JP5474292B2 - Nitride semiconductor light emitting diode device - Google Patents
Nitride semiconductor light emitting diode device Download PDFInfo
- Publication number
- JP5474292B2 JP5474292B2 JP2007288747A JP2007288747A JP5474292B2 JP 5474292 B2 JP5474292 B2 JP 5474292B2 JP 2007288747 A JP2007288747 A JP 2007288747A JP 2007288747 A JP2007288747 A JP 2007288747A JP 5474292 B2 JP5474292 B2 JP 5474292B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- nitride semiconductor
- type
- emitting diode
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
本発明は、窒化物半導体発光ダイオード素子に関し、特に、高い発光効率を有する窒化物半導体発光ダイオード素子に関する。 The present invention relates to a nitride semiconductor light emitting diode device, and more particularly to a nitride semiconductor light emitting diode device having high luminous efficiency.
非特許文献1においては、InGaN/GaN量子井戸構造からなる活性層上に10nmの厚さのGaNバリア層を積層した後にAgからなる金属層を形成し、活性層から非常に近い領域に金属層を位置させることにより、金属層中の金属特有のプラズモン効果により、フォトルミネッセンス(PL)によって、活性層の自然放出を増幅させ、発光効率の高い活性層を実現したことが報告されている。
しかしながら、実際の窒化物半導体発光ダイオード素子の構造において、上記の金属層のプラズモン効果を得ることを目的として、活性層から数十nm以下の距離で金属層を位置させるためには、数十nm以下の距離よりも薄い層厚のp型窒化物半導体層を積層する必要がある。 However, in order to obtain the plasmon effect of the metal layer in the structure of an actual nitride semiconductor light emitting diode element, in order to position the metal layer at a distance of several tens of nm or less from the active layer, it is several tens of nm. It is necessary to stack a p-type nitride semiconductor layer having a layer thickness smaller than the following distance.
このように薄い層厚のp型窒化物半導体層を有する窒化物半導体発光ダイオード素子においては、p型窒化物半導体層のキャリアの活性化率の低さによって、高キャリア濃度のp型窒化物半導体層を得ることが困難であるということから、p型窒化物半導体層全体が空乏化してしまい、活性層にホールを供給することができないため、発光させるのが困難であるという問題があった。 In the nitride semiconductor light-emitting diode device having the p-type nitride semiconductor layer having such a thin layer thickness, the p-type nitride semiconductor having a high carrier concentration is caused by the low carrier activation rate of the p-type nitride semiconductor layer. Since it is difficult to obtain a layer, the entire p-type nitride semiconductor layer is depleted, and holes cannot be supplied to the active layer, which makes it difficult to emit light.
上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、高い発光効率を有する窒化物半導体発光ダイオード素子を提供することにある。 In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a nitride semiconductor light-emitting diode element having high luminous efficiency.
本発明は、透光性導電基板と、n型窒化物半導体層と、活性層と、p型窒化物半導体層と、金属層とをこの順序でを含む窒化物半導体発光ダイオード素子であって、p型窒化物半導体層上に形成された金属層を有し、活性層は少なくとも1つの井戸層を含んでおり、活性層中の井戸層のうち最もp型窒化物半導体層側に位置する井戸層のp型窒化物半導体層側の表面と、金属層のp型窒化物半導体層側の表面との間の距離が40nm以上70nm以下であって、p型窒化物半導体層はAlを含有するp型Al含有窒化物半導体層を含み、p型窒化物半導体層は、活性層側からp型AlGaN層およびp型GaN層がこの順序で積層された構成となっており、p型AlGaN層のAl組成比が10%以上であって、金属層は、Ag、Ag合金、AlおよびPtからなる群から選択される少なくとも1種からなり、活性層から金属層側に放射された光が、金属層で反射することによって、活性層から透光性導電基板側に放射された光とともに透光性導電基板側から取り出される窒化物半導体発光ダイオード素子である。 The present invention is a nitride semiconductor light-emitting diode element including a translucent conductive substrate, an n-type nitride semiconductor layer, an active layer, a p-type nitride semiconductor layer, and a metal layer in this order , a metal layer formed on the p-type nitride semiconductor layer, the active layer including at least one well layer, and a well located closest to the p-type nitride semiconductor layer among the well layers in the active layer; The distance between the surface of the layer on the p-type nitride semiconductor layer side and the surface of the metal layer on the p-type nitride semiconductor layer side is 40 nm or more and 70 nm or less, and the p-type nitride semiconductor layer contains Al. It includes a p-type Al-containing nitride semiconductor layer, and the p-type nitride semiconductor layer has a configuration in which a p-type AlGaN layer and a p-type GaN layer are stacked in this order from the active layer side. Al composition ratio I der 10% or more, the metal layer, Ag, Ag alloy, It consists of at least one selected from the group consisting of Al and Pt, and light emitted from the active layer to the metal layer side is emitted from the active layer to the translucent conductive substrate side by being reflected by the metal layer. a nitride semiconductor light emitting diode device is picked from a transparent conductive substrate side with light.
また、本発明の窒化物半導体発光ダイオード素子は、活性層中の井戸層のうち最もp型窒化物半導体層側に位置する井戸層とp型窒化物半導体層との間にアンドープAlGaN層を含むことが好ましい。 The nitride semiconductor light-emitting diode device of the present invention includes an undoped AlGaN layer between a well layer located closest to the p-type nitride semiconductor layer among the well layers in the active layer and the p-type nitride semiconductor layer. It is preferable.
本発明によれば、高い発光効率を有する窒化物半導体発光ダイオード素子を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the nitride semiconductor light-emitting diode element which has high luminous efficiency can be provided.
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。 Embodiments of the present invention will be described below. In the drawings of the present invention, the same reference numerals represent the same or corresponding parts.
<実施の形態1>
図1に、本発明の窒化物半導体発光ダイオード素子の一例の模式的な断面図を示す。この窒化物半導体発光ダイオード素子は、正電極6上に、金属層5、p型窒化物半導体層4、活性層3、n型窒化物半導体層2、透光性導電基板1および負電極7がこの順に積層された構成を有している。そして、この窒化物半導体発光ダイオード素子においては、活性層3から金属層5側に放射された光は金属層5で反射することによって、活性層3から透光性導電基板1側に放射された光とともに、透光性導電基板1側から取り出される。
<Embodiment 1>
FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of an example of the nitride semiconductor light-emitting diode element of the present invention. In this nitride semiconductor light emitting diode element, a
ここで、透光性導電基板1としては、導電性であって活性層3から放射された光を透過することが可能なものであれば特に限定なく用いることができる。
Here, the translucent conductive substrate 1 can be used without particular limitation as long as it is conductive and can transmit light emitted from the
また、n型窒化物半導体層2としては、たとえば、Alx1Iny1Ga1-x1-y1N(0≦x1≦1、0≦y1≦1)の式で表わされる窒化物半導体結晶にたとえばSi等のn型ドーパントをドープしたもの等を用いることができる。ここで、n型窒化物半導体層2は単層または複数層から構成され得る。なお、上記の式において、Alはアルミニウムを示し、Inはインジウムを示し、Gaはガリウムを示し、Nは窒素を示す。また、上記の式において、x1はAl組成比を示し、y1はIn組成比を示し、1−x1−y1はGa組成比を示す。
Further, as the n-type
また、活性層3としては、少なくとも1つの井戸層を含む量子井戸構造を有するものが用いられ、本実施の形態においては井戸層3bとバリア層3aとが交互にそれぞれ複数積層されたMQW(Multi Quantum Well:多重量子井戸)構造を有するものが用いられている。しかしながら、本発明に用いられる活性層3としては、井戸層を1つ含むSQW(Single Quantum Well:単一量子井戸)が用いられていてもよい。
Further, as the
また、活性層3を構成する井戸層3bは、たとえば、Alx2Iny2Ga1-x2-y2N(0≦x2≦1、0≦y2≦1)の式で表わされる窒化物半導体結晶から構成することができる。また、活性層3を構成するバリア層3aは、たとえば、Alx3Iny3Ga1-x3-y3N(0≦x3≦1、0≦y3≦1)の式で表わされる窒化物半導体結晶から構成することができる。また、活性層3を構成する井戸層3bおよびバリア層3aの少なくとも1つにSi等のn型ドーパントおよび/またはMg等のp型ドーパントがドープされてn型またはp型となっていてもよい。
The well
なお、上記の式において、Alはアルミニウムを示し、Inはインジウムを示し、Gaはガリウムを示し、Nは窒素を示す。また、上記の式において、x2およびx3はそれぞれAl組成比を示し、y2およびy3はそれぞれIn組成比を示し、(1−x2−y2)および(1−x3−y3)はそれぞれGa組成比を示す。 In the above formula, Al represents aluminum, In represents indium, Ga represents gallium, and N represents nitrogen. In the above formula, x2 and x3 each indicate an Al composition ratio, y2 and y3 each indicate an In composition ratio, and (1-x2-y2) and (1-x3-y3) each indicate a Ga composition ratio. Show.
また、p型窒化物半導体層4としては、Alを含有するp型Al含有窒化物半導体層を少なくとも1層含むものであれば特に限定なく用いることができる。p型Al含有窒化物半導体層としては、たとえば、Alx4Iny4Ga1-x4-y4N(0<x4≦1、0≦y4≦1)の式で表わされる窒化物半導体結晶にMg等のp型ドーパントをドープしたもの等を用いることができる。また、p型窒化物半導体層4がp型Al含有窒化物半導体層以外の層を含む場合には、その層としては、たとえば、Alx5Iny5Ga1-x5-y5N(0≦x5≦1、0≦y5≦1)の式で表わされる窒化物半導体結晶にMg等のp型ドーパントをドープした少なくとも1層とすることができる。なお、上記の式において、Alはアルミニウムを示し、Inはインジウムを示し、Gaはガリウムを示し、Nは窒素を示す。また、上記の式において、x4およびx5はそれぞれAl組成比を示し、y4およびy5はそれぞれIn組成比を示し、(1−x4−y4)および(1−x5−y5)はそれぞれGa組成比を示す。
The p-type
また、高い発光効率を有する窒化物半導体発光ダイオード素子を得るためには、金属層5としては、Ag、Ag合金、AlおよびPtからなる群から選択される少なくとも1種からなる金属層を用いることが好ましいが、より高いプラズモン効果を得るためには金属層5はAgまたはAg合金からなる金属層を用いることが好ましい。
In order to obtain a nitride semiconductor light-emitting diode element having high luminous efficiency, the
また、正電極6は正電極として機能するものであれば特に限定されず用いることができ、負電極7は負電極として機能するものであれば特に限定されず用いることができる。
The
ここで、本発明の窒化物半導体発光ダイオード素子において、金属層5におけるプラズモン効果をより高く得るためには、p型窒化物半導体層4の層厚はより薄いことが好ましいが、p型窒化物半導体層4側に形成される空乏層幅は以下の式(1)で算出される。
Here, in the nitride semiconductor light emitting diode device of the present invention, in order to obtain a higher plasmon effect in the
Wd=((2κε0/q)×(1/Na)×φbi)1/2 …(1)
なお、上記の式(1)において、Wdはp型窒化物半導体層4側に形成される空乏層幅を示し、φbiはp型窒化物半導体層4の内部電位を示し、κはp型窒化物半導体層4の比誘電率を示し、ε0はp型窒化物半導体層4の真空誘電率を示し、qは電子の電荷を示し、Naはp型窒化物半導体層4におけるp型イオン化不純物濃度を示す。
Wd = ((2κε 0 / q) × (1 / Na) × φ bi ) 1/2 (1)
In the above formula (1), Wd indicates the width of the depletion layer formed on the p-type
ここで、p型窒化物半導体層4がAlを含まないp型GaN層の単層から構成される場合には、たとえば、φbi≒3.4(V)、κ=9.5、ε0=8.85×10-14(F/cm)、q=1.6×10-19(C)、Na=1×1018(個/cm3)となるため、これらの数値を上記の式(1)に代入すると、Wd≒60nmとなる。したがって、この場合には、p型窒化物半導体層4の層厚が60nm以下であるときにはp型窒化物半導体層4の全体が空乏化してしまい、活性層3にホールを供給することができない。
Here, when the p-type
また、p型GaN層の単層であるp型窒化物半導体層4におけるp型イオン化不純物濃度Naを1×1018(個/cm3)以上とした場合には、p型窒化物半導体層4側に形成される空乏層幅Wdを小さくすることも可能であるが、p型GaN層の単層からなるp型窒化物半導体層4におけるキャリアの活性化率を考慮するとNaの値を1×1018(個/cm3)以上に増大させるのは困難である。
Further, when the p-type ionized impurity concentration Na in the p-type
さらに、p型窒化物半導体層4から活性層3へのp型ドーパントの拡散を抑止するために活性層3中の井戸層3bとp型窒化物半導体層4との間にバリア層3aを挿入することが発光効率の低下を抑止することが好ましく、そのバリア層3aの層厚は少なくとも10nmは必要である。したがって、活性層3中の最もp型窒化物半導体層4側に位置する井戸層3bのp型窒化物半導体層4側の表面100と、金属層5のp型窒化物半導体層4側の表面101との間の距離Dを70nm以下とするのは、p型窒化物半導体層4がp型GaN層の単層からなる場合には困難である。
Further, a
そこで、p型窒化物半導体層4がAlを含有する窒化物半導体結晶からなるAl含有窒化物半導体層を少なくとも1層含む構成、特に、活性層3側からp型AlGaN層とp型GaN層とをこの順序で積層した構成とすることにより、活性層3とp型AlGaN層との界面およびp型AlGaN層とp型GaN層との界面で生じるピエゾ電界により、p型窒化物半導体層4側に形成される空乏層幅Wdを小さくすることができる。これにより、活性層3中の最もp型窒化物半導体層4側に位置する井戸層3bのp型窒化物半導体層4側の表面100と、金属層5のp型窒化物半導体層4側の表面101との間の距離Dを70nm以下とした場合(p型窒化物半導体層4の層厚を60nm以下とし、活性層3中の最もp型窒化物半導体層4側に位置する井戸層3bとp型窒化物半導体層4との間に設置されたバリア層3aの層厚を10nmとした場合)でも活性層3へのホールの供給が可能となる。
Therefore, the p-type
ここで、高い発光効率を有する窒化物半導体発光ダイオード素子を得る観点からは、p型窒化物半導体層4の構成としては、活性層3側からp型AlGaN層およびp型GaN層がこの順序で積層された構成とすることが好ましい。
Here, from the viewpoint of obtaining a nitride semiconductor light-emitting diode element having high luminous efficiency, the p-type
また、本発明においては、p型窒化物半導体層4が活性層3側からp型AlGaN層およびp型GaN層がこの順序で積層された構成である場合には、p型AlGaN層のAl組成比およびGa組成比は特に限定されないが、活性層3とp型AlGaN層との界面およびp型AlGaN層とp型GaN層との界面で生じるピエゾ電界を効果的に発生させる観点から、p型AlGaN層のAl組成比は10%以上であることが好ましい。
In the present invention, when the p-type
なお、本発明において、Al組成比は、下記の式(2)により算出される。下記の式(2)において、Alはアルミニウムを示し、Inはインジウムを示し、Gaはガリウムを示す。
Al組成比(%)=100×(p型AlGaN層中のAlの原子数)/{(p型AlGaN層中のAlの原子数)+(p型AlGaN層中のGaの原子数)+(p型AlGaN層中のInの原子数)} …(2)
また、p型窒化物半導体層4がAl含有窒化物半導体層を含む構成とした場合に、活性層3中の最もp型窒化物半導体層4側に位置する井戸層3bのp型窒化物半導体層4側の表面100と、金属層5のp型窒化物半導体層4側の表面101との間の距離Dの下限は30nmとすることができる。したがって、本発明においては、活性層3中の最もp型窒化物半導体層4側に位置する井戸層3bのp型窒化物半導体層4側の表面100と、金属層5のp型窒化物半導体層4側の表面101との間の距離Dは30nm以上70nm以下とすることが好ましい。
In the present invention, the Al composition ratio is calculated by the following equation (2). In the following formula (2), Al represents aluminum, In represents indium, and Ga represents gallium.
Al composition ratio (%) = 100 × (number of Al atoms in p-type AlGaN layer) / {(number of Al atoms in p-type AlGaN layer) + (number of Ga atoms in p-type AlGaN layer) + ( Number of In atoms in p-type AlGaN layer)} (2)
Further, when the p-type
また、p型窒化物半導体層4からのp型ドーパントの拡散を有効に防止する観点からは、活性層3中の最もp型窒化物半導体層4側に位置する井戸層3bとp型窒化物半導体層4との間のバリア層3aとしてアンドープAlGaN層を設置することが好ましい。この場合には、バリア層3aとしてアンドープのGaN層を設置した場合と比べてピエゾ電界を効率的に発生させる層およびMg等のp型ドーパントの拡散を抑止する層としての双方の機能が効果的に向上する傾向にある。
Further, from the viewpoint of effectively preventing the diffusion of the p-type dopant from the p-type
また、図1に示すように、窒化物半導体発光ダイオード素子は、活性層3に対してn型窒化物半導体層2側が光取り出し側となるフリップチップ型となるように実装されることが好ましい。
As shown in FIG. 1, the nitride semiconductor light-emitting diode element is preferably mounted so as to be a flip chip type in which the n-type
また、図1に示す窒化物半導体発光ダイオード素子において、金属層5と正電極6との間には、たとえば、Ti(チタン)、W(タングステン)、Ta(タンタル)およびMo(モリブデン)からなる群から選択された少なくとも1種の金属からなる保護層が形成されていてもよい。
Further, in the nitride semiconductor light-emitting diode element shown in FIG. 1, the
上述したように、図1に示す窒化物半導体発光ダイオード素子においては、p型窒化物半導体層4がAlを含有するp型Al含有窒化物半導体層を含み、活性層3中の最もp型窒化物半導体層4側に位置する井戸層3bのp型窒化物半導体層4側の表面100と金属層5のp型窒化物半導体層4側の表面101との間の距離Dが70nm以下とされているため、金属層5のプラズモン効果を効果的に得ることができ、金属層5のプラズモン効果によって高い発光効率が発現する。
As described above, in the nitride semiconductor light emitting diode element shown in FIG. 1, the p-type
<実施の形態2>
図2に、本発明の窒化物半導体発光ダイオード素子の他の一例の模式的な断面図を示す。この窒化物半導体発光ダイオード素子においては、活性層3から放射された光を透過することは可能であるが導電性を有しないサファイア基板等の絶縁性基板1001を基板として用いており、負電極7がn型窒化物半導体層2に接触していることを特徴としている。
<
FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of another example of the nitride semiconductor light-emitting diode element of the present invention. In this nitride semiconductor light-emitting diode element, an insulating
本実施の形態のように、サファイア基板等の絶縁性基板1001を基板として用い、負電極7がn型窒化物半導体層2に接触している構成とした場合でも、p型窒化物半導体層4がp型Al含有窒化物半導体層を含む構成(特に、活性層3側からp型AlGaN層およびp型GaN層をこの順序で積層した構成)とし、活性層3中の最もp型窒化物半導体層4側に位置する井戸層3bのp型窒化物半導体層4側の表面100と金属層5のp型窒化物半導体層4側の表面101との間の距離Dを70nm以下とすることによって、金属層5のプラズモン効果を効果的に得ることができ、金属層5のプラズモン効果によって高い発光効率を発現させることができる。
Even when an insulating
なお、本実施の形態においても、金属層5と正電極6との間に、たとえば、Ti、W、TaおよびMoからなる群から選択された少なくとも1種の金属からなる保護層が形成されていてもよい。また、本実施の形態においても、上記の距離Dの下限は30nmとすることができる。その他の説明は実施の形態1と同様であるのでその説明は省略する。
In the present embodiment also, a protective layer made of at least one metal selected from the group consisting of Ti, W, Ta, and Mo is formed between the
<実施の形態3>
図3に、本発明の窒化物半導体発光ダイオード素子の他の一例の模式的な断面図を示す。この窒化物半導体発光ダイオード素子は、表面上に導電性基板9を別途用意し、この導電性基板9を接着金属層8を介して金属層5に貼り付けることによって作製されたことを特徴としている。
<
FIG. 3 shows a schematic cross-sectional view of another example of the nitride semiconductor light-emitting diode element of the present invention. This nitride semiconductor light-emitting diode element is characterized in that it is manufactured by separately preparing a
以下、図4(a)〜図4(d)の模式的断面図を参照して、図3に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例について説明する。 Hereinafter, an example of a method for manufacturing the nitride semiconductor light-emitting diode element shown in FIG. 3 will be described with reference to the schematic cross-sectional views of FIGS. 4 (a) to 4 (d).
まず、図4(a)に示すように、たとえばMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法等によって、サファイア基板等の絶縁性基板1001上に、n型窒化物半導体層2、井戸層3bとバリア層3aとが交互に積層された活性層3、およびp型窒化物半導体層4をこの順序で形成する。そして、たとえば真空蒸着法またはスパッタリング法等によって、p型窒化物半導体層4の表面上に金属層5を形成した後に、金属層5上に第1接着金属層8aを形成する。
First, as shown in FIG. 4A, an n-type
また、図4(b)に示すように、導電性基板9上に第2接着金属層8bをたとえば真空蒸着法またはスパッタリング法等によって形成する。
Further, as shown in FIG. 4B, the second adhesive metal layer 8b is formed on the
続いて、図4(c)に示すように、上記のようにして作製した絶縁性基板1001上の第1接着金属層8aと導電性基板9上の第2接着金属層8bとが向かい合うようにして重ね合わせ、共晶接合法等によって、第1接着金属層8aと第2接着金属層8bとを接合したウエハを形成する。
Subsequently, as shown in FIG. 4C, the first adhesive metal layer 8a on the insulating
その後、図4(d)に示すように、そのウエハの絶縁性基板1001側からレーザ光を照射すること等によって、n型窒化物半導体層2の一部を溶融して絶縁性基板1001を剥離する。そして、絶縁性基板1001の剥離により露出したn型窒化物半導体層2の表面上に負電極7を形成した後にウエハをチップ状に分割することによって、図3に示す構成の窒化物半導体発光ダイオード素子が得られる。ここで、接着金属層8は、図4(c)に示す第1接着金属層8aと第2接着金属層8bとが接合した層である。
4D, the insulating
本実施の形態においても、p型窒化物半導体層4がp型Al含有窒化物半導体層を少なくとも1層含む構成(特に、活性層3側からp型AlGaN層およびp型GaN層をこの順序で積層した構成)とし、活性層3中の最もp型窒化物半導体層4側に位置する井戸層3bのp型窒化物半導体層4側の表面100と金属層5のp型窒化物半導体層4側の表面101との間の距離Dを70nm以下とすることによって、金属層5のプラズモン効果を効果的に得ることができ、金属層5のプラズモン効果によって高い発光効率を発揮させることができる。
Also in the present embodiment, the p-type
また、本実施の形態においても、上記の距離Dの下限は30nmとすることができる。また、本実施の形態においては、金属層5と接着金属層8との間にたとえば、Ti、W、TaおよびMoからなる群から選択された少なくとも1種の金属からなる保護層および/または部分的にSiO2層が形成されていてもよい。
Also in the present embodiment, the lower limit of the distance D can be set to 30 nm. Further, in the present embodiment, a protective layer and / or a part made of at least one metal selected from the group consisting of Ti, W, Ta and Mo, for example, between the
また、導電性基板9としてn型Si基板等の導電性半導体基板を用いた場合には、導電性基板9と接着金属層8との間にオーミックコンタクト層が設置されていてもよい。たとえば、導電性基板9がSiからなる場合には、オーミックコンタクト層としてはTi、W等の金属からなる層を用いることができる。また、オーミックコンタクト層と第2接着金属層5bとの間にはPt等の金属からなる保護層が形成されていてもよい。
In addition, when a conductive semiconductor substrate such as an n-type Si substrate is used as the
また、本実施の形態において、第1接着金属層8aとしてはたとえばAu等を用いることができ、第2接着金属層8bとしてはたとえばAuSn、AuGeまたはAuSi等を用いることができる。 In the present embodiment, Au or the like can be used as the first adhesive metal layer 8a, and AuSn, AuGe, AuSi, or the like can be used as the second adhesive metal layer 8b.
なお、その他の説明は実施の形態1と同様であるのでその説明は省略する。 Since other explanations are the same as those in the first embodiment, explanations thereof are omitted.
<実施例1>
実施例1においては、図5に示す構成の窒化物半導体発光ダイオード素子を作製した。ここで、実施例1においては、p型GaNコンタクト層17の層厚を10nm〜100nmの範囲でそれぞれ変更した複数の窒化物半導体発光ダイオード素子を作製した。
<Example 1>
In Example 1, a nitride semiconductor light-emitting diode element having the configuration shown in FIG. 5 was produced. Here, in Example 1, a plurality of nitride semiconductor light emitting diode elements in which the layer thickness of the p-type
なお、図5に示すように、実施例1で作製した窒化物半導体発光ダイオード素子は、導電性基板21上に、オーミック電極層22、第2の接着用金属層23、第1の接着用金属層20、保護層19、反射層18、p型GaNコンタクト層17、p型AlGaNクラッド層16、In0.25Ga0.75N井戸層15bとGaNバリア層15aとが交互に積層された活性層15、n型GaNコンタクト層14、n型GaN下地層13、負電極24がこの順序で積層された構成を有している。なお、この窒化物半導体発光ダイオード素子においては、導電性基板21が正電極として機能している。
As shown in FIG. 5, the nitride semiconductor light-emitting diode device manufactured in Example 1 has an
以下に、実施例1の窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例について説明する。まず、図6の模式的断面図に示すように、サファイア基板11を用意し、そのサファイア基板11をMOCVD装置の反応炉内にセットした。そして、その反応炉内に水素を流しながら、サファイア基板11の温度を1050℃まで上昇させて、サファイア基板11の表面(C面)のクリーニングを行なった。
Below, an example of the manufacturing method of the nitride semiconductor light emitting diode element of Example 1 is demonstrated. First, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 6, a
次に、サファイア基板11の温度を510℃まで低下させ、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてアンモニアおよびTMG(トリメチルガリウム)を反応炉内に流して、図7の模式的断面図に示すように、サファイア基板11の表面(C面)上にノンドープのGaNバッファ層12をMOCVD法により約20nmの厚さでサファイア基板11上に成長させた。
Next, the temperature of the
次いで、サファイア基板11の温度を1050℃まで上昇させて、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてアンモニアおよびTMG、不純物ガスとしてシランを反応炉内に流して、SiがドーピングされたGaNからなるn型GaN下地層13(キャリア濃度:1×1018個/cm3)をMOCVD法により6μmの厚さでGaNバッファ層12上に成長させた。
Next, the temperature of the
続いて、キャリア濃度が5×1018個/cm3となるようにSiをドーピングしたこと以外はn型GaN下地層13と同様にして、n型GaNコンタクト層14をMOCVD法により0.5μmの厚さでn型GaN下地層13上に成長させた。
Subsequently, the n-type
次に、サファイア基板11の温度を700℃まで低下させ、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてアンモニア、TMGおよびTMI(トリメチルインジウム)を反応炉内に流して、図8の模式的断面図に示すように、n型GaNコンタクト層14上に2.5nmの厚さのIn0.25Ga0.75N井戸層15bと10nmの厚さのGaNバリア層15aとを交互に6周期だけMOCVD法により成長させて、多重量子井戸構造を有する活性層15をn型GaNコンタクト層14上に形成した。なお、活性層15の形成時において、GaNバリア層15aを成長させる際にはTMIを反応炉内に流していないことは言うまでもない。
Next, the temperature of the
次いで、サファイア基板11の温度を950℃まで上昇させ、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてアンモニア、TMGおよびTMA(トリメチルアルミニウム)、不純物ガスとしてCP2Mg(シクロペンタジエニルマグネシウム)を反応炉内に流して、図9の模式的断面図に示すように、Mgが1×1020個/cm3の濃度でドーピングされたAl0.15Ga0.85Nからなるp型AlGaNクラッド層16をMOCVD法により20nmの厚さで活性層15上に成長させた。
Next, the temperature of the
次に、サファイア基板11の温度を950℃に保持したままで、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてアンモニアおよびTMG、不純物ガスとしてCP2Mgを反応炉内に流して、Mgが1×1020個/cm3の濃度でドーピングされたGaNからなるp型GaNコンタクト層17をMOCVD法によりp型AlGaNクラッド層16上に成長させた。ここで、p型GaNコンタクト層17は、窒化物半導体発光ダイオード素子の作製ごとに10nm〜100nmの範囲でそれぞれ層厚を変えて成長させた。
Next, while maintaining the temperature of the
次に、サファイア基板11の温度を700℃まで低下させ、キャリアガスとして窒素を反応炉内に流してアニーリングを行なった。
Next, the temperature of the
次に、上記のアニーリング後に、図10の模式的断面図に示すように、p型GaNコンタクト層17上に、層厚150nmのAg膜からなる反射層18、層厚50nmのMo膜からなる保護層19および層厚3μmのAu膜からなる第1の接着用金属層20をこの順序でEB(Electron Beam)蒸着法により形成した。
Next, after the above-described annealing, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 10, the
次に、図11の模式的断面図に示すように、厚さ120μmの導電性Siからなる導電性基板21上に、EB蒸着法により、厚さ15nmのTi膜と厚さ150nmのAl膜とをこの順序で積層したオーミック電極層22、および厚さ100nmのAu膜と厚さ3μmのAuSn膜をこの順序で積層した第2の接着用金属層23をこの順序で形成した。
Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 11, a Ti film with a thickness of 15 nm and an Al film with a thickness of 150 nm are formed on a
その後、図12の模式的断面図に示すように、導電性基板21の第2の接着用金属層23上に、サファイア基板11上の第1の接着用金属層20を設置した後に、第1の接着用金属層20と第2の接着用金属層23とを共晶接合法によって接合することによってサファイア基板11上に上記で作製した導電性基板21を接合した図13の模式的断面図に示す窒化物半導体層積層ウエハを形成した。ここで、第1の接着用金属層20と第2の接着用金属層23との共晶接合時の温度は290℃とした。
Thereafter, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 12, after the first
続いて、図13に示す窒化物半導体層積層ウエハのサファイア基板11側からレーザ光を照射しGaNバッファ層12を溶融することによって、サファイア基板11とともにGaNバッファ層12を除去してn型GaN下地層13の表面を露出させた。
Subsequently, the
そして、図5に示すように、露出したn型GaN下地層13の表面の中央部に、Ti膜とAu膜との積層体からなる負電極24を形成し、その後、負電極24の形成後の窒化物半導体層積層ウエハをチップ状に分割することによって、図5に示す構成の窒化物半導体発光ダイオード素子を作製した。
Then, as shown in FIG. 5, a
図5に示す構成の窒化物半導体発光ダイオード素子においては、p型GaNコンタクト層17の層厚を窒化物半導体発光ダイオード素子の作製ごとに10nm〜100nmの範囲でそれぞれ変えて成長させていることから、各作製ごとに活性層15中の最もp型窒化物半導体層(p型AlGaNクラッド層16およびp型GaNコンタクト層17)側に位置する井戸層15bの表面100と、反射層18のp型窒化物半導体層(p型AlGaNクラッド層16およびp型GaNコンタクト層17)側の表面101との間の距離Dが異なっていることになる。
In the nitride semiconductor light-emitting diode element having the configuration shown in FIG. 5, the p-type
上記の窒化物半導体発光ダイオード素子の発光効率を測定した結果、p型GaNコンタクト層17の層厚が10nm以上40nm以下の場合(すなわち、上記の距離Dが40nm以上70nm以下の場合)に発光効率が増大することが確認された。
As a result of measuring the luminous efficiency of the nitride semiconductor light emitting diode device, the luminous efficiency is obtained when the thickness of the p-type
<実施例2>
実施例2においては、図5に示す構成の窒化物半導体発光ダイオード素子のp型AlGaNクラッド層16のAl組成比をそれぞれ変更した複数の窒化物半導体発光ダイオード素子を作製した。
<Example 2>
In Example 2, a plurality of nitride semiconductor light-emitting diode elements each having a different Al composition ratio of the p-type
実施例2における窒化物半導体発光ダイオード素子の作製においては、まず、活性層15を形成するところまでは実施例1と同様にして行なった。
The fabrication of the nitride semiconductor light-emitting diode element in Example 2 was performed in the same manner as in Example 1 until the
次に、サファイア基板11の温度を950℃まで上昇させ、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてアンモニア、TMGおよびTMA(トリメチルアルミニウム)、不純物ガスとしてCP2Mgを反応炉内に流して、図9の模式的断面図に示すように、Mgが1×1020個/cm3の濃度でドーピングされたAlaGa1-aN(0≦a≦0.4)からなるp型AlGaNクラッド層16をMOCVD法により20nmの厚さで活性層15上に成長させた。
Next, the temperature of the
ここで、実施例2においては、p型AlGaNクラッド層16のAl組成比を各窒化物半導体発光ダイオード素子の作製ごとに変更してp型AlGaNクラッド層16を成長させた。
Here, in Example 2, the p-type
次に、サファイア基板11の温度を950℃に保持したままで、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてアンモニアおよびTMG、不純物ガスとしてCP2Mgを反応炉内に流して、Mgが1×1020個/cm3の濃度でドーピングされたGaNからなるp型GaNコンタクト層17をMOCVD法により30nmの厚さでp型AlGaNクラッド層16上に成長させた。
Next, while maintaining the temperature of the
その後は、実施例1と同様にして、各窒化物半導体発光ダイオード素子の作製ごとにp型AlGaNクラッド層16のAl組成比の異なるようにして、複数の窒化物半導体発光ダイオード素子を作製した。
Thereafter, in the same manner as in Example 1, a plurality of nitride semiconductor light-emitting diode elements were manufactured such that the Al composition ratio of the p-type
そして、上記の窒化物半導体発光ダイオード素子の発光効率を測定した結果、p型AlGaNクラッド層16のAl組成比が10%以上であるときに、発光効率が増大することが確認された。
As a result of measuring the light emission efficiency of the nitride semiconductor light emitting diode element, it was confirmed that the light emission efficiency was increased when the Al composition ratio of the p-type
<実施例3>
実施例3においては、図5に示す構成の窒化物半導体発光ダイオード素子の反射層18の材料をそれぞれ変更した複数の窒化物半導体発光ダイオード素子を作製した。
<Example 3>
In Example 3, a plurality of nitride semiconductor light-emitting diode elements were produced in which the material of the
実施例3における窒化物半導体発光ダイオード素子の作製においては、まず、p型GaNコンタクト層17を形成するところまでは実施例1と同様にして行なった。
The fabrication of the nitride semiconductor light-emitting diode element in Example 3 was performed in the same manner as in Example 1 until the p-type
次に、p型GaNコンタクト層17を形成したサファイア基板11についてアニーリングした後に、p型GaNコンタクト層17の表面上に反射層18の材料の種類を各窒化物半導体発光ダイオード素子の作製ごとに変更して反射層18を150nmの層厚で作製した。ここで、反射層18の材料としては、Pd、Cuを1質量%以下の含有量で含むAg合金、PtおよびAlがそれぞれ用いられた。
Next, after annealing the
その後は、実施例1と同様にして、各窒化物半導体発光ダイオード素子の作製ごとに反射層18の材料の異なる複数の窒化物半導体発光ダイオード素子を作製した。
Thereafter, in the same manner as in Example 1, a plurality of nitride semiconductor light-emitting diode elements having different materials for the
そして、上記の窒化物半導体発光ダイオード素子の発光効率を測定した結果、上記の距離Dが70nm以下となる条件では、上記の反射層18にAg合金を用いた窒化物半導体発光ダイオード素子が反射層18にAgを用いた実施例1で作製した窒化物半導体発光ダイオード素子と同程度の発光効率を有していることが確認された。
As a result of measuring the luminous efficiency of the nitride semiconductor light emitting diode element, the nitride semiconductor light emitting diode element using an Ag alloy for the
なお、反射層18にPtおよびAlを用いた窒化物半導体発光ダイオード素子は、反射層18にAgを用いた実施例1で作製した窒化物半導体発光ダイオード素子ほどではないものの高い発光効率を有することが確認された。
Note that the nitride semiconductor light-emitting diode element using Pt and Al for the
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 It should be understood that the embodiments and examples disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
本発明によれば、高い発光効率を有する窒化物半導体発光ダイオード素子を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the nitride semiconductor light-emitting diode element which has high luminous efficiency can be provided.
1 透光性導電基板、2 n型窒化物半導体層、3,15 活性層、3a バリア層、3b 井戸層、4 p型窒化物半導体層、5 金属層、6 正電極、7,24 負電極、8 接着金属層、8a 第1接着金属層、8b 第2接着金属層、9,21 導電性基板、11 サファイア基板、12 GaNバッファ層、13 n型GaN下地層、14 n型GaNコンタクト層、15a GaNバリア層、15b In0.25Ga0.75N井戸層、16 p型AlGaNクラッド層、17 p型GaNコンタクト層、18 反射層、19 保護層、20 第1の接着用金属層、22 オーミック電極層、23 第2の接着用金属層、100,101 表面、1001 絶縁性基板。 1 translucent conductive substrate, 2 n-type nitride semiconductor layer, 3,15 active layer, 3a barrier layer, 3b well layer, 4p-type nitride semiconductor layer, 5 metal layer, 6 positive electrode, 7, 24 negative electrode , 8 adhesive metal layer, 8a first adhesive metal layer, 8b second adhesive metal layer, 9, 21 conductive substrate, 11 sapphire substrate, 12 GaN buffer layer, 13 n-type GaN underlayer, 14 n-type GaN contact layer, 15a GaN barrier layer, 15b In 0.25 Ga 0.75 N well layer, 16 p-type AlGaN cladding layer, 17 p-type GaN contact layer, 18 reflective layer, 19 protective layer, 20 first bonding metal layer, 22 ohmic electrode layer, 23 Second metal layer for adhesion, 100, 101 surface, 1001 Insulating substrate.
Claims (2)
前記p型窒化物半導体層上に形成された前記金属層を有し、
前記活性層は少なくとも1つの井戸層を含んでおり、
前記活性層中の前記井戸層のうち最もp型窒化物半導体層側に位置する井戸層の前記p型窒化物半導体層側の表面と、前記金属層の前記p型窒化物半導体層側の表面との間の距離が40nm以上70nm以下であって、
前記p型窒化物半導体層はAlを含有するp型Al含有窒化物半導体層を含み、
前記p型窒化物半導体層は、前記活性層側からp型AlGaN層およびp型GaN層がこの順序で積層された構成となっており、
前記p型AlGaN層のAl組成比が10%以上であって、
前記金属層は、Ag、Ag合金、AlおよびPtからなる群から選択される少なくとも1種からなり、
前記活性層から前記金属層側に放射された光が、前記金属層で反射することによって、前記活性層から前記透光性導電基板側に放射された光とともに前記透光性導電基板側から取り出される、窒化物半導体発光ダイオード素子。 A nitride semiconductor light-emitting diode element including a translucent conductive substrate, an n-type nitride semiconductor layer, an active layer, a p-type nitride semiconductor layer, and a metal layer in this order ,
Has the metal layer formed on the p-type nitride semiconductor layer,
The active layer includes at least one well layer;
Of the well layer in the active layer, the surface of the well layer located closest to the p-type nitride semiconductor layer side on the p-type nitride semiconductor layer side, and the surface of the metal layer on the p-type nitride semiconductor layer side The distance between and 40 nm or more and 70 nm or less,
The p-type nitride semiconductor layer includes a p-type Al-containing nitride semiconductor layer containing Al,
The p-type nitride semiconductor layer has a configuration in which a p-type AlGaN layer and a p-type GaN layer are stacked in this order from the active layer side.
What der Al composition ratio of the p-type AlGaN layer is 10% or more,
The metal layer is composed of at least one selected from the group consisting of Ag, an Ag alloy, Al, and Pt,
The light radiated from the active layer to the metal layer side is extracted from the light transmissive conductive substrate side together with the light radiated from the active layer to the light transmissive conductive substrate side by being reflected by the metal layer. A nitride semiconductor light emitting diode device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007288747A JP5474292B2 (en) | 2007-11-06 | 2007-11-06 | Nitride semiconductor light emitting diode device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007288747A JP5474292B2 (en) | 2007-11-06 | 2007-11-06 | Nitride semiconductor light emitting diode device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009117604A JP2009117604A (en) | 2009-05-28 |
JP5474292B2 true JP5474292B2 (en) | 2014-04-16 |
Family
ID=40784398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007288747A Expired - Fee Related JP5474292B2 (en) | 2007-11-06 | 2007-11-06 | Nitride semiconductor light emitting diode device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5474292B2 (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018052252A1 (en) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 엘지이노텍 주식회사 | Semiconductor device and semiconductor device package including same |
US10593838B2 (en) | 2017-08-14 | 2020-03-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10910519B2 (en) | 2016-09-13 | 2021-02-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor device having layers including aluminum and semiconductor device package including same |
US11569416B2 (en) | 2016-09-10 | 2023-01-31 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting semiconductor device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI412161B (en) * | 2009-11-06 | 2013-10-11 | Semileds Optoelectronics Co | Light emitting diode device |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001339101A (en) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Sharp Corp | Gallium nitride compound semiconductor element |
JP4024994B2 (en) * | 2000-06-30 | 2007-12-19 | 株式会社東芝 | Semiconductor light emitting device |
JP2002314131A (en) * | 2001-04-10 | 2002-10-25 | Showa Denko Kk | Transparent electrode, manufacturing method thereof and group iii nitride semiconductor light emitting element using the same |
JP4130163B2 (en) * | 2003-09-29 | 2008-08-06 | 三洋電機株式会社 | Semiconductor light emitting device |
JP4222287B2 (en) * | 2004-10-15 | 2009-02-12 | 昭和電工株式会社 | Group III nitride semiconductor crystal manufacturing method |
JP2007073732A (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Showa Denko Kk | Compound semiconductor element |
JP2007214276A (en) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Mitsubishi Chemicals Corp | Light-emitting element |
JP4970808B2 (en) * | 2006-03-01 | 2012-07-11 | 昭和電工株式会社 | GaN-based semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof |
-
2007
- 2007-11-06 JP JP2007288747A patent/JP5474292B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11569416B2 (en) | 2016-09-10 | 2023-01-31 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting semiconductor device |
US11961943B2 (en) | 2016-09-10 | 2024-04-16 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting semiconductor device for enhancing light extraction efficiency |
WO2018052252A1 (en) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 엘지이노텍 주식회사 | Semiconductor device and semiconductor device package including same |
US10910519B2 (en) | 2016-09-13 | 2021-02-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor device having layers including aluminum and semiconductor device package including same |
US10593838B2 (en) | 2017-08-14 | 2020-03-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009117604A (en) | 2009-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4206086B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device and method for manufacturing nitride semiconductor light emitting device | |
JP4572597B2 (en) | Nitride semiconductor device | |
WO2002101841A1 (en) | Iii group nitride based semiconductor luminescent element | |
KR20080060222A (en) | Semiconductor light-emitting device with electrode for n-polar ingaaln surface | |
JP2008518436A (en) | GaN-based compound semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof | |
JPWO2016002419A1 (en) | Nitride semiconductor light emitting device | |
JP5474292B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting diode device | |
JP2007073789A (en) | Electrodes for semiconductor light emitting device | |
JP4827706B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device | |
JP2006245165A (en) | Semiconductor light-emitting element | |
JP6654596B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing semiconductor light emitting device | |
JP2006261358A (en) | Semiconductor light-emitting element | |
JP2009289983A (en) | Nitride semiconductor light-emitting diode | |
JP2007149983A (en) | Manufacture of nitride semiconductor light-emitting element | |
JP2007273590A (en) | Nitride semiconductor element and its manufacturing method | |
JP2017069282A (en) | Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing the same | |
JP6153351B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
KR20090109598A (en) | Fabrication of vertical structured light emitting diodes using group 3 nitride-based semiconductors and its related methods | |
WO2016072326A1 (en) | Semiconductor light-emitting element | |
JP2009206461A (en) | Nitride semiconductor light emitting element, and manufacturing method thereof | |
JP2011155084A (en) | Ultraviolet semiconductor light emitting element | |
JP2004006970A (en) | Group iii nitride semiconductor light emitting element | |
KR101124470B1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP2016195187A (en) | Semiconductor light emitting element | |
JP6690139B2 (en) | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120124 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120403 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121127 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121213 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130205 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131216 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140205 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |