JP5449987B2 - 半導体性の単層カーボンナノチューブの濃縮方法 - Google Patents
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[強酸水溶液中でのSWNTsのマイクロ波処理およびSWNTフィルムの調製]
硫酸および硝酸(Waco Pure chemical, Ltd.)を氷浴中にて温度を室温近くに維持しながらゆっくりと混合した。典型的には、97% H2SO4および60% HNO3を1:1の体積比で混合し、強酸水溶液を調製した。
[ラマンスペクトル]
吸引濾過によりカーボンナノチューブを処理して作製したフィルムのラマンスペクトルは、ラマン分光器(LabRAM HR-800、堀場製作所)を用いてレーザ励起波長514.5nmおよび632.8nmで測定した。
[吸収スペクトル]
テトラヒドロフラン(THF)に分散したSWNTsの溶液の吸収スペクトルを、分光光度計(UV-3150、(株)島津製作所製)を用いて光路長10mmのパイレックス(登録商標)セルで測定した。
[SWNT膜のI-V特性]
SWNT膜のI-V特性は、パラメータアナライザ(E5270B Aglient Tecnologies Inc.)を用いて2つのタングステンプローブにより記録した。より良く結果を比較し分析するために、全てのナノチューブ膜は同じサイズの20×20mm2に切り取り、これをサンプルステージに固定した。シート抵抗(Rs)は低電流−低バイアス線形領域で見積もった。SWNTの平均厚み(t)は表面計測プロファイラ(Alpha-Step IQ KLA Tencor Corp.)を用いて測定した。
[膜のSEM観察]
走査型電子顕微鏡(SEM)による観察は、フィールドエミッション走査電子顕微鏡(加速電圧5.0kV、ビーム電流10μA、S-4800:JEOL)により、標体を接着カーボンテープ(DTM 9101 JEOL Datum)でサンプルホルダに保持して行った。
Claims (2)
- 金属性の単層カーボンナノチューブと半導体性の単層カーボンナノチューブとが混在する原料の単層カーボンナノチューブを強酸水溶液中に分散する工程と、強酸水溶液中に分散された単層カーボンナノチューブにマイクロ波を照射することにより金属性の単層カーボンナノチューブを選択的に消滅させて半導体性の単層カーボンナノチューブを濃縮する工程とを含むことを特徴とする半導体性の単層カーボンナノチューブの濃縮方法。
- 強酸水溶液中に分散された単層カーボンナノチューブにマイクロ波を照射することにより、金属性の単層カーボンナノチューブを選択的に消滅させて半導体性の単層カーボンナノチューブを濃縮すると同時に、半導体性の単層カーボンナノチューブのうち直径のより短いものを選択的に消滅させて直径のより長いものを選択的に残存させ、半導体性の単層カーボンナノチューブの直径分布を原料の単層カーボンナノチューブよりも狭小化することを特徴とする請求項1に記載の半導体性の単層カーボンナノチューブの濃縮方法。
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