JP5451232B2 - 評価方法、測定方法、プログラム、露光方法、デバイスの製造方法、測定装置、調整方法、露光装置、処理装置及び処理方法 - Google Patents
評価方法、測定方法、プログラム、露光方法、デバイスの製造方法、測定装置、調整方法、露光装置、処理装置及び処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5451232B2 JP5451232B2 JP2009177028A JP2009177028A JP5451232B2 JP 5451232 B2 JP5451232 B2 JP 5451232B2 JP 2009177028 A JP2009177028 A JP 2009177028A JP 2009177028 A JP2009177028 A JP 2009177028A JP 5451232 B2 JP5451232 B2 JP 5451232B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- wavefront aberration
- measurement
- sampling data
- reliability
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
- G03B27/54—Lamp housings; Illuminating means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/02—Testing optical properties
- G01M11/0242—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations
- G01M11/0257—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations by analyzing the image formed by the object to be tested
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/02—Testing optical properties
- G01M11/0242—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations
- G01M11/0271—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations by using interferometric methods
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
Description
Z1=1
Z2=rcos(θ)
Z3=rsin(θ)
Z4=2r2−1
Z5=r2cos(2θ)
Z6=r2sin(2θ)
Z7=(3r3−2r)cos(θ)
Z8=(3r3−2r)sin(θ)
Z9=(6r4−6r2+1)
Z10=r3cos(3θ)
Z11=r3sin(3θ)
Z12=(4r4−3r2)cos(2θ)
Z13=(4r4−3r2)sin(2θ)
Z14=(10r5−12r3+3r)cos(θ)
Z15=(10r5−12r3+3r)sin(θ)
Z16=(20r6−30r4+12r2−1)
Z17=r4cos(4θ)
Z18=r4sin(4θ)
Z19=(5r5−4r3)cos(3θ)
Z20=(5r5−4r3)sin(3θ)
Z21=(15r6−20r4+6r2)cos(2θ)
Z22=(15r6−20r4+6r2)sin(2θ)
Z23=(35r7−60r5+30r3−4r)cos(θ)
Z24=(35r7−60r5+30r3−4r)sin(θ)
Z25=(70r8−140r6+90r4−20r2+1)
Z26=r5cos(5θ)
Z27=r5sin(5θ)
Z28=(6r6−5r4)cos(4θ)
Z29=(6r6−5r4)sin(4θ)
Z30=(21r7−30r5+10r3)cos(3θ)
Z31=(21r7−30r5+10r3)sin(3θ)
Z32=(56r8−105r6+60r4−10r2)cos(2θ)
Z33=(56r8−105r6+60r4−10r2)sin(2θ)
Z34=(126r9−280r7+210r5−60r3+5r)cos(θ)
Z35=(126r9−280r7+210r5−60r3+5r)sin(θ)
Z36=(252r10−630r8+560r6−210r4+30r2−1)
投影光学系の波面収差は、一般には、干渉計を用いて測定される(特許文献1乃至3参照)。例えば、フィゾー型の干渉計を用いた場合、投影光学系を通過した被検光とフィゾー面で反射した参照光との干渉縞を、複数の画素で構成された撮像面を有する撮像素子で撮像する。そして、撮像素子で撮像した干渉縞の強度から位相計算を行い、Zernike多項式をフィッティングさせることで投影光学系の波面収差を求めている。
<第1の実施形態>
第1の実施形態では、サンプリングデータとしての投影光学系の波面収差に対してZenike多項式をフィッティングさせる際のサンプリングデータの信頼性(直交性)の評価を重点的に説明する。
<第2の実施形態>
第2の実施形態では、第1の実施形態と同様に、サンプリングデータとしての投影光学系の波面収差に対してZenike多項式をフィッティングさせる際のサンプリングデータの信頼性(直交性)の評価を重点的に説明する。第2の実施形態は、フィッティングさせるZernike多項式の項数を変えたときの係数の変化からサンプリングデータの信頼性を評価するため、Zernike多項式の係数ベースでサンプリングデータの信頼性を評価できるという利点がある。
<第3の実施形態>
第3の実施形態では、第1及び第2の実施形態と同様に、サンプリングデータとしての投影光学系の波面収差に対してZenike多項式をフィッティングさせる際のサンプリングデータの信頼性(直交性)の評価を重点的に説明する。第3の実施形態は、第2の実施形態と同様に、フィッティングさせるZernike多項式の項数を変えたときの係数の変化からサンプリングデータの信頼性を評価する。従って、Zernike多項式の係数ベースでサンプリングデータの信頼性を評価できるという利点がある。
<第4の実施形態>
第4の実施形態では、第1乃至第3の実施形態と同様に、サンプリングデータとしての投影光学系の波面収差に対してZenike多項式をフィッティングさせる際のサンプリングデータの信頼性(直交性)の評価を重点的に説明する。第4の実施形態は、フィッティングの途中の行列を操作して、かかる行列の非対角成分の影響度をZenike多項式の各項の係数ベースで比較する。
<第5の実施形態>
第5の実施形態では、投影光学系の波面収差を測定するフィゾー型の干渉計を備えた露光装置について説明する。なお、露光装置の光源がエキシマレーザーである場合、可干渉距離は数十mm程度であるが、測定対象の投影光学系の全長は約1000mmであるため、一般には、フィゾー型の干渉計を構成することができない。そこで、本実施形態の露光装置は、投影光学系の波面収差の測定に用いる干渉計の光源として、露光光源とは別の測定光源を備えている。
Claims (21)
- k番目の点をxk、点xkの測定値をwkとするn個のサンプリングデータ(xk、wk)に対して、n個のサンプリングデータの全てが有効である場合に直交性を有する複数の直交関数のm項の線形結合で表される
をフィッティングさせる場合のサンプリングデータの信頼性を評価する評価方法であって、
前記n個のサンプリングデータのうちに測定値w k が有効でない点x k がある場合、測定値wkが有効である点xkについて、gi(xk)gj(xk)の総和
を算出する算出ステップと、
前記算出ステップで算出した総和Errが閾値以下の場合に、前記サンプリングデータに信頼性があると評価する評価ステップと、
を有することを特徴とする評価方法。 - k番目の点をxk、点xkの測定値をwkとするn個のサンプリングデータ(xk、wk)に対して、m項の直交関数の線形結合で表される
をフィッティングさせる場合のサンプリングデータの信頼性を評価する評価方法であって、
前記n個のサンプリングデータに対して、前記m項のうち第1所定項を用いた式をフィッティングさせるために前記第1所定項の各係数aiを算出する第1のフィッティングステップと、
前記n個のサンプリングデータに対して、前記m項のうち第2所定項を用いた式をフィッティングさせるために前記第2所定項の各係数ai’を算出する第2のフィッティングステップと、
前記第1のフィッティングステップで得られた前記第1所定項の各係数aiと前記第2のフィッティングステップで得られた前記第2所定項の各係数ai’とを比較して、前記サンプリングデータの信頼性を評価する評価ステップと、
を有することを特徴とする評価方法。 - 前記第2所定項は、前記第1所定項を含み、且つ、前記第2所定項の項数は、前記第1所定項の項数よりも多いことを特徴とする請求項2に記載の評価方法。
- 前記第2所定項は、前記第1所定項に含まれる1つの項であることを特徴とする請求項2に記載の評価方法。
- k番目の点をxk、点xkの測定値をwkとするn個のサンプリングデータ(xk、wk)に対して、m項の直交関数の線形結合で表される
をフィッティングさせる場合のサンプリングデータの信頼性を評価する評価方法であって、
を定義して、前記n個のサンプリングデータに対して式Cをフィッティングさせた場合のフィッティング残差の平方和Φの各係数に対する偏微分を0とした式を表す行列式を
とし、GTGの非対角成分を0とした対角行列を
とした場合において、
式Dから各項の係数aiを求める第1のステップと、
式Eから各項の係数ai’を求める第2のステップと、
前記第1のステップで求めた各項の係数aiと第2のステップで求めた各項の係数ai’とを比較して、前記サンプリングデータの信頼性を評価する評価ステップと、
を有することを特徴とする評価方法。 - 光学系の波面収差を測定する測定方法であって、
前記光学系を通過した被検光と参照面からの参照光との干渉縞を検出する検出ステップと、
前記検出ステップで検出した干渉縞に基づいて、前記光学系を通過した光の波面収差を算出する算出ステップと、
請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の評価方法に従って、前記算出ステップで算出した波面収差に対してZernike多項式をフィッティングさせる場合の該波面収差の信頼性を評価する評価ステップと、
前記評価ステップで信頼性が保証された場合に、前記算出ステップで算出した波面収差に対してZernike多項式をフィッティングさせるフィッティングステップと、
を有することを特徴とする測定方法。 - コンピュータに請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の評価方法の各ステップを実行させるためのプログラム。
- レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を備えた露光装置を用いて、前記基板を露光する露光方法であって、
請求項6に記載の測定方法に従って、前記投影光学系の波面収差を測定する測定ステップと、
前記測定ステップで測定された波面収差に基づいて、前記投影光学系を調整する調整ステップと、
前記調整ステップで調整された投影光学系を介して、前記レチクルのパターンを前記基板に投影する投影ステップと、
を有することを特徴とする露光方法。 - 請求項8に記載の露光方法を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。 - 対象領域内の複数の測定点に関して光学系の波面収差の測定を実行し、且つ、前記複数の測定点のうちに欠落がない場合に直交性を有する直交関数系の線形結合で前記波面収差を表す測定装置であって、
前記波面収差の情報を含む干渉パターンを検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された干渉パターンに基づいて前記波面収差を求める処理手段と、を有し、
前記処理手段は、前記検出手段により検出された干渉パターンにおける複数の測定点に欠落がある場合、該欠落による直交関数系の直交性の崩れの度合いを求め、該度合いに基づいて前記測定の信頼性を評価する、ことを特徴とする測定装置。 - 前記処理手段は、前記度合いとして、前記直交関数系における直交関数の値を前記欠落に係る測定点においてゼロとして得られた直交関数系の直交性の度合いを求める、ことを特徴とする請求項10に記載の測定装置。
- 前記処理手段は、前記度合いとして、前記波面収差を表す前記直交関数系における直交関数の数を変化させた場合における同一の直交関数に対する係数の変化の度合いを求める、ことを特徴とする請求項10に記載の測定装置。
- 前記処理手段は、前記度合いとして、前記直交関数系における直交関数の値を前記欠落に係る測定点においてゼロとして得られた直交関数系について、その直交性を改善した場合における同一の直交関数に対する係数の変化の度合いを求める、ことを特徴とする請求項10に記載の測定装置。
- 前記処理手段は、前記信頼性が許容範囲内である場合、前記線形結合を求める、ことを特徴とする請求項10乃至13のうちいずれか1項に記載の測定装置。
- 前記処理手段は、前記信頼性が許容範囲外である場合、前記干渉パターンを前記検出手段に再度検出させる、ことを特徴とする請求項10乃至14のうちいずれか1項に記載の測定装置。
- 光学系を調整する調整方法であって、
請求項10乃至15のうちいずれか1項に記載の測定装置を用いて前記光学系の波面収差を測定する工程と、
前記工程で測定された前記波面収差に基づいて前記光学系を調整する工程と、を含むことを特徴とする調整方法。 - 基板を露光する露光装置であって、
前記基板に光を投影する投影光学系と、
前記投影光学系の波面収差を測定する請求項10乃至15のうちいずれか1項に記載の測定装置と、を有し、
前記測定装置により測定された前記波面収差に基づいて前記投影光学系を調整する、ことを特徴とする露光装置。 - 請求項17に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。 - 対象領域内の複数のサンプリング点に関してデータのサンプリングを実行する手段と、
前記サンプリングにより得られたデータを前記複数のサンプリング点のうちに欠落がない場合に直交性を有する直交関数系の線形結合で表す処理手段と、を有し、
前記処理手段は、前記複数のサンプリング点のうちに欠落がある場合、該欠落による前記直交関数系の直交性の崩れの度合いを求め、該度合いに基づいて前記サンプリングの信頼性を評価する、ことを特徴とする処理装置。 - 対象領域内の複数の測定点に関して光学系の波面収差の情報を含む干渉パターンを検出して該波面収差の測定を実行し、且つ、前記複数の測定点のうちに欠落がない場合に直交性を有する直交関数系の線形結合で前記波面収差を表す測定方法であって、
前記干渉パターンにおける前記複数の測定点に欠落がある場合、該欠落による前記直交関数系の直交性の崩れの度合いを求め、該度合いに基づいて前記測定の信頼性を評価する、ことを特徴とする測定方法。 - 対象領域内の複数のサンプリング点に関してデータのサンプリングを実行し、該サンプリングにより得られたデータを前記複数のサンプリング点のうちに欠落がない場合に直交性を有する直交関数系の線形結合で表す処理方法であって、
前記複数のサンプリング点のうちに欠落がある場合、該欠落による前記直交関数系の直交性の崩れの度合いを求め、該度合いに基づいて前記サンプリングの信頼性を評価する、ことを特徴とする処理方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009177028A JP5451232B2 (ja) | 2009-07-29 | 2009-07-29 | 評価方法、測定方法、プログラム、露光方法、デバイスの製造方法、測定装置、調整方法、露光装置、処理装置及び処理方法 |
US12/840,951 US8174675B2 (en) | 2009-07-29 | 2010-07-21 | Measuring apparatus, optical system manufacturing method, exposure apparatus, device manufacturing method, and processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009177028A JP5451232B2 (ja) | 2009-07-29 | 2009-07-29 | 評価方法、測定方法、プログラム、露光方法、デバイスの製造方法、測定装置、調整方法、露光装置、処理装置及び処理方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011033354A JP2011033354A (ja) | 2011-02-17 |
JP2011033354A5 JP2011033354A5 (ja) | 2012-09-06 |
JP5451232B2 true JP5451232B2 (ja) | 2014-03-26 |
Family
ID=43527376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009177028A Expired - Fee Related JP5451232B2 (ja) | 2009-07-29 | 2009-07-29 | 評価方法、測定方法、プログラム、露光方法、デバイスの製造方法、測定装置、調整方法、露光装置、処理装置及び処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8174675B2 (ja) |
JP (1) | JP5451232B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2657234A1 (en) * | 2006-07-10 | 2008-01-17 | Amo Manufacturing Usa, Llc | Systems and methods for wavefront analysis over circular and noncircular pupils |
US8534135B2 (en) * | 2010-04-30 | 2013-09-17 | Nanometrics Incorporated | Local stress measurement |
CN105300528A (zh) * | 2015-10-12 | 2016-02-03 | 国家电网公司 | 变电站设备红外图像诊断方法及系统 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3796368B2 (ja) | 1999-03-24 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置 |
US7016025B1 (en) * | 1999-06-24 | 2006-03-21 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for characterization of optical systems |
JP3728187B2 (ja) | 2000-07-10 | 2005-12-21 | キヤノン株式会社 | 結像光学系性能測定方法及び装置 |
JP2002181663A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-26 | Nikon Corp | 波面収差推定方法、波面収差推定装置、及び波面収差推定手順を記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体、並びに結像光学系の製造方法及び結像光学系 |
JP2006084787A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Nikon Corp | 結像光学系の評価方法、結像光学系の調整方法、露光装置および露光方法 |
US7375799B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-05-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
JP2008277632A (ja) | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Canon Inc | 測定方法、測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
-
2009
- 2009-07-29 JP JP2009177028A patent/JP5451232B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-07-21 US US12/840,951 patent/US8174675B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110027723A1 (en) | 2011-02-03 |
JP2011033354A (ja) | 2011-02-17 |
US8174675B2 (en) | 2012-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6132499B2 (ja) | 検査装置、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 | |
JP4343685B2 (ja) | レチクル及び光学特性計測方法 | |
CN102243445B (zh) | 光学系统、检查系统以及制造方法 | |
KR102326190B1 (ko) | 정정 유도 방법 및 장치, 구조체의 속성을 결정하는 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법 | |
WO2003088329A1 (en) | Reticle and optical characteristic measuring method | |
US10535132B2 (en) | Method for determining a distance between a first structure element on a substrate and a second structure element | |
US20160231241A1 (en) | Method and Apparatus for Improving Measurement Accuracy | |
JP3728187B2 (ja) | 結像光学系性能測定方法及び装置 | |
US10852247B2 (en) | Variable corrector of a wave front | |
JP3612903B2 (ja) | 収差測定方法及び収差測定装置並びにそれを備えた露光装置及びデバイス製造方法 | |
US8373866B2 (en) | Wavefront aberration measuring apparatus, wavefront aberration measuring method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
US20070153294A1 (en) | Measurement method and apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP5451232B2 (ja) | 評価方法、測定方法、プログラム、露光方法、デバイスの製造方法、測定装置、調整方法、露光装置、処理装置及び処理方法 | |
JP3870153B2 (ja) | 光学特性の測定方法 | |
KR102227293B1 (ko) | 리소그라피 마스크의 초점 위치를 결정하기 위한 방법 및 그 방법을 실행하기 위한 계측 시스템 | |
JP3352298B2 (ja) | レンズ性能測定方法及びそれを用いたレンズ性能測定装置 | |
JP2006017485A (ja) | 面形状測定装置および測定方法、並びに、投影光学系の製造方法、投影光学系及び投影露光装置 | |
TWI503634B (zh) | Exposure apparatus, exposure management system, and exposure method | |
JPH11297615A (ja) | 投影露光装置および該装置を用いた半導体デバイスの製造方法 | |
JP2022533184A (ja) | アプラナティック対物単レンズを含む計測ツール | |
JP2010034319A (ja) | 波面収差の測定方法 | |
JP2009210359A (ja) | 評価方法、評価装置および露光装置 | |
JP2008172004A (ja) | 収差評価方法、調整方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 | |
US11526091B2 (en) | Sensor apparatus and method for lithographic measurements | |
JP2002202449A (ja) | 対物光学系の製造方法、検査装置及びその製造方法、観察装置、露光装置、並びにマイクロデバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120725 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120725 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130909 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131129 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131226 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |