型に接続したラティス型フィルタであってもよく、立体交差部の電極幅が他より小さく構成され、さらに、弾性表面波共振器を構成する反射器電極において、ストリップラインの長さが一様ではなく、一部削られた領域を有する構成であり、その領域に電極パッドが配置される構成であればかまわない。また、縦モード型フィルタと弾性表面波共振器を組み合わせた構成や1段の縦モード型フィルタに適用することも可能である。   In the present embodiment, the surface acoustic wave filter in which longitudinal mode filters are cascade-connected has been described in detail. However, the configuration of the surface acoustic wave filter is not limited to this, and the surface acoustic wave resonance is performed. It may be a ladder-type filter with a resonator connected to a ladder type, or a lattice-type filter connected to a lattice type, and the electrode width of the three-dimensional intersection is made smaller than the others, and the reflection that constitutes the surface acoustic wave resonator The strip electrode may have a configuration in which the stripline is not uniform in length and has a partially cut region, and an electrode pad is disposed in the region. Further, the present invention can be applied to a configuration in which a longitudinal mode filter and a surface acoustic wave resonator are combined, or a single-stage longitudinal mode filter.

さらに、配線電極に関しては、上部の配線電極725の立体交差部における電極幅を小さくしたが、これは、配線電極720、721の電極幅を小さくしてもかまわない。また、配線電極720、721、725のすべての電極幅を立体交差部にて小さくしてもかまわない。この場合には、立体交差部の面積はさらに小さくでき、容量結合もさらに抑えることができるものである。   Further, regarding the wiring electrode, the electrode width at the three-dimensional intersection of the upper wiring electrode 725 is reduced, but this may be achieved by reducing the electrode width of the wiring electrodes 720 and 721. Moreover, all electrode widths of the wiring electrodes 720, 721, and 725 may be reduced at the three-dimensional intersection. In this case, the area of the three-dimensional intersection can be further reduced, and capacitive coupling can be further suppressed.

また、配線電極に関しては、上部の配線電極725の立体交差部における電極幅を小さくしたが、図8に示すように、弾性表面波フィルタ800の配線電極801の電極幅が一様であっても小型化の効果は得られる。   As for the wiring electrodes, the electrode width at the three-dimensional intersection of the upper wiring electrode 725 is reduced. However, even if the electrode width of the wiring electrode 801 of the surface acoustic wave filter 800 is uniform as shown in FIG. The effect of miniaturization can be obtained.

また、絶縁層に関しては、SiO2やSiN、樹脂系の材料など、絶縁性が確保できる材料であればかまわない。また、絶縁層としてSiO2など弾性表面波フィルタの温度補償に使用される材料を用い温度特性に優れた弾性表面波フィルタを実現することも可能である。 The insulating layer may be a material that can ensure insulation, such as SiO 2 , SiN, or a resin material. It is also possible to realize a surface acoustic wave filter having excellent temperature characteristics by using a material used for temperature compensation of a surface acoustic wave filter such as SiO 2 as an insulating layer.

また、反射器電極に関しては、本実施の形態においては、反射器電極がストリップラインの長さが交差幅方向に短い領域を有した構成であって、斜めに削れた構成としているが、この構成に限るものではなく、反射器の重み付けの効果を考慮して他の構成を適用してもよく、反射器を削った部分に電極パッドを配置さえすれば小型化の効果は同様に得られるものである。   Further, regarding the reflector electrode, in the present embodiment, the reflector electrode has a configuration in which the strip line has a region where the length of the strip line is short in the cross width direction, and is configured to be cut obliquely. Other configurations may be applied in consideration of the weighting effect of the reflector, and the effect of miniaturization can be obtained as long as the electrode pad is arranged on the part where the reflector is shaved. It is.

(実施の形態3)
以下、本発明のアンテナ共用器、高周波モジュール、通信機器の構成について、図面を用いて説明する。
(Embodiment 3)
Hereinafter, configurations of an antenna duplexer, a high-frequency module, and a communication device according to the present invention will be described with reference to the drawings.

図9は、本発明の実施の形態3における通信機器の構成図である。図9において、通信機器900は、第1、第2の無線回路901、902と切換スイッチ903により構成される。第1の無線回路901は、送信フィルタ904と受信フィルタ905とにより構成されるアンテナ共用器906と、送信回路1と、送信回路1より出力された送信信号を増幅する送信増幅器907と、受信信号を増幅する受信増幅器908と、受信信号が入力される受信回路1とにより構成される。第2の無線回路902は、送信フィルタ909と受信フィルタ910とにより構成されるアンテナ共用器911と、送信回路2と、送信回路2より出力された送信信号を増幅する送信増幅器912と、受信信号を増幅する受信増幅器913と、受信信号が入力される受信回路2とにより構成される。切換スイッチの一方の端子はアンテナ端子ANTに接続され、他方の2つの端子は、それぞれ第1、第2の無線回路901、902を構成するアンテナ共用器906、911に接続される。以上の構成とすることにより、通信機器900は、第1と第2の無線回路901、902を有する複合機の構成となる。ここで、アンテナ共用器906において、送信フィルタ904または受信フィルタ905のいずれかに、実施の形態1または2で示した弾性表面波フィルタを適用することにより、小型で通過帯域特性に優れたアンテナ共用器906を実現することができる。また、アンテナ共用器911において、送信フィルタ909または受信フィルタ910のいずれかに、実施の形態1または2で示した弾性表面波フィルタを適用することにより、小型で通過帯域特性に優れたアンテナ共用器911を実現することができる。さらに、このようなアンテナ共用器906または911を用いて通信機器900を構成することにより、小型で高性能な通信機器を実現することができる。   FIG. 9 is a configuration diagram of a communication device according to Embodiment 3 of the present invention. In FIG. 9, the communication device 900 includes first and second wireless circuits 901 and 902 and a changeover switch 903. The first radio circuit 901 includes an antenna duplexer 906 including a transmission filter 904 and a reception filter 905, a transmission circuit 1, a transmission amplifier 907 that amplifies a transmission signal output from the transmission circuit 1, and a reception signal. Is constituted by a receiving amplifier 908 for amplifying the signal and a receiving circuit 1 to which a received signal is inputted. The second radio circuit 902 includes an antenna duplexer 911 including a transmission filter 909 and a reception filter 910, a transmission circuit 2, a transmission amplifier 912 that amplifies a transmission signal output from the transmission circuit 2, and a reception signal. Is constituted by a receiving amplifier 913 for amplifying the signal and a receiving circuit 2 to which a received signal is inputted. One terminal of the changeover switch is connected to the antenna terminal ANT, and the other two terminals are connected to the antenna duplexers 906 and 911 constituting the first and second radio circuits 901 and 902, respectively. With the above configuration, the communication device 900 has a configuration of a multi-function peripheral having the first and second wireless circuits 901 and 902. Here, in the antenna duplexer 906, by applying the surface acoustic wave filter described in Embodiment 1 or 2 to either the transmission filter 904 or the reception filter 905, the antenna sharing that is small in size and excellent in passband characteristics is performed. A device 906 can be implemented. Further, in the antenna duplexer 911, the surface acoustic wave filter shown in Embodiment 1 or 2 is applied to either the transmission filter 909 or the reception filter 910, so that the antenna duplexer is small and has excellent passband characteristics. 911 can be realized. Furthermore, by configuring the communication device 900 using such an antenna duplexer 906 or 911, a small and high-performance communication device can be realized.

なお、本実施の形態において、通信機器における無線回路の数や回路構成などはこれに限るものではない。   Note that in this embodiment, the number of wireless circuits and circuit configuration in a communication device are not limited to this.

さらに、本実施の形態におけるアンテナ共用器を用いれば、アンテナ共用器906と送信増幅器907とから構成される高周波モジュール914として実現することも可能でありアンテナ共用器906、911と切換スイッチ903とから構成される高周波モジュール915を実現することが可能であり、小型で高性能な高周波モジュールを実現することができる。   Furthermore, if the antenna duplexer in the present embodiment is used, it can be realized as a high-frequency module 914 composed of the antenna duplexer 906 and the transmission amplifier 907. From the antenna duplexers 906 and 911 and the changeover switch 903, The configured high frequency module 915 can be realized, and a small and high performance high frequency module can be realized.

なお、高周波モジュールにおいて、アンテナ共用器と組み合わせるデバイスに関しては、これに限るものではなく、受信増幅器と組み合わせることも可能である。   Note that the device combined with the antenna duplexer in the high-frequency module is not limited to this, and can be combined with a receiving amplifier.

また、本実施の形態においては、高周波モジュール、通信機器に関して、アンテナ共用器を用いた構成となっているが、これは、実施の形態1または2の弾性表面波フィルタを用いた構成の通信機器であってもかまわない。   In the present embodiment, the antenna duplexer is used for the high-frequency module and the communication device. This is a communication device using the surface acoustic wave filter of the first or second embodiment. It doesn't matter.

(実施の形態4)
以下、本発明の弾性表面波フィルタの構成について、図面を用いて説明する。
(Embodiment 4)
Hereinafter, the structure of the surface acoustic wave filter of the present invention will be described with reference to the drawings.

図13は、本発明の実施の形態4における弾性表面波フィルタの構成図である。図13において、弾性表面波フィルタ1300は、圧電基板1301上に、IDT電極1302、1303、1304と反射器電極1305、1306を弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置してなる1段の縦モード型フィルタにより構成される。前記縦モード型フィルタにおいて、IDT電極1302、1303、1304の一方の電極指は、電極パッド1314、1315、1316に配線されてそれぞれ接地端子GND、入力端子IN、接地端子GNDに接続される。また、IDT電極1303の他方の電極指は第1の配線電極1309を介して第2の配線電極と接することなく接地端子GNDに接続される電極パッド1317、1318に接続される。そして、IDT電極1302、1304の他方の電極指はそれぞれ第1の配線電極1307、1308を介して第2の配線電極1310、1313に接続され、電極パッド1319を介して出力端子OUTに接続される構成となる。また、第1の配線電極1309の上には、絶縁層1311、1312が設けられており、その上部を第2の配線電極である1310、1313が形成されている。このとき、第2の配線電極1310、1313の電極幅は一部で電極幅の異なる領域を有する構成であり、絶縁層1311、1312を介して第1の配線電極1309と立体交差する分の電極幅は、他の部分の電極幅に比べて小さく構成されている。ここで、図14に図13B−B’間の断面図を示す。本発明の実施の形態のような弾性表面波フィルタは第1の配線電極を形成した後、第2の配線電極を形成するという2段階のスパッタリングにより構成される。したがって、図14のように第1の配線電極1308と第2の配線電極1313間にはその密着度により接触抵抗が発生する。本実施の形態による構成であると、その接触抵抗1400は、IDT電極1302、1304の出力端子OUTへ接続される信号ライン上に発生する。一方で図15に従来の弾性表面波フィルタの構成図を示す。また、図16に図15C−C’間の断面図を示す。従来の弾性表面波フィルタの構成によると図16に示すように第1の配線電極1506と第2の配線電極1508との間の接触抵抗1600は、図15のIDT電極1503の接地端子GNDへと接続されるライン上に発生する。このため、本発明の実施の形態4における接触抵抗1400と従来の構成における接触抵抗1600が同程度の抵抗成分を持つとき、本発明の実施の形態では、出力端子OUTへの信号ライン上に抵抗成分が発生し、接地端子GNDへのライン上に発生する場合と比べて、弾性表面波フィルタのロス劣化を低減することができる。図17に、図13に示す本発明の実施の形態における弾性表面波フィルタの特性と図15に示す従来の構成における弾性表面波フィルタの特性の比較を示す。   FIG. 13 is a configuration diagram of a surface acoustic wave filter according to Embodiment 4 of the present invention. In FIG. 13, the surface acoustic wave filter 1300 is a one-stage longitudinal filter formed by arranging IDT electrodes 1302, 1303, and 1304 and reflector electrodes 1305 and 1306 close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave on a piezoelectric substrate 1301. Consists of a mode type filter. In the longitudinal mode filter, one electrode finger of the IDT electrodes 1302, 1303, and 1304 is wired to the electrode pads 1314, 1315, and 1316 and connected to the ground terminal GND, the input terminal IN, and the ground terminal GND, respectively. The other electrode finger of the IDT electrode 1303 is connected to the electrode pads 1317 and 1318 connected to the ground terminal GND without contacting the second wiring electrode through the first wiring electrode 1309. The other electrode fingers of the IDT electrodes 1302 and 1304 are connected to the second wiring electrodes 1310 and 1313 through the first wiring electrodes 1307 and 1308, respectively, and are connected to the output terminal OUT through the electrode pad 1319. It becomes composition. In addition, insulating layers 1311 and 1312 are provided on the first wiring electrode 1309, and second wiring electrodes 1310 and 1313 are formed thereon. At this time, the electrode widths of the second wiring electrodes 1310 and 1313 are partially configured to have regions having different electrode widths, and electrodes that are three-dimensionally intersected with the first wiring electrode 1309 via the insulating layers 1311 and 1312. The width is configured to be smaller than the electrode width of other portions. Here, FIG. 14 shows a cross-sectional view between FIGS. The surface acoustic wave filter as in the embodiment of the present invention is configured by two-stage sputtering in which a first wiring electrode is formed and then a second wiring electrode is formed. Therefore, as shown in FIG. 14, a contact resistance is generated between the first wiring electrode 1308 and the second wiring electrode 1313 due to the degree of adhesion. In the configuration according to this embodiment, the contact resistance 1400 is generated on a signal line connected to the output terminal OUT of the IDT electrodes 1302 and 1304. On the other hand, FIG. 15 shows a configuration diagram of a conventional surface acoustic wave filter. FIG. 16 is a cross-sectional view taken along the line C-C ′ in FIG. According to the configuration of the conventional surface acoustic wave filter, as shown in FIG. 16, the contact resistance 1600 between the first wiring electrode 1506 and the second wiring electrode 1508 is transferred to the ground terminal GND of the IDT electrode 1503 in FIG. Occurs on the connected line. For this reason, when the contact resistance 1400 in the fourth embodiment of the present invention and the contact resistance 1600 in the conventional configuration have the same resistance component, in the embodiment of the present invention, a resistance is formed on the signal line to the output terminal OUT. Compared with the case where a component is generated and is generated on the line to the ground terminal GND, loss deterioration of the surface acoustic wave filter can be reduced. FIG. 17 shows a comparison between the characteristics of the surface acoustic wave filter in the embodiment of the present invention shown in FIG. 13 and the characteristics of the surface acoustic wave filter in the conventional configuration shown in FIG.

以上説明したように、本実施の形態の構成とすることにより、配線電極間の接触抵抗の影響を低減することができ、小型で通過帯域特性に優れる弾性表面波フィルタを実現することができる。   As described above, by adopting the configuration of the present embodiment, the influence of the contact resistance between the wiring electrodes can be reduced, and a surface acoustic wave filter having a small size and excellent passband characteristics can be realized.

なお、本実施の形態では、第2の配線電極1310、1313の電極幅は一部で電極幅の異なる領域を有する構成であるが、第2の配線電極1310、1313の電極幅によらずロス劣化を低減する効果は同様に得られるものである。   Note that in this embodiment, the second wiring electrodes 1310 and 1313 have a structure in which the electrode widths of the second wiring electrodes 1310 and 1313 are partially different from each other, but the loss does not depend on the electrode widths of the second wiring electrodes 1310 and 1313. The effect of reducing deterioration can be obtained similarly.

また、本実施の形態において配線電極は、上部の配線電極1310、1313の立体交差部における電極幅を小さくしたが、これは、配線電極1309の電極幅を小さくしてもかまわない。また、配線電極1310、1313、1309のすべての電極幅を立体交差部にて小さくしてもかまわない。この場合には、立体交差部の面積はさらに小さくでき、容量結合もさらに抑えることができるものである。   Further, in the present embodiment, the wiring electrode has a reduced electrode width at the three-dimensional intersection of the upper wiring electrodes 1310 and 1313, but this may reduce the electrode width of the wiring electrode 1309. Further, all the electrode widths of the wiring electrodes 1310, 1313, and 1309 may be reduced at the three-dimensional intersection. In this case, the area of the three-dimensional intersection can be further reduced, and capacitive coupling can be further suppressed.

また、絶縁層に関しては、SiO2やSiN、樹脂系の材料など、絶縁性が確保できる材料であればかまわない。また、絶縁層としてSiO2など弾性表面波フィルタの温度補償に使用される材料を用い温度特性に優れた弾性表面波フィルタを実現することも可能である。 The insulating layer may be a material that can ensure insulation, such as SiO 2 , SiN, or a resin material. It is also possible to realize a surface acoustic wave filter having excellent temperature characteristics by using a material used for temperature compensation of a surface acoustic wave filter such as SiO 2 as an insulating layer.

また、反射器電極に関しては、本実施の形態においては、一様な交差幅をもつ反射器電極で構成されていたが、この構成に限るものではなく、反射器電極がストリップラインの長さが交差幅方向に短い領域を有して斜めに削れた構成や反射器の重み付けの効果を考慮した他の構成を適用してもよく、反射器を削った部分に電極パッドを配置さえすれば小型化の効果は同様に得られるものである。   In addition, regarding the reflector electrode, in the present embodiment, the reflector electrode has a uniform intersection width. However, the present invention is not limited to this configuration, and the reflector electrode has a stripline length. It is possible to apply a configuration that has a short region in the cross width direction and is scraped obliquely, or another configuration that takes into account the effect of weighting of the reflector, and is small as long as the electrode pad is placed on the portion where the reflector is shaved. The effect of conversion is obtained similarly.

本発明にかかる弾性表面波フィルタは、小型で通過帯域特性に優れたアンテナ共用器として有用である。また、高周波モジュールや通信機器などの用途にも応用できる。   The surface acoustic wave filter according to the present invention is useful as an antenna duplexer having a small size and excellent passband characteristics. It can also be applied to applications such as high-frequency modules and communication equipment.

本発明の実施の形態1における弾性表面波フィルタの構成図Configuration diagram of a surface acoustic wave filter according to Embodiment 1 of the present invention. 図1における破線部の拡大図Enlarged view of the broken line in FIG. 容量結合を考慮した場合の弾性表面波フィルタの通過帯域特性図Passband characteristic diagram of surface acoustic wave filter considering capacitive coupling 本発明の実施の形態1における弾性表面波フィルタの他の構成図Another block diagram of the surface acoustic wave filter in Embodiment 1 of the present invention 本発明の実施の形態1における弾性表面波フィルタの他の構成図Another block diagram of the surface acoustic wave filter in Embodiment 1 of the present invention 本発明の実施の形態1における弾性表面波フィルタの他の構成図Another block diagram of the surface acoustic wave filter in Embodiment 1 of the present invention 本発明の実施の形態2における弾性表面波フィルタの構成図Configuration diagram of surface acoustic wave filter in Embodiment 2 of the present invention 本発明の実施の形態2における弾性表面波フィルタの他の構成図Another block diagram of the surface acoustic wave filter in Embodiment 2 of the present invention 本発明の実施の形態3における通信機器の構成図Configuration diagram of communication equipment according to Embodiment 3 of the present invention 従来の弾性表面波フィルタの構成図Configuration of conventional surface acoustic wave filter 従来の弾性表面波フィルタの他の構成図Another configuration diagram of a conventional surface acoustic wave filter 図11におけるA−A’の断面図Sectional view of A-A 'in FIG. 本発明の実施の形態4における弾性表面波フィルタの構成図Configuration diagram of surface acoustic wave filter in Embodiment 4 of the present invention 図13におけるB−B’の断面図Sectional view of B-B 'in FIG. 従来の弾性表面波フィルタの構成図Configuration of conventional surface acoustic wave filter 図15におけるC−C’の断面図Sectional view of C-C 'in FIG. 本発明の実施の形態4における弾性表面波フィルタの特性図Characteristics diagram of surface acoustic wave filter according to Embodiment 4 of the present invention

符号の説明Explanation of symbols

100 弾性表面波フィルタ
101 圧電基板
102、103、104 IDT電極
105、106 反射器電極
107 第1の縦モード型フィルタ
108、109、110 IDT電極
111、112 反射器電極
113 第2の縦モード型フィルタ
114、115、116、117、118、119 電極パッド
120、121 配線電極
122、123 絶縁層
125 配線電極
126、127 電極パッド
400 弾性表面波フィルタ
401、402 IDT電極
500 弾性表面波フィルタ
501、502 IDT電極
503、504 電極パッド
600 弾性表面波フィルタ
601 絶縁層
700 弾性表面波フィルタ
701 圧電基板
702、703、704 IDT電極
705、706 反射器電極
707 第1の縦モード型フィルタ
708、709、710 IDT電極
711、712 反射器電極
713 第2の縦モード型フィルタ
714、715、716、717、718、719 電極パッド
720、721 配線電極
722、723 絶縁層
725 配線電極
726、727 電極パッド
800 弾性表面波フィルタ
801 配線電極
900 通信機器
901 第1の無線回路
902 第2の無線回路
903 切換スイッチ
904 送信フィルタ
905 受信フィルタ
906 アンテナ共用器
907 送信増幅器
908 受信増幅器
909 送信フィルタ
910 受信フィルタ
911 アンテナ共用器
912 送信増幅器
913 受信増幅器
914、915 高周波モジュール
1300 弾性表面波フィルタ
1301 圧電基板
1302、1303、1304 IDT電極
1305、1306 反射器電極
1307、1308、1309 第1の配線電極
1310、1313 第2の配線電極
1311、1312 絶縁層
1314、1315、1316、1317、1318、1319 電極パッド
1400 接触抵抗
1500 弾性表面波フィルタ
1501 圧電基板
1502、1503、1504 IDT電極
1505、1506、1507、1511 第1の配線電極
1508 第2の配線電極
1509、1510 絶縁層
1600 接触抵抗
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Surface acoustic wave filter 101 Piezoelectric substrate 102,103,104 IDT electrode 105,106 Reflector electrode 107 1st longitudinal mode type filter 108,109,110 IDT electrode 111,112 Reflector electrode 113 2nd longitudinal mode type filter 114, 115, 116, 117, 118, 119 Electrode pad 120, 121 Wiring electrode 122, 123 Insulating layer 125 Wiring electrode 126, 127 Electrode pad 400 Surface acoustic wave filter 401, 402 IDT electrode 500 Surface acoustic wave filter 501, 502 IDT Electrode 503, 504 Electrode pad 600 Surface acoustic wave filter 601 Insulating layer 700 Surface acoustic wave filter 701 Piezoelectric substrate 702, 703, 704 IDT electrode 705, 706 Reflector electrode 707 First longitudinal mode type filter 708 709, 710 IDT electrode 711, 712 Reflector electrode 713 Second longitudinal mode filter 714, 715, 716, 717, 718, 719 Electrode pad 720, 721 Wiring electrode 722, 723 Insulating layer 725 Wiring electrode 726, 727 Electrode pad 800 surface acoustic wave filter 801 wiring electrode 900 communication device 901 first radio circuit 902 second radio circuit 903 changeover switch 904 transmission filter 905 reception filter 906 antenna duplexer 907 transmission amplifier 908 reception amplifier 909 transmission filter 910 reception filter 911 antenna Duplexer 912 Transmission amplifier 913 Reception amplifier 914, 915 High frequency module 1300 Surface acoustic wave filter 1301 Piezoelectric substrate 1302, 1303, 1304 IDT electrode 1305, 1306 Reflector electrode 1307, 1308, 1309 First wiring electrode 1310, 1313 Second wiring electrode 1311, 1312 Insulating layer 1314, 1315, 1316, 1317, 1318, 1319 Electrode pad 1400 Contact resistance 1500 Surface acoustic wave filter 1501 Piezoelectric substrate 1502, 1503, 1504 IDT electrodes 1505, 1506, 1507, 1511 First wiring electrode 1508 Second wiring electrode 1509, 1510 Insulating layer 1600 Contact resistance

Claims (20)

圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された複数のIDT電極と、
前記複数のIDT電極にそれぞれ接続される第1、及び第2の配線電極とを備えた弾性表面波フィルタであって、
前記第1、及び前記第2の配線電極とは絶縁層を介して立体交差する構成であって、
前記第1または前記第2の配線電極の少なくとも一方において、立体交差する部分における電極幅が他の部分の電極幅よりも小さい構成とし、かつ、接地端子に接続される第1の配線電極が絶縁層と圧電基板の間の層に形成されていることを特徴とする弾性表面波フィルタ。
A piezoelectric substrate;
A plurality of IDT electrodes formed on the piezoelectric substrate;
A surface acoustic wave filter comprising first and second wiring electrodes respectively connected to the plurality of IDT electrodes,
The first and second wiring electrodes are three-dimensionally crossed via an insulating layer,
In at least one of the first and second wiring electrodes, the electrode width at the three-dimensionally intersecting portion is smaller than the electrode width of the other portion, and the first wiring electrode connected to the ground terminal is insulated. A surface acoustic wave filter formed in a layer between the layer and the piezoelectric substrate.
前記第1または前記第2の配線電極の少なくとも一方が接地端子に接続されることを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波フィルタ。 The surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein at least one of the first or second wiring electrodes is connected to a ground terminal. 前記複数のIDT電極が、弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置されていることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ。 The surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein the plurality of IDT electrodes are arranged close to each other along a propagation direction of the surface acoustic wave. 複数のIDT電極を弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置される第1の弾性表面波フィルタと、
複数のIDT電極を弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置される第2の弾性表面波フィルタとを備え、
前記第1または第2の配線電極の少なくとも一方により、前記第1、及び第2の弾性表面波フィルタが縦続接続され、
前記第1または第2の配線電極の他方により、前記第1または第2の弾性表面波フィルタにおけるIDT電極が接地されることを特徴とする請求項3に記載の弾性表面波フィルタ。
A first surface acoustic wave filter in which a plurality of IDT electrodes are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave;
A second surface acoustic wave filter in which a plurality of IDT electrodes are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave;
The first and second surface acoustic wave filters are cascaded by at least one of the first or second wiring electrodes,
The surface acoustic wave filter according to claim 3, wherein the IDT electrode in the first or second surface acoustic wave filter is grounded by the other of the first or second wiring electrode.
前記複数のIDT電極は、それぞれの両側に反射器電極が近接配置された複数の弾性表面波共振器であって、
前記複数の弾性表面波共振器を梯子型、もしくは格子型に接続したことを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ。
The plurality of IDT electrodes are a plurality of surface acoustic wave resonators in which reflector electrodes are arranged close to each side,
3. The surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein the plurality of surface acoustic wave resonators are connected in a ladder shape or a lattice shape.
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された複数のIDT電極と複数の反射器電極と、
前記複数のIDT電極にそれぞれ接続される第1、及び第2の配線電極とを備えた弾性表面波フィルタであって、
前記第1、及び前記第2の配線電極とは絶縁層を介して立体交差する構成であって、
前記第1または前記第2の配線電極の少なくとも一方は、前記圧電基板上に形成される電極パッドに接続され、
前記反射器電極は、ストリップラインの長さが交差幅よりも短い領域を有する構成であり、
前記電極パッドの一部は前記領域に配置されることを特徴とする弾性表面波フィルタ。
A piezoelectric substrate;
A plurality of IDT electrodes and a plurality of reflector electrodes formed on the piezoelectric substrate;
A surface acoustic wave filter comprising first and second wiring electrodes respectively connected to the plurality of IDT electrodes,
The first and second wiring electrodes are three-dimensionally crossed via an insulating layer,
At least one of the first or second wiring electrodes is connected to an electrode pad formed on the piezoelectric substrate,
The reflector electrode is configured to have a region where the length of the stripline is shorter than the crossing width,
The surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein a part of the electrode pad is disposed in the region.
前記第1または前記第2の配線電極の少なくとも一方において、立体交差する部分における電極幅が他の部分の電極幅よりも小さい構成とすることを特徴とする請求項6に記載の弾性表面波フィルタ。 The surface acoustic wave filter according to claim 6, wherein at least one of the first and second wiring electrodes has a configuration in which an electrode width at a three-dimensionally intersecting portion is smaller than an electrode width of another portion. . 前記反射器電極が、ストリップラインの長さが交差幅方向に異なる構成とすることにより、反射器電極の重み付けが施されていることを特徴とする請求項6または7のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ。 8. The elasticity according to claim 6, wherein the reflector electrode is weighted by adopting a configuration in which the length of the strip line is different in the cross width direction. 9. Surface wave filter. 前記第1または前記第2の配線電極の少なくとも一方が接地端子に接続されることを特徴とする請求項6または7のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ。 8. The surface acoustic wave filter according to claim 6, wherein at least one of the first and second wiring electrodes is connected to a ground terminal. 前記複数のIDT電極が、弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置されていることを特徴とする請求項6から9のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ。 The surface acoustic wave filter according to claim 6, wherein the plurality of IDT electrodes are arranged close to each other along a propagation direction of the surface acoustic wave. 複数のIDT電極を弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置される第1の弾性表面波フィルタと、
複数のIDT電極を弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置される第2の弾性表面波フィルタとを備え、
前記第1または第2の配線電極の少なくとも一方により、前記第1、及び第2の弾性表面波フィルタが縦続接続され、
前記第1または第2の配線電極の他方により、前記第1または第2の弾性表面波フィルタにおけるIDT電極が接地されることを特徴とする請求項10に記載の弾性表面波フィルタ。
A first surface acoustic wave filter in which a plurality of IDT electrodes are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave;
A second surface acoustic wave filter in which a plurality of IDT electrodes are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave;
The first and second surface acoustic wave filters are cascaded by at least one of the first or second wiring electrodes,
11. The surface acoustic wave filter according to claim 10, wherein the IDT electrode in the first or second surface acoustic wave filter is grounded by the other of the first or second wiring electrode.
前記第1または第2の弾性表面波フィルタにおけるIDT電極が接地される電極パッドの一部は、
前記第1または第2の弾性表面波フィルタの間に配置されることを特徴とする請求項11に記載の弾性表面波フィルタ。
A part of the electrode pad to which the IDT electrode in the first or second surface acoustic wave filter is grounded is
The surface acoustic wave filter according to claim 11, wherein the surface acoustic wave filter is disposed between the first and second surface acoustic wave filters.
前記複数のIDT電極は、それぞれの両側に反射器電極が近接配置された複数の弾性表面波共振器であって、
前記複数の弾性表面波共振器を梯子型、もしくは格子型に接続したことを特徴とする請求項6から8のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ。
The plurality of IDT electrodes are a plurality of surface acoustic wave resonators in which reflector electrodes are arranged close to each side,
9. The surface acoustic wave filter according to claim 6, wherein the plurality of surface acoustic wave resonators are connected in a ladder type or a lattice type.
送信フィルタと受信フィルタとを備えたアンテナ共用器であって、
前記送信フィルタまたは受信フィルタの少なくとも一方が、請求項1または6に記載の弾性表面波フィルタにより構成されていることを特徴とするアンテナ共用器。
An antenna duplexer having a transmission filter and a reception filter,
7. The antenna duplexer according to claim 1, wherein at least one of the transmission filter and the reception filter includes the surface acoustic wave filter according to claim 1 or 6.
送信フィルタと受信フィルタとを備えたアンテナ共用器と、
送信増幅器または受信増幅器とを備えた高周波モジュールであって、
前記送信フィルタまたは受信フィルタの少なくとも一方が、請求項1または6に記載の弾性表面波フィルタにより構成されていることを特徴とする高周波モジュール。
An antenna duplexer having a transmission filter and a reception filter;
A high frequency module comprising a transmission amplifier or a reception amplifier,
7. A high-frequency module, wherein at least one of the transmission filter and the reception filter is configured by the surface acoustic wave filter according to claim 1 or 6.
送信フィルタと受信フィルタとを備えたアンテナ共用器と、
切換スイッチとを備えた高周波モジュールであって、
前記送信フィルタまたは受信フィルタの少なくとも一方が、請求項1または6に記載の弾性表面波フィルタにより構成されていることを特徴とする高周波モジュール。
An antenna duplexer having a transmission filter and a reception filter;
A high-frequency module comprising a changeover switch,
7. A high-frequency module, wherein at least one of the transmission filter and the reception filter is configured by the surface acoustic wave filter according to claim 1 or 6.
送信フィルタと受信フィルタとを備えたアンテナ共用器と、
送信増幅器と送信回路と、受信増幅器と受信回路とを備えた無線回路を有する通信機器であって、前記送信フィルタまたは受信フィルタの少なくとも一方が、請求項1または6に記載の弾性表面波フィルタにより構成されていることを特徴とする通信機器。
An antenna duplexer having a transmission filter and a reception filter;
A communication device having a radio circuit including a transmission amplifier, a transmission circuit, and a reception amplifier and a reception circuit, wherein at least one of the transmission filter and the reception filter is a surface acoustic wave filter according to claim 1 or 6. A communication device that is configured.
前記無線回路を切り換える切換スイッチを設けた請求項17に記載の通信機器。 The communication device according to claim 17, further comprising a changeover switch for switching the radio circuit. 圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された複数のIDT電極と複数の反射器電極と、
前記複数のIDT電極にそれぞれ接続される第1、及び第2の配線電極とを備えた弾性表面波フィルタであって、
前記第1、及び前記第2の配線電極とは絶縁層を介して立体交差する構成であって、
前記第1の配線電極は前記複数のIDT電極と接地端子GNDを接続するための配線電極であって、前記絶縁層と圧電基板の間の層に形成されており、
前記第2の配線電極は前記絶縁層の上に形成されており、
前記第1の配線電極は、前記第2の配線電極と接することなく前記IDT電極と前記接地端子GNDを接続していることを特徴とする弾性表面波フィルタ。
A piezoelectric substrate;
A plurality of IDT electrodes and a plurality of reflector electrodes formed on the piezoelectric substrate;
A surface acoustic wave filter comprising first and second wiring electrodes respectively connected to the plurality of IDT electrodes,
The first and second wiring electrodes are three-dimensionally crossed via an insulating layer,
The first wiring electrode is a wiring electrode for connecting the plurality of IDT electrodes and the ground terminal GND, and is formed in a layer between the insulating layer and the piezoelectric substrate,
The second wiring electrode is formed on the insulating layer;
The surface acoustic wave filter, wherein the first wiring electrode connects the IDT electrode and the ground terminal GND without contacting the second wiring electrode.
前記複数のIDT電極と接地端子GNDを接続するための前記第1の配線電極が、前記絶縁層と前記圧電基板の間の層に形成されており、
前記絶縁層の上に形成されている前記第2の配線電極と接することなく前記IDT電極と前記接地端子GNDを接続していることを特徴とする、請求項1または6から8のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ。
The first wiring electrode for connecting the plurality of IDT electrodes and the ground terminal GND is formed in a layer between the insulating layer and the piezoelectric substrate;
9. The IDT electrode and the ground terminal GND are connected without contacting the second wiring electrode formed on the insulating layer. The surface acoustic wave filter as described.
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