JP5494685B2 - 溶銑の脱硫方法 - Google Patents
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Description
この際、極低硫溶銑を効率良く溶製するためには、インペラーによる撹拌力を増加させて、脱硫剤の溶銑中への分散を強化することが有効である。脱硫剤を溶銑浴中へ深く分散させる一つの方法として、撹拌力を増加する方法が挙げられる。しかし、この方法は、フリーボードが小さい場合には溶銑が零れる可能性が高まるため、採用できなかった。
図1(a)および図1(b)は、本発明で用いるインペラー1の構造の一例を示す二面図である。また、図2は、本発明で用いるインペラー1の構造の一例を示す斜視図である。以下、図1、2に示すインペラー1を例にとって本発明を説明する。
(A)羽根上部のほうが大きいと、羽根上部の方が羽根下部よりも周速度が大きくなり、脱硫剤模擬粒子はその周速度の大きい羽根上部に引き寄せられ、羽根の中段部より上部で溶銑中へ吐出される。
次に、羽根上部の半径よりも羽根下部の半径が大きいインペラーを用いて、同様の水モデル実験を行った結果、以下に列記の知見C〜Eを得た。
(D)羽根上部をより小さくして、羽根下部を大きくするほど、模擬粒子は羽根のより下部から吐出されるようになる。
そこで、本発明者らは、脱硫剤を溶銑の深いところまで分散できるインペラーについて詳細に検討し、以下の知見Fを得た。
そこで、本発明者らは、脱硫処理において回転させた場合に回転前方となる羽根の前表面と水平面とのなす角θ(すなわち、前表面の法線と水平面の法線とのなす角)を変えて、上記と同様の水モデル実験を行った結果、以下に列記の知見G、Hを得た。なお、この実験では羽根の半径は上端と下端で同じとした。
そこで、本発明者らは、脱硫剤を溶銑へ深く分散させるインペラーの形状を最適化するために、θの角度と羽根上端と羽根下端の半径について最適条件を調査することが必要と考え、様々なインペラーを用いた機械撹拌式装置(KR)での溶銑脱硫実験を行った。
以降の説明は、本発明の理解を容易にするため、図1、2を参照しながら行う。
以上の理由により、本発明では、角θを100°以下とし、比{(r2−r1)/h}を0.08よりも大きく、0.8よりも小さい範囲とすることによって、脱硫剤を浴中深く分散して、高い脱硫率を得られる。
溶銑([C]:4.6質量%、[Si]:0.3質量%、[P]:0.10質量%、[S]:0.030質量%、温度1380℃)180kgを溶銑鍋に入れ、機械式攪拌装置を用いて脱硫処理をした。
表1に示すように、本発明で規定する条件を満足する実施例1−5、1−6、2−5、2−6、3−5、3−6の脱硫率は、本発明で規定する条件を満足しない比較例1−2、1−3、1−4、2−2、2−3、2−4、3−2、3−3、3−4の脱硫率よりも、それぞれの基準となる比較例1−1、2−1、3−1の脱硫率に対して大幅に向上した。
2 羽根上端
3 回転前方の羽根上端の外側位置
4、7 インペラー中心軸
5 羽根下端
6 回転前方の羽根下端の外側位置
8 回転前方の面
Claims (1)
- 機械式攪拌装置を用いて溶銑を脱硫処理する方法において、下記(1)式および(2)式をいずれも満たす形状のインペラーを用いることを特徴とする、溶銑の脱硫方法。
0.08<(r2−r1)/h<0.8 ・・・・・・・(1)
θ≦90° ・・・・・・・(2)
ただし、前記インペラーをインペラー軸方向に上方から透視した状態において、
r1:脱硫処理において回転させた場合に回転前方の羽根上端外側位置とインペラー中心軸との間の距離(mm)
r2:脱硫処理において回転させた場合に回転前方の羽根下端外側位置とインペラー中心軸との間の距離(mm)
h:前記インペラーの高さ(mm)
θ:脱硫処理において回転させた場合に回転前方の面と水平面とのなす角(deg)
である。
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JP2012010174A JP5494685B2 (ja) | 2012-01-20 | 2012-01-20 | 溶銑の脱硫方法 |
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