JP5455694B2 - 荷電粒子線装置 - Google Patents

荷電粒子線装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5455694B2
JP5455694B2 JP2010026057A JP2010026057A JP5455694B2 JP 5455694 B2 JP5455694 B2 JP 5455694B2 JP 2010026057 A JP2010026057 A JP 2010026057A JP 2010026057 A JP2010026057 A JP 2010026057A JP 5455694 B2 JP5455694 B2 JP 5455694B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron microscope
charged particle
particle beam
function
image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010026057A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011165450A (ja
Inventor
吉延 星野
茂 川俣
英作 於保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2010026057A priority Critical patent/JP5455694B2/ja
Priority to DE112010005246.8T priority patent/DE112010005246B4/de
Priority to PCT/JP2010/006531 priority patent/WO2011099101A1/ja
Priority to US13/577,833 priority patent/US9099283B2/en
Publication of JP2011165450A publication Critical patent/JP2011165450A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5455694B2 publication Critical patent/JP5455694B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/244Detectors; Associated components or circuits therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/22Treatment of data
    • H01J2237/221Image processing
    • H01J2237/223Fourier techniques
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/24495Signal processing, e.g. mixing of two or more signals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28Scanning microscopes
    • H01J2237/2809Scanning microscopes characterised by the imaging problems involved

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

本発明は、高速な荷電粒子線走査を行った場合に、増幅器の周波数帯域制限によって発生する検出信号の劣化を補正する荷電粒子線装置に関するものである。
試料上に荷電粒子線を水平および垂直方向に2次元的に走査することで、荷電粒子線が照射された試料上の領域から発生する二次信号を検出し、電気回路にて増幅,積算した後、荷電粒子線の走査座標を2次元画像の座標に対応させて、二次信号量を画像データの濃度値に置き換えることで試料表面構造を二次元画像として観察する荷電粒子線装置において、荷電粒子線の走査速度は、試料の材質と観察目的,二次信号検出器の特性などに応じて決定する。
走査速度が速い場合は、検出信号の積算時間が少なくSN比が悪くなるが、観察物の時間的変化に対する応答が良く、また、試料上の1点に荷電粒子線を留めて照射する時間が短くなるため、荷電粒子線による試料破壊や試料汚染,帯電などの影響は少なく済む。
一方で走査速度が遅い場合は、試料表面上の1点からの検出信号の積算時間が増え、SN比の良い画像を得ることができるが、荷電粒子線による試料破壊や試料汚染,帯電などの影響が増す。
そのため一般的には試料上の観察視野を探す場合には走査速度を速くし、観察位置を決めて高画質で観察,記録する場合は走査速度を遅くする。
また、荷電粒子線の照射により試料破壊や試料汚染,帯電しやすい材質の試料の場合は、荷電粒子線の走査速度を速くすることで前記の影響を緩和させることもあるが、荷電粒子線の走査速度を速くする以外にも、荷電粒子線の加速電圧を低い電圧に設定する、荷電粒子線のプローブ径を細く絞り、試料上に照射される荷電粒子線の電流量を少なくする手法もある。
前記のほかに荷電粒子線の走査速度を決定する要因に検出器の特性があり、これは検出器の二次信号検出から電気信号へ変換するまでの応答の速さと、前記検出信号の増幅回路の応答の速さに起因し、増幅回路はゲインを高くするにつれ、応答速度が遅くなる。
検出器の応答速度、ならびに増幅回路の応答速度が遅い場合、高速に荷電粒子線を走査しても、検出信号は検出器ならびに増幅回路を介する課程で帯域が制限される。
このような検出器経路に細かい試料構造上を走査した周波数特性の高い検出信号が入力されるとインパルス応答となり、インパルス応答が収束する時間tの期間の検出信号と重畳した形の出力信号となる。
前述の出力信号の画像は、荷電粒子線の走査方向に像が流れ、ぶれたような像となるため試料構造が判別できず、したがって応答速度の遅い検出器において高ゲインで観察する場合は、速い走査速度では観察が不可能である。
検出器の選定は、検出する二次信号の種類や、試料室内雰囲気,検出感度等の条件によって決定するため、観察条件によっては前述のような応答速度の遅い検出器を用いて、荷電粒子線の走査速度を遅くして観察を行うことがあるが、この場合は、視野探しや試料ダメージ低減のために走査速度を速くすることができないという問題点があった。
荷電粒子線の走査および該走査により発生する二次信号にもとづく画像の劣化を、複数回の走査で得られる画像から補正する従来技術として、再公表特許WO2003/044821号公報があるが、WO2003/044821号公報では時間経過にしたがい、荷電粒子線の安定度の変化,試料の変形,試料台の移動などの要因により、観察画像がドリフトすることを補正する技術に関わるものであり、複数回の走査により取得した画像から位置ずれ量を算出し、続く走査の画像の位置を補正する、あるいは前記技術を使用し、高速走査を行った場合の位置ずれ補正後に複数走査の画像を積算することで画像のSN比を向上させる技術であるが、本発明において課題としている高速走査した画像の劣化は、検出器の特性により出力信号の波形が変形しており、信号量の低下やノイズの混入によるものではないため、積算などのSN比改善処理では解決できない。
WO2003/044821号公報
検出器の特性として応答速度が遅く、検出信号を増幅回路により高ゲインで増幅することで観察を行う荷電粒子線装置において、検出器およびその増幅回路の帯域幅の上限を超える速さで荷電粒子線を走査した場合に、出力信号および前記出力信号を二次元画像とした場合に劣化する点を解決しようとするものである。
本発明は検出器およびその増幅回路の帯域幅の範囲内の荷電粒子線の走査速度で記録した検出信号と、前記帯域幅の上限を超える荷電粒子線の走査速度で記録した検出信号を記録し、前記2つの検出信号をフーリエ変換した結果を除算することで劣化関数を算出する信号処理部を設け、前記劣化関数の逆関数をフーリエ逆変換し、インパルス応答が収束する時間tに相当する信号の振幅を1次元フィルタに置き換え、該1次元フィルタを検出器およびその増幅回路の帯域幅の上限を超える荷電粒子線の走査速度で記録した検出信号または該検出信号にもとづく二次元画像に施すフィルタリング機能を設け、入力信号のスループットを落とさずに前記検出信号または該検出信号にもとづく二次元画像を補正することを特徴とする。
前記の劣化関数の算出および補正1次元フィルタを作成する信号処理部は、検出器およびその増幅回路の帯域幅の範囲内の荷電粒子線の走査速度で記録した検出信号にもとづいた静止画像と、前記帯域幅の上限を超える荷電粒子線の走査速度で記録した検出信号にもとづいた静止画像を用いて、前記の劣化関数の算出および補正1次元フィルタの作成を画像処理によって行う画像処理装置としても良い。
荷電粒子線の走査速度および検出器の増幅回路のゲインがそれぞれ多段階で固定値である場合、該走査速度と該増幅回路のゲインの組合せに応じて、予め前記の補正1次元フィルタを求めておき、走査速度の選択時あるいは検出器の選択および増幅ゲインの選択時に、選択した該走査速度と該増幅回路のゲインの組合せに応じた補正1次元フィルタが検出信号または該検出信号にもとづく二次元画像に適用されるようにする。
また、前記の荷電粒子線装置で、異なる種類の検出器を複数持つ装置においては、前記の走査速度および増幅回路のゲインの組合せに対する補正1次元フィルタの設定に加え、検出器の種類の選択によっても補正1次元フィルタを決定しておき、検出器の種類の選択および走査速度の設定および増幅回路のゲインの設定に応じて適切な重み係数を持つ補正1次元フィルタの設定を行う。
観察時に該補正1次元フィルタを随時作成する場合は、観察中の試料構造に適当な細かい試料表面構造がない場合、たとえば観察視野全面が平坦な試料である場合は、劣化の程度が観察できず劣化関数が求めることができないため、観察試料を支持する試料台に適当な細かい構造を設け、該構造が観察視野範囲となるよう観察位置および観察倍率を変更し、補正1次元フィルタを作成した後に観察中の試料構造位置および倍率に戻るものである。
作成した補正1次元フィルタは、該補正1次元フィルタを複数記憶できる記憶回路を設け、過去に作成した補正1次元フィルタを該記憶回路から呼び出し、再度該補正1次元フィルタを適用できるようにしたものである。
また、前述の記憶回路に記憶された複数の補正1次元フィルタから、任意のものを複数選択し、該選択した複数の補正1次元フィルタの平均を新たな補正1次元フィルタとすることを特徴としたものである。
本発明では、検出器の特性として応答速度が遅く、検出信号を増幅回路により高ゲインで増幅することで観察を行う荷電粒子線装置において、補正1次元フィルタを用いて高速に補正処理を行うことができるため、荷電粒子線の走査速度を速くしても劣化の少ない画像を観察することができ、該検出器においても観察視野探しや、試料ダメージ低減のための高速スキャンを行うことができるという効果が得られる。
また、荷電粒子線の走査速度を速くして得られた信号は、試料上の単位面積あたりに照射される荷電粒子線の照射時間が短いために、発生する二次信号量が少なく、また積算時間が短いため、通常はSN比が悪いが、本手法を適用する検出器ではランダムに発生している高周波ノイズについては、検出器およびその増幅回路の帯域制限がローパスフィルタの役割を果たすことにより該ランダムに発生した高周波ノイズは低減され、本手法による補正1次元フィルタを適用した画像は、荷電粒子線の走査速度を速くして得た画像であっても、SN比が向上した画像となるという副次的な効果も得られる。
本発明を実施するための機能を備えた装置構成を示した説明図である。 本発明の劣化関数および補正1次元フィルタを作成するフローチャートを示した説明図である。 図2のフローチャートの過程の画像を示した図である。 本発明の劣化関数の逆関数を補正1次元フィルタに置き換える手法を示した図である。
図1および図2を用いて本発明の実施形態の一例を説明する。
図1は本発明を実施するための機能を備えた荷電粒子線装置の形態の一例である。
電子銃1から発生した荷電粒子線2は収束レンズ3により収束され、対物レンズ4は試料5の表面上で該荷電粒子線2が最小径となるように収束する。偏向コイル6は偏向制御回路7から供給される偏向電流が時経過により変化し、磁界強度を変化させることで水平および垂直方向の二次元的に荷電粒子線2を走査する。荷電粒子線2の走査速度は偏向制御回路7から供給する偏向電流の変化周期を変える事で多段階に速度を変更することができ、操作者は制御入力装置8により任意の走査速度をCPU9に入力し、CPU9は偏向制御回路7に入力された走査速度設定を設定し、走査速度を変更する。試料5を支持する試料台10は手動またはモータ駆動により試料5の座標を移動させることができ、試料5の表面上に照射される荷電粒子線2の照射範囲を移動し、観察視野を移動することができる。試料5に荷電粒子線2が照射された領域からは二次信号11が発生し、検出器12により二次信号11を検出し、電気信号に変換して検出信号とする。検出信号は増幅器13により充分な振幅の信号に増幅するが、検出信号が微少である場合は、増幅率が異なるより高い増幅率の増幅器を複数備えるか、任意の増幅率に可変できる増幅器を備えるようにする。
図1では例えば増幅器13よりも増幅率の高い増幅器14および増幅器15の3つの増幅器を備え、切替機16により増幅率を切替える装置の例を示しているが、増幅器の数については、必要な増幅率に応じて決定すればよい。操作者は制御入力装置8により増幅率をCPU9に入力し、CPU9は入力された増幅率の増幅器が接続されるように切替機16を切替える。増幅器にて増幅された検出信号はアナログデジタル変換機17にて検出信号強度がグレースケール画像の濃度値に対応するようにデジタル信号に変換し、フレームメモリ18に前記荷電粒子線2の水平および垂直方向の走査座標に応じて2次元画像データの水平および垂直方向の座標にデジタル化された検出信号を配置し、画像表示装置19に出力することで、荷電粒子線2が照射された試料表面構造をグレースケールの二次元画像として観察することができる。スイッチ20は閉じられた状態で、前記フレームメモリ18と画像表示装置19が接続された状態となる。ここまでは通常の荷電粒子線装置の構成である。
本発明では前述の装置構成に加え、検出器およびその増幅回路の帯域幅を超える速度で荷電粒子線2を走査した場合の画像の劣化関数および補正1次元フィルタを算出する画像処理装置21を備える。画像処理装置21はフレームメモリ18に接続され、フレームメモリ18には検出器およびその増幅回路の帯域幅の範囲内となる遅い走査速度で記録した画像と、検出器およびその増幅回路の帯域幅を超える速い走査速度で記録した画像を記憶する。前記遅い走査速度の画像と速い走査速度の画像は、同じ視野となるようにし、増幅率の異なる複数の増幅器を備えている場合は、同じ増幅率の増幅器を使用して記録する。
画像処理装置21は前記の2つの画像データから補正1次元フィルタを作成する。画像処理装置21にて作成された補正1次元フィルタはフィルタリング装置22に設定される。
以後の観察において、操作者が制御入力装置8において前述の補正1次元フィルタを作成した条件である速い走査速度と同じ走査速度を選択し、同じ検出器および同じ増幅率の増幅器を選択した場合は、フレームメモリ18に蓄積された画像データは、水平方向の1ラインごとにフィルタリング装置22により補正1次元フィルタが施され、フレームメモリ23に補正後の水平方向の画像データを記録してゆき、1フレームの画像を形成する。スイッチ20を開放し、スイッチ24を閉じて画像表示装置19にフレームメモリ23のデータを表示することで、高速走査による画像劣化を低減した画像を観察することができる。
フィルタリング装置22によるフィルタリングは、フレームメモリ18から入力される荷電粒子線2の走査速度に応じて逐次リアルタイム処理を行う必要があるが、画像処理装置21による劣化関数の算出および補正1次元フィルタの作成は荷電粒子線2の走査速度に応じた高速処理を行う必要はないため、ハードウェアにて画像処理装置を構成する代わりに、CPU9を利用し、ソフトウェア画像処理により補正1次元フィルタを作成し、その結果をフィルタリング装置22に設定することで、装置構成の簡易化を図っても良い。
操作者により荷電粒子線2の走査速度または増幅器の増幅率の切替えがCPU9を経由して設定された場合は、画像処理装置21によりそれぞれの走査速度および増幅器の増幅率の組合せに関して補正1次元フィルタを作成しておき、CPU9は制御入力装置8より設定された走査速度または増幅器の増幅率の組合せに応じた種類の補正1次元フィルタをフィルタリング装置22に設定することで、走査速度または増幅器の増幅率に応じた適切な補正処理が施された画像を観察することができる。
応答速度が異なる検出器を複数持つ装置の場合は、検出器12から増幅器13,14,15、と同様の構成で異なる種類検出器およびその増幅器が切替機16に接続され、切替機16による切り替え経路が増える構成となり、それぞれの検出器,増幅器およびその増幅率,走査速度の選択に応じて補正1次元フィルタを作成しておき、選択された検出器,増幅器およびその増幅率,走査速度に応じてCPU9からフィルタリング装置22に設定する1次元補正フィルタの種類を指示すれば良い。
観察中の試料5に適当な細かい構造がなく、劣化の度合いが観察画像から算出できない場合は、補正1次元フィルタ作成用の標準試料25の表面上に荷電粒子線2が照射されるように試料台10を移動する。補正1次元フィルタ作成用試料25は例えば荷電粒子線2の走査方向に対して、垂直方向の線が並んだ構造を持つような試料が良く、実際に観察を行う試料5と同じ検出器,増幅器の増幅率,走査速度において、補正1次元フィルタの作成を実施し、フィルタリング装置22に該作成した補正1次元フィルタを設定し、観察を行う試料5に荷電粒子線2が照射されるように再び試料台10を移動することで、適当な細かい構造がない試料においても適切な補正1次元フィルタを施して補正された画像を観察することができる。
図2は画像処理装置21にて行う劣化関数の算出および補正1次元フィルタの作成の手順を示すフローチャート図である。
まず劣化関数を算出するには、ステップS10において、劣化のない画像として検出器およびその増幅器の帯域幅の範囲内の遅い走査速度で荷電粒子線を走査したときの画像f(x,y)を取得する。該f(x,y)の画像は例えば図3(a)のように格子構造を観察した場合、縦および横方向の格子の形状が明瞭に観察できる。
次にステップS20において画像f(x,y)と同じ視野で劣化が発生する速い走査速度で荷電粒子線を走査したときの画像g(x,y)を得る。該g(x,y)の画像図3(b)は図3(a)と同一の視野を観察した画像であるが、水平X方向の荷電粒子線の操作方向に画像が流れており、縦の格子構造が観察できない。
なおステップS10とステップS20は順不同であり、どちらを先に行っても良い。
次にステップS30において画像f(x,y)および画像g(x,y)に窓関数を施し画像f′(x,y)および画像g′(x,y)とする。窓関数は次ステップにおいてフーリエ変換を施す過程で信号の起点と終点の急峻な変化に影響されたアーティファクトを抑えるための一般的な処理であるが、本処理においてはハニング窓を施し、起点と終点の信号を0まで抑えることで、最終的なフィルタ実施後の補正画像において、縦方向のアーティファクトを少なくすることができるが、ハニング窓以外の他の窓関数を用いても良い。なお二次元的な荷電粒子線の走査において、一般的にまず水平X方向に走査し、次に水平Y方向に1ライン移動して次のラインの水平X方向の走査を行うため、高速走査を行う場合の劣化は、移動速度の速い水平X方向に発生する。そのため、本処理は水平X方向のライン単位における劣化を解析すれば良く、ステップS30の窓関数処理は画像に対し二次元的に行う必要はなく、水平X方向のデータの起点と終点に対して施せば良い。図3(c)および図3(d)の画像は、図3(a)および図3(b)の画像に窓関数を施した画像の例である。
次にステップS40において画像f′(x,y)の水平Xの1ラインf′(t)ごとにフーリエ変換しF(s)を得る。
次にステップS50において画像g′(x,y)の水平Xの1ラインg′(t)ごとにフーリエ変換しG(s)を得る。
次にステップS60において劣化関数H(s)の逆関数H-1(s)を下記の数式1により求める。
-1(s)=F(s)/G(s) (数式1)
ステップS60により求めた劣化関数H(s)の逆関数H-1(s)から補正1次元フィルタを作成する過程に入る。ステップS70においてH-1(s)のフーリエ逆変換を行い、h-1(t)を得る。該h-1(t)は実画像空間上での劣化画像に対する修復関数となっており、h-1(t)を劣化画像データg(t)に乗じることで劣化を修復することができる。
ステップS80ではh-1(t)の振幅が0に収束するまでの値を、補正1次元フィルタの重み係数として設定し、補正1次元フィルタを作成する。
図4は図2のステップS80においてh-1(t)から補正1次元フィルタを作成する手順を示した図である。図4は例えば画像の7画素に相当する時間tの期間においてh-1(t)の振幅が0に収束した場合の例を示している。振幅0を基準とし、各画素に相当する時間tにおけるh-1(t)の振幅を各画素の総和が0となる比率で標本化し、補正1次元フィルタ各画素の重み係数を決定する。例えば1画素目に相当するh-1(t1)の標本化後の振幅が1、2画素目に相当するh-1(t2)の振幅が−2、3画素目に相当するh-1(t3)の振幅が5、4画素目に相当するh-1(t4)の振幅が−7、5画素目に相当するh-1(t5)の振幅が3、6画素目に相当するh-1(t6)の振幅が−1、7画素目に相当するh-1(t7)の振幅が1であった場合、補正1次元フィルタは各画素の重み係数がそれぞれ1,−2,5,−7,3,−1,1となる7画素の1次元フィルタとなる。
図4の例では7画素に相当する時間tでh-1(t)の振幅が0に収束する例を示しているが、実際の補正1次元フィルタの画素数は劣化の度合いに応じて任意の大きさとなる。h-1(t)の振幅が0に収束するまでの時間が長い場合は、該h-1(t)の振幅の最大値,最小値に対して充分振幅が小さいといえる範囲を操作者が0と設定して補正1次元フィルタが適当な画素数となるようにしても良い。
前述のように補正1次元フィルタを作成するには、水平X方向1ラインのデータから作成できるが、例えば図1におけるフレームメモリ18には、荷電粒子線2を水平および垂直に走査した2次元画像が格納されており、水平X方向のデータは垂直Y方向の走査線本数だけ存在している。したがって、1枚の2次元画像からは垂直Y方向の走査線本数だけ補正1次元フィルタを作成することができ、前記垂直Y方向の走査線ごとの補正1次元フィルタの平均を求め、該補正1次元フィルタの平均をフィルタリング装置22に設定する補正1次元フィルタとすれば、補正1次元フィルタを作成するために取得した遅い走査速度の画像f(x,y)または速い走査速度の画像g(x,y)のいずれかに、検出器および増幅器の帯域制限による劣化以外の要因のノイズが含まれていた場合においても、該ノイズの影響を低減したフィルタを作成することができる。あるいは垂直Y方向の走査線本数ごとの各補正1次元フィルタの形状を比較し、明らかに形状の異なる補正1次元フィルタについては排除し、類似の形状の補正1次元フィルタのみの平均を求めることで、補正1次元フィルタの精度を向上することもできる。
1 電子銃
2 荷電粒子線
3 収束レンズ
4 対物レンズ
5 試料
6 偏向コイル
7 偏向制御回路
8 制御入力装置
9 CPU
10 試料台
11 二次信号
12 検出器
13 増幅器1
14 増幅器2
15 増幅器3
16 切替機
17 アナログデジタル変換機
18 フレームメモリ1
19 画像表示装置
20 スイッチ1
21 画像処理装置
22 フィルタリング装置
23 フレームメモリ2
24 スイッチ2
25 補正1次元フィルタ作成用標準試料

Claims (8)

  1. 荷電粒子線を試料に照射することで発生する二次信号を検出し、前記二次信号を電気信号に変換し、増幅回路にて信号振幅を増幅する電子顕微鏡であって、
    前記荷電粒子線の走査速度の異なる複数の二次信号を取得し、当該複数の二次信号間の劣化関数を算出し、その逆関数を補正フィルタとする信号処理する機能を備えたことを特徴とする電子顕微鏡。
  2. 請求項1記載の電子顕微鏡において、
    前記電気信号に変換された二次信号の振幅を、グレースケール画像データの濃度値に変換することにより、画像データとして二次信号を観察する機能を有する電子顕微鏡であって、
    前記荷電粒子線の走査速度の異なる複数の二次信号の画像データを取得し、当該複数の画像データ間から劣化関数を算出し、その逆関数を補正フィルタとする画像処理する機能を備えたことを特徴とする電子顕微鏡。
  3. 請求項1または請求項2記載の電子顕微鏡において、
    前記補正フィルタに使用される補正処理の重み付け係数を、前記荷電粒子線の走査速度に応じて変更する機能を備えたことを特徴とする電子顕微鏡。
  4. 請求項1または請求項2記載の電子顕微鏡において、
    検出方式が異なる複数の二次信号検出器を有し、
    前記補正フィルタに使用される補正処理の重み付け係数を、前記二次信号の検出に使用される検出器に応じて変更する機能を備えたことを特徴とする電子顕微鏡。
  5. 請求項1または請求項2記載の電子顕微鏡において、
    二次信号の増幅回路の増幅率を多段階に変化できる電子顕微鏡であって、
    前記補正フィルタに使用される補正処理の重み付け係数を、前記増幅率に応じて変更する機能を備えたことを特徴とする電子顕微鏡。
  6. 請求項1または請求項2記載の電子顕微鏡において、
    前記補正フィルタで実行される補正処理の重み付け係数の決定を、任意のタイミングで実行できることを特徴とする電子顕微鏡。
  7. 請求項1または請求項2記載の電子顕微鏡において、
    前記補正フィルタで実行される補正処理の重み係数を複数記憶する記憶手段を有し、
    前記記憶された重み係数から任意の重み係数を複数選択し、当該選択された複数の重み係数の平均値を補正処理の重み係数とすることを特徴とする電子顕微鏡。
  8. 請求項1または請求項2記載の電子顕微鏡において、
    前記補正フィルタの作成に使用される標準試料を載置する試料台を備えた電子顕微鏡。
JP2010026057A 2010-02-09 2010-02-09 荷電粒子線装置 Active JP5455694B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010026057A JP5455694B2 (ja) 2010-02-09 2010-02-09 荷電粒子線装置
DE112010005246.8T DE112010005246B4 (de) 2010-02-09 2010-11-08 Ladungteilchenstrahlvorrichtung
PCT/JP2010/006531 WO2011099101A1 (ja) 2010-02-09 2010-11-08 荷電粒子線装置
US13/577,833 US9099283B2 (en) 2010-02-09 2010-11-08 Charged particle beam apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010026057A JP5455694B2 (ja) 2010-02-09 2010-02-09 荷電粒子線装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011165450A JP2011165450A (ja) 2011-08-25
JP5455694B2 true JP5455694B2 (ja) 2014-03-26

Family

ID=44367415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010026057A Active JP5455694B2 (ja) 2010-02-09 2010-02-09 荷電粒子線装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9099283B2 (ja)
JP (1) JP5455694B2 (ja)
DE (1) DE112010005246B4 (ja)
WO (1) WO2011099101A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5335827B2 (ja) * 2011-01-04 2013-11-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及びその検出信号の補正方法
JP5901549B2 (ja) 2013-01-18 2016-04-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 計測検査装置
JP6162813B2 (ja) * 2013-10-03 2017-07-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及びその補正フィルタ設定方法
US9490101B2 (en) * 2015-03-16 2016-11-08 Applied Materials Israel Ltd. System and method for scanning an object
JP6391170B2 (ja) * 2015-09-03 2018-09-19 東芝メモリ株式会社 検査装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4099054A (en) * 1974-11-20 1978-07-04 Hitachi, Ltd. Sem having d-c bias of video signal controlled by maximum and/or minimum of crt beam current
US4783840A (en) * 1987-12-04 1988-11-08 Polaroid Corporation Method for enhancing image data by noise reduction or sharpening
JPH02236938A (ja) * 1989-03-10 1990-09-19 Hitachi Ltd 画像復元方法並びに走査型電子顕微鏡及びパターン外観検査装置及び走査像検出装置
JPH0773038B2 (ja) * 1989-12-19 1995-08-02 株式会社日立サイエンスシステムズ 走査電子顕微鏡の画像処理装置
US5173776A (en) * 1990-06-06 1992-12-22 Electroscan Corporation Apparatus and method for improving the signal-to-noise ratio of video display signals
JPH06150865A (ja) * 1992-11-04 1994-05-31 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡
JP3345060B2 (ja) * 1992-11-09 2002-11-18 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 走査形電子顕微鏡における画像信号処理方法およびその装置
TW402769B (en) * 1998-06-13 2000-08-21 Samsung Electronics Co Ltd Apparatus and method for contact failure inspection in semiconductor devices
US6366688B1 (en) * 1998-06-13 2002-04-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for contact failure inspection in semiconductor devices
JP4065847B2 (ja) 2001-11-21 2008-03-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料像形成方法及び荷電粒子線装置
WO2003044821A1 (fr) 2001-11-21 2003-05-30 Hitachi High-Technologies Corporation Procede d'imagerie d'echantillon et systeme de faisceau de particules chargees
US7361894B2 (en) 2002-10-22 2008-04-22 Hitachi High-Technologies Corporation Method of forming a sample image and charged particle beam apparatus
EP1716809B1 (en) * 2004-02-16 2013-11-06 Hitachi Medical Corporation Tomogram reconstruction method and tomograph
DE602005027373D1 (de) * 2004-10-14 2011-05-19 Lightron Co Ltd Verschlechterungsinformations-wiederherstellungsverfahren und -einrichtung
JP4691453B2 (ja) * 2006-02-22 2011-06-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥表示方法およびその装置
JP2008177064A (ja) * 2007-01-19 2008-07-31 Hitachi High-Technologies Corp 走査型荷電粒子顕微鏡装置および走査型荷電粒子顕微鏡装置で取得した画像の処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9099283B2 (en) 2015-08-04
US20120307038A1 (en) 2012-12-06
DE112010005246B4 (de) 2020-01-30
WO2011099101A1 (ja) 2011-08-18
DE112010005246T5 (de) 2013-05-02
JP2011165450A (ja) 2011-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5455694B2 (ja) 荷電粒子線装置
JP5655084B2 (ja) 荷電粒子ビーム顕微鏡
JP2008177064A (ja) 走査型荷電粒子顕微鏡装置および走査型荷電粒子顕微鏡装置で取得した画像の処理方法
JP7203678B2 (ja) 欠陥観察装置
JP4338627B2 (ja) 荷電粒子線装置と荷電粒子線顕微方法
JP5335827B2 (ja) 荷電粒子線装置及びその検出信号の補正方法
WO2016017561A1 (ja) 荷電粒子線装置
JP6909886B2 (ja) 画像推定方法およびシステム
JP2024513229A (ja) 計測保存リアルタイムノイズ除去機能を備えるafmイメージング
JP6416544B2 (ja) 荷電粒子ビーム装置
KR20140041106A (ko) 시간 방향 저대역 통과 필터를 이용한 이미지 처리 방법 및 이미지 처리 장치
CN108292577A (zh) 带电粒子射线装置及带电粒子射线装置中的图像处理方法
JP5970199B2 (ja) 荷電粒子線装置
JP6162813B2 (ja) 荷電粒子線装置及びその補正フィルタ設定方法
US10614998B2 (en) Charge reduction by digital image correlation
JP2010182424A (ja) 荷電粒子線の光軸調整方法、及び荷電粒子線装置
JP5352261B2 (ja) 走査形電子顕微鏡及びその画像保存フォーマットと画像再編集方法
JP5022981B2 (ja) 荷電粒子線装置
WO2015122082A1 (ja) 走査荷電粒子顕微鏡画像の高画質化方法および走査荷電粒子顕微鏡装置
JP2016033857A (ja) 走査荷電粒子顕微鏡画像の高画質化方法およびその装置
JP2013251212A (ja) 走査型電子顕微鏡および画像評価方法
JP2007287561A (ja) 荷電粒子線装置
KR100668218B1 (ko) 주사 전자 현미경을 이용한 시편 분석 방법
CN116964721A (zh) 学习器的学习方法以及图像生成系统
TW202103207A (zh) 電子束裝置及圖像處理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120215

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121225

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131210

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140107

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5455694

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350