JP5465863B2 - 画像表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、画像表示装置に関する。

従来より、電界発光を利用した有機ＥＬ(Electroluminescence)素子を備える画像表示装置が知られている。

この様な画像表示装置では、画素回路に使われている薄膜トランジスタ（TFT：Thin Film Transistor）と有機ＥＬ素子の温度特性により、有機ＥＬパネルの温度が変化すると発光輝度が変化する。

このため、画素回路に付与する信号波形、信号電圧、または電源電圧を適宜制御することで、広い温度範囲（例えば、−２０℃〜＋６０℃）における有機ＥＬパネルの温度変化に対して、発光輝度を安定させる技術が提案されている（例えば、特許文献１，２等）。

特開平０７−２６３１４２号公報 特開２０００−２１４８２４号公報

しかしながら、有機ＥＬパネルの温度に依存する発光輝度の変化を調整する方法では、有機ＥＬパネルの経時的な特性の変化には対応できない。また、温度変化に応じた発光制御を行うと、制御を行ってから有機ＥＬパネルの温度が追従する迄にある程度の期間が必要となり、制御の遅れが生じ易い。

この様な問題は、経時的な特性の変化、および温度変化等によって発光輝度が変動する画像表示装置一般に共通する。

本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、発光輝度を安定化させることができる画像表示装置を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、本発明の第１の態様に係る画像表示装置は、発光素子を含む画素回路と、前記画素回路に電気的に接続され、前記画素回路に対して前記発光素子の発光する時間に応じた電圧を供給する電源部とを備えている。また、前記画像表示装置は、前記発光素子の発光に係るパラメータを時間で積分した予測積分値を認識する認識部と、前記発光素子の発光に対して、前記パラメータの実測値を取得する取得部とを備えている。更に、前記画像表示装置は、前記実測値を時間で積分した実測積分値が前記予測積分値を基準とした基準範囲に含まれるように、前記電源部から前記画素回路に対して電圧を供給する電圧供給時間を制御する制御部を備えている。

また、本発明の第２の態様に係る画像表示装置は、第１の態様に係る画像表示装置であって、前記制御部が、前記電源部から前記画素回路に対する電圧の供給を開始するタイミングを維持しつつ、前記電源部から前記画素回路に対する電圧の供給を完了するタイミングを変更することで、前記電圧供給時間を制御する。

また、本発明の第３の態様に係る画像表示装置は、発光素子を含む画素回路と、前記画素回路に電気的に接続され、前記画素回路に対して前記発光素子の発光する時間に応じた電圧を供給する電源部とを備えている。また、前記画像表示装置は、前記発光素子の発光に係るパラメータを時間で積分した予測積分値を認識する認識部と、前記発光素子の発光に対して、前記パラメータの実測値を取得する取得部とを備えている。更に、前記画像表示装置は、前記実測値を時間で積分した実測積分値が前記予測積分値を基準とした第１基準範囲内から外れる場合、前記第１基準範囲内に含まれる第２基準範囲内に含まれるように、前記電源部から前記画素回路に対して電圧を供給する電圧供給時間を制御し、前記実測積分値が前記第１基準範囲内に含まれる場合は、前記電圧供給時間を維持する制御部を備えている。

また、本発明の第４の態様に係る画像表示装置は、第１の態様に係る画像表示装置であって、前記制御部が、前記実測積分値が前記基準範囲に到達した時点で、前記電源部から前記画素回路に対する電圧の供給を完了させる。

また、本発明の第５の態様に係る画像表示装置は、第１の態様に係る画像表示装置であって、前記制御部が、前記実測積分値が前記予測積分値に到達した時点で、前記電源部から前記画素回路に対する電圧の供給を完了させる。

また、本発明の第６の態様に係る画像表示装置は、第１の態様に係る画像表示装置であって、前記制御部が、前記実測値を測定した前記発光素子に対して、該発光素子が発光する次回以降の発光時における前記電圧供給時間を制御する。

また、本発明の第７の態様に係る画像表示装置は、第１の態様に係る画像表示装置であって、第１方向に沿って複数の前記画素回路が配列されている複数の画素ラインが、前記第１方向とは異なる第２方向に沿って配列されている表示部を備えている。また、前記制御部が、前記表示部において、各前記画素ラインに含まれる複数の前記発光素子を前記第２方向に沿って順次に発光させつつ、前記実測積分値が前記基準範囲に含まれるように、前記電源部から各前記画素ラインに含まれている複数の前記画素回路に対して電圧を供給する電圧供給時間を制御する。

また、本発明の第８の態様に係る画像表示装置は、第１の態様に係る画像表示装置であって、前記パラメータが、前記発光素子を流れる電流を含む。

また、本発明の第９の態様に係る画像表示装置は、第１の態様に係る画像表示装置であって、前記パラメータが、前記発光素子の輝度を含む。

本発明は、発光輝度を安定化させることができる画像表示装置を提供することができる。

以下、本発明の第１〜３実施形態を図面に基づいて順次説明する。

＜第１実施形態＞
＜画像表示装置の機能的な構成＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る画像表示装置１の機能的な構成を示す図である。具体的には、図１は、有機ＥＬパネル３の駆動を制御する機能について説明するための図である。

画像表示装置１は、主に、制御部２、有機ＥＬパネル３、電流値取得部４、Ｘドライバ５Ｘ、専用ドライバ５Ｙ、および電源部としての電源回路６を備えている。なお、ここでは、画像信号が赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の３原色に係る信号によって構成されるものとする。そして、有機ＥＬパネル３が、赤色の光を発する発光素子、緑色の光を発する発光素子、青色の光を発する発光素子を備えて構成されているものとする。

制御部２は、画像表示装置１の動作を統括制御する部分であり、ＣＰＵ、ＲＯＭ、およびＲＡＭ等を備えて構成される。例えば、ＲＯＭ内には、プログラムおよび各種データ等が格納され、ＲＯＭ内のプロクラムをＣＰＵが読み込んで実行することで、制御部２における各種制御および機能が実現される。

この制御部２では、外部から入力される入力画像信号から有機ＥＬパネル３で消費されると予測される電流（以下「予測消費電流」と称する）を時間で積分した値（以下「予測電流積分値」と称する）を算出する。そして、制御部２は、この予測電流積分値と、入力画像信号に応じた発光により有機ＥＬパネル３で実際に消費される電流（以下「実測消費電流」と称する）を時間で積分した値（以下「実測電流積分値」とも称する）とを比較して、予測電流積分値と実測電流積分値とが略一致するように有機ＥＬパネル３における発光時間を調節する。なお、本実施形態においては、予測電流積分値が本発明の予測積分値に相当し、実測電流積分値が本発明の実測積分値に相当する。

図１で示されるように、制御部２でプログラムが実行されることで、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ、積算部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ、予測値取得部２３、電流積分部２４、比較部２５、デューティ制御部２６、ドライバ制御部２７、γ変換部２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂ、およびタイミングジェネレータ（ＴＧ）２９が機能的な構成として実現される。

指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、各画素に対応する各色の値（すなわち階調値）がＤ_r，Ｄ_g，Ｄ_bである入力画像信号を受け付ける。そして、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、各色の階調値Ｄ_r，Ｄ_g，Ｄ_bを底とし、所定値（ここでは、２．２）を指数とする指数関数の演算を行う。

ここで、画像の階調の応答特性を表わすときに「ガンマ（γ）」という数値が使われる。例えば、ディスプレイの場合、表面の明るさは入力画像データに正比例せずに、指数関数的な変化をする。入力画像データが小さいときは、該入力画像データの変化に対する明るさの変化は緩やかで、入力画像データが大きくなると、該入力画像データの変化に対する明るさの変化が急激に増大する。この関係が、例えば２．２乗のカーブを描くとき、γは２．２であるという。このγは、画質の硬調・軟調を決める指数であり、γが比較的大きい場合には画質が硬調となり、γが比較的小さい場合には画質が軟調となる。

そして、有機ＥＬパネルの場合には、γ＝２．２が一般に使用されるため、入力画像信号の階調値Ｘを２．２乗することで、各発光素子の発光輝度に対応する出力画像信号の階調値が求まる。また、この階調値は、各色の画素で消費される電流に略比例する。

したがって、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂでは、各色の階調値Ｄ_r，Ｄ_g，Ｄ_bを底とし、２．２を指数とする指数関数の演算がそれぞれ行われる。その結果、各色の画素で消費される電流が間接的に算出される。

具体的には、指数演算部２１Ｒが、入力画像信号（例えば、６ビットの画像信号）のうち、Ｒ色の階調値Ｄ_r（例えば、０〜６３）を２．２乗した値ｉ_Rを算出する。また、指数演算部２１Ｇが、入力画像信号（例えば、６ビットの画像信号）のうち、Ｇ色の階調値Ｄ_g（例えば、０〜６３）を２．２乗した値ｉ_Gを算出する。また、指数演算部２１Ｂが、入力画像信号（例えば、６ビットの画像信号）のうち、Ｂ色の階調値Ｄ_b（例えば、０〜６３）を２．２乗した値ｉ_Bを算出する。

例えば、６ビットで表現される階調値Ｘが、０／６３，１／６３，２／６３，・・・，６３／６３であり、且つ０≦Ｘ≦(６３／６３)である場合には、下式（１）を用いることで、階調値Ｘを２．２乗した値が近似的に求められる。すなわち、階調値Ｘの２．２乗の近似値が求められる。

Ｘ^2.2≒(３／４)×Ｘ²＋(１／４)×Ｘ³＝(１／４)×(３Ｘ＋１)×Ｘ²・・・（１）。

積算部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂでそれぞれ得られた値（階調値を２．２乗した値）を、Ｒ，Ｇ，Ｂの色毎に、有機ＥＬパネル３の画素数（例えば、横１２８０個×縦９６０個の合計約１２２８８００個分）分だけ累積加算する。

詳細には、積算部２２Ｒが、階調値Ｄ_rを２．２乗した値ｉ_Rを有機ＥＬパネル３のＲ色の画素数分だけ累積加算した値Ｓｕｍ_Rを算出する。また、積算部２２Ｇが、階調値Ｄ_gを２．２乗した値ｉ_Gを有機ＥＬパネル３のＧ色の画素数分だけ累積加算した値Ｓｕｍ_Gを算出する。また、積算部２２Ｂが、階調値Ｄ_bを２．２乗した値ｉ_Bを有機ＥＬパネル３のＢ色の画素数分だけ累積加算した値Ｓｕｍ_Bを算出する。

取得部としての予測値取得部２３は、積算部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂでそれぞれ算出された値Ｓｕｍ_R，Ｓｕｍ_G，Ｓｕｍ_Bから、各色の階調値がＤ_r，Ｄ_g，Ｄ_bである入力画像信号に対応して有機ＥＬパネル３で消費されると予測される電流の予測値（予測消費電流）Ｉ_pを算出する。そして、予測値取得部２３は、予測消費電流Ｉ_pに、有機ＥＬパネル３の１回の発光における基準発光時間Ｔｓ_emitを乗じることで、有機ＥＬパネル３の１回の発光で消費されると予測される電流を時間で積分した値（予測電流積分値）Ｑ_pを算出する。

つまり、本実施形態では、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ、積算部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ、および予測値取得部２３が、入力画像信号に基づき、画素回路３１の駆動に係るパラメータである電流を時間で積分した予測電流積分値Ｑ_pを認識する認識部として機能する。

なお、基準発光時間Ｔｓ_emitは、動画において１フレームの表示開始から次のフレームの表示開始までの期間（例えば、１／６０秒）、すなわち１フレーム分の表示期間（１フレーム表示期間）において１回の発光時間が占める比率（デューティ）の基準値（例えば０．５）を、該１フレーム表示期間に乗じて予め設定されているものとする。

ここで、有機ＥＬパネル３では、ＲＧＢの３色の発光素子において消費される電流の最大値は、有機ＥＬパネル３のホワイトバランスの設定によって異なる。このため、予め設計上決められるＲＧＢの間で異なる係数Ｃ_r，Ｃ_g，Ｃ_bを、値Ｓｕｍ_R，値Ｓｕｍ_G，値Ｓｕｍ_Bに乗じて加算することで、予測消費電流Ｉ_pが算出される。具体的には、下式（２）を用いることで、予測消費電流Ｉ_pが算出される。

Ｉ_p＝Ｃ_r×Σｉ_R＋Ｃ_g×Σｉ_G＋Ｃ_b×Σｉ_B
＝Ｃ_r×Ｓｕｍ_R＋Ｃ_g×Ｓｕｍ_G＋Ｃ_b×Ｓｕｍ_B・・・（２）。

更に、下式（３）で示されるように、予測消費電流Ｉ_pに基準発光時間Ｔｓ_emitを乗じることで、予測電流積分値Ｑ_pが算出される。

Ｑ_p＝Ｉ_p×Ｔｓ_emit・・・（３）。

γ変換部２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは、各色の階調値がＤ_r，Ｄ_g，Ｄ_bである入力画像信号を受け付けて、いわゆるガンマ補正を行う。ここでは、各色の階調値Ｄ_r，Ｄ_g，Ｄ_bが約２．２乗された値に変換される。

詳細には、γ変換部２８Ｒは、階調値Ｄ_rから階調値Ｄ_rを約２．２乗した階調値に変換する。また、γ変換部２８Ｇは、階調値Ｄ_gから階調値Ｄ_gを約２．２乗した階調値に変換する。また、γ変換部２８Ｂは、階調値Ｄ_bから階調値Ｄ_bを約２．２乗した階調値に変換する。この変換により、入力画像信号は、１０ビットの出力画像信号（すなわち、階調値が０〜１０２３の画像信号）に変換される。そして、変換後の出力画像信号は、Ｘドライバ５Ｘに入力される。

なお、γ変換部２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂにおける変換処理については、変換前の値と変換後の値とを関連付けたテーブルを予め準備しておき、このテーブルが参照されて行われても良いし、逐一演算によって行われても良い。

ＴＧ２９は、Ｘドライバ５Ｘおよび専用ドライバ５Ｙに対して、Ｘドライバ５Ｘおよび専用ドライバ５Ｙの動作を制御するための信号を出力する。

電流積分部２４は、有機ＥＬパネル３の画面全体で実際に消費され、且つ電流値取得部４で取得される電流値（実測消費電流）Ｉ_rを、有機ＥＬパネル３の１回分の発光期間において積分した値（実測電流積分値）Ｑ_rを算出する。つまり、本実施形態では、電流積分部２４は、電流値取得部４で取得される実測消費電流Ｉ_rを時間で積分した実測電流積分値Ｑ_rを得る部分となっている。

比較部２５は、予測値取得部２３において取得される予測電流積分値Ｑ_pと、電流積分部２４から入力される実測電流積分値Ｑ_rとを比較して、比較結果に応じた制御信号をデューティ制御部２６に対して出力する。

デューティ制御部２６は、比較部２５による比較結果に応じて、有機ＥＬパネル３に配列された各画素回路３１に含まれる有機ＥＬ素子１１（図２参照）に電圧を供給する時間（電圧供給時間）を制御する。具体的には、ドライバ制御部２７に対して、デューティに応じた信号を出力する。

ドライバ制御部２７は、デューティ制御部２６から入力される信号に応じて、専用ドライバ５Ｙに対して制御信号を出力する。

有機ＥＬパネル３は、略長方形の輪郭を有する有機ＥＬディスプレイ（organic electroluminescence display）であり、有機材料に電流を流すことで材料自らが発光する自発光型の発光素子を有する。つまり、有機ＥＬパネル３は、自発光型の発光素子を備えた表示部（自発光型表示部）を構成している。

この表示部としての有機ＥＬパネル３には、多数の画素回路３１が配列され、各画素回路３１には、発光素子（ここでは、有機ＥＬ素子）が含まれる。そして、多数の発光素子は、例えば、格子状に配列されている。換言すれば、有機ＥＬパネル３には、第１方向（ここでは、水平方向）に沿って複数の画素回路３１がそれぞれ配列されている複数の画素のライン（画素ライン、以下「水平ライン」とも称する）が、第１方向とは異なる第２方向（ここでは、垂直方向）に沿って配列されている。

また、有機ＥＬパネル３は、発光輝度に対応する出力画像信号を各画素回路３１に供給するための画像信号線Ｌ_is（図２参照）と、当該画像信号線Ｌ_isに対して略直交するように設けられ、各画素回路３１に走査信号を供給するための走査信号線Ｌ_ss（図２参照）とを有している。なお、走査信号は、各画素回路３１に画像信号線Ｌ_isを介して出力画像信号を供給するタイミングを制御する信号である。また、有機ＥＬパネル３は、各画素回路３１に含まれる有機ＥＬ素子１１の両極間に発光に必要な電圧を供給する電源線Ｌ_vd，Ｌ_vs（図２参照）を有している。

Ｘドライバ５Ｘは、画像信号線Ｌ_isに対して電気的に接続され、出力画像信号を画像信号線Ｌ_isに供給するタイミングを制御する回路（画像信号線駆動回路）である。

専用ドライバ５Ｙは、走査信号を走査信号線Ｌ_ssに供給するタイミング、および電圧を電源線Ｌ_vd，Ｌ_vsに供給するタイミングを制御する回路（走査信号線駆動回路）である。

なお、画像表示装置１では、例えば、Ｘドライバ５Ｘが、有機ＥＬパネル３の一辺（例えば、短辺または長辺）に沿って配置され、専用ドライバ５Ｙが、有機ＥＬパネル３の一辺と略直交する他辺（例えば、長辺または短辺）に沿って配置されている。

電流値取得部４は、出力画像信号に応じて各有機ＥＬ素子１１が発光している際に、電源回路６から供給され、有機ＥＬパネル３で消費される電流（電源電流）を実測することで、有機ＥＬパネル３における消費電流の実測値（実測消費電流）Ｉ_rを取得する。つまり、本実施形態では、電流値取得部４は、入力画像信号に応じた有機ＥＬ素子１１の発光に対して、画素回路３１の駆動に係るパラメータ（ここでは、電流）の実測値（ここでは、実測消費電流Ｉ_r）を取得する取得部に相当する。

この電流値取得部４は、電流計等を備えて構成され、例えば、電源回路６から有機ＥＬパネル３に至る回路上に抵抗を設け、その抵抗の両端に電流計が接続されている。

電源回路６は、電源（例えば、バッテリー）から供給される電力を、専用ドライバ５Ｙを介して有機ＥＬパネル３の各画素に対して供給するものである。詳細には、電源回路６は、各画素回路３１に対して電気的に接続されるとともに、各画素回路に含まれる発光素子の発光に必要な電圧を供給する。

なお、ここでは、制御部２の各種機能が、ＣＰＵでプログラムが実行されることで実現されたが、これに限られない。例えば、制御部２の全て又は一部の構成が、専用の電子回路等のハードウェア構成によって実現されても良い。

＜画素回路の構成＞
図２は、画像表示装置１を構成する１画素分の画素回路（駆動回路）３１の構成例を示す図である。

画素回路３１は、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）１１、駆動トランジスタ１２、閾値（Ｖ_th）補償用トランジスタ１３、およびコンデンサ１４を備えている。

有機ＥＬ素子１１は、発光層を流れる電流によって発光輝度が変化する発光素子である。この有機ＥＬ素子１１は、アノード電極１１ａとカソード電極１１ｂとを有している。

アノード電極１１ａは、有機ＥＬ素子１１の発光時に高電位側となる電源線としてのＶ_DD線Ｌ_vdに対して電気的に接続されている。また、カソード電極１１ｂは、有機ＥＬ素子１１の発光時に低電位側となる電源線としてのＶ_SS線Ｌ_vsに対して駆動トランジスタ１２を介して電気的に接続される。更に、カソード電極１１ｂは、Ｖ_th補償用トランジスタ１３の第４電極１３ｄｓに対して電気的に接続されている。

駆動トランジスタ１２は、有機ＥＬ素子１１に対して電気的に直列に接続され、有機ＥＬ素子１１における電流を調整することで有機ＥＬ素子１１の発光輝度を制御するトランジスタである。ここでは、駆動トランジスタ１２は、キャリアが電子であるタイプ（ｎ型）のＭＩＳ(Metal Insulator Semiconductor）構造を採用した電界効果トランジスタ（FET:Field Effect Transistor）の一種である薄膜トランジスタ（TFT：Thin Film Transistor）、すなわちｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されている。そして、駆動トランジスタ１２は、第１から第３電極１２ｄｓ，１２ｓｄ，１２ｇを有している。

第１電極１２ｄｓは、有機ＥＬ素子１１のカソード電極１１ｂに対して電気的に接続されている。そして、第１電極１２ｄｓは、アノード電極１１ａからカソード電極１１ｂに向けた方向（順方向）に電流が流れて有機ＥＬ素子１１が発光する際にドレインとして機能する。また、有機ＥＬ素子１１に対して逆方向に電圧が印加される際には、第１電極１２ｄｓはソースとして機能する。更に、第１電極１２ｄｓは、Ｖ_th補償用トランジスタ１３の第４電極１３ｄｓに対して電気的に接続されている。

第２電極１２ｓｄは、Ｖ_SS線Ｌ_vsに対して電気的に接続されている。そして、第２電極１２ｓｄは、有機ＥＬ素子１１に対して順方向の電流が流れる際にソースとして機能する。また、有機ＥＬ素子１１に対して逆方向に電圧が印加される際には、第２電極１２ｓｄはドレインとして機能する。更に、第３電極１２ｇは、いわゆるゲートであり、Ｖ_th補償用トランジスタ１３の第５電極１３ｓｄ、およびコンデンサ１４の一方電極１４ａに対してそれぞれ電気的に接続されている。

また、駆動トランジスタ１２では、第３電極１２ｇに付与される電位、より詳細には第１電極１２ｄｓまたは第２電極１２ｓｄと第３電極１２ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第１電極１２ｄｓと第２電極１２ｓｄとの間（以下「第１−２電極間」とも称する）において流れる電流が調整される。そして、この第３電極（ゲート）１２ｇに印加される電位により、駆動トランジスタ１２は、第１−２電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。

Ｖ_th補償用トランジスタ１３は、駆動トランジスタ１２が導通状態となる場合の、第２電極１２ｓｄに対する第３電極１２ｇの電位の下限値（所定の閾値電圧Ｖ_th）を検出するとともに、駆動トランジスタ１２のゲート電圧を、閾値電圧Ｖ_th（以下「閾値Ｖ_th」と略称する）に調整するトランジスタである。つまり、「閾値Ｖ_th」は、駆動トランジスタ１２がオフ状態（いわゆるドレイン電流が流れない状態）からオン状態（ドレイン電流が流れる状態）に移り変わるときの、境界となるゲート電圧のことを言う。なお、ここでは、Ｖ_th補償用トランジスタ１３も、駆動トランジスタ１２と同様にｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されている。そして、Ｖ_th補償用トランジスタ１３は、第４から第６電極１３ｄｓ，１３ｓｄ，１３ｇを有している。

第４電極１３ｄｓは、有機ＥＬ素子１１のカソード電極１１ｂおよび駆動トランジスタ１２の第１電極１２ｄｓに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、第５電極１３ｓｄは、駆動トランジスタ１２の第３電極１２ｇおよびコンデンサ１４の一方電極１４ａに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、第６電極１３ｇは、走査信号線Ｌ_ssに対して電気的に接続されている。

また、Ｖ_th補償用トランジスタ１３では、第６電極１３ｇに付与される電位、より詳細には第４電極１３ｄｓまたは第５電極１３ｓｄと第６電極１３ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第４電極１３ｄｓと第５電極１３ｓｄとの間（第４−５電極間）において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第６電極（ゲート）１３ｇに付与される電位により、Ｖ_th補償用トランジスタ１３は、第４−５電極間（すなわちドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。

ところで、有機ＥＬ素子１１は、電流によって発光輝度が制御されるため、発光時における駆動トランジスタ１２のゲート電圧のゆらぎに対して、発光輝度が敏感に変動する。特に、駆動トランジスタ１２がアモルファスシリコンを用いて構成された場合には、駆動トランジスタ１２毎に閾値Ｖ_thが異なる傾向にある。よって、画素毎に異なる閾値Ｖ_thを補償する機能（Ｖ_th補償機能）を持たせなければ、所望の発光輝度と実際の発光輝度との間に若干の乖離が生じ、結果として画素間で発光輝度のムラが生じてしまう。

そこで、Ｖ_th補償用トランジスタ１３は、発光前において画素毎に駆動トランジスタ１２のゲート電圧を閾値Ｖ_thに合わせることで、駆動トランジスタ１２における閾値Ｖ_thのばらつきを補償するＶ_th補償機能を実現する。

コンデンサ１４は、一方電極１４ａおよび他方電極１４ｂを備えて構成されている。そして、一方電極１４ａは、駆動トランジスタ１２の第３電極１２ｇおよびＶ_th補償用トランジスタ１３の第５電極１３ｓｄに対してそれぞれ電気的に接続されている。また、他方電極１４ｂは、画像信号線Ｌ_isに対して電気的に接続されている。なお、ここでは、コンデンサ１４の保持容量を所定値Ｃ_sとする。

ところで、有機ＥＬ素子１１は、発光時と逆の電圧が印加されるとコンデンサとして機能し、この容量（ＥＬ素子容量）を所定値Ｃ_oとする。また、駆動トランジスタ１２は、第２電極１２ｓｄと第３電極１２ｇとの間（第２−３電極間）の寄生容量Ｃ_gsTdと、第１電極１２ｄｓと第３電極１２ｇとの間（第１−３電極間）の寄生容量Ｃ_gdTdとを有する。更に、Ｖ_th補償用トランジスタ１３は、第５電極１３ｓｄと第６電極１３ｇとの間（第５−６電極間）の寄生容量Ｃ_gsTthと、第４電極１３ｄｓと第６電極１３ｇとの間（第４−６電極間）の寄生容量Ｃ_gdTthとを有する。なお、寄生容量Ｃ_gsTd，Ｃ_gdTd，Ｃ_gsTth，Ｃ_gdTthは、それぞれ駆動トランジスタ１２およびＶ_th補償用トランジスタ１３の構成によって決定される所定値の容量である。

図３は、図２で示した画素回路３１の回路構成に対して、寄生容量Ｃ_gsTth，Ｃ_gdTth，Ｃ_gsTd，Ｃ_gdTdとＥＬ素子容量Ｃ_oとに係る回路構成（図中破線で記載）を加えた模式図である。

図３で示されるように、画素回路３１では、有機ＥＬ素子１１の両電極間にはＥＬ素子容量Ｃ_oを有するコンデンサ（素子コンデンサ）Ｃ_olが存在し、駆動トランジスタ１２の第２−３電極間には寄生容量Ｃ_gsTdを有するコンデンサ１２ｇｓが存在する。そして、駆動トランジスタ１２の第１−３電極間には寄生容量Ｃ_gdTdを有するコンデンサ１２ｇｄが存在する。更に、Ｖ_th補償用トランジスタ１３の第５−６電極間には寄生容量Ｃ_gsTthを有するコンデンサ１３ｇｓが存在する。また、Ｖ_th補償用トランジスタ１３の第４−６電極間には寄生容量Ｃ_gdTthを有するコンデンサ１３ｇｄが存在している。

なお、ここでは、１つの画素回路３１に着目して説明したが、有機ＥＬパネル３の全体では、画素回路３１が多数存在する。このため、走査信号線Ｌ_ssも多数存在する。そこで、以下では、多数の走査信号線Ｌ_ssを、適宜「第Ｎ走査信号線（Ｎは自然数）Ｌ_ss」と称する。

＜有機ＥＬ素子の発光に関する駆動方法＞
図４は、有機ＥＬ素子１１を発光させる際の信号波形（駆動波形）を示すタイミングチャートである。図４では、横軸が時刻を示し、上から順に、(ａ) Ｖ_DD線Ｌ_vdに付与される電位（電位Ｖ_dd）、(ｂ) Ｖ_SS線Ｌ_vsに付与される電位（電位Ｖ_SS）、(ｃ)第１走査信号線Ｌ_SSに付与される信号の電位（電位Ｖ_ls1）、(ｄ)第２走査信号線Ｌ_SSに付与される信号の電位（電位Ｖ_ls2）、(ｅ)画像信号線Ｌ_isに付与される信号の電位（電位Ｖ_lis）、の波形が示されている。

また、図４では、有機ＥＬ素子１１を１回発光させるための駆動波形が示されており、１回の発光に係る期間は、時間順次に、Ｃ_s初期化期間Ｐ１（時刻ｔ１〜ｔ２）、準備期間Ｐ２（時刻ｔ２〜ｔ３）、Ｖ_th補償期間Ｐ３（時刻ｔ３〜ｔ４）、書込期間Ｐ４（時刻ｔ４〜ｔ５）、素子初期化期間Ｐ５（時刻ｔ５〜ｔ６）、および発光期間Ｐ６（時刻ｔ６〜）を備えて構成される。なお、書込期間Ｐ４における電位Ｖ_lisは、各有機ＥＬ素子１１の発光輝度によって決まる任意の値であるため、図４では、当該電位が存在し得る範囲に斜線ハッチングが便宜的に付されている。

図５から図９は、第１実施形態に係る画像表示装置１を駆動させる際に、各期間において発生する画素回路３１の電流の流れを黒塗りの矢印で例示する図である。図５から図９では、画素回路３１のうち、電流の流れに寄与する回路は太線で示され、電流の流れにほとんど寄与しない回路は細線で示されている。以下、図４および図５から図９を適宜参照しつつ、第１実施形態に係る画像表示装置１の駆動方法について説明する。

○Ｃ_s初期化期間Ｐ１：
図５では、Ｃ_s初期化期間Ｐ１（以下適宜「期間Ｐ１」と略する）での画素回路３１における電流の流れが例示されている。

期間Ｐ１では、Ｖ_DD線Ｌ_vdおよびＶ_SS線Ｌ_vsにそれぞれ所定の正の高電位Ｖ_DD（例えば１５Ｖ）が印加される。また、全走査信号線Ｌ_ssに所定の正の高電位Ｖ_gH（例えば１５Ｖ）が印加される。更に、画像信号線Ｌ_isに所定の基準電位（ここでは０Ｖ）が印加される。

このとき、走査信号線Ｌ_ssにおける高電位Ｖ_gHの印加により、第６電極（ゲート）１３ｇに高電位Ｖ_gHに応じた正電位が印加され、Ｖ_th補償用トランジスタ１３が導通状態となる。一方、Ｖ_DD線Ｌ_vdとＶ_SS線Ｌ_vsとが略同電位であり、駆動トランジスタ１２が非導通状態となる。したがって、期間Ｐ１では、図５で示されるように、Ｖ_DD線Ｌ_vdからＶ_th補償用トランジスタ１３の第４および第５電極１３ｄｓ，１３ｓｄを介してコンデンサ１４に向けて電流が流れ、コンデンサ１４に所定量の電荷（例えば、１５Ｖに応じた電荷量）が蓄積される。

なお、期間Ｐ１における時間経過とともにコンデンサ１４に蓄積される電荷量が高まり、第３電極（ゲート）１２ｇに所定値を超える正電位が付与され、駆動トランジスタ１２が導通状態となることもあり得る。しかし、Ｖ_DD線Ｌ_vdとＶ_SS線Ｌ_vsとがともに同電位Ｖ_DDに設定されているため、駆動トランジスタ１２の第１−２電極間には電流が流れない。

○準備期間Ｐ２：
図６では、準備期間Ｐ２（以下適宜「期間Ｐ２」と略する）での画素回路３１における電流の流れが例示されている。

期間Ｐ２では、Ｖ_DD線Ｌ_vdに負の所定電位−Ｖ_p（例えば−７Ｖ）が付与される。また、Ｖ_SS線Ｌ_vsに所定の基準電位（ここでは０Ｖ）が付与される。また、全走査信号線Ｌ_ssに所定の低電位Ｖ_gL（例えば−１０Ｖ）が付与される。更に、画像信号線Ｌ_isに所定の高電位Ｖ_dH（例えば１０Ｖ）が印加される。

このとき、走査信号線Ｌ_ssにおける低電位Ｖ_gLの付与により、第６電極（ゲート）１３ｇにはほとんど正の電位が付与されないため、Ｖ_th補償用トランジスタ１３が非導通状態となる。また、画像信号線Ｌ_isにおける高電位Ｖ_dHの付与により、第３電極（ゲート）１２ｇに高電位Ｖ_dHに応じた正電位（例えば１５＋１０＝２５Ｖ）が付与され、駆動トランジスタ１２が導通状態となる。

そして、Ｖ_DD線Ｌ_vdよりもＶ_SS線Ｌ_vsの方が電位がＶ_p高いため、図６で示されるように、Ｖ_SS線Ｌ_vsから駆動トランジスタ１２の第２および第１電極１２ｓｄ，１２ｄｓを順次に介して、有機ＥＬ素子１１に向けて電流が流れる。このとき、有機ＥＬ素子１１すなわち素子コンデンサＣ_olにＶ_DD線Ｌ_vdとＶ_SS線Ｌ_vsとの間の電位差に応じた所定量の電荷（例えば７Ｖに応じた電荷）が蓄積される。

○Ｖ_th補償期間Ｐ３：
図７では、Ｖ_th補償期間Ｐ３（以下適宜「期間Ｐ３」と略する）での画素回路３１における電流の流れが例示されている。

期間Ｐ３では、Ｖ_DD線Ｌ_vdおよびＶ_SS線Ｌ_vsにそれぞれ所定の基準電位（ここでは０Ｖ）が付与される。また、全走査信号線Ｌ_ssに高電位Ｖ_gHが付与される。更に、画像信号線Ｌ_isに高電位Ｖ_dH（例えば１０Ｖ）が付与される。

このとき、走査信号線Ｌ_ssにおける高電位Ｖ_gHの付与により、第６電極（ゲート）１３ｇに高電位Ｖ_gHに応じた正電位が付与され、Ｖ_th補償用トランジスタ１３が導通状態となる。また、期間Ｐ３の初期では、コンデンサ１４に蓄積された電荷と画像信号線Ｌ_isに付与された電位Ｖ_dHにより、駆動トランジスタ１２が導通状態となる。

したがって、期間Ｐ３の初期では、図７で示されるように、コンデンサ１４に蓄積された電荷に伴う電流が、コンデンサ１４からＶ_th補償用トランジスタ１３の第５および第４電極１３ｓｄ，１３ｄｓ、更には駆動トランジスタ１２の第１および第２電極１２ｄｓ，１２ｓｄを順次に介してＶ_SS線Ｌ_vsに向けて流れる。また、素子コンデンサＣ_olに蓄積された電荷に伴う電流が、駆動トランジスタ１２の第１および第２電極１２ｄｓ，１２ｓｄを順次に介してＶ_SS線Ｌ_vsに向けて流れる。

ところが、コンデンサ１４に蓄積された電荷に伴う電流が、コンデンサ１４からＶ_SS線Ｌ_vsに向けて流れていくにつれて、コンデンサ１４に蓄積されている電荷が減少する。そして、駆動トランジスタ１２の第２電極１２ｓｄに対する第３電極１２ｇの電位（ゲート電圧）Ｖ_gが実質的に閾値Ｖ_thまで減少すると、駆動トランジスタ１２が非導通状態となる。このとき、コンデンサ１４には、閾値Ｖ_thに応じた電荷が蓄積された状態となる。このように、期間Ｐ３では、閾値Ｖ_thに応じた電荷がコンデンサ１４に蓄積されて、画素毎に異なる閾値Ｖ_thのばらつきが補償される。

○書込期間Ｐ４：
図８では、書込期間Ｐ４（以下適宜「期間Ｐ４」と略する）での画素回路３１における電流の流れが例示されている。

期間Ｐ４では、Ｖ_DD線Ｌ_vdおよびＶ_SS線Ｌ_vsにそれぞれ基準電位０Ｖが印加されるとともに、出力画像信号に応じた電荷の蓄積を行う処理（データ書込処理）の実施対象画素において、走査信号線Ｌ_ssに高電位Ｖ_gHが付与され、画像信号線Ｌ_isに電位（Ｖ_dH−Ｖ_data）が付与される。なお、電位Ｖ_dataは、出力画像信号の電位であり、画像を構成する画素の輝度の階調に対応する値に応じた電位である。

このとき、走査信号線Ｌ_ssにおける高電位Ｖ_gHの付与により、第６電極（ゲート）１３ｇに高電位Ｖ_gHに応じた正電位が付与され、Ｖ_th補償用トランジスタ１３が導通状態となる。一方、画像信号線Ｌ_isに対して、期間Ｐ３における電位Ｖ_dH以下の電位（Ｖ_dH−Ｖ_data）が付与され、駆動トランジスタ１２のゲート電圧Ｖ_gが閾値Ｖ_th以下となるため、駆動トランジスタ１２が非導通状態となる。

したがって、期間Ｐ４では、図８で示されるように、有機ＥＬ素子１１（すなわち素子コンデンサＣ_ol）からＶ_th補償用トランジスタ１３の第４および第５電極１３ｄｓ，１３ｓｄを順次に介してコンデンサ１４に向けて電流が流れる。その結果、コンデンサ１４に既に蓄積された閾値Ｖ_thに応じた電荷の上に電位Ｖ_dataに応じた電荷が加算されて蓄積される。すなわち、期間Ｐ４においては、コンデンサ１４に有機ＥＬ素子１１の発光輝度に応じた電荷が蓄積される。換言すれば、期間Ｐ４では、画素回路３１において出力画素信号に応じた電荷がコンデンサ１４に蓄積される。

なお、コンデンサ１４の一方電極１４ａの電位（すなわち駆動トランジスタ１２のゲート電位）の変化量は、画像信号線Ｌ_isの電位の変化量と、コンデンサ１４の保持容量Ｃ_sと素子コンデンサＣ_olのＥＬ素子容量Ｃ_oとの比（容量比）との積に依拠する。すなわち、本実施形態においては、画像信号線Ｌ_isの電位がＶ_dHからＶ_dataに変化する場合、駆動トランジスタ１２のゲート電位が、（Ｖ_data−Ｖ_dH）×Ｃ_s／（Ｃ_s＋Ｃ_o）変化する。例えば、Ｖ_dH＝１０Ｖ，Ｖ_data＝５Ｖ、Ｃ_s：Ｃ_o＝１：２である場合には、画像信号線Ｌ_isの電位が−５Ｖ変化し、駆動トランジスタ１２のゲート電位Ｖ_gは、有機ＥＬ素子１１からコンデンサ１４に対する電荷の移動により、（５−１０）×１／（１＋２）＝−５／３Ｖ変化する。このようにコンデンサ１４に蓄積される電荷の移動により、画像信号線Ｌ_isの電位の変化が駆動トランジスタ１２のゲート電位に反映される。

○素子初期化期間Ｐ５：
素子初期化期間Ｐ５（以下適宜「期間Ｐ５」と略する）においては、Ｖ_DD線Ｌ_vdおよびＶ_SS線Ｌ_vsにそれぞれ所定の負電位−Ｖ_pが付与される。また、全走査信号線Ｌ_ssに低電位Ｖ_gLが付与される。更に、画像信号線Ｌ_isに高電位Ｖ_dHが付与される。このとき、Ｖ_th補償用トランジスタ１３が非導通状態となり、駆動トランジスタ１２が導通状態となる。そして、Ｖ_DD線Ｌ_vdとＶ_SS線Ｌ_vsとの間に電位差がなく、Ｖ_SS線Ｌ_vsが負電位−Ｖ_pに設定されているため、有機ＥＬ素子１１（すなわち素子コンデンサＣ_ol）に蓄積された電荷が、Ｖ_SS線Ｌ_vsに抜けて、有機ＥＬ素子１１に蓄積された電荷が一掃される。

○発光期間Ｐ６：
図９では、発光期間Ｐ６（以下適宜「期間Ｐ６」と略する）での画素回路３１における電流の流れが例示されている。

期間Ｐ６では、Ｖ_DD線Ｌ_vdに正の高電位Ｖ_DDが付与される。また、Ｖ_SS線Ｌ_vsに基準電位０Ｖが付与される。また、走査信号線Ｌ_ssに低電位Ｖ_gLが付与される。更に、画像信号線Ｌ_isに高電位Ｖ_dHが付与される。

このとき、走査信号線Ｌ_ssにおける低電位Ｖ_gLの付与により、Ｖ_th補償用トランジスタ１３が非導通状態となる。一方、画像信号線Ｌ_isに対して高電位Ｖ_dHが付与されるため、期間Ｐ４においてコンデンサ１４に蓄積された電荷量（電位Ｖ_dataに応じた電荷量）に応じた電位分、ゲート電圧Ｖ_gが閾値Ｖ_thよりも高くなり、駆動トランジスタ１２が導通状態となる。

例えば、Ｖ_data＝５Ｖ、Ｃ_s：Ｃ_o＝１：２である場合には、期間Ｐ４においてコンデンサ１４に蓄積される電荷が、閾値Ｖ_thよりも５／３Ｖ低い電位（［Ｖ_th−５／３］Ｖ）に対応する。そして、期間Ｐ６では、期間Ｐ４よりもＶ_data（＝５Ｖ）分高い電位が画像信号線Ｌ_isに対して付与され、第３電極（ゲート）１２ｇに対して、閾値Ｖ_thよりも１０／３Ｖ高い電位（［Ｖ_th＋１０／３］Ｖ＝［Ｖ_th−（５／３）＋５］Ｖ）が付与される。

そして、Ｖ_DD線Ｌ_vdがＶ_SS線Ｌ_vsよりも電位Ｖ_DD分、高電位であり、駆動トランジスタ１２が電位Ｖ_dataに応じて第１−２電極間で電流が流れる導通状態となる。このため、図９で示されるように、有機ＥＬ素子１１に対して電位Ｖ_dataに応じた電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子１１が電位Ｖ_dataに応じた輝度で発光する。つまり、期間Ｐ６では、各画素から出力画像信号に応じた輝度の光が出射される。

このような期間Ｐ１〜Ｐ６が繰り返されることで、各有機ＥＬ素子１１の発光が繰り返され、有機ＥＬパネル３において出力画像信号に応じた動画像が表示される。

図１０は、有機ＥＬパネル３が順次に発光する際における発光輝度の経時的な変化を模式的に示す図である。図１０では、横軸が時刻を示し、縦軸が発光輝度を示している。

図１０で示されるように、期間Ｐ１〜Ｐ５に相当する有機ＥＬ素子１１が発光していない期間（発光準備期間）Ｐ_preと、期間Ｐ６に相当する有機ＥＬ素子１１が発光している期間（発光期間）Ｐ_emitとが繰り返される。なお、発光期間Ｐ_emitにおける発光輝度は、出力画像信号によって決まる任意の値であるため、図１０では、当該発光輝度が存在し得る範囲に斜線ハッチングが便宜的に付されている。また、動画において１フレームの表示開始から次のフレームの表示開始までの期間（例えば、１／６０秒）、すなわち１フレーム分の表示期間を、以下「１フレーム期間Ｐ_rd」と称する。なお、１フレーム期間Ｐ_rdは、発光期間Ｐ_emitと、その直後の発光準備期間Ｐ_preとによって構成される。

次に、デューティ制御部２６によって、１フレーム期間Ｐ_rdにおいて発光期間Ｐ_emitが占める比率（デューティ）を制御する方法（デューティ制御方法）について説明する。

＜デューティ制御方法＞
図１１は、デューティの制御例を説明するための図である。図１１では、横軸が時刻を示し、縦軸が実測電流積分値Ｑ_rを示し、太線Ｌ_qが実測電流積分値Ｑ_rの経時的な変化を示している。

ここでは、各フレーム期間Ｐ_rdについて、予測値取得部２３によって、ある１フレームの入力画像信号に基づいて予測電流積分値Ｑ_pが得られ、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pと略一致するように、該１フレームのデューティが制御される。

詳細には、図１１で示されるように、比較部２５において電流積分部２４によって得られる実測電流積分値Ｑ_rが予測値取得部２３によって得られた予測電流積分値Ｑ_pまで到達した時点（時刻ｔ_end）で、デューティ制御部２６およびドライバ制御部２７による制御によって、有機ＥＬ素子１１に対する電圧の供給が完了される。

具体的には、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pまで到達した時点で、デューティ制御部２６およびドライバ制御部２７の制御によって、専用ドライバ５Ｙから電源線Ｌ_vdに印加される電位Ｖ_ddが、高電位Ｖ_DDから基準電位（ここでは０Ｖ）に変更される。この電源線Ｌ_vdの電位Ｖ_ddの変更によって、２つの電源線Ｌ_vd，Ｌ_vsに付与される電位Ｖ_dd，Ｖ_ssが同電位となり、有機ＥＬ素子１１の両電極間に印加される電位差が略０となる。つまり、有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給が停止される。そして、このとき、有機ＥＬ素子１１の発光が停止する。

なお、実際には、有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給が停止されてから、有機ＥＬ素子１１の発光が完全に終了するまで、有機ＥＬ素子１１に若干の電流が流れるとともに、有機ＥＬ素子１１が若干発光する。但し、有機ＥＬ素子１１の消灯時に若干流れる電流は、発光期間Ｐ_emitにおいて有機ＥＬ素子１１に流れる電流と比較して、ほとんど無視できるような極微量なものである。

したがって、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pまで到達したことに応答して、有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給が停止されれば、画素回路３１の駆動に係る実測電流積分値Ｑ_rが、予測電流積分値Ｑ_pを基準とした所定の範囲（基準範囲）に含まれることになる。なお、この基準範囲としては、例えば、予測電流積分値Ｑ_pの±１％以内の範囲等が考えられる。

このように、デューティ制御部２６によって、有機ＥＬ素子１１に対する電圧の供給が開始されるタイミングは維持されつつ、有機ＥＬ素子１１に対する電圧の供給を完了するタイミングが変更される。その結果、デューティ制御部２６によって、有機ＥＬ素子１１に対して電圧を供給する時間（電圧供給時間）が制御され、デューティが制御される。

＜デューティ制御動作＞
図１２および図１３は、画像表示装置１におけるデューティの制御動作フローを示すフローチャートである。本動作フローは、制御部２で所定のプログラムが実行されることで実現され、例えば、入力画像信号が制御部２に入力されると開始される。

まず、ステップＳ１では、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ、積算部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ、および予測値取得部２３により、予測値（ここでは、予測電流積分値Ｑ_p）が取得される。

詳細には、図１３で示されるように、まず、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂにより、各色の６ビットの画像信号を２．２乗した値ｉ_R，ｉ_G，ｉ_Bが算出される（ステップＳ１１）。次に、積算部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂにより、各色について、値ｉ_R，ｉ_G，ｉ_Bを有機ＥＬパネル３の各色の画素数分だけ累積加算した値Ｓｕｍ_R，Ｓｕｍ_G，Ｓｕｍ_Bが算出される（ステップＳ１２）。その次に、予測値取得部２３により、値Ｓｕｍ_R，Ｓｕｍ_G，Ｓｕｍ_Bから、予測消費電流Ｉ_pが算出される（ステップＳ１３）。更に、予測値取得部２３により、予測消費電流Ｉ_pに基準発光時間Ｔｓ_emitを乗じることで、予測電流積分値Ｑ_pが算出される。

ステップＳ２では、電流値取得部４および電流積分部２４により、ステップＳ１で予測電流積分値Ｑ_pの算出対象となった入力画像信号に対応する出力画像信号に応じて有機ＥＬ素子１１が発光させられつつ、該有機ＥＬ素子１１を流れる電流の実測値（実測消費電流）Ｉ_rが検出される。そして、該実測消費電流Ｉ_rが時間で積分されることで実測電流積分値Ｑ_rが取得される処理が開始される。なお、入力画像信号が制御部２に入力されて、ステップＳ１で予測電流積分値Ｑ_pが算出されるタイミングと、該入力画像信号に対応する出力画像信号に応じて有機ＥＬ素子１１が発光するタイミングとは、所定時間ずれるため、この所定時間のずれが考慮されて、ステップＳ２の処理が開始される。

ステップＳ３では、比較部２５により、ステップＳ２で取得され始めた実測電流積分値Ｑ_rが、ステップＳ１で算出された予測電流積分値Ｑ_pに到達したか否か、つまりＱ_p≦Ｑ_rの関係が成立するか否か判定される。ここでは、Ｑ_p≦Ｑ_rの関係が成立するまでステップＳ３の判定が繰り返され、Ｑ_p≦Ｑ_rの関係が成立すれば、ステップＳ４に進む。

ステップＳ４では、デューティ制御部２６により、ドライバ制御部２７および専用ドライバ５Ｙを介して、２つの電源線Ｌ_vd，Ｌ_vsに付与される電位Ｖ_dd，Ｖ_ssが同電位に設定され、各有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給が停止されて、本動作フローが終了される。ここでは、各有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給の停止により、各フレーム毎にデューティが制御される。

そして、このようなステップＳ１〜Ｓ４の処理が、動画を構成する各フレームについて行われる。

以上のように、本発明の第１実施形態に係る画像表示装置１では、画素回路３１の駆動に係る実測電流積分値Ｑ_rが、予測電流積分値Ｑ_pを基準とした所定の基準範囲に含まれるように、有機ＥＬ素子１１に対して電圧を供給する時間（電圧供給時間）が制御される。このため、画像表示装置１の発光輝度を安定化させることができる。詳細には、ある１フレームに係る実測電流積分値Ｑ_rが該１フレームに係る予測電流積分値Ｑ_pまで到達した時点で、有機ＥＬ素子１１に対する電圧の供給が完了される。つまり、実測消費電流Ｉ_rの測定対象となっているフレームの発光時間、すなわちデューティが制御される。したがって、画像表示装置１の発光輝度をより迅速に安定化させることができる。

また、有機ＥＬパネル３における画像表示に係る発光の開始のタイミングが固定され、発光の終了のタイミングが変更されることで、デューティが増減される。このため、ユーザが画面のちらつきを感じてしまうような画質の劣化を招くことなく、画像表示装置の発光輝度を安定化させることができる。

また、比較的簡単な構成で測定可能な電流の実測値とその予測値とを用いて、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が制御される。このため、構成の複雑化を招くことなく、画像表示装置１の発光輝度を安定化させることができる。

更に、ここでは、デューティの制御によって画像表示装置１の発光輝度が安定化されるため、ＲＧＢの３色のカラーバランスがほぼ崩れることがない。つまり、カラーバランスの崩れ等といった画質の劣化を招くことなく、画像表示装置１の発光輝度を安定化させることができる。

＜第２実施形態＞
上記第１実施形態に係る画像表示装置１では、ある１フレームに係る実測電流積分値Ｑ_rが該１フレームに係る予測電流積分値Ｑ_pまで到達した時点で、有機ＥＬ素子１１に対する電圧の供給が完了された。

これに対して、第２実施形態に係る画像表示装置１Ａでは、予測電流積分値Ｑ_pと実測電流積分値Ｑ_rとを比較して、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pを基準とした許容範囲から外れた場合には、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pを基準とした基準範囲に入るまで、デューティを段階的に増減させる。

＜画像表示装置の機能的な構成＞
図１で示されるように、第２実施形態に係る画像表示装置１Ａは、第１実施形態に係る画像表示装置１と比較して、比較部２５、デューティ制御部２６、およびドライバ制御部２７が、機能の異なる比較部２５Ａ、デューティ制御部２６Ａ、およびドライバ制御部２７Ａにそれぞれ変更され、該変更により、制御部２が実現される機能が異なる制御部２Ａに変更されたものとなっている。以下、第２実施形態に係る画像表示装置１Ａについて、第１実施形態に係る画像表示装置１と異なる点について主に説明する。但し、第１実施形態に係る画像表示装置１と同様な部分については、同じ符号を付して説明を省略する。

比較部２５Ａは、予測値取得部２３において取得される予測電流積分値Ｑ_pと、電流積分部２４から入力される実測電流積分値Ｑ_rとを比較する。具体的には、比較部２５Ａは、実測電流積分値Ｑ_rが、予測電流積分値Ｑ_pを基準とした第１基準範囲Ｒ１から外れているか否か判定する。そして、実測電流積分値Ｑ_rが第１基準範囲Ｒ１から一旦外れた場合には、実測電流積分値Ｑ_rと予測電流積分値Ｑ_pとの大小関係を判定する。また、比較部２５Ａは、実測電流積分値Ｑ_rが、第１基準範囲Ｒ１よりも狭く且つ予測電流積分値Ｑ_pを基準とした基準範囲としての第２基準範囲Ｒ２に含まれているか否か判定する。そして、比較部２５Ａは、判定結果に応じた制御信号をデューティ制御部２６Ａに対して出力する。

デューティ制御部２６Ａは、比較部２５Ａによる比較結果に応じて、有機ＥＬパネル３に配列された各画素回路３１に含まれる有機ＥＬ素子１１に対して電圧を供給する時間（電圧供給時間）を制御する。

具体的には、実測電流積分値Ｑ_rが第１基準範囲Ｒ１から一旦外れた場合には、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pよりも小さければ、実測電流積分値Ｑ_rが第２基準範囲Ｒ２に入るまで有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間、すなわちデューティが所定量ずつ増加される。一方、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pよりも大きければ、実測電流積分値Ｑ_rが第２基準範囲Ｒ２に入るまで有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間、すなわちデューティが所定量ずつ低減される。

ここで、デューティの１回の増減量である所定量としては、例えば、デューティの基準値（例えば、０．５）の１％分の量等が挙げられる。また、第１基準範囲Ｒ１としては、例えば予測電流積分値Ｑ_pを中心とした該予測電流積分値Ｑ_pの±５％の範囲等が挙げられる。更に、第２基準範囲Ｒ２としては、例えば予測電流積分値Ｑ_pを中心とした該予測電流積分値Ｑ_pの±２．５％の範囲等が挙げられる。

また、ここでは、現在設定されているデューティに応じた有機ＥＬ素子１１の発光時に得られる実測電流積分値Ｑ_rと、予測電流積分値Ｑ_pとを比較した後に、デューティを増減させる。このため、次のフレームから、増減されたデューティに応じた有機ＥＬ素子１１の発光が行われる。

このように、デューティ制御部２６Ａによって、実測電流積分値Ｑ_rが第２基準範囲Ｒ２に含まれるように有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間の設定値が変更される。そして、デューティ制御部２６Ａによって、実測電流積分値Ｑ_rに係る実測消費電流Ｉ_rの測定が行われた有機ＥＬ素子１１において、次回発光するときに、変更後の電圧供給時間の設定値に応じて有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が制御される。

なお、ドライバ制御部２７Ａは、デューティ制御部２６Ａで再設定された電圧供給時間、すなわちデューティに応じてデューティ制御部２６Ａから入力される信号に応じて、専用ドライバ５Ｙに対して制御信号を出力する。

＜デューティ制御方法＞
図１４および図１５は、第２実施形態に係るデューティの制御例を説明するための図である。ここでは、ある程度の期間（時刻ｔ２１〜ｔ２６）において、予測電流積分値Ｑ_pが一定である場合を例にとって説明する。

図１４では、実測電流積分値Ｑ_rが、予測電流積分値Ｑ_pを基準とした第１基準範囲Ｒ１から外れ、且つ実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pよりも低いものと、比較部２５Ａによって認識された場合のデューティの制御例が示されている。また、図１５では、実測電流積分値Ｑ_rが、予測電流積分値Ｑ_pを基準とした第１基準範囲Ｒ１から外れ、且つ実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pよりも高いものと、比較部２５によって認識された場合のデューティの制御例が示されている。具体的には、図１４および図１５では、横軸が時刻、縦軸が実測電流積分値Ｑ_rを示すとともに、実測電流積分値Ｑ_r（黒丸および実線）の経時的な変化が示されている。

まず、図１４で示されるように、実測電流積分値Ｑ_rが、第１基準範囲Ｒ１内になく、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_p（図１４中の一点鎖線）よりも低い場合（時刻ｔ２１）、デューティ制御部２６Ａにより、ドライバ制御部２７Ａおよび専用ドライバ５Ｙを介して、デューティの増加が開始される。

ここでは、経時的な特性の変化又は温度変化により、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pよりも低くなっているため、実測電流積分値Ｑ_rが上昇するように、デューティが増加される。そして、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pを基準とした第２基準範囲Ｒ２に到達するまで、デューティが段階的に増加される（時刻ｔ２１〜ｔ２６）。そして、実測電流積分値Ｑ_rが第２基準範囲Ｒ２に含まれるようになれば、デューティの増加が停止される（時刻ｔ２６）。

一方、図１５で示されるように、実測電流積分値Ｑ_rが、第１基準範囲Ｒ１内になく、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_p（図１５中の一点鎖線）よりも高い場合（時刻ｔ２１）、デューティ制御部２６Ａにより、ドライバ制御部２７Ａおよび専用ドライバ５Ｙを介して、デューティの低減が開始される。

ここでは、経時的な特性の変化又は温度変化により、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pよりも高くなっているため、実測電流積分値Ｑ_rが低下するように、デューティが低減される。そして、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pを基準とした第２基準範囲Ｒ２に到達するまで、デューティが低減される（時刻ｔ２１〜ｔ２６）。そして、実測電流積分値Ｑ_rが第２基準範囲Ｒ２に含まれるようになれば、デューティの低減が停止される（時刻ｔ２６）。

＜デューティ制御動作＞
図１６は、第２実施形態に係るデューティの制御動作フローを示すフローチャートである。本動作フローは、制御部２Ａで所定のプログラムが実行されることで実現され、例えば、入力画像信号が制御部２Ａに入力されると開始される。

まず、ステップＳＴ１では、図１２のステップＳ１と同様に、図１３で示された処理によって、予測電流積分値Ｑ_pが取得される。

ステップＳＴ２では、電流値取得部４および電流積分部２４により、ステップＳＴ１で予測電流積分値Ｑ_pの算出対象となった入力画像信号に対応する出力画像信号に応じて有機ＥＬ素子１１が発光させられつつ、該有機ＥＬ素子１１を流れる電流の実測値（実測消費電流）Ｉ_rが検出されるとともに、該実測消費電流Ｉ_rが時間で積分されて実測電流積分値Ｑ_rが取得される。このとき、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間は、既に設定されているデューティに応じた時間となっている。また、ここでは、制御部２Ａへの入力画像信号の入力に応じて、ステップＳＴ１で予測電流積分値Ｑ_pが算出されるタイミングと、該入力画像信号に対応する出力画像信号に応じて有機ＥＬ素子１１が発光するタイミングとの所定時間のずれが考慮されて、ステップＳＴ２の処理が行われる。

ステップＳＴ３では、比較部２５Ａにより、ステップＳＴ２で取得された実測電流積分値Ｑ_rが、ステップＳＴ１で取得された予測電流積分値Ｑ_pを基準とした所定の第１基準範囲Ｒ１から外れているか否か判定される。ここで、実測電流積分値Ｑ_rが第１基準範囲Ｒ１から外れていれば、ステップＳＴ４に進み、実測電流積分値Ｑ_rが第１基準範囲Ｒ１から外れていなければ、本動作フローが終了される。

ステップＳＴ４では、比較部２５Ａにより、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pよりも大きいか否か、すなわちＱ_p＜Ｑ_rの関係が成立するか否か判定される。ここで、Ｑ_p＜Ｑ_rの関係が成立すれば、ステップＳＴ５に進み、Ｑ_p＜Ｑ_rの関係が成立しなければ、ステップＳＴ６に進む。

ステップＳＴ５では、デューティ制御部２６Ａにより、デューティの設定値が所定量低減される。

ステップＳＴ６では、デューティ制御部２６Ａにより、デューティの設定値が所定量増加される。

ステップＳＴ７では、ステップＳＴ１と同様に、図１３で示された処理によって、予測電流積分値Ｑ_pが取得される。なお、ステップＳＴ７において予測電流積分値Ｑ_pの算出対象となる入力画像信号は、ステップＳＴ１またはステップＳＴ７において前回得られた予測電流積分値Ｑ_pの算出対象となったフレームに係る入力画像信号の次のフレームに係る入力画像信号となる。

ステップＳＴ８では、ステップＳＴ２と同様に、電流値取得部４および電流積分部２４により、ステップＳＴ７で予測電流積分値Ｑ_pの算出対象となった入力画像信号に対応する出力画像信号に応じて有機ＥＬ素子１１が発光させられつつ、該有機ＥＬ素子１１を流れる電流の実測値（実測消費電流）Ｉ_rが検出されるとともに、該実測消費電流Ｉ_rが時間で積分されて実測電流積分値Ｑ_rが取得される。

ステップＳＴ９では、比較部２５Ａにより、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pを基準とした所定の第２基準範囲Ｒ２に含まれるか否か判定される。ここで、実測電流積分値Ｑ_rが第２基準範囲Ｒ２に含まれていなければ、ステップＳＴ４に戻り、実測電流積分値Ｑ_rが第２基準範囲Ｒ２に含まれていれば、本動作フローが終了される。つまり、実測電流積分値Ｑ_rが、第２基準範囲Ｒ２内に到達するまで、ステップＳＴ４〜ＳＴ９の処理が繰り返される。

そして、このような動作フローが実行されることで、例えば、各フレームの入力画像信号について、予測電流積分値Ｑ_pと実測電流積分値Ｑ_rとが取得され、その比較結果に応じて、デューティ制御部２６Ａにより、フレーム毎にデューティが適宜変更される。すなわち、デューティ制御部２６Ａにより、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が制御される。

詳細には、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pを基準とした第１基準範囲Ｒ１から外れれば、デューティ制御部２６Ａにより、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pよりも幅が狭い第２基準範囲Ｒ２に含まれるように、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が増減される。一方、実測電流積分値Ｑ_rが第１基準範囲Ｒ１に含まれている限りは、デューティ制御部２６Ａにより、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が維持される。

以上のように、第２実施形態に係る画像表示装置１Ａでは、上記第１実施形態に係る画像表示装置１と同様に、画素回路３１の駆動に係る実測電流積分値Ｑ_rが、予測電流積分値Ｑ_pを基準とした所定の基準範囲に含まれるように、有機ＥＬ素子１１に電圧が供給される時間（電圧供給時間）が制御される。このため、画像表示装置１Ａの発光輝度を安定化させることができる。また、比較的簡単な構成で測定可能な電流の実測値とその予測値とに基づいて、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が制御されるため、構成の複雑化を招くことなく、画像表示装置１Ａの発光輝度を安定化させることができる。

更に、実測電流積分値Ｑ_rが第１基準範囲Ｒ１から外れれば、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pよりも幅が狭い第２基準範囲Ｒ２に含まれるように、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が増減される。また、実測電流積分値Ｑ_rが第１基準範囲Ｒ１に含まれている限りは、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が維持される。したがって、ある程度の発光輝度の変動が許容されるため、頻繁に発光時間が変更されて、ユーザが視覚的に違和感を感じる等と言った不具合の発生を抑制することができる。

＜第３実施形態＞
上記第１および第２実施形態に係る画像表示装置１，１Ａでは、有機ＥＬパネル３に配列された全ての有機ＥＬ素子１１が同時に点灯する方式（同時点灯方式）が採用されていた。

これに対して、第３実施形態に係る画像表示装置１Ｂでは、有機ＥＬパネル３に配列された複数の有機ＥＬ素子１１が、一端側の水平ラインから順次に水平ライン毎に発光を開始および終了する方式（具体的には、プログレッシブ方式）が採用されている。そして、プログレッシブ方式の採用に伴って、第３実施形態に係る画像表示装置１Ｂでは、上記第１および第２実施形態に係る画像表示装置１，１Ａと比較して、予測電流積分値Ｑ_pの取得方法、および実測電流積分値Ｑ_rと予測電流積分値Ｑ_pとの比較方法が異なる。

＜画像表示装置の機能的な構成＞
図１７は、本発明の第３実施形態に係る画像表示装置１Ｂの機能的な構成を示す図である。図１７で示されるように、第３実施形態に係る画像表示装置１Ｂは、上記第１および第２実施形態に係る画像表示装置１，１Ａと比較して、積算部２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ、予測値取得部２３、電流積分部２４、比較部２５，２５Ａ、デューティ制御部２６，２６Ａ、およびドライバ制御部２７，２７Ａが、機能の異なる積算部２２ＲＢ，２２ＧＢ，２２ＢＢ、予測値取得部２３Ｂ、電流積分部２４Ｂ、比較部２５Ｂ、デューティ制御部２６Ｂ、およびドライバ制御部２７Ｂにそれぞれ変更され、該変更により、制御部２が実現される機能が異なる制御部２Ｂに変更されたものとなっている。

以下、図１７を参照しつつ、第３実施形態に係る画像表示装置１Ｂについて、第１および第２実施形態に係る画像表示装置１，１Ａと異なる点について主に説明する。但し、第１および第２実施形態に係る画像表示装置１，１Ａと同様な部分については、同じ符号を付して説明を省略する。

積算部２２ＲＢ，２２ＧＢ，２２ＢＢは、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂで得られた値（階調値を２．２乗した値）を、Ｒ，Ｇ，Ｂの色毎に、有機ＥＬパネル３の水平ライン毎に累積加算する。例えば、有機ＥＬパネル３において、１つの水平ラインに１２８０個の同色の画素が配列され、且つ９６０本の水平ラインが配列されている場合には、各色に対し、９６０本の水平ラインについて水平ライン毎に１２８０画素分の階調値がそれぞれ累積加算される。

詳細には、積算部２２ＲＢが、階調値Ｄ_rが２．２乗された値ｉ_Rを有機ＥＬパネル３の各水平ラインについてＲ色の画素数分だけ累積加算した値ＬＳｕｍ_Rn（ｎは、有機ＥＬパネル３の一端側からの水平ラインの順番を示す自然数）をそれぞれ算出する。また、積算部２２ＧＢが、階調値Ｄ_gが２．２乗された値ｉ_Gを有機ＥＬパネル３の各水平ラインについてＧ色の画素数分だけ累積加算した値ＬＳｕｍ_Gn（ｎは、水平ラインの順番を示す自然数）をそれぞれ算出する。また、積算部２２ＢＢが、階調値Ｄ_bが２．２乗された値ｉ_Bを有機ＥＬパネル３の各水平ラインについてＢ色の画素数分だけ累積加算した値ＬＳｕｍ_Bn（ｎは、水平ラインの順番を示す自然数）をそれぞれ算出する。

予測値取得部２３Ｂは、予測電流演算部２３１、遅延回路２３２、および流れ加算部２３３を有している。

予測電流演算部２３１は、積算部２２ＲＢ，２２ＧＢ，２２ＢＢでそれぞれ算出された各水平ラインについての値Ｓｕｍ_Rn，Ｓｕｍ_Gn，Ｓｕｍ_Bnから、各色の階調値がＤ_r，Ｄ_g，Ｄ_bである各水平ラインの入力画像信号に対応して有機ＥＬパネル３でそれぞれ消費されると予測される電流の予測値（第ｎ予測消費電流）Ｉ_pnを算出する。ここでは、第ｎ予測消費電流Ｉ_pnは、ｎ番目の水平ラインにおいて消費される電流の予測値を示す。

ここで、有機ＥＬパネル３では、ＲＧＢの３色の有機ＥＬ素子１１において消費される電流の最大値は、有機ＥＬパネル３のホワイトバランスの設定によって異なる。このため、予め設計上決められるＲＧＢの間で異なる係数Ｃ_r，Ｃ_g，Ｃ_bを、値Ｓｕｍ_Rn，値Ｓｕｍ_Gn，値Ｓｕｍ_Bnに乗じて加算することで、第ｎ予測消費電流Ｉ_pnが算出される。具体的には、下式（４）を用いることで、第ｎ予測消費電流Ｉ_pnが算出される。

Ｉ_pn＝Ｃ_r×Ｓｕｍ_Rn＋Ｃ_g×Ｓｕｍ_Gn＋Ｃ_b×Ｓｕｍ_Bn・・・（４）。

そして、予測電流演算部２３１で算出された第ｎ予測消費電流Ｉ_pnは、遅延回路２３２を介して、流れ加算部２３３に対して順次出力される。

流れ加算部２３３は、第ｎ予測消費電流Ｉ_pnを用いて、１フレーム分の入力画像信号に応じた有機ＥＬパネル３の発光において有機ＥＬパネル３で消費されると予測される電流を時間で積分した値（予測電流積分値）Ｑ_pを算出する。

ここで、プログレッシブ方式が採用された画像表示装置１Ｂにおける発光動作、および流れ加算部２３３における予測電流積分値Ｑ_pの算出方法について順次説明する。

プログレッシブ方式が採用された画像表示装置１Ｂでは、１フレーム分の入力画像信号に対して、例えば、有機ＥＬパネル３の上方側の１番目の水平ラインから順に点灯し始め、その後、デューティに応じたＮ本の水平ラインが同時に点灯する。例えば、デューティが０．４の場合には、有機ＥＬパネル３の水平ラインの本数が４８０本であれば、Ｎは１９２（＝４８０×０．４）となる。そして、Ｎ本の水平ラインのうちの最も上方の１本の水平ラインが消灯するタイミングで、Ｎ本の水平ラインの直ぐ下方の１本の水平ラインが点灯する。このため、点灯しているＮ本の水平ラインの帯が上方から下方に向かってシフトしていくとともに、最終的に有機ＥＬパネル３の最も下方側の水平ラインが消灯する。

このような１フレーム分の入力画像信号に応じた発光動作が順次に繰り返されることで、動画を構成する複数フレーム分の入力画像信号に応じた発光動作が実現される。そして、複数フレーム分の入力画像信号に応じた発光動作では、動画を構成するｍ（ｍは自然数）番目のフレーム（以下「第ｍフレーム」と称する）の入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の下方の複数の水平ラインで行われている状態で、第ｍフレームの次の（ｍ＋１）番目のフレーム（以下「第（ｍ＋１）フレーム」と称する）の入力画像信号に応じた発光動作が有機ＥＬパネル３の上方の水平ラインで開始される。

例えば、フレーム間にＭ（２または３）本のいわゆるブランクラインが存在している場合、デューティの変更がなければ、第ｍフレームの入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の最も下方の（Ｎ−Ｍ）本の水平ラインで行われている状態から、有機ＥＬパネル３の最も下方の（Ｎ−Ｍ−１）本の水平ラインで行われている状態へ移行する際に、第（ｍ＋１）フレームの入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の最も上方の１本目の水平ラインで開始される。その後、第ｍフレームの入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の最も下方の水平ラインで終了される際に、第（ｍ＋１）フレームの入力画像信号に応じた発光動作が有機ＥＬパネル３の上方の（Ｎ−Ｍ）本の水平ラインで行われる。

なお、各フレームの入力画像信号に応じて有機ＥＬパネル３の発光が開始されるタイミングの間隔は、入力画像信号のフレーム間隔、すなわちフレームレートＦ_r（例えば、１／６０秒）で一定となっている。

流れ加算部２３３では、第ｍフレームの入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の上方のＮ本の水平ラインで行われ始めた時点から、第ｍフレームの入力画像信号に応じた有機ＥＬパネル３の発光が完全に終了する時点までに有機ＥＬパネル３で消費されるものと予測される電流の予測値（予測消費電流）を時間で積分した値（予測電流積分値）Ｑ_pを算出する。以下、流れ加算部２３３において予測電流積分値Ｑ_pを算出する処理を「流れ加算処理」と称する。

なお、ここでは、例えば、第ｍフレームの入力画像信号が制御部２Ｂに入力されて、予測電流演算部２３１において２００番目の水平ラインに係る予測消費電流Ｉ_pnが算出されるタイミングで、所定本Ｎ_p（ここでは８本）の水平ライン分遅れて、１９２番目の水平ラインにおいて発光が行われる。つまり、予測消費電流Ｉ_pnの算出対象となっている水平ラインと、実際に有機ＥＬパネル３で発光している水平ラインとは、所定本Ｎ_p（ここでは８本）分のずれが生じる。この所定本Ｎ_p分のずれは、各画素回路３１に対する出力画像信号の書き込みに係る動作に起因して生じる。

なお、ここで言う所定本Ｎ_p分に相当するずれの時間（ずれ時間）をＴ_sfとすれば、ずれ時間Ｔ_sfは、有機ＥＬパネル３に配列されている全水平ラインの数Ｌ_total、ブランクラインの本数Ｍ、およびフレームレートＦ_rを用いて、下式（５）によって求められる。

Ｔ_sf＝Ｎ_p／（Ｌ_total＋Ｍ）×Ｆ_r ・・・（５）。

遅延回路２３２は、所定の記憶容量のメモリ等によって構成され、上記所定本Ｎ_p分のずれ時間Ｔ_sfに応じて、第ｎ予測消費電流Ｉ_pnを示す信号の出力タイミングを調整する。具体的には、予測電流演算部２３１から入力される第ｎ予測消費電流Ｉ_pnを、上記所定本Ｎ_p分のずれに応じた時間Ｔ_sf分遅延させて、流れ加算部２３３に与える。

例えば、Ｎ_p＝８である場合を想定すると、予測電流演算部２３１で２００番目の水平ラインに係る予測消費電流Ｉ_pn（ｎ＝２００）が算出される際に、１〜１９２番目の水平ラインが発光する。このとき、流れ加算部２３３では、１〜１９２番目の水平ラインに係る予測消費電流Ｉ_pn（ここでは、ｎ＝１〜１９２）が加算され、時間で積分される。

また、予測電流演算部２３１で２０１番目の水平ラインに係る予測消費電流Ｉ_pn（ｎ＝２０１）が算出される際に、２〜１９３番目の水平ラインが発光する。このとき、流れ加算部２３３では、２〜１９３番目の水平ラインに係る予測消費電流Ｉ_pn（ここでは、ｎ＝２〜１９３）が加算され、時間で積分される。

更に、予測電流演算部２３１で２０２番目の水平ラインに係る予測消費電流Ｉ_pn（ｎ＝２０２）が算出される際に、３〜１９４番目の水平ラインが発光する。このとき、流れ加算部２３３では、３〜１９４番目の水平ラインに係る予測消費電流Ｉ_pn（ここでは、ｎ＝３〜１９４）が加算され、時間で積分される。

ここで、予測消費電流Ｉ_pnの加算対象となるＮ本の水平ラインの帯が切り替わる時間間隔Ｔ_SFは、下式（６）によって求められる。

Ｔ_SF＝１／（Ｌ_total＋Ｍ）×Ｆ_r ・・・（６）。

なお、流れ加算部２３３では、ＴＧ２９からの信号に応じて、予測消費電流Ｉ_pnの加算対象となるＮ本の水平ラインの帯が切り替えられる。但し、上式（６）に基づいて予め設定されたタイミングで予測消費電流Ｉ_pnの加算対象となるＮ本の水平ラインの帯が切り替えられても良い。そして、第ｍフレームの入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の上方のＮ本の水平ラインで行われ始めるタイミング、および第ｍフレームの入力画像信号に応じた有機ＥＬパネル３の発光が完全に終了するタイミングは、デューティ制御部２６Ｂで設定されるデューティと、ＴＧ２９からの信号とによって制御される。

このようにして、遅延回路２３２の働きにより、流れ加算部２３３において、有機ＥＬパネル３で発光している全ての水平ラインに対応する予測消費電流Ｉ_pnが時間について順次に積分され、予測電流積分値Ｑ_pが取得される。つまり、本実施形態では、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ、積算部２２ＲＢ，２２ＧＢ，２２ＢＢ、および予測値取得部２３Ｂが、入力画像信号に基づき、画素回路３１の駆動に係るパラメータである電流を時間で積分した予測電流積分値Ｑ_pを認識する認識部として機能する。

なお、第ｍフレームの入力画像信号に応じた有機ＥＬパネル３の発光が完全に終了する時点では、第（ｍ＋１）フレームの入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の上方から（Ｎ−Ｍ）本の水平ラインで行われている。つまり、流れ加算部２３３で取得される予測電流積分値Ｑ_pは、第ｍフレームの入力画像信号に応じた電流を時間で積分した値と、第ｍフレームの入力画像信号と第（ｍ＋１）フレームの入力画像信号とが混合した入力画像信号に応じた電流を時間で積分した値とが合算されたものとなる。

図１７に戻って説明を続ける。

電流積分部２４Ｂは、有機ＥＬパネル３の画面全体で実際に消費され、且つ電流値取得部４で取得される電流値（実測消費電流）Ｉ_rを、第ｍフレームの入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の上方のＮ本の水平ラインで行われ始めた時点から、第ｍフレームの入力画像信号に応じた有機ＥＬパネル３の発光が完全に終了する時点まで積分することで、実測電流積分値Ｑ_rを算出する。

この実測電流積分値Ｑ_rは、第ｍフレームの入力画像信号に応じて有機ＥＬパネル３が発光する際に有機ＥＬ素子１１で流れる電流を時間で積分した値となっている。したがって、本実施形態では、電流積分部２４Ｂは、電流値取得部４で取得される実測消費電流Ｉ_rを時間で積分した実測電流積分値Ｑ_rを得る部分となっている。

なお、第ｍフレームの入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の上方のＮ本の水平ラインで行われ始めるタイミング、および第ｍフレームの入力画像信号に応じた有機ＥＬパネル３の発光が完全に終了するタイミングは、デューティ制御部２６Ｂで設定されるデューティと、ＴＧ２９からの信号とによって制御される。

比較部２５Ｂは、第２実施形態に係る比較部２５Ａと同様に、予測値取得部２３Ｂにおいて取得される予測電流積分値Ｑ_pと、電流積分部２４Ｂから入力される実測電流積分値Ｑ_rとを比較する。具体的には、比較部２５Ｂは、実測電流積分値Ｑ_rが、予測電流積分値Ｑ_pを基準とした第１基準範囲Ｒ１から外れているか否か判定する。そして、実測電流積分値Ｑ_rが第１基準範囲Ｒ１から一旦外れた場合には、実測電流積分値Ｑ_rと予測電流積分値Ｑ_pとの大小関係を判定する。また、比較部２５Ｂは、実測電流積分値Ｑ_rが、第１基準範囲Ｒ１よりも狭く且つ予測電流積分値Ｑ_pを基準とした第２基準範囲Ｒ２に含まれているか否か判定する。そして、比較部２５Ｂは、判定結果に応じた制御信号をデューティ制御部２６Ｂに対して出力する。

デューティ制御部２６Ｂは、第２実施形態に係るデューティ制御部２６Ａと同様に、比較部２５Ｂによる比較結果に応じて、有機ＥＬパネル３に配列された各画素回路３１に含まれる有機ＥＬ素子１１に電圧を供給する時間（電圧供給時間）を制御する。

具体的には、第２実施形態と同様に、実測電流積分値Ｑ_rが第１基準範囲Ｒ１から一旦外れた場合には、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pよりも小さければ、実測電流積分値Ｑ_rが第２基準範囲Ｒ２に入るまで、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間、すなわちデューティが所定量ずつ増加される。一方、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pよりも大きければ、実測電流積分値Ｑ_rが第２基準範囲Ｒ２に入るまで、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間、すなわちデューティが所定量ずつ低減される。但し、デューティの１回の増減量である所定量としては、例えば、同時に点灯する水平ラインの本数、すなわちＮを１本増減させる量等が挙げられる。

また、第１基準範囲Ｒ１としては、第２実施形態と同様に、例えば、予測電流積分値Ｑ_pを中心とした該予測電流積分値Ｑ_pの±５％等の範囲が挙げられる。更に、第２基準範囲Ｒ２としては、第２実施形態と同様に、例えば、予測電流積分値Ｑ_pを中心とした該予測電流積分値Ｑ_pの±２．５％等の範囲が挙げられる。

更に、第ｍフレームに係る実測電流積分値Ｑ_rと予測電流積分値Ｑ_pとの比較に応じて
デューティ制御部２６Ｂによってデューティが増減されるタイミングは、第（ｍ＋１）フレームの入力画像信号に応じた発光が有機ＥＬパネル３の上方の（Ｎ−Ｍ）本の水平ラインで行われているタイミングとなる。そして、デューティの増減により、同時に点灯する水平ラインの本数Ｎが増減する。

したがって、デューティ制御部２６Ｂによって、有機ＥＬ素子１１に対する電圧の供給が開始されるタイミングが維持されつつ、有機ＥＬ素子１１に対する電圧の供給を完了するタイミングが変更される。その結果、デューティ制御部２６Ｂによって、有機ＥＬ素子１１に対して電圧を供給する時間（電圧供給時間）が制御される。

そして、デューティ制御部２６Ｂによって、有機ＥＬパネル３において、各水平ラインに含まれる複数の有機ＥＬ素子１１を垂直方向に上方から順次に発光させつつ、実測電流積分値Ｑ_rが第２基準範囲Ｒ２に含まれるように、各水平ラインに含まれている有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間の設定値が変更される。そして、デューティ制御部２６Ｂによって、実測電流積分値Ｑ_rに係る実測消費電流Ｉ_rの測定が行われた有機ＥＬ素子１１の発光タイミングの後の該有機ＥＬ素子１１の発光タイミングにおいて、変更後の電圧供給時間の設定値に応じて有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が制御される。

ドライバ制御部２７Ｂは、デューティ制御部２６Ｂで再設定された電圧供給時間、すなわちデューティに応じてデューティ制御部２６Ｂから入力される信号に応じて、専用ドライバ５Ｙに対して制御信号を出力する。

＜デューティ制御動作＞
図１８および図１９は、本発明の第３実施形態に係る画像表示装置１Ｂにおけるデューティの制御動作フローを示すフローチャートである。本動作フローは、制御部２Ｂで所定のプログラムが実行されることで実現され、例えば、入力画像信号が制御部２Ｂに入力され始めると開始される。

まず、図１８のステップＳＰ１では、予測電流演算部２３１によって水平ライン毎に第ｎ予測消費電流Ｉ_pnが算出される処理が開始される。

ステップＳＰ２では、遅延回路２３２によってステップＳＰ１で順次に取得される予測消費電流Ｉ_pnを流れ加算部２３３に出力するタイミングを遅らせる処理（遅延処理）が開始される。

ステップＳＰ３では、流れ加算部２３３によって遅延回路２３２から入力される予測消費電流Ｉ_pnを用いて予測電流積分値Ｑ_pを算出する流れ加算処理が開始される。

ステップＳＰ４では、ステップＳＰ３における流れ加算処理の開始とともに、電流積分部２４Ｂによる実測電流積分値Ｑ_rの取得が開始される。

ステップＳＰ５では、流れ加算部２３３および電流積分部２４Ｂにおいて、１フレーム分の発光が終了したか否か判定される。具体的には、第ｍフレームの入力画像信号に応じた有機ＥＬパネル３の発光が完全に終了したか否か判定される。ここでは、１フレーム分の発光が終了するまでステップＳＰ５の判定が繰り返され、１フレーム分の発光が終了すればステップＳＰ６に進む。ステップＳＰ６に進むタイミングで、流れ加算部２３３から予測電流積分値Ｑ_pが比較部２５Ｂに出力され、電流積分部２４Ｂから実測電流積分値Ｑ_rが比較部２５Ｂに出力される。

ステップＳＰ６では、比較部２５Ｂにより、実測電流積分値Ｑ_rが、予測電流積分値Ｑ_pを基準とした所定の第１基準範囲Ｒ１から外れているか否か判定される。ここで、実測電流積分値Ｑ_rが第１基準範囲Ｒ１から外れていれば、ステップＳＰ７に進み、実測電流積分値Ｑ_rが第１基準範囲Ｒ１から外れていなければ、本動作フローが終了される。

ステップＳＰ７では、比較部２５Ｂにより、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pよりも大きいか否か、すなわちＱ_p＜Ｑ_rの関係が成立するか否か判定される。ここで、Ｑ_p＜Ｑ_rの関係が成立すれば、ステップＳＰ８に進み、Ｑ_p＜Ｑ_rの関係が成立しなければ、ステップＳＰ９に進む。

ステップＳＰ８では、デューティ制御部２６Ｂにより、デューティの設定値が所定量低減され、図１９のステップＳＰ１１に進む。

ステップＳＰ９では、デューティ制御部２６Ｂにより、デューティの設定値が所定量増加され、図１９のステップＳＰ１１に進む。

図１９のステップＳＰ１１では、次のフレームについて、図１８のステップＳＰ５と同様に、流れ加算部２３３および電流積分部２４Ｂにおいて、１フレーム分の発光が終了したか否か判定される。ここでは、１フレーム分の発光が終了するまでステップＳＰ１１の判定が繰り返され、１フレーム分の発光が終了すればステップＳＰ１２に進む。ステップＳＰ１２に進むタイミングで、流れ加算部２３３から予測電流積分値Ｑ_pが比較部２５Ｂに出力され、電流積分部２４Ｂから実測電流積分値Ｑ_rが比較部２５Ｂに出力される。

ステップＳＰ１２では、比較部２５Ｂにより、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pを基準とした所定の第２基準範囲Ｒ２に含まれるか否か判定される。ここで、実測電流積分値Ｑ_rが第２基準範囲Ｒ２に含まれていなければ、図１８のステップＳＰ７に戻り、実測電流積分値Ｑ_rが第２基準範囲Ｒ２に含まれていれば、本動作フローが終了される。つまり、実測電流積分値Ｑ_rが、第２基準範囲Ｒ２内に到達するまで、ステップＳＰ７〜ＳＰ１２の処理が繰り返される。

そして、このような動作フローが実行されることで、例えば、各フレームの入力画像信号について、予測電流積分値Ｑ_pと実測電流積分値Ｑ_rとが順次に取得され、その比較結果に応じて、デューティ制御部２６Ｂにより、フレーム毎にデューティが適宜変更される。つまり、デューティ制御部２６Ｂにより、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が制御される。

詳細には、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pを基準とした第１基準範囲Ｒ１から外れれば、デューティ制御部２６Ｂにより、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pよりも幅が狭い第２基準範囲Ｒ２に含まれるように、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が増減される。一方、実測電流積分値Ｑ_rが第１基準範囲Ｒ１に含まれている限りは、デューティ制御部２６Ｂにより、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が維持される。

以上のように、プログレッシブ方式が採用された第３実施形態に係る画像表示装置１Ｂでは、上記第１および第２実施形態に係る画像表示装置１，１Ａと同様に、画素回路３１の駆動に係る実測電流積分値Ｑ_rが、予測電流積分値Ｑ_pを基準とした所定の基準範囲に含まれるように、有機ＥＬ素子１１に電圧を供給する時間（電圧供給時間）が制御される。このため、画像表示装置１Ｂの発光輝度を安定化させることができる。また、比較的簡単な構成で測定可能な電流の実測値とその予測値とに基づいて、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が制御されるため、構成の複雑化を招くことなく、画像表示装置１Ｂの発光輝度を安定化させることができる。

また、上記第２実施形態に係る画像表示装置１Ａと同様に、実測電流積分値Ｑ_rが第１基準範囲Ｒ１から外れれば、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pよりも幅が狭い第２基準範囲Ｒ２に含まれるように、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が増減される。一方、実測電流積分値Ｑ_rが第１基準範囲Ｒ１に含まれている限りは、有機ＥＬ素子１１に対する電圧供給時間が維持される。このように、ある程度の発光輝度の変動が許容されるため、頻繁に発光時間が変更されて、ユーザが視覚的に違和感を感じる等と言った不具合の発生を抑制することができる。

なお、本発明は上述の第１〜３実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。

＜変形例１＞
◎上記第１〜３実施形態では、画素回路３１の駆動に係るパラメータとして電流が採用され、有機ＥＬパネル３における実測電流積分値Ｑ_rと予測電流積分値Ｑ_pとの比較結果に応じて、有機ＥＬパネル３に係るデューティが制御されたが、これに限られない。例えば、有機ＥＬパネル３の複数の画素回路３１に含まれる複数の発光素子から発せられる光の輝度を、画素回路３１の駆動に係るパラメータとしても良い。

具体的には、まず、１フレームの入力画像信号に対して、予め定められたルールに基づき、有機ＥＬパネル３から発せられる光の輝度の予測値（輝度予測値）Ｌ_pを認識して、該輝度予測値Ｌ_pを時間で積分した値（予測輝度積分値）ＱＬ_pを取得する。このとき、同じ１フレームの入力画像信号に応じて有機ＥＬパネル３から発せられる光の輝度の実測値（輝度実測値）Ｌ_rを取得して、該輝度実測値Ｌ_rを時間で積分した値（実測輝度積分値）ＱＬ_rを取得する。そして、予測輝度積分値ＱＬ_pと実測輝度積分値ＱＬ_rとの比較結果に応じて、有機ＥＬパネル３に係るデューティを制御するようにしても良い。なお、本変形例においては、予測輝度積分値が本発明の予測積分値に相当し、実測輝度積分値が本発明の実測積分値に相当する。

このような構成によれば、実際の画面の見え方と直結する輝度に合わせて、有機ＥＬ素子１１に電圧を供給する時間が制御されるため、画像表示装置の発光輝度をより確実に安定化させることができる。

以下、輝度を利用して有機ＥＬパネル３に係るデューティを制御する具体例を挙げて説明する。

図２０は、本発明の変形例１に係る画像表示装置１Ｃの機能的な構成を示すブロック図である。ここでは、上記第１実施形態と同様な構成について同じ符号を付して説明を省略する。

画像表示装置１Ｃは、制御部２Ｃ、有機ＥＬパネル３、輝度取得部２００、Ｘドライバ５Ｘ、専用ドライバ５Ｙ、電源回路６、および記憶部５００Ｃを備えている。

記憶部５００Ｃには、階調値Ｄ_r，Ｄ_g，Ｄ_bと輝度との関係を示すテーブル５０１Ｃが格納されている。テーブル５０１Ｃ内には、例えば、階調値Ｄ_r，Ｄ_g，Ｄ_bに対応させて、輝度計による実測等によって得られた輝度値が初期値として予め格納されている。

制御部２Ｃでは、ＲＯＭ内等に格納される所定のプログラムが実行されることで、各種機能および動作が実行される。

具体的には、輝度認識部２１ＲＣ，２１ＧＣ，２１ＢＣが、各画素に対応する各色の値（すなわち階調値）がＤ_r，Ｄ_g，Ｄ_bである入力画像信号を受け付けて、テーブル５０１Ｃを参照し、対応する輝度値Ｐ_r，Ｐ_g，Ｐ_bをそれぞれ認識する。詳細には、輝度認識部２１ＲＣが、Ｒ色の階調値Ｄ_rに対応する輝度値Ｐ_rを認識する。輝度認識部２１ＧＣが、Ｇ色の階調値Ｄ_gに対応する輝度値Ｐ_gを認識する。輝度認識部２１ＢＣが、Ｂ色の階調値Ｄ_bに対応する輝度値Ｐ_bを認識する。

積算部２２ＲＣ，２２ＧＣ，２２ＢＣが、輝度認識部２１ＲＣ，２１ＧＣ，２１ＢＣで認識された輝度値Ｐ_r，Ｐ_g，Ｐ_bを、色毎に有機ＥＬパネル３の画素数分だけ累積加算する。詳細には、積算部２２ＲＣが、Ｒ色に係る輝度値Ｐ_rの積算値ＳｕｍＰ_rを算出する。積算部２２ＧＣが、Ｇ色に係る輝度値Ｐ_gの積算値ＳｕｍＰ_gを算出する。積算部２２ＢＣが、Ｂ色に係る輝度値Ｐ_bの積算値ＳｕｍＰ_bを算出する。

予測値取得部２３Ｃは、積算部２２ＲＣ，２２ＧＣ，２２ＢＣで算出された値ＳｕｍＰ_r，ＳｕｍＰ_g，ＳｕｍＰ_bから、各色の階調値がＤ_r，Ｄ_g，Ｄ_bである入力画像信号に対応して有機ＥＬパネル３から発せられると予測される光の輝度の予測値（輝度予測値）Ｌ_pを算出する。そして、予測値取得部２３Ｃは、輝度予測値Ｌ_pに、有機ＥＬパネル３の１回の発光における基準発光時間Ｔｓ_emit（例えば、１／６０秒）を乗じることで、有機ＥＬパネル３の１回の発光時における輝度を時間で積分した値（予測輝度積分値）ＱＬ_pを算出する。

ここで、有機ＥＬパネル３では、ＲＧＢの３色の有機ＥＬ素子１１に係る輝度の最大値は、有機ＥＬパネル３のホワイトバランスの設定によって異なる。このため、予め設計上決められるＲＧＢの間で異なる係数Ｃｌ_r，Ｃｌ_g，Ｃｌ_bを、値ＳｕｍＰ_r，値ＳｕｍＰ_g，値ＳｕｍＰ_bに乗じて加算することで、輝度予測値Ｌ_pが算出される。具体的には、下式（７）を用いることで、輝度予測値Ｌ_pが算出される。

Ｌ_p＝Ｃｌ_r×ＳｕｍＰ_r＋Ｃｌ_g×ＳｕｍＰ_g＋Ｃｌ_b×ＳｕｍＰ_b・・・（７）。

更に、下式（８）で示されるように、輝度予測値Ｌ_pに基準発光時間Ｔｓ_emitを乗じることで、予測輝度積分値ＱＬ_pが算出される。

ＱＬ_p＝Ｌ_p×Ｔｓ_emit・・・（８）。

したがって、本変形例では、輝度認識部２１ＲＣ，２１ＧＣ，２１ＢＣ、積算部２２ＲＣ，２２ＧＣ，２２ＢＣ、および予測値取得部２３Ｃが、入力画像信号に基づき、画素回路３１の駆動に係るパラメータである輝度を時間で積分した予測輝度積分値ＱＬ_pを認識する認識部として機能する。

輝度取得部２００は、輝度計等を備えて構成される。この輝度計としては、例えば、各画素回路３１において、各種トランジスタ１２，１３および有機ＥＬ素子１１等が形成されているシリコン基板上に、ダイオードも形成されて輝度計として機能させるような構成が考えられる。そして、本変形例では、輝度取得部２００は、入力画像信号に応じた有機ＥＬ素子１１の発光に対して、画素回路３１の駆動に係るパラメータである輝度の実測値（輝度実測値Ｌ_r）を取得する取得部に相当する。

なお、例えば、図２１で示されるように、有機ＥＬパネル３の前面側ではなく、側面側に輝度取得部２００が配置されても良い。図２１では、輝度取得部２００が、有機ＥＬパネル３の前面側に設けられた保護ガラスの側方に出射される光（横向きの光）の輝度を取得する例が示されている。また、図２１では、上方が有機ＥＬパネル３の前面側であり、また、矢印が有機ＥＬパネル３から出射される光の進行方向を示している。但し、このような態様では、輝度取得部２００によって、有機ＥＬパネル３の画面全体から出射される光の輝度を測定することが難しいため、測定される光の輝度に対応する輝度予測値を認識した上で、予測輝度積分値ＱＬ_pを得る必要性がある。

輝度積分部２４Ｃは、有機ＥＬパネル３の画面全体から実際に発せられ、且つ輝度取得部２００で取得される輝度値（輝度実測値）Ｌ_rを、有機ＥＬパネル３の１回分の発光期間において積分した値（実測輝度積分値）ＱＬ_rを算出する。つまり、本変形例では、輝度積分部２４Ｃは、入力画像信号に応じた有機ＥＬ素子１１の発光に対して、画素回路３１の駆動に係るパラメータである輝度を時間で積分した実測輝度積分値ＱＬ_rを取得する部分として機能する。

比較部２５Ｃは、予測値取得部２３Ｃにおいて取得される予測輝度積分値ＱＬ_pと、輝度積分部２４Ｃから入力される実測輝度積分値ＱＬ_rとを比較して、比較結果に応じた制御信号をデューティ制御部２６に対して出力する。

デューティの制御方法については、上記第１実施形態の予測電流積分値Ｑ_pと実測電流積分値Ｑ_rとが、予測輝度積分値ＱＬ_pと実測輝度積分値ＱＬ_rとに変更されているが、予測電流積分値Ｑ_pと実測電流積分値Ｑ_rとの関係に応じたデューティの制御と同様に、予測輝度積分値ＱＬ_pと実測輝度積分値ＱＬ_rとの関係に応じたデューティの制御が行われる。

＜その他の変形例＞
◎例えば、上記第１実施形態では、図１１で示されたように、実測電流積分値Ｑ_rが、予測電流積分値Ｑ_pに到達した時点で、各有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給が停止されたが、これに限られない。例えば、図２２で示されるように、実測電流積分値Ｑ_rが、予測電流積分値Ｑ_pを基準とした所定の第２基準範囲Ｒ２に到達した時点で、各有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給が停止されても良い。

◎また、上記第２実施形態では、図１４および図１５で示されたように、実測電流積分値Ｑ_rが第１基準範囲Ｒ１から一旦外れた場合には、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pよりも小さければ、実測電流積分値Ｑ_rが第２基準範囲Ｒ２に入るまでデューティが所定量ずつ増加された。一方、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pよりも大きければ、実測電流積分値Ｑ_rが第２基準範囲Ｒ２に入るまでデューティが所定量ずつ低減された。しかしながら、これに限られない。

例えば、図２３および図２４で示されるように、実測電流積分値Ｑ_rが第１基準範囲Ｒ１から一旦外れた場合には、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pよりも小さければ、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pを超えるまでデューティが所定量ずつ増加され、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pよりも大きければ、実測電流積分値Ｑ_rが予測電流積分値Ｑ_pを下回るまでデューティが所定量ずつ低減されても良い。

◎また、上記第１〜３実施形態では、指数演算部２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが、指数関数に階調値Ｄ_r，Ｄ_g，Ｄ_bを代入することで、各色の階調値Ｄ_r，Ｄ_g，Ｄ_bを２．２乗した値ｉ_R，ｉ_G，ｉ_Bを逐一算出したが、これに限られない。例えば、入力される階調値Ｄ_r，Ｄ_g，Ｄ_bとその階調値Ｄ_r，Ｄ_g，Ｄ_bを２．２乗した値ｉ_R，ｉ_G，ｉ_Bとをそれぞれ関連付けたテーブルを記憶部等に格納しておき、そのテーブルを参照することで、各色の階調値を２．２乗した値を取得するようにしても良い。

◎また、上記第２，３実施形態では、予測電流積分値Ｑ_pと実測電流積分値Ｑ_rとの比較が行われた第ｍフレームの次の第（ｍ＋１）フレームに係るデューティが、第ｍフレームに係る予測電流積分値Ｑ_pと実測電流積分値Ｑ_rとの比較結果に応じて制御されたが、これに限られない。例えば、予測電流積分値Ｑ_pと実測電流積分値Ｑ_rとの比較対象となった第ｍフレームの次以降のフレーム（例えば、第（ｍ＋２）フレーム等）に係るデューティが、第ｍフレームに係る予測電流積分値Ｑ_pと実測電流積分値Ｑ_rとの比較結果に応じて制御されても良い。

◎また、上記第１〜３実施形態では、予測電流積分値Ｑ_pと実測電流積分値Ｑ_rとの比較結果に応じて、２つの電源線Ｌ_vd，Ｌ_vsに付与される電位Ｖ_dd，Ｖ_ssが同電位に設定されることで、各有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給が停止されたが、これに限られない。例えば、駆動トランジスタ１２のゲート１２ｇに付与される電位が基準電位（例えば０Ｖ）に設定されることで、各有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給が停止されても良い。

◎また、上記第１〜３実施形態では、各画素回路３１に含まれる発光素子が、有機ＥＬ素子１１であったが、これに限られず、例えば、無機材料で構成される発光ダイオード等といったその他の発光素子であっても構わない。

◎また、上記第３実施形態では、全水平ラインに係る第ｎ予測消費電流Ｉ_pnを用いた流れ加算処理により、有機ＥＬパネル３の全体について予測電流積分値Ｑ_pが得られ、該予測電流積分値Ｑ_pと実測電流積分値Ｑ_rとの比較に応じたデューティの制御が行われたが、これに限られない。例えば、水平ライン毎に流れる電流を検出するための電流計を設け、水平ライン毎に、１フレームの入力画像信号に応じて実際に消費される電流の積分値が、消費されると予測される電流の積分値に到達した時点で、各有機ＥＬ素子１１の両極間に対する電圧の供給を停止しても良い。

◎なお、上記第１〜３実施形態、変形例１、およびその他の変形例については、矛盾しない限り、その一部の構成を適宜組合せても良い。

本発明の第１および第２実施形態に係る画像表示装置の機能的な構成を示す図である。 本発明の実施形態に係る画像表示装置を構成する１画素分の画素回路の構成例を示す図である。 画素回路で発生する寄生容量を模式的に示す図である。 有機ＥＬパネルの駆動波形を示すタイミングチャートである。 Ｃ_s初期化期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。 準備期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。 Ｖ_th補償期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。 書込期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。 発光期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。 有機ＥＬパネルが順次に発光する際の時刻と発光輝度との関係を示す図である。 本発明の第１実施形態に係るデューティの制御例を説明するための図である。 本発明の第１実施形態に係る画像表示装置におけるデューティの制御動作フローを示すフローチャートである。 本発明の第１実施形態に係る画像表示装置におけるデューティの制御動作フローを示すフローチャートである。 本発明の第２実施形態に係るデューティの制御例を説明するための図である。 本発明の第２実施形態に係るデューティの制御例を説明するための図である。 本発明の第２実施形態に係る画像表示装置におけるデューティの制御動作フローを示すフローチャートである。 本発明の第３実施形態に係る画像表示装置の機能的な構成を示す図である。 本発明の第３実施形態に係る画像表示装置におけるデューティの制御動作フローを示すフローチャートである。 本発明の第３実施形態に係る画像表示装置におけるデューティの制御動作フローを示すフローチャートである。 本発明の変形例１に係る画像表示装置の機能的な構成を示す図である。 本発明の変形例１に係る画像表示装置を説明するための図である。 本発明の他の変形例に係るデューティの制御を説明するための図である。 本発明の他の変形例に係るデューティの制御を説明するための図である。 本発明の他の変形例に係るデューティの制御を説明するための図である。

符号の説明

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ 画像表示装置
２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ 制御部
３ 有機ＥＬパネル
４ 電流値取得部
５Ｘ Ｘドライバ
５Ｙ 専用ドライバ
６ 電源回路
１１ 有機ＥＬ素子
２１Ｂ，２１Ｇ，２１Ｒ 指数演算部
２１ＢＣ，２１ＧＣ，２１ＲＣ 輝度認識部
２２Ｂ，２２ＢＢ，２２ＢＣ，２２Ｇ，２２ＧＢ，２２ＧＣ，２２Ｒ，２２ＲＢ，２２ＲＣ 積算部
２３，２３Ｂ，２３Ｃ 予測値取得部
２４，２４Ｂ，２４Ｃ 電流積分部
２５，２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ 比較部
２６，２６Ａ，２６Ｂ デューティ制御部
２７，２７Ａ，２７Ｂ ドライバ制御部
２８Ｂ，２８Ｇ，２８Ｒ 変換部
３１ 画素回路
２００ 輝度取得部
２３１ 予測電流演算部
２３２ 遅延回路
２３３ 流れ加算部
５００Ｃ 記憶部
５０１Ｃ テーブル

Claims (1)

1. 発光素子を含む画素回路と、
   前記画素回路に電気的に接続され、前記画素回路に対して前記発光素子の発光する時間に応じた電圧を供給する電源部と、
   前記発光素子の発光に係るパラメータを時間で積分した予測積分値を認識する認識部と、
   前記発光素子の発光に対して、前記パラメータの実測値を取得する取得部と、
   前記実測値を時間で積分した実測積分値が前記予測積分値を基準とした第１基準範囲内から外れる場合、前記第１基準範囲内に含まれる第２基準範囲内に含まれるように、前記電源部から前記画素回路に対して電圧を供給する電圧供給時間を制御し、前記実測積分値が前記第１基準範囲内に含まれる場合は、前記電圧供給時間を維持する制御部であって、前記実測積分値が前記第１基準範囲より低い場合、前記実測積分値が前記第２基準範囲内に到達するまでデューティを段階的に増加させ、前記実測積分値が前記第２基準範囲内に含まれるとデューティの増加を停止させ、前記実測積分値が前記第１基準範囲より高い場合、前記実測積分値が前記第２基準範囲内に到達するまでデューティを段階的に減少させ、前記実測積分値が前記第２基準範囲内に含まれるとデューティの減少を停止させる制御部と、
   を備え、
   前記認識部が指数演算部、積算部及び予測値取得部を含み、前記指数演算部は各画素別階調値を底とする指数関数の演算を行い、前記積算部は前記指数演算部で演算した値を画素数分だけ累積加算し、前記予測値取得部は前記積算部で算出された累積加算した値から予測消費電流を算出して前記予測消費電流に基準発光時間を乗じて予測電流積分値を算出することを特徴とする画像表示装置。

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