JP5483389B2 - 電気回路 - Google Patents
電気回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5483389B2 JP5483389B2 JP2008021978A JP2008021978A JP5483389B2 JP 5483389 B2 JP5483389 B2 JP 5483389B2 JP 2008021978 A JP2008021978 A JP 2008021978A JP 2008021978 A JP2008021978 A JP 2008021978A JP 5483389 B2 JP5483389 B2 JP 5483389B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- state
- current
- impedance
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 94
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 78
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims description 75
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 43
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 80
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 77
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 71
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 31
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 25
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 8
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 230000005526 G1 to G0 transition Effects 0.000 description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 244000145845 chattering Species 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007562 laser obscuration time method Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/50—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED] responsive to malfunctions or undesirable behaviour of LEDs; responsive to LED life; Protective circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/30—Driver circuits
- H05B45/395—Linear regulators
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/10—Controlling the intensity of the light
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
Landscapes
- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
出力端と基準電位端との間に静電容量を含む定電流電源と、前記定電流電源からの電力に基づいて所定の機能を発現する着脱自在な機能素子とを電気的に接続する電気回路であって、
前記機能素子を介して前記出力端及び前記基準電位端の一方に電気的に接続される第1回路端と、前記出力端及び前記基準電位端の他方に電気的に接続される第2回路端と、前記第1回路端と前記第2回路端との間に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の制御電圧を制御するスイッチング制御回路とを含む素子破壊防止回路を備え、
前記機能素子が装着されていない状態を非接続状態とし、前記機能素子が装着されている状態を接続状態として、
前記スイッチング制御回路が、抵抗素子と静電容量素子とを含み、
前記素子破壊防止回路が、
前記接続状態から前記非接続状態への状態移行に応じた前記第1回路端と前記第2回路端との間の電圧の変化に基づき前記スイッチング素子の制御電圧を変化させて、前記第1回路端と前記第2回路端との間のインピーダンスを自己整合的に非接続時インピーダンスにまで増加させ、
前記非接続状態から前記接続状態への状態移行に応じた前記第1回路端と前記第2回路端との間の電圧の変化に基づき、前記抵抗素子を経由した電流により前記静電容量素子への充電が行われ、当該静電容量素子の端子間電圧により前記スイッチング素子の制御電圧を変化させて、前記第1回路端と前記第2回路端との間のインピーダンスを自己整合的に前記非接続インピーダンスより低い接続時インピーダンスにまで減少させることを特徴としている。
また、上記の課題を解決するために、本発明に係る電気回路は、
出力端と基準電位端との間に静電容量を含む定電流電源と、前記定電流電源からの電力に基づいて所定の機能を発現する着脱自在な機能素子とを電気的に接続する電気回路であって、
前記機能素子を介して前記出力端及び前記基準電位端の一方に電気的に接続される第1回路端と、前記出力端及び前記基準電位端の他方に電気的に接続される第2回路端と、前記第1回路端と前記第2回路端との間に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の制御電圧を制御するスイッチング制御回路とを含む素子破壊防止回路を備え、
前記機能素子が装着されていない状態を非接続状態とし、前記機能素子が装着されている状態を接続状態として、
前記スイッチング制御回路が、抵抗素子と静電容量素子とを含み、
前記素子破壊防止回路が、
前記接続状態から前記非接続状態への状態移行に応じた前記第1回路端と前記第2回路端との間に流れる電流の変化に基づき前記スイッチング素子の制御電圧を変化させて、前記第1回路端と前記第2回路端との間のインピーダンスを自己整合的に非接続時インピーダンスにまで増加させ、
前記非接続状態から前記接続状態への状態移行に応じた前記第1回路端と前記第2回路端との間に流れる電流の変化に基づき、前記抵抗素子を経由した電流により前記静電容量素子への充電が行われ、当該静電容量素子の端子間電圧により前記スイッチング素子の制御電圧を変化させて、前記第1回路端と前記第2回路端との間のインピーダンスを自己整合的に前記非接続インピーダンスより低い接続時インピーダンスにまで減少させることを特徴としている。
前記機能素子に接続される電流流入端と、前記定電流電源の前記基準電位端と接続される電流流出端と、前記電流流入端と前記電流流出端との間の抵抗を変化させる制御端とを備えるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の前記電流流入端の電圧の変化に基づいて、前記制御端の電圧を制御する電圧依存型のスイッチング制御回路と、
を含み、
前記スイッチング制御回路が、
前記非接続状態への状態移行に応じた前記スイッチング素子の前記電流流入端の電圧の変化に基づいて、前記電流流入端と前記電流流出端との間の抵抗を前記接続状態における所定の接続時抵抗値から前記接続時抵抗値より大きい所定の非接続時抵抗値に変化させ、
前記接続状態への状態移行に応じた前記スイッチング素子の前記電流流入端の電圧の変化に基づいて、前記電流流入端と前記電流流出端との間の抵抗を前記非接続時抵抗値から前記接続時抵抗値に変化させる構成であることが好ましい。
前記機能素子に接続された電流流入端と、前記定電流電源の前記基準電位端に接続された電流流出端と、前記電流流入端と前記電流流出端との間の抵抗値を制御する制御端とを備えるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の前記電流流入端へ流入する電流の変化に基づいて、前記制御端の電圧を制御する電流依存型のスイッチング制御回路と、
を含み、
前記スイッチング制御回路が、
前記非接続状態への状態移行に応じた前記第1回路端に流入する電流の変化に基づいて、前記電流流入端と前記電流流出端との間の抵抗を前記接続状態における所定の接続時抵抗値から前記接続時抵抗値より大きい所定の非接続時抵抗値に変化させ、
前記接続状態への状態移行に応じた前記第1回路端に流入する電流の変化に基づいて、前記電流流入端と前記電流流出端との間の抵抗を前記非接続時抵抗値から前記接続時抵抗値に変化させる構成であることが好ましい。
前記機能素子に接続される電流流入端と、前記定電流電源の前記基準電位端と接続される電流流出端と、前記電流流入端と前記電流流出端との間の抵抗を変化させる制御端とを備えるスイッチング素子と、
前記機能素子の装着過程において前記定電流電源の前記出力端に接続される付加回路端を更に含み、
前記非接続状態への状態移行に応じた前記付加回路端の電圧の変化に基づいて、前記電流流入端と前記電流流出端との間の抵抗を前記接続状態における所定の接続時抵抗値から前記接続時抵抗値より大きい所定の非接続時抵抗値に変化させ、
前記接続状態への状態移行に応じた前記付加回路端の電圧の変化に基づいて、前記電流流入端と前記電流流出端との間の抵抗を前記非接続時抵抗値から前記接続時抵抗値に変化させる構成であることが好ましい。
実施形態1の素子破壊防止回路について説明する。図1は、実施形態1に係る素子破壊防止回路の一例を表す回路図である。図1には、素子破壊防止回路10と共に定電流電源1及びLED2も示されている。なお、図1において、スイッチSW1は、LED2とは別に設けられたスイッチ素子ではなく、LED2の接続状態と非接続状態との間の移行を表すための仮想的なスイッチである。例えば、定電流電源1の出力端(上側配線端)と電気的に接続された第1入出力端子及び第2入出力端子を含み、LED2を着脱自在に固定するソケット(図示せず)と、LED2とで構成されており、LED2をソケットに装着することによって第1入出力端子と第2入出力端子とが電気的に接続され、LED2をソケットから抜脱することによってそれらの端子間が電気的に断絶される場合が挙げられる。したがって、スイッチSW1がオン状態である場合は、LED2が素子破壊防止回路10に電気的に接続されている接続状態を意味し、オフ状態である場合には、LED2が素子破壊防止回路10に電気的に接続されていない非接続状態を意味する。以下の各種の実施形態におけるスイッチSW1についても同様とする。
実施形態2に係る素子破壊防止回路は、実施形態1に係る素子破壊防止回路10よりも接続状態の定常期における素子破壊防止回路自身による負荷を低減できる構成である。図3は、実施形態2に係る素子破壊防止回路の一例を表す回路図である。本形態の素子破壊防止回路20は、無抵抗化回路22を含むこと以外は、上記の実施形態1における素子破壊防止回路10(図1参照)と同一の構成である。以下においては、実施形態1と同一の構成部分については同一の参照符号を付すこととし、その詳細な説明は省略する。
実施形態3に係る素子破壊防止回路40は、LED(機能素子)の装着や抜脱の際において接続状態から非接続状態への移行やその逆の移行が微少時間間隔で複数回発生したとしても、その装着や抜脱の際に機能素子が破壊や劣化することを防止できる構成である。図5は、実施形態3に係る素子破壊防止回路の一例を表す回路図である。図5に示された本形態の素子破壊防止回路40は、高抵抗化促進回路43(〔高インピーダンス化促進回路〕の一種:「電圧依存型のスイッチング制御回路」の一部の一種)を含むこと以外は、上記の実施形態2における素子破壊防止回路20(図3参照)と同一の構成である。以下においては、実施形態2と同一の構成部分については同一の参照符号を付すこととし、その詳細な説明は省略する。
実施形態4に係る素子破壊防止回路は、上記の実施形態1〜3の場合と同様に電圧に基づいてスイッチング素子(電界効果トランジスタQ1)を制御する構成である。図7は、実施形態4に係る素子破壊防止回路の一例を表す回路図である。
実施形態5に係る素子破壊防止回路は、上記の実施形態1〜4の場合と異なり、電流に基づいてスイッチング素子を制御する構成である。図8は、実施形態5に係る素子破壊防止回路の一例を表す回路図である。本形態の素子破壊防止回路70は、図8に示されたように、電界効果トランジスタQ1(〔スイッチング素子〕)と、電界効果トランジスタQ1以外の素子で構成された、電界効果トランジスタQ1のゲート電圧を制御するゲート制御回路(〔電流依存型のゲート制御回路〕の一種)とで構成されている。なお、素子破壊防止回路70において、過渡電流抑制回路71は、上述の過渡電流抑制回路11(図1参照)と同様に、主に、過渡電流を抑制すると共に、電界効果トランジスタQ1のオン状態への移行及びオフ状態への状態移行の基本制御を行う回路である。また、高抵抗化促進回路73(〔高インピーダンス化促進回路〕の一種)は、上述の高抵抗化促進回路43(図5参照)と同様に、電界効果トランジスタQ1のオフ状態への状態移行を高速化する回路である。
実施形態6に係る素子破壊防止回路は、機構的な接続状態の変化を援用して過渡電流を抑制する構成である。図10は、実施形態6に係る素子破壊防止回路の一例を表す回路図である。本形態の素子破壊防止回路80は、過渡電流抑制回路81のみで構成されている。過渡電流抑制回路81は、図10に示されたように、電界効果トランジスタQ1(〔スイッチング素子〕)と、電界効果トランジスタQ1以外の素子で構成され、電界効果トランジスタQ1のゲート電圧を制御するゲート制御回路(〔電圧依存型のゲート制御回路〕の一種)とで構成されている。なお、素子破壊防止回路80において、過渡電流抑制回路81は、上述の過渡電流抑制回路11(図1参照)と同様に、主に、過渡電流を抑制すると共に、電界効果トランジスタQ1のオン状態への移行及びオフ状態への状態移行の制御を行う回路である。なお、過渡電流抑制回路11(図1参照)の電界効果トランジスタQ1のゲート電圧を実質的に制御することとなるコンデンサC2への電流供給路を構成する抵抗R1を別接点P4とした構成である。
2: LED(機能素子)
10,20,40,50,60,70,80: 素子破壊防止回路
11,31,71,81: 過渡電流抑制回路
22: 無抵抗化回路(低インピーダンス化促進回路)
43,73: 高抵抗化促進回路(高インピーダンス化促進回路)
Q1: 電界効果トランジスタ(スイッチング素子)
Claims (5)
- 出力端と基準電位端との間に静電容量を含む定電流電源と、前記定電流電源からの電力に基づいて所定の機能を発現する着脱自在な機能素子とを電気的に接続する電気回路であって、
前記機能素子を介して前記出力端及び前記基準電位端の一方に電気的に接続される第1回路端と、前記出力端及び前記基準電位端の他方に電気的に接続される第2回路端と、前記第1回路端と前記第2回路端との間に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の制御電圧を制御するスイッチング制御回路とを含む素子破壊防止回路を備え、
前記機能素子が装着されていない状態を非接続状態とし、前記機能素子が装着されている状態を接続状態として、
前記スイッチング制御回路が、抵抗素子と静電容量素子とを含み、
前記素子破壊防止回路が、
前記接続状態から前記非接続状態への状態移行に応じた前記第1回路端と前記第2回路端との間の電圧の変化に基づき前記スイッチング素子の制御電圧を変化させて、前記第1回路端と前記第2回路端との間のインピーダンスを自己整合的に非接続時インピーダンスにまで増加させ、
前記非接続状態から前記接続状態への状態移行に応じた前記第1回路端と前記第2回路端との間の電圧の変化に基づき、前記抵抗素子を経由した電流により前記静電容量素子への充電が行われ、当該静電容量素子の端子間電圧により前記スイッチング素子の制御電圧を変化させて、前記第1回路端と前記第2回路端との間のインピーダンスを自己整合的に前記非接続インピーダンスより低い接続時インピーダンスにまで減少させることを特徴とする電気回路。 - 出力端と基準電位端との間に静電容量を含む定電流電源と、前記定電流電源からの電力に基づいて所定の機能を発現する着脱自在な機能素子とを電気的に接続する電気回路であって、
前記機能素子を介して前記出力端及び前記基準電位端の一方に電気的に接続される第1回路端と、前記出力端及び前記基準電位端の他方に電気的に接続される第2回路端と、前記第1回路端と前記第2回路端との間に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の制御電圧を制御するスイッチング制御回路とを含む素子破壊防止回路を備え、
前記機能素子が装着されていない状態を非接続状態とし、前記機能素子が装着されている状態を接続状態として、
前記スイッチング制御回路が、抵抗素子と静電容量素子とを含み、
前記素子破壊防止回路が、
前記接続状態から前記非接続状態への状態移行に応じた前記第1回路端と前記第2回路端との間に流れる電流の変化に基づき前記スイッチング素子の制御電圧を変化させて、前記第1回路端と前記第2回路端との間のインピーダンスを自己整合的に非接続時インピーダンスにまで増加させ、
前記非接続状態から前記接続状態への状態移行に応じた前記第1回路端と前記第2回路端との間に流れる電流の変化に基づき、前記抵抗素子を経由した電流により前記静電容量素子への充電が行われ、当該静電容量素子の端子間電圧により前記スイッチング素子の制御電圧を変化させて、前記第1回路端と前記第2回路端との間のインピーダンスを自己整合的に前記非接続インピーダンスより低い接続時インピーダンスにまで減少させることを特徴とする電気回路。 - 前記スイッチング素子が、前記機能素子を介して前記定電流電源の前記出力端に接続される電流流入端と、前記定電流電源の前記基準電位端と接続される電流流出端と、前記制御電圧の変化に基づいて前記電流流入端と前記電流流出端との間の抵抗値を制御する制御端とを備え、
前記抵抗値の変化により前記第1回路端と前記第2回路端との間のインピーダンスが変化する、
請求項1又は2に記載の電気回路。 - 前記素子破壊防止回路が、前記接続状態への状態移行に応じて前記第1回路端と前記第2回路端との間のインピーダンスを前記接続時インピーダンスより低いインピーダンスにまで変化させる低インピーダンス化促進回路を更に含む請求項1〜3のいずれか一項に記載の電気回路。
- 前記素子破壊防止回路が、前記非接続状態への状態移行に伴う前記第1回路端と前記第2回路端との間のインピーダンスの変化を高速化する高インピーダンス化促進回路を更に含む請求項1〜4のいずれか一項に記載の電気回路。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008021978A JP5483389B2 (ja) | 2008-01-31 | 2008-01-31 | 電気回路 |
US12/865,529 US8508902B2 (en) | 2008-01-31 | 2009-01-28 | Electric circuit |
PCT/JP2009/051330 WO2009096414A1 (ja) | 2008-01-31 | 2009-01-28 | 電気回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008021978A JP5483389B2 (ja) | 2008-01-31 | 2008-01-31 | 電気回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009182266A JP2009182266A (ja) | 2009-08-13 |
JP5483389B2 true JP5483389B2 (ja) | 2014-05-07 |
Family
ID=40912766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008021978A Expired - Fee Related JP5483389B2 (ja) | 2008-01-31 | 2008-01-31 | 電気回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8508902B2 (ja) |
JP (1) | JP5483389B2 (ja) |
WO (1) | WO2009096414A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101965077B (zh) * | 2009-07-21 | 2013-10-09 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管灯具保护电路 |
JP5627306B2 (ja) * | 2010-06-17 | 2014-11-19 | 三菱電機株式会社 | 誘導灯装置 |
CN102457051B (zh) * | 2010-10-19 | 2015-07-22 | 台达电子工业股份有限公司 | 暂态电流抑制装置 |
TWI441449B (zh) * | 2010-10-19 | 2014-06-11 | Delta Electronics Inc | 暫態電流抑制裝置及方法 |
WO2012061774A2 (en) * | 2010-11-04 | 2012-05-10 | Cirrus Logic, Inc. | Controlled energy dissipation in a switching power converter |
JP5720266B2 (ja) * | 2011-01-21 | 2015-05-20 | ソニー株式会社 | 発光素子駆動回路、発光装置、表示装置、および発光制御方法 |
JP5775326B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2015-09-09 | 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター | Led点灯回路 |
JP2013229560A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-11-07 | Nec Corp | Led駆動装置及びled駆動方法 |
US9520794B2 (en) | 2012-07-25 | 2016-12-13 | Philips Lighting Holding B.V | Acceleration of output energy provision for a load during start-up of a switching power converter |
MY185127A (en) * | 2013-04-19 | 2021-04-30 | Shindengen Electric Mfg | Lamp driving power supply and a method of controlling lamp driving power supply |
US9997031B2 (en) | 2015-07-20 | 2018-06-12 | Banner Engineering Corporation | Modular indicator |
US10475299B2 (en) | 2015-07-20 | 2019-11-12 | Banner Engineering Corporation | Modular indicator |
US10644499B2 (en) * | 2017-09-21 | 2020-05-05 | Nxp B.V. | Current limiter |
JP7393414B2 (ja) * | 2019-03-11 | 2023-12-06 | 株式会社小糸製作所 | 車両用灯具および点灯回路 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5374887A (en) * | 1993-11-12 | 1994-12-20 | Northern Telecom Limited | Inrush current limiting circuit |
JP4123886B2 (ja) | 2002-09-24 | 2008-07-23 | 東芝ライテック株式会社 | Led点灯装置 |
JP4186739B2 (ja) * | 2003-07-24 | 2008-11-26 | 三菱電機株式会社 | 突入電流防止回路 |
JP2006085327A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電源装置 |
JP3964912B2 (ja) * | 2005-04-18 | 2007-08-22 | 日本電信電話株式会社 | 突入電流低減回路 |
JP2007324843A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 突入電流抑止回路 |
-
2008
- 2008-01-31 JP JP2008021978A patent/JP5483389B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-01-28 US US12/865,529 patent/US8508902B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-01-28 WO PCT/JP2009/051330 patent/WO2009096414A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009096414A1 (ja) | 2009-08-06 |
JP2009182266A (ja) | 2009-08-13 |
US8508902B2 (en) | 2013-08-13 |
US20110002069A1 (en) | 2011-01-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5483389B2 (ja) | 電気回路 | |
KR101119261B1 (ko) | 광원 구동 장치 | |
JP2012028184A (ja) | Led点灯装置 | |
CN102523654B (zh) | Led光源的驱动电路、控制电路及控制方法 | |
TW201607368A (zh) | 用於改善發光二極體壽命及調光裝置中之顏色品質之方法及系統 | |
TW200536153A (en) | Light emitting element drive circuit | |
US8183798B2 (en) | Variable light control system and method using momentary circuit interrupt | |
TWI451650B (zh) | 短路保護控制電路與相關之控制方法 | |
JP2004119422A (ja) | 発光素子駆動回路 | |
JP2014002946A (ja) | Led照明用電源 | |
CN102740567A (zh) | 一种led背光驱动电路、背光模组和液晶显示装置 | |
JP6316923B2 (ja) | 発光ダイオード灯具 | |
CN107770901A (zh) | 发光二极管驱动装置及驱动装置的短路保护方法 | |
KR101414902B1 (ko) | 교류 led 구동회로 | |
CN107113946A (zh) | 具有镇流器兼容性的固态照明驱动器电路 | |
KR100753665B1 (ko) | Led 정전류 구동회로 | |
CN103026788A (zh) | 多模式无焰蜡烛电路 | |
JP7476221B2 (ja) | 光源駆動装置 | |
CN113347763B (zh) | 一种具有功能型定时电路的芯片 | |
JP2008288179A (ja) | 発光ダイオードの点灯制御方法及び制御回路 | |
JP2010003810A (ja) | 発光ダイオード駆動回路 | |
JP2013089570A (ja) | 照明装置 | |
TWI474760B (zh) | 發光二極體燈具 | |
JP2005116572A (ja) | 自励式調光回路 | |
CN101971472A (zh) | 用于减少待机模式下的能量吸收的结构和相应方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130208 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131128 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5483389 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |