JP5482669B2 - Silicon carbide single crystal manufacturing equipment - Google Patents

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Description

本発明は、炭化珪素（以下、ＳｉＣという）単結晶の製造装置に関するものである。   The present invention relates to a silicon carbide (hereinafter referred to as SiC) single crystal manufacturing apparatus.

従来より、ＳｉＣ単結晶の製造として、例えば特許文献１に示すようなガス供給式等のＳｉＣ単結晶製造装置が用いられている。ガス供給式のＳｉＣ単結晶製造装置では、導入管を通じてＳｉＣの原料ガスを加熱容器内に導入すると共に加熱容器にて原料ガスを分解し、分解した原料ガスを反応容器に備えられた種結晶に導くことで、種結晶の表面にＳｉＣ単結晶を成長させる。   Conventionally, for example, a SiC single crystal manufacturing apparatus such as a gas supply type as shown in Patent Document 1 has been used for manufacturing a SiC single crystal. In the gas supply type SiC single crystal manufacturing apparatus, the SiC source gas is introduced into the heating vessel through the introduction pipe, the source gas is decomposed in the heating vessel, and the decomposed source gas is converted into a seed crystal provided in the reaction vessel. By guiding, a SiC single crystal is grown on the surface of the seed crystal.

特開２００６−１１１５１０号公報JP 2006-111510 A

上記のようなＳｉＣ単結晶製造装置において、１ラン当りのウェハの取れ数を多くするために、ＳｉＣ単結晶の成長インゴットの長尺化が望まれている。ところが、ＳｉＣ単結晶を長尺成長させると、種結晶が貼り付けられる台座部とＳｉＣ単結晶の成長表面との温度差が大きくなり、インゴット割れが引き起こされる。そこで、複数枚の種結晶を配置し、全種結晶上に成長したトータルのＳｉＣ単結晶の成長量が一枚の種結晶のみを用いて長尺成長させたときの成長量に達するようにして、１ラン当りのウェハ取れ数を多くすることが考えられる。   In the SiC single crystal manufacturing apparatus as described above, in order to increase the number of wafers taken per run, it is desired to increase the length of the SiC single crystal growth ingot. However, when the SiC single crystal is grown long, the temperature difference between the pedestal to which the seed crystal is attached and the growth surface of the SiC single crystal increases, and ingot cracking is caused. Therefore, a plurality of seed crystals are arranged so that the growth amount of the total SiC single crystal grown on all the seed crystals reaches the growth amount when the long growth is performed using only one seed crystal. It is conceivable to increase the number of wafers taken per run.

しかしながら、複数枚の種結晶を配置してＳｉＣ単結晶を成長させる場合、単に有底円筒状で構成される反応容器の底面に複数枚の種結晶を配置したのでは、温度分布等の影響でＳｉＣ単結晶の成長速度に面内分布ができ、面内において均一に成長させることができないことが判った。   However, when growing a SiC single crystal by arranging a plurality of seed crystals, simply placing a plurality of seed crystals on the bottom surface of a reaction vessel having a bottomed cylindrical shape is affected by temperature distribution and the like. It was found that the growth rate of the SiC single crystal has an in-plane distribution and cannot be grown uniformly in the plane.

一方、円筒状の反応容器の側壁面に対して種結晶を複数枚貼り付けること、つまり種結晶の表面がＳｉＣ単結晶製造装置の中心軸に対して平行となるように配置して、ＳｉＣ単結晶を成長させることも考えられる。ところが、この場合、原料ガスの流動経路の上流側から下流側に向かって温度分布ができ、種結晶の面内において温度分布ができる。このため、単に円筒状の反応容器の側壁に種結晶を貼り付けたのでは、ＳｉＣ単結晶の成長速度に面内分布ができ、面内において均一に成長させることができない。   On the other hand, a plurality of seed crystals are affixed to the side wall surface of the cylindrical reaction vessel, that is, the seed crystals are arranged so that the surface of the seed crystals is parallel to the central axis of the SiC single crystal manufacturing apparatus. It is also conceivable to grow crystals. However, in this case, temperature distribution can be made from the upstream side to the downstream side of the flow path of the source gas, and temperature distribution can be made in the plane of the seed crystal. For this reason, if the seed crystal is simply pasted on the side wall of the cylindrical reaction vessel, the growth rate of the SiC single crystal can be distributed in-plane and cannot be grown uniformly in the plane.

本発明は上記点に鑑みて、複数枚の種結晶に対して同時にＳｉＣ単結晶を成長させることができ、かつ、ＳｉＣ単結晶の成長速度を面内においてより均一にできるＳｉＣ単結晶製造装置を提供することを目的とする。   In view of the above points, the present invention provides a SiC single crystal manufacturing apparatus capable of simultaneously growing a SiC single crystal on a plurality of seed crystals and making the growth rate of the SiC single crystal more uniform in the plane. The purpose is to provide.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、原料ガス（３）の導入導出が行え、内部空間の圧力を真空引きすることにより減圧できる構造とされた真空容器（６）と、中空円筒状部材（８ａ）を有して構成され、真空容器（６）内に配置され、原料ガス（３）の加熱を行う加熱容器（８）と、真空容器（６）内において、加熱容器（８）よりも原料ガス（３）の流動経路下流側に配置され、種結晶（５）が貼り付けられる台座部（９）とを有し、真空容器（６）には、台座部（９）の周囲を囲む位置に、台座部（９）の外壁面を冷却する冷却機構（６ａ）が備えられ、台座部（９）は、加熱容器（８）における中空円筒状部材（８ａ）のうちの原料ガス（３）の流動経路下流側の端部に配置され、該中空円筒状部材（８ａ）の中心軸に対して内壁面が傾斜するように該台座部（９）の内径が原料ガス（３）の流動経路下流側に向けて縮小させられ、内壁面に種結晶（５）が貼り付けられる面が複数備えられていることを特徴としている。   In order to achieve the above object, in the invention described in claim 1, a vacuum vessel (6) configured to be able to introduce and lead the source gas (3) and to depressurize the internal space by evacuating, A heating container (8) configured to have a hollow cylindrical member (8a), disposed in the vacuum container (6) and heating the source gas (3), and a heating container in the vacuum container (6) And a pedestal part (9) to which the seed crystal (5) is attached, which is arranged on the downstream side of the flow path of the source gas (3) with respect to (8), and the vacant part (9) ) Is provided with a cooling mechanism (6a) for cooling the outer wall surface of the pedestal portion (9), and the pedestal portion (9) is a hollow cylindrical member (8a) in the heating container (8). The center of the hollow cylindrical member (8a) is disposed at the downstream end of the flow path of the raw material gas (3) The inner surface of the pedestal (9) is reduced toward the downstream side of the flow path of the source gas (3) so that the inner wall surface is inclined with respect to the inner wall surface, and the surface on which the seed crystal (5) is attached to the inner wall surface It is characterized by having multiple.

このように、中空円筒状部材（８ａ）の中心軸に対して内壁面を傾斜させた台座部（９）を備え、この台座部（９）の内壁面に備えた複数の平坦面に種結晶（５）を配置することで、複数の種結晶（５）の表面上にＳｉＣ単結晶を成長させるようにしている。これにより、複数の種結晶（５）に対して同時にＳｉＣ単結晶を成長させられるため、１ラン当たりのウェハの取れ数を多くすることが可能となる。そして、種結晶（５）が配置される台座部（９）の内壁面を中空円筒状部材（８ａ）の中心軸に対して傾斜させることで、台座部（９）の裏面からの冷却と、加熱容器（８）からの輻射熱効果により、種結晶（５）の表面での温度分布をほぼ均一にできる。したがって、ＳｉＣ単結晶を面内において均一に成長させることが可能となる。そして、真空容器（６）に冷却機構（６ａ）を備えていることから、より台座部（９）の裏面からの冷却を行うことが可能となり、台座部（９）内での温度分布が調整し易くなり、台座部（９）内で等温分布が台座部（９）の内壁面とほぼ平行となるように制御し易くなる。これにより、よりＳｉＣ単結晶を面内において均一に成長させることが可能となる。   Thus, the pedestal portion (9) whose inner wall surface is inclined with respect to the central axis of the hollow cylindrical member (8a) is provided, and seed crystals are formed on a plurality of flat surfaces provided on the inner wall surface of the pedestal portion (9). By arranging (5), a SiC single crystal is grown on the surfaces of the plurality of seed crystals (5). Thereby, since the SiC single crystal can be grown simultaneously on the plurality of seed crystals (5), it is possible to increase the number of wafers taken per run. And by inclining the inner wall surface of the pedestal part (9) where the seed crystal (5) is arranged with respect to the central axis of the hollow cylindrical member (8a), cooling from the back surface of the pedestal part (9), Due to the effect of radiant heat from the heating container (8), the temperature distribution on the surface of the seed crystal (5) can be made substantially uniform. Therefore, the SiC single crystal can be grown uniformly in the plane. And since the cooling mechanism (6a) is provided in the vacuum vessel (6), it becomes possible to cool from the back surface of the base part (9), and the temperature distribution in the base part (9) is adjusted. This makes it easy to control the isothermal distribution in the pedestal portion (9) so as to be substantially parallel to the inner wall surface of the pedestal portion (9). This makes it possible to grow a SiC single crystal more uniformly in the plane.

また、請求項１に記載の発明では、台座部（９）には、該台座部（９）における原料ガス（３）の流動方向下流側に希釈ガスとエッチングガスの少なくとも一方を導入するガス流路（１３）が備えられていることを特徴としている。
このように、ガス流路（１３）を備えて希釈ガスとエッチングガスの少なくとも一方を導入できるようにすると、台座部（９）における原料ガス（３）の流動方向下流側での多結晶の付着を防止することが可能となる。すなわち、台座部（９）における原料ガス（３）の流動方向下流側では、流路の断面積が小さくなるので、流束が上がり、多結晶が付着して閉塞し易くなる。このため、ガス流路（１３）から希釈ガスとエッチングガスの少なくとも一方が導入されるようにすることで、原料ガス（３）を希釈したり、多結晶が付着しようとしてもそれをエッチングすることで、多結晶が付着することを抑制することが可能となる。
請求項２に記載の発明では、台座部（９）には、原料ガス（３）の流動方向に沿って種結晶（５）が配置される面が多段備えられていることを特徴としている。 In the first aspect of the present invention, the gas flow for introducing at least one of the dilution gas and the etching gas into the pedestal portion (9) on the downstream side in the flow direction of the raw material gas (3) in the pedestal portion (9). A path (13) is provided.
As described above, when the gas flow path (13) is provided so that at least one of the dilution gas and the etching gas can be introduced, the polycrystal adheres on the downstream side in the flow direction of the source gas (3) in the pedestal portion (9). Can be prevented. That is, on the downstream side of the flow direction of the source gas (3) in the pedestal portion (9), the cross-sectional area of the flow path is small, so that the flux is increased and polycrystals are attached and easily blocked. Therefore, by introducing at least one of a dilution gas and an etching gas from the gas flow path (13), the source gas (3) is diluted or etched even if polycrystals are to be deposited. Thus, it is possible to suppress the adhesion of polycrystals.
The invention according to claim 2 is characterized in that the pedestal portion (9) is provided with multiple stages on which the seed crystal (5) is arranged along the flow direction of the source gas (3).

このようにすれば、より多数枚の種結晶（５）に対して同時にＳｉＣ単結晶を成長させられる。これにより、よりＳｉＣ単結晶の収率を向上させることが可能となる。   In this way, a SiC single crystal can be grown simultaneously on a larger number of seed crystals (5). Thereby, the yield of the SiC single crystal can be further improved.

請求項３に記載の発明では、台座部（９）の内壁面には、種結晶（５）の周囲を囲む、所定高さの整流板（９ａ）が備えられていることを特徴としている。   The invention according to claim 3 is characterized in that the inner wall surface of the pedestal portion (9) is provided with a rectifying plate (9a) having a predetermined height surrounding the seed crystal (5).

このような整流板（９ａ）を備えることにより、種結晶（５）の周囲において原料ガス（３）を整流でき、よりＳｉＣ単結晶を面内において均一に成長させることが可能となる。   By providing such a rectifying plate (9a), the source gas (3) can be rectified around the seed crystal (5), and a SiC single crystal can be more uniformly grown in the plane.

請求項４に記載の発明では、原料ガス（３）の導入導出が行え、内部空間の圧力を真空引きすることにより減圧できる構造とされた真空容器（６）と、中空円筒状部材（８ａ）を有して構成され、真空容器（６）内に配置され、原料ガス（３）の加熱を行う加熱容器（８）と、加熱容器（８）における原料ガス（３）の流動経路下流側に配置され、該流動経路下流側に向かって徐々に外径が拡大された円錐形状で、外壁面に種結晶（５）が貼り付けられる台座部（９）とを有し、台座部（９）には、種結晶（５）の裏面側から台座部（９）を冷却する冷却機構（９ｂ）が備えられ、台座部（９）の外壁面には、種結晶（５）が貼り付けられる面が複数備えられていることを特徴としている。 In the invention described in claim 4 , the vacuum vessel (6) which can introduce and lead the source gas (3) and can reduce the pressure by evacuating the internal space, and the hollow cylindrical member (8a) A heating vessel (8) disposed in the vacuum vessel (6) for heating the source gas (3), and on the downstream side of the flow path of the source gas (3) in the heating vessel (8) A pedestal portion (9) that is arranged and has a conical shape whose outer diameter is gradually enlarged toward the downstream side of the flow path, and a seed crystal (5) is affixed to the outer wall surface; Is provided with a cooling mechanism (9b) for cooling the pedestal portion (9) from the back side of the seed crystal (5), and the surface on which the seed crystal (5) is attached to the outer wall surface of the pedestal portion (9). It is characterized by having multiple.

このように、台座部（９）の外壁面を加熱容器（８）の中心軸に対して傾斜させるようにしても、種結晶（５）の表面での温度分布がほぼ均一となる。すなわち、台座部（９）のうち種結晶（５）の裏面側からの冷却と、加熱容器（８）からの輻射熱効果により、台座部（９）内での温度分布が台座部（９）の内壁面とほぼ平行となり、その上に貼り付けられた種結晶（５）の表面での温度分布もほぼ均一となる。したがって、ＳｉＣ単結晶を面内において均一に成長させることが可能となる。これにより、請求項１と同様の効果を得ることが可能となる。   Thus, even if the outer wall surface of the pedestal portion (9) is inclined with respect to the central axis of the heating vessel (8), the temperature distribution on the surface of the seed crystal (5) becomes substantially uniform. That is, the temperature distribution in the pedestal (9) of the pedestal (9) is reduced by the cooling from the back side of the seed crystal (5) in the pedestal (9) and the radiant heat effect from the heating container (8). The temperature distribution on the surface of the seed crystal (5) affixed on the inner wall surface is substantially parallel to the inner wall surface. Therefore, the SiC single crystal can be grown uniformly in the plane. Thus, the same effect as in the first aspect can be obtained.

また、請求項４に記載の発明では、加熱容器（８）には、台座部（９）の周囲において希釈ガスとエッチングガスの少なくとも一方を導入する第１ガス流路（１３ｂ）が備えられており、台座部（９）には、該台座部（９）における原料ガス（３）の流動方向下流側に希釈ガスとエッチングガスの少なくとも一方を導入する第２ガス流路（１３ｃ）が備えられていることを特徴としている。
このように、第１、第２ガス流路（１３ｂ、１３ｃ）を備えて希釈ガスとエッチングガスの少なくとも一方を導入できるようにすると、台座部（９）の周囲および台座部（９）における原料ガス（３）の流動方向下流側での多結晶の付着を防止することが可能となる。すなわち、台座部（９）の周囲および台座部（９）における原料ガス（３）の流動方向下流側では、流路の断面積が小さくなるので、流束が上がり、多結晶が付着して閉塞し易くなる。このため、ガス流路（１３）から希釈ガスとエッチングガスの少なくとも一方が導入されるようにすることで、原料ガス（３）を希釈したり、多結晶が付着しようとしてもそれをエッチングすることで、多結晶が付着することを抑制することが可能となる。
請求項５に記載の発明では、台座部（９）には、原料ガス（３）の流動方向に沿って種結晶（５）が配置される面が多段備えられていることを特徴としている。 In the invention according to claim 4, the heating vessel (8) is provided with a first gas flow path (13b) for introducing at least one of a dilution gas and an etching gas around the pedestal portion (9). The pedestal portion (9) is provided with a second gas flow path (13c) for introducing at least one of dilution gas and etching gas downstream of the pedestal portion (9) in the flow direction of the source gas (3). It is characterized by having.
As described above, when the first and second gas flow paths (13b, 13c) are provided so that at least one of the dilution gas and the etching gas can be introduced, the raw material around the pedestal portion (9) and in the pedestal portion (9). It is possible to prevent the polycrystal from adhering to the downstream side in the flow direction of the gas (3). That is, since the cross-sectional area of the flow path is small around the pedestal portion (9) and on the downstream side in the flow direction of the raw material gas (3) in the pedestal portion (9), the flux is increased and polycrystals adhere and block. It becomes easy to do. Therefore, by introducing at least one of a dilution gas and an etching gas from the gas flow path (13), the source gas (3) is diluted or etched even if polycrystals are to be deposited. Thus, it is possible to suppress the adhesion of polycrystals.
The invention according to claim 5 is characterized in that the pedestal portion (9) is provided with multiple stages on which the seed crystal (5) is arranged along the flow direction of the source gas (3).

このようにすれば、より多数枚の種結晶（５）に対して同時にＳｉＣ単結晶を成長させられる。これにより、よりＳｉＣ単結晶の収率を向上させることが可能となる。   In this way, a SiC single crystal can be grown simultaneously on a larger number of seed crystals (5). Thereby, the yield of the SiC single crystal can be further improved.

請求項６に記載の発明では、台座部（９）の内壁面には、種結晶（５）の周囲を囲む、所定高さの整流板（９ａ）が備えられていることを特徴としている。 The invention according to claim 6 is characterized in that the inner wall surface of the pedestal portion (9) is provided with a rectifying plate (9a) having a predetermined height surrounding the seed crystal (5).

このような整流板（９ａ）を備えることにより、種結晶（５）の周囲において原料ガス（３）を整流でき、よりＳｉＣ単結晶を面内において均一に成長させることが可能となる。   By providing such a rectifying plate (9a), the source gas (3) can be rectified around the seed crystal (5), and a SiC single crystal can be more uniformly grown in the plane.

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.

本発明の第１実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１の断面図である。It is sectional drawing of the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 concerning 1st Embodiment of this invention. 図１に示すＳｉＣ単結晶製造装置１を用いたＳｉＣ単結晶の製造中における台座部９内の等温分布を示したイメージ図である。It is the image figure which showed the isothermal distribution in the base part 9 during manufacture of the SiC single crystal using the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 shown in FIG. 本発明の第２実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１に備えられる台座部９の近傍の断面図である。It is sectional drawing of the vicinity of the base part 9 with which the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 concerning 2nd Embodiment of this invention is equipped. 本発明の第３実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１に備えられる台座部９の近傍の断面図である。It is sectional drawing of the vicinity of the base part 9 with which the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 concerning 3rd Embodiment of this invention is equipped. 本発明の第４実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１に備えられる台座部９の近傍の断面図である。It is sectional drawing of the vicinity of the base part 9 with which the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 concerning 4th Embodiment of this invention is equipped. 本発明の第５実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１の断面図である。It is sectional drawing of the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 concerning 5th Embodiment of this invention. 本発明の第６実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１の断面図である。It is sectional drawing of the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 concerning 6th Embodiment of this invention. 本発明の第７実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１の断面図である。It is sectional drawing of the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 concerning 7th Embodiment of this invention. 本発明の第８実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１に備えられる台座部９の近傍の断面図である。It is sectional drawing of the vicinity of the base part 9 with which the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 concerning 8th Embodiment of this invention is equipped. 本発明の第９実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１に備えられる台座部９の近傍の断面図である。It is sectional drawing of the vicinity of the base part 9 with which the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 concerning 9th Embodiment of this invention is equipped. 本発明の第１０実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１に備えられる台座部９の近傍の断面図である。It is sectional drawing of the vicinity of the base part 9 with which the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 concerning 10th Embodiment of this invention is equipped.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, the same or equivalent parts are denoted by the same reference numerals in the drawings.

（第１実施形態）
図１に、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１の断面図を示す。以下、この図を参照してＳｉＣ単結晶製造装置１の構造について説明する。 (First embodiment)
FIG. 1 shows a cross-sectional view of an SiC single crystal manufacturing apparatus 1 according to the present embodiment. Hereinafter, the structure of SiC single crystal manufacturing apparatus 1 will be described with reference to FIG.

図１に示すＳｉＣ単結晶製造装置１は、底部に備えられた流入口２を通じてキャリアガスと共にＳｉおよびＣを含有するＳｉＣの原料ガス３（例えば、シラン（ＳｉＨ4）等のシラン系ガスとプロパン（Ｃ3Ｈ8）等の炭化水素系ガスの混合ガス）を供給し、上部の流出口４を通じて排出することで、ＳｉＣ単結晶製造装置１内に配置したＳｉＣ単結晶基板からなる円形状の種結晶５上にＳｉＣ単結晶を結晶成長させるものである。 A SiC single crystal manufacturing apparatus 1 shown in FIG. 1 includes a raw material 3 of SiC containing Si and C together with a carrier gas through an inlet 2 provided at the bottom (for example, silane-based gas such as silane (SiH 4 ), and propane. (C 3 H 8 ) or other hydrocarbon-based gas) is discharged and discharged through the upper outlet 4 to form a circular single crystal substrate composed of a SiC single crystal substrate disposed in the SiC single crystal manufacturing apparatus 1. A SiC single crystal is grown on the seed crystal 5.

ＳｉＣ単結晶製造装置１には、真空容器６、第１断熱材７、加熱容器８、台座部９、第２断熱材１０および第１、第２加熱装置１１、１２が備えられている。   The SiC single crystal manufacturing apparatus 1 includes a vacuum container 6, a first heat insulating material 7, a heating container 8, a pedestal portion 9, a second heat insulating material 10, and first and second heating devices 11 and 12.

真空容器６は、石英管などで構成され、中空円筒状を為しており、キャリアガスや原料ガス３の導入導出が行え、かつ、ＳｉＣ単結晶製造装置１の他の構成要素を収容すると共に、その収容している内部空間の圧力を真空引きすることにより減圧できる構造とされている。この真空容器６の底部に原料ガス３の流入口２が設けられ、上部（具体的には側壁の上方位置）に原料ガス３の流出口４が設けられている。また、真空容器６の側壁内には、冷却水などによる冷却機構６ａが備えられており、この冷却機構６ａによってＳｉＣ単結晶製造装置１の周囲が冷却できるようになっている。   The vacuum vessel 6 is formed of a quartz tube or the like, has a hollow cylindrical shape, can introduce and lead the carrier gas and the source gas 3, and accommodates other components of the SiC single crystal manufacturing apparatus 1. The structure is such that the internal space in which it is housed can be depressurized by evacuating it. An inlet 2 for the source gas 3 is provided at the bottom of the vacuum vessel 6, and an outlet 4 for the source gas 3 is provided at the upper part (specifically, the position above the side wall). In addition, a cooling mechanism 6 a using cooling water or the like is provided in the side wall of the vacuum vessel 6, and the periphery of the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 can be cooled by this cooling mechanism 6 a.

第１断熱材７は、円筒等の筒形状を為しており、真空容器６に対して同軸的に配置され、中空部により原料ガス導入管７ａを構成している。第１断熱材７は、例えば黒鉛や表面をＴａＣ（炭化タンタル）にてコーティングした黒鉛などで構成される。   The first heat insulating material 7 has a cylindrical shape such as a cylinder, is coaxially arranged with respect to the vacuum vessel 6, and constitutes a raw material gas introduction pipe 7 a with a hollow portion. The first heat insulating material 7 is made of, for example, graphite or graphite whose surface is coated with TaC (tantalum carbide).

加熱容器８は、例えば黒鉛や表面をＴａＣ（炭化タンタル）にてコーティングした黒鉛などで構成されている。この加熱容器８により、流入口２から供給された原料ガス３を種結晶５に導くまでに、原料ガス３に含まれたパーティクルを排除しつつ、原料ガス３を分解している。具体的には、加熱容器８は、有底円筒状部材８ａと邪魔板８ｂとを有して構成されている。   The heating container 8 is made of, for example, graphite or graphite whose surface is coated with TaC (tantalum carbide). By this heating container 8, the raw material gas 3 is decomposed while excluding particles contained in the raw material gas 3 until the raw material gas 3 supplied from the inlet 2 is led to the seed crystal 5. Specifically, the heating container 8 includes a bottomed cylindrical member 8a and a baffle plate 8b.

有底円筒状部材８ａは、中空円筒状部材を構成するものであり、その中心軸がＳｉＣ単結晶製造装置１の中心軸と同軸とされている。この有底円筒状部材８ａの底部における中央位置には、底部に第１断熱材７の中空部と連通させられるガス導入口８ｃが備えられ、第１断熱材７の中空部を通過してきた原料ガス３がガス導入口８ｃを通じて加熱容器８内に導入される。   The bottomed cylindrical member 8a constitutes a hollow cylindrical member, and its central axis is coaxial with the central axis of the SiC single crystal manufacturing apparatus 1. At the center position of the bottom of the bottomed cylindrical member 8a, a gas introduction port 8c that is communicated with the hollow portion of the first heat insulating material 7 is provided at the bottom, and the raw material that has passed through the hollow portion of the first heat insulating material 7 The gas 3 is introduced into the heating container 8 through the gas inlet 8c.

邪魔板８ｂは、ガス導入口８ｃを塞ぐように配置されている。この邪魔板８ｂに原料ガス３が衝突することで原料ガス３の流動経路が曲げられ、原料ガス３に含まれるパーティクルの排除と原料ガス３のミキシングが行われると共に、未分解の原料ガス３が種結晶５側に供給されることが抑制されている。例えば、邪魔板８ｂは、有底円筒状で、側壁に複数の連通孔８ｄが形成された構造とされ、邪魔板８ｂの開口部側、つまり底部と反対側の端部が加熱容器８の底部のガス導入口８ｃに向けて配置される。このような構造の場合、ガス導入口８ｃから導入された原料ガス３が邪魔板８ｂの底面に衝突するため、邪魔板８ｂに衝突したパーティクルが加熱容器８の底部に落下して原料ガス３から排除される。そして、流動経路が加熱容器８の軸方向と平行な方向から垂直な方向に変えられた原料ガス３が、連通孔８ｄを通じて加熱容器８における邪魔板８ｂよりも流動経路下流側に導かれる。   The baffle plate 8b is disposed so as to block the gas introduction port 8c. When the source gas 3 collides with the baffle plate 8b, the flow path of the source gas 3 is bent, and particles contained in the source gas 3 are removed and the source gas 3 is mixed. Supply to the seed crystal 5 side is suppressed. For example, the baffle plate 8b has a bottomed cylindrical shape, and has a structure in which a plurality of communication holes 8d are formed in the side wall. It is arranged toward the gas inlet 8c. In the case of such a structure, the source gas 3 introduced from the gas inlet 8c collides with the bottom surface of the baffle plate 8b. Eliminated. Then, the raw material gas 3 whose flow path is changed from the direction parallel to the axial direction of the heating container 8 to the vertical direction is guided to the downstream side of the flow path from the baffle plate 8b in the heating container 8 through the communication hole 8d.

台座部９は、例えば黒鉛や表面をＴａＣ（炭化タンタル）にてコーティングした黒鉛、もしくはカーボン断熱材などで構成されている。台座９は、中空形状で構成された円筒部材とされ、その中心軸が加熱容器８の中心軸と同軸上に配置され、一端側が有底円筒状部材８ａの開口端側に接続されている。この台座部９の内壁面に種結晶５が貼り付けられ、台座部９の中空部を反応室として種結晶５の表面にＳｉＣ単結晶を成長させる。   The pedestal portion 9 is made of, for example, graphite, graphite whose surface is coated with TaC (tantalum carbide), or a carbon heat insulating material. The pedestal 9 is a cylindrical member configured in a hollow shape, the central axis thereof is arranged coaxially with the central axis of the heating container 8, and one end side is connected to the open end side of the bottomed cylindrical member 8a. The seed crystal 5 is affixed to the inner wall surface of the pedestal portion 9, and a SiC single crystal is grown on the surface of the seed crystal 5 using the hollow portion of the pedestal portion 9 as a reaction chamber.

この台座部９は、外径は一定とされているが、内径が原料ガス３の流動経路下流側に向かって徐々に縮小されている。このため、台座部９の厚みは、原料ガス３の流動経路下流側に向かって徐々に厚くなっている。また、原料ガス３の流動経路の断面積が徐々に縮小され、台座部９の内壁面によって原料ガス３の流束が徐々に絞られる。また、台座部９の内壁面は基本的には円錐台形状とされているが、種結晶５が配置される位置において部分的に円形状の平坦面とされ、これが種結晶５の貼付面とされる。この平坦面は、台座部９の内壁面の複数箇所に備えられ、周方向において等間隔に並べられている。   The pedestal 9 has a constant outer diameter, but the inner diameter is gradually reduced toward the downstream side of the flow path of the source gas 3. For this reason, the thickness of the pedestal portion 9 is gradually increased toward the downstream side of the flow path of the source gas 3. Further, the cross-sectional area of the flow path of the source gas 3 is gradually reduced, and the flux of the source gas 3 is gradually reduced by the inner wall surface of the pedestal portion 9. In addition, the inner wall surface of the pedestal portion 9 is basically in the shape of a truncated cone, but at the position where the seed crystal 5 is arranged, it is a partially circular flat surface. Is done. The flat surfaces are provided at a plurality of locations on the inner wall surface of the pedestal portion 9 and are arranged at equal intervals in the circumferential direction.

このように、台座部９の内壁面のうちの平坦面に種結晶５が貼り付けられることで、種結晶５が加熱容器８の中心軸に対して傾斜した状態で配置される。台座部９の内壁面が加熱容器８の中心軸に対して成す角度θは、原料ガス３の流量に応じて適宜設定される。例えば、原料ガス３としてＳｉＨ4、Ｃ3Ｈ8、Ｈ2を用い、これらの流量をＳｉＨ4：１ｓｌｍ、Ｃ3Ｈ8：３３３ｓｃｃｍ、Ｈ2：１０〜１５ｓｌｍとする場合には、角度θが１３°≦θ≦２３°に設定されると好ましい。 In this way, the seed crystal 5 is attached to the flat surface of the inner wall surface of the pedestal portion 9, so that the seed crystal 5 is disposed in an inclined state with respect to the central axis of the heating container 8. The angle θ formed by the inner wall surface of the pedestal 9 with respect to the central axis of the heating container 8 is appropriately set according to the flow rate of the raw material gas 3. For example, when SiH 4 , C 3 H 8 , and H 2 are used as the source gas 3 and these flow rates are SiH 4 : 1 slm, C 3 H 8 : 333 sccm, and H 2 : 10 to 15 slm, the angle θ is It is preferable that the angle is set to 13 ° ≦ θ ≦ 23 °.

第２断熱材１０は、真空容器６の側壁面に沿って配置され、中空円筒状を為している。この第２断熱材１０により、ほぼ第１断熱材７や加熱容器８が囲まれている。この第２断熱材１０も、例えば黒鉛や表面をＴａＣ（炭化タンタル）にてコーティングされた黒鉛などで構成される。   The second heat insulating material 10 is disposed along the side wall surface of the vacuum vessel 6 and has a hollow cylindrical shape. The second heat insulating material 10 substantially surrounds the first heat insulating material 7 and the heating container 8. The second heat insulating material 10 is also made of, for example, graphite or graphite whose surface is coated with TaC (tantalum carbide).

第１、第２加熱装置１１、１２は、例えば誘導加熱用コイルやヒータなどで構成され、真空容器６の周囲を囲むように配置されている。これら第１、第２加熱装置１１、１２は、それぞれ独立して温度制御できるように構成されている。このため、より細やかな温度制御を行うことができる。第１加熱装置１１は、加熱容器８のうちの有底円筒状部材８ａや邪魔板８ｂと対応した位置に配置されている。第２加熱装置１２は、台座部９に対応した位置に配置されている。このような配置とされているため、第１、第２加熱装置１１、１２を制御することにより、反応室の温度分布をＳｉＣ単結晶の成長に適した温度に調整できると共に、加熱容器８のうちの有底円筒状部材８ａや邪魔板８ｂの温度をパーティクルの除去に適した温度に調整できる。   The first and second heating devices 11 and 12 are constituted by, for example, induction heating coils or heaters, and are disposed so as to surround the vacuum vessel 6. These 1st, 2nd heating apparatuses 11 and 12 are comprised so that temperature control can be carried out independently, respectively. For this reason, finer temperature control can be performed. The first heating device 11 is disposed at a position corresponding to the bottomed cylindrical member 8 a and the baffle plate 8 b in the heating container 8. The second heating device 12 is disposed at a position corresponding to the pedestal portion 9. Due to such an arrangement, the temperature distribution in the reaction chamber can be adjusted to a temperature suitable for the growth of the SiC single crystal by controlling the first and second heating devices 11 and 12, and the heating vessel 8 The temperature of the bottomed cylindrical member 8a and the baffle plate 8b can be adjusted to a temperature suitable for removing particles.

続いて、このように構成されたＳｉＣ単結晶製造装置１を用いたＳｉＣ単結晶の製造方法について説明する。図２は、図１に示すＳｉＣ単結晶製造装置１を用いたＳｉＣ単結晶の製造中における台座部９内の等温分布を示したイメージ図である。   Then, the manufacturing method of the SiC single crystal using the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 comprised in this way is demonstrated. FIG. 2 is an image diagram showing an isothermal distribution in the pedestal portion 9 during the production of the SiC single crystal using the SiC single crystal production apparatus 1 shown in FIG.

まず、第１、第２加熱装置１１、１２を制御し、所望の温度分布を付ける。すなわち、種結晶５の表面において原料ガス３が再結晶化されることでＳｉＣ単結晶が成長しつつ、加熱容器８内において再結晶化レートよりも昇華レートの方が高くなる温度となるようにする。例えば、加熱容器８の温度が２４００℃程度、台座部９の温度が２２００℃程度となるように第１、第２加熱装置１１、１２を制御する。   First, the first and second heating devices 11 and 12 are controlled to give a desired temperature distribution. That is, the source gas 3 is recrystallized on the surface of the seed crystal 5, so that the SiC single crystal grows and the sublimation rate becomes higher in the heating vessel 8 than the recrystallization rate. To do. For example, the first and second heating devices 11 and 12 are controlled so that the temperature of the heating container 8 is about 2400 ° C. and the temperature of the pedestal portion 9 is about 2200 ° C.

また、真空容器６を所望圧力にしつつ、必要に応じてＡｒガスなどの不活性ガスによるキャリアガスを導入しながら原料ガス導入管７ａを通じて原料ガス３としてＳｉＨ4、Ｃ3Ｈ8、Ｈ2を導入する。これにより、図１および図２中の矢印で示したように原料ガス３が流動し、種結晶５に供給されてＳｉＣ単結晶を成長させることができる。 Further, SiH 4 , C 3 H 8 , and H 2 are supplied as the source gas 3 through the source gas introduction pipe 7 a while introducing a carrier gas of an inert gas such as Ar gas as necessary while keeping the vacuum vessel 6 at a desired pressure. Introduce. Thereby, as shown by the arrows in FIG. 1 and FIG. 2, the source gas 3 flows and is supplied to the seed crystal 5 so that a SiC single crystal can be grown.

このとき、本実施形態では、台座部９の内壁面を加熱容器８の中心軸に対して傾斜させていることから、種結晶５の表面での温度分布がほぼ均一となる。すなわち、台座部９の裏面からの冷却と、第１加熱装置１１によって加熱された加熱容器８からの輻射熱効果により、台座部９内での温度分布が台座部９の内壁面とほぼ平行となり、その上に貼り付けられた種結晶５の表面での温度分布もほぼ均一となる。このため、加熱容器８の中心軸と垂直な方向に等温分布が形成されるような従来の場合と比較して、本実施形態のＳｉＣ単結晶製造装置１では、種結晶５の表面での温度分布、引いてはその上に成長させられるＳｉＣ単結晶の成長表面の温度分布が均一となる。したがって、ＳｉＣ単結晶を面内において均一に成長させることが可能となる。   At this time, in this embodiment, since the inner wall surface of the pedestal portion 9 is inclined with respect to the central axis of the heating vessel 8, the temperature distribution on the surface of the seed crystal 5 becomes substantially uniform. That is, due to the cooling from the back surface of the pedestal part 9 and the radiant heat effect from the heating container 8 heated by the first heating device 11, the temperature distribution in the pedestal part 9 is substantially parallel to the inner wall surface of the pedestal part 9, The temperature distribution on the surface of the seed crystal 5 affixed thereon is also substantially uniform. For this reason, in the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 of this embodiment, compared with the conventional case where isothermal distribution is formed in the direction perpendicular to the central axis of the heating vessel 8, the temperature at the surface of the seed crystal 5 is higher. The distribution, that is, the temperature distribution of the growth surface of the SiC single crystal grown on it is uniform. Therefore, the SiC single crystal can be grown uniformly in the plane.

以上説明したように、本実施形態では、加熱容器８の中心軸に対して内壁面を傾斜させた台座部９を備え、この台座部９の内壁面に対して周方向に並べた複数の平坦面に種結晶５を配置することで、複数の種結晶５の表面上にＳｉＣ単結晶を成長させるようにしている。このように、複数の種結晶５に対して同時にＳｉＣ単結晶を成長させることで１ラン当たりのウェハの取れ数を多くすることが可能となる。そして、種結晶５が配置される台座部９の内壁面を加熱容器８の中心軸に対して傾斜させることで、台座部９の裏面からの冷却と、第１加熱装置１１によって加熱された加熱容器８からの輻射熱効果により、種結晶５の表面での温度分布をほぼ均一にできる。したがって、ＳｉＣ単結晶を面内において均一に成長させることが可能となる。   As described above, in the present embodiment, the pedestal portion 9 whose inner wall surface is inclined with respect to the central axis of the heating container 8 is provided, and a plurality of flat surfaces arranged in the circumferential direction with respect to the inner wall surface of the pedestal portion 9 are provided. By arranging the seed crystal 5 on the surface, a SiC single crystal is grown on the surface of the plurality of seed crystals 5. As described above, it is possible to increase the number of wafers taken per run by simultaneously growing SiC single crystals on the plurality of seed crystals 5. Then, by cooling the inner wall surface of the pedestal portion 9 on which the seed crystal 5 is disposed with respect to the central axis of the heating container 8, cooling from the back surface of the pedestal portion 9 and heating heated by the first heating device 11. Due to the radiant heat effect from the container 8, the temperature distribution on the surface of the seed crystal 5 can be made substantially uniform. Therefore, the SiC single crystal can be grown uniformly in the plane.

特に、真空容器６に冷却機構６ａを備えていることから、より台座部９の裏面からの冷却を行うことが可能となり、台座部９内での温度分布が調整し易くなり、台座部９内で等温分布が台座部９の内壁面とほぼ平行となるように制御し易くなる。これにより、よりＳｉＣ単結晶を面内において均一に成長させることが可能となる。   In particular, since the vacuum vessel 6 is provided with the cooling mechanism 6a, it is possible to perform cooling from the back surface of the pedestal portion 9, and the temperature distribution in the pedestal portion 9 can be easily adjusted. Thus, the isothermal distribution can be easily controlled so as to be substantially parallel to the inner wall surface of the pedestal portion 9. This makes it possible to grow a SiC single crystal more uniformly in the plane.

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して台座部９の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。 (Second Embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described. In this embodiment, the configuration of the pedestal portion 9 is changed with respect to the first embodiment, and the other parts are the same as those in the first embodiment, and therefore only different parts will be described.

図３は、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１に備えられる台座部９の近傍の断面図である。この図に示されるように、本実施形態では、第１実施形態に対して、台座部９の内壁面を中心軸方向において伸ばしている。そして、この内壁面に対して周方向に複数の種結晶５を配置しているのに加え、原料ガス３の流動方向にも種結晶５を複数枚（図３中では２枚）並べている。すなわち、原料ガス３の流動方向に沿って多段に配置した種結晶５に対して同時にＳｉＣ単結晶を成長させるようにする。   FIG. 3 is a cross-sectional view of the vicinity of the pedestal portion 9 provided in the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 according to the present embodiment. As shown in this figure, in the present embodiment, the inner wall surface of the pedestal portion 9 is extended in the central axis direction with respect to the first embodiment. In addition to the plurality of seed crystals 5 being arranged in the circumferential direction with respect to the inner wall surface, a plurality of seed crystals 5 (two in FIG. 3) are also arranged in the flow direction of the source gas 3. That is, the SiC single crystal is grown simultaneously on the seed crystals 5 arranged in multiple stages along the flow direction of the source gas 3.

この場合、例えば、加熱容器８の温度が２４００℃程度、台座部９のうち原料ガス３の流動経路上流側に位置する種結晶５と対応する位置が２２００℃、流動経路下流側に位置する種結晶５と対応する位置が２１００℃となるようにする。   In this case, for example, the temperature of the heating container 8 is about 2400 ° C., and the position corresponding to the seed crystal 5 located on the upstream side of the flow path of the raw material gas 3 in the pedestal portion 9 is 2200 ° C., the seed located on the downstream side of the flow path The position corresponding to the crystal 5 is set to 2100 ° C.

このように、原料ガス３の流動方向に沿って種結晶５を多段に配置し、台座部９のうち各段に配置された種結晶５と対応する位置の温度が、原料ガス３の流量経路上流側から下流側に向かって徐々に低下させられるようにすることで、より多数枚の種結晶５に対して同時にＳｉＣ単結晶を成長させられる。これにより、よりＳｉＣ単結晶の収率を向上させることが可能となる。   In this way, the seed crystals 5 are arranged in multiple stages along the flow direction of the source gas 3, and the temperature of the position corresponding to the seed crystals 5 arranged in each stage in the pedestal portion 9 is the flow path of the source gas 3. By gradually lowering from the upstream side toward the downstream side, SiC single crystals can be simultaneously grown on a larger number of seed crystals 5. Thereby, the yield of the SiC single crystal can be further improved.

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対して台座部９の構成を変更したものであり、その他に関しては第２実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは第２実施形態に対して台座部９を変更する場合について説明するが、第１実施形態についても同様の構成を採用できる。 (Third embodiment)
A third embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the configuration of the pedestal portion 9 is changed with respect to the second embodiment, and the other parts are the same as those of the second embodiment, and therefore only different portions will be described. In addition, although the case where the base part 9 is changed with respect to 2nd Embodiment is demonstrated here, the same structure is employable also about 1st Embodiment.

図４は、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１に備えられる台座部９の近傍の断面図である。この図に示されるように、本実施形態では、台座部９の内壁面に対して種結晶５の周囲を囲む整流板９ａを備えるようにしている。整流板９ａは、例えば黒鉛や表面をＴａＣ（炭化タンタル）にてコーティングされた黒鉛などで構成され、種結晶５の厚みと同等の高さに設定されている。このような整流板９ａを配置すると、整流板９ａの表面と種結晶５の表面との高さが同等となっていることから、種結晶５の側壁面によって原料ガス３の乱流が起こることを抑制できる。   FIG. 4 is a cross-sectional view of the vicinity of the pedestal portion 9 provided in the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 according to the present embodiment. As shown in this figure, in the present embodiment, a rectifying plate 9 a surrounding the seed crystal 5 with respect to the inner wall surface of the pedestal portion 9 is provided. The rectifying plate 9 a is made of, for example, graphite or graphite whose surface is coated with TaC (tantalum carbide), and is set to a height equivalent to the thickness of the seed crystal 5. When such a rectifying plate 9a is arranged, the height of the surface of the rectifying plate 9a and the surface of the seed crystal 5 are equal, and therefore the turbulent flow of the source gas 3 occurs due to the side wall surface of the seed crystal 5. Can be suppressed.

これにより、種結晶５の周囲において原料ガス３を整流でき、よりＳｉＣ単結晶を面内において均一に成長させることが可能となる。   As a result, the source gas 3 can be rectified around the seed crystal 5, and a SiC single crystal can be more uniformly grown in the plane.

（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態は、第３実施形態に対して加熱容器８および台座部９の周囲の構成を変更したものであり、その他に関しては第３実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは第３実施形態に対して台座部９を変更する場合について説明するが、第１、第２実施形態ついても同様の構成を採用できる。 (Fourth embodiment)
A fourth embodiment of the present invention will be described. In this embodiment, the configuration around the heating container 8 and the pedestal portion 9 is changed with respect to the third embodiment, and the other parts are the same as those in the third embodiment, and therefore only different parts will be described. In addition, although the case where the base part 9 is changed with respect to 3rd Embodiment is demonstrated here, the same structure is employable also about 1st, 2nd embodiment.

図５は、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１に備えられる台座部９の近傍の断面図である。この図に示されるように、本実施形態では、加熱容器８および台座部９の内部にガス流路１３を形成し、台座部９における原料ガス３の流動方向下流側に希釈ガスとエッチングガスの少なくとも一方が導入できるようにしている。ガス流路１３は、加熱容器８の有底円筒状部材８ａと台座部９の外周壁から所定距離内側に形成され、台座部９における原料ガス３の流動方向下流側の端部において、内周壁側に向けて折り曲げられた形状とされている。そして、台座部８の内周壁側にガス出口１３ａが形成され、このガス出口１３ａを通じて、台座部９における原料ガス３の流動方向下流側に希釈ガスとエッチングガスの少なくとも一方を導入する。例えば、希釈ガスとしてはＡｒを用いることができ、エッチングガスとしてはＨＣｌを用いることができる。これらは、例えばＡｒ：３０ｓｌｍ、ＨＣｌ：５ｓｌｍの流量で流すことができる。   FIG. 5 is a cross-sectional view of the vicinity of the pedestal portion 9 provided in the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 according to the present embodiment. As shown in this figure, in the present embodiment, a gas flow path 13 is formed inside the heating vessel 8 and the pedestal portion 9, and dilution gas and etching gas are flown downstream of the raw material gas 3 in the pedestal portion 9 in the flow direction. At least one of them can be introduced. The gas flow path 13 is formed at a predetermined distance from the bottomed cylindrical member 8a of the heating container 8 and the outer peripheral wall of the pedestal portion 9, and the inner peripheral wall at the end of the pedestal portion 9 on the downstream side in the flow direction of the raw material gas 3. It is the shape bent toward the side. And the gas outlet 13a is formed in the inner peripheral wall side of the base part 8, and at least one of dilution gas and etching gas is introduce | transduced into the flow direction downstream of the raw material gas 3 in the base part 9 through this gas outlet 13a. For example, Ar can be used as the dilution gas, and HCl can be used as the etching gas. These can be flowed at a flow rate of Ar: 30 slm, HCl: 5 slm, for example.

このように、ガス流路１３を備えて希釈ガスとエッチングガスの少なくとも一方を導入できるようにすると、台座部９における原料ガス３の流動方向下流側での多結晶の付着を防止することが可能となる。すなわち、台座部９における原料ガス３の流動方向下流側では、流路の断面積が小さくなるので、流束が上がり、多結晶が付着して閉塞し易くなる。このため、ガス流路１３から希釈ガスとエッチングガスの少なくとも一方が導入されるようにすることで、原料ガス３を希釈したり、多結晶が付着しようとしてもそれをエッチングすることで、多結晶が付着することを抑制することが可能となる。   As described above, when the gas flow path 13 is provided so that at least one of the dilution gas and the etching gas can be introduced, it is possible to prevent the polycrystal from adhering to the pedestal portion 9 on the downstream side in the flow direction of the raw material gas 3. It becomes. That is, on the downstream side in the flow direction of the raw material gas 3 in the pedestal portion 9, since the cross-sectional area of the flow path is small, the flux is increased, and polycrystals are easily attached and blocked. For this reason, by introducing at least one of a dilution gas and an etching gas from the gas flow path 13, the source gas 3 is diluted, or even if polycrystals are to be deposited, the polycrystal is etched. It becomes possible to suppress the adhesion.

（第５実施形態）
本発明の第５実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対して第２断熱材１０の構成を変更したものであり、その他に関しては第２実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは第２実施形態に対して第２断熱材１０を変更する場合について説明するが、第１、第３、第４実施形態ついても同様の構成を採用できる。 (Fifth embodiment)
A fifth embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the configuration of the second heat insulating material 10 is changed with respect to the second embodiment, and the others are the same as those in the second embodiment, and therefore only different parts will be described. In addition, although the case where the 2nd heat insulating material 10 is changed with respect to 2nd Embodiment is demonstrated here, the same structure is employable also about 1st, 3rd, 4th embodiment.

図６は、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１の断面図である。この図に示されるように、本実施形態では、第１実施形態に対して第２断熱材１０の軸方向長を短くし、第２断熱材１０が加熱容器８の周囲には配置されるが、台座部９の周囲には配置されないようにしている。このような構成とすれば、台座部９の裏面をより積極的に冷却することが可能となり、台座部９内での温度分布が台座部９の内壁面とより平行となる。これにより、その上に貼り付けられた種結晶５の表面での温度分布をより均一とすることが可能となり、よりＳｉＣ単結晶を面内において均一に成長させることが可能となる。   FIG. 6 is a cross-sectional view of the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 according to the present embodiment. As shown in this figure, in this embodiment, the axial length of the second heat insulating material 10 is shortened compared to the first embodiment, and the second heat insulating material 10 is arranged around the heating container 8. The pedestal portion 9 is not arranged around the base portion 9. With such a configuration, the back surface of the pedestal portion 9 can be more actively cooled, and the temperature distribution in the pedestal portion 9 becomes more parallel to the inner wall surface of the pedestal portion 9. This makes it possible to make the temperature distribution on the surface of the seed crystal 5 affixed thereon more uniform, and it is possible to grow a SiC single crystal more uniformly in the plane.

（第６実施形態）
本発明の第６実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対してＳｉＣ半導体装置１の形状、具体的には真空容器６や台座部９および第２断熱材１０の形状を変更したものであり、その他に関しては第２実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは第２実施形態に対して第２断熱材１０を変更する場合について説明するが、第１、第３〜第５実施形態ついても同様の構成を採用できる。 (Sixth embodiment)
A sixth embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the shape of the SiC semiconductor device 1, specifically, the shapes of the vacuum vessel 6, the pedestal portion 9, and the second heat insulating material 10 are changed with respect to the second embodiment. Since it is the same as that of embodiment, only a different part is demonstrated. In addition, although the case where the 2nd heat insulating material 10 is changed with respect to 2nd Embodiment is demonstrated here, the same structure is employable also about 1st, 3rd-5th embodiment.

図７は、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１の断面図である。この図に示されるように、本実施形態では、台座部９を原料ガス３の流動経路上流側から下流側に向けて内径だけでなく外径も縮小されるような中空円錐台形状としている。そして、この台座部９の周囲に配置される第２断熱材１０および真空容器６についても、台座部９と同様に、台座部９を囲んでいる部位において、原料ガス３の流動経路上流側から下流側に向けて内径および外径が縮小させられた中空円錐台経常となるようにしている。   FIG. 7 is a cross-sectional view of the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 according to the present embodiment. As shown in this figure, in this embodiment, the pedestal 9 has a hollow truncated cone shape that reduces not only the inner diameter but also the outer diameter from the upstream side to the downstream side of the flow path of the raw material gas 3. And also about the 2nd heat insulating material 10 and the vacuum vessel 6 which are arrange | positioned around this base part 9, similarly to the base part 9, in the site | part surrounding the base part 9, from the flow path upstream of the source gas 3 A hollow frustum with a reduced inner diameter and outer diameter toward the downstream side is made ordinary.

このような形状とすると、台座部９の裏面と台座部９の内壁面との距離が短くなる。このため、台座部９の裏面がより冷却し易くなる。特に、台座部９の裏面に対して真空容器６に備えた冷却機構６ａを近づけることができるため、台座部９の裏面をより積極的に冷却することが可能となり、台座部９内での温度分布が台座部９の内壁面とより平行となる。これにより、その上に貼り付けられた種結晶５の表面での温度分布をより均一とすることが可能となり、よりＳｉＣ単結晶を面内において均一に成長させることが可能となる。   With such a shape, the distance between the back surface of the pedestal portion 9 and the inner wall surface of the pedestal portion 9 is shortened. For this reason, it becomes easier to cool the back surface of the base part 9. In particular, since the cooling mechanism 6a provided in the vacuum vessel 6 can be brought closer to the back surface of the pedestal portion 9, the back surface of the pedestal portion 9 can be more actively cooled, and the temperature in the pedestal portion 9 can be increased. The distribution is more parallel to the inner wall surface of the pedestal portion 9. This makes it possible to make the temperature distribution on the surface of the seed crystal 5 affixed thereon more uniform, and it is possible to grow a SiC single crystal more uniformly in the plane.

なお、ここでは第２断熱材１０にて台座部９の周囲が囲まれるようにしたが、第５実施形態のように、台座部９の周囲には第２断熱材１０が配置されないようにすれば、より積極的に台座部９の裏面を冷却することが可能となり、さらに上記効果を得ることが可能となる。   Here, the periphery of the pedestal portion 9 is surrounded by the second heat insulating material 10, but the second heat insulating material 10 is not disposed around the pedestal portion 9 as in the fifth embodiment. As a result, the back surface of the pedestal portion 9 can be more actively cooled, and the above-described effects can be obtained.

（第７実施形態）
本発明の第７実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して台座部９の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。 (Seventh embodiment)
A seventh embodiment of the present invention will be described. In this embodiment, the configuration of the pedestal portion 9 is changed with respect to the first embodiment, and the other parts are the same as those in the first embodiment, and therefore only different parts will be described.

図８は、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１に備えられる台座部９の近傍の断面図である。この図に示されるように、本実施形態では、台座部９を加熱容器８における原料ガス３の流動経路下流側の中央位置に配置している。台座部９は、外径が原料ガス３の流動経路下流側に向かって徐々に拡大された円錐形状とされ、台座部９の厚みは、原料ガス３の流動経路下流側に向かって徐々に厚くなっている。このため、原料ガス３の流動経路の断面積が徐々に縮小され、台座部９の外壁面によって原料ガス３の流束が徐々に絞られる。また、台座部９の外壁面は基本的には円錐形状とされているが、種結晶５が配置される位置において部分的に平坦面とされ、これが種結晶５の貼付面とされる。この平坦面は、台座部９の外壁面の複数箇所に備えられ、周方向において等間隔に並べられていると共に、中心軸方向にも複数段並べられている。   FIG. 8 is a cross-sectional view of the vicinity of the base portion 9 provided in the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 according to the present embodiment. As shown in this figure, in this embodiment, the pedestal portion 9 is disposed at a central position on the downstream side of the flow path of the raw material gas 3 in the heating container 8. The pedestal portion 9 has a conical shape whose outer diameter is gradually enlarged toward the downstream side of the flow path of the source gas 3, and the thickness of the pedestal portion 9 is gradually increased toward the downstream side of the flow path of the source gas 3. It has become. For this reason, the cross-sectional area of the flow path of the raw material gas 3 is gradually reduced, and the flux of the raw material gas 3 is gradually reduced by the outer wall surface of the pedestal portion 9. The outer wall surface of the pedestal portion 9 is basically conical, but is partially flat at the position where the seed crystal 5 is disposed, and this is the sticking surface of the seed crystal 5. The flat surfaces are provided at a plurality of locations on the outer wall surface of the pedestal portion 9, and are arranged at equal intervals in the circumferential direction, and are also arranged in a plurality of stages in the central axis direction.

このように、台座部９の外壁面のうちの平坦面に種結晶５が貼り付けられることで、種結晶５が加熱容器８の中心軸に対して傾斜した状態で配置される。台座部９の内壁面が加熱容器８の中心軸に対して成す角度θは、原料ガス３の流量に応じて適宜設定される。例えば、原料ガス３としてＳｉＨ4、Ｃ3Ｈ8、Ｈ2を用い、これらの流量をＳｉＨ4：１ｓｌｍ、Ｃ3Ｈ8：３３３ｓｃｃｍ、Ｈ2：１０〜１５ｓｌｍとする場合には、角度θが１３°≦θ≦２３°に設定されると好ましい。 In this way, the seed crystal 5 is attached to the flat surface of the outer wall surface of the pedestal portion 9, so that the seed crystal 5 is disposed in an inclined state with respect to the central axis of the heating container 8. The angle θ formed by the inner wall surface of the pedestal 9 with respect to the central axis of the heating container 8 is appropriately set according to the flow rate of the raw material gas 3. For example, when SiH 4 , C 3 H 8 , and H 2 are used as the source gas 3 and these flow rates are SiH 4 : 1 slm, C 3 H 8 : 333 sccm, and H 2 : 10 to 15 slm, the angle θ is It is preferable that the angle is set to 13 ° ≦ θ ≦ 23 °.

また、台座部９の中心位置には、種結晶５の裏面側から台座部９を冷却することが可能な冷却機構９ｂが備えられている。このため、より台座部９を種結晶５の裏面側から効率よく冷却できる構造と可能とされている。   A cooling mechanism 9 b that can cool the pedestal portion 9 from the back side of the seed crystal 5 is provided at the center position of the pedestal portion 9. For this reason, the structure which can cool the base part 9 more efficiently from the back surface side of the seed crystal 5 is enabled.

このような構成のＳｉＣ半導体装置１を用いて、種結晶５の表面にＳｉＣ単結晶を成長させる場合、例えば、加熱容器８の温度が２４００℃程度、台座部９の温度が２２００℃程度となるように第１、第２加熱装置１１、１２を制御する。   When a SiC single crystal is grown on the surface of the seed crystal 5 using the SiC semiconductor device 1 having such a configuration, for example, the temperature of the heating container 8 is about 2400 ° C. and the temperature of the pedestal portion 9 is about 2200 ° C. Thus, the first and second heating devices 11 and 12 are controlled.

このとき、台座部９の外壁面を加熱容器８の中心軸に対して傾斜させていることから、種結晶５の表面での温度分布がほぼ均一となる。すなわち、台座部９のうち種結晶５の裏面側からの冷却と、第１加熱装置１１によって加熱された加熱容器８からの輻射熱効果により、台座部９内での温度分布が台座部９の内壁面とほぼ平行となり、その上に貼り付けられた種結晶５の表面での温度分布もほぼ均一となる。このため、ＳｉＣ単結晶製造装置１の中心軸と垂直な方向に等温分布が形成されるような従来の場合と比較して、本実施形態のＳｉＣ単結晶製造装置１では、種結晶５の表面での温度分布、引いてはその上に成長させられるＳｉＣ単結晶の成長表面の温度分布が均一となる。したがって、ＳｉＣ単結晶を面内において均一に成長させることが可能となる。これにより、第１実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。   At this time, since the outer wall surface of the pedestal portion 9 is inclined with respect to the central axis of the heating container 8, the temperature distribution on the surface of the seed crystal 5 becomes substantially uniform. That is, due to cooling from the back side of the seed crystal 5 in the pedestal portion 9 and the radiant heat effect from the heating container 8 heated by the first heating device 11, the temperature distribution in the pedestal portion 9 is within the pedestal portion 9. The temperature distribution on the surface of the seed crystal 5 which is almost parallel to the wall surface and is affixed thereon is also substantially uniform. For this reason, in the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 of this embodiment, compared with the conventional case where isothermal distribution is formed in the direction perpendicular to the central axis of the SiC single crystal manufacturing apparatus 1, the surface of the seed crystal 5 is Temperature distribution, and thus the temperature distribution of the growth surface of the SiC single crystal grown thereon is uniform. Therefore, the SiC single crystal can be grown uniformly in the plane. Thereby, it is possible to obtain the same effect as in the first embodiment.

（第８実施形態）
本発明の第８実施形態について説明する。本実施形態は、第７実施形態に対して台座部９の構成を変更したものであり、その他に関しては第７実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。 (Eighth embodiment)
An eighth embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the configuration of the pedestal portion 9 is changed with respect to the seventh embodiment, and the others are the same as those in the seventh embodiment, and therefore only different parts will be described.

図９は、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１に備えられる台座部９の近傍の断面図である。この図に示されるように、本実施形態では、第７実施形態に対して、台座部９の外壁面を中心軸方向において伸ばしている。そして、この外壁面に対して周方向に複数の種結晶５を配置しているのに加え、中心軸方向にも種結晶５を複数枚（図９中では２枚）並べている。すなわち、原料ガス３の流動方向に沿って多段に配置した種結晶５に対して同時にＳｉＣ単結晶を成長させるようにする。   FIG. 9 is a cross-sectional view of the vicinity of the pedestal portion 9 provided in the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 according to the present embodiment. As shown in this figure, in the present embodiment, the outer wall surface of the pedestal portion 9 is extended in the central axis direction with respect to the seventh embodiment. In addition to the plurality of seed crystals 5 being arranged in the circumferential direction with respect to the outer wall surface, a plurality of seed crystals 5 (two in FIG. 9) are also arranged in the central axis direction. That is, the SiC single crystal is grown simultaneously on the seed crystals 5 arranged in multiple stages along the flow direction of the source gas 3.

この場合、例えば、加熱容器８の温度が２４００℃程度、台座部９のうち原料ガス３の流動経路上流側に位置する種結晶５と対応する位置が２２００℃、流動経路下流側に位置する種結晶５と対応する位置が２１００℃となるようにする。   In this case, for example, the temperature of the heating container 8 is about 2400 ° C., and the position corresponding to the seed crystal 5 located on the upstream side of the flow path of the raw material gas 3 in the pedestal portion 9 is 2200 ° C., the seed located on the downstream side of the flow path The position corresponding to the crystal 5 is set to 2100 ° C.

このように、原料ガス３の流動方向に沿って種結晶５を多段に配置し、台座部９のうち各段に配置された種結晶５と対応する位置の温度が、原料ガス３の流量経路上流側から下流側に向かって徐々に低下させられるようにすることで、より多数枚の種結晶５に対して同時にＳｉＣ単結晶を成長させられる。これにより、よりＳｉＣ単結晶の収率を向上させることが可能となる。   In this way, the seed crystals 5 are arranged in multiple stages along the flow direction of the source gas 3, and the temperature of the position corresponding to the seed crystals 5 arranged in each stage in the pedestal portion 9 is the flow path of the source gas 3. By gradually lowering from the upstream side toward the downstream side, SiC single crystals can be simultaneously grown on a larger number of seed crystals 5. Thereby, the yield of the SiC single crystal can be further improved.

（第９実施形態）
本発明の第９実施形態について説明する。本実施形態は、第８実施形態に対して台座部９の構成を変更したものであり、その他に関しては第８実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは第８実施形態に対して台座部９を変更する場合について説明するが、第７実施形態についても同様の構成を採用できる。 (Ninth embodiment)
A ninth embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the configuration of the pedestal portion 9 is changed with respect to the eighth embodiment, and the other parts are the same as those in the eighth embodiment, so only different parts will be described. In addition, although the case where the base part 9 is changed with respect to 8th Embodiment is demonstrated here, the same structure is employable also about 7th Embodiment.

図１０は、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１に備えられる台座部９の近傍の断面図である。この図に示されるように、本実施形態では、台座部９の外壁面に対して種結晶５の周囲を囲む整流板９ａを備えるようにしている。整流板９ａは、例えば黒鉛や表面をＴａＣ（炭化タンタル）にてコーティングされた黒鉛などで構成され、種結晶５の厚みと同等の高さに設定されている。このような整流板９ａを配置すると、整流板９ａの表面と種結晶５の表面との高さが同等となっていることから、種結晶５の側壁面によって原料ガス３の乱流が起こることを抑制できる。   FIG. 10 is a cross-sectional view of the vicinity of the pedestal portion 9 provided in the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 according to the present embodiment. As shown in this figure, in this embodiment, a rectifying plate 9 a surrounding the seed crystal 5 with respect to the outer wall surface of the pedestal portion 9 is provided. The rectifying plate 9 a is made of, for example, graphite or graphite whose surface is coated with TaC (tantalum carbide), and is set to a height equivalent to the thickness of the seed crystal 5. When such a rectifying plate 9a is arranged, the height of the surface of the rectifying plate 9a and the surface of the seed crystal 5 are equal, and therefore the turbulent flow of the source gas 3 occurs due to the side wall surface of the seed crystal 5. Can be suppressed.

これにより、種結晶５の周囲において原料ガス３を整流でき、よりＳｉＣ単結晶を面内において均一に成長させることが可能となる。   As a result, the source gas 3 can be rectified around the seed crystal 5, and a SiC single crystal can be more uniformly grown in the plane.

（第１０実施形態）
本発明の第１０実施形態について説明する。本実施形態は、第９実施形態に対して加熱容器８および台座部９の周囲の構成を変更したものであり、その他に関しては第９実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは第９実施形態に対して台座部９を変更する場合について説明するが、第７、第８実施形態ついても同様の構成を採用できる。 (10th Embodiment)
A tenth embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the configuration around the heating container 8 and the pedestal portion 9 is changed with respect to the ninth embodiment, and the other parts are the same as those in the ninth embodiment, so only different parts will be described. In addition, although the case where the base part 9 is changed with respect to 9th Embodiment is demonstrated here, the same structure is employable also about 7th, 8th embodiment.

図１１は、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１に備えられる台座部９の近傍の断面図である。この図に示されるように、本実施形態では、ガス流路１３を備えることで、台座部９の周囲および台座部９における原料ガス３の流動方向下流側において希釈ガスとエッチングガスの少なくとも一方が導入できるようにしている。   FIG. 11 is a cross-sectional view of the vicinity of the pedestal portion 9 provided in the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 according to the present embodiment. As shown in this figure, in this embodiment, by providing the gas flow path 13, at least one of a dilution gas and an etching gas is provided around the pedestal portion 9 and downstream of the pedestal portion 9 in the flow direction of the raw material gas 3. It can be introduced.

具体的には、ガス流路１３として、第１ガス流路１３ｂと第２ガス流路１３ｃが形成されている。第１ガス流路１３ｂは、加熱容器８における有底円筒状部材８の円筒状部分に設けられている。そして、有底円筒状部材８は、第１ガス流路１３ｂの内側と比較して外側において、円筒状部分の軸方向長が長くされている。これにより、第１ガス流路１３ｂから台座部８の周囲において希釈ガスとエッチングガスの少なくとも一方が導入できるようにしている。また、第２ガス流路１３ｃは、台座部９の後端から径方向外側に向かって延設されている。この第２ガス流路１３ｃを通じて、台座部９における原料ガス３の流動方向下流側において希釈ガスとエッチングガスの少なくとも一方が導入できるようにしている。例えば、希釈ガスとしてはＡｒを用いることができ、エッチングガスとしてはＨＣｌを用いることができる。これらは、例えばＡｒ：３０ｓｌｍ、ＨＣｌ：５ｓｌｍの流量で流すことができる。   Specifically, a first gas channel 13 b and a second gas channel 13 c are formed as the gas channel 13. The first gas flow path 13 b is provided in the cylindrical portion of the bottomed cylindrical member 8 in the heating container 8. In the bottomed cylindrical member 8, the axial length of the cylindrical portion is longer on the outer side than on the inner side of the first gas flow path 13b. Thereby, at least one of the dilution gas and the etching gas can be introduced around the pedestal portion 8 from the first gas flow path 13b. The second gas flow path 13c extends from the rear end of the pedestal portion 9 toward the radially outer side. Through this second gas flow path 13c, at least one of a dilution gas and an etching gas can be introduced on the downstream side in the flow direction of the raw material gas 3 in the pedestal portion 9. For example, Ar can be used as the dilution gas, and HCl can be used as the etching gas. These can be flowed at a flow rate of Ar: 30 slm, HCl: 5 slm, for example.

