JP5499482B2 - Organic electroluminescence device, organic EL display and organic EL lighting - Google Patents

Organic electroluminescence device, organic EL display and organic EL lighting Download PDF

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Description

本発明は、湿式成膜法で形成される正孔注入層、正孔輸送層および発光層を有する有機電界発光素子に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescent device having a hole injection layer, a hole transport layer, and a light emitting layer formed by a wet film forming method.

近年、有機薄膜を用いた電界発光素子(有機電界発光素子)の開発が行われている。
有機電界発光素子は、通常、陽極と陰極との間に複数の有機層が積層されてなり、該有機層としては、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層などが挙げられる。これら有機層の形成方法としては、真空蒸着法や湿式成膜法などが利用されているが、大面積のディスプレイを製造するためには、湿式成膜法を利用することが好ましい。
In recent years, an electroluminescent element (organic electroluminescent element) using an organic thin film has been developed.
An organic electroluminescent element is usually formed by laminating a plurality of organic layers between an anode and a cathode, and the organic layer includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron. Examples include a transport layer. As a method for forming these organic layers, a vacuum deposition method, a wet film formation method, or the like is used. However, in order to manufacture a large-area display, it is preferable to use a wet film formation method.

例えば陽極上に形成される正孔注入層に高分子正孔輸送材料を湿式成膜により形成する技術が開示されている(例えば、特許文献1参照)。また、低分子発光材料を湿式成膜して発光層を形成する技術が開示されている(例えば、特許文献2参照)。
しかしながら、これら湿式成膜法を用いて製造される素子、特に、低分子発光材料を湿式成膜して形成する発光層を有する素子は、駆動時に輝度が低下し、長寿命の素子が得られないという問題点があった。
For example, a technique for forming a polymer hole transport material by wet film formation on a hole injection layer formed on an anode is disclosed (for example, see Patent Document 1). Further, a technique for forming a light emitting layer by wet-depositing a low molecular light emitting material is disclosed (for example, see Patent Document 2).
However, devices manufactured using these wet film forming methods, particularly devices having a light emitting layer formed by wet film formation of a low-molecular light emitting material, have a reduced luminance when driven, and a long-life device can be obtained. There was no problem.

特開2007−123257号公報JP 2007-123257 A 特開2006−190759号公報JP 2006-190759 A

本発明は、高分子正孔輸送材料を湿式成膜して得られる正孔注入層および低分子発光材料を湿式成膜して得られる発光層を有する有機電界発光素子において、駆動時の輝度低下が少なく、長寿命の素子を提供することを課題とする。   The present invention relates to an organic electroluminescent device having a hole injection layer obtained by wet film formation of a polymer hole transport material and a light emitting layer obtained by wet film formation of a low molecular light emitting material. It is an object to provide an element having a small lifetime and a long lifetime.

本発明者らが鋭意検討した結果、高分子正孔輸送材料を湿式成膜して得られる正孔注入層と低分子発光材料を湿式成膜して得られる発光層との間に設ける正孔輸送層を、架橋性化合物を架橋して形成することにより、上記課題が解決できることがわかり本発明に到達した。
すなわち、本発明は、陽極、陰極及び該陽極と該陰極の間に、正孔注入層、正孔輸送層および発光層をこの順に有する有機電界発光素子において、該正孔注入層は、高分子正孔輸送材料を湿式成膜して形成される層であり、該正孔輸送層は、架橋性化合物を架橋して形成される層であり、該発光層は、低分子発光材料を湿式成膜して形成される層であることを特徴とする有機電界発光素子に存する。
As a result of intensive studies by the present inventors, holes provided between a hole injection layer obtained by wet film formation of a polymer hole transport material and a light emitting layer obtained by wet film formation of a low molecular light emitting material It has been found that the above problem can be solved by forming the transport layer by crosslinking a crosslinkable compound, and the present invention has been achieved.
That is, the present invention relates to an organic electroluminescent device having an anode, a cathode, and a hole injection layer, a hole transport layer, and a light emitting layer in this order between the anode and the cathode. The hole transport material is a layer formed by wet film formation, the hole transport layer is a layer formed by crosslinking a crosslinkable compound, and the light emitting layer is formed by wet forming a low molecular weight light emitting material. The present invention resides in an organic electroluminescent device characterized by being a layer formed by film formation.

本発明によれば、高分子正孔輸送材料を湿式成膜して得られる正孔注入層および低分子発光材料を湿式成膜して得られる発光層を有する有機電界発光素子において、駆動時の輝度低下が少なく、駆動電圧の改善された、長寿命の素子を提供できる。   According to the present invention, in an organic electroluminescent device having a hole injection layer obtained by wet film formation of a polymer hole transport material and a light emitting layer obtained by wet film formation of a low molecular light emitting material, It is possible to provide a device having a long lifetime with little reduction in luminance and improved driving voltage.

本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the structure of the organic electroluminescent element of this invention.

以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例(代表例)であり、これらの内容に特定はされない。
本発明の有機電界発光素子は、陽極、陰極及び該陽極と該陰極の間に、正孔注入層、正孔輸送層および発光層をこの順に有する有機電界発光素子において、該正孔注入層は、高分子正孔輸送材料を湿式成膜して形成される層であり、該正孔輸送層は、架橋性化合物を架橋して形成される層であり、該発光層は、低分子発光材料を湿式成膜して形成される層であることを特徴とする。
The description of the constituent requirements described below is an example (representative example) of the embodiment of the present invention, and the contents are not specified.
The organic electroluminescent device of the present invention includes an anode, a cathode, and a hole injection layer, a hole transport layer, and a light emitting layer in this order between the anode and the cathode. A layer formed by wet film formation of a polymer hole transport material, the hole transport layer is a layer formed by crosslinking a crosslinkable compound, and the light emitting layer is a low molecular light emitting material. It is a layer formed by wet film formation.

以下、図1に従い、本発明の有機電界発光素子について説明する。本発明の有機電界発光素子は、陽極および陰極の間に、正孔注入層、正孔輸送層および発光層を少なくとも有するが、その他の層は有していても、有していなくてもよい。
[1]基板
基板は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
Hereinafter, the organic electroluminescent element of the present invention will be described with reference to FIG. The organic electroluminescent element of the present invention has at least a hole injection layer, a hole transport layer and a light emitting layer between the anode and the cathode, but may or may not have other layers. .
[1] Substrate
The substrate serves as a support for the organic electroluminescence device, and quartz or glass plates, metal plates or metal foils, plastic films or sheets are used. In particular, a glass plate or a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, or polysulfone is preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent element may be deteriorated by the outside air that has passed through the substrate, which is not preferable. For this reason, a method of providing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.

[2]陽極
陽極は、後述する有機発光層側の層(正孔注入層または有機発光層など)への正孔注入の役割を果たすものである。この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび/またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。陽極2の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散し、基板上に塗布することにより陽極を形成することもできる。更に、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成することもできる(Applied Physics Letters,1992年,Vol.60,pp.2711参照)。陽極は異なる物質で積層して形成することも可能である。
[2] Anode
The anode plays a role of hole injection into a layer (hole injection layer or organic light emitting layer) on the organic light emitting layer side described later. This anode is usually made of metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum, metal oxide such as oxide of indium and / or tin, metal halide such as copper iodide, carbon black, or poly It is composed of conductive polymers such as (3-methylthiophene), polypyrrole, and polyaniline. In general, the anode 2 is often formed by sputtering, vacuum deposition, or the like. Also, in the case of fine metal particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, conductive polymer fine powder, etc., it is dispersed in an appropriate binder resin solution and placed on the substrate. An anode can also be formed by coating. Further, in the case of a conductive polymer, a thin film can be directly formed on the substrate by electrolytic polymerization, or the anode 2 can be formed by applying a conductive polymer on the substrate (Applied Physics Letters, 1992, Vol.60, pp.2711). The anode can be formed by stacking different materials.

陽極の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが望ましく、この場合、厚みは、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。不透明で良い場合、陽極は基板と同一でもよい。また、更には上記の陽極の上に異なる導電材料を積層することも可能である。   The thickness of the anode varies depending on the required transparency. When transparency is required, it is desirable that the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, Usually, it is 1000 nm or less, preferably 500 nm or less. If opaque, the anode may be the same as the substrate. Furthermore, it is also possible to laminate different conductive materials on the anode.

なお、陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的として、陽極表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理することが好ましい。また、正孔注入の効率を更に向上させ、かつ、有機層全体の陽極への付着力を改善させる目的で、正孔注入層と陽極との間に公知の陽極バッファ層を挿入してもよい。   In addition, the surface of the anode is treated with ultraviolet (UV) / ozone, oxygen plasma, or argon plasma for the purpose of removing impurities adhering to the anode and adjusting the ionization potential to improve the hole injection property. Is preferred. A known anode buffer layer may be inserted between the hole injection layer and the anode for the purpose of further improving the efficiency of hole injection and improving the adhesion of the entire organic layer to the anode. .

[3]正孔注入層
本発明において、正孔注入層は高分子正孔輸送材料を湿式成膜して形成される層である
。正孔注入層には、高分子正孔輸送材料の他、電子受容性化合物、低分子の正孔輸送材料、バインダー樹脂、塗布性改良剤等が含まれていてもよい。
尚、本発明において、湿式成膜とは、有機層を形成するための材料を、適宜溶媒に分散または溶解させて成膜する方法であって、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、等が挙げられる。
[3] Hole injection layer
In the present invention, the hole injection layer is a layer formed by wet film formation of a polymer hole transport material. The hole injection layer may contain an electron-accepting compound, a low-molecular hole-transporting material, a binder resin, a coating property improving agent, and the like in addition to the polymer hole-transporting material.
In the present invention, the wet film formation is a method of forming a film by appropriately dispersing or dissolving a material for forming an organic layer in a solvent, for example, a spin coating method, a dip coating method, or a die coating method. , Bar coating method, blade coating method, roll coating method, spray coating method, capillary coating method, ink jet method, screen printing method, gravure printing method, flexographic printing method, and the like.

高分子正孔輸送材料として具体的には、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する高分子材料であることが好ましい。
正孔輸送性化合物としては、陽極2から正孔注入層3への電荷注入障壁の観点から4.5eV〜6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。高分子正孔輸送材料の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で3級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、芳香族ポリアミン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、カーボン等が挙げられる。
Specifically, the polymer hole transport material is preferably a polymer material having a hole transport property that is usually used for a hole injection layer of an organic electroluminescence device.
The hole transporting compound is preferably a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV from the viewpoint of a charge injection barrier from the anode 2 to the hole injection layer 3. Examples of polymer hole transport materials include aromatic amine derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oligothiophene derivatives, polythiophene derivatives, benzylphenyl derivatives, compounds in which tertiary amines are linked by a fluorene group, hydrazone derivatives, silazane derivatives, Silanamine derivatives, phosphamine derivatives, quinacridone derivatives, polyaniline derivatives, polypyrrole derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polythienylene vinylene derivatives, polyquinoline derivatives, polyquinoxaline derivatives, polyaniline derivatives, polyfluorene derivatives, polythiophene derivatives, aromatic polyamine derivatives, polysilane derivatives, Examples thereof include polypyrrole derivatives, polyparaphenylene vinylene derivatives, and carbon.

尚、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものである。
中でも芳香族アミンを有する高分子正孔輸送材料が好ましく、特に芳香族3級アミノ基を構成単位として主骨格に含む高分子正孔輸送材料が好ましい。また、本発明に用いられる高分子正孔輸送材料の重量平均分子量は1000以上、1000000以下であることが好ましい。高分子正孔輸送材料は、このような化合物のうち何れか1種を単独で使用しても、2種以上を使用してもよい。2種以上の高分子正孔輸送材料を使用する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族3級アミノ基を構成単位として主骨格に含む高分子正孔輸送材料1種または2種以上と、その他の正孔輸送性化合物1種または2種以上とを併用することが好ましい。
In the present invention, the derivative includes, for example, an aromatic amine derivative and a compound having an aromatic amine as a main skeleton, for example.
Among them, a polymer hole transport material having an aromatic amine is preferable, and a polymer hole transport material containing an aromatic tertiary amino group as a constituent unit in the main skeleton is particularly preferable. The weight average molecular weight of the polymeric hole transport material used in the present invention is preferably 1,000 or more and 1,000,000 or less. The polymer hole transport material may be used alone or in combination of two or more of such compounds. When two or more types of polymer hole transport materials are used, the combination thereof is arbitrary, but one or more polymer hole transport materials containing an aromatic tertiary amino group as a constituent unit in the main skeleton It is preferable to use one or more other hole transporting compounds in combination.

以下、好ましい高分子正孔輸送材料の例である式(2)について説明する。   Hereinafter, Formula (2) which is an example of a preferable polymeric hole transport material will be described.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

(式(2)中、Ar44〜Ar48は、各々独立して置換基を有していてもよい2価の芳香族環基を示し、R31〜R32は、各々独立して置換基を有していてもよい1価の芳香族環基を示し、Xは直接結合、または下記の連結基から選ばれる。なお、「芳香族環基」とは、「芳香族炭化水素環由来の基」および「芳香族複素環由来の基」の両方を含む。) (In the formula (2), Ar 44 to Ar 48 each independently represents a divalent aromatic ring group which may have a substituent, and R 31 to R 32 each independently represents a substituent. And X is selected from a direct bond or the following linking group, wherein “aromatic ring group” means “derived from an aromatic hydrocarbon ring” Including "group" and "group derived from an aromatic heterocycle")

Figure 0005499482
Figure 0005499482

(式(3)中、Ar49は置換基を有していてもよい2価の芳香族環基を示し、Ar50は置換基を有していてもよい1価の芳香族環基を示す。)
一般式(2)において、Ar44〜Ar48は、好ましくは、各々独立して置換基を有していてもよい2価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環由来の基またはビフェニル基であり、好ましくはベンゼン環由来の基である。前記置換基としてはハロゲン原子;アルキル基;アルケニル基;アルコキシカルボニル基;アルコキシ基;アリールオキシ基;ジアルキルアミノ基、などが挙げられる。これらのうち、好ましくは炭素数1〜3のアルキル基が挙げられる。Ar44〜Ar48がいずれも無置換の芳香族環基である場合が、最も好ましい。
(In formula (3), Ar 49 represents a divalent aromatic ring group which may have a substituent, and Ar 50 represents a monovalent aromatic ring group which may have a substituent. .)
In the general formula (2), Ar 44 to Ar 48 are each preferably a group derived from a divalent benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring or biphenyl group which may each independently have a substituent, A group derived from a benzene ring is preferred. Examples of the substituent include a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxycarbonyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a dialkylamino group, and the like. Of these, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferable. Most preferably, Ar 44 to Ar 48 are each an unsubstituted aromatic ring group.

31およびR32として好ましくは、各々独立して、置換基を有することがあるフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジル基、トリアジル基、ピラジル基、キノキサリル基、チエニル基、またはビフェニル基であり、好ましくはフェニル基、ナフチル基またはビフェニル基であり、より好ましくはフェニル基である。該置換基としては、Ar44〜Ar48における芳香族環が有しうる基として、前述した基と同様の基が挙げられる。 R 31 and R 32 are preferably each independently a phenyl group, naphthyl group, anthryl group, pyridyl group, triazyl group, pyrazyl group, quinoxalyl group, thienyl group, or biphenyl group, which may have a substituent. Preferably a phenyl group, a naphthyl group or a biphenyl group, more preferably a phenyl group. Examples of the substituent include a group in which an aromatic ring in Ar 44 to Ar 48 may have include the same groups as previously described.

一般式(3)において、Ar49は、置換基を有していてもよい2価の芳香族環基、好ましくは正孔輸送性の面からは芳香族炭化水素環基であり、具体的には置換基を有していてもよい2価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環由来の基、ビフェニレン基、およびターフェニレン基等が挙げられる。また、該置換基としては、Ar44〜Ar48における芳香族環が有しうる基として、前述した基と同様の基が挙げられる。これらのうち、好ましくは炭素数1〜3のアルキル基が挙げられる。 In the general formula (3), Ar 49 is a divalent aromatic ring group which may have a substituent, preferably an aromatic hydrocarbon ring group from the viewpoint of hole transportability. Includes an optionally substituted divalent benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring-derived group, biphenylene group, and terphenylene group. Further, examples of the substituent include a group in which an aromatic ring may have at Ar 44 to Ar 48, include the same groups as previously described. Of these, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferable.

Ar50は、置換基を有していてもよい芳香族環基、好ましくは正孔輸送性の面からは芳香族炭化水素環基であり、具体的には、置換基を有することがあるフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジル基、トリアジル基、ピラジル基、キノキサリル基、チエニル基、およびビフェニル基等が挙げられる。該置換基としては、一般式(2)のAr44〜Ar48における芳香族環が有しうる基として、前述した基と同様の基が挙げられる。 Ar 50 is an aromatic ring group which may have a substituent, preferably an aromatic hydrocarbon ring group from the viewpoint of hole transportability, and specifically, phenyl which may have a substituent. Group, naphthyl group, anthryl group, pyridyl group, triazyl group, pyrazyl group, quinoxalyl group, thienyl group, biphenyl group and the like. As this substituent, the group similar to the group mentioned above is mentioned as a group which the aromatic ring in Ar < 44 > -Ar < 48 > of General formula (2) may have.

尚、本発明の正孔注入層に用いられる高分子正孔輸送材料は、下記詳述する正孔輸送層のような架橋性化合物であってもよく、すなわち、正孔注入層は架橋性化合物を架橋して得られる層であってもよい。   The polymer hole transport material used in the hole injection layer of the present invention may be a crosslinkable compound such as the hole transport layer described in detail below, that is, the hole injection layer is a crosslinkable compound. It may be a layer obtained by crosslinking.

式(2)で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第2005/089024号パンフレットに記載のものが挙げられる。
また、高分子正孔輸送材料としては、ポリチオフェンの誘導体である3,4-ethylenedioxythiophene(3,4-エチレンジオキシチオフェン)を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー(PEDOT/PSS)もまた好ましい。また、このポリマーの末端
をメタクリレート等でキャップしたものであってもよい。
Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound having a repeating unit represented by the formula (2) include those described in International Publication No. 2005/089024.
In addition, as a polymer hole transport material, a conductive polymer (PEDOT / PSS) obtained by polymerizing 3,4-ethylenedioxythiophene (3,4-ethylenedioxythiophene), a polythiophene derivative, in high molecular weight polystyrene sulfonic acid. Is also preferred. Moreover, the end of this polymer may be capped with methacrylate or the like.

次に電子受容性化合物について説明する。電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる1種または2種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンダフルオロフェニル)ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩;塩化鉄(III)(特開平11−251067号公報)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子
価の無機化合物;テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンダフルオロフェニル)ボラン(特開2003−31365号公報)等の芳香族ホウ素化合物;フラーレン誘導体;ヨウ素;ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。これらの電子受容性化合物は、正孔輸送材料を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。電子受容性化合物の高分子正孔輸送材料に対する含有量は、通常0.1重量%以上、好ましくは1重量%以上である。但し、通常100重量%以下、好ましくは40重量%以下である。
Next, the electron accepting compound will be described. The electron-accepting compound is selected from the group consisting of, for example, triarylboron compounds, metal halides, Lewis acids, organic acids, onium salts, salts of arylamines and metal halides, and salts of arylamines and Lewis acids. 1 type, or 2 or more types of compounds etc. which are mentioned. More specifically, an onium salt substituted with an organic group such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate or triphenylsulfonium tetrafluoroborate; No.-251067), high-valence inorganic compounds such as ammonium peroxodisulfate; cyano compounds such as tetracyanoethylene; aromatic boron compounds such as tris (pendafluorophenyl) borane (JP-A-2003-31365); fullerenes Derivatives; iodine; sulfonate ions such as polystyrene sulfonate ions, alkylbenzene sulfonate ions, camphor sulfonate ions, and the like. These electron-accepting compounds can improve the conductivity of the hole injection layer by oxidizing the hole transport material. The content of the electron-accepting compound with respect to the polymer hole transport material is usually 0.1% by weight or more, preferably 1% by weight or more. However, it is usually 100% by weight or less, preferably 40% by weight or less.

また、低分子の正孔輸送材料としては、有機電界発光素子の正孔輸送材料として利用されてきた、従来公知の化合物が挙げられる。例えば、芳香族ジアミン化合物、芳香族トリアミン化合物、ベンジルフェニル化合物、フルオレン基で3級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン化合物、シラザン化合物、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン化合物、フタロシアニン誘導体又はポルフィリン誘導体などが挙げられる。   Examples of the low molecular hole transport material include conventionally known compounds that have been used as a hole transport material for organic electroluminescence devices. Examples include aromatic diamine compounds, aromatic triamine compounds, benzylphenyl compounds, compounds in which tertiary amines are linked by a fluorene group, hydrazone compounds, silazane compounds, silanamine derivatives, phosphamine derivatives, quinacridone compounds, phthalocyanine derivatives, or porphyrin derivatives. It is done.

正孔注入層を湿式成膜して形成するには、通常、高分子正孔輸送材料を溶媒に溶解または分散した塗布液を調製して、湿式成膜に用いる。
正孔注入層成膜用塗布液中の、高分子正孔輸送材料の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常0.01重量%以上、好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上、また、通常70重量%以下、好ましくは60重量%以下、さらに好ましくは50重量%以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。
In order to form the hole injection layer by wet film formation, a coating solution in which a polymer hole transport material is dissolved or dispersed in a solvent is usually prepared and used for wet film formation.
The concentration of the polymer hole transporting material in the coating solution for forming the hole injection layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.01% by weight or more in terms of film thickness uniformity. It is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, and usually 70% by weight or less, preferably 60% by weight or less, more preferably 50% by weight or less. If this concentration is too high, film thickness unevenness may occur, and if it is too low, defects may occur in the formed hole injection layer.

溶媒としては、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、アミド系溶媒が挙げられ、特にこれらのような疎水性の溶媒を用いることが好ましい。具体的には、エーテル系溶媒としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル等の脂肪族エステル;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒;ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは何れか1種を単独で用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。   Examples of the solvent include ether solvents, ester solvents, aromatic hydrocarbon solvents, and amide solvents, and it is particularly preferable to use hydrophobic solvents such as these. Specifically, examples of the ether solvent include aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1, 3 -Aromatic ethers such as dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole; ethyl acetate, n-butyl acetate, Aliphatic esters such as ethyl lactate and n-butyl lactate; Aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, n-butyl benzoate; benzene, toluene, xylene, etc. Aromatic carbonization Motokei solvent; N, N-dimethylformamide, N, N-amide solvents dimethylacetamide and the like; dimethyl sulfoxide and the like. Any one of these may be used alone, or two or more thereof may be used in any combination and ratio.

この溶媒の沸点は通常110℃以上、好ましくは140℃以上、中でも200℃以上、通常400℃以下、中でも300℃以下であることが好ましい。溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。また、溶剤の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くする必要があし、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。
塗布液を調製後、通常は陽極上に湿式成膜により塗布液を成膜する。成膜時の温度は10〜50℃が好ましく、相対湿度は0.01ppm〜80%以下が好ましい。
The boiling point of this solvent is usually 110 ° C. or higher, preferably 140 ° C. or higher, particularly 200 ° C. or higher, usually 400 ° C. or lower, and preferably 300 ° C. or lower. If the boiling point of the solvent is too low, the drying speed is too high and the film quality may be deteriorated. Further, if the boiling point of the solvent is too high, it is necessary to increase the temperature of the drying step, which may adversely affect other layers and the substrate.
After preparing the coating solution, the coating solution is usually formed on the anode by wet film formation. The temperature during film formation is preferably 10 to 50 ° C., and the relative humidity is preferably 0.01 ppm to 80%.

成膜後、乾燥させるが、加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブンおよびホットプレートが好ましい。
加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、溶媒の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、塗布液に用いた溶媒が2種類以上含まれている混合溶媒の場合、少なくとも1種類がその溶媒の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶媒の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは120℃以上、好ましくは410℃以下、より好ましくは300℃以下で加熱することが好ましい。
Examples of the heating means used in the heating step include a clean oven, a hot plate, an infrared ray, a halogen heater, and microwave irradiation. Among them, a clean oven and a hot plate are preferable in order to uniformly apply heat to the entire film.
The heating temperature in the heating step is preferably heated at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. In the case of a mixed solvent containing two or more types of solvents used in the coating solution, it is preferable that at least one type is heated at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent. In consideration of an increase in the boiling point of the solvent, it is preferable to heat at 120 ° C. or higher, preferably 410 ° C. or lower, more preferably 300 ° C. or lower in the heating step.

加熱工程において、加熱温度が塗布液の溶媒の沸点以上であり、かつ塗布膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは10秒以上、通常180分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は2回に分けて行ってもよい。
正孔注入層の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。
In the heating step, the heating time is not limited as long as the heating temperature is not lower than the boiling point of the solvent of the coating solution and sufficient insolubilization of the coating film does not occur, but it is preferably 10 seconds or longer and usually 180 minutes or shorter. If the heating time is too long, the components of the other layers tend to diffuse, and if it is too short, the hole injection layer tends to be inhomogeneous. Heating may be performed in two steps.
The thickness of the hole injection layer is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.

[4]正孔輸送層
正孔輸送層は、通常は、正孔注入層上に成膜される。本発明において、正孔輸送層は架橋性化合物を架橋して形成される。
架橋性化合物は、架橋基を有する化合物であって、架橋することによりポリマーを形成する。架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。架橋性化合物は1種のみを有していてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。
[4] Hole transport layer
The hole transport layer is usually formed on the hole injection layer. In the present invention, the hole transport layer is formed by crosslinking a crosslinkable compound.
The crosslinkable compound is a compound having a crosslinking group, and forms a polymer by crosslinking. The crosslinkable compound may be any of a monomer, an oligomer, and a polymer. The crosslinkable compound may have only 1 type, and may have 2 or more types by arbitrary combinations and ratios.

また、架橋基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基;ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合由来の基;ベンゾシクロブテン由来の基などが挙げられる。
架橋基を有するモノマー、オリゴマー又はポリマーが有する架橋基の数に特に制限はないが、単位電荷輸送ユニットあたり通常2.0未満、好ましくは0.8以下、より好ましくは0.5以下となる数が好ましい。比誘電率を好適な範囲に納めるためである。また、架橋基の数が多すぎると、反応活性種が発生し、他の材料に悪影響を与える可能性があるためである。ここで、単位電荷輸送ユニットとは、架橋性ポリマーを形成する材料がモノマー体の場合、モノマー体そのものであり、架橋基をのぞいた骨格(主骨格)のことを示す。他種類のモノマーを混合する場合においても、それぞれのモノマーの主骨格のことを示す。架橋性ポリマーを形成する材料がオリゴマーやポリマーの場合、有機化学的に共役がとぎれる構造の繰り返しの場合は、その繰り返しの構造を単位電荷輸送ユニットとする。また、広く共役が連なっている構造の場合には、電荷輸送性を示す最小繰り返し構造、乃至はモノマー構造を示す。例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、テトラセン、クリセン、ピレン、ペリレンなどの多環系芳香族、フルオレン、トリフェニレン、カルバゾール、トリアリールアミン、テトラアリールベンジジン、1,4−ビス(ジアリールアミノ)ベンゼンなどが挙げられる。
Examples of crosslinking groups include groups derived from cyclic ethers such as oxetane and epoxy; groups derived from unsaturated double bonds such as vinyl, trifluorovinyl, styryl, acryl, methacryloyl and cinnamoyl; benzo Examples include groups derived from cyclobutene.
The number of crosslinking groups in the monomer, oligomer or polymer having a crosslinking group is not particularly limited, but is usually less than 2.0, preferably not more than 0.8, more preferably not more than 0.5 per unit charge transport unit. Is preferred. This is to keep the relative permittivity within a suitable range. Moreover, when the number of crosslinking groups is too large, reactive active species are generated, which may adversely affect other materials. Here, when the material forming the crosslinkable polymer is a monomer body, the unit charge transport unit is a monomer body itself, and indicates a skeleton (main skeleton) excluding a crosslinking group. Even when other types of monomers are mixed, the main skeleton of each monomer is shown. When the material forming the crosslinkable polymer is an oligomer or polymer, in the case of repeating a structure in which conjugation is broken organically, the repeated structure is defined as a unit charge transport unit. In the case of a structure in which conjugation is widely connected, a minimum repeating structure exhibiting charge transporting property or a monomer structure is shown. Examples include polycyclic aromatics such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, tetracene, chrysene, pyrene, perylene, fluorene, triphenylene, carbazole, triarylamine, tetraarylbenzidine, 1,4-bis (diarylamino) benzene, and the like. It is done.

架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物(架橋性正孔輸送化合物)を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族
化合物誘導体;トリフェニルアミン誘導体;シロール誘導体;オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体;トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が3つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。
As the crosslinkable compound, a hole transporting compound having a crosslinkable group (crosslinkable hole transporting compound) is preferably used. Examples of hole transporting compounds include nitrogen-containing aromatic compound derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives; triphenylamine derivatives Silole derivatives; oligothiophene derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives, metal complexes and the like. Among them, nitrogen-containing aromatic derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives; triphenylamine derivatives, silole derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives, metal complexes, etc. Particularly preferred are triphenylamine derivatives. In addition, for example, polyvinylcarbazole derivatives, polyarylamine derivatives, polyvinyltriphenylamine derivatives, polyfluorene derivatives, polyarylene derivatives, polyarylene ether sulfone derivatives containing tetraphenylbenzidine, polyarylene vinylene derivatives, polysiloxane derivatives, polythiophenes Derivatives, poly (p-phenylene vinylene) derivatives, and the like. These may be any of an alternating copolymer, a random polymer, a block polymer, or a graft copolymer. Further, it may be a polymer having a branched main chain and three or more terminal portions, or a so-called dendrimer.

これら正孔輸送性化合物に対して、架橋性基が主鎖または側鎖に結合しているものが挙げられる。特に架橋性基は、アルキレン基等の連結基を介して、主鎖に結合していることが好ましい。
また、特に正孔輸送性化合物としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体であることが好ましく、中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体を繰り返し単位に有することが好ましく、特に下記式(II)や式(III−1)〜(III−3)に架橋性基が直接または連結基を介して結合した繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。
With respect to these hole transporting compounds, those in which a crosslinkable group is bonded to a main chain or a side chain can be mentioned. In particular, the crosslinkable group is preferably bonded to the main chain via a linking group such as an alkylene group.
In particular, as the hole transporting compound, a polymer containing a repeating unit having a crosslinkable group is preferable, and among them, it is preferable to have a polyarylamine derivative or a polyarylene derivative in the repeating unit. A polymer having a repeating unit in which a crosslinkable group is bonded directly or via a linking group to (II) or formulas (III-1) to (III-3) is preferred.

<式(II)>
下記式(II)で表される繰り返し単位を含むポリアリールアミン誘導体系の重合体が好ましい。特に、下記式(II)で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、ArまたはArが異なっているものであってもよい。
<Formula (II)>
A polyarylamine derivative-based polymer containing a repeating unit represented by the following formula (II) is preferred. In particular, a polymer composed of a repeating unit represented by the following formula (II) is preferred. In this case, Ar a or Ar b may be different in each repeating unit.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

(式(II)中、Ar及びArは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。)
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、6員環の単環または2〜5縮合環由来の基およびこれらの環が2環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
(In Formula (II), Ar a and Ar b each independently represent an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.)
Examples of the aromatic hydrocarbon group which may have a substituent include, for example, a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, and acenaphthene. Examples thereof include a group derived from a 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring, such as a ring, a fluoranthene ring, and a fluorene ring, and a group in which two or more of these rings are linked by a direct bond.

置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジ
ン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、5または6員環の単環または2〜4縮合環由来の基およびこれらの環が2環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
Examples of the aromatic heterocyclic group which may have a substituent include a furan ring, a benzofuran ring, a thiophene ring, a benzothiophene ring, a pyrrole ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, an oxadiazole ring, an indole ring, and a carbazole ring. , Pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzoisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine Ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring, etc. Or a group and the rings of from 2-4 fused rings include groups formed by connecting a direct bond or two or more rings.

溶解性、耐熱性の点から、ArおよびArは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が2環以上連結してなる基(例えば、ビフェニル基やターフェニル基)が好ましい。
中でも、ベンゼン環由来の基(フェニル基)、ベンゼン環が2環連結してなる基(ビフェニル基)およびフルオレン環由来の基(フルオレニル基)が好ましい。
From the viewpoints of solubility and heat resistance, Ar a and Ar b are each independently selected from the group consisting of a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, triphenylene ring, pyrene ring, thiophene ring, pyridine ring, and fluorene ring. A group derived from a selected ring or a group formed by linking two or more benzene rings (for example, a biphenyl group or a terphenyl group) is preferable.
Among these, a group derived from a benzene ring (phenyl group), a group formed by connecting two benzene rings (biphenyl group), and a group derived from a fluorene ring (fluorenyl group) are preferable.

ArおよびArにおける芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。 Examples of the substituent that the aromatic hydrocarbon group and the aromatic heterocyclic group in Ar a and Ar b may have include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkoxycarbonyl group, and a dialkyl. Examples thereof include an amino group, a diarylamino group, an acyl group, a halogen atom, a haloalkyl group, an alkylthio group, an arylthio group, a silyl group, a siloxy group, a cyano group, an aromatic hydrocarbon ring group, and an aromatic heterocyclic group.

ポリアリーレン誘導体としては、前記式(II)におけるArやArとして例示した置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。
<式(III−1)〜(III−3)>
ポリアリーレン誘導体としては、下記式(III−1)および/または下記式(III−2)からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。
As the polyarylene derivative, an arylene group such as an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent exemplified as Ar a or Ar b in the formula (II) is used as its repeating unit. The polymer which has is mentioned.
<Formulas (III-1) to (III-3)>
As a polyarylene derivative, the polymer which has a repeating unit which consists of following formula (III-1) and / or following formula (III-2) is preferable.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

(式(III−1)中、Ra、Rb、RおよびRは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシ基を表す。tおよびsは、それぞれ独立に、0〜3の整数を表す。tまたはsが2以上の場合、一分子中に含まれる複数のRaまたはRbは同一であっても異なっていてもよく、隣接するRaまたはRbどうしで環を形成していてもよい。) (In formula (III-1), R a , R b , R c and R d are each independently an alkyl group, an alkoxy group, a phenylalkyl group, a phenylalkoxy group, a phenyl group, a phenoxy group, an alkylphenyl group, Represents an alkoxyphenyl group, an alkylcarbonyl group, an alkoxycarbonyl group, or a carboxy group, and t and s each independently represent an integer of 0 to 3. When t or s is 2 or more, they are contained in one molecule. A plurality of R a or R b may be the same or different, and adjacent R a or R b may form a ring.)

Figure 0005499482
Figure 0005499482

(式(III−2)中、RおよびRは、それぞれ独立に、上記式(III−1)にお
けるRa、Rb、RまたはRと同義である。rおよびuは、それぞれ独立に、0〜3の整数を表す。rまたはuが2以上の場合、一分子中に含まれる複数のRおよびRは同一であっても異なっていてもよく、隣接するRまたはRどうしで環を形成していてもよい。Xは、5員環または6員環を構成する原子または原子群を表す。)
Xの具体例としては、酸素原子、置換基を有していてもよいホウ素原子、置換基を有していてもよい窒素原子、置換基を有していてもよいケイ素原子、置換基を有していてもよいリン原子、置換基を有していてもよいイオウ原子、置換基を有していてもよい炭素原子またはこれらが結合してなる基である。
(In Formula (III-2), R e and R f are each independently the same as R a , R b , R c or R d in Formula (III-1) above. Independently, it represents an integer of 0 to 3. When r or u is 2 or more, a plurality of R e and R f contained in one molecule may be the same or different, and adjacent R e or R f may form a ring, and X represents an atom or a group of atoms constituting a 5-membered ring or a 6-membered ring.)
Specific examples of X include an oxygen atom, a boron atom which may have a substituent, a nitrogen atom which may have a substituent, a silicon atom which may have a substituent, and a substituent. A phosphorus atom which may be substituted, a sulfur atom which may have a substituent, a carbon atom which may have a substituent, or a group formed by bonding these.

また、ポリアリーレン誘導体としては、下記式(III−1)および/または下記式(III−2)からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式(III−3)で表される繰り返し単位を有することが好ましい。   The polyarylene derivative has a repeating unit represented by the following formula (III-3) in addition to the repeating unit represented by the following formula (III-1) and / or the following formula (III-2). Is preferred.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

(式(III−3)中、Ar〜Arは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。vおよびwは、それぞれ独立に0または1を表す。)
Ar〜Arの具体例としては、前記式(II)における、Ar及びArと同様である。
(In the formula (III-3), Ar c to Ar j each independently represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Independently represents 0 or 1.)
Specific examples of Ar c to Ar j are the same as Ar a and Ar b in the formula (II).

上記式(III−1)〜(III−3)の具体例およびポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開2008-98619号公報に記載のものなどが挙げられる。
架橋性化合物の分子量は、低分子材料(単一の分子量からなる化合物)の場合、通常5000以下、好ましくは2500以下であり、また好ましくは300以上、さらに好ましくは500以上である。高分子材料(繰り返し単位を含む重合体)の場合、重量平均分子量が通常10000以上、好ましくは15000以上、通常2000000以下、好ましくは1000000以下、数平均分子量が通常3000以上、好ましくは6000以上、通常1000000以下、好ましくは500000以下である。
Specific examples of the above formulas (III-1) to (III-3) and specific examples of polyarylene derivatives include those described in JP-A-2008-98619.
In the case of a low molecular weight material (compound consisting of a single molecular weight), the molecular weight of the crosslinkable compound is usually 5000 or less, preferably 2500 or less, preferably 300 or more, more preferably 500 or more. In the case of a polymer material (polymer containing a repeating unit), the weight average molecular weight is usually 10,000 or more, preferably 15,000 or more, usually 2,000,000 or less, preferably 1,000,000 or less, and the number average molecular weight is usually 3,000 or more, preferably 6,000 or more, usually 1000000 or less, preferably 500000 or less.

また、本発明における正孔輸送層では架橋性化合物と組み合わせて、架橋基を有さないモノマー、オリゴマー及びポリマーを用いることもできる。
以下に架橋性化合物の具体例を挙げるがこれに限定されるものではない。また、具体例としては、以下に記載の化合物以外にも、例えば、下記詳述する実施例において用いている、架橋性正孔輸送化合物等が挙げられる。
In the hole transport layer in the present invention, monomers, oligomers and polymers having no crosslinking group can be used in combination with the crosslinking compound.
Although the specific example of a crosslinkable compound is given to the following, it is not limited to this. Moreover, as a specific example, the crosslinkable hole transport compound etc. which are used in the Example explained in full detail below other than the compound as described below are mentioned, for example.

Figure 0005499482
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架橋性化合物を架橋して正孔輸送層を形成するには、通常、架橋性化合物を溶媒に溶解または分散した塗布液を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。
塗布液には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤及び重合促進剤;縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤;などが挙げられる。また、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤;電子受容性化合物:バインダー樹脂、などを含有していてもよい。
In order to form a hole transport layer by crosslinking a crosslinkable compound, usually, a coating solution in which the crosslinkable compound is dissolved or dispersed in a solvent is prepared, and the film is crosslinked by wet film formation.
In addition to the crosslinkable compound, the coating solution may contain an additive that accelerates the crosslinking reaction. Examples of additives that promote the crosslinking reaction include polymerization initiators and polymerization accelerators such as alkylphenone compounds, acylphosphine oxide compounds, metallocene compounds, oxime ester compounds, azo compounds, onium salts; condensed polycyclic hydrocarbons, And photosensitizers such as porphyrin compounds and diaryl ketone compounds. Further, it may contain a coating property improving agent such as a leveling agent and an antifoaming agent; an electron accepting compound: a binder resin, and the like.

塗布液に用いられる溶媒は、前記正孔注入層を形成するための溶媒として例示したものと同様である。塗布液は、架橋性化合物を通常0.01重量%以上、好ましくは0.05重量%以上、さらに好ましくは0.1重量%以上、通常50重量%以下、好ましくは20重量%以下、さらに好ましくは10重量%以下含有する。
塗布液を下層上(通常正孔注入層上)に成膜後、加熱および/または光などの電磁エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させてポリマー化する。成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層の成膜時と同様である。
The solvent used for the coating solution is the same as that exemplified as the solvent for forming the hole injection layer. In the coating solution, the crosslinkable compound is usually 0.01% by weight or more, preferably 0.05% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, usually 50% by weight or less, preferably 20% by weight or less, more preferably. Contains 10% by weight or less.
After the coating liquid is formed on the lower layer (usually on the hole injection layer), the crosslinkable compound is crosslinked and polymerized by heating and / or irradiation with electromagnetic energy such as light. Conditions such as temperature and humidity during film formation are the same as those during film formation of the hole injection layer.

成膜後の加熱の手法は特に限定されないが、例としては加熱乾燥、減圧乾燥等が挙げられる。加熱乾燥の場合の条件としては、通常120℃以上、好ましくは400℃以下に成膜された層を加熱する。加熱時間としては、通常1分以上、好ましくは24時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で120℃以上、1分間以上加熱する等の条件を用いることができる。   The heating method after film formation is not particularly limited, and examples thereof include heat drying and reduced pressure drying. As conditions for the heat drying, the layer formed at 120 ° C. or higher, preferably 400 ° C. or lower is heated. The heating time is usually 1 minute or longer, preferably 24 hours or shorter. The heating means is not particularly limited, and means such as placing a laminated body having a deposited layer on a hot plate or heating in an oven is used. For example, conditions such as heating on a hot plate at 120 ° C. or more for 1 minute or more can be used.

光などの電磁エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の電磁エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、0.1秒以上、好ましくは10時間以下照射される。   In the case of irradiation with electromagnetic energy such as light, a method of irradiating directly using an ultraviolet / visible / infrared light source such as an ultra-high pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, a halogen lamp or an infrared lamp, or the above-mentioned light source is incorporated. Examples include a mask aligner and a method of irradiation using a conveyor type light irradiation device. In electromagnetic energy irradiation other than light, for example, there is a method of irradiation using a device that irradiates a microwave generated by a magnetron, a so-called microwave oven. As the irradiation time, it is preferable to set conditions necessary for reducing the solubility of the film, but irradiation is usually performed for 0.1 seconds or longer, preferably 10 hours or shorter.

加熱および光などの電磁エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
加熱および光を含む電磁エネルギー照射は、実施後に層に含有する水分および/または表面に吸着する水分の量を低減するために、窒素ガス雰囲気等の水分を含まない雰囲気で行うことが好ましい。同様の目的で、加熱および/または光などの電磁エネルギー照射を組み合わせて行う場合には、少なくとも有機発光層の形成直前の工程を窒素ガス雰囲気等の水分を含まない雰囲気で行うことが特に好ましい。
Heating and irradiation of electromagnetic energy such as light may be performed individually or in combination. When combined, the order of implementation is not particularly limited.
In order to reduce the amount of moisture contained in the layer and / or moisture adsorbed on the surface after implementation, the electromagnetic energy irradiation including heating and light is preferably performed in an atmosphere containing no moisture such as a nitrogen gas atmosphere. For the same purpose, when combined with heating and / or irradiation with electromagnetic energy such as light, it is particularly preferable to perform at least the step immediately before the formation of the organic light emitting layer in an atmosphere containing no moisture such as a nitrogen gas atmosphere.

[5]発光層
本発明において発光層は、低分子発光材料を湿式成膜して形成される層である。発光層は、この低分子発光材料をドーパント材料として含み、さらに低分子電荷輸送材料をホスト材料として含む層であることが好ましい。ここで、本発明で言う低分子発光材料および低分子電荷輸送材料とは、その分子量が、通常10000以下、好ましくは5000以下、より好ましくは4000以下、更に好ましくは3000以下、また、通常100以上、好ましくは200以上、より好ましくは300以上、更に好ましくは400以上の化合物である。分子量が前記下限を下回ると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、あるいはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化をきたしたりするため、好ましくない。分子量が
上限を超えると、有機化合物の精製が困難となってしまったり、溶媒に溶解させる際に時間を要する可能性が高いため、好ましくない。
[5] Light emitting layer
In the present invention, the light emitting layer is a layer formed by wet film formation of a low molecular light emitting material. The light emitting layer is preferably a layer containing this low molecular light emitting material as a dopant material and further containing a low molecular charge transport material as a host material. Here, the low molecular light emitting material and the low molecular charge transporting material referred to in the present invention have a molecular weight of usually 10,000 or less, preferably 5000 or less, more preferably 4000 or less, still more preferably 3000 or less, and usually 100 or more. The compound is preferably 200 or more, more preferably 300 or more, and still more preferably 400 or more. If the molecular weight is below the lower limit, the heat resistance is remarkably reduced, gas is generated, the film quality is deteriorated when the film is formed, or the morphology of the organic electroluminescent device is changed due to migration or the like. This is not preferable. When the molecular weight exceeds the upper limit, it is not preferable because it is difficult to purify the organic compound or it takes time to dissolve in the solvent.

低分子発光材料としては、任意の公知の材料を適用可能である。例えば、蛍光発光材料であってもよく、燐光発光材料であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光材料である。
青色発光を与える蛍光色素(蛍光発光材料)としては、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、p−ビス(2−フェニルエテニル)ベンゼンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、DCM(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran)系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
Any known material can be applied as the low-molecular light-emitting material. For example, a fluorescent material or a phosphorescent material may be used, but a phosphorescent material is preferable from the viewpoint of internal quantum efficiency.
Examples of fluorescent dyes (fluorescent materials) that emit blue light include naphthalene, perylene, pyrene, anthracene, coumarin, p-bis (2-phenylethenyl) benzene, and derivatives thereof. Examples of the green fluorescent dye include quinacridone derivatives and coumarin derivatives. Examples of yellow fluorescent dyes include rubrene and perimidone derivatives. Red fluorescent dyes include DCM (4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran) compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene, etc. Can be mentioned.

燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表(以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。)第7〜11族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。周期表第7〜11族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。錯体の配位子としては、(ヘテロ)アリールピリジン配位子、(ヘテロ)アリールピラゾール配位子などの(ヘテロ)アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。ここで、(ヘテロ)アリールとは、アリール基またはヘテロアリール基を表す。燐光発光材料として、具体的には、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム、トリス(2−フェニルピリジン)ルテニウム、トリス(2−フェニルピリジン)パラジウム、ビス(2−フェニルピリジン)白金、トリス(2−フェニルピリジン)オスミウム、トリス(2−フェニルピリジン)レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられる。   As the phosphorescent material, for example, a long-period type periodic table (hereinafter referred to as a long-period type periodic table when referred to as “periodic table” unless otherwise specified) is selected from the seventh to eleventh groups. And an organometallic complex containing a metal. Preferred examples of the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold. As the ligand of the complex, a ligand in which a (hetero) aryl group such as a (hetero) arylpyridine ligand or a (hetero) arylpyrazole ligand and a pyridine, pyrazole, phenanthroline, or the like is connected is preferable. A pyridine ligand and a phenylpyrazole ligand are preferable. Here, (hetero) aryl represents an aryl group or a heteroaryl group. Specific examples of the phosphorescent material include tris (2-phenylpyridine) iridium, tris (2-phenylpyridine) ruthenium, tris (2-phenylpyridine) palladium, bis (2-phenylpyridine) platinum, tris (2- Phenylpyridine) osmium, tris (2-phenylpyridine) rhenium, octaethyl platinum porphyrin, octaphenyl platinum porphyrin, octaethyl palladium porphyrin, octaphenyl palladium porphyrin, and the like.

低分子発光材料は、1種のみ用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
ホスト材料として用いられる低分子電荷輸送材料としては、発光層のホスト材料として用いられている化合物であればよく、例えば、カルバゾール系化合物、トリアリールアミン系化合物、フェニルアントラセン系化合物、縮環アリーレンのスターバースト型化合物、縮環型イミダゾール系化合物、アゼピン系化合物、縮環型トリアゾール系化合物、プロペラ型アリーレン系化合物、モノトリアリールアミン型化合物、アリールベンジジン系化合物、トリアリール硼素化合物、インドール系化合物、インドリジン系化合物、ピレン系化合物、ジベンゾオキサゾール(又はジベンゾチアゾール)系化合物、ビピリジル系化合物、ピリジン系化合物などが挙げられる。
Only one kind of low molecular light emitting material may be used, or two or more kinds may be used in combination.
The low molecular charge transporting material used as the host material may be a compound used as a host material for the light emitting layer. For example, a carbazole compound, a triarylamine compound, a phenylanthracene compound, a fused arylene Starburst compound, condensed imidazole compound, azepine compound, condensed triazole compound, propeller arylene compound, monotriarylamine compound, arylbenzidine compound, triarylboron compound, indole compound, Examples include indolizine compounds, pyrene compounds, dibenzoxazole (or dibenzothiazole) compounds, bipyridyl compounds, pyridine compounds, and the like.

これらの中でも、有機電界発光素子を用いた場合の優れた発光特性の点から、カルバゾール系化合物、トリアリールアミン系化合物、フェナントロリン系化合物、オキサジアゾール系化合物、縮環アリーレンのスターバースト型化合物、縮環型イミダゾール系化合物、プロペラ型アリーレン系化合物、モノトリアリールアミン型化合物、インドール系化合物、インドリジン系化合物、ビピリジル系化合物、ピリジン系化合物等が好ましい。   Among these, from the point of excellent light emission characteristics when using an organic electroluminescent device, a carbazole compound, a triarylamine compound, a phenanthroline compound, an oxadiazole compound, a starburst compound of a condensed ring arylene, A condensed ring imidazole compound, a propeller type arylene compound, a monotriarylamine type compound, an indole compound, an indolizine compound, a bipyridyl compound, a pyridine compound and the like are preferable.

さらに具体的には、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル、4,4’,4”−トリス(1−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、2,2’,7,7’−テトラキス−(ジフェニルアミノ)−9,9’−スピロビフルオレン、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール(BND)、2,5−ビス(6’−(2’,2”−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニ
ルシロール(PyPySPyPy)、バソフェナントロリン(BPhen)、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(BCP、バソクプロイン)、2−(4−ビフェニリル)−5−(p−ターシャルブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(tBu−PBD)、4,4’−ビス(9−カルバゾール)−ビフェニル(CBP)等が挙げられる。
More specifically, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl, 4,4 ′, 4 ″ -tris (1-naphthylphenylamino) triphenylamine, 2, 2 ′, 7,7′-tetrakis- (diphenylamino) -9,9′-spirobifluorene, 2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole (BND), 2, 5-bis (6 ′-(2 ′, 2 ″ -bipyridyl))-1,1-dimethyl-3,4-diphenylsilole (PyPySPyPy), bathophenanthroline (BPhen), 2,9-dimethyl-4,7- Diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP, bathocuproin), 2- (4-biphenylyl) -5- (p-tertiarybutylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (tBu-PBD), 4, And 4′-bis (9-carbazole) -biphenyl (CBP).

低分子電荷輸送材料は、1種のみ用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
低分子発光材料を湿式成膜により成膜して発光層を得るには通常、低分子発光材料を溶媒に溶解または分散した塗布液を調製して、湿式成膜により成膜する。塗布液は低分子発光材料の他、通常溶媒を含有し、さらに低分子電荷輸送材料を含有することが好ましい。
Only one type of low molecular charge transport material may be used, or two or more types may be used in combination.
In order to obtain a light emitting layer by depositing a low molecular light emitting material by wet film formation, a coating solution in which a low molecular light emitting material is dissolved or dispersed in a solvent is usually prepared, and the film is formed by wet film formation. The coating solution preferably contains a solvent in addition to a low molecular light emitting material, and further contains a low molecular charge transport material.

溶媒としては、上記正孔注入層を湿式成膜する際に用いる溶媒として例示したものが同様に好適である。また、塗布液中の低分子発光材料および低分子電荷輸送材料の濃度としては、本発明の効果を著しく損なわない限り制限はないが、通常0.01重量%以上、好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上、また、通常70重量%以下、好ましくは60重量%以下、さらに好ましくは50重量%以下である。濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された層に欠陥が生じる可能性がある。   As the solvent, those exemplified as the solvent used when the hole injection layer is formed into a wet film are also suitable. Further, the concentration of the low molecular light emitting material and the low molecular charge transport material in the coating solution is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.01% by weight or more, preferably 0.1% by weight. Above, more preferably 0.5% by weight or more, and usually 70% by weight or less, preferably 60% by weight or less, more preferably 50% by weight or less. If the concentration is too high, film thickness unevenness may occur, and if it is too low, defects may occur in the deposited layer.

また、塗布液中或いは発光層中における、発光材料/電荷輸送材料の重量混合比は、通常、0.1/99.9以上であり、より好ましくは0.5/99.5以上であり、更に好ましくは1/99以上であり、最も好ましくは2/98以上で、通常、50/50以下であり、より好ましくは40/60以下であり、更に好ましくは30/70以下であり、最も好ましくは20/80以下である。   Further, the weight mixing ratio of the light emitting material / charge transporting material in the coating solution or in the light emitting layer is usually 0.1 / 99.9 or more, more preferably 0.5 / 99.5 or more, More preferably 1/99 or more, most preferably 2/98 or more, usually 50/50 or less, more preferably 40/60 or less, still more preferably 30/70 or less, and most preferably Is 20/80 or less.

また、塗布液中には、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤、バインダー樹脂などを含有していてもよい。
前記塗布液を調製後、下層上(通常正孔輸送層上)に該塗布液を湿式成膜する。成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、10℃以上が好ましく、13℃以上がより好ましく、16℃以上がさらに好ましく、また、50℃以下が好ましく、40℃以下がより好ましく、30℃以下がさらに好ましい。塗布液中に結晶が生じることを抑制するためである。相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.01ppm以上、好ましくは0.05ppm以上、より好ましくは0.1ppm以上、また、通常80%以下、好ましくは60%以下、より好ましくは15%以下、更に好ましくは1%以下、特に好ましくは100ppm以下である。相対湿度が小さすぎると、湿式成膜法における成膜条件の制御が困難となる可能性がある。また、大きすぎると有機層への水分吸着が影響しやすくなる可能性がある。
In addition, the coating solution may contain various additives such as a leveling agent and an antifoaming agent, a binder resin, and the like.
After preparing the coating solution, the coating solution is wet-formed on the lower layer (usually on the hole transport layer). The film formation temperature is not limited as long as the effects of the present invention are not significantly impaired, but is preferably 10 ° C or higher, more preferably 13 ° C or higher, further preferably 16 ° C or higher, preferably 50 ° C or lower, and 40 ° C or lower. More preferably, it is 30 ° C. or less. This is for suppressing generation of crystals in the coating solution. The relative humidity is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.01 ppm or more, preferably 0.05 ppm or more, more preferably 0.1 ppm or more, and usually 80% or less, preferably 60% or less. More preferably, it is at most 15%, further preferably at most 1%, particularly preferably at most 100 ppm. If the relative humidity is too small, it may be difficult to control film forming conditions in the wet film forming method. On the other hand, if it is too large, moisture adsorption on the organic layer may be easily affected.

成膜時の酸素の体積濃度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは0.01ppm以上、より好ましくは0.05ppm以上、また、好ましくは50%以下、より好ましくは25%以下、さらに好ましくは1%以下、中でも好ましくは100ppm以下、特に好ましくは10ppm以下である。酸素濃度が低すぎる環境は制御が難しく、また酸素濃度が高すぎると、有機層内部に酸素が拡散することで、素子特性に悪影響を与える可能性がある。   The volume concentration of oxygen during film formation is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is preferably 0.01 ppm or more, more preferably 0.05 ppm or more, and preferably 50% or less, more preferably 25. % Or less, more preferably 1% or less, particularly preferably 100 ppm or less, particularly preferably 10 ppm or less. An environment in which the oxygen concentration is too low is difficult to control. If the oxygen concentration is too high, oxygen diffuses inside the organic layer, which may adversely affect device characteristics.

尚、本発明の発光層における低分子発光材料は、主として発光する成分であって、有機電界発光素子から発せられる光量(単位:cd/m)の内、通常10〜100%、好ましくは20〜100%、より好ましくは50〜100%、最も好ましくは80〜100%を発するものである。従って、本発明の発光層において、高分子発光材料を多少含んでい
てもよいが、その場合、主として発光するものではない。本発明の発光層は、高分子の発光材料を含有しないことが好ましい。
In addition, the low molecular weight light emitting material in the light emitting layer of the present invention is a component that mainly emits light, and is usually 10 to 100%, preferably 20 of the light amount (unit: cd / m 2 ) emitted from the organic electroluminescent element. -100%, more preferably 50-100%, most preferably 80-100%. Therefore, the light emitting layer of the present invention may contain some polymer light emitting material, but in that case, it does not mainly emit light. The light emitting layer of the present invention preferably contains no polymer light emitting material.

成膜後、発光層を加熱乾燥することが好ましい。この加熱乾燥には、ホットプレート、オーブン、電磁波加熱等公知の加熱手段が用いられる。加熱処理による効果を十分に得るためには、60℃以上で処理することが好ましく、残留水分量の低減のために100℃以上で処理することがより好ましい。加熱時間は通常1分〜8時間程度である。
発光層の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常3nm以上、好ましくは5nm以上、また、通常200nm以下、好ましくは100nm以下の範囲である。発光層の膜厚が、薄すぎると発光層に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると有機EL素子の駆動電圧が上昇する可能性がある。
After the film formation, it is preferable to heat dry the light emitting layer. For this heat drying, a known heating means such as a hot plate, oven, electromagnetic wave heating or the like is used. In order to sufficiently obtain the effect of the heat treatment, it is preferable to perform the treatment at 60 ° C. or higher, and it is more preferable to perform the treatment at 100 ° C. or higher in order to reduce the residual water content. The heating time is usually about 1 minute to 8 hours.
The thickness of the light emitting layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 3 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less. If the thickness of the light emitting layer is too thin, defects may occur in the light emitting layer, and if it is too thick, the driving voltage of the organic EL element may increase.

以上、本発明において、正孔注入層、正孔輸送層および発光層はこの順に積層されればよく、これら各層の間に他の層を有していてもよいが、通常は正孔注入層、正孔輸送層および発光層はこの順に隣接して積層されることが好ましい。
[6]正孔阻止層
発光層上に正孔阻止層を設けてもよい。この正孔阻止層は、陽極から移動してくる正孔を陰極に到達するのを阻止する役割と、陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送する役割とを有する。
As described above, in the present invention, the hole injection layer, the hole transport layer, and the light emitting layer may be laminated in this order, and other layers may be provided between these layers. The hole transport layer and the light emitting layer are preferably laminated adjacent to each other in this order.
[6] Hole blocking layer
A hole blocking layer may be provided on the light emitting layer. The hole blocking layer has a role of blocking holes moving from the anode from reaching the cathode and a role of efficiently transporting electrons injected from the cathode toward the light emitting layer.

正孔阻止層を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス(2−メチル−8−キノリノラト),(フェノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト),(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2−メチル−8−キノラト)アルミニウム−μ−オキソ−ビス−(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11−242996号公報)、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10−79297号公報)などが挙げられる。更に、国際公開第2005−022962号公報に記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も、正孔阻止層の材料として好ましい。なお、正孔阻止層の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。正孔阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成できる。好ましくは真空蒸着法である。   The physical properties required for the material constituting the hole blocking layer include high electron mobility, low hole mobility, large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and excited triplet level (T1). It is expensive. As a material for the hole blocking layer satisfying such conditions, for example, bis (2-methyl-8-quinolinolato), (phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato), (triphenylsilanolato) Mixed ligand complexes such as aluminum, metal complexes such as bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolinato) aluminum binuclear metal complexes, distyrylbiphenyl derivatives Styryl compounds such as JP-A-11-242996 and triazole derivatives such as 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole Kaihei 7-41759) and phenanthroline derivatives such as bathocuproine (Japanese Patent Laid-Open No. 10-79297). It is. Furthermore, compounds having at least one pyridine ring substituted at the 2,4,6-positions described in International Publication No. 2005-022962 are also preferable as the material for the hole blocking layer. In addition, the material of a hole-blocking layer may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and ratios. There is no restriction | limiting in the formation method of a hole-blocking layer. Therefore, it can be formed by a wet film formation method, a vacuum deposition method, or other methods. A vacuum deposition method is preferred.

正孔阻止層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上、また、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。
[7]電子輸送層
例えば、陰極と発光層との間に電子輸送層を設けてもよい。電子輸送層は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物より形成される。
The thickness of the hole blocking layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less.
[7] Electron transport layer
For example, an electron transport layer may be provided between the cathode and the light emitting layer. The electron transport layer is provided for the purpose of further improving the light emission efficiency of the device, and can efficiently transport electrons injected from the cathode between the electrodes to which an electric field is applied in the direction of the light emitting layer. Is formed.

電子輸送層に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極6又は電子注入層5からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公
報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−ヒドロキシフラボン金属錯体、5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5645948号明細書)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N’−ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。なお、電子輸送層の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
As the electron transporting compound used for the electron transport layer, usually, the electron injection efficiency from the cathode 6 or the electron injection layer 5 is high, and the injected electrons having high electron mobility can be efficiently transported. Use possible compounds. Examples of the compound satisfying such conditions include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, and oxadiazole derivatives. , Distyrylbiphenyl derivatives, silole derivatives, 3-hydroxyflavone metal complexes, 5-hydroxyflavone metal complexes, benzoxazole metal complexes, benzothiazole metal complexes, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compounds ( JP-A-6-207169), phenanthroline derivative (JP-A-5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N'-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide , N-type zinc sulfide, n-type Sele Zinc oxide and the like. In addition, only 1 type may be used for the material of an electron carrying layer, and 2 or more types may be used together by arbitrary combinations and a ratio.

電子輸送層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成することができる。好ましくは真空蒸着法である。
電子輸送層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常1nm以上、好ましくは5nm以上、また、通常300nm以下、好ましくは100nm以下の範囲である。
There is no restriction | limiting in the formation method of an electron carrying layer. Therefore, it can be formed by a wet film formation method, a vacuum deposition method, or other methods. A vacuum deposition method is preferred.
The thickness of the electron transport layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

[8]電子注入層
電子注入層は、陰極から注入された電子を効率良く発光層へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。その膜厚は通常0.1nm以上、5nm以下が好ましい。
[8] Electron injection layer
The electron injection layer plays a role of efficiently injecting electrons injected from the cathode into the light emitting layer. In order to perform electron injection efficiently, the material for forming the electron injection layer is preferably a metal having a low work function. Examples include alkali metals such as sodium and cesium, and alkaline earth metals such as barium and calcium. The film thickness is usually preferably from 0.1 nm to 5 nm.

更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10−270171号公報、特開2002−100478号公報、特開2002−100482号公報などに記載)ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。また、例えばフッ化リチウム(LiF)、フッ化マグネシウム(MgF2)、酸化リチウム(Li2O)、炭酸セシウム(II)(CsCO3)等で形成され
た極薄絶縁膜(0.1〜5nm)を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である(Applied Physics Letters, 1997年, Vol.70, pp.152;特開平10−74586号公報;IEEE Transactions on Electron Devices, 1997年,Vol.44, pp.1245;SID 04 Digest, pp.154等参照)。
Furthermore, an organic electron transport compound represented by a metal complex such as a nitrogen-containing heterocyclic compound such as bathophenanthroline or an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline is doped with an alkali metal such as sodium, potassium, cesium, lithium, or rubidium ( (As described in JP-A-10-270171, JP-A-2002-1000047, JP-A-2002-1000048, etc.), it is possible to improve the electron injection / transport properties and achieve excellent film quality. preferable. Further, for example, an ultra-thin insulating film (0.1 to 5 nm) formed of lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), lithium oxide (Li 2 O), cesium carbonate (II) (CsCO 3 ), or the like. ) Is also an effective method for improving the efficiency of the device (Applied Physics Letters, 1997, Vol. 70, pp. 152; Japanese Patent Laid-Open No. 10-74586; IEEE Transactions on Electron Devices, 1997) , Vol. 44, pp. 1245; see SID 04 Digest, pp. 154, etc.).

この場合の膜厚は、通常、5nm以上、中でも10nm以上が好ましく、また、通常200nm以下、中でも100nm以下が好ましい。
なお、電子注入層5の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
電子注入層5の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
In this case, the film thickness is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.
In addition, the material of the electron injection layer 5 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
There is no restriction | limiting in the formation method of the electron injection layer 5. FIG. Therefore, it can be formed by a wet film formation method, a vacuum deposition method, or other methods.

[9]陰極
陰極は、発光層側の層に電子を注入する役割を果たすものである。
陰極の材料としては、前記の陽極に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。なお、陰極6の材料は、
1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
[9] Cathode
The cathode plays a role of injecting electrons into the layer on the light emitting layer side.
As the material of the cathode, it is possible to use the material used for the anode described above, but in order to perform electron injection efficiently, a metal having a low work function is preferable, for example, tin, magnesium, indium, calcium, A suitable metal such as aluminum or silver or an alloy thereof is used. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy. The material of the cathode 6 is
Only 1 type may be used and 2 or more types may be used together by arbitrary combinations and a ratio.

陰極の膜厚は、通常、陽極と同様である。
さらに、低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、1種のみで用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
The thickness of the cathode is usually the same as that of the anode.
Further, for the purpose of protecting the cathode made of a low work function metal, it is preferable to further stack a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere because the stability of the device is increased. For this purpose, for example, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold and platinum are used. In addition, these materials may be used only by 1 type and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

[10]その他の層
本発明の有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極と陰極との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
[11]電子阻止層
電子阻止層は、発光層から移動してくる電子が正孔輸送層、正孔注入層に到達するのを阻止することで、発光層内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層内に閉じこめる役割と、正孔輸送層、正孔注入層から注入された正孔を効率よく発光層の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は効果的である。
[10] Other layers
The organic electroluminescent element of the present invention may have another configuration without departing from the gist thereof. For example, as long as the performance is not impaired, an arbitrary layer may be provided between the anode and the cathode in addition to the layers described above, and an arbitrary layer may be omitted.
[11] Electron blocking layer
The electron blocking layer prevents the electrons moving from the light emitting layer from reaching the hole transport layer and hole injection layer, thereby increasing the recombination probability of holes and electrons in the light emitting layer. There are a role of confining the excitons in the light emitting layer and a role of efficiently transporting holes injected from the hole transport layer and the hole injection layer in the direction of the light emitting layer. In particular, it is effective when a phosphorescent material or a blue light emitting material is used as the light emitting material.

電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層を本発明に係る有機層として湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層8に用いられる材料としては、F8−TFBに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体(国際公開第2004/084260号公報記載)等が挙げられる。なお、電子阻止層の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   The characteristics required for the electron blocking layer include high hole transportability, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and a high excited triplet level (T1). Furthermore, in the present invention, when the light emitting layer is formed as an organic layer according to the present invention by a wet film formation method, the electron blocking layer is also required to be compatible with the wet film formation. Examples of the material used for the electron blocking layer 8 include a copolymer of dioctylfluorene and triphenylamine typified by F8-TFB (described in International Publication No. 2004/084260). In addition, the material of an electron blocking layer may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図1の層構成であれば、基板1上に他の構成要素を陰極から順に設けることになる。
There is no restriction | limiting in the formation method of an electron blocking layer. Therefore, it can be formed by a wet film formation method, a vacuum deposition method, or other methods.
Moreover, in the layer structure demonstrated above, it is also possible to laminate | stack components other than a board | substrate in reverse order. For example, in the case of the layer configuration of FIG. 1, other components are provided in order from the cathode on the substrate 1.

更には、少なくとも一方が透明性を有する2枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明の有機電界発光素子を構成することも可能である。
また、基板以外の構成要素(発光ユニット)を複数段重ねた構造(発光ユニットを複数積層させた構造)とすることも可能である。その場合には、各段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合は、それら2層)の代わりに、例えば五酸化バナジウム(V25)等からなる電荷発生層(Carrier Generation Layer:CGL)を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
Furthermore, the organic electroluminescent element of the present invention can be configured by laminating components other than the substrate between two substrates, at least one of which is transparent.
In addition, a structure in which a plurality of components (light emitting units) other than the substrate are stacked in a plurality of layers (a structure in which a plurality of light emitting units are stacked) may be employed. In that case, instead of the interface layer between the steps (between the light emitting units) (when the anode is ITO and the cathode is Al, these two layers), for example, a charge made of vanadium pentoxide (V 2 O 5 ) or the like. When a generation layer (Carrier Generation Layer: CGL) is provided, a barrier between steps is reduced, which is more preferable from the viewpoint of light emission efficiency and driving voltage.

更には、本発明の有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。
また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。
Furthermore, the organic electroluminescent device of the present invention may be configured as a single organic electroluminescent device, or may be applied to a configuration in which a plurality of organic electroluminescent devices are arranged in an array, and an anode and a cathode May be applied to a configuration in which are arranged in an XY matrix.
Each layer described above may contain components other than those described as materials unless the effects of the present invention are significantly impaired.

本発明の有機電界発光素子は、有機ELディスプレイや有機EL照明に使用される。本発明により得られる有機電界発光素子は、例えば、「有機ELディスプレイ」(オーム社,平成16年8月20日発行,時任静士、安達千波矢、村田英幸著)に記載されているような方法で有機ELディスプレイや有機EL照明を形成することができる。   The organic electroluminescent element of the present invention is used for organic EL displays and organic EL lighting. The organic electroluminescent device obtained by the present invention is described in, for example, “Organic EL Display” (Ohm, August 20, 2004, written by Shizushi Tokito, Chiba Adachi, and Hideyuki Murata). An organic EL display and organic EL illumination can be formed by the method.

本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
(実施例1)
図1に示す有機電界発光素子を作製した。
37.5mm×25mm(厚さ0.7mm)サイズのガラス基板1上に、インジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を120nmの厚さに堆積したもの(三容真空社製、スパッタ成膜品)を、通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。パターン形成したITO基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
Examples The present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to the description of the following examples unless it exceeds the gist.
Example 1
The organic electroluminescent element shown in FIG. 1 was produced.
Indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited to a thickness of 120 nm on a glass substrate 1 having a size of 37.5 mm × 25 mm (thickness 0.7 mm) (manufactured by Sanyo Vacuum Co., Ltd., sputter film formation) Product) was patterned into a stripe with a width of 2 mm using a normal photolithography technique and hydrochloric acid etching to form an anode 2. The patterned ITO substrate is cleaned in the order of ultrasonic cleaning with an aqueous surfactant solution, water cleaning with ultrapure water, ultrasonic cleaning with ultrapure water, and water cleaning with ultrapure water, followed by drying with compressed air, and finally UV irradiation. Ozone cleaning was performed.

まず、下記構造式に示す高分子正孔輸送材料(P1、重量平均分子量:29400、数平均分子量:12600)、電子受容性化合物(A1)及び溶媒として安息香酸エチルを含有する正孔注入層成膜用塗布液を大気中で調製した。この塗布液を下記条件で陽極2上にスピンコート法により成膜、加熱乾燥して、膜厚30nmの正孔注入層3を得た。   First, a hole injection layer composition containing a polymer hole transport material (P1, weight average molecular weight: 29400, number average molecular weight: 12600), an electron accepting compound (A1), and ethyl benzoate as a solvent represented by the following structural formula: A film coating solution was prepared in the air. This coating solution was formed on the anode 2 by the spin coating method under the following conditions and dried by heating to obtain a hole injection layer 3 having a thickness of 30 nm.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

<正孔注入層成膜用塗布液>
溶媒 安息香酸エチル
塗布液濃度 P1:2.0重量%
A1:0.8重量%
<成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 大気中
加熱乾燥条件 大気中、230℃、3時間
続いて、上記正孔注入層上に、以下の手順で正孔輸送層4を湿式成膜法により形成した。架橋性正孔輸送化合物として、下記構造式(H1)に示す化合物(重量平均分子量:17000、数平均分子量:8900)及び溶媒としてのトルエンを含有する塗布液を用い、下記条件でスピンコート法により成膜し、加熱により架橋させ、膜厚20nmの均一な正孔輸送層4を得た。
<Hole injection layer coating solution>
Solvent ethyl benzoate
Coating solution concentration P1: 2.0% by weight
A1: 0.8% by weight
<Film formation conditions>
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds
Spin coat atmosphere In air
Heating and drying conditions In air, 230 ° C, 3 hours
Subsequently, the hole transport layer 4 was formed on the hole injection layer by the wet deposition method according to the following procedure. As a crosslinkable hole transport compound, a coating solution containing a compound represented by the following structural formula (H1) (weight average molecular weight: 17000, number average molecular weight: 8900) and toluene as a solvent is used, and spin coating is performed under the following conditions. A film was formed and crosslinked by heating to obtain a uniform hole transport layer 4 having a thickness of 20 nm.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

<正孔輸送層成膜用塗布液>
溶媒 トルエン
塗布液濃度 H1:0.4重量%
<成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 窒素中、230℃、1時間
次に、発光層5を形成するにあたり、以下に示す有機化合物(E1)、(E2)、低分子発光材料としてイリジウム錯体(D1)および溶媒としてキシレンを含有する発光層成膜用塗布液を調製し、以下に示す条件で正孔輸送層4上にスピンコート法により成膜し、加熱乾燥して、膜厚50nmで発光層5を得た。
<Hole transport layer coating solution>
Solvent Toluene
Coating solution concentration H1: 0.4% by weight
<Film formation conditions>
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds
Spin coat atmosphere In nitrogen
Heating conditions In nitrogen, 230 ° C, 1 hour
Next, in forming the light emitting layer 5, the following organic compound (E1), (E2), an iridium complex (D1) as a low molecular light emitting material, and xylene as a solvent are prepared. Then, a film was formed on the hole transport layer 4 by a spin coating method under the conditions shown below, followed by drying by heating to obtain the light emitting layer 5 with a film thickness of 50 nm.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

<発光層成膜用塗布液>
溶媒 キシレン
塗布液濃度 E1:1.0重量%
E2:1.0重量%
D1:0.1重量%
<成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱乾燥条件 窒素中、130℃、1時間
ここで、発光層5までを成膜した基板を真空蒸着装置内に移し、油回転ポンプにより装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が2.4×10−4Pa以下になるまでクライオポンプを用いて排気した後、下記構造式C1に示す化合物(BAlq)を真空蒸着法によって積層し正孔阻止層6を得た。蒸着速度を0.8〜1.2Å/秒の範囲で制御し、発光層5の上に積層して膜厚10nmの膜の正孔阻止層6を形成した。蒸着時の真空度は2.4〜2.7×10−4Paであった。
<Light emitting layer coating solution>
Solvent xylene
Coating solution concentration E1: 1.0% by weight
E2: 1.0% by weight
D1: 0.1% by weight
<Film formation conditions>
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds
Spin coat atmosphere In nitrogen
Heating and drying conditions in nitrogen, 130 ° C, 1 hour
Here, the substrate on which the light emitting layer 5 is formed is transferred into a vacuum vapor deposition apparatus, and after the apparatus is roughly evacuated by an oil rotary pump, the degree of vacuum in the apparatus becomes 2.4 × 10 −4 Pa or less. After exhausting using a cryopump, a compound (BAlq) represented by the following structural formula C1 was laminated by a vacuum deposition method to obtain a hole blocking layer 6. The deposition rate was controlled in the range of 0.8 to 1.2 liters / second, and the hole blocking layer 6 having a film thickness of 10 nm was formed by being laminated on the light emitting layer 5. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 2.4 to 2.7 × 10 −4 Pa.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

続いて、下記構造式C2に示すトリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Alq3)を加熱して蒸着を行い、電子輸送層7を成膜した。蒸着時の真空度は0.4〜1.6×10−4Pa、蒸着速度は1.0〜1.5Å/秒の範囲で制御し、膜厚30nmの膜を正孔阻止層6の上に積層して電子輸送層7を形成した。 Subsequently, tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3) represented by the following structural formula C2 was heated and evaporated to form an electron transport layer 7. The degree of vacuum during deposition is 0.4 to 1.6 × 10 −4 Pa, the deposition rate is controlled in the range of 1.0 to 1.5 Å / sec, and a film with a thickness of 30 nm is formed on the hole blocking layer 6. To form an electron transport layer 7.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

ここで、電子輸送層7までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が6.4×10−4Pa以下になるまで排気した。 Here, the element that has been deposited up to the electron transport layer 7 is once taken out from the vacuum deposition apparatus into the atmosphere, and a 2 mm wide striped shadow mask is used as a cathode deposition mask. The device was placed in close contact with each other so as to be orthogonal to each other, placed in another vacuum deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus was 6.4 × 10 −4 Pa or less in the same manner as the organic layer.

電子注入層8として、先ずフッ化リチウム(LiF)を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度0.1〜0.4Å/秒、真空度3.2〜6.7×10−4Paで制御し、0.5nmの膜厚で電子輸送層7の上に成膜した。次に、陰極9としてアルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.7〜5.3Å/秒、真空度2.8〜11.1×10−4Paで制御して膜厚80nmのアルミニウム層を形成した。以上の2層の蒸着時の基板温度は室温に保持した。 First, lithium fluoride (LiF) was controlled as the electron injection layer 8 at a deposition rate of 0.1 to 0.4 liter / second and a degree of vacuum of 3.2 to 6.7 × 10 −4 Pa using a molybdenum boat. A film having a thickness of 0.5 nm was formed on the electron transport layer 7. Next, aluminum is similarly heated by a molybdenum boat as the cathode 9 and controlled at a deposition rate of 0.7 to 5.3 liters / second and a degree of vacuum of 2.8 to 11.1 × 10 −4 Pa to a film thickness of 80 nm. An aluminum layer was formed. The substrate temperature during the above two-layer deposition was kept at room temperature.

引き続き、素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、以下に記載の方法で封止処理を行った。
窒素グローブボックス中で、23mm×23mmサイズのガラス板の外周部に、約1m
mの幅で光硬化性樹脂(株式会社スリーボンド製ThreeBond 3124)を塗布し、中央部に水分ゲッターシート(ダイニック株式会社製)を設置した。この上に、陰極形成を終了した基板を、蒸着された面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせた。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させた。
Subsequently, in order to prevent the element from being deteriorated by moisture in the atmosphere during storage, a sealing process was performed by the method described below.
In a nitrogen glove box, about 1 m on the outer periphery of a 23 mm x 23 mm size glass plate
A photo-curing resin (ThreeBond 3Bond 3124) was applied with a width of m, and a moisture getter sheet (Dynic Co., Ltd.) was installed in the center. On this, the board | substrate which complete | finished cathode formation was bonded together so that the vapor-deposited surface might oppose a desiccant sheet. Then, only the area | region where the photocurable resin was apply | coated was irradiated with ultraviolet light, and resin was hardened.

以上のようにして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。得られた素子について、23〜25℃に保たれた環境で一定の直流電流を連続通電した場合の輝度変化を測定した。電流値は通電直後の輝度が2500cd/mとなる値に設定した。結果を表1に示す。
(比較例1)
実施例1において、正孔輸送層4を以下のように形成した他は、実施例1と同様にして図1に示す有機電界発光素子を作製した。
As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. With respect to the obtained device, a change in luminance was measured when a constant direct current was continuously applied in an environment maintained at 23 to 25 ° C. The current value was set to a value at which the luminance immediately after energization was 2500 cd / m 2 . The results are shown in Table 1.
(Comparative Example 1)
In Example 1, the organic electroluminescent element shown in FIG. 1 was produced in the same manner as in Example 1 except that the hole transport layer 4 was formed as follows.

架橋基を有さない正孔輸送性化合物(H2)(重量平均分子量9240,数平均分子量4700)および溶媒としてトルエンを含有する正孔輸送層成膜用塗布液を調製し、下記の条件でスピンコート法により成膜し、加熱乾燥して、膜厚20nmの正孔輸送層4を形成した。   A hole transporting layer-forming coating solution containing a hole transporting compound (H2) having no crosslinking group (H2) (weight average molecular weight 9240, number average molecular weight 4700) and toluene as a solvent was prepared, and spin coating was performed under the following conditions. A film was formed by a coating method and dried by heating to form a hole transport layer 4 having a thickness of 20 nm.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

<正孔輸送層成膜用塗布液>
溶媒 トルエン
塗布液濃度 H2:0.4重量%
<成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 窒素中、170℃、30分
以上のようにして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。得られた素子の輝度変化を実施例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。
<Hole transport layer coating solution>
Solvent Toluene
Coating solution concentration H2: 0.4% by weight
<Film formation conditions>
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds
Spin coat atmosphere In nitrogen
Heating conditions In nitrogen, 170 ° C, 30 minutes
As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. The luminance change of the obtained element was measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(比較例2)
実施例1において、正孔輸送層4を以下のように形成した他は、実施例1と同様にして図1に示す有機電界発光素子を作製した。
正孔注入層3を成膜した基板を真空蒸着装置内に移し、油回転ポンプにより装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が2.0×10−4Pa以下になるまでクライオポンプを用いて排気した後、架橋基を有さない化合物(H3)を真空蒸着法によって積層し正孔輸送層4を得た。蒸着速度を0.8〜1.2Å/秒の範囲で制御し、正孔注入層3の上に積層して膜厚16nmの正孔輸送層4を形成した。蒸着時の真空度は2.2〜2.5×10−4Paであった。
(Comparative Example 2)
In Example 1, the organic electroluminescent element shown in FIG. 1 was produced in the same manner as in Example 1 except that the hole transport layer 4 was formed as follows.
The substrate on which the hole injection layer 3 is formed is transferred into a vacuum vapor deposition apparatus, and after roughly evacuating the apparatus with an oil rotary pump, the cryogenic pressure in the apparatus is reduced to 2.0 × 10 −4 Pa or less. After exhausting using a pump, the compound (H3) which does not have a crosslinking group was laminated | stacked by the vacuum evaporation method, and the positive hole transport layer 4 was obtained. The deposition rate was controlled in the range of 0.8 to 1.2 liters / second, and the hole transport layer 4 having a film thickness of 16 nm was formed by being laminated on the hole injection layer 3. The degree of vacuum during the deposition was 2.2 to 2.5 × 10 −4 Pa.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

この後、正孔輸送層4を形成した試料を真空蒸着装置より取り出して、実施例1と同様にして発光層5以降の層を形成した。
以上のようにして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。得られた素子の輝度変化を実施例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。
Thereafter, the sample on which the hole transport layer 4 was formed was taken out from the vacuum deposition apparatus, and the layers after the light emitting layer 5 were formed in the same manner as in Example 1.
As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. The luminance change of the obtained element was measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

表1から明らかなように、架橋性化合物を含有する正孔輸送層を有する実施例1の有機電界発光素子は、架橋基を有さない化合物を正孔輸送層に用いた比較例1乃至2の素子と比較して、駆動時における輝度低下が小さく、より安定な素子が得られていることが明らかである。
(実施例2)
実施例1と同様にして、基板上に陽極および正孔注入層を形成した。
As is clear from Table 1, the organic electroluminescent device of Example 1 having a hole transport layer containing a crosslinkable compound was used in Comparative Examples 1 and 2 in which a compound having no crosslinkable group was used for the hole transport layer. It is clear that a more stable element can be obtained with a lower luminance drop during driving as compared with the above element.
(Example 2)
In the same manner as in Example 1, an anode and a hole injection layer were formed on the substrate.

続いて、上記正孔注入層上に、以下の手順で正孔輸送層4を湿式成膜法により形成した。架橋性正孔輸送化合物として、下記構造式(H4)に示す化合物及び溶媒としてのトルエンを含有する塗布液を調製し、下記条件でスピンコート法により成膜した。その後、ウシオ電機株式会社製露光装置UX−1000SM−ACS01を用いて、500W超高圧水銀ランプ光を表に示す光量照射した。光照射は気温23℃、相対湿度60%の大気中で、積算照射光量5J/cm、照射時間179秒で行われた。照射面における365nm光(g線)の強度は28mW/cmであった。さらに、光照射後、ホットプレートにて窒素雰囲気中、230℃、1時間加熱を行った。 Subsequently, the hole transport layer 4 was formed on the hole injection layer by the wet deposition method according to the following procedure. As a crosslinkable hole transport compound, a coating solution containing a compound represented by the following structural formula (H4) and toluene as a solvent was prepared, and a film was formed by spin coating under the following conditions. Thereafter, a 500 W ultra-high pressure mercury lamp light was irradiated using the exposure apparatus UX-1000SM-ACS01 manufactured by USHIO ELECTRIC CO., LTD. The light irradiation was performed in an atmosphere having an air temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 60% with an integrated irradiation light amount of 5 J / cm 2 and an irradiation time of 179 seconds. The intensity of 365 nm light (g line) on the irradiated surface was 28 mW / cm 2 . Furthermore, after light irradiation, heating was performed at 230 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere using a hot plate.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

<正孔輸送層成膜用塗布液>
溶媒 キシレン
塗布液濃度 H4:1重量%
<成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 大気中
以上により、膜厚20nmの均一な正孔輸送層4を得た。
<Hole transport layer coating solution>
Solvent xylene
Coating concentration H4: 1% by weight
<Film formation conditions>
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds
Spin coat atmosphere In air
Thus, a uniform hole transport layer 4 having a thickness of 20 nm was obtained.

次に、発光層5を形成するにあたり、上記有機化合物(E1)、(E2)、低分子発光材料としてイリジウム錯体(D1)および溶媒としてキシレンを含有する発光層成膜用塗布液を調製し、以下に示す条件で正孔輸送層4上にスピンコート法により成膜して、加熱乾燥させ、膜厚80nmで発光層5を得た。
<発光層成膜用塗布液>
溶媒 キシレン
塗布液濃度 E1:1.0重量%
E2:1.0重量%
D1:0.1重量%
<成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 60秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱乾燥条件 0.01MPa、130℃、1時間
ここで、発光層5までを成膜した基板を真空蒸着装置内に移し、油回転ポンプにより装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が2.7×10−4Pa以下になるまでクライオポンプを用いて排気した後、下記構造式C3に示す化合物を真空蒸着法によって積層し正孔阻止層6を得た。蒸着速度を0.8〜1.2Å/秒の範囲で制御し、発光層5の上に積層して膜厚5nmの膜の正孔阻止層6を形成した。蒸着時の真空度は1.7×10−4Paであった。
Next, in forming the light emitting layer 5, a coating solution for forming a light emitting layer containing the organic compounds (E1) and (E2), an iridium complex (D1) as a low molecular light emitting material, and xylene as a solvent is prepared, A film was formed on the hole transport layer 4 by a spin coat method under the conditions shown below, followed by heating and drying to obtain the light emitting layer 5 with a film thickness of 80 nm.
<Light emitting layer coating solution>
Solvent xylene
Coating solution concentration E1: 1.0% by weight
E2: 1.0% by weight
D1: 0.1% by weight
<Film formation conditions>
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 60 seconds
Spin coat atmosphere In nitrogen
Heat drying conditions 0.01 MPa, 130 ° C., 1 hour
Here, the substrate on which the light emitting layer 5 is formed is transferred into a vacuum deposition apparatus, and after the apparatus is roughly evacuated by an oil rotary pump, the degree of vacuum in the apparatus becomes 2.7 × 10 −4 Pa or less. After exhausting using a cryopump, a compound represented by the following structural formula C3 was laminated by a vacuum deposition method to obtain a hole blocking layer 6. The deposition rate was controlled in the range of 0.8 to 1.2 liters / second, and the hole blocking layer 6 having a film thickness of 5 nm was formed by being laminated on the light emitting layer 5. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 1.7 × 10 −4 Pa.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

その後、実施例1と同様にして、電子輸送層、電子注入層、陰極を形成し、封止処理を行い、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。得られた素子の輝度800cd/mに低下した時間およびその時の電圧を表2に示す。
(比較例3)
正孔輸送層を設けないこと以外は実施例2と同様にして有機電界発光素子を得た。得られた素子の輝度800cd/mに低下した時間およびその時の電圧を表2に示す。
架橋性化合物を架橋して形成される正孔輸送層を有することにより、低電圧駆動で長寿命の素子が得られることがわかった。
Thereafter, in the same manner as in Example 1, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode were formed, and sealing treatment was performed to obtain an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm. Table 2 shows the time when the luminance of the obtained element was reduced to 800 cd / m 2 and the voltage at that time.
(Comparative Example 3)
An organic electroluminescent element was obtained in the same manner as in Example 2 except that the hole transport layer was not provided. Table 2 shows the time when the luminance of the obtained element was reduced to 800 cd / m 2 and the voltage at that time.
It has been found that by having a hole transport layer formed by crosslinking a crosslinkable compound, a device having a long lifetime by low voltage driving can be obtained.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

(実施例3)
実施例1と同様にして、基板上に陽極および正孔注入層を形成した。
続いて、上記正孔注入層3上に、以下の手順で正孔輸送層4を湿式成膜法により形成し
た。架橋性正孔輸送化合物として、下記構造式(H5)に示す化合物および溶媒としてトルエンを含有する塗布液を調製し、下記条件でスピンコート法により成膜した。その後、ウシオ電機株式会社製露光装置UX−1000SM−ACS01を用いて、500W超高圧水銀ランプ光を照射した。光照射は、気温23℃、相対湿度60%の大気中で、積算照
射光量5J/cm、照射時間179秒で行われた。照射面における365nm光(g線)の強度は28mW/cmであった。さらに、光照射後、ホットプレートにて窒素雰囲気中、230℃、1時間加熱を行った。
(Example 3)
In the same manner as in Example 1, an anode and a hole injection layer were formed on the substrate.
Subsequently, a hole transport layer 4 was formed on the hole injection layer 3 by a wet film formation method according to the following procedure. A coating liquid containing a compound represented by the following structural formula (H5) as a crosslinkable hole transport compound and toluene as a solvent was prepared, and a film was formed by a spin coating method under the following conditions. Thereafter, irradiation with 500 W ultra-high pressure mercury lamp light was performed using an exposure apparatus UX-1000SM-ACS01 manufactured by USHIO INC. The light irradiation was performed in an atmosphere with an air temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 60% with an integrated irradiation light amount of 5 J / cm 2 and an irradiation time of 179 seconds. The intensity of 365 nm light (g line) on the irradiated surface was 28 mW / cm 2 . Furthermore, after light irradiation, heating was performed at 230 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere using a hot plate.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

<正孔輸送層成膜用塗布液>
溶媒 キシレン
塗布液濃度 H5:1.0重量%
<正孔輸送層4の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 大気中
次に、発光層5を形成するにあたり、上記有機化合物(E1)、(E2)、低分子発光材料としてイリジウム錯体(D1)および溶媒としてキシレンを含有する発光層形成用塗布液を調製し、以下に示す条件で正孔輸送層4上にスピンコート法により成膜し、加熱乾燥させて、膜厚50nmの発光層5を得た。
<Hole transport layer coating solution>
Solvent Xylene Coating solution concentration H5: 1.0% by weight
<Film formation conditions for hole transport layer 4>
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Spin coat atmosphere In the air Next, in forming the light emitting layer 5, the organic compound (E1), (E2), light emission containing iridium complex (D1) as a low molecular light emitting material and xylene as a solvent. A layer-forming coating solution was prepared, formed on the hole transport layer 4 by a spin coat method under the conditions shown below, and dried by heating to obtain a light-emitting layer 5 having a thickness of 50 nm.

<発光層形成用塗布液>
溶媒 キシレン
塗布液濃度 E1:1.0重量%
E2:1.0重量%
D1:0.1重量%
<発光層5の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 減圧下(0.1MPa)、130℃、1時間
ここで、発光層5までを成膜した基板を、真空蒸着装置内に移し、装置内の真空度が2.7×10-4Pa以下になるまで排気した後、下記に示す構造を有する有機化合物(C
3)を真空蒸着法によって積層し正孔阻止層6を得た。蒸着速度を0.8〜1.2Å/秒の範囲で制御し、発光層5の上に積層して膜厚5nmの膜の正孔阻止層6を形成した。蒸着時の真空度は1.7×10-4Paであった。
<Light emitting layer forming coating solution>
Solvent Xylene Coating solution concentration E1: 1.0% by weight
E2: 1.0% by weight
D1: 0.1% by weight
<Film formation conditions of the light emitting layer 5>
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Spin coating atmosphere In nitrogen Heating condition Under reduced pressure (0.1 MPa), 130 ° C., 1 hour Here, the substrate on which the light emitting layer 5 has been deposited is transferred into a vacuum deposition apparatus, and the vacuum inside the apparatus After evacuating until the degree becomes 2.7 × 10 −4 Pa or less, an organic compound (C
3) was laminated | stacked by the vacuum evaporation method, and the hole-blocking layer 6 was obtained. The deposition rate was controlled in the range of 0.8 to 1.2 liters / second, and the hole blocking layer 6 having a film thickness of 5 nm was formed by being laminated on the light emitting layer 5. The degree of vacuum at the time of deposition was 1.7 × 10 −4 Pa.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

電子輸送層7以降は、実施例1と同様にして形成し、有機電界発光素子を作製した。得られた素子の駆動寿命、および駆動電圧を表3に示す。
(比較例4)
正孔輸送層4を設けないこと以外は実施例3と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の駆動寿命、および駆動電圧を表3に示す。
The electron transport layer 7 and subsequent layers were formed in the same manner as in Example 1 to produce an organic electroluminescent element. Table 3 shows the drive life and drive voltage of the obtained element.
(Comparative Example 4)
An organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 3 except that the hole transport layer 4 was not provided. Table 3 shows the drive life and drive voltage of the obtained element.

(実施例4)
正孔輸送層4を以下のように形成した他は、実施例3と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の駆動寿命、および駆動電圧を表3に示す。
以下の手順で正孔輸送層4を湿式成膜法により形成した。架橋性正孔輸送化合物として、下記構造式(H6)に示す化合物(重量平均分子量:36000、数平均分子量:21000)および溶媒としてトルエンを含有する塗布液を調製し、下記条件でスピンコート法により成膜して、加熱により架橋させることにより膜厚20nmの正孔輸送層4を形成
した。
(Example 4)
An organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 3 except that the hole transport layer 4 was formed as follows. Table 3 shows the drive life and drive voltage of the obtained element.
The hole transport layer 4 was formed by a wet film formation method according to the following procedure. As a crosslinkable hole transport compound, a coating liquid containing a compound represented by the following structural formula (H6) (weight average molecular weight: 36000, number average molecular weight: 21000) and toluene as a solvent is prepared, and spin coating is performed under the following conditions. A hole transport layer 4 having a thickness of 20 nm was formed by forming a film and crosslinking by heating.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

<正孔輸送層成膜用塗布液>
溶媒 トルエン
塗布液濃度 H6:0.4重量%
<正孔輸送層4の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 窒素中、230℃、1時間
(実施例5)
架橋性正孔輸送化合物(H6)を、下記の構造に示す架橋性正孔輸送化合物(H7)(重量平均分子量:41000、数平均分子量:22000)に代えた他は、実施例4と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の駆動寿命、および駆動電圧を表3に示す。
<Hole transport layer coating solution>
Solvent Toluene Coating solution concentration H6: 0.4% by weight
<Film formation conditions for hole transport layer 4>
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Spin coating atmosphere In nitrogen Heating condition In nitrogen, 230 ° C., 1 hour (Example 5)
The same procedure as in Example 4 was conducted except that the crosslinkable hole transport compound (H6) was replaced with a crosslinkable hole transport compound (H7) (weight average molecular weight: 41000, number average molecular weight: 22000) shown in the following structure. Thus, an organic electroluminescent element was produced. Table 3 shows the drive life and drive voltage of the obtained element.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

(実施例6)
架橋性正孔輸送化合物(H6)を、下記の構造に示す架橋性正孔輸送化合物(H8)(重量平均分子量:92000、数平均分子量:24000)に代えた他は、実施例4と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の駆動寿命、および駆動電圧を表3に示す。
(Example 6)
The same procedure as in Example 4 was conducted except that the crosslinkable hole transport compound (H6) was replaced with a crosslinkable hole transport compound (H8) (weight average molecular weight: 92000, number average molecular weight: 24000) shown in the following structure. Thus, an organic electroluminescent element was produced. Table 3 shows the drive life and drive voltage of the obtained element.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

(実施例7)
架橋性正孔輸送化合物(H6)を、下記の構造に示す架橋性正孔輸送化合物(H9)(重量平均分子量:41000、数平均分子量:25000)に代えた他は、実施例4と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の駆動寿命、および駆動電圧を表3に示す。
(Example 7)
The same procedure as in Example 4 was conducted except that the crosslinkable hole transport compound (H6) was replaced with a crosslinkable hole transport compound (H9) (weight average molecular weight: 41000, number average molecular weight: 25000) shown in the following structure. Thus, an organic electroluminescent element was produced. Table 3 shows the drive life and drive voltage of the obtained element.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

(実施例8)
架橋性正孔輸送化合物(H6)を、下記の構造に示す架橋性正孔輸送化合物(H10)(重量平均分子量:60000、数平均分子量:20000)に代えた他は、実施例4と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の駆動寿命、および駆動電圧を表3に示す。
(Example 8)
The same procedure as in Example 4 was conducted except that the crosslinkable hole transport compound (H6) was replaced with a crosslinkable hole transport compound (H10) (weight average molecular weight: 60000, number average molecular weight: 20000) shown in the following structure. Thus, an organic electroluminescent element was produced. Table 3 shows the drive life and drive voltage of the obtained element.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

表3に、実施例3〜8および比較例4において作製した有機電界発光素子の駆動寿命および駆動電圧を示す。表中、駆動寿命は、初期輝度の60%に輝度が低下するまでの時間、初期輝度は、駆動寿命を測定する際の初期の輝度、電圧は、駆動試験開始時の電圧を表す。
表3から明らかな通り、本発明の有機電界発光素子は長寿命であることが分かる。
Table 3 shows the drive life and drive voltage of the organic electroluminescent elements produced in Examples 3 to 8 and Comparative Example 4. In the table, the drive life is the time until the brightness is reduced to 60% of the initial brightness, the initial brightness is the initial brightness when the drive life is measured, and the voltage is the voltage at the start of the drive test.
As is apparent from Table 3, the organic electroluminescent element of the present invention has a long lifetime.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

(実施例9)
発光層を以下のように形成した他は、実施例1と同様にして有機電界発光素子を作製した。
発光層5を形成するにあたり、有機化合物(E1)、(E2)、低分子発光材料としてイリジウム錯体(D1)および下記に示すイリジウム錯体(D2)並びに溶媒としてトルエンを含有する発光層成膜用塗布液を調製し、以下に示す条件で正孔輸送層4上にスピンコート法により成膜し、加熱乾燥して膜厚60nmで発光層5を得た。
Example 9
An organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 1 except that the light emitting layer was formed as follows.
In forming the light emitting layer 5, the organic compounds (E1) and (E2), the iridium complex (D1) as the low molecular weight light emitting material, the iridium complex (D2) shown below, and the light emitting layer forming coating containing toluene as the solvent. A solution was prepared, and a film was formed on the hole transport layer 4 by a spin coating method under the conditions shown below, followed by drying by heating to obtain a light emitting layer 5 with a film thickness of 60 nm.

得られた素子の駆動寿命および駆動電圧を表4に示す。   Table 4 shows the drive life and drive voltage of the obtained element.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

<発光層成膜用塗布液>
溶媒 キシレン
塗布液濃度 E1:1.0重量%
E2:1.0重量%
D1:0.1重量%
D2:0.1重量%
<発光層5の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 減圧下(0.1MPa)、130℃、1時間
(比較例5)
正孔輸送層4を比較例1と同様にして形成した他は、実施例9と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の駆動寿命および駆動電圧を表4に示す。
<Light emitting layer coating solution>
Solvent Xylene Coating solution concentration E1: 1.0% by weight
E2: 1.0% by weight
D1: 0.1% by weight
D2: 0.1% by weight
<Film formation conditions of the light emitting layer 5>
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Spin coat atmosphere Nitrogen Heating conditions Under reduced pressure (0.1 MPa), 130 ° C., 1 hour (Comparative Example 5)
An organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 9 except that the hole transport layer 4 was formed in the same manner as in Comparative Example 1. Table 4 shows the drive life and drive voltage of the obtained element.

表4に、実施例9、および比較例5において作製した有機電界発光素子の駆動寿命、および駆動電圧を示す。表中、駆動寿命は、初期輝度の60%に輝度が低下するまでの時間、初期輝度は、駆動寿命を測定する際の初期の輝度、電圧は、駆動試験開始時の電圧を表
す。
表3から明らかな通り、本発明の有機電界発光素子は駆動電圧が改善され、長寿命であることが分かる。
Table 4 shows the drive life and drive voltage of the organic electroluminescent elements produced in Example 9 and Comparative Example 5. In the table, the drive life is the time until the brightness is reduced to 60% of the initial brightness, the initial brightness is the initial brightness when the drive life is measured, and the voltage is the voltage at the start of the drive test.
As can be seen from Table 3, the organic electroluminescent device of the present invention has an improved driving voltage and a long life.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

(実施例10)
正孔輸送層および発光層を以下のように形成した他は、実施例1と同様にして有機電界発光素子を作製した。
以下の構造式に示す架橋性正孔輸送化合物(H11)(重量平均分子量:60000、数平均分子量:22000)を含有する正孔輸送層成膜用塗布液を調製し、下記の条件でスピンコート法により成膜して、加熱により架橋させることにより膜厚20nmの正孔輸送層4を形成した。
(Example 10)
An organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 1 except that the hole transport layer and the light emitting layer were formed as follows.
A coating liquid for forming a hole transport layer containing a crosslinkable hole transport compound (H11) (weight average molecular weight: 60000, number average molecular weight: 22000) represented by the following structural formula was prepared, and spin coating was performed under the following conditions. A hole transport layer 4 having a thickness of 20 nm was formed by film formation by the method and crosslinking by heating.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

<正孔輸送層成膜用塗布液>
溶媒 トルエン
塗布液濃度 H11:0.4重量%
<正孔輸送層4の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 窒素中、230℃、1時間
次に、発光層5を形成するにあたり、以下に示す有機化合物(E3)、低分子発光材料として有機化合物(D3)およびトルエンを含有する発光層成膜用塗布液を調製し、以下に示す条件で正孔輸送層4上にスピンコート法により成膜して、加熱乾燥させることにより、膜厚40nmで発光層5を得た。
<Hole transport layer coating solution>
Solvent Toluene Coating solution concentration H11: 0.4% by weight
<Film formation conditions for hole transport layer 4>
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Spin coat atmosphere Heating condition in nitrogen Heating condition in nitrogen, 230 ° C., 1 hour Next, in forming the light emitting layer 5, the organic compound (E3) shown below and an organic compound (D3) as a low molecular light emitting material And a light emitting layer-forming coating solution containing toluene, prepared by spin coating on the hole transport layer 4 under the conditions shown below, and dried by heating to give a light emitting layer 5 having a thickness of 40 nm. Got.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

<発光層成膜用塗布液>
溶媒 トルエン
塗布液濃度 E3:0.80重量%
D3:0.08重量%
<発光層5の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 減圧下(0.1MPa)、130℃、1時間
得られた素子の駆動寿命、駆動電圧を表5に示す。表中、駆動寿命は、初期輝度の60%に輝度が低下するまでの時間、初期輝度は、駆動寿命を測定する際の初期の輝度、電圧は、駆動試験開始時の電圧を表す。また、ドープ濃度は、高分子正孔輸送材料に対する電子受容性化合物(A1)の重量%を表す。
<Light emitting layer coating solution>
Solvent Toluene Coating solution concentration E3: 0.80 wt%
D3: 0.08% by weight
<Film formation conditions of the light emitting layer 5>
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Spin coating atmosphere In nitrogen Heating conditions Under reduced pressure (0.1 MPa), 130 ° C., 1 hour The driving life and driving voltage of the obtained element are shown in Table 5. In the table, the drive life is the time until the brightness is reduced to 60% of the initial brightness, the initial brightness is the initial brightness when the drive life is measured, and the voltage is the voltage at the start of the drive test. Moreover, dope concentration represents weight% of the electron-accepting compound (A1) with respect to a polymeric hole transport material.

(実施例11)
正孔注入層3を以下のように形成したほかは、実施例10と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の駆動寿命、駆動電圧を表5に示す。
下の構造式(P2)に示す繰り返し構造を有する高分子正孔輸送材料(架橋性正孔輸送化合物)(重量平均分子量:66000、数平均分子量:31000)、電子受容性化合物(A1)および溶媒として安息香酸エチルを含有する正孔注入層成膜用塗布液を調製した。この塗布液を下記条件で陽極2上にスピンコート法により成膜して、加熱架橋させることにより、膜厚30nmの正孔注入層3を得た。
(Example 11)
An organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 10 except that the hole injection layer 3 was formed as follows. Table 5 shows the drive life and drive voltage of the obtained element.
Polymer hole transport material (crosslinkable hole transport compound) having a repeating structure represented by the following structural formula (P2) (weight average molecular weight: 66000, number average molecular weight: 31000), electron accepting compound (A1) and solvent A coating solution for forming a hole injection layer containing ethyl benzoate was prepared. A film of this coating solution was formed on the anode 2 by the spin coat method under the following conditions, followed by heat crosslinking to obtain a hole injection layer 3 having a thickness of 30 nm.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

<正孔注入層成膜用塗布液>
溶媒 安息香酸エチル
塗布液濃度 P2:2.0重量%
A1:0.2重量%
<正孔注入層3の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 大気中
加熱条件 大気中、230℃、1時間
(実施例12)
高分子正孔輸送材料(P2)を下記に示す構造で示される高分子正孔輸送材料(P3)(重量平均分子量:28000、数平均分子量:16000)に代えて正孔注入層3を形成した他は、実施例11と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の駆動寿命、駆動電圧を表5に示す。
<Hole injection layer coating solution>
Solvent Ethyl benzoate Coating solution concentration P2: 2.0% by weight
A1: 0.2% by weight
<Film formation conditions for hole injection layer 3>
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Spin coat atmosphere In air Heating conditions In air, 230 ° C., 1 hour (Example 12)
The hole injection layer 3 was formed by replacing the polymer hole transport material (P2) with the polymer hole transport material (P3) (weight average molecular weight: 28000, number average molecular weight: 16000) represented by the structure shown below. Otherwise, an organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 11. Table 5 shows the drive life and drive voltage of the obtained element.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

(実施例13)
高分子正孔輸送材料(P2)を下記に示す構造で示される高分子正孔輸送材料(P4)(重量平均分子量:52000、数平均分子量:33000)に変更して正孔注入層3を形成した他は、実施例11と同様にして有機電界発光素子を作製した。得られた素子の駆動寿命、駆動電圧を表5に示す。
(Example 13)
The hole injection layer 3 is formed by changing the polymer hole transport material (P2) to the polymer hole transport material (P4) (weight average molecular weight: 52000, number average molecular weight: 33000) represented by the structure shown below. Otherwise, an organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 11. Table 5 shows the drive life and drive voltage of the obtained element.

Figure 0005499482
Figure 0005499482

Figure 0005499482
Figure 0005499482

1.基板
2.陽極
3.正孔注入層
4.正孔輸送層
5.発光層
6.正孔阻止層
7.電子輸送層
8.電子注入層
9.陰極
1. substrate
2. anode
3. Hole injection layer
4). Hole transport layer
5. Luminescent layer
6). Hole blocking layer
7). Electron transport layer
8). Electron injection layer
9. cathode

Claims (5)

陽極、陰極及び該陽極と該陰極の間に、正孔注入層、正孔輸送層および発光層をこの順に有する有機電界発光素子において、
該正孔注入層は、芳香族3級アミノ基を構成単位として主骨格に含む正孔輸送材料を疎水性の溶媒に溶解または分散させて、湿式成膜して形成される層であり、
該正孔輸送層は、架橋性化合物を架橋して形成される層であり、成膜後に、加熱および/または光などの電磁エネルギー照射させた層であって、該架橋性化合物が、架橋基を有する繰り返し単位を含み、式(II)で表される繰り返し単位を含む重合体であり、
Figure 0005499482
(式中、Ara及びArbは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。)
該発光層は、低分子発光材料を湿式成膜して形成される層であることを特徴とする、
有機電界発光素子。
In the organic electroluminescence device having an anode, a cathode, and a hole injection layer, a hole transport layer, and a light emitting layer in this order between the anode and the cathode,
The hole injection layer is a layer formed by dissolving or dispersing a hole transport material containing an aromatic tertiary amino group as a structural unit in a main skeleton in a hydrophobic solvent and performing wet film formation,
The hole transport layer is a layer der formed by crosslinking a crosslinking compound is, after deposition, a layer obtained by electromagnetic energy radiation such as heating and / or light, the crosslinkable compounds, crosslinked look containing a repeating unit having a group is a polymer containing a repeating unit represented by formula (II),
Figure 0005499482
(In the formula, Ara and Arb each independently represent an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.)
The light emitting layer is a layer formed by wet film formation of a low molecular light emitting material,
Organic electroluminescent device.
該発光層が、ドーパント材料として該低分子発光材料を含み、さらにホスト材料として低分子電荷輸送材料を含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機電界発光素子。 2. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the light emitting layer includes the low molecular light emitting material as a dopant material, and further includes a low molecular charge transport material as a host material. 該正孔注入層が、該高分子正孔輸送材料および電子受容性化合物を含むことを特徴とする、請求項1または2に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the hole injection layer contains the polymer hole transport material and an electron accepting compound. 請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を有する有機ELディスプレイ。 The organic electroluminescent display which has the organic electroluminescent element as described in any one of Claims 1-3. 請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を有する有機EL照明。 Organic EL illumination which has the organic electroluminescent element as described in any one of Claims 1-3.
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