JP5469954B2 - ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物 - Google Patents

ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物 Download PDF

Info

Publication number
JP5469954B2
JP5469954B2 JP2009185959A JP2009185959A JP5469954B2 JP 5469954 B2 JP5469954 B2 JP 5469954B2 JP 2009185959 A JP2009185959 A JP 2009185959A JP 2009185959 A JP2009185959 A JP 2009185959A JP 5469954 B2 JP5469954 B2 JP 5469954B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
alkyl group
carbon atoms
structural unit
atom
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009185959A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2010134418A (ja
Inventor
尚宏 太宰
智之 平野
大寿 塩野
祐 松宮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority to JP2009185959A priority Critical patent/JP5469954B2/ja
Priority to KR1020090076759A priority patent/KR101038907B1/ko
Priority to US12/461,688 priority patent/US8182976B2/en
Priority to TW098128212A priority patent/TWI378326B/zh
Publication of JP2010134418A publication Critical patent/JP2010134418A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5469954B2 publication Critical patent/JP5469954B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/28—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
    • C08F220/283—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing one or more carboxylic moiety in the chain, e.g. acetoacetoxyethyl(meth)acrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F228/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a bond to sulfur or by a heterocyclic ring containing sulfur
    • C08F228/06—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a bond to sulfur or by a heterocyclic ring containing sulfur by a heterocyclic ring containing sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F28/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a bond to sulfur or by a heterocyclic ring containing sulfur
    • C08F28/06—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a bond to sulfur or by a heterocyclic ring containing sulfur by a heterocyclic ring containing sulfur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
JP2009185959A 2008-08-22 2009-08-10 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物 Active JP5469954B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009185959A JP5469954B2 (ja) 2008-08-22 2009-08-10 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
KR1020090076759A KR101038907B1 (ko) 2008-08-22 2009-08-19 포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 고분자 화합물
US12/461,688 US8182976B2 (en) 2008-08-22 2009-08-20 Positive resist composition, method of forming resist pattern, and polymeric compound
TW098128212A TWI378326B (en) 2008-08-22 2009-08-21 Positive resist composition, method of forming resist pattern, and polymeric compound

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008214689 2008-08-22
JP2008214689 2008-08-22
JP2008285756 2008-11-06
JP2008285756 2008-11-06
JP2009185959A JP5469954B2 (ja) 2008-08-22 2009-08-10 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010134418A JP2010134418A (ja) 2010-06-17
JP5469954B2 true JP5469954B2 (ja) 2014-04-16

Family

ID=41799590

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009185959A Active JP5469954B2 (ja) 2008-08-22 2009-08-10 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8182976B2 (ko)
JP (1) JP5469954B2 (ko)
KR (1) KR101038907B1 (ko)
TW (1) TWI378326B (ko)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5285884B2 (ja) * 2007-09-07 2013-09-11 東京応化工業株式会社 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5173557B2 (ja) 2008-04-24 2013-04-03 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物
JP5548406B2 (ja) * 2008-08-22 2014-07-16 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5337576B2 (ja) * 2008-10-07 2013-11-06 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5542413B2 (ja) * 2008-11-12 2014-07-09 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5337579B2 (ja) 2008-12-04 2013-11-06 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5232663B2 (ja) * 2009-01-14 2013-07-10 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物及び化合物
JP5232675B2 (ja) * 2009-01-26 2013-07-10 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法、並びに高分子化合物
JP5325600B2 (ja) * 2009-02-16 2013-10-23 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5292133B2 (ja) * 2009-03-09 2013-09-18 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5346627B2 (ja) * 2009-03-10 2013-11-20 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5244657B2 (ja) * 2009-03-10 2013-07-24 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5264575B2 (ja) 2009-03-11 2013-08-14 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5520515B2 (ja) * 2009-04-15 2014-06-11 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5783687B2 (ja) * 2009-06-23 2015-09-24 住友化学株式会社 樹脂及びレジスト組成物
JP5470053B2 (ja) * 2010-01-05 2014-04-16 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
US8449293B2 (en) 2010-04-30 2013-05-28 Tokyo Electron Limited Substrate treatment to reduce pattern roughness
JP5663338B2 (ja) * 2011-02-14 2015-02-04 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP5618924B2 (ja) * 2011-06-30 2014-11-05 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
TW201323456A (zh) * 2011-07-21 2013-06-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 聚合物，光阻組成物及光阻圖型之形成方法
JP6002378B2 (ja) * 2011-11-24 2016-10-05 東京応化工業株式会社 高分子化合物の製造方法
US8795947B2 (en) * 2012-03-22 2014-08-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition and method of forming resist pattern
US8795948B2 (en) 2012-03-22 2014-08-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, method of forming resist pattern and polymeric compound
JP6322424B2 (ja) * 2014-01-16 2018-05-09 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US31950A (en) * 1861-04-09 Floating derrick
US203309A (en) * 1878-05-07 Improvement in stove-polishing compounds
US4458001A (en) * 1982-12-29 1984-07-03 Polaroid Corporation β-Eliminating polymers for diffusion control in photographic products
JP3798458B2 (ja) 1996-02-02 2006-07-19 東京応化工業株式会社 オキシムスルホネート化合物及びレジスト用酸発生剤
JP3980124B2 (ja) 1997-07-24 2007-09-26 東京応化工業株式会社 新規ビススルホニルジアゾメタン
JP3865473B2 (ja) 1997-07-24 2007-01-10 東京応化工業株式会社 新規なジアゾメタン化合物
JP3854689B2 (ja) 1997-07-24 2006-12-06 東京応化工業株式会社 新規な光酸発生剤
US5945517A (en) 1996-07-24 1999-08-31 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemical-sensitization photoresist composition
US6153733A (en) 1998-05-18 2000-11-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. (Disulfonyl diazomethane compounds)
JP3935267B2 (ja) 1998-05-18 2007-06-20 東京応化工業株式会社 新規なレジスト用酸発生剤
JP2002006483A (ja) 2000-06-20 2002-01-09 Sumitomo Chem Co Ltd フォトレジスト組成物
JP4117112B2 (ja) * 2001-03-30 2008-07-16 富士フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
JP3895224B2 (ja) 2001-12-03 2007-03-22 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
US7531286B2 (en) 2002-03-15 2009-05-12 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
JP4345326B2 (ja) 2002-03-15 2009-10-14 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
EP1595182B1 (en) 2003-02-19 2015-09-30 Basf Se Halogenated oxime derivatives and the use thereof as latent acids
JP4583790B2 (ja) 2003-06-26 2010-11-17 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
US7101654B2 (en) * 2004-01-14 2006-09-05 Promerus Llc Norbornene-type monomers and polymers containing pendent lactone or sultone groups
JP4697395B2 (ja) 2004-01-19 2011-06-08 三菱瓦斯化学株式会社 アダマンタン誘導体およびそれを原料とする樹脂組成物
US7078562B2 (en) 2004-01-19 2006-07-18 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Adamantane derivatives and resin compositions using the same as raw material
JP4667273B2 (ja) * 2005-03-04 2011-04-06 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4212576B2 (ja) 2005-07-27 2009-01-21 ダイセル化学工業株式会社 ３−オキサ−２−チアトリシクロ［４．２．１．０４，８］ノナン誘導体
JP4781086B2 (ja) * 2005-10-31 2011-09-28 ダイセル化学工業株式会社 脂環式骨格を有する高分子化合物
US7932334B2 (en) * 2005-12-27 2011-04-26 Sumitomo Chemical Company, Limited Resin suitable for an acid generator
JP4784760B2 (ja) 2006-10-20 2011-10-05 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2008133312A (ja) * 2006-11-27 2008-06-12 Mitsubishi Rayon Co Ltd 重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法
US7741015B2 (en) 2007-02-16 2010-06-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process and resist composition
TWI391781B (zh) 2007-11-19 2013-04-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 光阻組成物，光阻圖型之形成方法，新穎化合物及酸產生劑
JP5460074B2 (ja) * 2008-03-10 2014-04-02 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5049935B2 (ja) 2008-06-20 2012-10-17 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5432141B2 (ja) * 2008-06-30 2014-03-05 株式会社クラレ アクリル酸エステル誘導体、ハロエステル誘導体、高分子化合物およびフォトレジスト組成物
JP5337576B2 (ja) 2008-10-07 2013-11-06 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5542413B2 (ja) * 2008-11-12 2014-07-09 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5337579B2 (ja) * 2008-12-04 2013-11-06 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5232663B2 (ja) 2009-01-14 2013-07-10 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物及び化合物
JP5232675B2 (ja) 2009-01-26 2013-07-10 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法、並びに高分子化合物
JP5325600B2 (ja) 2009-02-16 2013-10-23 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5292133B2 (ja) 2009-03-09 2013-09-18 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5346627B2 (ja) 2009-03-10 2013-11-20 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5244657B2 (ja) 2009-03-10 2013-07-24 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5264575B2 (ja) * 2009-03-11 2013-08-14 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5783687B2 (ja) * 2009-06-23 2015-09-24 住友化学株式会社 樹脂及びレジスト組成物
JP5470053B2 (ja) 2010-01-05 2014-04-16 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010134418A (ja) 2010-06-17
US8182976B2 (en) 2012-05-22
TW201027254A (en) 2010-07-16
KR20100023753A (ko) 2010-03-04
US20100062364A1 (en) 2010-03-11
KR101038907B1 (ko) 2011-06-03
TWI378326B (en) 2012-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5469954B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5548406B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5325600B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5542413B2 (ja) レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5337579B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5232675B2 (ja) ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法、並びに高分子化合物
JP5597460B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5244657B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP2010211073A (ja) ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5500925B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP2010170054A (ja) ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5439020B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、ポジ型レジストパターン形成方法
JP5325596B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5308896B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5469939B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5308877B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5314996B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、高分子化合物およびレジストパターン形成方法
JP5469887B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5412244B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5322711B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP2010210714A (ja) レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5103319B2 (ja) レジストパターン形成方法
JP5227656B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物
JP5162399B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5470055B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120524

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130902

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130910

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131021

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20131021

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140107

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140203

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5469954

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150