JP2014033134A - Composition for organic electroluminescent element, organic film, organic electroluminescent element, organic el display device and organic el lighting - Google Patents

Composition for organic electroluminescent element, organic film, organic electroluminescent element, organic el display device and organic el lighting Download PDF

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Tatsushi Baba
達志 馬場
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for an organic electroluminescent element that can be driven at a low voltage, and an organic electroluminescent element using the composition for an organic electroluminescent element.SOLUTION: A composition for an organic electroluminescent element contains a hole-transporting compound having a crosslinking group and an electron-accepting compound. When the amount of the crosslinking group in 1 g of the composition is denoted as A (mol/g) and the amount of the electron-accepting compound in 1 g of the composition is denoted as B (mol/g), A/B is larger than 0 and less than 2.0.

Description

本発明は、有機電界発光素子の有機層を形成するために用いられる、有機電界発光素子用組成物に関する。また本発明は、有機電界発光素子用組成物を用いて形成される有機膜と、有機電界発光素子用組成物を用いて形成された有機層を有する有機電界発光素子、並びに、この有機電界発光素子を有する有機ELディスプレイ及び有機EL照明に関する。   The present invention relates to a composition for an organic electroluminescence device used for forming an organic layer of an organic electroluminescence device. The present invention also provides an organic electroluminescent device having an organic film formed using the composition for organic electroluminescent device, an organic layer formed using the composition for organic electroluminescent device, and the organic electroluminescent device. The present invention relates to an organic EL display having an element and organic EL lighting.

近年、有機薄膜を用いた電界発光素子(有機電界発光素子)の開発が行われている。有機電界発光素子における有機薄膜の形成方法としては、真空蒸着法と湿式成膜法が挙げられる。
このうち、真空蒸着法は積層化が可能であるため、陽極及び/又は陰極からの電荷注入の改善、励起子の発光層封じ込めが容易であるという利点を有する。一方、湿式成膜法は真空プロセスを必要とせず、容易に大面積化が可能で、1つの層(塗布液)に様々な機能を有する材料を複数、混合することが容易である。
In recent years, an electroluminescent element (organic electroluminescent element) using an organic thin film has been developed. Examples of the method for forming the organic thin film in the organic electroluminescence device include a vacuum deposition method and a wet film formation method.
Among these, since the vacuum deposition method can be laminated, it has an advantage that the charge injection from the anode and / or the cathode is improved and the exciton light-emitting layer is easily contained. On the other hand, the wet film formation method does not require a vacuum process, and can easily increase the area, and it is easy to mix a plurality of materials having various functions in one layer (coating liquid).

例えば、特許文献1には架橋基を有する正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含有した組成物を用いて、有機電界発光素子の有機層を形成することが開示されている。しかし、得られる素子の駆動電圧は未だ高いものであった。   For example, Patent Document 1 discloses forming an organic layer of an organic electroluminescent element using a composition containing a hole transporting compound having a crosslinking group and an electron accepting compound. However, the drive voltage of the obtained element was still high.

特開2010−239125JP 2010-239125 A

本発明は、低電圧で駆動可能な有機電界発光素子を得るために有用な組成物を提供することを課題とする。
また本発明は、この有機電界発光素子用組成物を用いた、低電圧で駆動可能な有機電界発光素子を提供することを課題とする。
An object of the present invention is to provide a composition useful for obtaining an organic electroluminescent device that can be driven at a low voltage.
Moreover, this invention makes it a subject to provide the organic electroluminescent element which can be driven by a low voltage using this composition for organic electroluminescent elements.

本発明者らは上記課題に鑑み鋭意検討を行った結果、組成物中における架橋基の量及び電子受容性化合物の量が駆動電圧に大きく影響することを見出した。これは架橋基と電子受容性化合物との間に相互作用があり、架橋基が多く存在する場合、電子受容性化合物が十分に機能しないものと推測される。
さらに本発明者らは検討を重ねた結果、架橋基と電子受容性化合物の比を特定の範囲とすることによって、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明に到達した。
As a result of intensive studies in view of the above problems, the present inventors have found that the amount of the crosslinking group and the amount of the electron-accepting compound in the composition greatly affect the driving voltage. This is because there is an interaction between the cross-linking group and the electron-accepting compound, and it is assumed that the electron-accepting compound does not function sufficiently when there are many cross-linking groups.
Furthermore, as a result of repeated studies, the present inventors have found that the above problem can be solved by setting the ratio of the crosslinking group and the electron-accepting compound within a specific range, and have reached the present invention.

すなわち本発明は、以下を要旨とする。
[1]架橋基を有する正孔輸送性化合物及び電子受容性化合物を含有する有機電界発光素子用組成物であって、
組成物1g中の架橋基の量をA(mol/g)、
組成物1g中の電子受容性化合物の量をB(mol/g)としたとき、
A/Bが、0より大きく、2.0よりも小さい、
ことを特徴とする有機電界発光素子用組成物。
[2]A/Bは、0より大きく、1.0よりも小さい、[1]記載の有機電界発光素子用
組成物。
[3]架橋基を有する正孔輸送性化合物が、下記式(1)で表される繰り返し単位を含む、[1]又は[2]記載の有機電界発光素子用組成物。
That is, the gist of the present invention is as follows.
[1] A composition for an organic electroluminescent device comprising a hole transporting compound having a crosslinking group and an electron accepting compound,
The amount of crosslinking group in 1 g of the composition is A (mol / g),
When the amount of the electron-accepting compound in 1 g of the composition is B (mol / g),
A / B is larger than 0 and smaller than 2.0,
The composition for organic electroluminescent elements characterized by the above-mentioned.
[2] The composition for organic electroluminescent elements according to [1], wherein A / B is larger than 0 and smaller than 1.0.
[3] The composition for organic electroluminescent elements according to [1] or [2], wherein the hole transporting compound having a crosslinking group contains a repeating unit represented by the following formula (1).

Figure 2014033134
Figure 2014033134

(式中、mは0以上、3以下の整数を表し、
Ar、及びArは、各々独立して、直接結合、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、
Ar〜Arは、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
(In the formula, m represents an integer of 0 or more and 3 or less,
Ar 1 and Ar 2 each independently represent a direct bond, an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent,
Ar 3 to Ar 5 each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.

但し、Ar及びArが同時に、直接結合であることはない。)
[4]架橋基が、下記式(2)で表される、[1]〜[3]のいずれかに記載の有機電界発光素子用組成物。
However, Ar 1 and Ar 2 are not simultaneously a direct bond. )
[4] The composition for organic electroluminescent elements according to any one of [1] to [3], wherein the crosslinking group is represented by the following formula (2).

Figure 2014033134
Figure 2014033134

(式(2)中のベンゾシクロブテン環は、置換基を有していてもよい。又、該置換基同
士が、互いに結合して環を形成してもよい。)
[5]電子受容性化合物が、下記式(3)で表されるペンタフルオロフェニル基を有する陰イオンを含む塩である、[1]〜[4]のいずれかに記載の有機電界発光素子用組成物。
(The benzocyclobutene ring in the formula (2) may have a substituent. The substituents may be bonded to each other to form a ring.)
[5] The organic electroluminescent element according to any one of [1] to [4], wherein the electron-accepting compound is a salt containing an anion having a pentafluorophenyl group represented by the following formula (3): Composition.

Figure 2014033134
Figure 2014033134

[6][1]〜[5]のいずれかに記載の有機電界発光素子用組成物を塗布後、前記組成物に含有される正孔輸送性化合物を架橋させて得られる、有機膜。
[7]基板上に、陽極及び陰極、陽極及び陰極の間に配置された有機層を有する有機電界発光素子であって、
有機層が、[6]記載の有機膜を含む、有機電界発光素子。
[8]有機膜が、正孔注入層を構成するものである、[7]記載の有機電界発光素子。
[9]有機電界発光素子が、有機層として正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を含み、正孔注入層、正孔輸送層及び発光層の全てが湿式成膜法により形成されている、[7]又は[8]記載の有機電界発光素子。
[10][7]〜[9]のいずれかに記載の有機電界発光素子を備えた、有機ELディスプレイ。
[11][7]〜[9]のいずれかに記載の有機電界発光素子を備えた、有機EL照明。
[6] An organic film obtained by applying the composition for organic electroluminescent elements according to any one of [1] to [5] and then crosslinking the hole transporting compound contained in the composition.
[7] An organic electroluminescent device having an organic layer disposed between a positive electrode and a negative electrode and a positive electrode on the substrate,
The organic electroluminescent element in which an organic layer contains the organic film as described in [6].
[8] The organic electroluminescence device according to [7], wherein the organic film constitutes a hole injection layer.
[9] The organic electroluminescent element includes a hole injection layer, a hole transport layer, and a light emitting layer as an organic layer, and all of the hole injection layer, the hole transport layer, and the light emitting layer are formed by a wet film forming method. The organic electroluminescent element according to [7] or [8].
[10] An organic EL display comprising the organic electroluminescent element according to any one of [7] to [9].
[11] An organic EL illumination comprising the organic electroluminescent element according to any one of [7] to [9].

本発明の有機電界発光素子用組成物によれば、電気抵抗率の低い有機膜を得ることができる。これより、本発明の有機電界発光素子用組成物を塗布後、該有機電界発光素子用組成物に含まれる正孔輸送性化合物を架橋させて得られる有機膜を含む有機層は電気抵抗率が低いため、この層を有する有機電界発光素子は低い電圧で駆動することができる。   According to the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, an organic film having a low electrical resistivity can be obtained. From this, the organic layer containing the organic film obtained by crosslinking the hole transporting compound contained in the composition for organic electroluminescence elements after applying the composition for organic electroluminescence elements of the present invention has an electrical resistivity. Since it is low, the organic electroluminescent device having this layer can be driven at a low voltage.

本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the structure of the organic electroluminescent element of this invention.

以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例(代表例)であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。
<有機電界発光素子用組成物>
本発明は、架橋基を有する正孔輸送性化合物及び電子受容性化合物を含有する有機電界発光素子用組成物であって、
組成物1g中の架橋基の量をA(mol/g)、
組成物1g中の電子受容性化合物の量をB(mol/g)としたとき、
A/Bが、0より大きく、2.0よりも小さい、
ことを特徴とする有機電界発光素子用組成物、である。
Embodiments of the present invention will be described in detail below, but the description of the constituent elements described below is an example (representative example) of an embodiment of the present invention, and the present invention does not exceed the gist thereof. It is not specified in the contents.
<Composition for organic electroluminescence device>
The present invention is a composition for an organic electroluminescent device comprising a hole transporting compound having a crosslinking group and an electron accepting compound,
The amount of crosslinking group in 1 g of the composition is A (mol / g),
When the amount of the electron-accepting compound in 1 g of the composition is B (mol / g),
A / B is larger than 0 and smaller than 2.0,
The composition for organic electroluminescent elements characterized by the above-mentioned.

本発明では、有機電界発光素子の駆動電圧が、有機電界発光素子用組成物中における架橋基の量及び電子受容性化合物の量に大きく影響すること、架橋基が多く存在する場合、電子受容性化合物が十分に機能しないことを今般初めて見出し、発明を完成したものである。
上述のごとく組成物1g中の架橋基の量をA(mol/g)、組成物1g中の電子受容性化合物の量をB(mol/g)としたとき、A/Bが、0より大きく、2.0よりも小さい、ことを特徴とする有機電界発光素子用組成物である。
ここで電気抵抗率をさらに低減できる点で、A/Bは、1.5より小さいことが好ましく、1.0より小さいことがより好ましい。一方、A/Bが極端に少ない場合、架橋後反応後も、有機溶剤に溶解するおそれがある。よって、A/Bは通常、0.1以上であり、有機溶剤に対して十分に不溶化する点で、0.3以上が好ましく、0.5以上がさらに好ましい。
In the present invention, the driving voltage of the organic electroluminescent device greatly affects the amount of the cross-linking group and the amount of the electron-accepting compound in the composition for the organic electroluminescent device. This is the first discovery that a compound does not function sufficiently and the present invention has been completed.
As described above, when the amount of the cross-linking group in 1 g of the composition is A (mol / g) and the amount of the electron-accepting compound in 1 g of the composition is B (mol / g), A / B is larger than 0. The composition for organic electroluminescent elements is characterized by being smaller than 2.0.
Here, A / B is preferably smaller than 1.5 and more preferably smaller than 1.0 in that the electrical resistivity can be further reduced. On the other hand, when A / B is extremely small, it may be dissolved in an organic solvent even after the post-crosslinking reaction. Therefore, A / B is usually 0.1 or more, preferably 0.3 or more, and more preferably 0.5 or more in terms of sufficient insolubilization with respect to the organic solvent.

以下、A/Bの算出方法について、実施例1に用いた有機電界発光素子用組成物を例に具体的に説明する。
実施例1に用いた有機電界発光素子用組成物の組成は下記のとおりである。
塗布液濃度 H1:4.875重量%
H2:1.625重量%
A1:1.950重量%
Hereinafter, the method for calculating A / B will be specifically described using the composition for an organic electroluminescent element used in Example 1 as an example.
The composition of the composition for organic electroluminescent elements used in Example 1 is as follows.
Coating solution concentration H1: 4.875 wt%
H2: 1.625% by weight
A1: 1.950% by weight

Figure 2014033134
Figure 2014033134

重合体(H1)において、末端基を除いた繰り返し単位の分子量は、主鎖及び側鎖の重合比から、499.73×0.95×0.95+736.08×0.05×0.95+345.44×0.95×0.05+581.31×0.05×0.05=503.83(g/mol)である。重合体(H1)は、繰り返し単位1あたり0.05の架橋基を有するため、重合体(H1)の架橋基数は0.05/503.83=0.000099(mol/g)である。   In the polymer (H1), the molecular weight of the repeating unit excluding the terminal group is 499.73 × 0.95 × 0.95 + 736.08 × 0.05 × 0.95 + 345. 44 * 0.95 * 0.05 + 581.31 * 0.05 * 0.05 = 503.83 (g / mol). Since the polymer (H1) has 0.05 crosslinking groups per repeating unit, the number of crosslinking groups in the polymer (H1) is 0.05 / 503.83 = 0.000099 (mol / g).

同様に 重合体(H2)において、末端基を除いた繰り返し単位の分子量は、主鎖及び側鎖の重合比から、522.72×0.95×0.7198+759.07×0.05×0.7198+614.78×0.95×0.2802+851.13×0.05×0.2802=560.33(g/mol)である。重合体(H2)は、繰り返し単位1あたり0.2802×2=0.5604の架橋基を有するため、重合体(H2)の架橋基数は0.5604/560.33=0.0010(mol/g)である。   Similarly, in the polymer (H2), the molecular weight of the repeating unit excluding the terminal group is 522.72 × 0.95 × 0.7198 + 759.07 × 0.05 × 0. 7198 + 614.78 × 0.95 × 0.2802 + 851.13 × 0.05 × 0.2802 = 560.33 (g / mol). Since the polymer (H2) has 0.2802 × 2 = 0.5604 crosslinking groups per repeating unit, the number of crosslinking groups in the polymer (H2) is 0.5604 / 560.33 = 0.010 (mol / g).

有機電界発光素子用組成物中の(H1)、(H2)の濃度は、それぞれ、4.875重量%、1.625重量%であるので、A=0.04875×0.000099+0.01625×0.0010=0.000021(mol/g)と算出される。
組成物中の電子受容性化合物(A1)の濃度は、1.950重量%であり、(A1)の分子量は、1016.02(g/mol)であるので、B=0.01950/1016.02=0.000019(mol/g)と算出される。
以上より、実施例1に用いた有機電界発光素子用組成物のA/Bは1.1と算出される。
Since the concentrations of (H1) and (H2) in the composition for organic electroluminescent elements are 4.875 wt% and 1.625 wt%, respectively, A = 0.04875 × 0.000099 + 0.01625 × 0. .0010 = 0.000021 (mol / g).
Since the concentration of the electron-accepting compound (A1) in the composition is 1.950% by weight and the molecular weight of (A1) is 1016.02 (g / mol), B = 0.01950 / 1016. It is calculated as 02 = 0.000019 (mol / g).
From the above, A / B of the composition for organic electroluminescent elements used in Example 1 is calculated as 1.1.

<架橋基を有する正孔輸送性化合物>
本発明における架橋基を有する正孔輸送性化合物は、部分構造として正孔輸送部位を有する。正孔輸送部位としては、例えばトリアリールアミン構造、フルオレン環、アントラセン環、ピレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、フェノキサジン環、フェナントロリン環などの3環以上の芳香族環構造、チオフェン環、シロール環などの芳香族複素環構造、及び金属錯体構造が挙げられる。
<Hole transporting compound having a crosslinking group>
The hole transporting compound having a crosslinking group in the present invention has a hole transporting site as a partial structure. Examples of the hole transport site include a triarylamine structure, a fluorene ring, an anthracene ring, a pyrene ring, a carbazole ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, a phenoxazine ring, and a phenanthroline ring, and a thiophene ring structure. Examples thereof include aromatic heterocyclic structures such as rings and silole rings, and metal complex structures.

中でも、電気化学的安定性及び正孔輸送能を向上させる点で、正孔輸送部位としてトリアリールアミン構造を有することが好ましい。
また、架橋反応によって有機溶剤に不溶になりやすい点で、重合体であることが好ましい。特に、電気化学的安定性及び正孔輸送能を向上させる点で、下記式(1)で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。
Especially, it is preferable to have a triarylamine structure as a hole transport site in terms of improving electrochemical stability and hole transport ability.
Moreover, it is preferable that it is a polymer at the point which becomes easy to become insoluble in an organic solvent by a crosslinking reaction. In particular, a polymer containing a repeating unit represented by the following formula (1) is preferable from the viewpoint of improving electrochemical stability and hole transport ability.

Figure 2014033134
Figure 2014033134

(式中、mは0以上、〜3以下の整数を表し、
Ar、及びArは、各々独立して、直接結合、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、
Ar〜Arは、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
但し、Ar及びArが同時に、直接結合であることはない。)
(In the formula, m represents an integer of 0 to 3, inclusive,
Ar 1 and Ar 2 each independently represent a direct bond, an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent,
Ar 3 to Ar 5 each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
However, Ar 1 and Ar 2 are not simultaneously a direct bond. )

[Ar〜Arについて]
式(1)中、Ar及びArは、各々独立して、直接結合、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、Ar〜Arは、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
[About Ar 1 to Ar 5 ]
In formula (1), Ar 1 and Ar 2 are each independently a direct bond, an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aromatic heterocycle which may have a substituent. Represents a group, and Ar 3 to Ar 5 each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.

置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、6員環の単環又は2〜5縮合環由来の基が挙げられる。
置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジ
ン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、5又は6員環の単環又は2〜4縮合環由来の基が挙げられる。
Examples of the aromatic hydrocarbon group which may have a substituent include, for example, a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, and acenaphthene. Examples thereof include a group derived from a 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring, such as a ring, a fluoranthene ring and a fluorene ring.
Examples of the aromatic heterocyclic group which may have a substituent include a furan ring, a benzofuran ring, a thiophene ring, a benzothiophene ring, a pyrrole ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, an oxadiazole ring, an indole ring, and a carbazole ring. , Pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzoisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine Ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring, etc. ring It can be mentioned groups derived from 2-4 fused rings.

溶剤に対する溶解性、及び耐熱性の点から、Ar〜Arは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基が好ましい。
また、Ar〜Arとしては、前記群から選ばれる1種又は2種以上の環を直接結合により連結した基も好ましく、ビフェニル基、ビフェニレン基及びターフェニル基、ターフェニレン基がさらに好ましい。
前記置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、下記[置換基群Z]に記載の基が挙げられる。
Ar 1 to Ar 5 are each independently from a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a triphenylene ring, a pyrene ring, a thiophene ring, a pyridine ring, and a fluorene ring from the viewpoint of solubility in a solvent and heat resistance. A group derived from a ring selected from the group consisting of
Further, as Ar 1 to Ar 5 , a group in which one or two or more rings selected from the above group are connected by a direct bond is preferable, and a biphenyl group, a biphenylene group, a terphenyl group, and a terphenylene group are more preferable.
Examples of the substituent that the aromatic hydrocarbon group that may have a substituent and the aromatic heterocyclic group that may have a substituent may have the following [Substituent group Z]. And the groups described.

[置換基群Z]
例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ドデシル基などの、炭素数が通常1以上であり、通常24以下、好ましくは12以下である、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基;
例えばビニル基等の、炭素数が通常2以上であり、通常24以下、好ましくは12以下であるアルケニル基;
例えばエチニル基等の、炭素数が通常2以上であり、通常24以下、好ましくは12以下であるアルキニル基;
例えばメトキシ基、エトキシ基等の、炭素数が通常1以上であり、通常24以下、好ましくは12以下であるアルコキシ基;
例えばフェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の、炭素数が通常4以上、好ましくは5以上であり、通常36以下、好ましくは24であるアリールオキシ基;
例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、炭素数が通常2以上であり、通常24以下、好ましくは12以下であるアルコキシカルボニル基;
例えばジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、炭素数が通常2以上であり、通常24以下、好ましくは12以下であるジアルキルアミノ基;
例えばジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、N−カルバゾリル基等の、炭素数が通常10以上、好ましくは12以上であり、通常36以下、好ましくは24以下のジアリールアミノ基;
例えばフェニルメチルアミノ基等の、炭素数が通常7であり、通常36以下、好ましくは24以下であるアリールアルキルアミノ基;
例えばアセチル基、ベンゾイル基等の、炭素数が通常2であり、通常24以下、好ましくは12であるアシル基;
例えばフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子;
例えばトリフルオロメチル基等の、炭素数が通常1以上であり、通常12以下、好ましくは6以下のハロアルキル基;
例えばメチルチオ基、エチルチオ基等の、炭素数が通常1以上であり、通常24以下、好ましくは12以下のアルキルチオ基;
例えばフェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の、炭素数が通常4以上、好ましくは5以上であり、通常36以下、好ましくは24以下であるアリールチオ基;
例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の、炭素数が通常2以上、好ましくは3以上であり、通常36以下、好ましくは24以下であるシリル基;
例えばトリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の、炭素数が通常2以上、好ましくは3以上であり、通常36以下、好ましくは24以下であるシロキシ基;
シアノ基;
例えばフェニル基、ナフチル基等の、炭素数が通常6以上であり、通常36以下、好ましくは24以下である芳香族炭化水素環基;
例えばチエニル基、ピリジル基等の、炭素数が通常3以上、好ましくは4以上であり、通常36以下、好ましくは24以下である芳香族複素環基。
[Substituent group Z]
For example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-hexyl group, cyclohexyl group, dodecyl group, etc. A linear, branched, or cyclic alkyl group having usually 1 or more carbon atoms and usually 24 or less, preferably 12 or less;
An alkenyl group having usually 2 or more carbon atoms and usually 24 or less, preferably 12 or less, such as a vinyl group;
An alkynyl group such as an ethynyl group, which usually has 2 or more carbon atoms and is usually 24 or less, preferably 12 or less;
For example, an alkoxy group having a carbon number of usually 1 or more and usually 24 or less, preferably 12 or less, such as a methoxy group or an ethoxy group;
For example, an aryloxy group having usually 4 or more, preferably 5 or more, usually 36 or less, preferably 24, such as a phenoxy group, a naphthoxy group, or a pyridyloxy group;
For example, an alkoxycarbonyl group having 2 or more carbon atoms, usually 24 or less, preferably 12 or less, such as a methoxycarbonyl group or an ethoxycarbonyl group;
For example, a dialkylamino group having 2 or more carbon atoms and usually 24 or less, preferably 12 or less, such as a dimethylamino group or a diethylamino group;
For example, a diarylamino group having a carbon number of usually 10 or more, preferably 12 or more, usually 36 or less, preferably 24 or less, such as a diphenylamino group, a ditolylamino group, or an N-carbazolyl group;
An arylalkylamino group having usually 7 carbon atoms, usually 36 or less, preferably 24 or less, such as a phenylmethylamino group;
For example, an acetyl group, a benzoyl group, etc., an acyl group having usually 2 carbon atoms and usually having 24 or less, preferably 12;
For example, a halogen atom such as a fluorine atom or a chlorine atom;
A haloalkyl group having usually 1 or more and usually 12 or less, preferably 6 or less, such as a trifluoromethyl group;
For example, an alkylthio group having a carbon number of usually 1 or more and usually 24 or less, preferably 12 or less, such as a methylthio group or an ethylthio group;
For example, an arylthio group having a carbon number of usually 4 or more, preferably 5 or more, usually 36 or less, preferably 24 or less, such as a phenylthio group, a naphthylthio group, or a pyridylthio group;
For example, a silyl group having a carbon number of usually 2 or more, preferably 3 or more, usually 36 or less, preferably 24 or less, such as a trimethylsilyl group or a triphenylsilyl group;
For example, a siloxy group having 2 or more, preferably 3 or more, usually 36 or less, preferably 24 or less, such as trimethylsiloxy group or triphenylsiloxy group;
A cyano group;
For example, an aromatic hydrocarbon ring group having usually 6 or more carbon atoms and usually 36 or less, preferably 24 or less, such as a phenyl group or a naphthyl group;
For example, an aromatic heterocyclic group having 3 or more, preferably 4 or more, usually 36 or less, preferably 24 or less, such as thienyl group or pyridyl group.

これらの置換基の中でも、溶解性の点から、炭素数1〜12のアルキル基及び炭素数1〜12のアルコキシ基が好ましい。
また、上記各置換基がさらに置換基を有していてもよく、その例としては置換基群Zの項に例示した基から選択される。
正孔輸送性に優れる点から、Ar〜Arは、置換基を含めて、その炭素数は、通常3以上、好ましくは5以上、さらに好ましくは6以上であり、通常72以下、好ましくは48以下、さらに好ましくは25以下である。
Among these substituents, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms and an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms are preferable from the viewpoint of solubility.
Each of the above substituents may further have a substituent, and examples thereof are selected from the groups exemplified in the section of the substituent group Z.
In terms of excellent hole transportability, Ar 1 to Ar 5 , including a substituent, have usually 3 or more carbon atoms, preferably 5 or more, more preferably 6 or more, and usually 72 or less, preferably 48 or less, more preferably 25 or less.

[mについて]
式(1)におけるmは、0以上、3以下の整数を表し、成膜性が高められる点で、mは0であることが好ましい。また、正孔輸送能が向上する点で、mは1以上、3以下であることが好ましい。
なお、mが2以上である場合、前記式(1)で表される繰り返し単位は、2個以上のAr及びArを有することになる。その場合、Ar同士及びAr同士は、各々、同じでもよく、異なっていてもよい。さらに、Ar同士、Ar同士は、各々互いに直接又は連結基を介して結合して環状構造を形成していてもよい。
[About m]
M in the formula (1) represents an integer of 0 or more and 3 or less, and m is preferably 0 in that the film formability is improved. Further, m is preferably 1 or more and 3 or less from the viewpoint of improving hole transport ability.
In addition, when m is 2 or more, the repeating unit represented by the formula (1) has two or more Ar 4 and Ar 5 . In this case, Ar 4 and Ar 5 may be the same or different from each other. Furthermore, Ar 4 and Ar 5 may be bonded to each other directly or via a linking group to form a cyclic structure.

[架橋基について]
本発明における架橋基を有する正孔輸送性化合物は、架橋基を有することで、熱及び/又は活性エネルギー線の照射により起こる反応(不溶化反応)の前後で、溶媒に対する溶解性に大きな差を生じさせることができる。
[About the cross-linking group]
In the present invention, the hole transporting compound having a crosslinking group causes a large difference in solubility in a solvent before and after the reaction (insolubilization reaction) caused by irradiation with heat and / or active energy rays. Can be made.

架橋基とは、熱及び/又は活性エネルギー線の照射により近傍に位置するほかの分子の同一又は異なる基と反応して、新規な化学結合を生成する基のことをいう。
架橋基としては、不溶化がしやすいという点で、例えば、架橋性基群Tに示す基が挙げられる。本発明に係る架橋性基は、これらに限定されない。
The cross-linking group refers to a group that reacts with the same or different group of another molecule located in the vicinity by irradiation with heat and / or active energy rays to form a new chemical bond.
Examples of the cross-linking group include groups shown in the cross-linkable group group T in that insolubilization is easy. The crosslinkable group according to the present invention is not limited to these.

Figure 2014033134
Figure 2014033134

(上記式中、R21〜R23は、各々独立に、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を示す。Ar21は置換基を有していてもよい芳香族基を示す。
1、X2及びX3は、各々独立して水素原子又はハロゲン原子を示す。
24は水素原子又はビニル基を示す。
ベンゾシクロブテン環は、置換基を有していてもよく、該置換基同士が、互いに結合して環を形成してもよい。)
21〜R23のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基等の、炭素数が通常1以
上であり、通常24以下、好ましくは12以下であるアルキル基等が挙げられる。
(In the above formula, R 21 to R 23 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent. Ar 21 represents an aromatic group which may have a substituent. .
X 1 , X 2 and X 3 each independently represent a hydrogen atom or a halogen atom.
R 24 represents a hydrogen atom or a vinyl group.
The benzocyclobutene ring may have a substituent, and the substituents may be bonded to each other to form a ring. )
Examples of the alkyl group of R 21 to R 23 include alkyl groups having usually 1 or more, usually 24 or less, preferably 12 or less, such as a methyl group or an ethyl group.

Ar21の芳香族基としては、前記Ar1〜Ar5を構成する芳香族基と同じ基等が挙げられる。
尚、R21〜R23、及びAr21が更に有していてもよい置換基としては、特に制限はないが、例えば、前記置換基群Zから選ばれる基等が挙げられる。
エポキシ基、オキセタン基等の環状エーテル基、ビニルエーテル基などのカチオン重合によって不溶化反応する基が、反応性が高く不溶化が容易な点で好ましい。中でも、カチオン重合の速度を制御しやすい点でオキセタン基が特に好ましく、カチオン重合の際に素子の劣化をまねくおそれのあるヒドロキシル基が生成しにくい点でビニルエーテル基が好ましい。
Examples of the aromatic group of Ar 21 include the same groups as the aromatic groups constituting the Ar 1 to Ar 5 .
As the R 21 to R 23, and Ar 21 is a substituent which may have, it is not particularly limited, for example, such as a group selected from the substituent group Z can be mentioned.
A group that undergoes insolubilization reaction by cationic polymerization such as a cyclic ether group such as an epoxy group or an oxetane group, or a vinyl ether group is preferred in terms of high reactivity and easy insolubilization. Among these, an oxetane group is particularly preferable from the viewpoint that the rate of cationic polymerization can be easily controlled, and a vinyl ether group is preferable from the viewpoint that a hydroxyl group that may cause deterioration of the device during the cationic polymerization is hardly generated.

シンナモイル基などアリールビニルカルボニル基、ベンゾシクロブテン環由来の基などの環化付加反応する基が、電気化学的安定性をさらに向上させる点で好ましい。
又、架橋性基の中でも、不溶化後の構造が特に安定な点で、ベンゾシクロブテン環由来の基が特に好ましい。
具体的には、下記式(2)で表される基であることが好ましい。
A group that undergoes a cycloaddition reaction, such as an arylvinylcarbonyl group such as a cinnamoyl group, or a group derived from a benzocyclobutene ring, is preferred from the viewpoint of further improving electrochemical stability.
Of the crosslinkable groups, a group derived from a benzocyclobutene ring is particularly preferable in that the structure after insolubilization is particularly stable.
Specifically, a group represented by the following formula (2) is preferable.

Figure 2014033134
Figure 2014033134

(式(2)中のベンゾシクロブテン環は、置換基を有していてもよい。又、該置換基同
士が、互いに結合して環を形成してもよい。)
架橋性基は分子内の1価又は2価の芳香族基に直接結合してもよいが、2価の基を介して結合してもよい。この2価の基としては、−O−基、−C(=O)−基又は(置換基を有していてもよい)−CH2−基から選ばれる基を任意の順番で1〜30個連結してなる
2価の基を介して、1価又は2価の芳香族基に結合することが好ましい。これら2価の基を介する架橋性基、すなわち、架橋性基を含む基の具体例は以下の<架橋性基を含む基群T'>に示す通りであるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(The benzocyclobutene ring in the formula (2) may have a substituent. The substituents may be bonded to each other to form a ring.)
The crosslinkable group may be directly bonded to a monovalent or divalent aromatic group in the molecule, or may be bonded via a divalent group. As the divalent group, a group selected from an —O— group, a —C (═O) — group, or an (optionally substituted) —CH 2 — group may be selected from 1 to 30 in any order. It is preferable to bind to a monovalent or divalent aromatic group via a divalent group formed by individual linking. Specific examples of the crosslinkable group via these divalent groups, that is, a group containing a crosslinkable group, are as shown in <Group group T ′ containing a crosslinkable group> below, but the present invention is not limited thereto. It is not something.

Figure 2014033134
Figure 2014033134

Figure 2014033134
Figure 2014033134

(上記式中、mは0〜12の整数を示し、nは1〜12の整数を示す。)
これらの架橋性基を含む基の具体例としては、次のものが挙げられる。
(In the above formula, m represents an integer of 0 to 12, and n represents an integer of 1 to 12.)
Specific examples of the group containing these crosslinkable groups include the following.

Figure 2014033134
Figure 2014033134

Figure 2014033134
Figure 2014033134

<電子受容性化合物>
本発明における電子受容性化合物としては、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から電子を受容する能力を有する化合物である。具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物が好ましく、5eV以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
電子受容性化合物の例としては、例えば、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート等の有機基の置換したオニウム塩、塩化鉄(III)(特開平11−251067号公報)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物、テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン(特開2003−31365号公報)等の芳香族ホウ素化合物、フラーレン誘導体、ヨウ素等が挙げられる。
<Electron-accepting compound>
The electron-accepting compound in the present invention is a compound having an oxidizing power and an ability to accept electrons from the above-described hole-transporting compound. Specifically, a compound with an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and a compound with a compound of 5 eV or more is more preferable.
Examples of the electron-accepting compound include onium salts substituted with an organic group such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, iron (III) chloride (Japanese Patent Laid-Open No. 11-251067). Publication), high valence inorganic compounds such as ammonium peroxodisulfate, cyano compounds such as tetracyanoethylene, aromatic boron compounds such as tris (pentafluorophenyl) borane (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-31365), fullerene derivatives, iodine Etc.

上記の化合物のうち、強い酸化力を有する点で、有機基の置換したオニウム塩、高原子価の無機化合物等が好ましい。また、種々の溶剤に対する溶解性が高く湿式成膜法で膜を形成するのに適用可能である点で、有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物等が好ましい。
また、化学的に安定であり、耐久性が高められる点、及び、正孔を非局在化させ、正孔輸送能をさらに高める点から、電子受容性化合物としては、下記式(3)で表されるペンタフルオロフェニル基を有する陰イオンを含む塩であることが好ましく、特に、下記式(3−1)(3−2)で表される陰イオン含む塩であることが好ましい。
Of the above-mentioned compounds, an onium salt substituted with an organic group, a high-valence inorganic compound, and the like are preferable because they have strong oxidizing power. In addition, an onium salt substituted with an organic group, a cyano compound, an aromatic boron compound, or the like is preferable because it is highly soluble in various solvents and can be applied to form a film by a wet film formation method.
In addition, from the viewpoint of being chemically stable and enhancing durability, and from the point of delocalizing holes and further increasing hole transportability, the electron-accepting compound is represented by the following formula (3). It is preferable that it is a salt containing the anion which has a pentafluorophenyl group represented, and it is especially preferable that it is a salt containing the anion represented by following formula (3-1) (3-2).

Figure 2014033134
Figure 2014033134

なお、電子受容性化合物は1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。2種類以上用いる場合は、足し合わせた量を電子受容性化合物の量とする。
<溶剤等>
本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶剤としては、特に制限されるものではないが、架橋基を有する正孔輸送性化合物及び電子受容性化合物を溶解させる必要があることから、好ましくは、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族化合物;1,2−ジクロロエタン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン等の含ハロゲン溶剤;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル、1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等のエーテル系溶剤;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル等の脂肪族エステル;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸イソプロピル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等のエステル系溶剤等の有機溶剤が挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
In addition, an electron-accepting compound may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types by arbitrary combinations and a ratio. When two or more types are used, the total amount is the amount of the electron-accepting compound.
<Solvent etc.>
The solvent contained in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention is not particularly limited, but it is necessary to dissolve the hole transporting compound and the electron accepting compound having a crosslinking group. Preferably, aromatic compounds such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene; halogen-containing solvents such as 1,2-dichloroethane, chlorobenzene, o-dichlorobenzene; ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-monomethyl Aliphatic ethers such as ether acetate (PGMEA), 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethyl Aniso Ether solvents such as aromatic ethers such as 2,4-dimethylanisole; aliphatic esters such as ethyl acetate, n-butyl acetate, ethyl lactate and n-butyl lactate; phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, Examples thereof include organic solvents such as ester solvents such as ethyl benzoate, isopropyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate. These may be used alone or in combination of two or more.


本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶剤の組成物中の濃度は、通常10重量%以上、好ましくは50重量%以上、より好ましくは80重量%以上である。
なお、水分は有機電界発光素子の性能劣化、中でも特に連続駆動時の輝度低下を促進する可能性があることが広く知られており、塗膜中に残留する水分をできる限り低減するために、これらの溶剤の中でも、25℃における水の溶解度が1重量%以下であるものが好ましく、0.1重量%以下である溶剤がより好ましい。

The concentration of the solvent contained in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention is usually 10% by weight or more, preferably 50% by weight or more, more preferably 80% by weight or more.
In addition, it is widely known that moisture may promote deterioration of the performance of the organic electroluminescent element, particularly brightness reduction during continuous driving, in order to reduce moisture remaining in the coating film as much as possible. Among these solvents, those having a water solubility at 25 ° C. of 1% by weight or less are preferred, and solvents having a solubility of 0.1% by weight or less are more preferred.

本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶剤として、20℃における表面張力が40dyn/cm未満、好ましくは36dyn/cm以下、より好ましくは33dyn/cm以下である溶剤が挙げられる。
このような低表面張力の溶剤の具体例としては、前述したトルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族系溶剤、安息香酸エチル等のエステル系溶剤、アニソール等のエーテル系溶剤、トリフルオロメトキシアニソール、ペンタフルオロメトキシベンゼン、3−(トリフルオロメチル)アニソール、エチル(ペンタフルオロベンゾエート)等が挙げられる。
Examples of the solvent contained in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention include a solvent having a surface tension at 20 ° C. of less than 40 dyn / cm, preferably 36 dyn / cm or less, more preferably 33 dyn / cm or less.
Specific examples of such a low surface tension solvent include the aforementioned aromatic solvents such as toluene, xylene, methicylene and cyclohexylbenzene, ester solvents such as ethyl benzoate, ether solvents such as anisole, trifluoromethoxy, and the like. Anisole, pentafluoromethoxybenzene, 3- (trifluoromethyl) anisole, ethyl (pentafluorobenzoate) and the like can be mentioned.

これらの溶剤の組成物中の濃度は、通常10重量%以上、好ましくは30重量%以上、より好ましくは50重量%以上である。
本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶剤としてはまた、25℃における蒸気圧が10mmHg以下、好ましくは5mmHg以下で、通常0.1mmHg以上の溶剤が挙げられる。このような溶剤を使用することにより、有機電界発光素子を湿式成膜法により製造するプロセスに好適な、また、本発明のアリールアミンポリマーの性質に適した組成物を調製することができる。このような溶剤の具体例としては、前述したトルエン、キシレン、メチシレン等の芳香族系溶剤、エーテル系溶剤及びエステル系溶剤が挙げられる。これらの溶剤の組成物中の濃度は、通常10重量%以上、好ましくは30重量%以上、より好ましくは50重量%以上である。
The concentration of these solvents in the composition is usually 10% by weight or more, preferably 30% by weight or more, more preferably 50% by weight or more.
Examples of the solvent contained in the composition for organic electroluminescence device of the present invention include a solvent having a vapor pressure at 25 ° C. of 10 mmHg or less, preferably 5 mmHg or less and usually 0.1 mmHg or more. By using such a solvent, it is possible to prepare a composition suitable for a process for producing an organic electroluminescent device by a wet film-forming method and suitable for the properties of the arylamine polymer of the present invention. Specific examples of such a solvent include the above-described aromatic solvents such as toluene, xylene, and methicylene, ether solvents, and ester solvents. The concentration of these solvents in the composition is usually 10% by weight or more, preferably 30% by weight or more, more preferably 50% by weight or more.

本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶剤として、25℃における蒸気圧が2mmHg以上、好ましくは3mmHg以上、より好ましくは4mmHg以上(但し、上限は好ましくは10mmHg以下である。)である溶剤と、25℃における蒸気圧が2mmHg未満、好ましくは1mmHg以下、より好ましくは0.5mmHg以下である溶剤との混合溶剤が挙げられる。このような混合溶剤を使用することにより、湿式成膜法により本発明のアリールアミンポリマー、更には電子受容性化合物を含む均質な層を形成することができる。このような混合溶剤の組成物中の濃度は、通常10重量%以上、好ましくは30重量%以上、より好ましくは50重量%以上である。   As a solvent contained in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, the vapor pressure at 25 ° C. is 2 mmHg or more, preferably 3 mmHg or more, more preferably 4 mmHg or more (however, the upper limit is preferably 10 mmHg or less). A mixed solvent of a certain solvent and a solvent having a vapor pressure at 25 ° C. of less than 2 mmHg, preferably 1 mmHg or less, more preferably 0.5 mmHg or less. By using such a mixed solvent, a homogeneous layer containing the arylamine polymer of the present invention and further an electron accepting compound can be formed by a wet film forming method. The concentration of the mixed solvent in the composition is usually 10% by weight or more, preferably 30% by weight or more, more preferably 50% by weight or more.

有機電界発光素子は、有機化合物からなる層を多数積層して形成するため、膜質が均一であることが非常に重要である。湿式成膜法で層形成する場合、その材料や、下地の性質によって、スピンコート法、スプレー法などの塗布法や、インクジェット法、スクリーン法などの印刷法等の成膜方法が採用できる。例えばスプレー法は、凹凸のある面への均一な膜形成に有効であるため、パターニングされた電極や画素間の隔壁による凹凸が残る面に、有機化合物からなる層を設ける場合に、好ましい。スプレー法による塗布の場合、ノズルから塗布面へ噴射された塗布液の液滴はできる限り小さい方が、均一な膜質が得られるため好ましい。そのためには、塗布液に蒸気圧の高い溶剤を混合し、塗布雰囲気中において噴射後の塗布液滴から溶剤の一部が揮発することにより、基板に付着する直前に細かい液滴が生成する状態が好ましい。また、より均一な膜質を得るためには、塗布直後に基板上に生成した液膜がレベリングする時間を確保することが必要で、この目的を達成するためにはより乾燥の遅い溶剤、すなわち蒸気圧の低い溶剤をある程度含有させる手法が用いられる。   Since the organic electroluminescent element is formed by laminating a large number of layers made of an organic compound, it is very important that the film quality is uniform. When a layer is formed by a wet film forming method, a film forming method such as a coating method such as a spin coating method or a spray method, or a printing method such as an ink jet method or a screen method can be adopted depending on the material and properties of the base. For example, since the spray method is effective for forming a uniform film on a surface with unevenness, it is preferable when a layer made of an organic compound is provided on a surface where unevenness due to a patterned electrode or a partition between pixels remains. In the case of application by a spray method, it is preferable that the droplets of the application liquid sprayed from the nozzle to the application surface are as small as possible because uniform film quality can be obtained. For that purpose, a solvent with high vapor pressure is mixed with the coating liquid, and a part of the solvent is volatilized from the sprayed coating droplet in the coating atmosphere, so that fine droplets are generated immediately before adhering to the substrate. Is preferred. Also, in order to obtain a more uniform film quality, it is necessary to secure time for the liquid film generated on the substrate to be leveled immediately after coating. In order to achieve this purpose, a slower drying solvent, that is, a vapor A technique in which a solvent having a low pressure is contained to some extent is used.

具体例としては、25℃における蒸気圧が2mmHg以上10mmHg以下である溶剤としては、例えば、キシレン、アニソール、シクロヘキサノン、トルエン等の有機溶剤が挙げられる。25℃における蒸気圧が2mmHg未満である溶剤としては、安息香酸エチル、安息香酸メチル、テトラリン、フェネトール等が挙げられる。
混合溶剤の比率は、25℃における蒸気圧が2mmHg以上である溶剤が、混合溶剤総量中、5重量%以上、好ましくは25重量%以上、但し50重量%未満であり、25℃おける蒸気圧が2mmHg未満である溶剤が、混合溶剤総量中、30重量%以上、好ましくは50重量%以上、特に好ましくは75重量%以上、但し、95重量%未満である。
Specific examples of the solvent having a vapor pressure of 2 mmHg to 10 mmHg at 25 ° C. include organic solvents such as xylene, anisole, cyclohexanone, and toluene. Examples of the solvent having a vapor pressure of less than 2 mmHg at 25 ° C. include ethyl benzoate, methyl benzoate, tetralin, and phenetole.
The ratio of the mixed solvent is such that the solvent having a vapor pressure of 2 mmHg or more at 25 ° C. is 5% by weight or more, preferably 25% by weight or more, but less than 50% by weight, and the vapor pressure at 25 ° C. is 25% by weight. The solvent which is less than 2 mmHg is 30% by weight or more, preferably 50% by weight or more, particularly preferably 75% by weight or more, but less than 95% by weight in the total mixed solvent.

なお、有機電界発光素子は、多数の有機化合物からなる層を積層して形成するため、各層がいずれも均一な層であることが要求される。湿式成膜法で層形成する場合、層形成用の溶液(組成物)に水分が混入することにより、塗膜に水分が混入して膜の均一性が損なわれるおそれがあるため、溶液中の水分含有量はできるだけ少ない方が好ましい。具体的には、有機電界発光素子組成物中に含まれる水分量は、好ましくは1重量%以下、より好ましくは0.1重量%以下、さらに好ましくは0.05重量%以下である。   In addition, since an organic electroluminescent element is formed by laminating a plurality of layers made of organic compounds, each layer is required to be a uniform layer. In the case of forming a layer by a wet film forming method, moisture may be mixed into the coating solution (composition) for forming the layer, so that moisture may be mixed into the coating film and the uniformity of the film may be impaired. It is preferable that the water content is as low as possible. Specifically, the amount of water contained in the organic electroluminescent element composition is preferably 1% by weight or less, more preferably 0.1% by weight or less, and still more preferably 0.05% by weight or less.

また、有機電界発光素子は、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、素子の劣化の観点からも、水分の存在は好ましくない。溶液中の水分量を低減する方法としては、例えば、窒素ガスシール、乾燥剤の使用、溶剤を予め脱水する、水の溶解度が低い溶剤を使用する等が挙げられる。なかでも、水の溶解度が低い溶剤を使用する場合は、塗布工程中に、溶液塗膜が大気中の水分を吸収して白化する現象を防ぐことができるため好ましい。   In addition, since organic electroluminescent devices use many materials such as cathodes that are significantly deteriorated by moisture, the presence of moisture is not preferable from the viewpoint of device degradation. Examples of the method for reducing the amount of water in the solution include nitrogen gas sealing, use of a desiccant, dehydration of the solvent in advance, use of a solvent with low water solubility, and the like. Among these, the use of a solvent having low water solubility is preferable because the solution coating film can prevent whitening by absorbing moisture in the atmosphere during the coating process.

この様な観点からは、本発明の有機電界発光素子用組成物は、例えば25℃における水の溶解度が1重量%以下(好ましくは0.1重量%以下)である溶剤を、該組成物中10重量%以上含有することが好ましい。なお、上記溶解度条件を満たす溶剤が30重量%以上であればより好ましく、50重量%以上であれば特に好ましい。
なお、本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶剤として、前述した溶剤以外にも、必要に応じて、各種の他の溶剤を含んでいてもよい。このような他の溶剤としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類;ジメチルスルホキシド等がある。
また、本発明の有機電界発光素子用組成物は、レベリング剤や消泡剤等の塗布性改良剤などの各種添加剤を含んでいてもよい。
From such a viewpoint, the composition for organic electroluminescent elements of the present invention contains, for example, a solvent having a water solubility at 25 ° C. of 1% by weight or less (preferably 0.1% by weight or less) in the composition. It is preferable to contain 10% by weight or more. The solvent satisfying the above solubility condition is more preferably 30% by weight or more, and particularly preferably 50% by weight or more.
In addition, as a solvent contained in the composition for organic electroluminescent elements of this invention, you may contain various other solvents other than the solvent mentioned above as needed. Examples of such other solvents include amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide; dimethyl sulfoxide and the like.
Moreover, the composition for organic electroluminescent elements of this invention may contain various additives, such as coating property improving agents, such as a leveling agent and an antifoamer.

<有機膜>
本発明の有機膜は、本発明の有機電界発光素子用組成物を塗布後、前記組成物に含有される正孔輸送性化合物を架橋させて得られる。
<Organic film>
The organic film of the present invention can be obtained by applying the composition for organic electroluminescent elements of the present invention and then crosslinking the hole transporting compound contained in the composition.

<有機電界発光素子>
本発明の有機電界発光素子は、基板上に、陽極及び陰極、該陽極及び陰極の間に配置された有機層を有し、該有機層が、本発明の有機電界発光素子用組成物を塗布後、正孔輸送性化合物を架橋させて得られる、有機膜(本発明の有機膜)を含むことを特徴とする。
図1は、本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。図1に示す有機電界発光素子は、基板の上に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層及び陰極を、この順に積層して構成される。この構成の場合、通常は正孔注入層が上述の本発明の有機膜を含む有機層に該当することになる。
<Organic electroluminescent device>
The organic electroluminescence device of the present invention has an anode and a cathode on the substrate, an organic layer disposed between the anode and the cathode, and the organic layer is coated with the composition for an organic electroluminescence device of the present invention. Thereafter, an organic film (organic film of the present invention) obtained by crosslinking a hole transporting compound is included.
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of the structure of the organic electroluminescent element of the present invention. The organic electroluminescent device shown in FIG. 1 has an anode, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode laminated in this order on a substrate. Configured. In the case of this configuration, the hole injection layer usually corresponds to an organic layer including the above-described organic film of the present invention.

[1]基板
基板は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、
ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好しい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
[1] Substrate
The substrate serves as a support for the organic electroluminescence device, and quartz or glass plates, metal plates or metal foils, plastic films or sheets are used. Especially glass plates, polyester,
Transparent synthetic resin plates such as polymethacrylate, polycarbonate and polysulfone are preferred. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent element may be deteriorated by the outside air that has passed through the substrate, which is not preferable. For this reason, a method of providing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.

[2]陽極
陽極は、後述する発光層側の層(正孔注入層又は発光層など)への正孔注入の役割を果たすものである。この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び/又はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。陽極の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散し、基板上に塗布することにより陽極を形成することもできる。更に、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に導電性高分子を塗布して陽極を形成することもできる(Applied Physics Letters,1992年,Vol.60,pp.2711参照)。陽極は異なる物質で積層して形成
することも可能である。
[2] Anode
The anode plays a role of hole injection into a layer on the light emitting layer side (hole injection layer, light emitting layer, or the like) described later. This anode is usually made of metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum, metal oxide such as oxide of indium and / or tin, metal halide such as copper iodide, carbon black, or poly It is composed of conductive polymers such as (3-methylthiophene), polypyrrole, and polyaniline. In general, the anode is often formed by a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like. Also, in the case of fine metal particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, conductive polymer fine powder, etc., it is dispersed in an appropriate binder resin solution and placed on the substrate. An anode can also be formed by coating. Furthermore, in the case of a conductive polymer, a thin film can be directly formed on a substrate by electrolytic polymerization, or an anode can be formed by applying a conductive polymer on a substrate (Applied Physics Letters, 1992, Vol. .60, pp. 2711). The anode can be formed by stacking different materials.

陽極の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが望ましく、この場合、厚みは、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。不透明でよい場合、陽極は基板と同一でもよい。また、更には上記の陽極の上に異なる導電材料を積層することも可能である。   The thickness of the anode varies depending on the required transparency. When transparency is required, it is desirable that the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, Usually, it is 1000 nm or less, preferably 500 nm or less. If it may be opaque, the anode may be the same as the substrate. Furthermore, it is also possible to laminate different conductive materials on the anode.

なお、陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的として、陽極表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理することが好ましい。   In addition, the surface of the anode is treated with ultraviolet (UV) / ozone, oxygen plasma, or argon plasma for the purpose of removing impurities adhering to the anode and adjusting the ionization potential to improve the hole injection property. Is preferred.

[3]正孔注入層
陽極の上には、正孔注入層が形成される。
正孔注入層は、陽極の陰極側に隣接する層へ正孔を輸送する層である。
なお、本発明の有機電界発光素子は、正孔注入層を省いた構成であってもよい。
正孔注入層は、正孔輸送性化合物を含むことが好ましく、正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことがより好ましい。更には、正孔注入層中にカチオンラジカル化合物を含むことが好ましく、カチオンラジカル化合物と正孔輸送性化合物とを含むことが特に好ましい。
[3] Hole injection layer
A hole injection layer is formed on the anode.
The hole injection layer is a layer that transports holes to a layer adjacent to the cathode side of the anode.
The organic electroluminescent device of the present invention may have a configuration in which the hole injection layer is omitted.
The hole injection layer preferably contains a hole transporting compound, and more preferably contains a hole transporting compound and an electron accepting compound. Further, the hole injection layer preferably contains a cation radical compound, and particularly preferably contains a cation radical compound and a hole transporting compound.

正孔注入層は、必要に応じて、バインダー樹脂や塗布性改良剤を含んでもよい。なお、バインダー樹脂は、電荷のトラップとして作用し難いものが好ましい。
また、正孔注入層は、電子受容性化合物のみを湿式成膜法によって陽極上に成膜し、その上から直接、電荷輸送材料組成物を塗布、積層することも可能である。この場合、電荷輸送材料組成物の一部が電子受容性化合物と相互作用することによって、正孔注入性に優れた層が形成される。
The hole injection layer may contain a binder resin and a coating property improving agent as necessary. The binder resin is preferably one that hardly acts as a charge trap.
The hole injection layer can be formed by depositing only the electron-accepting compound on the anode by a wet film-forming method, and directly applying and laminating the charge transport material composition thereon. In this case, a part of the charge transport material composition interacts with the electron-accepting compound, so that a layer excellent in hole injecting property is formed.

正孔注入層は、電気抵抗率が小さく、得られ素子の駆動電圧を低減できることから、本発明の有機膜を含むことが特に好ましい。
正孔注入層は湿式塗布法で形成されることが好ましい。正孔注入層形成用組成物(好ましくは本発明の有機電界発光素子用組成物)を調製後、この組成物を湿式成膜により、正
孔注入層の下層に該当する層(通常は、陽極)上に塗布し、乾燥することにより正孔注入層を形成する。
The hole injection layer preferably includes the organic film of the present invention because it has a low electrical resistivity and can be obtained to reduce the driving voltage of the device.
The hole injection layer is preferably formed by a wet coating method. After preparing a composition for forming a hole injection layer (preferably a composition for an organic electroluminescence device of the present invention), the composition is subjected to wet film formation to form a layer corresponding to the lower layer of the hole injection layer (usually an anode) The hole injection layer is formed by applying and drying.

成膜工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、0℃以上が好ましく、50℃以下が好ましい。
成膜工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.01ppm以上、通常80%以下である。
塗布後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。乾燥させる方法としては、通常、加熱工程が行なわれる。加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブン及びホットプレートが好ましい。
The temperature in the film forming step is preferably 0 ° C. or higher, and preferably 50 ° C. or lower in order to prevent film loss due to the formation of crystals in the composition.
Although the relative humidity in a film-forming process is not limited unless the effect of this invention is impaired remarkably, it is 0.01 ppm or more normally and 80% or less normally.
After coating, the film of the composition for forming a hole injection layer is usually dried by heating or the like. As a drying method, a heating step is usually performed. Examples of the heating means used in the heating step include a clean oven, a hot plate, infrared rays, a halogen heater, microwave irradiation and the like. Among them, a clean oven and a hot plate are preferable in order to uniformly apply heat to the entire film.

加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤が2種類以上含まれている混合溶剤の場合、少なくとも1種類がその溶剤の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは120℃以上、好ましくは410℃以下で加熱することが好ましい。   The heating temperature in the heating step is preferably heated at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent used in the composition for forming a hole injection layer as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. In the case of a mixed solvent containing two or more solvents used in the composition for forming a hole injection layer, it is preferable that at least one solvent is heated at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent. In consideration of an increase in the boiling point of the solvent, the heating step is preferably performed at 120 ° C. or higher, preferably 410 ° C. or lower.

加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶剤の沸点以上が好ましい。また、加熱時間は、塗布膜の十分な架橋が起こらなければ限定されないが、好ましくは10秒以上、通常180分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は2回にわけて行ってもよい。
正孔注入層の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。
In the heating step, the heating temperature is preferably equal to or higher than the boiling point of the solvent of the composition for forming a hole injection layer. The heating time is not limited as long as the coating film does not sufficiently crosslink, but is preferably 10 seconds or longer and usually 180 minutes or shorter. If the heating time is too long, the components of the other layers tend to diffuse, and if it is too short, the hole injection layer tends to be inhomogeneous. Heating may be performed in two steps.
The thickness of the hole injection layer is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.

[4]正孔輸送層
正孔輸送層は、正孔注入層の上に形成することができる。また、本発明の有機電界発光素子は、正孔輸送層を省いた構成であってもよい。
正孔輸送層を形成する材料としては、正孔輸送能が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層に接するため、発光層からの発光を消光したり、発光層との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。
[4] Hole transport layer
The hole transport layer can be formed on the hole injection layer. The organic electroluminescent device of the present invention may have a configuration in which the hole transport layer is omitted.
The material for forming the hole transport layer is preferably a material having a high hole transport capability and capable of efficiently transporting the injected holes. Therefore, it is preferable that the ionization potential is small, the transparency to visible light is high, the hole mobility is large, the stability is high, and impurities that become traps are not easily generated during manufacturing or use. In many cases, since it is in contact with the light emitting layer, it is preferable not to quench the light emitted from the light emitting layer or to reduce the efficiency by forming an exciplex with the light emitting layer.

正孔輸送性化合物としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料を用いることができる。従来用いられている材料としては、例えば、前述の正孔注入層に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、4,4'−ビス[N
−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルで代表わされる2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン(特開平5−234681号公報)、4,4’,4’’−トリス(1−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物(J.Lumin.,72−74巻、985頁、1997年)、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物(Chem.Commun.,2175頁、1996年)、2,2',7,7'−テトラキス−(ジフェニルアミノ)−9,9'−スピロビフルオレン等のスピロ化合物
(Synth.Metals,91巻、209頁、1997年)、4,4'−N,N'−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体などが挙げられる。また、例えばポリ
ビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン(特開平7−53953号公報)、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン(Polym.Adv.Tech.,7巻、33頁、1996年)等が挙げられる。
As the hole transporting compound, a material conventionally used as a constituent material of the hole transporting layer can be used. Examples of conventionally used materials include those exemplified as the hole transporting compound used in the above-described hole injection layer. In addition, 4,4′-bis [N
An aromatic diamine containing two or more tertiary amines typified by-(1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl and having two or more condensed aromatic rings substituted with nitrogen atoms (Japanese Patent Laid-Open No. 5-234683) No. gazette), aromatic amine compounds having a starburst structure such as 4,4 ′, 4 ″ -tris (1-naphthylphenylamino) triphenylamine (J. Lumin., 72-74, 985, 1997). Year), an aromatic amine compound comprising a tetramer of triphenylamine (Chem. Commun., 2175, 1996), 2,2 ′, 7,7′-tetrakis- (diphenylamino) -9,9 ′. -Spiro compounds such as spirobifluorene (Synth. Metals, Vol. 91, p. 209, 1997), calories such as 4,4'-N, N'-dicarbazole biphenyl Such as tetrazole derivatives. Further, for example, polyvinyl carbazole, polyvinyl triphenylamine (Japanese Patent Laid-Open No. 7-53953), polyarylene ether sulfone (Polym. Adv. Tech., 7, 33, 1996) containing tetraphenylbenzidine, etc. Can be mentioned.

湿式成膜で正孔輸送層を形成する場合は、上記正孔注入層の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、塗布後、加熱乾燥させる。
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、塗布条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層の形成の場合と同様である。
When the hole transport layer is formed by wet film formation, a composition for forming a hole transport layer is prepared in the same manner as in the formation of the hole injection layer, and then heated and dried after coating.
The composition for forming a hole transport layer contains a solvent in addition to the above hole transport compound. The solvent used is the same as that used for the composition for forming a hole injection layer. Also, the coating conditions, heating and drying conditions, and the like are the same as in the case of forming the hole injection layer.

正孔輸送層はまた、架橋基を有する化合物を架橋して形成される層であることが、発光層を湿式塗布法で積層できる点で好ましい。架橋基を有する化合物は、架橋反応することにより網目状高分子化合物を形成する。
この架橋性基の例を挙げると、オキセタン基、エポキシ基などの環状エーテル基;ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル基、シンナモイル基等の不飽和二重結合を含む基;ベンゾシクロブテン環由来の基などが挙げられる。
The hole transport layer is also preferably a layer formed by crosslinking a compound having a crosslinking group in that the light emitting layer can be laminated by a wet coating method. The compound having a crosslinking group forms a network polymer compound by crosslinking reaction.
Examples of such crosslinkable groups include cyclic ether groups such as oxetane groups and epoxy groups; groups containing unsaturated double bonds such as vinyl groups, trifluorovinyl groups, styryl groups, acrylic groups, methacryloyl groups, and cinnamoyl groups. A group derived from a benzocyclobutene ring;

架橋基を有する化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。架橋基を有する化合物は1種のみを有していてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。
正孔輸送層に用いられる化合物は、部分構造として正孔輸送部位を有することが好ましい。正孔輸送部位としては、例えばトリアリールアミン構造、フルオレン環、アントラセン環、ピレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、フェノキサジン環、フェナントロリン環などの3環以上の芳香族環構造、チオフェン環、シロール環などの芳香族複素環構造、及び金属錯体構造が挙げられる。
正孔輸送層の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。
The compound having a crosslinking group may be any of a monomer, an oligomer, and a polymer. The compound which has a crosslinking group may have only 1 type, and may have 2 or more types by arbitrary combinations and ratios.
The compound used for the hole transport layer preferably has a hole transport site as a partial structure. Examples of the hole transport site include a triarylamine structure, a fluorene ring, an anthracene ring, a pyrene ring, a carbazole ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, a phenoxazine ring, and a phenanthroline ring, and a thiophene ring structure. Examples thereof include aromatic heterocyclic structures such as rings and silole rings, and metal complex structures.
The thickness of the hole transport layer is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.

(発光層)
発光層は、一対の電極間に電界が与えられた時に、陽極から注入される正孔と陰極から注入される電子が再結合することにより励起され、発光する機能を担う層である。発光層は、陽極と陰極の間に形成される層であり、発光層は、陽極の上に正孔注入層がある場合は、正孔注入層と陰極の間に形成され、陽極の上に正孔輸送層がある場合は、正孔輸送層と陰極の間に形成される。
(Light emitting layer)
The light-emitting layer is a layer that has a function of emitting light when excited by recombination of holes injected from the anode and electrons injected from the cathode when an electric field is applied between the pair of electrodes. The light emitting layer is a layer formed between the anode and the cathode. When the hole injection layer is on the anode, the light emitting layer is formed between the hole injection layer and the cathode and on the anode. When there is a hole transport layer, it is formed between the hole transport layer and the cathode.

発光層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜に欠陥が生じ難い点では厚い方が好ましく、また、一方、薄い方が低駆動電圧としやすい点で好ましい。このため、3nm以上であるのが好ましく、5nm以上であるのが更に好ましく、また、一方、通常200nm以下であるのが好ましく、100nm以下であるのが更に好ましい。
発光層は、少なくとも、発光の性質を有する材料(発光材料)を含有するとともに、好ましくは、電荷輸送性を有する材料(電荷輸送性材料)とを含有する。
The thickness of the light emitting layer is arbitrary as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. However, a thicker layer is preferable from the viewpoint that defects are unlikely to occur in the film, and a thinner layer is preferable from the viewpoint that a low driving voltage is easily obtained. For this reason, it is preferably 3 nm or more, more preferably 5 nm or more, and on the other hand, it is usually preferably 200 nm or less, and more preferably 100 nm or less.
The light emitting layer contains at least a material having a light emitting property (light emitting material) and preferably contains a material having a charge transporting property (charge transporting material).

(発光材料)
発光材料は、所望の発光波長で発光し、本発明の効果を損なわない限り特に制限はなく、公知の発光材料を適用可能である。発光材料は、蛍光発光材料でも、燐光発光材料でもよいが、発光効率が良好である材料が好ましく、内部量子効率の観点から燐光発光材料が好ましい。
(Luminescent material)
The light emitting material emits light at a desired light emission wavelength, and is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired, and a known light emitting material can be applied. The light emitting material may be a fluorescent light emitting material or a phosphorescent light emitting material, but a material having good light emission efficiency is preferred, and a phosphorescent light emitting material is preferred from the viewpoint of internal quantum efficiency.

蛍光発光材料としては、例えば、以下の材料が挙げられる。
青色発光を与える蛍光発光材料(青色蛍光発光材料)としては、例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、クリセン、p−ビス(2−フェニルエテニル)ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。
緑色発光を与える蛍光発光材料(緑色蛍光発光材料)としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Al(CNO)などのアルミニウム錯体等が挙げられる。
Examples of the fluorescent light emitting material include the following materials.
Examples of the fluorescent light-emitting material that gives blue light emission (blue fluorescent light-emitting material) include naphthalene, perylene, pyrene, anthracene, coumarin, chrysene, p-bis (2-phenylethenyl) benzene, and derivatives thereof.
Examples of the fluorescent light emitting material that gives green light emission (green fluorescent light emitting material) include quinacridone derivatives, coumarin derivatives, aluminum complexes such as Al (C 9 H 6 NO) 3, and the like.

黄色発光を与える蛍光発光材料(黄色蛍光発光材料)としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。
赤色発光を与える蛍光発光材料(赤色蛍光発光材料)としては、例えば、DCM(4−(dicyanomethylene)−2−methyl−6−(p−dimethylaminostyryl)−4H−pyran)系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
Examples of the fluorescent light-emitting material that gives yellow light (yellow fluorescent light-emitting material) include rubrene and perimidone derivatives.
Examples of fluorescent light-emitting materials (red fluorescent light-emitting materials) that emit red light include, for example, DCM (4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran) -based compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives. Benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene and the like.

また、燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表(以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。)の第7〜11族から選ばれる金属を含む有機金属錯体等が挙げられる。周期表の第7〜11族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。   Examples of the phosphorescent light-emitting material include seventh to eleventh long-period periodic tables (hereinafter referred to as long-period periodic tables when referred to as “periodic tables” unless otherwise specified). And organometallic complexes containing a metal selected from the group. Preferred examples of the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold.

有機金属錯体の配位子としては、(ヘテロ)アリールピリジン配位子、(ヘテロ)アリールピラゾール配位子などの(ヘテロ)アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。ここで、(ヘテロ)アリールとは、アリール基又はヘテロアリール基を表す。   As the ligand of the organometallic complex, a ligand in which a (hetero) aryl group such as a (hetero) arylpyridine ligand or (hetero) arylpyrazole ligand and a pyridine, pyrazole, phenanthroline, or the like is connected is preferable. In particular, a phenylpyridine ligand and a phenylpyrazole ligand are preferable. Here, (hetero) aryl represents an aryl group or a heteroaryl group.

好ましい燐光発光材料として、具体的には、例えば、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム、トリス(2−フェニルピリジン)ルテニウム、トリス(2−フェニルピリジン)パラジウム、ビス(2−フェニルピリジン)白金、トリス(2−フェニルピリジン)オスミウム、トリス(2−フェニルピリジン)レニウム等のフェニルピリジン錯体及びオクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等のポルフィリン錯体等が挙げられる。   Specific examples of preferred phosphorescent materials include tris (2-phenylpyridine) iridium, tris (2-phenylpyridine) ruthenium, tris (2-phenylpyridine) palladium, bis (2-phenylpyridine) platinum, and tris. Examples thereof include phenylpyridine complexes such as (2-phenylpyridine) osmium and tris (2-phenylpyridine) rhenium, and porphyrin complexes such as octaethylplatinum porphyrin, octaphenylplatinum porphyrin, octaethyl palladium porphyrin, and octaphenyl palladium porphyrin.

高分子系の発光材料としては、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)-co-(4,4’−(N
−(4−sec−ブチルフェニル))ジフェニルアミン)]、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)-co-(1,4−ベンゾ−2{2,1’−3}−トリアゾール)]などのポリフルオレン系材料、ポリ[2−メトキシ−5−(2−ヘチルヘキシル
オキシ)−1,4−フェニレンビニレン]などのポリフェニレンビニレン系材料が挙げられる。
Polymeric light-emitting materials include poly (9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl), poly [(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- (4,4′- (N
-(4-sec-butylphenyl)) diphenylamine)], poly [(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- (1,4-benzo-2 {2,1'-3}- And polyfluorene-based materials such as poly [2-methoxy-5- (2-hexylhexyloxy) -1,4-phenylenevinylene].

(電荷輸送性材料)
電荷輸送性材料は、正電荷(正孔)又は負電荷(電子)輸送性を有する材料であり、本発明の効果を損なわない限り、特に制限はなく、公知の発光材料を適用可能である。
電荷輸送性材料は、従来、有機電界発光素子の発光層に用いられている化合物等を用いることができ、特に、発光層のホスト材料として使用されている化合物が好ましい。
(Charge transport material)
The charge transport material is a material having a positive charge (hole) or negative charge (electron) transport property, and is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired, and a known light emitting material can be applied.
As the charge transporting material, a compound or the like conventionally used in a light emitting layer of an organic electroluminescence device can be used, and a compound used as a host material of the light emitting layer is particularly preferable.

電荷輸送性材料としては、具体的には、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合
物、ポルフィリン系化合物、オリゴチオフェン系化合物、ポリチオフェン系化合物、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン基で3級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン系化合物、シラザン系化合物、シラナミン系化合物、ホスファミン系化合物、キナクリドン系化合物等の正孔注入層の正孔輸送性化合物として例示した化合物等が挙げられる他、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、カルバゾール系化合物、ピリジン系化合物、フェナントロリン系化合物、オキサジアゾール系化合物、シロール系化合物等の電子輸送性化合物等が挙げられる。
Specific examples of charge transporting materials include aromatic amine compounds, phthalocyanine compounds, porphyrin compounds, oligothiophene compounds, polythiophene compounds, benzylphenyl compounds, and compounds in which tertiary amines are linked by a fluorene group. , Hydrazone compounds, silazane compounds, silanamin compounds, phosphamine compounds, quinacridone compounds, and the like as examples of hole transporting compounds in the hole injection layer, anthracene compounds, pyrene compounds, Examples thereof include electron transporting compounds such as carbazole compounds, pyridine compounds, phenanthroline compounds, oxadiazole compounds and silole compounds.

また、例えば、4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェ
ニルで代表わされる2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン(特開平5−234681号公報)、4,4',4''−トリス(1
−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン系化合物(J.Lumin.,72−74巻、985頁、1997年)、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン系化合物(Chem.Commun.,2175頁、1996年)、2,2',7,7'−テトラキス−(ジフェニルアミノ)−9,9'
−スピロビフルオレン等のフルオレン系化合物(Synth.Metals,91巻、209頁、1997年)、4,4'−N,N'−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール系化合物等の正孔輸送層の正孔輸送性化合物として例示した化合物等も好ましく用いることができる。また、この他、2−(4−ビフェニリル)−5−(p−ターシャルブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(tBu−PBD)、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール(BND)などのオキサジアゾール系化合物、2,5−ビス(6’−(2’,2”−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシロール(PyPySPyPy)等のシロール系化合物、バソフェナントロリン(BPhen)、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(BCP、バソクプロイン)などのフェナントロリン系化合物等も挙げられる。
In addition, for example, two or more condensed aromatic rings including two or more tertiary amines represented by 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl are nitrogen atoms. Aromatic diamine (Japanese Patent Laid-Open No. 5-234681), 4,4 ′, 4 ″ -tris (1
-Aromatic amine compounds having a starburst structure such as naphthylphenylamino) triphenylamine (J. Lumin., 72-74, 985, 1997), an aromatic amine comprising a tetramer of triphenylamine Compounds (Chem. Commun., 2175, 1996), 2,2 ′, 7,7′-tetrakis- (diphenylamino) -9,9 ′
-Positive hole transport layers such as fluorene compounds such as spirobifluorene (Synth. Metals, 91, 209, 1997), carbazole compounds such as 4,4'-N, N'-dicarbazole biphenyl, etc. The compounds exemplified as the hole transporting compound can also be preferably used. In addition, 2- (4-biphenylyl) -5- (p-tertiarybutylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (tBu-PBD), 2,5-bis (1-naphthyl)- Oxadiazole compounds such as 1,3,4-oxadiazole (BND), 2,5-bis (6 ′-(2 ′, 2 ″ -bipyridyl))-1,1-dimethyl-3,4- Examples include silole compounds such as diphenylsilole (PyPySPyPy) and phenanthroline compounds such as bathophenanthroline (BPhen) and 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP, bathocuproin).

<湿式成膜法による発光層の形成>
発光層の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよいが、成膜性に優れることから、湿式成膜法が好ましく、スピンコート法及びインクジェット法が更に好ましい。湿式成膜法により発光層を形成する場合は、通常、上述の正孔注入層を湿式成膜法で形成する場合と同様にして、正孔注入層形成用組成物の代わりに、発光層となる材料を可溶な溶剤(発光層用溶剤)と混合して調製した発光層形成用組成物を用いて形成させる。
<Formation of light emitting layer by wet film formation method>
The method for forming the light emitting layer may be a vacuum deposition method or a wet film formation method, but a wet film formation method is preferable and a spin coating method and an ink jet method are more preferable because of excellent film forming properties. When the light emitting layer is formed by a wet film forming method, the light emitting layer is usually used instead of the hole injection layer forming composition in the same manner as in the case of forming the hole injection layer by the wet film forming method. The resulting material is formed using a composition for forming a light emitting layer prepared by mixing a soluble solvent (solvent for the light emitting layer).

溶剤としては、例えば、正孔注入層の形成について挙げたエーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤の他、アルカン系溶剤、ハロゲン化芳香族炭化水系溶剤、脂肪族アルコール系溶剤、脂環族アルコール系溶剤、脂肪族ケトン系溶剤及び脂環族ケトン系溶剤などが挙げられる。以下に溶媒の具体例を挙げるが、本発明の効果を損なわない限り、これらに限定されるものではない。   Examples of the solvent include, for example, ether solvents, ester solvents, aromatic hydrocarbon solvents, amide solvents, alkane solvents, halogenated aromatic hydrocarbon solvents, aliphatic solvents, and the like mentioned for the formation of the hole injection layer. Examples thereof include alcohol solvents, alicyclic alcohol solvents, aliphatic ketone solvents, and alicyclic ketone solvents. Although the specific example of a solvent is given to the following, as long as the effect of this invention is not impaired, it is not limited to these.

例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル系溶剤;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル系溶剤;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル系溶剤;トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン、3−イロプロピルビフェニル、1,2,3,4−テトラメチルベンゼン、1,4−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤;n
−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン系溶剤;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素系溶剤;ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール系溶剤;シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール系溶剤;メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン系溶剤;シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン系溶剤等が挙げられる。これらのうち、アルカン系溶剤及び芳香族炭化水素系溶剤が特に好ましい。
For example, aliphatic ether solvents such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2 -Aromatic ether solvents such as methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole, diphenyl ether; phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, benzoic acid Aromatic ester solvents such as ethyl, ethyl benzoate, propyl benzoate, n-butyl benzoate; toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene, tetralin, 3-ilopropylbiphenyl, 1 Aromatic hydrocarbon solvents such as 2,3,4-tetramethylbenzene, 1,4-diisopropylbenzene, cyclohexylbenzene and methylnaphthalene; amide solvents such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide; n
-Alkane solvents such as decane, cyclohexane, ethylcyclohexane, decalin, and bicyclohexane; halogenated aromatic hydrocarbon solvents such as chlorobenzene, dichlorobenzene, and trichlorobenzene; aliphatic alcohol solvents such as butanol and hexanol; cyclohexanol, Examples thereof include alicyclic alcohol solvents such as cyclooctanol; aliphatic ketone solvents such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; and alicyclic ketone solvents such as cyclohexanone, cyclooctanone, and fenkon. Of these, alkane solvents and aromatic hydrocarbon solvents are particularly preferred.

発光層と後述の電子注入層との間に、正孔阻止層を設けてもよい。正孔阻止層は、発光層の上に、発光層の陰極側の界面に接するように積層される層である。
この正孔阻止層は、陽極から移動してくる正孔を陰極に到達するのを阻止する役割と、陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送する役割とを有する。正孔阻止層6を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。
A hole blocking layer may be provided between the light emitting layer and an electron injection layer described later. The hole blocking layer is a layer stacked on the light emitting layer so as to be in contact with the cathode side interface of the light emitting layer.
The hole blocking layer has a role of blocking holes moving from the anode from reaching the cathode and a role of efficiently transporting electrons injected from the cathode toward the light emitting layer. The physical properties required for the material constituting the hole blocking layer 6 include high electron mobility, low hole mobility, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and excited triplet level (T1). Is high.

このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2−メチル−8−キノラト)アルミニウム−μ−オキソ−ビス−(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11−242996号公報)、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10−79297号公報)などが挙げられる。更に、国際公開第2005/022962号パンフレットに記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も、正孔阻止層の材料として好ましい。   Examples of the material for the hole blocking layer satisfying such conditions include bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (triphenylsilanolato) aluminum, and the like. Mixed metal complexes such as bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolinato) aluminum binuclear metal complexes, distyrylbiphenyl derivatives, etc. Triazole derivatives such as styryl compounds (JP-A-11-242996), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (JP-A-7 -41759), phenanthroline derivatives such as bathocuproine (JP-A-10-79297), and the like. That. Furthermore, a compound having at least one pyridine ring substituted at the 2,4,6-positions described in International Publication No. 2005/022962 is also preferable as a material for the hole blocking layer.

正孔阻止層6の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。
正孔阻止層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上であり、また、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。
There is no restriction | limiting in the formation method of the hole-blocking layer 6. FIG. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.
The thickness of the hole blocking layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and is usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less. .

電子輸送層は素子の電流効率をさらに向上させることを目的として、発光層と電子注入層との間に設けられる。
電子輸送層は、電界を与えられた電極間において陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物より形成される。電子輸送層に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極又は電子注入層からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。
The electron transport layer is provided between the light emitting layer and the electron injection layer for the purpose of further improving the current efficiency of the device.
The electron transport layer is formed of a compound capable of efficiently transporting electrons injected from the cathode between the electrodes to which an electric field is applied in the direction of the light emitting layer. The electron transporting compound used in the electron transporting layer is a compound that has high electron injection efficiency from the cathode or the electron injection layer and has high electron mobility and can efficiently transport injected electrons. It is necessary.

電子輸送層に用いる電子輸送性化合物は、通常、陰極又は電子注入層からの電子注入効率が高く、注入された電子を効率よく輸送できる化合物が好ましい。電子輸送性化合物としては、具体的には、例えば、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−ヒドロキシフラボン金属錯体、5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5645948号明細書)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナ
ントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N’−ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。
電子輸送層の膜厚は、通常1nm以上、好ましくは5nm以上であり、また、一方、通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。
電子輸送層は、前記と同様にして湿式成膜法、或いは真空蒸着法により正孔阻止層上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。
The electron transporting compound used for the electron transporting layer is usually preferably a compound that has high electron injection efficiency from the cathode or the electron injection layer and can efficiently transport the injected electrons. Specific examples of the electron transporting compound include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, oxadi Azole derivatives, distyrylbiphenyl derivatives, silole derivatives, 3-hydroxyflavone metal complexes, 5-hydroxyflavone metal complexes, benzoxazole metal complexes, benzothiazole metal complexes, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline Compound (JP-A-6-207169), phenanthroline derivative (JP-A-5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N'-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogenated amorphous Silicon carbide, n-type zinc sulfide, n-type cere Zinc oxide and the like.
The film thickness of the electron transport layer is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and is usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.
The electron transport layer is formed by laminating on the hole blocking layer by a wet film formation method or a vacuum deposition method in the same manner as described above. Usually, a vacuum deposition method is used.

(電子注入層)
電子注入層は、陰極から注入された電子を効率よく、電子輸送層又は発光層へ注入する役割を果たす。
電子注入を効率よく行うには、電子注入層を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。その膜厚は通常0.1nm以上、5nm以下が好ましい。
更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10−270171号公報、特開2002−100478号公報、特開2002−100482号公報などに記載)ことも、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。
(Electron injection layer)
The electron injection layer plays a role of efficiently injecting electrons injected from the cathode into the electron transport layer or the light emitting layer.
In order to perform electron injection efficiently, the material for forming the electron injection layer is preferably a metal having a low work function. Examples include alkali metals such as sodium and cesium, and alkaline earth metals such as barium and calcium. The film thickness is usually preferably from 0.1 nm to 5 nm.
Furthermore, an organic electron transport material represented by a metal complex such as a nitrogen-containing heterocyclic compound such as bathophenanthroline or an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline is doped with an alkali metal such as sodium, potassium, cesium, lithium, or rubidium ( (As described in JP-A-10-270171, JP-A-2002-1000047, JP-A-2002-1000048, etc.) also improves electron injection / transport and makes it possible to achieve both excellent film quality. preferable.

膜厚は通常、5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常200nm以下、好ましくは100nm以下の範囲である。
電子注入層は、湿式成膜法或いは真空蒸着法により、発光層又はその上の正孔阻止層上に積層することにより形成される。
湿式成膜法の場合の詳細は、前述の発光層の場合と同様である。
The film thickness is usually in the range of 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.
The electron injection layer is formed by laminating on the light emitting layer or the hole blocking layer thereon by a wet film formation method or a vacuum deposition method.
The details in the case of the wet film forming method are the same as those in the case of the light emitting layer described above.

(陰極)
陰極は、発光層側の層(電子注入層又は発光層など)に電子を注入する役割を果たす。
陰極の材料としては、前記の陽極に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なう上では、仕事関数の低い金属を用いることが好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の金属又はそれらの合金などが用いられる。具体例としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数の合金電極などが挙げられる。
(cathode)
The cathode plays a role of injecting electrons into a layer on the light emitting layer side (such as an electron injection layer or a light emitting layer).
As the material of the cathode, it is possible to use the material used for the above-mentioned anode, but it is preferable to use a metal having a low work function for efficient electron injection, for example, tin, magnesium, indium Further, metals such as calcium, aluminum, and silver, or alloys thereof are used. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.

素子の安定性の点では、陰極の上に、仕事関数が高く、大気に対して安定な金属層を積層して、低仕事関数の金属からなる陰極を保護するのが好ましい。積層する金属としては、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が挙げられる。
陰極の膜厚は通常、陽極と同様である。
From the viewpoint of device stability, it is preferable to protect a cathode made of a metal having a low work function by laminating a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere on the cathode. Examples of the metal to be laminated include metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, and platinum.
The thickness of the cathode is usually the same as that of the anode.

(その他の層)
本発明の有機電界発光素子は、本発明の効果を著しく損なわなければ、更に他の層を有していてもよい。すなわち、陽極と陰極との間に、上述の他の任意の層を有していてもよい。
<その他の素子構成>
なお、上述の説明とは逆の構造、即ち、基板上に陰極、電子注入層、発光層、正孔注入層、陽極の順に積層することも可能である。
(Other layers)
The organic electroluminescent element of the present invention may further have other layers as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. That is, any other layer described above may be provided between the anode and the cathode.
<Other element configuration>
In addition, it is also possible to laminate | stack a cathode, an electron injection layer, a light emitting layer, a positive hole injection layer, and an anode in order on a board | substrate contrary to the above-mentioned description.

<その他>
本発明の有機電界発光素子を有機電界発光装置に適用する場合は、単一の有機電界発光素子として用いても、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成にして用いても、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構成にして用いてもよい。
<Others>
When the organic electroluminescent element of the present invention is applied to an organic electroluminescent device, it may be used as a single organic electroluminescent element, or may be used in a configuration in which a plurality of organic electroluminescent elements are arranged in an array, The anode and the cathode may be used in a configuration in which they are arranged in an XY matrix.

<有機EL表示装置>
本発明の有機EL表示装置は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機EL表示装置の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
例えば、「有機ELディスプレイ」(オーム社、平成16年8月20日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著)に記載されているような方法で、本発明の有機EL表示装置を形成することができる。
<Organic EL display device>
The organic EL display device of the present invention uses the above-described organic electroluminescent element of the present invention. There is no restriction | limiting in particular about the model and structure of the organic electroluminescent display apparatus of this invention, It can assemble in accordance with a conventional method using the organic electroluminescent element of this invention.
For example, the organic EL display device of the present invention can be obtained by the method described in “Organic EL display” (Ohm, published on Aug. 20, 2004, Shizushi Tokito, Chiba Adachi, Hideyuki Murata). Can be formed.

<有機EL照明>
本発明の有機EL照明は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機EL照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
<Organic EL lighting>
The organic EL illumination of the present invention uses the above-described organic electroluminescent element of the present invention. There is no restriction | limiting in particular about the model and structure of the organic EL illumination of this invention, It can assemble in accordance with a conventional method using the organic electroluminescent element of this invention.

次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
[合成例]
(H1)の合成
EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited to description of a following example, unless the summary is exceeded.
[Synthesis example]
Synthesis of (H1)

Figure 2014033134
Figure 2014033134

4,4’−ジブロモビフェニル(4.23g、13.6mol)、2−アミノ−9,9−
ジヘキシルフルオレン(9.00g、25.7mmol)、4−(3−アミノフェニル)ベンゾシクロブテン(0.265g、1.36mmol)、tert−ブトキシナトリウム(10.1g、104.5mmol)、及びトルエン(48ml)を仕込み、系内を十分に窒素置換して、65℃まで加温した(溶液A1)。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.285g、0.275mmol)のトルエン35ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.285g、2.16mmol)を加え、65℃まで加温した(溶液B1)。窒素気流中、溶液A1に溶液B1を添加し、2時間、
加熱還流反応した。その後、4,4’−ジブロモビフェニル(3.51g、11.3mmol)を追添加した。2.0時間加熱還流し、2,2−ビス〔4−(4−ブロモフェニル)フェニル〕−4−メチルペンタン(0.669g)を追添加した。1時間還流後、4,4’−ジブロモビフェニル(0.053g)を添加した。1時間還流した後、反応液を放冷して、反応液をエタノール1000ml中に滴下し、粗重合体を晶出させた。
4,4′-Dibromobiphenyl (4.23 g, 13.6 mol), 2-amino-9,9-
Dihexylfluorene (9.00 g, 25.7 mmol), 4- (3-aminophenyl) benzocyclobutene (0.265 g, 1.36 mmol), tert-butoxy sodium (10.1 g, 104.5 mmol), and toluene ( 48 ml) was charged, the inside of the system was sufficiently purged with nitrogen, and the mixture was heated to 65 ° C. (solution A1). Tri-t-butylphosphine (0.285 g, 2.16 mmol) was added to a 35 ml toluene solution of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium chloroform complex (0.285 g, 0.275 mmol) and heated to 65 ° C. ( Solution B1). In a nitrogen stream, solution B1 is added to solution A1 and 2 hours.
The reaction was heated to reflux. Thereafter, 4,4′-dibromobiphenyl (3.51 g, 11.3 mmol) was additionally added. The mixture was heated under reflux for 2.0 hours, and 2,2-bis [4- (4-bromophenyl) phenyl] -4-methylpentane (0.669 g) was further added. After refluxing for 1 hour, 4,4′-dibromobiphenyl (0.053 g) was added. After refluxing for 1 hour, the reaction solution was allowed to cool, and the reaction solution was dropped into 1000 ml of ethanol to crystallize the crude polymer.

得られた粗重合体をトルエン250mlに溶解させ、N,N−ジフェニルアミン(0.92g)、tert−ブトキシナトリウム(10.1g)を仕込み、系内を十分に窒素置換して、65℃まで加温した(溶液C1)。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.142g)のトルエン18ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.219g)を加え、65℃まで加温した(溶液D1)。窒素気流中、溶液C1に溶液D1を添加し、4時間、加熱還流反応した。この反応液に、ブロモベンゼン(4.25g)、再調液した溶液D1を添加し、さらに、2時間、加熱還流反応した。反応液を放冷し、エタノール1000mlに滴下し、エンドキャップした粗重合体を得た。   The obtained crude polymer was dissolved in 250 ml of toluene and charged with N, N-diphenylamine (0.92 g) and tert-butoxy sodium (10.1 g). The system was sufficiently purged with nitrogen and heated to 65 ° C. (Solution C1). Tri-t-butylphosphine (0.219 g) was added to a 18 ml toluene solution of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium chloroform complex (0.142 g) and heated to 65 ° C. (solution D1). In a nitrogen stream, the solution D1 was added to the solution C1, and heated to reflux for 4 hours. Bromobenzene (4.25 g) and re-prepared solution D1 were added to this reaction solution, and the mixture was further heated under reflux for 2 hours. The reaction solution was allowed to cool and added dropwise to 1000 ml of ethanol to obtain an end-capped crude polymer.

このエンドキャップした粗重合体をトルエンに溶解し、アセトンに再沈殿し、析出したポリマーを濾別した。濾別した粗ポリマーをトルエンに溶解し、希塩酸にて洗浄し、アンモニア含有エタノールにて再沈殿した。濾取したポリマーをカラムクロマトグラフィーにより精製し、重合体(H1)を得た(5.2g)。
重量平均分子量(Mw)=84800
分散度(Mw/Mn)=1.38
(H2)の合成
This end-capped crude polymer was dissolved in toluene, reprecipitated in acetone, and the precipitated polymer was separated by filtration. The filtered crude polymer was dissolved in toluene, washed with dilute hydrochloric acid, and reprecipitated with ammonia-containing ethanol. The polymer collected by filtration was purified by column chromatography to obtain a polymer (H1) (5.2 g).
Weight average molecular weight (Mw) = 84800
Dispersity (Mw / Mn) = 1.38
Synthesis of (H2)

Figure 2014033134
Figure 2014033134

sec−ブチルアニリン(5.30g、35.5mmol)、4−(3−アミノフェニル)ベンゾシクロブテン(2.70g、13.8mmol)、1,4−ジブロモベンゼン(5.82g、24.7mmol)、tert−ブトキシナトリウム(15.17g、157.9mmol)、及びトルエン(45ml)を仕込み、系内を十分に窒素置換して、60℃まで加温した(溶液A2)。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.51g、0.49mmol)のトルエン25ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.8g、3.95mmol)を加え、60℃まで加温した(溶液B2)。窒素気流中、溶液A2に溶液B2を添加し、2.0時間、加熱還流反応した。4,4’−ジブロモビフェニル(6.945g、22.2596mmol)を添加した。1.
0時間加熱還流後、2,2−ビス〔4−(4−ブロモフェニル)フェニル〕−4−メチルペンタン(0.642g、1.17mmol)を添加した。1.0時間加熱還流後、4,4’−ジブロモビフェニル(0.24g、0.769mmol)を追添加した。30分後反応液を放冷して、反応液をエタノール1500ml中に滴下し、粗重合体を晶出させた。
sec-Butylaniline (5.30 g, 35.5 mmol), 4- (3-aminophenyl) benzocyclobutene (2.70 g, 13.8 mmol), 1,4-dibromobenzene (5.82 g, 24.7 mmol) , Tert-butoxy sodium (15.17 g, 157.9 mmol) and toluene (45 ml) were charged, and the system was sufficiently purged with nitrogen and heated to 60 ° C. (solution A2). Tri-t-butylphosphine (0.8 g, 3.95 mmol) was added to a 25 ml toluene solution of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium chloroform complex (0.51 g, 0.49 mmol) and heated to 60 ° C. ( Solution B2). In a nitrogen stream, the solution B2 was added to the solution A2, and the mixture was heated to reflux for 2.0 hours. 4,4′-Dibromobiphenyl (6.945 g, 22.22596 mmol) was added. 1.
After 2-hour heating at reflux, 2,2-bis [4- (4-bromophenyl) phenyl] -4-methylpentane (0.642 g, 1.17 mmol) was added. After heating under reflux for 1.0 hour, 4,4′-dibromobiphenyl (0.24 g, 0.769 mmol) was further added. After 30 minutes, the reaction solution was allowed to cool, and the reaction solution was dropped into 1500 ml of ethanol to crystallize the crude polymer.

得られた粗重合体をトルエン300mlに溶解させ、N,N−ジフェニルアミン(1.67g)、tert−ブトキシナトリウム(7.6g)を仕込み、系内を十分に窒素置換して、60℃まで加温した(溶液C2)。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.255g)のトルエン20ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.4g)を加え、60℃まで加温した(溶液D2)。窒素気流中、溶液C2に溶液D2を添加し、2時間、加熱還流反応した。この反応液に、ブロモベンゼン(3.87g)を添加した。4時間、加熱還流反応した。反応液を放冷し、エタノール/水(1500ml/100ml)溶液に滴下し、エンドキャップした粗重合体を得た。   The obtained crude polymer was dissolved in 300 ml of toluene, charged with N, N-diphenylamine (1.67 g) and sodium tert-butoxy (7.6 g), and the system was sufficiently purged with nitrogen and heated to 60 ° C. (Solution C2). Tri-t-butylphosphine (0.4 g) was added to a 20 ml toluene solution of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium chloroform complex (0.255 g), and the mixture was heated to 60 ° C. (solution D2). In a nitrogen stream, the solution D2 was added to the solution C2, and heated to reflux for 2 hours. Bromobenzene (3.87 g) was added to the reaction solution. The reaction was heated to reflux for 4 hours. The reaction solution was allowed to cool and added dropwise to an ethanol / water (1500 ml / 100 ml) solution to obtain an end-capped crude polymer.

このエンドキャップした粗重合体をトルエンに溶解し、アセトンに再沈殿し、析出したポリマーを濾別した。濾別した粗ポリマーをトルエンに溶解させ、希塩酸にて洗浄し、アンモニア含有エタノールにて再沈殿した。濾取したポリマーをカラムクロマトグラフィーにより精製し、重合体(H2)を得た(3.9g)。
重量平均分子量(Mw)=71200
分散度(Mw/Mn)=1.39
(H3)の合成
This end-capped crude polymer was dissolved in toluene, reprecipitated in acetone, and the precipitated polymer was separated by filtration. The crude polymer separated by filtration was dissolved in toluene, washed with dilute hydrochloric acid, and reprecipitated with ammonia-containing ethanol. The polymer collected by filtration was purified by column chromatography to obtain a polymer (H2) (3.9 g).
Weight average molecular weight (Mw) = 71200
Dispersity (Mw / Mn) = 1.39
Synthesis of (H3)

Figure 2014033134
Figure 2014033134

sec−ブチルアニリン(7.285g、48.8mmol)、4−(3−アミノフェニル)ベンゾシクロブテン(3.711g、19.0mmol)、1,4−ジブロモベンゼン(8.00g、33.9mmol)、tert−ブトキシナトリウム(20.86g、217.0mmol)、及びトルエン(64ml)を仕込み、系内を十分に窒素置換して、60℃まで加温した(溶液A3)。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.70g、0.678mmol)のトルエン32ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(1.10g、5.42mmol)を加え、60℃まで加温した(溶液B3)。窒素気流中、溶液A3に溶液B3を添加し、2.0時間、加熱還流反応した。4,4’−ジブロモビフェニル(9.52g、30.5mmol)を添加した。1.0
時間加熱還流後、2,2−ビス〔4−(4−ブロモフェニル)フェニル〕−4−メチルペンタン(0.558g、1.02mmol)及び1,1−ビス〔4−(4−ブロモフェニル)フェニル〕−1−〔1−メチル−1−〔4−(4−ブロモフェニル)フェニル〕エチル〕フェニルエタン(0.571g、0.678mmol)を添加した。1.0時間加熱還流後、4,4’−ジブロモビフェニル(0.106g、0.339mmol)を追添加した。30分後反応液を放冷して、反応液をエタノール1500ml中に滴下し、粗重合体を晶出させた。
sec-butylaniline (7.285 g, 48.8 mmol), 4- (3-aminophenyl) benzocyclobutene (3.711 g, 19.0 mmol), 1,4-dibromobenzene (8.00 g, 33.9 mmol) , Tert-butoxy sodium (20.86 g, 217.0 mmol), and toluene (64 ml) were charged, the inside of the system was sufficiently purged with nitrogen, and the mixture was heated to 60 ° C. (solution A3). Tri-t-butylphosphine (1.10 g, 5.42 mmol) was added to a toluene 32 ml solution of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium chloroform complex (0.70 g, 0.678 mmol) and heated to 60 ° C. ( Solution B3). In a nitrogen stream, the solution B3 was added to the solution A3, and heated and refluxed for 2.0 hours. 4,4′-Dibromobiphenyl (9.52 g, 30.5 mmol) was added. 1.0
After refluxing for 2 hours, 2,2-bis [4- (4-bromophenyl) phenyl] -4-methylpentane (0.558 g, 1.02 mmol) and 1,1-bis [4- (4-bromophenyl) Phenyl] -1- [1-methyl-1- [4- (4-bromophenyl) phenyl] ethyl] phenylethane (0.571 g, 0.678 mmol) was added. After heating under reflux for 1.0 hour, 4,4′-dibromobiphenyl (0.106 g, 0.339 mmol) was further added. After 30 minutes, the reaction solution was allowed to cool, and the reaction solution was dropped into 1500 ml of ethanol to crystallize the crude polymer.

得られた粗重合体をトルエン300mlに溶解させ、N,N−ジフェニルアミン(1.15g)、tert−ブトキシナトリウム(20.9g)を仕込み、系内を十分に窒素置換して、60℃まで加温した(溶液C4)。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.351g)のトルエン20ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.549g)を加え、60℃まで加温した(溶液D4)。窒素気流中、溶液C4に溶液D4を添加し、2時間、加熱還流反応した。この反応液に、ブロモベンゼン(5.32g)を添加した。4時間、加熱還流反応した。反応液を放冷し、エタノール/水(1500ml/100ml)溶液に滴下し、エンドキャップした粗重合体を得た。   The obtained crude polymer was dissolved in 300 ml of toluene, charged with N, N-diphenylamine (1.15 g) and tert-butoxy sodium (20.9 g), and the system was sufficiently purged with nitrogen, and heated to 60 ° C. (Solution C4). Tri-t-butylphosphine (0.549 g) was added to a 20 ml toluene solution of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium chloroform complex (0.351 g), and the mixture was heated to 60 ° C. (solution D4). In a nitrogen stream, the solution D4 was added to the solution C4, and heated to reflux for 2 hours. Bromobenzene (5.32 g) was added to the reaction solution. The reaction was heated to reflux for 4 hours. The reaction solution was allowed to cool and added dropwise to an ethanol / water (1500 ml / 100 ml) solution to obtain an end-capped crude polymer.

このエンドキャップした粗重合体をトルエンに溶解し、アセトンに再沈殿し、析出したポリマーを濾別した。濾別した粗ポリマーをトルエンに溶解させ、希塩酸にて洗浄し、アンモニア含有エタノールにて再沈殿した。濾取したポリマーをカラムクロマトグラフィーにより精製し、重合体(H3)を得た(5.9g)。
重量平均分子量(Mw)=74000
分散度(Mw/Mn)=2.17
(実施例1)
(陽極/正孔注入層/陰極)の層構成である素子を作製した。
This end-capped crude polymer was dissolved in toluene, reprecipitated in acetone, and the precipitated polymer was separated by filtration. The crude polymer separated by filtration was dissolved in toluene, washed with dilute hydrochloric acid, and reprecipitated with ammonia-containing ethanol. The polymer collected by filtration was purified by column chromatography to obtain a polymer (H3) (5.9 g).
Weight average molecular weight (Mw) = 74000
Dispersity (Mw / Mn) = 2.17
Example 1
An element having a layer structure of (anode / hole injection layer / cathode) was produced.

ガラス基板の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を70nm成膜したもの(スパッタ成膜品、シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術により2mm幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。   An anode is formed by patterning an indium tin oxide (ITO) transparent conductive film on a glass substrate with a thickness of 70 nm (sputtered film, sheet resistance 15 Ω) into a 2 mm-wide stripe by ordinary photolithography technology did. The patterned ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, then dried with nitrogen blow, and finally subjected to ultraviolet ozone cleaning.

まず、下の構造式(H1)に示す重合体(架橋基数0.000099(mol/g))、構造式(H2)に示す重合体(架橋基数0.0010(mol/g))、構造式(A1)に示す4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラートおよび安息香酸エチルを含有する正孔注入層形成用塗布液を調製した。この塗布液を下記条件で陽極上にスピンコートにより成膜して、膜厚200nmの正孔注入層を得た。   First, a polymer represented by the following structural formula (H1) (crosslinking group number 0.000099 (mol / g)), a polymer represented by structural formula (H2) (crosslinking group number 0.0010 (mol / g)), structural formula A coating solution for forming a hole injection layer containing 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate and ethyl benzoate shown in (A1) was prepared. This coating solution was formed by spin coating on the anode under the following conditions to obtain a hole injection layer having a thickness of 200 nm.

Figure 2014033134
Figure 2014033134

<正孔注入層形成用塗布液>
溶媒 安息香酸エチル
塗布液濃度 H1:4.875重量%
H2:1.625重量%
A1:1.950重量%
<正孔注入層の成膜条件>
スピンコート雰囲気 大気中
加熱条件 大気中 230℃ 1時間
その後、真空蒸着法により、陰極としてアルミニウムを膜厚80nmとなるように、陽極であるITOストライプと直交する形状の2mm幅のストライプ状に積層した。以上の様にして、2mm×2mmのサイズの通電部分を有する素子が得られた。この素子に1.4Vの電圧を印加したときの電流密度を表1に纏めた。
<Coating liquid for hole injection layer formation>
Solvent Ethyl benzoate Coating solution concentration H1: 4.875% by weight
H2: 1.625% by weight
A1: 1.950% by weight
<Film formation conditions for hole injection layer>
Spin coating atmosphere In air Heating condition In air 230 ° C. 1 hour After that, by vacuum deposition, aluminum as a cathode was laminated in a 2 mm width stripe shape orthogonal to the ITO stripe as the anode so as to have a film thickness of 80 nm. . As described above, an element having a current-carrying portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. Table 1 summarizes the current density when a voltage of 1.4 V was applied to the device.

(比較例1)
実施例1において、正孔注入層形成用塗布液の組成を下記のように変更した他は、実施例1と同様にして素子を作製した。この素子に1.4Vの電圧を印加したときの電流密度
を表1に纏めた。
<正孔注入層形成用塗布液>
溶媒 安息香酸エチル
塗布液濃度 H1:1.625重量%
H2:4.875重量%
A1:1.950重量%
(Comparative Example 1)
A device was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the composition of the coating solution for forming the hole injection layer in Example 1 was changed as follows. Table 1 summarizes the current density when a voltage of 1.4 V was applied to the device.
<Coating liquid for hole injection layer formation>
Solvent Ethyl benzoate Coating solution concentration H1: 1.625% by weight
H2: 4.875 wt%
A1: 1.950% by weight

Figure 2014033134
Figure 2014033134

表1に示すが如く、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成した有機膜を正孔注入層とする素子は電流密度が大きく、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成した有機膜は電気抵抗率が小さいことがわかる。このため、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成した有機膜を正孔注入層とする有機電界発光素子は駆動電圧が低いと考えられる。 As shown in Table 1, an element using an organic film formed using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention as a hole injection layer has a large current density, and the composition for organic electroluminescent elements of the present invention is used. It can be seen that the organic film formed in this manner has a low electrical resistivity. For this reason, the organic electroluminescent element which uses the organic film formed using the composition for organic electroluminescent elements of this invention as a positive hole injection layer is considered that a drive voltage is low.

(実施例2)
(陽極/正孔注入層/正孔輸送層/陰極)の層構成である素子を作製した。
ガラス基板の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を70nm成膜したもの(スパッタ成膜品、シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術により2mm幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
(Example 2)
A device having a layer structure of (anode / hole injection layer / hole transport layer / cathode) was produced.
An anode is formed by patterning an indium tin oxide (ITO) transparent conductive film on a glass substrate with a thickness of 70 nm (sputtered film, sheet resistance 15 Ω) into a 2 mm-wide stripe by ordinary photolithography technology did. The patterned ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, then dried with nitrogen blow, and finally subjected to ultraviolet ozone cleaning.

まず、下の構造式(H1)に示す重合体(架橋基数0.000099(mol/g))、構造式(A1)に示す4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラートおよび安息香酸エチルを含有する正孔注入層形成用塗布液を調製した。この塗布液を下記条件で陽極上にスピンコートにより成膜して、膜厚150nmの正孔注入層を得た。   First, a polymer represented by the following structural formula (H1) (number of cross-linking groups 0.000099 (mol / g)), 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate represented by the structural formula (A1) And a coating solution for forming a hole injection layer containing ethyl benzoate. This coating solution was formed on the anode by spin coating under the following conditions to obtain a hole injection layer having a thickness of 150 nm.

Figure 2014033134
Figure 2014033134

<正孔注入層形成用塗布液>
溶媒 安息香酸エチル
塗布液濃度 H1:5.500重量%
A1:0.825重量%
<正孔注入層の成膜条件>
スピンコート雰囲気 大気中
加熱条件 大気中 230℃ 1時間
引き続き、以下の式(H4)に示す重合体を含有する正孔輸送層形成用塗布液を調製し、下記の条件でスピンコートにより成膜して、加熱により重合させることにより膜厚10nmの正孔輸送層を形成した。
<Coating liquid for hole injection layer formation>
Solvent Ethyl benzoate Coating solution concentration H1: 5.500% by weight
A1: 0.825 wt%
<Film formation conditions for hole injection layer>
Spin coating atmosphere In-air heating condition In-air 230 ° C. 1 hour Subsequently, a coating solution for forming a hole transport layer containing a polymer represented by the following formula (H4) was prepared, and a film was formed by spin coating under the following conditions. Then, a hole transport layer having a thickness of 10 nm was formed by polymerization by heating.

Figure 2014033134
Figure 2014033134

<正孔輸送層形成用塗布液>
溶媒 シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度 1.4重量%
<正孔輸送層の成膜条件>
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 窒素中 230℃ 1時間
その後、真空蒸着法により、陰極としてアルミニウムを膜厚80nmとなるように、陽極であるITOストライプと直交する形状の2mm幅のストライプ状に積層した。以上の様にして、2mm×2mmのサイズの通電部分を有する素子が得られた。この素子に2V
の電圧を印加したときの電流密度を表2に纏めた。
<Coating liquid for hole transport layer formation>
Solvent Cyclohexylbenzene Coating solution concentration 1.4% by weight
<Hole transport layer deposition conditions>
Spin coating atmosphere Nitrogen Heating condition Nitrogen 230 ° C. 1 hour After that, by vacuum deposition, aluminum was stacked in a 2 mm wide stripe shape orthogonal to the anode ITO stripe so as to have a film thickness of 80 nm as the cathode. . As described above, an element having a current-carrying portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. 2V for this element
Table 2 summarizes the current density when the above voltage was applied.

(実施例3)
正孔注入層を次のように形成した他は、実施例2と同様にして素子を作成した。
下の構造式(H1)に示す重合体(架橋基数0.000099(mol/g))、構造式(H3)に示す重合体(架橋基数0.0010(mol/g))構造式(A1)に示す4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラートおよび安息香酸エチルを含有する正孔注入層形成用塗布液を調製した。この塗布液を下記条件で陽極上にスピンコートにより成膜して、膜厚150nmの正孔注入層を得た。
(Example 3)
A device was prepared in the same manner as in Example 2 except that the hole injection layer was formed as follows.
A polymer represented by the following structural formula (H1) (crosslinking group number 0.000099 (mol / g)), a polymer represented by the structural formula (H3) (crosslinking group number 0.0010 (mol / g)) structural formula (A1) A coating solution for forming a hole injection layer containing 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate and ethyl benzoate was prepared. This coating solution was formed on the anode by spin coating under the following conditions to obtain a hole injection layer having a thickness of 150 nm.

Figure 2014033134
Figure 2014033134

<正孔注入層形成用塗布液>
溶媒 安息香酸エチル
塗布液濃度 H1:5.225重量%
H3:0.275重量%
A1:0.825重量%
<正孔注入層の成膜条件>
スピンコート雰囲気 大気中
加熱条件 大気中 230℃ 1時間
この素子に2Vの電圧を印加したときの電流密度を表2に纏めた。
<Coating liquid for hole injection layer formation>
Solvent Ethyl benzoate Coating solution concentration H1: 5.225% by weight
H3: 0.275% by weight
A1: 0.825 wt%
<Film formation conditions for hole injection layer>
Spin coating atmosphere In-air heating conditions In-air 230 ° C. for 1 hour Table 2 summarizes the current density when a voltage of 2 V was applied to the device.

(実施例4)
正孔注入層を次のように形成した他は、実施例2と同様にして素子を作成した。
下の構造式(H1)に示す重合体(架橋基数0.000099(mol/g))、構造式(H3)に示す重合体(架橋基数0.0010(mol/g))構造式(A1)に示す4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラートおよび安息香酸エチルを含有する正孔注入層形成用塗布液を調製した。この塗布液を下記条件で陽極上にスピンコートにより成膜して、膜厚150nmの正孔注入層を得た。
Example 4
A device was prepared in the same manner as in Example 2 except that the hole injection layer was formed as follows.
A polymer represented by the following structural formula (H1) (crosslinking group number 0.000099 (mol / g)), a polymer represented by the structural formula (H3) (crosslinking group number 0.0010 (mol / g)) structural formula (A1) A coating solution for forming a hole injection layer containing 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate and ethyl benzoate was prepared. This coating solution was formed on the anode by spin coating under the following conditions to obtain a hole injection layer having a thickness of 150 nm.

Figure 2014033134
Figure 2014033134

<正孔注入層形成用塗布液>
溶媒 安息香酸エチル
塗布液濃度 H1:4.950重量%
H3:0.550重量%
A1:0.825重量%
<正孔注入層の成膜条件>
スピンコート雰囲気 大気中
加熱条件 大気中 230℃ 1時間
この素子に2Vの電圧を印加したときの電流密度を表2に纏めた。
<Coating liquid for hole injection layer formation>
Solvent Ethyl benzoate Coating solution concentration H1: 4.950% by weight
H3: 0.550% by weight
A1: 0.825 wt%
<Film formation conditions for hole injection layer>
Spin coating atmosphere In-air heating conditions In-air 230 ° C. for 1 hour Table 2 summarizes the current density when a voltage of 2 V was applied to the device.

(比較例2)
正孔注入層を次のように形成した他は、実施例2と同様にして素子を作成した。
下の構造式(H1)に示す重合体(架橋基数0.000099(mol/g))、構造式(H2)に示す重合体(架橋基数0.0010(mol/g))構造式(A1)に示す4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラートおよび安息香酸エチルを含有する正孔注入層形成用塗布液を調製した。この塗布液を下記条件で陽極上にスピンコートにより成膜して、膜厚150nmの正孔注入層を得た。
(Comparative Example 2)
A device was prepared in the same manner as in Example 2 except that the hole injection layer was formed as follows.
A polymer represented by the following structural formula (H1) (crosslinking group number 0.000099 (mol / g)), a polymer represented by structural formula (H2) (crosslinking group number 0.0010 (mol / g)) structural formula (A1) A coating solution for forming a hole injection layer containing 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate and ethyl benzoate was prepared. This coating solution was formed on the anode by spin coating under the following conditions to obtain a hole injection layer having a thickness of 150 nm.

Figure 2014033134
Figure 2014033134

<正孔注入層形成用塗布液>
溶媒 安息香酸エチル
塗布液濃度 H1:1.375重量%
H2:4.125重量%
A1:1.650重量%
この素子に2Vの電圧を印加したときの電流密度を表2に纏めた。
<Coating liquid for hole injection layer formation>
Solvent Ethyl benzoate Coating solution concentration H1: 1.375% by weight
H2: 4.125% by weight
A1: 1.650% by weight
Table 2 summarizes the current density when a voltage of 2 V was applied to the device.

Figure 2014033134
Figure 2014033134

表1に示すが如く、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成した有機膜を正孔注入層とする素子は電流密度が大きく、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成した有機膜は電気抵抗率が小さいことがわかる。このため、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成した有機膜を正孔注入層とする有機電界発光素子は駆動電圧が低いと考えられる。   As shown in Table 1, an element using an organic film formed using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention as a hole injection layer has a large current density, and the composition for organic electroluminescent elements of the present invention is used. It can be seen that the organic film formed in this manner has a low electrical resistivity. For this reason, the organic electroluminescent element which uses the organic film formed using the composition for organic electroluminescent elements of this invention as a positive hole injection layer is considered that a drive voltage is low.

1 基板
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 正孔阻止層
7 電子輸送層
8 電子注入層 9 陰極
1 Substrate
2 Anode
3 Hole injection layer
4 hole transport layer
5 Light emitting layer
6 Hole blocking layer
7 Electron transport layer
8 Electron injection layer 9 Cathode

Claims (11)

架橋基を有する正孔輸送性化合物及び電子受容性化合物を含有する有機電界発光素子用組成物であって、
組成物1g中の架橋基の量をA(mol/g)、
組成物1g中の電子受容性化合物の量をB(mol/g)としたとき、
A/Bが、0より大きく、2.0よりも小さい、
ことを特徴とする有機電界発光素子用組成物。
A composition for an organic electroluminescent device comprising a hole transporting compound having a crosslinking group and an electron accepting compound,
The amount of crosslinking group in 1 g of the composition is A (mol / g),
When the amount of the electron-accepting compound in 1 g of the composition is B (mol / g),
A / B is larger than 0 and smaller than 2.0,
The composition for organic electroluminescent elements characterized by the above-mentioned.
A/Bは、0より大きく、1.0よりも小さい、請求項1記載の有機電界発光素子用組成物。 The composition for organic electroluminescent elements according to claim 1, wherein A / B is larger than 0 and smaller than 1.0. 架橋基を有する正孔輸送性化合物が、下記式(1)で表される繰り返し単位を含む、請求項1又は2記載の有機電界発光素子用組成物。
Figure 2014033134
(式中、mは0以上、3以下の整数を表し、
Ar、及びArは、各々独立して、直接結合、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、
Ar〜Arは、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
但し、Ar及びArが同時に、直接結合であることはない。)
The composition for organic electroluminescent elements according to claim 1 or 2, wherein the hole transporting compound having a crosslinking group contains a repeating unit represented by the following formula (1).
Figure 2014033134
(In the formula, m represents an integer of 0 or more and 3 or less,
Ar 1 and Ar 2 each independently represent a direct bond, an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent,
Ar 3 to Ar 5 each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
However, Ar 1 and Ar 2 are not simultaneously a direct bond. )
架橋基が、下記式(2)で表される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機電界発光素子用組成物。
Figure 2014033134
(式(2)中のベンゾシクロブテン環は、置換基を有していてもよい。又、該置換基同
士が、互いに結合して環を形成してもよい。)
The composition for organic electroluminescent elements according to any one of claims 1 to 3, wherein the crosslinking group is represented by the following formula (2).
Figure 2014033134
(The benzocyclobutene ring in the formula (2) may have a substituent. The substituents may be bonded to each other to form a ring.)
電子受容性化合物が、下記式(3)で表されるペンタフルオロフェニル基を有する陰イオンを含む塩である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機電界発光素子用組成物。
Figure 2014033134
The composition for organic electroluminescent elements as described in any one of Claims 1-4 whose electron-accepting compound is a salt containing the anion which has a pentafluorophenyl group represented by following formula (3).
Figure 2014033134
請求項1〜5のいずれか一項に記載の有機電界発光素子用組成物を塗布後、前記組成物に含有される正孔輸送性化合物を架橋させて得られる、有機膜。   The organic film obtained by apply | coating the composition for organic electroluminescent elements as described in any one of Claims 1-5, and bridge | crosslinking the hole transportable compound contained in the said composition. 基板上に、陽極及び陰極、陽極及び陰極の間に配置された有機層を有する有機電界発光素子であって、
有機層が、請求項6記載の有機膜を含む、有機電界発光素子。
An organic electroluminescence device having an organic layer disposed between an anode and a cathode, and the anode and the cathode on a substrate,
The organic electroluminescent element in which an organic layer contains the organic film of Claim 6.
有機膜が、正孔注入層を構成するものである、請求項7記載の有機電界発光素子。   The organic electroluminescent element according to claim 7, wherein the organic film constitutes a hole injection layer. 有機電界発光素子が、有機層として正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を含み、正孔注入層、正孔輸送層及び発光層の全てが湿式成膜法により形成されている、請求項7又は8記載の有機電界発光素子。   The organic electroluminescent device includes a hole injection layer, a hole transport layer, and a light emitting layer as an organic layer, and the hole injection layer, the hole transport layer, and the light emitting layer are all formed by a wet film formation method. Item 9. The organic electroluminescent device according to Item 7 or 8. 請求項7〜9のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を備えた、有機ELディスプレイ。   The organic electroluminescent display provided with the organic electroluminescent element as described in any one of Claims 7-9. 請求項7〜9のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を備えた、有機EL照明。   Organic EL illumination provided with the organic electroluminescent element as described in any one of Claims 7-9.
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