このように、ガス流路１３から希釈ガスとエッチングガスの少なくとも一方を導入できるようにすると、台座部９の周囲および台座部９における原料ガス３の流動方向下流側での多結晶の付着を防止することが可能となる。すなわち、台座部９の周囲および台座部９における原料ガス３の流動方向下流側では、原料ガス３の流路の断面積が縮小されるため流束が上がり、多結晶が付着して閉塞し易くなる。このため、ガス流路１３から希釈ガスとエッチングガスの少なくとも一方が導入されるようにすることで、原料ガス３を希釈したり、多結晶が付着しようとしてもそれをエッチングすることで、多結晶が付着することを抑制することが可能となる。   As described above, when at least one of the dilution gas and the etching gas can be introduced from the gas flow path 13, the adhesion of polycrystals around the pedestal portion 9 and downstream of the pedestal portion 9 in the flow direction of the raw material gas 3 is prevented. It becomes possible to do. That is, around the pedestal portion 9 and on the downstream side in the flow direction of the raw material gas 3 in the pedestal portion 9, the cross-sectional area of the flow path of the raw material gas 3 is reduced, so that the flux rises and polycrystals adhere easily and are blocked. Become. For this reason, by introducing at least one of a dilution gas and an etching gas from the gas flow path 13, the source gas 3 is diluted, or even if polycrystals are to be deposited, the polycrystal is etched. It becomes possible to suppress the adhesion.

（他の実施形態）
上記各実施形態に示したＳｉＣ単結晶製造装置１の具体的な構造は、単なる一例であり、形状や材質などについて適宜変更することができる。 (Other embodiments)
The specific structure of the SiC single crystal manufacturing apparatus 1 shown in the above embodiments is merely an example, and the shape, material, and the like can be changed as appropriate.

例えば、種結晶５や台座部９における種結晶５の貼付面が円形状である場合について説明したが、これらは必ずしも円形状である必要はなく、正方形などの他の形状であっても構わない。また、上記各実施形態では、加熱容器８のうち中空円筒状部材を構成するものとして有底円筒状部材８ａを用いたが、底部を有しない単なる中空円筒状部材としても良い。   For example, although the case where the seed crystal 5 and the attachment surface of the seed crystal 5 in the pedestal portion 9 are circular has been described, these are not necessarily circular, and may be other shapes such as a square. . Moreover, in each said embodiment, although the bottomed cylindrical member 8a was used as what comprises a hollow cylindrical member among the heating containers 8, it is good also as a mere hollow cylindrical member which does not have a bottom part.

また、上記各実施形態すべてについて、誘導加熱方式と直接加熱方式の双方に対して本発明が適用できる。   Further, the present invention can be applied to both the induction heating method and the direct heating method for all the above embodiments.

１ ＳｉＣ単結晶製造装置
３ 原料ガス
５ 種結晶
６ 真空容器
６ａ 冷却機構
８ 加熱容器
８ａ 有底円筒状部材
８ｂ 邪魔板
９ 台座部
９ａ 整流板
９ｂ 冷却機構
１０ 第２断熱材
１１ 第１加熱装置
１２ 第２加熱装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 SiC single crystal manufacturing apparatus 3 Raw material gas 5 Seed crystal 6 Vacuum container 6a Cooling mechanism 8 Heating container 8a Bottomed cylindrical member 8b Baffle plate 9 Base part 9a Current plate 9b Cooling mechanism 10 2nd heat insulating material 11 1st heating apparatus 12 Second heating device

Claims (6)

炭化珪素単結晶基板にて構成された種結晶（５）に対して、炭化珪素の原料ガス（３）を下方から供給することで上方に位置する前記種結晶（５）に供給し、前記種結晶（５）の表面に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記原料ガス（３）の導入導出が行え、内部空間の圧力を真空引きすることにより減圧できる構造とされた真空容器（６）と、
中空円筒状部材（８ａ）を有して構成され、前記真空容器（６）内に配置され、前記原料ガス（３）の加熱を行う加熱容器（８）と、
前記真空容器（６）内において、前記加熱容器（８）よりも前記原料ガス（３）の流動経路下流側に配置され、前記種結晶（５）が貼り付けられる台座部（９）とを有し、
前記真空容器（６）には、前記台座部（９）の周囲を囲む位置に、前記台座部（９）の外壁面を冷却する冷却機構（６ａ）が備えられ、
前記台座部（９）は、前記加熱容器（８）における前記中空円筒状部材（８ａ）のうちの前記原料ガス（３）の流動経路下流側の端部に配置され、該中空円筒状部材（８ａ）の中心軸に対して内壁面が傾斜するように該台座部（９）の内径が前記原料ガス（３）の流動経路下流側に向けて縮小させられ、前記内壁面に前記種結晶（５）が貼り付けられる面が複数備えられていると共に、該台座部（９）には、該台座部（９）における前記原料ガス（３）の流動方向下流側に希釈ガスとエッチングガスの少なくとも一方を導入するガス流路（１３）が備えられていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 A silicon carbide source gas (3) is supplied from below to a seed crystal (5) formed on a silicon carbide single crystal substrate to supply the seed crystal (5) located above, In the silicon carbide single crystal manufacturing apparatus for growing a silicon carbide single crystal on the surface of the crystal (5),
A vacuum vessel (6) having a structure capable of introducing and derivation of the source gas (3) and depressurizing the internal space by evacuating;
A heating container (8) configured to have a hollow cylindrical member (8a), disposed in the vacuum container (6), and for heating the source gas (3);
In the vacuum vessel (6), there is a pedestal (9) that is arranged on the downstream side of the flow path of the source gas (3) relative to the heating vessel (8) and to which the seed crystal (5) is attached. And
The vacuum vessel (6) is provided with a cooling mechanism (6a) for cooling the outer wall surface of the pedestal portion (9) at a position surrounding the pedestal portion (9).
The pedestal (9) is disposed at the downstream end of the flow path of the source gas (3) in the hollow cylindrical member (8a) in the heating vessel (8), and the hollow cylindrical member ( The inner diameter of the pedestal portion (9) is reduced toward the downstream side of the flow path of the source gas (3) so that the inner wall surface is inclined with respect to the central axis of 8a), and the seed crystal ( 5) is provided with a plurality of surfaces to be affixed , and the pedestal portion (9) includes at least a dilution gas and an etching gas downstream in the flow direction of the source gas (3) in the pedestal portion (9). An apparatus for producing a silicon carbide single crystal, comprising a gas flow path (13) for introducing one of them . 前記台座部（９）には、前記原料ガス（３）の流動方向に沿って前記種結晶（５）が配置される面が多段備えられていることを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。   2. The carbonization according to claim 1, wherein the pedestal portion (9) is provided with multiple stages on which the seed crystal (5) is arranged along the flow direction of the source gas (3). Silicon single crystal manufacturing equipment. 前記台座部（９）の内壁面には、前記種結晶（５）の周囲を囲む、所定高さの整流板（９ａ）が備えられていることを特徴とする請求項１または２に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。   The inner wall surface of the pedestal (9) is provided with a rectifying plate (9a) having a predetermined height surrounding the seed crystal (5). Silicon carbide single crystal production equipment. 炭化珪素単結晶基板にて構成された種結晶（５）に対して、炭化珪素の原料ガス（３）を下方から供給することで上方に位置する前記種結晶（５）に供給し、前記種結晶（５）の表面に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記原料ガス（３）の導入導出が行え、内部空間の圧力を真空引きすることにより減圧できる構造とされた真空容器（６）と、
中空円筒状部材（８ａ）を有して構成され、前記真空容器（６）内に配置され、前記原料ガス（３）の加熱を行う加熱容器（８）と、
前記加熱容器（８）における前記原料ガス（３）の流動経路下流側に配置され、該流動経路下流側に向かって徐々に外径が拡大された円錐形状で、外壁面に前記種結晶（５）が貼り付けられる台座部（９）とを有し、
前記台座部（９）には、前記種結晶（５）の裏面側から前記台座部（９）を冷却する冷却機構（９ｂ）が備えられ、
前記台座部（９）の前記外壁面には、前記種結晶（５）が貼り付けられる面が複数備えられ、
前記加熱容器（８）には、前記台座部（９）の周囲において希釈ガスとエッチングガスの少なくとも一方を導入する第１ガス流路（１３ｂ）が備えられており、
前記台座部（９）には、該台座部（９）における前記原料ガス（３）の流動方向下流側に希釈ガスとエッチングガスの少なくとも一方を導入する第２ガス流路（１３ｃ）が備えられていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 A silicon carbide source gas (3) is supplied from below to a seed crystal (5) formed on a silicon carbide single crystal substrate to supply the seed crystal (5) located above, In the silicon carbide single crystal manufacturing apparatus for growing a silicon carbide single crystal on the surface of the crystal (5),
A vacuum vessel (6) having a structure capable of introducing and derivation of the source gas (3) and depressurizing the internal space by evacuating;
A heating container (8) configured to have a hollow cylindrical member (8a), disposed in the vacuum container (6), and for heating the source gas (3);
It is arranged on the downstream side of the flow path of the source gas (3) in the heating container (8), has a conical shape with the outer diameter gradually enlarged toward the downstream side of the flow path, and the seed crystal (5 ) To which the pedestal (9) is attached,
The pedestal portion (9) is provided with a cooling mechanism (9b) for cooling the pedestal portion (9) from the back side of the seed crystal (5),
The outer wall surface of the pedestal portion (9) includes a plurality of surfaces to which the seed crystal (5) is attached ,
The heating vessel (8) includes a first gas flow path (13b) for introducing at least one of a dilution gas and an etching gas around the pedestal portion (9),
The pedestal portion (9) is provided with a second gas flow path (13c) for introducing at least one of a dilution gas and an etching gas downstream of the pedestal portion (9) in the flow direction of the source gas (3). An apparatus for producing a silicon carbide single crystal, wherein: 前記台座部（９）には、前記原料ガス（３）の流動方向に沿って前記種結晶（５）が配置される面が多段備えられていることを特徴とする請求項４に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。 Carbonization according to claim 4 , characterized in that the pedestal (9) is provided with multiple stages on which the seed crystal (5) is arranged along the flow direction of the source gas (3). Silicon single crystal manufacturing equipment. 前記台座部（９）の内壁面には、前記種結晶（５）の周囲を囲む、所定高さの整流板（９ａ）が備えられていることを特徴とする請求項４または５に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。 The inner wall surface of said base portion (9), according to claim 4 or 5, characterized in that surround the seed crystal (5), a predetermined height of the rectifying plate (9a) is provided Silicon carbide single crystal production equipment.
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