JP5462031B2 - 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法および電子機器 - Google Patents

液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法および電子機器 Download PDF

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Description

本発明は、液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法および電子機器に関し、特に、シール材を備える液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法および電子機器に関する。
従来、シール材を備える液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法および電子機器が知られている(たとえば、特許文献1参照)。
上記特許文献1には、液晶層を挟むように互いに対向するように配置された対向基板およびTFT基板と、対向基板の液晶層側の表面上に形成された封入孔柱状スペーサーと、TFT基板と対向基板とを貼り合わせるための封着材(シール材)とを備えた液晶表示装置が開示されている。この液晶表示装置では、封着材は、ディスペンサ方式により、TFT基板または対向基板のうち一方の液晶層側の表面上の外周に沿って形成されている。そして、封着材は、基板の辺の近傍から始まって、辺から遠ざかるように形成された後、略90°方向を変えて辺に沿うように形成された屈曲部を有する一方端部から開始するように塗布(形成)されている。また、封着材は、辺に沿うように形成された後、略90°方向を変えて基板の辺に近づくように形成された屈曲部を有する他方端部で終了するように塗布(形成)されている。また、封着材の屈曲部は、TFT基板と対向基板とを貼り合わせる際に、TFT基板と対向基板とによって隣接するパネル領域側に押し広げられ、押し広げられた封着材は、封入孔柱状スペーサーによって堰き止められるように構成されている。
特開2008−145634号公報
しかしながら、上記特許文献1に記載の液晶表示装置では、封着材の一方端部と他方端部とに屈曲部が形成されているため、封着材(屈曲部)の基板の辺側の部分と基板の辺との間の距離が短くなるという不都合がある。このため、TFT基板と対向基板とを貼り合わせる際に、封入孔柱状スペーサーが封着材を堰き止めきれずに、封着材が隣接するパネル領域側にはみ出す場合があるという問題点がある。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、シール材が隣接するパネルにはみ出るのを抑制することが可能な液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法および電子機器を提供することである。
課題を解決するための手段および発明の効果
上記目的を達成するために、この発明の第1の局面における液晶表示装置は、液晶層を挟んで互いに対向するように配置される第1基板および第2基板と、液晶注入口を構成する隙間を形成するように一方端部および他方端部を有するとともに、一方端部および他方端部からそれぞれ液晶注入口が設けられる側の辺に沿って液晶注入口とは反対側に直線状に延びるように形成されるシール材と、液晶注入口を封止するための封口材と、第1基板の液晶層側の表面上に形成されるフォトスペーサーと、第1基板および第2基板のうち少なくとも一方の表面上のシール材と封口材との間に対応する領域で、かつ、封口材の端部よりも液晶注入口側で、かつ、シール材の一方端部および他方端部よりも液晶注入口とは反対側に形成され、封口材とシール材との間からの空気の進入を抑制するための構造体とを備え、構造体は、フォトスペーサーと同一層からなるフォトスペーサー側構造体を含む。
この第1の局面による液晶表示装置では、上記のように、シール材を液晶注入口を構成する隙間を形成するように一方端部および他方端部を有するとともに、一方端部および他方端部からそれぞれ液晶注入口が設けられる側の辺に沿って液晶注入口とは反対側に直線状に延びるように形成することによって、たとえば、シール材の一方端部および他方端部に屈曲部が形成されている場合と異なり、シール材の一方端部および他方端部と、第1基板および第2基板の辺との間の距離が長くなるので、第1基板と第2基板とを貼り合わせる際に、一方端部および他方端部からシール材が隣接するパネル領域側にはみ出るのを抑制することができる。また、構造体を第1基板および第2基板のうち少なくとも一方の表面上のシール材と封口材との間に対応する領域で、かつ、封口材の端部よりも液晶注入口側で、かつ、シール材の一方端部および他方端部よりも液晶注入口とは反対側に形成することによって、封口材とシール材との間からの空気の進入を抑制することができるので、液晶注入口から液晶層内に空気が進入しにくくなる。これにより、液晶層内に空気が進入するのを抑制することができる。
上記第1の局面による液晶表示装置において、好ましくは、シール材の一方端部および他方端部には、屈曲部が形成されずに、一方端部および他方端部からそれぞれ液晶注入口が設けられる側の辺に沿った液晶注入口とは反対側に直線状に延びるようにシール材が形成されている。このように構成すれば、シール材の一方端部および他方端部に屈曲部が形成されている場合と異なり、シール材の一方端部および他方端部と、第1基板および第2基板の辺との間の距離が長くなるので、第1基板と第2基板とを貼り合わせる際に、一方端部および他方端部からシール材が隣接するパネル領域側にはみ出るのを抑制することができる。
上記第1の局面による液晶表示装置において、好ましくは、封口材は、平面的に見て、構造体のシール材とは反対側の外側面を完全に覆うように形成されている。このように構成すれば、封口材が構造体のシール材とは反対側の外側面を完全に覆っていない場合と比べて、封口材と構造体との間から空気が進入するのをより抑制することができる。
上記第1の局面による液晶表示装置において、好ましくは、構造体は、シール材の一方端部側と他方端部側とにそれぞれ少なくとも1つずつ形成されており、構造体の封口材側の外側面は、封口材に接するとともに、構造体の封口材とは反対側の外側面は、シール材に接するように構成されている。このように構成すれば、構造体と封口材との間から空気が進入するのを抑制するとともに、構造体とシール材との間から空気が進入するのを抑制することができる。
上記第1の局面による液晶表示装置において、好ましくは、構造体の封口材側の外側面は、第1基板または第2基板のうち少なくとも一方の端面近傍に配置されている。このように構成すれば、構造体の封口材側の外側面と、第1基板または第2基板のうち少なくとも一方の端面とが面一の状態になるので、封口材を形成する際に、封口材と構造体、および、封口材と第1基板または第2基板のうち少なくとも一方とを密着させ易くすることができる。これにより、封口材と構造体との間から空気が進入するのを抑制するとともに、封口材と第1基板または第2基板のうち少なくとも一方との間から空気が進入するのを抑制することができる。
上記第1の局面による液晶表示装置において、好ましくは、第2基板の液晶層側の表面上に形成される平坦化膜をさらに備え、構造体は、平坦化膜と同一層からなる平坦化膜側構造体を含む。このように構成すれば、平坦化膜と平坦化膜側構造体とを同一の工程によって形成することができる。
この発明の第2の局面による電子機器は、上記のいずれかの構成を有する液晶表示装置を備える。このように構成すれば、シール材が隣接するパネルにはみ出るのを抑制することが可能な液晶表示装置を備えた電子機器を得ることができる。
この発明の第3の局面における液晶表示装置の製造方法は、液晶層を挟むように配置される第1母基板および第2母基板のうち少なくとも一方の表面上の液晶注入口が設けられる位置に対応する位置に設けられる一対の構造体を形成する工程と、第1母基板および第2母基板のうち一方の液晶層側の表面上に液晶注入口を構成する隙間を形成するように一方端部および他方端部を有するとともに、一方端部および他方端部からそれぞれ液晶注入口が設けられる側の辺に沿った液晶注入口とは反対側に直線状に延びるようにシール材をディスペンサ方式により形成する工程と、一対の構造体のうち一方の液晶注入口側にシール材の一方端部が配置されるとともに、一対の構造体のうち他方の液晶注入口側にシール材の他方端部が配置されるように第1母基板と第2母基板とを貼り合わせる工程と、液晶注入口を封口材により封止する工程とを備え、一対の構造体を形成する工程は、第1母基板の液晶層側の表面上にフォトスペーサーを形成する工程において、フォトスペーサーと同一層からなるフォトスペーサー側構造体を形成する工程を含む
この第3の局面による液晶表示装置の製造方法では、上記のように、第1母基板および第2母基板のうち一方の液晶層側の表面上に液晶注入口を構成する隙間を形成するように一方端部および他方端部を有するとともに、一方端部および他方端部からそれぞれ液晶注入口が設けられる側の辺に沿った液晶注入口とは反対側に直線状に延びるようにシール材を形成することによって、たとえば、シール材の一方端部および他方端部に屈曲部を形成する場合と異なり、シール材の一方端部および他方端部と、第1基板および第2基板の辺との間の距離が長くなるので、第1母基板と第2母基板とを貼り合わせる際に、一方端部および他方端部からシール材が隣接するパネル領域側にはみ出るのを抑制することができる。また、液晶層を挟むように配置される第1母基板および第2母基板のうち少なくとも一方の表面上の液晶注入口が設けられる位置に対応する位置に設けられる一対の構造体を形成することによって、第1母基板および第2母基板のうち少なくとも一方の表面上のシール材と封口材との間に対応する領域で、かつ、封口材の端部よりも液晶注入口側で、かつ、シール材の一方端部および他方端部よりも液晶注入口とは反対側に形成することによって、封口材とシール材との間からの空気の進入を抑制することができるので、液晶注入口から液晶層内に空気が進入しにくくなる。これにより、液晶層内に空気が進入するのを抑制することができる。
上記第3の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、シール材を形成する工程は、一方端部および他方端部には屈曲部を形成せずに、一方端部および他方端部からそれぞれ液晶注入口が設けられる側の辺に沿った液晶注入口とは反対側に直線状に延びるようにシール材を形成する工程を含む。このように構成すれば、シール材の一方端部および他方端部に屈曲部を形成する場合と異なり、シール材の一方端部および他方端部と、第1基板および第2基板の辺との間の距離が長くなるので、第1母基板と第2母基板とを貼り合わせる際に、一方端部および他方端部からシール材が隣接するパネル領域側にはみ出るのを抑制することができる。
本発明の第1実施形態による液晶表示装置の平面図である。 本発明の第1実施形態による液晶表示装置の拡大平面図である。 図2の200−200線に沿った断面図である。 図2の300−300線に沿った断面図である。 本発明の第1実施形態による液晶表示装置の製造プロセスにおいて、TFT基板の表面上に素子および層を形成する工程を説明するための断面図である。 本発明の第1実施形態による液晶表示装置の製造プロセスにおいて、対向基板の表面上にBM(ブラックマトリクス)、CF(カラーフィルター)およびオーバーコート(OVC)層を形成する工程を説明するための図である。 本発明の第1実施形態による液晶表示装置の製造プロセスにおいて、オーバーコート層の表面上に構造体およびフォトスペーサー(PS)を形成する工程を説明するための図である。 本発明の第1実施形態による液晶表示装置の製造プロセスにおいて、TFT基板にシール材を塗布する工程を説明するための図である。 本発明の第1実施形態による液晶表示装置の拡大平面図である。 本発明の第2実施形態による液晶表示装置の断面図である。 本発明の第1および第2実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の第1の例を説明するための図である。 本発明の第1および第2実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の第2の例を説明するための図である。 本発明の第1および第2実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の第3の例を説明するための図である。 本発明の第1および第2実施形態による液晶表示装置の第1変形例を説明するための図である。 本発明の第1および第2実施形態による液晶表示装置の第2変形例を説明するための図である。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
(第1実施形態)
図1〜図4を参照して、本発明の第1実施形態による液晶表示装置100の構成について説明する。なお、第1実施形態では、横電界モードの液晶表示装置100に本発明を適用した場合について説明する。
第1実施形態による液晶表示装置100は、図1および図2に示すように、略矩形形状を有するTFT基板1と、略矩形形状を有する対向基板2とを備えている。なお、TFT基板1は、本発明の「第2基板」の一例であり、対向基板2は、本発明の「第1基板」の一例である。また、TFT基板1と対向基板2とは、シール材3によって貼り合わされている。シール材3は、TFT基板1および対向基板2の外周に沿ってディスペンサ方式により塗布(形成)されている。シール材3は、始点(一方端部)3aから塗布を開始して、終点(他方端部)3bで塗布を終了するようにTFT基板1の表面上に塗布されている。なお、シール材3の始点3aおよび終点3bには、Y方向に屈曲するような屈曲部は形成されずに、始点3aおよび終点3bからそれぞれX1方向およびX2方向に直線状に延びるようにシール材3が塗布(形成)されている。また、シール材3の始点3aと終点3bとの間の隙間は、液晶を注入するための液晶注入口4として機能する。また、TFT基板1の表面上には、液晶表示装置100を駆動させるための駆動IC5が設けられている。また、液晶表示装置100は、複数の副画素6を有している。
副画素6の断面構造としては、図3に示すように、TFT基板1の表面上には、ゲート電極7が形成されている。ゲート電極7およびTFT基板1の表面上には、SiNなどからなるゲート絶縁膜8aを含む絶縁膜8が形成されている。ゲート電極7と絶縁膜8とを介して対向するように、半導体層9が形成されている。なお、半導体層9は、a−Siとna−Siとからなる。半導体層9の上部には、ソース電極10およびドレイン電極11が形成されている。そして、ゲート電極7、絶縁膜8、半導体層9、ソース電極10およびドレイン電極11により薄膜トランジスタ12が構成されている。
また、ソース電極10およびドレイン電極11を覆うように、SiNなどからなるパッシベーション膜13が形成されている。パッシベーション膜13には、コンタクトホール13aが形成されている。また、パッシベーション膜13の表面上には、感光性のアクリル樹脂からなる平坦化膜(OVL)14が形成されている。
ここで、第1実施形態では、平坦化膜14は、後述する封口材40とシール材3との間からの空気の進入を抑制するための構造体14aを含んでいる。なお、構造体14aは、本発明の「平坦化膜側構造体」の一例である。構造体14aは、平坦化膜14と同一層からなる。また、構造体14aは、平坦化膜14の外縁部のうち後述する構造体23bに対応する領域(構造体23bが配向膜24を介してTFT基板1側に接する領域)に設けられている。なお、図4に示すように、平坦化膜14の外縁部のうち構造体23bが形成されていない領域に対応する領域には、構造体14aは設けられていない。また、図3に示すように、平坦化膜14には、コンタクトホール14bが形成されている。
また、平坦化膜14の表面上には、ITO(Indium Tin Oxide)や、IZO(Induim Zinc Oxide)などの透明電極からなる画素電極15が形成されている。また、パッシベーション膜13のコンタクトホール13aと平坦化膜14のコンタクトホール14bとを介して、コンタクト部11aにおいて画素電極15とドレイン電極11とが接続されている。
また、画素電極15の表面上には、SiNなどからなる低温パッシベーション膜16が形成されている。低温パッシベーション膜16の表面上には、ITO(Indium Tin Oxide)や、IZO(Induim Zinc Oxide)などの透明電極からなる共通電極17が形成されている。共通電極17は、複数のスリット17aを有している。また、共通電極17の表面上には、ポリイミドなどの有機膜からなる配向膜18が形成されている。
また、対向基板2は、TFT基板1と対向するように設けられている。この対向基板2のZ2方向側の表面上には、樹脂などからなるブラックマトリクス(BM)20が形成されている。
また、ブラックマトリクス20の表面上には、R(赤)、G(緑)およびB(青)などのカラーフィルター(CF)21が形成されている。カラーフィルター21の表面上には、アクリル系の感光性樹脂からなるとともに保護膜としてのオーバーコート層(OVC)22が形成されている。
また、オーバーコート層22の表面上には、アクリル系の感光性樹脂からなるフォトスペーサー(PS)23aが形成されている。フォトスペーサー23aは、セルギャップ(TFT基板1と対向基板2との間の距離)を調整する機能を有する。また、第1実施形態では、オーバーコート層22のY1方向側の表面上には、フォトスペーサー23aと同一層からなる柱状の構造体23bが形成されている。なお、構造体23bは、本発明の「フォトスペーサー側構造体」の一例である。この構造体23bは、アクリル系の感光性樹脂からなり、封口材40とシール材3との間からの空気の進入を抑制するために形成されている。
また、構造体23bのY1方向側の外側面は、封口材40に接するように形成され、構造体23bのY2方向側の外側面は、配向膜24を介してシール材3に接するように形成されている。また、構造体23bのY1方向側の外側面は、TFT基板1および対向基板2のY1方向側の端面近傍に配置されており、構造体23bのY1方向側の外側面と、TFT基板1および対向基板2のY1方向側の端面とは、面一になるように形成されている。
また、図2に示すように、構造体23bは、平面的に見て、Y方向に延びるように形成されており、シール材3の始点(一方端部)3a側と終点(他方端部)3b側とにそれぞれ1つずつ(一対)形成されている。この一対の構造体23bは、シール材3と封口材40との間に対応する領域に設けられている。
また、構造体23bは、封口材40のX方向の両端部よりも内側(液晶注入口4側)で、かつ、シール材3の始点3aおよび終点3bよりも外側(液晶注入口4とは反対側)に形成されている。具体的には、構造体23bの一方は、シール材3の始点3aから封口材40のX1方向の端部までの間に位置するシール形状安定部3cに形成されている。なお、シール形状安定部3cとは、シール材3の幅が略一定の部分を意味する。つまり、シール材3が円形形状になっている以外の部分を意味する。
また、構造体23bの他方は、シール材3の終点3bから封口材40のX2方向の端部までの間に位置するシール形状安定部3cに形成されている。つまり、構造体23bは、シール材3の始点3aおよび終点3bを避けた位置に形成されている。また、構造体23bのX方向の幅W1は、シール材3の幅W2よりも小さい。
また、図3に示すように、フォトスペーサー23a、構造体23bおよびオーバーコート層22の表面上には、ポリイミドなどからなる配向膜24が形成されている。また、配向膜18と配向膜24との間に塗布されたシール材3は、エポキシ系の光硬化型樹脂からなる。また、配向膜18と配向膜24との間には、液晶層30が封入されている。
また、第1実施形態では、封口材40は、構造体23bのY1方向側に形成され、光硬化性樹脂などからなる。この封口材40は、構造体23bのY1方向側の外側面に接するとともに、封口材40と構造体23bとによって、液晶注入口4を塞ぐように形成されている。また、封口材40は、図2に示すように、平面的に見て、一対の構造体23bのY1方向側の外側面を完全に覆うように形成されている。また、封口材40のX方向の両端部は、一対の構造体23bのX方向の外側面を越えてX方向に延びるように形成されている。
また、図3に示すように、TFT基板1の矢印Z1方向側には、バックライト50が設けられている。バックライト50は、TFT基板1側から対向基板2側(矢印Z2方向側)に向かって光が出射されるように構成されている。
次に、図1、図3および図5〜図9を参照して、本発明の第1実施形態における液晶表示装置100の製造プロセスについて説明する。
まず、図5に示すように、大板状態のTFT基板101の表面上に、フォトリソグラフィー技術およびエッチングにより、下層から上層の順にAl/Mo層からなるゲート電極7を形成する。なお、TFT基板101は、本発明の「第2母基板」の一例である。ゲート電極7上とTFT基板101上とに、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により、SiN膜などからなるゲート絶縁膜8aを含む絶縁膜8を形成する。そして、ゲート絶縁膜8aを介してゲート電極7と平面的に見て重なるようにフォトリソグラフィー技術およびエッチングにより、a−Si層とn型の導電性を有するna−Si層との2層構造からなる半導体層9を形成する。
次に、半導体層9上に、ゲート電極7および半導体層9と平面的に見て重なるとともに、半導体層9に電気的に接続される、下層から上層の順にMo/Al/Mo層からなるソース電極10およびドレイン電極11を形成する。これにより、薄膜トランジスタ12が形成される。次に、ソース電極10、ドレイン電極11および絶縁膜8を覆うように、CVD法により、SiN膜などからなる保護膜としてのパッシベーション膜13を形成する。
次に、パッシベーション膜13の表面上に、塗布法により、アクリル系の感光性樹脂からなる保護膜としての平坦化膜14を形成する。そして、平坦化膜14の外縁部のうち構造体23b(図3参照)に対応する領域以外の領域をフォトリソグラフィー技術により除去する。これにより、平坦化膜14の外縁部のうち構造体23bに対応する領域に構造体14aが形成される。また、構造体14aの形成と同時に、TFT4のドレイン電極11の表面上に形成された平坦化膜14をフォトリソグラフィー技術により、除去する(取り除く)ことによって、コンタクトホール14bを形成する。
次に、薄膜トランジスタ12のドレイン電極11の表面上に形成されたパッシベーション膜13にコンタクトホール13aを形成する。これにより、ドレイン電極11の表面が露出される。
次に、平坦化膜14の表面上に、スパッタ法により、ITOやIZOなどからなる画素電極15を形成する。このとき、画素電極15の一部は、コンタクトホール13aおよび14bを介して、コンタクト部11aにおいて、ドレイン電極11と電気的に接続される。
次に、画素電極15の表面上に、CVD法により、SiN膜などからなる低温パッシベーション膜16を形成する。そして、低温パッシベーション膜16の表面上に、スパッタ法により、ITOやIZOなどからなり、複数のスリット17aを有する共通電極17を形成する。なお、低温パッシベーション膜16を挟んで画素電極15と共通電極17との間に発生する電界により液晶が配向されることにより、液晶表示装置100が駆動される。次に、共通電極17の表面上に、塗布法により、ポリイミドなどからなる配向膜18を形成する。これにより、液晶表示装置100のTFT基板101側が形成される。
次に、図6に示すように、大板状態の対向基板102の表面上に、たとえば黒色の樹脂材料からなる膜を形成し、エッチングすることにより、ブラックマトリクス(BM)20を形成する。なお、対向基板102は、本発明の「第1母基板」の一例である。その後、フォトリソグラフィー技術により、副画素6(図1参照)毎に赤(R)、緑(G)および青(B)のカラーフィルター(CF)21を形成する。
次に、ブラックマトリクス20およびカラーフィルター21の表面上に、塗布法により、アクリル系の感光性樹脂からなるオーバーコート層(OVC)22を形成する。オーバーコート層22は、ブラックマトリクス20およびカラーフィルター21の表面上の略全面を覆うように形成される。
次に、図7に示すように、オーバーコート層22の表面上に、塗布法により、アクリル系の感光性樹脂からなる樹脂層(図示せず)を形成する。そして、フォトリソグラフィー技術により、同一の樹脂層からなるフォトスペーサー23aと構造体23bとを形成する。その後、オーバーコート層22、フォトスペーサー23aおよび構造体23bの表面上にポリイミドなどからなる配向膜24を形成する。これにより、液晶表示装置100の対向基板102側が形成される。
次に、図8に示すように、ディスペンサ方式により、個々のパネル毎に、TFT基板1の表面上に、液晶注入口4を構成する隙間を形成するように始点(一方端部)3aから塗布を開始して終点(他方端部)3bで塗布を終了するように、シール材3を塗布する。具体的には、シール材3は、始点3aからTFT基板1および対向基板2のY1方向側の辺(液晶注入口4が設けられる側の辺)に沿ったX1方向(液晶注入口4とは反対側)と、終点3bからTFT基板1および対向基板2のY1方向側の辺(液晶注入口4が設けられる側の辺)に沿ったX2方向(液晶注入口4とは反対側)とに直線状に延びるように塗布される。また、シール材3は、平面的に見て、略矩形形状を有するように塗布される。
そして、TFT基板101と対向基板102との貼り合わせを行う。その後、フォトスペーサー23a上の配向膜24が、TFT基板101側の配向膜18に接触して、TFT基板101と対向基板102とのセルギャップが調整される。
次に、TFT基板101および対向基板102を個々のパネル毎に分断する。そして、TFT基板101と対向基板102との間に液晶を注入する。その後、図9に示すように、光硬化性樹脂などの封口材40によって液晶注入口4を封止する。このとき、封口材40は、TFT基板101、対向基板102、構造体14aおよび構造体23bのY1方向側の外側面に接するように形成される。これにより、封口材40とシール材3との間から液晶注入口4に空気が進入するのが抑制される。そして、駆動IC5およびバックライト50を取り付けることによって、横電界モードの液晶表示装置100(図3参照)が完成する。
第1実施形態では、上記のように、シール材3を液晶注入口4を構成する隙間を形成するように始点3aおよび終点3bを有するとともに、始点3aおよび終点3bからそれぞれX1方向およびX2方向に直線状に延びるように形成することによって、たとえば、シール材3の始点3aおよび終点3bに屈曲部が形成されている場合と異なり、シール材3の始点3aおよび終点3bと、TFT基板1および対向基板2のY1方向側の辺との間の距離が長くなるので、TFT基板1と対向基板2とを貼り合わせる際に、始点3aおよび終点3bからシール材3が隣接するパネル領域側にはみ出るのを抑制することができる。また、構造体23bを対向基板2の表面上のシール材3と封口材40との間に対応する領域で、かつ、封口材40のX方向の外側面よりも液晶注入口4側で、かつ、シール材3の始点3aおよび終点3bよりも液晶注入口4とは反対側に形成することによって、封口材40とシール材3との間からの空気の進入を抑制することができるので、液晶注入口4から液晶層30内に空気が進入しにくくなる。これにより、液晶層30内に空気が進入するのを抑制することができる。
また、第1実施形態では、上記のように、シール材3の始点3aおよび終点3bに、屈曲部が形成されずに、始点3aおよび終点3bからそれぞれX1方向およびX2方向に直線状に延びるようにシール材3が形成することによって、シール材3の始点3aおよび終点3bに屈曲部が形成されている場合と異なり、シール材3の始点3aおよび終点3bと、TFT基板1および対向基板2のY1方向側の辺との間の距離が長くなるので、TFT基板1と対向基板2とを貼り合わせる際に、始点3aおよび終点3bからシール材3が隣接するパネル領域側にはみ出るのを抑制することができる。
また、第1実施形態では、上記のように、封口材40を、平面的に見て、構造体23bのY1方向側の外側面を完全に覆うように形成することによって、封口材40が構造体23bのY1方向側の外側面を完全に覆っていない場合と比べて、封口材40と構造体23bとの間から空気が進入するのをより抑制することができる。
また、第1実施形態では、上記のように、構造体23bのY1方向側の外側面が、封口材40に接するとともに、構造体23bのY2方向側の外側面が、シール材3に接するように構成することによって、構造体23bと封口材40との間から空気が進入するのを抑制するとともに、構造体23bとシール材3との間から空気が進入するのを抑制することができる。
また、第1実施形態では、上記のように、構造体23bのY1方向側の外側面を、TFT基板1および対向基板2の端面近傍に配置することによって、構造体23bのY1方向側の外側面と、TFT基板1および対向基板2の端面とが面一の状態になるので、封口材40を形成する際に、封口材40と構造体23b、および、封口材40とTFT基板1および対向基板2とを密着させ易くすることができる。これにより、封口材40と構造体23bとの間から空気が進入するのを抑制するとともに、封口材40とTFT基板1および対向基板2との間から空気が進入するのを抑制することができる。
また、第1実施形態では、上記のように、フォトスペーサー23aと同一層からなる構造体23bを含むことによって、フォトスペーサー23aと構造体23bとを同一の工程によって形成することができる。
また、第1実施形態では、上記のように、平坦化膜14と同一層からなる構造体14aを含むことによって、平坦化膜14と構造体14aとを同一の工程によって形成することができる。
(第2実施形態)
次に、図10を参照して、本発明の第2実施形態について説明する。この第2実施形態による液晶表示装置100aでは、TFT基板側の表面上に構造体を有する平坦化膜14が形成された上記第1実施形態とは異なり、TFT基板の表面上に平坦化膜(構造体)が形成されていない例について説明する。
この第2実施形態による液晶表示装置100aでは、図10に示すように、TFT基板1の表面上には、ゲート電極7およびITOなどからなる共通電極171が形成されている。共通電極171の表面上には、絶縁膜8を介して、パッシベーション膜13が形成されている。また、第2実施形態では、パッシベーション膜13の表面上には、上記第1実施形態とは異なり、平坦化膜14を介さずに、画素電極151が直接形成されている。つまり、パッシベーション膜13の表面上には、平坦化膜14が形成されておらず、TFT基板1側には、構造体は形成されていない。
また、画素電極151は、ITOなどの透明電極からなり、複数のスリット151aが形成されている。また、パッシベーション膜13および画素電極151の表面上には、ポリイミドなどの有機膜からなる配向膜18が形成されている。また、TFT基板1のY1方向側の端部には、構造体23bが形成されている。なお、構造体23bは、フォトスペーサー23aと同一の樹脂層から形成されている。また、構造体23bは、対向基板2側の表面上に形成されている。そして、構造体23bは、TFT基板1と対向基板2とを貼り合わせた際に、構造体23bの表面上に形成される配向膜24とTFT基板1側に形成される配向膜18とが接するように高さが調整されている。なお、第2実施形態のその他の構成および効果は、上記第1実施形態と同様である。
(応用例)
図11〜図13は、それぞれ、上記した第1および第2実施形態による液晶表示装置100および100aを用いた電子機器の第1の例〜第3の例を説明するための図である。図11〜図13を参照して、第1および第2実施形態による液晶表示装置100および100aを用いた電子機器について説明する。
第1および第2実施形態による液晶表示装置100および100aは、図11〜図13に示すように、第1の例としてのPC(Personal Computer)400、第2の例としての携帯電話500、および、第3の例としての情報携帯端末600(PDA:Personal Digital Assistants)などに用いることが可能である。
図11の第1の例によるPC400においては、キーボードなどの入力部410および表示画面420などに第1および第2実施形態による液晶表示装置100および100aを用いることが可能である。図12の第2の例による携帯電話500においては、表示画面510に第1および第2実施形態による液晶表示装置100および100aが用いられる。図13の第3の例による情報携帯端末600においては、表示画面610に第1および第2実施形態による液晶表示装置100および100aが用いられる。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
たとえば、上記第1および第2実施形態では、横電界モードの液晶表示装置を用いる例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、横電界モード以外の方式の縦電界モードの液晶表示装置を用いてもよい。
また、上記第1および第2実施形態では、構造体23bを対向基板2の表面上に形成する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、構造体23bをTFT基板1の表面上に形成してもよい。
また、上記第1および第2実施形態では、構造体23bをフォトスペーサーと同一層から形成する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、構造体23bとフォトスペーサーと別個に形成してもよい。
また、上記第1および第2実施形態では、シール材の始点と終点とにそれぞれ設けられる一対の構造体23bを形成する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、図14に示す第1変形例のように、構造体23bを始点と終点とにそれぞれ2つずつ設けて二対形成してもよい。この場合、平坦化膜14の外縁部のうち構造体23bに対応するオーバーコート層22のZ1方向側の表面上の領域に構造体14aが二対形成される。なお、構造体23bを3対以上形成してもよい。
また、上記第1および第2実施形態では、ディスペンサ方式により、シール材を塗布する例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、図1に示す第2変形例のように、スクリーン印刷方式により、シール材を形成してもよい。なお、スクリーン印刷方式を用いる場合には、シール材の始点および終点は、円形状に形成されずに矩形形状に形成される。
1 TFT基板(第2基板) 2 対向基板(第1基板) 3 シール材 3a 始点(一方端部) 3b 終点(他方端部) 4 液晶注入口 100、100a 液晶表示装置 101 TFT基板(第2母基板) 102 対向基板(第1母基板) 500 PC(電子機器) 600 携帯電話(電子機器) 600 情報携帯端末(電子機器)

Claims (9)

  1. 液晶層を挟んで互いに対向するように配置される第1基板および第2基板と、
    液晶注入口を構成する隙間を形成するように一方端部および他方端部を有するとともに、前記一方端部および前記他方端部からそれぞれ前記液晶注入口が設けられる側の辺に沿って前記液晶注入口とは反対側に直線状に延びるように形成されるシール材と、
    前記液晶注入口を封止するための封口材と、
    前記第1基板の前記液晶層側の表面上に形成されるフォトスペーサーと、
    前記第1基板および前記第2基板のうち少なくとも一方の表面上の前記シール材と前記封口材との間に対応する領域で、かつ、前記封口材の端部よりも前記液晶注入口側で、かつ、前記シール材の前記一方端部および前記他方端部よりも前記液晶注入口とは反対側に形成され、前記封口材と前記シール材との間からの空気の進入を抑制するための構造体とを備え、
    前記構造体は、前記フォトスペーサーと同一層からなるフォトスペーサー側構造体を含む、
    液晶表示装置。
  2. 前記シール材の前記一方端部および前記他方端部には、屈曲部が形成されずに、前記一方端部および前記他方端部からそれぞれ前記液晶注入口が設けられる側の辺に沿った前記液晶注入口とは反対側に直線状に延びるように前記シール材が形成されている、
    請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 前記封口材は、平面的に見て、前記構造体の前記シール材とは反対側の外側面を完全に覆うように形成されている、
    請求項1または2に記載の液晶表示装置。
  4. 前記構造体は、前記シール材の前記一方端部側と前記他方端部側とにそれぞれ少なくとも1つずつ形成されており、
    前記構造体の前記封口材側の外側面は、前記封口材に接するとともに、前記構造体の前記封口材とは反対側の外側面は、前記シール材に接するように構成されている、
    請求項1〜3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
  5. 前記構造体の前記封口材側の外側面は、前記第1基板または前記第2基板のうち少なくとも一方の端面近傍に配置されている、
    請求項1〜4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
  6. 前記第2基板の前記液晶層側の表面上に形成される平坦化膜をさらに備え、
    前記構造体は、前記平坦化膜と同一層からなる平坦化膜側構造体を含む、
    請求項1〜5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
  7. 請求項1〜6のいずれか1項に記載の液晶表示装置を備える、電子機器。
  8. 液晶層を挟むように配置される第1母基板および第2母基板のうち少なくとも一方の表面上の液晶注入口が設けられる位置に対応する位置に設けられる一対の構造体を形成する工程と、
    前記第1母基板および前記第2母基板のうち一方の前記液晶層側の表面上に前記液晶注入口を構成する隙間を形成するように一方端部および他方端部を有するとともに、前記一方端部および前記他方端部からそれぞれ前記液晶注入口が設けられる側の辺に沿った前記液晶注入口とは反対側に直線状に延びるようにシール材をディスペンサ方式により形成する工程と、
    前記一対の構造体のうち一方の前記液晶注入口側に前記シール材の一方端部が配置されるとともに、前記一対の構造体のうち他方の前記液晶注入口側に前記シール材の他方端部が配置されるように前記第1母基板と前記第2母基板とを貼り合わせる工程と、
    前記液晶注入口を封口材により封止する工程と
    を備え、
    前記一対の構造体を形成する工程は、前記第1母基板の前記液晶層側の表面上にフォトスペーサーを形成する工程において、前記フォトスペーサーと同一層からなるフォトスペーサー側構造体を形成する工程を含む、
    液晶表示装置の製造方法。
  9. 前記シール材を形成する工程は、前記一方端部および前記他方端部には屈曲部を形成せずに、前記一方端部および前記他方端部からそれぞれ前記液晶注入口が設けられる側の辺に沿った前記液晶注入口とは反対側に直線状に延びるように前記シール材を形成する工程を含む、請求項8に記載の液晶表示装置の製造方法。

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